JP2000147773A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各種の放射線に有効に感応し、感度、解像度
およびパターン形状に優れるとともに、特に「ナノエッ
ジラフネス」あるいは「膜面荒れ」を生じることがな
く、高精度の微細なレジストパターンを安定して形成す
ることができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 （イ）ポリ（4-ヒドロキシスチレン）中
のフェノール性水酸基の水素原子の一部が1-エトキシエ
チル基で置換された重合体で代表される樹脂、（ロ）感
放射線性酸発生剤、および（ハ）1,3-ビス（ジメチルア
ミノ)-2-プロパノール、 N,N'-ビス（2-ヒドロキシエチ
ル）ピペラジン、1,2-ビス[4'-｛N-(2''-ヒドロキシエ
チル）ピペリジニル｝] プロパン、 N,N,N',N'',N''-ペ
ンタキス（2-ヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミ
ン、2,4,6-トリス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、4-ヒドロキシピリジン等で代表される塩基性化合物
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、さらに詳しくは、遠紫外線、Ｘ線、荷電
粒子線等の放射線を用いる超微細加工に好適な化学増幅
型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、集積回路のより高い集積度を得る
ために、リソグラフィーにおけるデザインルールの微細
化が急速に進行しており、近年では、線幅０．５μｍ以
下の高精度の微細加工を安定して行なうことができるリ
ソグラフィープロセスの開発が強く推し進められてい
る。そのため、微細加工に用いられるレジストについて
も、線幅０．５μｍ以下のレジストパターンを精度よく
形成しうることが必要とされているが、従来の可視光線
（波長８００〜４００ｎｍ）や近紫外線（波長４００〜
３００ｎｍ）を用いる方法では、このような微細パター
ンを高精度に形成することが極めて困難である。そこ
で、より幅広い焦点深度を達成でき、デザインルールの
微細化に有効な短波長（波長３００ｎｍ以下）の放射線
を用いるリソグラフィープロセスが提案されている。こ
のような短波長の放射線を用いるリソグラフィープロセ
スとしては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル（波長２
５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等に
代表される遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線あ
るいは電子線等の荷電粒子線を使用する方法が提案され
ている。そして、これらの短波長の放射線に対応する高
解像度のレジストとして、「化学増幅型レジスト」が提
案され、現在、この化学増幅型レジストの改良が精力的
に進められている。化学増幅型レジストは、それに含有
される感放射線性酸発生剤への放射線の照射（以下、
「露光」という。）により酸を発生させ、この酸の触媒
作用により、レジスト被膜中で化学反応（例えば極性の
変化、化学結合の開裂、架橋反応等）を生起させ、現像
液に対する溶解性が露光部において変化する現象を利用
して、パターンを形成するものである。従来、このよう
な化学増幅型レジストとしては、樹脂成分に、アルカリ
可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をｔ−ブチルエステル
基やｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂（特公平
２−２７６６０号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂中の
アルカリ親和性基をシリル基で保護した樹脂（特公平３
−４４２９０号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂中のア
ルカリ親和性基をケタール基で保護した樹脂（特開平７
−１４０６６６号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂中の
アルカリ親和性基をアセタール基で保護した樹脂（特開
平２−１６１４３６号公報、特開平５−２４９６８２号
公報参照）等を使用したレジスト等、化学増幅型レジス
トに関しては多くの報告がなされている。しかしなが
ら、これらの化学増幅型レジストにはそれぞれ固有の問
題があり、特に設計寸法０．２５μｍ以下の微細加工へ
の実用化に際して種々の困難を伴うことが指摘されてお
り、特に近年、設計寸法０．２０μｍ付近の微細加工を
薄い膜厚で行う際に、パターン形成後のレジスト被膜の
表面および側面の凹凸が大きくなり、設計寸法どおりの
微細加工に支障を来たす、いわゆる「ナノエッジラフネ
ス」あるいは「膜面荒れ」の問題が指摘され始めた。一
方、化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物にお
いて、感光性成分として感放射線性酸発生剤と露光によ
り中性化合物に分解しうる化合物との組み合せを使用す
ることにより、特に線幅制御が容易となることが開示さ
れ（特開平９−４３８３７号公報参照）、また酸の作用
によりアルカリ可溶性となる樹脂、感放射線性酸発生剤
および脂肪族性水酸基を有する３級アミン化合物を含有
する組成物が、特にタイム・ディレイ効果耐性に優れる
ことが開示されている（特開平１０−１７７２５０号公
報参照）。しかしながら、これらの組成物は、特に設計
寸法０．２０μｍ付近の微細加工を薄い膜厚で行う際の
大きな問題である「ナノエッジラフネス」あるいは「膜
面荒れ」の抑制の点で満足できない。そこで、感度、解
像度、パターン形状に優れるとともに、「ナノエッジラ
フネス」あるいは「膜面荒れ」の問題を解決しうる化学
増幅型レジストの開発が強く求められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、遠紫
外線、Ｘ線あるいは荷電粒子線の如き各種の放射線に有
効に感応し、感度、解像度およびパターン形状に優れる
とともに、特に「ナノエッジラフネス」あるいは「膜面
荒れ」を生じることがなく、高精度の微細なレジストパ
ターンを安定して形成することができる化学増幅型レジ
ストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供すること
にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本願発明によると、前記
課題は、（イ）（Ｉ）下記一般式（１）で表される繰返
し単位と下記一般式（２）で表される繰返し単位とを必
須の単位として有する樹脂、（ロ）感放射線性酸発生
剤、および（ハ）下記一般式（３）〜（８）で表される
化合物の群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物、に
よって達成される。

【０００５】

【化９】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル
基を示し、Ｒ² およびＲ³ は相互に独立に水素原子また
は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
ル基を示す。〕

【０００６】

【化１０】 〔一般式（２）において、Ｒ⁴ は水素原子またはメチル
基を示す。〕

【０００７】

【化１１】 〔一般式（３）において、Ｘ¹ は主鎖炭素数が２〜８の
ポリメチレン鎖を示し、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は
相互に独立に炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基または
炭素数７〜１２のアラルキル基を示すか、またはＲ⁵ と
Ｒ⁶ が結合し、あるいはＲ⁷ とＲ⁸ が結合して、それぞ
れ一般式（３）中の１個の窒素原子と共に５〜８員環の
複素環構造を形成し、Ｒ⁵ 〜Ｒ⁸ の残りが相互に独立に
炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
ル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１
２のアラルキル基を示し、かつ前記ポリメチレン鎖、ア
ルキル基、アリール基、アラルキル基および複素環構造
の少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸基を１個以
上有する。但し、前記ポリメチレン鎖、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基および複素環構造は、それらの
任意の炭素−炭素結合間に酸素原子、硫黄原子あるいは
カルボニル基を有することができ、またそれらの任意の
炭素原子に結合した水素原子がアルコキシル基、フェノ
キシ基等の水酸基以外の１種以上の置換基で置換されて
いてもよい。〕

【０００８】

【化１２】 〔一般式（４）において、Ｒ⁹ およびＲ¹⁰は相互に独立
に炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアル
キル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜
１２のアラルキル基を示し、かつ前記アルキル基、アリ
ール基およびアラルキル基、並びに一般式（４）中のピ
ペラジン環の少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸
基を１個以上有する。但し、前記アルキル基、アリール
基およびアラルキル基は、それらの任意の炭素−炭素結
合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボニル基を有す
ることができ、またそれらの任意の炭素原子に結合した
水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基等の水酸基以
外の１種以上の置換基で置換されていてもよい。〕

【０００９】

【化１３】 〔一般式（５）において、Ｘ² は主鎖炭素数が２〜８の
ポリメチレン鎖を示し、Ｒ¹¹およびＲ¹²は相互に独立に
炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
ル基、炭素数６〜１２のアリール基もしくは炭素数７〜
１２のアラルキル基を示し、かつ前記ポリメチレン鎖、
アルキル基、アリール基およびアラルキル基、並びに一
般式（５）中の１個または２個のピペリジン環の少なく
とも１つが炭素原子に結合した水酸基を１個以上有す
る。但し、前記ポリメチレン鎖、アルキル基、アリール
基およびアラルキル基は、それらの任意の炭素−炭素結
合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボニル基を有す
ることができ、またそれらの任意の炭素原子に結合した
水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基等の水酸基以
外の１種以上の置換基で置換されていてもよい。〕

【００１０】

【化１４】 〔一般式（６）において、Ｘ³ およびＸ⁴ は相互に独立
に主鎖炭素数が２〜８のポリメチレン鎖を示し、Ｒ¹³、
Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶およびＲ¹⁷は相互に独立に炭素数１〜
１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラル
キル基を示すか、またはＲ¹³とＲ¹⁴が相互に結合し、あ
るいはＲ¹⁶とＲ¹⁷が相互に結合して、それぞれ一般式
（６）中の１個の窒素原子と共に５〜８員環の複素環構
造を形成し、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁷の残りが相互に独立に炭素数１
〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭
素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラ
ルキル基を示し、かつ前記ポリメチレン鎖、アルキル
基、アリール基、アラルキル基および複素環構造の少な
くとも１つが炭素原子に結合した水酸基を１個以上有す
る。但し、前記ポリメチレン鎖、アルキル基、アリール
基、アラルキル基および複素環構造は、それらの任意の
炭素−炭素結合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボ
ニル基を有することができ、またそれらの任意の炭素原
子に結合した水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基
等の水酸基以外の１種以上の置換基で置換されていても
よい。〕

【００１１】

【化１５】 〔一般式（７）において、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ
²²およびＲ²³は相互に独立に炭素数１〜１２の直鎖状、
分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜１２のア
リール基または炭素数７〜１２のアラルキル基を示す
か、またはＲ¹⁸とＲ¹⁹が相互に結合し、あるいはＲ²⁰と
Ｒ²¹が相互に結合し、あるいはＲ²²とＲ²³が相互に結合
して、それぞれ一般式（７）中の１個の窒素原子と共に
５〜８員環の複素環構造を形成し、Ｒ¹⁸〜Ｒ²³の残りが
相互に独立に炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基もしく
は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。但し、前記ア
ルキル基、アリール基、アラルキル基および複素環構造
は、それらの少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸
基を１個以上有することができ、またそれらの任意の炭
素−炭素結合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボニ
ル基を有することができ、さらにそれらの任意の炭素原
子に結合した水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基
等の水酸基以外の１種以上の置換基で置換されていても
よい。〕

【００１２】

【化１６】 〔一般式（８）において、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷およ
びＲ²⁸は相互に独立に水素原子、水酸基、炭素数１〜１
２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数
６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラルキ
ル基を示すか、またはＲ²⁴とＲ²⁵が相互に結合し、ある
いはＲ²⁵とＲ²⁶が相互に結合し、あるいはＲ²⁶とＲ²⁷が
相互に結合し、あるいはＲ²⁷とＲ²⁸が相互に結合して、
それぞれ一般式（８）中の２個の炭素原子と共に６員環
の芳香環構造を形成し、Ｒ²⁴〜Ｒ²⁸の残りが相互に独立
に水素原子、水酸基、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状
もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール
基または炭素数７〜１２のアラルキル基を示し、かつＲ
²⁴〜Ｒ²⁸の少なくとも１つが水酸基であるか、あるいは
前記アルキル基、アリール基、アラルキル基および芳香
環構造の少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸基を
１個以上有する。但し、Ｒ²⁴〜Ｒ²⁸の少なくとも１つが
水酸基であるとき、残りのＲ²⁴〜Ｒ²⁸の前記アルキル
基、アリール基、アラルキル基および芳香環構造の少な
くとも１つが水酸基を１個以上有することができ、前記
アルキル基、アリール基、アラルキル基および芳香環構
造は、それらの任意の炭素−炭素結合間に酸素原子、硫
黄原子あるいはカルボニル基を有することができ、また
それらの任意の炭素原子に結合した水素原子がアルコキ
シル基、フェノキシ基、ピリジル基等の水酸基以外の１
種以上の置換基で置換されていてもよい。〕

【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。（イ）成分 本発明における（イ）成分は、前記一般式（１）で表さ
れる繰返し単位（以下、「繰返し単位（１）」とい
う。）と前記一般式（２）で表される繰返し単位（以
下、「繰返し単位（２）」という。）とを必須の単位と
して有し、場合により、さらに他の繰返し単位を有する
樹脂（以下、「樹脂（イ）」という。）からなる。樹脂
（イ）において、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）
および他の繰返し単位は、それぞれ単独でまたは２種以
上が存在することができる。樹脂（イ）は、下記式
（９）で表される酸解離性のアセタール基（以下、「ア
セタール基（９）」という。）を有する樹脂である。

【００１４】

【化１７】 〔式（９）において、Ｒ² およびＲ³ は一般式（１）に
おけるそれぞれＲ² およびＲ³ と同義である。〕 また、樹脂（イ）は、適当な架橋基（例えば、ジエチレ
ングリコール骨格を有する架橋基等）で部分架橋された
構造を有することもできる。

【００１５】一般式（１）において、Ｒ² およびＲ³ の
直鎖状、分岐状もしくは環状の炭素数１〜６のアルキル
基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ
−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
を挙げることができる。一般式（１）におけるＲ² およ
びＲ³ としては、特に、水素原子、メチル基、エチル基
が好ましい。

【００１６】樹脂（イ）において、繰返し単位（１）の
含有率は、全繰返し単位に対して、好ましくは５〜７０
モル％、さらに好ましくは５〜６０モル％であり、繰返
し単位（２）の含有率は、全繰返し単位に対して、好ま
しくは１０〜９５モル％、さらに好ましくは４０〜９５
モル％であり、他の繰返し単位の含有率は、全繰返し単
位に対して、好ましくは７０モル％以下、さらに好まし
くは４０モル％以下である。この場合、樹脂（イ）中の
繰返し単位（１）の含有率が５モル％未満では、十分な
解像性能を得ることが困難となる傾向があり、一方７０
モル％を超えると、耐熱性が低下する傾向がある。ま
た、繰返し単位（２）の含有率が１０モル％未満では、
基板との接着性が低下する傾向があり、一方９５モル％
を超えると、未露光部も溶解しやすくなり、レジストパ
ターンの形成が困難となるか、あるいはパターン形状が
損なわれる傾向がある。

【００１７】樹脂（イ）としては、例えば、２−ヒドロ
キシスチレン、３−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキ
シスチレン、２−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、３
−ヒドロキシ−α−メチルスチレンおよび４−ヒドロキ
シ−α−メチルスチレンの群から選ばれる化合物の１種
以上を、場合により他の重合性不飽和化合物（但し、繰
返し単位（１）に対応する化合物を除く。）の１種以上
と共に、（共）重合した（共）重合体中のフェノール性
水酸基の水素原子の一部を、アセタール基（３）で置換
した構造を有する樹脂や、該樹脂をジエチレングリコー
ル骨格を有する架橋基で部分架橋した構造を有する樹脂
等を挙げることができる。

【００１８】また、樹脂（イ）は、場合により、前記
（共）重合体中のフェノール性水酸基の水素原子の一部
を、アセタール基（９）以外の酸解離性基（以下、「他
の酸解離性基」という。）で置換した構造を有すること
ができる。他の酸解離性基としては、例えば、ｔ−ブチ
ル基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブ
トキシカルボニルメチル基、テトラヒドロフラニル基、
テトラヒドロピラニル基等を挙げることができる。

【００１９】前記他の重合性不飽和化合物としては、例
えば、スチレン、α−メチルスチレン、２−メチルスチ
レン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−
メトキシスチレン、３−メトキシスチレン、４−メトキ
シスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、４−ベンジル
オキシスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシス
チレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチ
レン、４−（２’−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキ
シ）スチレン、４−テトラヒドロフラニルオキシスチレ
ン、４−テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のビニ
ル芳香族化合物；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）
アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、
（メタ）アクリル酸ｉ−プロピル、（メタ）アクリル酸
ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｉ−ブチル、（メタ）
アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブ
チル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メタ）アク
リル酸ネオペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシ
ル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）
アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸
２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒド
ロキシプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、
（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル
酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、
（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アク
リル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマ
ンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル、（メ
タ）アクリル酸テトラヒドロフラニル、（メタ）アクリ
ル酸テトラヒドロピラニル、（メタ）アクリル酸フェニ
ル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸
フェネチル等の（メタ）アクリル酸エステル類；（メ
タ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、
けい皮酸等の不飽和カルボン酸類；（メタ）アクリル酸
２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボ
キシプロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシプロ
ピル等の不飽和カルボン酸のカルボキシアルキルエステ
ル類；（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロ
ニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマ
ロニトリル等の不飽和ニトリル化合物；（メタ）アクリ
ルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、
クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド等の不
飽和アミド化合物；マレイミド、Ｎ−フェニルマレイミ
ド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化
合物；Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピ
ロリドン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、
４−ビニルピリジン、２−ビニルイミダゾール、４−ビ
ニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物等を挙げ
ることができる。

【００２０】樹脂（イ）としては、ポリ（４−ヒドロキ
シスチレン）、ポリ（４−ヒドロキシ−α−メチルスチ
レン）、４−ヒドロキシスチレン／４−ヒドロキシ−α
−メチルスチレン共重合体、あるいは４−ヒドロキシス
チレンおよび／または４−ヒドロキシ−α−スチレンと
スチレンおよび／またはα−メチルスチレンとの共重合
体中のフェノール性水酸基の水素原子の一部を、アセタ
ール基（９）で置換した構造を有する樹脂、該樹脂をジ
エチレングリコール骨格を有する架橋基で部分架橋した
構造を有する樹脂等が好ましい。

【００２１】樹脂（イ）は、例えば、（ａ）予め製造し
たヒドロキシ（α−メチル）スチレン類の（共）重合体
中のフェノール性水酸基の水素原子の一部にアセタール
基（９）を導入し、場合により該（共）重合体中のフェ
ノール性水酸基の水素原子の一部にさらに他の酸解離性
基を導入する方法、（ｂ）フェノール性水酸基の水素原
子をアセタール基（９）で置換したヒドロキシ（α−メ
チル）スチレン誘導体類とヒドロキシ（α−メチル）ス
チレン類とを、場合により前記他の重合性不飽和化合物
と共に、共重合する方法等により製造することができ
る。樹脂（イ）中のジエチレングリコール骨格を有する
架橋基により部分架橋された構造は、前記（ａ）の方法
におけるアセタール基（９）および／または他の酸解離
性基の導入に際して、例えば、適当量のジエチレングリ
コールジビニルエーテルを同時に反応させることにより
導入することができる。

【００２２】樹脂（イ）のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という。）によるポリ
スチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）は、前記部分架橋された構造をもたない場合、好
ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましく
は３，０００〜１００，０００であり、また前記部分架
橋された構造を有する場合、好ましくは８，０００〜５
００，０００、さらに好ましくは１２，０００〜３０
０，０００である。樹脂（イ）のＭｗを前記範囲とする
ことにより、解像度、現像性等に特に優れた感放射線性
樹脂組成物を得ることができる。本発明において、樹脂
（イ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。

【００２３】（ロ）成分 本発明における（ロ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（ロ）」とい
う。）からなる。酸発生剤（ロ）としては、オニウム
塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化
合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物
等を挙げることができる。以下に、酸発生剤（ロ）の例
を示す。 オニウム塩：オニウム塩としては、例えば、ヨードニ
ウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウ
ム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げること
ができる。オニウム塩化合物の具体例としては、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシ
ルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピ
レンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシ
ルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−
トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼ
ンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンフ
ァースルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタ
ンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスル
ホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ト
リフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホ
ネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−
ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェ
ニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブトキシフ
ェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネ
ート等を挙げることができる。

【００２４】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ン、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、α−メチ
ロールベンゾインパーフルオロブタンスルホネート、α
−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネー
ト、α−メチロールベンゾイン２−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、フェナシルフェニルスルホン、
メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニ
ル）メタン、４−トリスフェナシルスルホン等を挙げる
ことができる。 スルホンイミド化合物：スルホンイミド化合物として
は、例えば、下記式（１０）

【００２５】

【化１８】 〔式（１０）において、Ｚはアルキレン基、アリーレン
基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ²⁹はアル
キル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲ
ン置換アリール基等の１価の基を示す。）で表される化
合物を挙げることができる。

【００２６】スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
チルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（カンフ
ァースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンフ
ァースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファ
ースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カ
ンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシク
ロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−
ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキ
シ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホ
ニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニ
ルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチル
フェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ
−（４’−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（４’−メチルフェニルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４’−メチ
ルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミ
ド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニル
オキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチ
ルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２
−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（２’−トリフルオロメチルフ
ェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（２’−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２’−トリ
フルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−フ
ルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ
−（４−フルオロフェニル）フタルイミド、Ｎ−（４−
フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイ
ミド、Ｎ−（４’−フルオロフェニルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．１．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４’−フルオロフェニル
スルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．１．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４’−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２．１．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルス
ルホニルオキシ）ナフチルイミド等を挙げることができ
る。 ジアゾメタン化合物：ジアゾメタン化合物としては、
例えば、下記式（１１）

【００２７】

【化１９】 〔式（１１）において、Ｒ³⁰およびＲ³⁰は相互に独立に
アルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハ
ロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕で表され
る化合物を挙げることができる。

【００２８】ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビ
ス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（１，４−ジオキサスピロ
[４．５] デカン−７−スルホニル）ジアゾメタン、シ
クロヘキシルスルホニル・ｔ−ブチルスルホニルジアゾ
メタン、メチルスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルジ
アゾメタン等を挙げることができる。

【００２９】本発明における酸発生剤（ロ）としては、
オニウム塩化合物およびジアゾメタン化合物が好まし
く、特に、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−
トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０
−カンファースルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル
・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ビス
（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロ
ヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，４−ジ
オキサスピロ [４．５] デカン−７−スルホニル）ジア
ゾメタン等が好ましい。

【００３０】本発明において、酸発生剤（ロ）は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。本
発明における酸発生剤（ロ）の使用量は、樹脂（イ）１
００重量部当り、好ましくは０．１〜２０重量部、特に
好ましくは０．５〜１０重量部である。この場合、酸発
生剤（ロ）の使用量が０．１重量部未満であると、感度
が低下する傾向があり、一方２０重量部を越えると、レ
ジストの塗布性が低下する傾向がある。

【００３１】（ハ）成分 本発明における（ハ）成分は、前記一般式（３）で表さ
れる化合物（以下、「塩基性化合物（３）」とい
う。）、前記一般式（４）で表される化合物（以下、
「塩基性化合物（４）」という。）、前記一般式（５）
で表される化合物（以下、「塩基性化合物（５）」とい
う。）、前記一般式（６）で表される化合物（以下、
「塩基性化合物（６）」という。）、前記一般式（７）
で表される化合物（以下、「塩基性化合物（７）」とい
う。）および前記一般式（８）で表される化合物（以
下、「塩基性化合物（８）」という。）の群から選ばれ
る少なくとも１種の塩基性化合物（以下、塩基性化合物
（３）〜（８）をまとめて「塩基性化合物（ハ）」とい
うこともある。）からなる。感放射線性酸発生剤を含有
する化学増幅型感放射線性樹脂組成物においては、酸拡
散制御剤として塩基性物質を添加することにより、パタ
ーン形状、パターン上層部における庇の発生防止をより
改良できることが既に知られている。本発明者らは、前
記樹脂（イ）を含有する化学増幅型感放射線性樹脂組成
物において、特に「ナノエッジラフネス」あるいは「膜
面荒れ」の改善方法について鋭意検討した結果、酸拡散
制御剤成分として塩基性化合物（ハ）を使用することに
より、感放射線性樹脂組成物の諸性能が著しく改良され
ることを見い出し、本発明を成すに至った。

【００３２】以下に、塩基性化合物（ハ）の例を具体的
に示す。塩基性化合物（３）の具体例としては、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチ
ル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリエチル−
Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシプ
ロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリエチル
−Ｎ’−（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ’−（２−ヒドロ
キシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリベ
ンジル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリベンジル−Ｎ’−（２−ヒド
ロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−ト
リメチル−Ｎ’−（４−ヒドロキシフェニル）エチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ’−（４−ヒ
ドロキシベンジル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−
トリメチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）トリメチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ’−（２
−ヒドロキシエチル）テトラメチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチ
ル）ペンタメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチ
ル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）ヘキサメチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ’−（２−ヒド
ロキシエチル）ヘプタメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’
−トリメチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）オクタ
メチレンジアミン、１，３−ビス（ジメチルアミノ）−
２−プロパノール、１，３−ビス（ジエチルアミノ）−
２−プロパノール、１−ジメチルアミノ−２−（３’−
ヒドロキシピロリジノ）エタン、１−ジメチルアミノ−
２−（３’−ヒドロキシメチルピロリジノ）エタン、１
−ジメチルアミノ−２−｛３’−（２''−ヒドロキシエ
チル）ピロリジノ｝エタン、１−ジメチルアミノ−２−
（４’−ヒドロキシピペリジノ）エタン等の水酸基を１
個有する化合物；

【００３３】Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２
−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
エチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシエチル）エチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジエチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシプロ
ピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヒドロ
キシベンジル）エチレンジアミン、１，２−ビス（３’
−ヒドロキシピロリジノ）エタン、１，２−ビス（３’
−ヒドロキシメチルピロリジノ）エタン、１，２−ビス
｛（３’−（２''−ヒドロキシエチル) ピロリジノ｝エ
タン、１，２−ビス（４’−ヒドロキシピペリジノ）エ
タン、１，２−ビス（４’−ヒドロキシメチルピペリジ
ノ）エタン、１，２−ビス｛（４’−（２''−ヒドロキ
シエチル) ピペリジノ｝エタン、１−モルホリノ−２−
｛ビス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝エタン等の
水酸基を２個有する化合物；

【００３４】Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリス（２
−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ−ｎ−ドデ
シル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリス（２−ヒドロキシエチ
ル）エチレンジアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）エチレンジアミン、
Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリス（４−ヒドロキシ
ベンジル）エチレンジアミン、１−（３’−ヒドロキシ
ピロリジノ）−２−｛ビス（２’−ヒドロキシエチル）
アミノ｝エタン、１−（４’−ヒドロキシピペリジノ）
−２−｛ビス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝エタ
ン等の水酸基を３個有する化合物；

【００３５】Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒ
ドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（４−ヒドロキシベンジル）エチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒド
ロキシ−３−メトキシプロピル）エチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシ−３
−エトキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシ−３−ｎ−プ
ロポキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプ
ロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（２，３−ジヒドロキシプロピル）エチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，
３−ジヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−メ
チル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリス（２，３−ジヒドロキシ
プロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラキス（２，３−ジヒドロキシプロピル）エチレンジ
アミン等の水酸基を４個以上有する化合物等を挙げるこ
とができる。

【００３６】塩基性化合物（４）の具体例としては、Ｎ
−メチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
ン、Ｎ−エチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）ピペ
ラジン、Ｎ−ｎ−プロピル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエ
チル）ピペラジン、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ’−（２−ヒド
ロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−ｎ−ヘキシル−Ｎ’−
（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−ｎ−オクチ
ル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−
ｎ−デシル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
ン、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチ
ル）ピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ’−（２−ヒドロキシ
プロピル）ピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ’−（３−ヒド
ロキシプロピル）ピペラジン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−
（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−ベンジル−
Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−メチ
ル−Ｎ’−（４−ヒドロキシフェニル）ピペラジン、Ｎ
−メチル−Ｎ’−（４−ヒドロキシベンジル）ピペラジ
ン等の水酸基を１個有する化合物；

【００３７】Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシエチル）
ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシプロピ
ル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヒドロキシベ
ンジル）ピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ’−（２，３−ジ
ヒドロキシプロピル）ピペラジン、Ｎ−エチル−Ｎ’−
（２，３−ジヒドロキシプロピル）ピペラジン等の水酸
基を２個有する化合物；

【００３８】Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ’−
（２，３−ジヒドロキシプロピル）ピペラジン、Ｎ−
（２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ’−（２，３−ジヒド
ロキシプロピル）ピペラジン、Ｎ−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−Ｎ’−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ピ
ペラジン、Ｎ−（４−ヒドロキシベンジル）−Ｎ’−
（２，３−ジヒドロキシプロピル）ピペラジン等の水酸
基を３個有する化合物；

【００３９】Ｎ，Ｎ’−ビス（２，３−ジヒドロキシプ
ロピル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，４−ジヒド
ロキシフェニル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，
４，５−トリヒドロキシフェニル）ピペラジン、Ｎ，
Ｎ’−ビス（３，４−ジヒドロキシベンジル）ピペラジ
ン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，４，５−トリヒドロキシベン
ジル）ピペラジン等の水酸基を４個以上有する化合物等
を挙げることができる。

【００４０】塩基性化合物（５）の具体例としては、１
−｛４’−（Ｎ−メチルピペリジニル）｝−２−〔４’
−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシエチル）ピペリジニル｝〕
エタン、１−｛４’−（Ｎ−ｎ−ドデシルピペリジニ
ル）｝−２−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシエチ
ル）ピペリジニル｝〕エタン、１−｛４’−（Ｎ−ベン
ジルピペリジニル）｝−２−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒ
ドロキシエチル）ピペリジニル｝〕エタン、１，３−ビ
ス｛４’−（Ｎ−メチルピペリジニル）｝−２−プロパ
ノール、１−｛４’−（Ｎ−メチルピペリジニル）｝−
３−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシエチル）ピペリ
ジニル｝〕プロパン、１−｛４’−（Ｎ−メチルピペリ
ジニル）｝−６−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシエ
チル）ピペリジニル｝〕ヘキサン、１−｛４’−（Ｎ−
メチルピペリジニル）｝−８−〔４’−｛Ｎ−（２''−
ヒドロキシエチル）ピペリジニル｝〕オクタン等の水酸
基を１個有する化合物；

【００４１】１，２−ビス〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒド
ロキシエチル）ピペリジニル｝〕エタン、１，２−ビス
〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシプロピル）ピペリジ
ニル｝〕エタン、１，２−ビス〔４’−｛Ｎ−（２''−
ヒドロキシエチル）ピペリジニル｝〕プロパン、１，２
−ビス〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシプロピル）ピ
ペリジニル｝〕プロパン等の水酸基を２個有する化合
物；

【００４２】１−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシエ
チル）ピペリジニル｝〕−２−〔４’−｛Ｎ’−
（２''，３''−ジヒドロキシプロピル）ピペリジニ
ル｝〕エタン、１−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシ
プロピル）ピペリジニル｝〕−２−〔４’−｛Ｎ’−
（２''，３''−ジヒドロキシプロピル）ピペリジニ
ル｝〕エタン、１−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキシ
エチル）ピペリジニル｝〕−２−〔４’−｛Ｎ’−
（２''，３''−ジヒドロキシプロピル）ピペリジニ
ル｝〕プロパン、１−〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロキ
シプロピル）ピペリジニル｝〕−２−〔４’−｛Ｎ’−
（２''，３''−ジヒドロキシプロピル）ピペリジニ
ル｝〕プロパン等の水酸基を３個有する化合物；

【００４３】１，２−ビス｛Ｎ−（２’，３’−ジヒド
ロキシプロピル）ピペラジニル｝エタン、１，２−ビス
｛Ｎ−（３’，４’−ジヒドロキシフェニル）ピペラジ
ニル｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−（３’，４’，５’
−トリヒドロキシフェニル）ピペラジニル｝エタン、
１，２−ビス｛Ｎ−（３’，４’−ジヒドロキシベンジ
ル）ピペラジニル｝エタン、１，２−ビス｛Ｎ−
（３’，４’，５’−トリヒドロキシベンジル）ピペラ
ジニル｝エタン等の水酸基を４個以上有する化合物等を
挙げることができる。

【００４４】塩基性化合物（６）の具体例としては、ビ
ス（２−ジメチルアミノエチル）・２−ヒドロキシエチ
ルアミン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）・２−ヒ
ドロキシプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−
Ｎ’−｛２−（３’−ヒドロキシピロリジノ）エチ
ル）｝エチレンジアミン、ビス（２−ピロリジノエチ
ル）・２−ヒドロキシエチルアミン、ビス（２−ピロリ
ジノエチル）・２−ヒドロキシプロピルアミン、メチル
・２−ピロリジノエチル・２−（３’−ヒドロキシピロ
リジノ）エチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−
Ｎ’−｛２−（４’−ヒドロキシピペリジノ）エチ
ル）｝エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−
（２−ピペリジノエチル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエ
チル）エチレンジアミン等の水酸基を１個有する化合
物；

【００４５】Ｎ，Ｎ’，Ｎ''−トリメチル−Ｎ，Ｎ''−
ビス（２−ヒドロキシエチル）ジエチレントリアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラメチル−Ｎ’−（２，３−
ジヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミン、Ｎ−メ
チル−Ｎ−（２−ピロリジノエチル）−Ｎ’，Ｎ’−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、メチル
・ビス｛２−（３’−ヒドロキシピロリジノ）エチル｝
アミン、ビス（２−ピロリジノエチル）・２，３−ジヒ
ドロキシプロピルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ピペ
リジノエチル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）エチレンジアミン、メチル・ビス｛２−（４’−
ヒドロキシピペリジノ）エチル｝アミン、ビス（２−モ
ルホリノエチル）・２，３−ジヒドロキシプロピルアミ
ン等の水酸基を２個有する化合物；

【００４６】Ｎ，Ｎ''−ジメチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ''−ト
リス（２−ヒドロキシエチル）ジエチレントリアミン、
Ｎ，Ｎ''−ジメチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ''−トリス（２−ヒ
ドロキシプロピル）ジエチレントリアミン、Ｎ−（２−
ピロリジノエチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリス（２−ヒ
ドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ−（２−ピペリ
ジノエチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリス（２−ヒドロキ
シエチル）エチレンジアミン、ビス｛２−（３’−ヒド
ロキシピロリジノ）エチル｝・２−ヒドロキシエチルア
ミン、ビス｛２−（４’−ヒドロキシピペリジノ）エチ
ル｝・２−ヒドロキシエチルアミン等の水酸基を３個有
する化合物；

【００４７】Ｎ’−メチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テト
ラキス（２−ヒドロキシエチル）ジエチレントリアミ
ン、Ｎ’−エチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス
（２−ヒドロキシエチル）ジエチレントリアミン、Ｎ’
−ｎ−ブチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス（２−
ヒドロキシエチル）ジエチレントリアミン、Ｎ’−ｎ−
ヘキシル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス（２−ヒド
ロキシエチル）ジエチレントリアミン、Ｎ’−ｎ−オク
チル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス（２−ヒドロキ
シエチル）ジエチレントリアミン、Ｎ’−ｎ−デシル−
Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス（２−ヒドロキシエチ
ル）ジエチレントリアミン、Ｎ’−ｎ−ドデシル−Ｎ，
Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）
ジエチレントリアミン、Ｎ’−フェニル−Ｎ，Ｎ，
Ｎ''，Ｎ''−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）ジエ
チレントリアミン、Ｎ’−ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，
Ｎ''−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）ジエチレン
トリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス
（２−ヒドロキシエチル）ジエチレントリアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２−ヒドロキシプ
ロピル）ジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，
Ｎ''−ペンタキス（４−ヒドロキシフェニル）ジエチレ
ントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス
（４−ヒドロキシベンジル）ジエチレントリアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２−ヒドロキ
シ−３−メトキシプロピル）ジエチレントリアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２−ヒドロキ
シ−３−エトキシプロピル）ジエチレントリアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２−ヒドロキ
シ−３−ｎ−プロポキシプロピル）ジエチレントリアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２−ヒド
ロキシ−３−フェノキシプロピル）ジエチレントリアミ
ン、Ｎ，Ｎ''−ジメチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ''−トリス
（２，３−ジヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミ
ン、Ｎ’−メチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ''，Ｎ''−テトラキス
（２，３−ジヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２，３−
ジヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミン等の水酸
基を４個以上有する化合物等を挙げることができる。

【００４８】塩基性化合物（７）の具体例としては、
２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、２，４，６−トリス（ジエチルアミノメチル）フェ
ノール、２，４，６−トリス（ジフェニルアミノメチ
ル）フェノール、２，４，６−トリス（ジベンジルアミ
ノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ピロリジ
ノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ピペリジ
ノメチル）フェノール、４−モルホリノメチル−２，６
−ビス（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，
６−トリス（モルホリノメチル）フェノール等の水酸基
を１個有する化合物；

【００４９】２，６−ビス（ジメチルアミノメチル）−
４−〔｛メチル・（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝
メチル〕フェノール、２，６−ビス（ジメチルアミノメ
チル）−４−〔｛メチル・（２’−ヒドロキシプロピ
ル）アミノ｝メチル〕フェノール、２，６−ビス（ジメ
チルアミノメチル）−４−（３’−ヒドロキシピロリジ
ノメチル）フェノール、２，６−ビス（ジメチルアミノ
メチル）−４−（４’−ヒドロキシピペリジノメチル）
フェノール等の水酸基を２個有する化合物；

【００５０】２，６−ビス（ジメチルアミノメチル）−
４−〔｛ビス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝メチ
ル〕フェノール、２，６−ビス（ジメチルアミノメチ
ル）−４−〔｛ビス（２’−ヒドロキシプロピル）アミ
ノ｝メチル〕フェノール、４−（ジメチルアミノメチ
ル）−２，６−ビス（３’−ヒドロキシピロリジノメチ
ル）フェノール、４−（ジメチルアミノメチル）−２，
６−ビス（４’−ヒドロキシピペリジノメチル）フェノ
ール、２，６−ビス（ピロリジノメチル）−４−〔｛ビ
ス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝メチル〕フェノ
ール、２，６−ビス（ピペリジノメチル）−４−〔｛ビ
ス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝メチル〕フェノ
ール等の水酸基を３個有する化合物；

【００５１】４−ジメチルアミノメチル−２，６−ビス
〔｛ビス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝メチル〕
フェノール、４−ジメチルアミノメチル−２，６−ビス
〔｛ビス（２’−ヒドロキシプロピル）アミノ｝メチ
ル〕フェノール、２，４，６−トリス〔｛ビス（２’−
ヒドロキシエチル）アミノ｝メチル〕フェノール、２，
４，６−トリス〔｛ビス（２’−ヒドロキシプロピル）
アミノ｝メチル〕フェノール、２，４，６−トリス
（３’−ヒドロキシピロリジノメチル）フェノール、
２，４，６−トリス（３’−ヒドロキシメチルピロリジ
ノメチル）フェノール、２，４，６−トリス〔｛３’−
（２''−ヒドロキシエチル）ピロリジノ｝メチル〕フェ
ノール、２，４，６−トリス（４’−ヒドロキシピペリ
ジノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（４’−
ヒドロキシメチルピペリジノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス〔｛４’−（２''−ヒドロキシエチル）
ピペリジノ｝メチル〕フェノール、２，４，６−トリス
〔｛４’−（２''，３''−ジヒドロキシプロピル）ピペ
リジノ｝メチル〕フェノール等の水酸基を４個以上有す
る化合物等を挙げることができる。

【００５２】塩基性化合物（８）の具体例としては、２
−ヒドロキシピリジン、３−ヒドロキシピリジン、４−
ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシ−３−メチルピリ
ジン、２−ヒドロキシ−４−メチルピリジン、２−ヒド
ロキシ−５−メチルピリジン、２−ヒドロキシ−６−メ
チルピリジン、３−ヒドロキシ−２−メチルピリジン、
３−ヒドロキシ−４−メチルピリジン、３−ヒドロキシ
−５−メチルピリジン、３−ヒドロキシ−６−メチルピ
リジン、４−ヒドロキシ−２−メチルピリジン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルピリジン、２−ヒドロキシ−４−
エチルピリジン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−プロピルピ
リジン、２−ヒドロキシ−４−ｉ−プロピルピリジン、
２−ヒドロキシ−４−ｎ−ブチルピリジン、２−ヒドロ
キシ−４−ｎ−ドデシルピリジン、２−ヒドロキシ−４
−フェニルピリジン、２−ヒドロキシ−４−ベンジルピ
リジン、２−ヒドロキシメチルピリジン、３−ヒドロキ
シメチルピリジン、４−ヒドロキシメチルピリジン、２
−（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、３−（２’−
ヒドロキシエチル）ピリジン、４−（２’−ヒドロキシ
エチル）ピリジン、２−（２’−ヒドロキシプロピル）
ピリジン、３−（２’−ヒドロキシプロピル）ピリジ
ン、４−（２’−ヒドロキシプロピル）ピリジン、４−
（４’−ヒドロキシフェニル）ピリジン、４−（４’−
ヒドロキシベンジル）ピリジン、２−キノリノール、３
−キノリノール、４−キノリノール、１−イソキノリノ
ール、３−イソキノリノール、４−イソキノリノール、
α−ピリドイン等の水酸基を１個有する化合物；

【００５３】２，３−ジヒドロキシピリジン、２，４−
ジヒドロキシピリジン、２，５−ジヒドロキシピリジ
ン、２，６−ジヒドロキシピリジン、３，４−ジヒドロ
キシピリジン、３，５−ジヒドロキシピリジン、２−ヒ
ドロキシ−３−ヒドロキシメチルピリジン、２−ヒドロ
キシ−４−ヒドロキシメチルピリジン、２−ヒドロキシ
−５−ヒドロキシメチルピリジン、２−ヒドロキシ−６
−ヒドロキシメチルピリジン、３−ヒドロキシ−４−ヒ
ドロキシメチルピリジン、３−ヒドロキシ−５−ヒドロ
キシメチルピリジン、２−ヒドロキシ−３−（２’−ヒ
ドロキシエチル）ピリジン、２−ヒドロキシ−４−
（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、２−ヒドロキシ
−５−（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、２−ヒド
ロキシ−６−（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、３
−ヒドロキシ−４−（２’−ヒドロキシエチル）ピリジ
ン、３−ヒドロキシ−５−（２’−ヒドロキシエチル）
ピリジン、２，３−ビス（ヒドロキシメチル）ピリジ
ン、２，４−ビス（ヒドロキシメチル）ピリジン、２，
５−ビス（ヒドロキシメチル）ピリジン、２，６−ビス
（ヒドロキシメチル）ピリジン、３，４−ビス（ヒドロ
キシメチル）ピリジン、３，５−ジ（ヒドロキシメチ
ル）ピリジン、２，３−ビス（２’−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、２，４−ビス（２’−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、２，５−ビス（２’−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、２，６−ビス（２’−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、３，４−ビス（２’−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、３，５−ビス（２’−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、３−（２’−ピリジル）−１，２−プロ
パンジオール、３−（３’−ピリジル）−１，２−プロ
パンジオール、３−（４’−ピリジル）−１，２−プロ
パンジオール、２−（２’−ピリジル）−１，３−プロ
パンジオール、２−（３’−ピリジル）−１，３−プロ
パンジオール、２−（４’−ピリジル）−１，３−プロ
パンジオール、２−（２’−ピリジル）−１，４−ブタ
ンジオール、２−（３’−ピリジル）−１，４−ブタン
ジオール、２−（４’−ピリジル）−１，４−ブタンジ
オール、２−（２’−ピリジル）−２，３−ブタンジオ
ール、２−（３’−ピリジル）−２，３−ブタンジオー
ル、２−（４’−ピリジル）−２，３−ブタンジオー
ル、２，３−ジ（２’−ピリジル）−１，４−ブタンジ
オール、２，３−ジ（３’−ピリジル）−１，４−ブタ
ンジオール、２，３−ビス（４’−ピリジル）−１，４
−ブタンジオール、２，３−ビス（２’−ピリジル）−
２，３−ブタンジオール、２、３−ビス（３’−ピリジ
ル）−２，３−ブタンジオール、２、３−ビス（４’−
ピリジル）−２，３−ブタンジオール等の水酸基を２個
有する化合物；

【００５４】２，６−ジヒドロキシ−４−ヒドロキシメ
チルピリジン、３，５−ジヒドロキシ−４−ヒドロキシ
メチルピリジン、２，６−ジヒドロキシ−４−（２’−
ヒドロキシエチル）ピリジン、３，５−ジヒドロキシ−
４−（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、４−ヒドロ
キシ−２，６−ビス（ヒドロキシメチル）ピリジン、４
−ヒドロキシ−３，５−ビス（ヒドロキシメチル）ピリ
ジン、４−ヒドロキシ−２，６−ビス（２’−ヒドロキ
シエチル）ピリジン、４−ヒドロキシ−３，５−ビス
（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、２，４，６−ト
リス（ヒドロキシメチル）ピリジン、３，４，５−トリ
ス（ヒドロキシメチル）ピリジン、２，４，６−トリス
（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン、３，４，５−ト
リス（２’−ヒドロキシエチル）ピリジン等の水酸基を
３個有する化合物；

【００５５】２，６−ビス（２’−ヒドロキシエチル）
−４−（２’，３’−ジヒドロキシプロピル）ピリジ
ン、２，６−ビス（２’，３’−ジヒドロキシプロピ
ル）ピリジン、２，６−ビス（２’，３’−ジヒドロキ
シプロピル）−４−（２’−ヒドロキシエチル）ピリジ
ン、２，６−ビス（２’，３’−ジヒドロキシプロピ
ル）−４−（２’−ヒドロキシプロピル）ピリジン、
２，４，６−トリス（２’，３’−ジヒドロキシプロピ
ル）ピリジン、３，４，５−トリス（２’，３’−ジヒ
ドロキシプロピル）ピリジン等の水酸基を４個以上有す
る化合物等を挙げることができる。

【００５６】本発明において、塩基性化合物（３）〜
（８）としては、それぞれ各窒素原子と各水酸基との間
に炭素原子を２〜３個有する化合物が好ましく、また水
酸基の数としては、それぞれ１〜（窒素原子数×３）が
さらに好ましく、特にそれぞれ１〜（窒素原子数×２＋
１）が好ましい。本発明における特に好ましい塩基性化
合物（ハ）は、１，３−ビス（ジメチルアミノ）−２−
プロパノール、１，２−ビス〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒ
ドロキシエチル）ピペリジニル｝〕プロパン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−
ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２−ヒドロキシプロピル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ''，Ｎ'' −ペンタキス（２−ヒドロキシエチ
ル）ジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''
−ペンタキス（２−ヒドロキシプロピル）ジエチレン
トリアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、２，４，６−トリス〔｛（２−ヒドロ
キシエチル）アミノ｝メチル〕フェノール、２，４，６
−トリス〔｛ビス（２’−ヒドロキシエチル）アミノ｝
メチル〕フェノール、３−ヒドロキシピリジン、４−ヒ
ドロキシピリジン等である。

【００５７】本発明において、塩基性化合物（ハ）は、
単独でまたは２種以上を混合して使用することができ
る。本発明における塩基性化合物（ハ）の使用量は、樹
脂（イ）１００重量部当り、好ましくは０．０１〜１重
量部、特に好ましくは０．０２〜０．５重量部である。
塩基性化合物（ハ）の使用量を前記範囲内とすることに
より、高感度となり、かつ「ナノエッジラフネス」ある
いは「膜面荒れ」が顕著に抑制された矩形のレジストパ
ターンを得ることができる。

【００５８】また、本発明においては、場合により、前
記塩基性化合物（ハ）と共に、該化合物以外の酸拡散制
御剤（以下、「他の酸拡散制御剤」という。）を併用す
ることができる。他の酸拡散制御剤としては、例えば、
トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、
トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミ
ン、シクロヘキシルジメチルアミン、アニリン、Ｎ−メ
チルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニル
アミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、
ヘキサメチレンジアミン、ピロリジン、ピペリジン、イ
ミダゾール、４−メチルイミダゾール、ベンズイミダゾ
ール、２−フェニルベンズイミダゾール、ピリジン、２
−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピ
リジン、２−フェニルピリジン、３−フェニルピリジ
ン、４−フェニルピリジン、２−ベンジルピリジン、３
−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、ニコチン
酸アミド、四酪酸リボフラミン、４，４’−ジアミノジ
フェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジ
アミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４’−アミノ
フェニル）プロパン、２−（３’−アミノフェニル）−
２−（４’−アミノフェニル）プロパン、

【００５９】２−ジ−ｎ−プロピルアミノ−１−エタノ
−ル、２−ジ−ｉ−プロピルアミノ−１−エタノ−ル、
３−ジ−ｎ−プロピルアミノ−１−プロパノール、３−
ジ−ｉ−プロピルアミノ−１−プロパノール、２−ジ−
ｎ−プロピルアミノ−１−プロパノール、２−ジ−ｉ−
プロピルアミノ−１−プロパノール、１−ジ−ｎ−プロ
ピルアミノ−２−プロパノール、１−ジ−ｉ−プロピル
アミノ−２−プロパノール、２−（４’−アミノフェニ
ル）−２−（３’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
−（４’−アミノフェニル）−２−（４’−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピ
ロリジン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）ピロリジ
ン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン、Ｎ−
（２−ヒドロキシプロピル）ピペリジン、Ｎ−（２−ヒ
ドロキシエチル）モルホリン、Ｎ−（２−ヒドロキシプ
ロピル）モルホリン、２−ヒドロキシピリジン、３−ヒ
ドロキシピリジン、４−ヒドロキシピリジン、α−ピリ
ドイン、メチル・ジエタノールアミン、エチル・ジエタ
ノールアミン、３−ジメチルアミノ−１，２−プロパン
ジオール、３−ジエチルアミノ−１，２−プロパンジオ
ール、２，３−ジヒドロキシピリジン、２，４−ジヒド
ロキシピリジン、２，５−ジヒドロキシピリジン、２，
６−ジヒドロキシピリジン、３，４−ジヒドロキシピリ
ジン、３，５−ジヒドロキシピリジン、トリエタノール
アミン、トリ−２−プロパノールアミン等を挙げること
ができる。

【００６０】これらの他の酸拡散制御剤のうち、トリ−
ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−
ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ジシ
クロヘキシルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾ
ール、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、
２−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、ニコチ
ン酸アミド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−
ヒドロキシプロピル）ピペリジン、Ｎ−（２−ヒドロキ
シエチル）モルホリン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピ
ル）モルホリン、α−ピリドイン、トリエタノールアミ
ン等が好ましい。

【００６１】前記他の酸拡散制御剤は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。他の酸拡散制
御剤の使用量は、塩基性化合物（ハ）と他の酸拡散制御
剤との合計量に対して、通常、７０重量％以下、好まし
くは６０重量％以下である。この場合、他の酸拡散制御
剤の使用量が７０重量％を超えると、本発明における
「ナノエッジラフネス」あるいは「膜面荒れ」の抑制効
果が低下する傾向がある。

【００６２】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、場合により、下記する溶解制御剤を配合するするこ
とができる。溶解制御剤 溶解制御剤は、感放射線性樹脂組成物のアルカリ可溶性
を制御する性質を有し、酸の存在下で解離、例えば加水
分解させることにより、感放射線性樹脂組成物のアルカ
リ溶解性制御効果を低下もしくは消失させる作用を有す
るか、または感放射線性樹脂組成物のアルカリ溶解性を
促進させる作用を有する化合物である。このような溶解
制御剤としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボ
キシル基等の酸性官能基中の水素原子を酸解離性基で置
換した化合物等を挙げることができる。溶解制御剤は、
低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、好ましい溶
解制御剤としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、ビスフェノールＳや、１，１−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）−１−〔４’−｛１''−メチル−１''−
（４''' −ヒドロキシフェニル）エチル｝フェニル〕エ
タン等の多価フェノール性化合物、あるいは４−ヒドロ
キシフェニル酢酸等のカルボン酸化合物の酸性官能基中
の水素原子を酸解離性基で置換した化合物等を挙げるこ
とができる。好ましい低分子化合物の溶解制御剤の具体
例としては、下記構造式（１２）または構造式（１３）
で示される化合物を挙げることができる。

【００６３】

【化２０】

【００６４】

【化２１】

【００６５】また、高分子の溶解制御剤としては、前記
樹脂（イ）以外の酸解離性基含有樹脂（以下、「溶解制
御性樹脂」という。）を使用することができる。ここで
酸解離性基とは、酸の存在下で解離して、溶解制御剤に
対してアルカリ可溶性を発現する置換基を意味する。こ
のような酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、
１−置換エチル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲ
ルミル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げる
ことができる。前記置換メチル基としては、例えば、メ
トキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル
基、エチルチオメチル基、２−メトキシエトキシメチル
基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、
シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ｐ−ブロモベン
ジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、ｐ−メチルチオベンジル基、ｐ−エトキシベンジル
基、ｐ−エチルチオベンジル基、ジフェニルメチル基、
トリフェニルメチル基、ピペロニル基等を挙げることが
できる。前記１−置換エチル基としては、例えば、１−
メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−
ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチ
ルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−フ
ェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１
−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル
基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエ
チル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエ
チル基、α−メチルフェナシル基等を挙げることができ
る。前記１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プ
ロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−
ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジ
メチルブチル基等を挙げることができる。前記シリル基
としては、例えば，トリメチルシリル基、ジメチル・エ
チルシリル基、メチル・ジエチルシリル基、トリエチル
シリル基、ジメチル・ｉ−プロピルシリル基、メチル・
ジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル
基、ジメチル・ｔ−ブチルシリル基、メチル・ジ−ｔ−
ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、ジメチル
・フェニルシリル基、メチル・ジフェニルシリル基、ト
リフェニルシリル基等を挙げることができる。前記ゲル
ミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、ジメ
チル・エチルゲルミル基、メチル・ジエチルゲルミル
基、トリエチルゲルミル基、ジメチル・ｉ−プロピルゲ
ルミル基、メチル・ジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ
−ｉ−プロピルゲルミル基、ジメチル・ｔ−ブチルゲル
ミル基、メチル・ジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ
−ブチルゲルミル基、ジメチル・フェニルゲルミル基、
メチル・ジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル
基等を挙げることができる。

【００６６】前記アルコキシカルボニル基としては、例
えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル
基、ｔ−ペンチルオキシカルボニル基等を挙げることが
できる。前記アルコキシカルボニルアルキル基として
は、例えば、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、２−ｔ
−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができ
る。前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイ
ル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラ
ウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステ
アロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル
基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベ
ロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイ
ル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノ
イル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、
メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタ
ロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフ
トイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アト
ロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル
基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエ
ンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。前
記環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキ
セニル基、オキソシクロヘキセニル基、４−メトキシシ
クロヘキシル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒド
ロピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒ
ドロチオピラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル
基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキ
シテトラヒドロチオピラニル基、Ｓ，Ｓ−ジオキシド
基、２−１，３−ジオキソラニル基、２−１，３−ジチ
オラニル基、ベンゾ−２−１，３−ジオキソラニル基、
ベンゾ−２−１，３−ジチオラニル基等を挙げることが
できる。

【００６７】これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル
基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブト
キシカルボニルメチル基、テトラヒドロフラニル基、テ
トラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、
テトラヒドロチオピラニル基等が好ましい。

【００６８】溶解制御性樹脂は、例えば、酸性官能基を
有するアルカリ可溶性樹脂に１種以上の前記酸解離性基
を導入する方法、１種以上の前記酸解離性基を有する単
量体を（共）重合する方法、１種以上の前記酸解離性基
を有する重縮合成分を（共）縮合する方法等によって製
造することができる。溶解制御性樹脂における酸解離性
基の導入率（溶解制御性樹脂中の酸性官能基と酸解離性
基との合計数に対する酸解離性基の数の割合）は、好ま
しくは１５〜１００％、さらに好ましくは２０〜１００
％、特に好ましくは２０〜８０％である。溶解制御性樹
脂のＭｗは、好ましくは１，０００〜１５０，０００、
さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。
溶解制御剤は、低分子化合物および高分子化合物（即
ち、溶解制御性樹脂）それぞれについて、単独でまたは
２種以上を混合して使用することができ、また低分子化
合物と高分子化合物とを併用することもできる。溶解制
御剤の配合量は、樹脂（イ）１００重量部当たり、１０
０重量部以下が好ましい。この場合、溶解制御剤の配合
量が１００重量部を超えると、樹脂組成物の製膜性、膜
強度等が低下する傾向がある。

【００６９】他の添加剤 さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応
じて、界面活性剤、増感剤等の他の添加剤を配合するこ
とができる。前記界面活性剤は、感放射線性樹脂組成物
溶液の塗布性やストリエーション、レジストの現像性等
を改良する作用を示す。このような界面活性剤として
は、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフ
ェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル、ポリオキシエチレングリコールジラウレート、
ポリオキシエチレングリコールジステアレートのほか、
以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、
ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ
３５２（トーケムプロダクツ（株）製）、メガファック
Ｆ１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（大日本インキ化学工業
（株）製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友
スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サー
フロンＳ−３８２，ＳＣ−１０１，ＳＣ−１０２，ＳＣ
−１０３，ＳＣ−１０４，ＳＣ−１０５，ＳＣ−１０６
（旭硝子（株）製）等を挙げることができる。これらの
界面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。界面活性剤の配合量は、感放射線性樹
脂組成物中の全固形分１００重量部当たり、通常、２重
量部以下である。また、前記増感剤は、放射線のエネル
ギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（ロ）に伝
達し、それにより酸の生成量を増加させる作用を示すも
ので、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて得られる
レジストの感度を向上させる効果を有する。増感剤の好
ましい具体例としては、アセトン、ベンゼン、アセトフ
ェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチ
ル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセ
ン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これ
らの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。増感剤の配合量は、感放射線性樹脂組
成物中の全固形分１００重量部当たり、通常、５０重量
部以下、好ましくは３０重量部以下である。また、染料
あるいは顔料を配合することにより、露光時のハレーシ
ョンの影響を緩和でき、接着助剤を配合することによ
り、基板との接着性を改善することができる。さらに、
他の添加剤としては、アゾ化合物、アミン化合物等のハ
レーション防止剤や、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤
等を挙げることができる。

【００７０】溶剤 本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、
固形分濃度が例えば０．５〜５０重量％、好ましくは
０．５〜４０重量％となるように溶剤に溶解したのち、
例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過すること
によって、レジスト溶液として調製される。前記レジス
ト溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−
プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチ
ルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテ
ル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテ
ルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレン
グリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のジエチレングリ
コールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエー
テル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プ
ロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリ
コールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ
−プロピルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブ
チルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエー
テル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチ
ルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類；

【００７１】乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピ
ル、乳酸イソプロピル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸イソブチ
ル等の乳酸エステル類；ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸
ｎ−プロピル、ギ酸ｉ−プロピル、ギ酸ｎ−ブチル、ギ
酸ｉ−ブチル、ギ酸ｎ−アミル、ギ酸ｉ−アミル、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロ
ピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−アミ
ル、酢酸ｉ−アミル、酢酸ｎ−ヘキシル、プロピオン酸
メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−プロピ
ル、プロピオン酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチ
ル、プロピオン酸ｉ−ブチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸ｉ−プロピル、酪酸ｎ−ブ
チル、酪酸ｉ−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル
類；ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチ
ルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪
酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、
３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピ
オン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−
エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセ
テート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、
３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−
メチル−３−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メ
チル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、２−ヘプタノ
ン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノ
ン等のケトン類；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のア
ミド類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げる
ことができる。

【００７２】これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。レジスト溶液を調製す
る際の溶剤の使用量は、感放射線性樹脂組成物の全固形
分１００重量部当たり、通常、１００〜２０，０００重
量部、好ましくは１５０〜１５，０００重量部、さらに
好ましくは２００〜１０，０００重量部である。

【００７３】レジストパターンの形成 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、レジスト溶液を、回転塗布、流延塗
布、ロール塗布等の手段によって、例えばシリコンウェ
ハー、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に
塗布したのち、プレベーク（ＰＢ）を行うことにより、
レジスト被膜を形成し、その後所望のパターンを形成す
るように該レジスト被膜に露光する。その際に使用する
放射線は、使用する酸発生剤（ロ）の種類に応じて、ｉ
線等の紫外線、エキシマレーザー等の遠紫外線、シンク
ロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線を適宜
選択して使用されるが、特に遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子
線が好ましい。また、露光量等の露光条件は、感放射線
性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等に応じて、適
宜選定される。また、本発明の感放射線性樹脂組成物を
用いてレジストパターンを形成する際には、作業雰囲気
中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レ
ジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。また、本
発明においては、レジスト被膜のみかけの感度を向上さ
せるために、露光後に焼成（ＰＥＢ）を行うことが好ま
しい。その加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組
成、添加剤の種類等により変わるが、通常、５０〜２０
０℃、好ましくは８０〜１６０℃である。次いで、アル
カリ現像液で現像することにより、所定のレジストパタ
ーンを形成させる。前記アルカリ現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア
水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチ
ル・ジエチルアミン、ジメチル・エタノールアミン、ト
リエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリ
ン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−
［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシ
クロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合
物を、通常、１〜１０重量％、好ましくは２〜５重量％
の濃度となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用さ
れる。また、前記現像液には、例えばメタノール、エタ
ノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適量添加する
こともできる。なお、このようにアルカリ性水溶液から
なる現像液を使用する場合には、一般に、現像後、水で
洗浄する。

【００７４】

【発明の実施の形態】以下、実施例および比較例を挙げ
て、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。実
施例および比較例における各レジストの評価は、下記の
要領で行った。感度 シリコーンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光量
を変えて露光したのち、直ちにＰＥＢを行ない、次いで
アルカリ現像し、水洗し、乾燥して、レジストパターン
を形成したとき、設計線幅０．２６μｍのライン・アン
ド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形
成する露光量を、最適露光量とし、この最適露光量を、
感度とした。解像度 最適露光量で露光したときに解像されるレジストパター
ンの最小寸法（μｍ）を、解像度とした。パターン形状 シリコンウエハー上に形成した線幅０．２６μｍのライ
ン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断
面の下辺の寸法Ｌa と上辺の寸法Ｌb とを、走査型電子
顕微鏡を用いて測定して、 ０．８５≦Ｌb ／Ｌa ≦１ を満足し、かつパターンの基部付近の“えぐれ”や上層
部の“庇”のないものを、パターン形状が“良”である
とし、これらの条件の少なくとも１つを満たさないもの
を、パターン形状が“不可”であるとした。膜面荒れ 設計線幅０．２６μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）について、走査型電子顕微鏡によりラ
インパターンの断面寸法を測定し、図１に示すように、
該ラインパターンの断面寸法のうち、最小寸法をＬin、
最大寸法をＬout とし、（Ｌout −Ｌin）をΔＬとし
て、ΔＬの値により、下記基準で評価した。なお、図１
における凹凸は実際より誇張されている。 ΔＬが０．０１μｍ未満：良 ΔＬが０．０１μｍ以上：不可

【００７５】

【実施例】実施例１〜２１および比較例１〜３ 樹脂（イ）、酸発生剤（ロ）、酸拡散制御剤として塩基
性化合物（ハ）または他の化合物、溶解抑制剤および溶
剤を、表１または表２に示す割合で混合して均一溶液と
したのち、孔径０．２μｍのメンブランフィルターでろ
過して、レジスト溶液を調製した。次いで、各レジスト
溶液を、シリコンウエハー上にスピンコーターで塗布し
たのち、表３または表４に示す温度および時間でＰＢを
行って、膜厚０．７μｍのレジスト被膜を形成した。そ
の後、表３または表４に示す放射線により露光したの
ち、表３または表４に示す温度および時間でＰＥＢを行
った。その後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液を用い、２３℃で１分間浸漬法に
より現像したのち、水で３０秒間洗浄した。各レジスト
の評価結果を、表５に示す。

【００７６】

【表１】

【００７７】

【表２】

【００７８】表１および表２中の各成分は、次のとおり
である。樹脂（イ） Ａ１： ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の３２モル％が１−エトキシエチ
ル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１５，０００） Ａ２： ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の２５モル％が１−エトキシエチ
ル基で置換され、かつ該水素原子の８モル％がｔ−ブト
キシカルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１６，００
０）酸発生剤（ロ） Ｂ１ ： ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメ
タン Ｂ２ ： ビス（１，４−ジオキサスピロ [４．５] デ
カン−７−スルホニル）ジアゾメタン Ｂ３ ： ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン Ｂ４ ： トリフェニルスルホニウムンノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート Ｂ５ ： ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ム１０−カンファースルホネート Ｂ６ ： ４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウムｐ−トルエンスルホネート

【００７９】酸拡散制御剤 塩基性化合物（ハ） Ｃ１ ： １，３−ビス（ジメチルアミノ）−２−プロ
パノール Ｃ２ ： Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシエチル）ピ
ペラジン Ｃ３ ： １，２−ビス〔４’−｛Ｎ−（２''−ヒドロ
キシエチル）ピペリジニル｝〕プロパン Ｃ４ ： Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒド
ロキシエチル）エチレンジアミン Ｃ５ ： Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒド
ロキシプロピル）エチレンジアミン Ｃ６ ： Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ''，Ｎ''−ペンタキス（２
−ヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミン Ｃ７ ： ２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール Ｃ８ ： ２，４，６−トリス〔｛ビス（２’−ヒドロ
キシエチル）アミノ｝メチル〕フェノール Ｃ９ ： ４−ヒドロキシピリジン

【００８０】他の化合物 ｃ１ ： トリ−ｎ−ブチルアミン ｃ２ ： Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン ｃ３ ： Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン

【００８１】溶解制御剤 Ｄ１ ： 前記構造式（１２）で表される化合物 Ｄ２ ： ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノ
ール性水酸基の水素原子の２５モル％がｔ−ブトキシカ
ルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１５，０００） Ｄ３ ： ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノ
ール性水酸基の水素原子の２５モル％がｔ−ブトキシカ
ルボニルメチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１５，００
０） Ｄ４ ： ４−ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブ
チルとスチレンとの共重合体（共重合モル比＝６：２：
２、Ｍｗ＝１３，０００） 溶剤 ＥＬ ： 乳酸エチル ＥＥＰ ： ３−エトキシプロピオン酸エチル ＭＭＰ ： ３−メトキシプロピオン酸メチル PGMEA ： プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート ＭＡＫ ： ２−ヘプタノン

【００８２】

【表３】

【００８３】

【表４】

【００８４】

【表５】

【００８５】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、感
度、解像度およびパターン形状が優れるとともに、特に
設計寸法０．２０μｍ付近の微細加工を薄い膜厚（例え
ば、０．７μｍ以下）で行う際にも「ナノエッジラフネ
ス」あるいは「膜面荒れ」を生じることがなく、高精度
の微細なレジストパターンを安定して形成することがで
きる。しかも、本発明の感放射線性樹脂組成物は、遠紫
外線、Ｘ線あるいは荷電粒子線の如き各種の放射線に有
効に感応することができる。したがって、本発明の感放
射線性樹脂組成物は、今後さらに微細化が進行すると予
想される半導体デバイス製造用の化学増幅型レジストと
して極めて好適に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】膜面荒れの評価手順を説明するレジストパター
ンの側断面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 岩永 伸一郎 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CC20 FA12 FA17 4J002 BC121 EN036 EN046 EU046 EU086 EU136 FD200 FD206 FD310 GQ04 4J100 AB02Q AB03Q AB07P AB07Q AJ01Q AJ02Q AJ09Q AL03Q AL04Q AL08Q AL09Q AL11Q AM02Q AM03Q AM15Q AQ06Q AQ08Q AQ12Q BA02Q BA04H BA04Q BA05H BA05Q BA06H BA10H BA15Q BA16Q BA20Q BB01Q BC03P BC03Q BC04Q BC08Q BC09Q BC12Q BC43Q BC53H BC53Q CA01 CA04 CA31 HA61 JA38 JA46

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （イ）（Ｉ）下記一般式（１）で表され
   る繰返し単位と下記一般式（２）で表される繰返し単位
   とを必須の単位として有する樹脂、（ロ）感放射線性酸
   発生剤、および（ハ）下記一般式（３）〜（８）で表さ
   れる化合物の群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化
   合物を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成
   物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル
   基を示し、Ｒ² およびＲ³ は相互に独立に水素原子また
   は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
   ル基を示す。〕 【化２】 〔一般式（２）において、Ｒ⁴ は水素原子またはメチル
   基を示す。〕 【化３】 〔一般式（３）において、Ｘ¹ は主鎖炭素数が２〜８の
   ポリメチレン鎖を示し、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は
   相互に独立に炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは
   環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基または
   炭素数７〜１２のアラルキル基を示すか、またはＲ⁵ と
   Ｒ⁶ が結合し、あるいはＲ⁷ とＲ⁸ が結合して、それぞ
   れ一般式（３）中の１個の窒素原子と共に５〜８員環の
   複素環構造を形成し、Ｒ⁵ 〜Ｒ⁸ の残りが相互に独立に
   炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
   ル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１
   ２のアラルキル基を示し、かつ前記ポリメチレン鎖、ア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基および複素環構造
   の少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸基を１個以
   上有する。但し、前記ポリメチレン鎖、アルキル基、ア
   リール基、アラルキル基および複素環構造は、それらの
   任意の炭素−炭素結合間に酸素原子、硫黄原子あるいは
   カルボニル基を有することができ、またそれらの任意の
   炭素原子に結合した水素原子がアルコキシル基、フェノ
   キシ基等の水酸基以外の１種以上の置換基で置換されて
   いてもよい。〕 【化４】 〔一般式（４）において、Ｒ⁹ およびＲ¹⁰は相互に独立
   に炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアル
   キル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜
   １２のアラルキル基を示し、かつ前記アルキル基、アリ
   ール基およびアラルキル基、並びに一般式（４）中のピ
   ペラジン環の少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸
   基を１個以上有する。但し、前記アルキル基、アリール
   基およびアラルキル基は、それらの任意の炭素−炭素結
   合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボニル基を有す
   ることができ、またそれらの任意の炭素原子に結合した
   水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基等の水酸基以
   外の１種以上の置換基で置換されていてもよい。〕 【化５】 〔一般式（５）において、Ｘ² は主鎖炭素数が２〜８の
   ポリメチレン鎖を示し、Ｒ¹¹およびＲ¹²は相互に独立に
   炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
   ル基、炭素数６〜１２のアリール基もしくは炭素数７〜
   １２のアラルキル基を示し、かつ前記ポリメチレン鎖、
   アルキル基、アリール基およびアラルキル基、並びに一
   般式（５）中の１個または２個のピペリジン環の少なく
   とも１つが炭素原子に結合した水酸基を１個以上有す
   る。但し、前記ポリメチレン鎖、アルキル基、アリール
   基およびアラルキル基は、それらの任意の炭素−炭素結
   合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボニル基を有す
   ることができ、またそれらの任意の炭素原子に結合した
   水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基等の水酸基以
   外の１種以上の置換基で置換されていてもよい。〕 【化６】 〔一般式（６）において、Ｘ³ およびＸ⁴ は相互に独立
   に主鎖炭素数が２〜８のポリメチレン鎖を示し、Ｒ¹³、
   Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶およびＲ¹⁷は相互に独立に炭素数１〜
   １２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素
   数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラル
   キル基を示すか、またはＲ¹³とＲ¹⁴が相互に結合し、あ
   るいはＲ¹⁶とＲ¹⁷が相互に結合して、それぞれ一般式
   （６）中の１個の窒素原子と共に５〜８員環の複素環構
   造を形成し、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁷の残りが相互に独立に炭素数１
   〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭
   素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラ
   ルキル基を示し、かつ前記ポリメチレン鎖、アルキル
   基、アリール基、アラルキル基および複素環構造の少な
   くとも１つが炭素原子に結合した水酸基を１個以上有す
   る。但し、前記ポリメチレン鎖、アルキル基、アリール
   基、アラルキル基および複素環構造は、それらの任意の
   炭素−炭素結合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボ
   ニル基を有することができ、またそれらの任意の炭素原
   子に結合した水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基
   等の水酸基以外の１種以上の置換基で置換されていても
   よい。〕 【化７】 〔一般式（７）において、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ
   ²²およびＲ²³は相互に独立に炭素数１〜１２の直鎖状、
   分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜１２のア
   リール基または炭素数７〜１２のアラルキル基を示す
   か、またはＲ¹⁸とＲ¹⁹が相互に結合し、あるいはＲ²⁰と
   Ｒ²¹が相互に結合し、あるいはＲ²²とＲ²³が相互に結合
   して、それぞれ一般式（７）中の１個の窒素原子と共に
   ５〜８員環の複素環構造を形成し、Ｒ¹⁸〜Ｒ²³の残りが
   相互に独立に炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは
   環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基もしく
   は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。但し、前記ア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基および複素環構造
   は、それらの少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸
   基を１個以上有することができ、またそれらの任意の炭
   素−炭素結合間に酸素原子、硫黄原子あるいはカルボニ
   ル基を有することができ、さらにそれらの任意の炭素原
   子に結合した水素原子がアルコキシル基、フェノキシ基
   等の水酸基以外の１種以上の置換基で置換されていても
   よい。〕 【化８】 〔一般式（８）において、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷およ
   びＲ²⁸は相互に独立に水素原子、水酸基、炭素数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数
   ６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラルキ
   ル基を示すか、またはＲ²⁴とＲ²⁵が相互に結合し、ある
   いはＲ²⁵とＲ²⁶が相互に結合し、あるいはＲ²⁶とＲ²⁷が
   相互に結合し、あるいはＲ²⁷とＲ²⁸が相互に結合して、
   それぞれ一般式（８）中の２個の炭素原子と共に６員環
   の芳香環構造を形成し、Ｒ²⁴〜Ｒ²⁸の残りが相互に独立
   に水素原子、水酸基、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状
   もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール
   基または炭素数７〜１２のアラルキル基を示し、かつＲ
   ²⁴〜Ｒ²⁸の少なくとも１つが水酸基であるか、あるいは
   前記アルキル基、アリール基、アラルキル基および芳香
   環構造の少なくとも１つが炭素原子に結合した水酸基を
   １個以上有する。但し、Ｒ²⁴〜Ｒ²⁸の少なくとも１つが
   水酸基であるとき、残りのＲ²⁴〜Ｒ²⁸の前記アルキル
   基、アリール基、アラルキル基および芳香環構造の少な
   くとも１つが水酸基を１個以上有することができ、前記
   アルキル基、アリール基、アラルキル基および芳香環構
   造は、それらの任意の炭素−炭素結合間に酸素原子、硫
   黄原子あるいはカルボニル基を有することができ、また
   それらの任意の炭素原子に結合した水素原子がアルコキ
   シル基、フェノキシ基、ピリジル基等の水酸基以外の１
   種以上の置換基で置換されていてもよい。〕