JP2000144477A - 電着ブレード及びその製造方法 - Google Patents
電着ブレード及びその製造方法Info
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Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイヤモンド等の砥粒をニッケル等の母体金
属で電着して形成した電着ブレードを用いて被加工物の
切削を行う場合において、被加工物が切削により目詰ま
りしやすい材料である場合においても、電着ブレードの
側面に目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能
とする。 【解決手段】 電着ブレードを構成する母体金属40の
表面の所定領域に摩擦係数の小さいダイヤモンド状カー
ボン41をコーティングし、目詰まりが起こるのを防止
する。
属で電着して形成した電着ブレードを用いて被加工物の
切削を行う場合において、被加工物が切削により目詰ま
りしやすい材料である場合においても、電着ブレードの
側面に目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能
とする。 【解決手段】 電着ブレードを構成する母体金属40の
表面の所定領域に摩擦係数の小さいダイヤモンド状カー
ボン41をコーティングし、目詰まりが起こるのを防止
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、切削装置に搭載さ
れて被加工物の切削を行うブレードに関し、詳しくは、
ダイヤモンド等の砥粒をニッケル等の母体金属で電着し
て形成した電着ブレードに関する。
れて被加工物の切削を行うブレードに関し、詳しくは、
ダイヤモンド等の砥粒をニッケル等の母体金属で電着し
て形成した電着ブレードに関する。
【0002】
【従来の技術】切削装置における被加工物の切削は、例
えば、図12に示すように、被加工物70を保持したチ
ャックテーブル71がX軸方向に移動すると共に、高速
回転する電着ブレード72が被加工物70に切り込むこ
とにより行われる。
えば、図12に示すように、被加工物70を保持したチ
ャックテーブル71がX軸方向に移動すると共に、高速
回転する電着ブレード72が被加工物70に切り込むこ
とにより行われる。
【0003】電着ブレード72には、図13(A)に示
すように切刃のみからなり支持部を有しないワッシャー
タイプのブレード(ワッシャーブレード)72aと、図
13(B)に示すように切刃とハブとを一体化したハブ
タイプのブレード(ハブブレード)72bとがある。そ
して、いずれの場合も被加工物に接触して切削に供され
る部分は、図14に示すように、ダイヤモンド等の砥粒
73がニッケル等の母体金属74からなるメッキ層によ
って電着された構成となっており、その側面において
は、砥粒73が母体金属74から所定量突出している。
すように切刃のみからなり支持部を有しないワッシャー
タイプのブレード(ワッシャーブレード)72aと、図
13(B)に示すように切刃とハブとを一体化したハブ
タイプのブレード(ハブブレード)72bとがある。そ
して、いずれの場合も被加工物に接触して切削に供され
る部分は、図14に示すように、ダイヤモンド等の砥粒
73がニッケル等の母体金属74からなるメッキ層によ
って電着された構成となっており、その側面において
は、砥粒73が母体金属74から所定量突出している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被加工
物がPZT(Pb Zirconate Titanate)セラミックス、
生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素
などの目詰まりしやすい材料により形成される場合に
は、切削が進行するにつれて電着ブレード72の側面に
目詰まりが起こり、側面の摩擦抵抗が大きくなって切削
が円滑に行われなくなるという弊害が生じている。
物がPZT(Pb Zirconate Titanate)セラミックス、
生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素
などの目詰まりしやすい材料により形成される場合に
は、切削が進行するにつれて電着ブレード72の側面に
目詰まりが起こり、側面の摩擦抵抗が大きくなって切削
が円滑に行われなくなるという弊害が生じている。
【0005】このように、切削により目詰まりしやすい
材料を切削する場合においては、電着ブレードの側面に
目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能とする
ことに解決すべき課題を有している。
材料を切削する場合においては、電着ブレードの側面に
目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能とする
ことに解決すべき課題を有している。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、砥粒を母体金属で電着し
て形成した電着ブレードであって、母体金属の表面の所
定領域にダイヤモンド状カーボンをコーティングした電
着ブレードを提供する。
の具体的手段として本発明は、砥粒を母体金属で電着し
て形成した電着ブレードであって、母体金属の表面の所
定領域にダイヤモンド状カーボンをコーティングした電
着ブレードを提供する。
【0007】そして、ダイヤモンド状カーボンのコーテ
ィング層は、母体金属から突出した砥粒の高さより薄く
形成したこと、砥粒はダイヤモンド砥粒であり、母体金
属はニッケルであること、電着ブレードは、ワッシャー
タイプであるか、またはハブタイプであることを付加的
要件とする。
ィング層は、母体金属から突出した砥粒の高さより薄く
形成したこと、砥粒はダイヤモンド砥粒であり、母体金
属はニッケルであること、電着ブレードは、ワッシャー
タイプであるか、またはハブタイプであることを付加的
要件とする。
【0008】また本発明は、電着ブレードの所定領域に
ダイヤモンド状カーボンをコーティングする電着ブレー
ド製造方法であって、ダイヤモンド状カーボンがコーテ
ィングされる所定領域以外の領域にマスキング部材をマ
スキングするマスキング工程と、マスキングされた電着
ブレードにベンゼンガス雰囲気の下でダイヤモンド状カ
ーボンをコーティングするコーティング工程と、コーテ
ィングされた電着ブレードからマスキング部材を剥離す
る剥離工程とから構成される電着ブレード製造方法を提
供する。
ダイヤモンド状カーボンをコーティングする電着ブレー
ド製造方法であって、ダイヤモンド状カーボンがコーテ
ィングされる所定領域以外の領域にマスキング部材をマ
スキングするマスキング工程と、マスキングされた電着
ブレードにベンゼンガス雰囲気の下でダイヤモンド状カ
ーボンをコーティングするコーティング工程と、コーテ
ィングされた電着ブレードからマスキング部材を剥離す
る剥離工程とから構成される電着ブレード製造方法を提
供する。
【0009】そして、マスキング工程において使用する
マスキング部材は、ポリイミド樹脂であることを付加的
要件とする。
マスキング部材は、ポリイミド樹脂であることを付加的
要件とする。
【0010】本発明に係る電着ブレード、及び、本発明
に係る電着ブレード製造方法により製造された電着ブレ
ードにおいては、母体金属の表面の所定領域にダイヤモ
ンド状カーボンがコーティングされており、ダイヤモン
ド状カーボンの摩擦係数が小さいため、PZT、生セラ
ミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難
切削材を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生
じない。また、摩擦係数が小さいため切削時に被加工物
の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じにく
い。
に係る電着ブレード製造方法により製造された電着ブレ
ードにおいては、母体金属の表面の所定領域にダイヤモ
ンド状カーボンがコーティングされており、ダイヤモン
ド状カーボンの摩擦係数が小さいため、PZT、生セラ
ミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難
切削材を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生
じない。また、摩擦係数が小さいため切削時に被加工物
の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じにく
い。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明に係る電着ブレードを製造
する場合は、まず、図1に示す電着ブレード製造装置1
0を用いて従来と同様の電着ブレードを製造する。
する場合は、まず、図1に示す電着ブレード製造装置1
0を用いて従来と同様の電着ブレードを製造する。
【0012】この電着ブレード製造装置10において
は、電着槽11内に硫酸ニッケル等の電解液12が蓄え
られており、この電解液12中には電着ブレードを構成
する砥粒、例えばダイヤモンド砥粒13が混入されてい
る。
は、電着槽11内に硫酸ニッケル等の電解液12が蓄え
られており、この電解液12中には電着ブレードを構成
する砥粒、例えばダイヤモンド砥粒13が混入されてい
る。
【0013】電解液12には、電着基盤14及びニッケ
ル等の電解金属15が浸漬しており、電着基盤14は通
電手段16のマイナス端子に接続され、電解金属15は
通電手段16のプラス端子に接続されている。
ル等の電解金属15が浸漬しており、電着基盤14は通
電手段16のマイナス端子に接続され、電解金属15は
通電手段16のプラス端子に接続されている。
【0014】例えば、図13(A)に示したハブと一体
化されていないワッシャーブレード72aを製造する場
合に使用される電着基盤14は、図2に示すような所定
の厚みを有するリング状の電着基盤14aであり、アル
ミニウム等により構成され、内周面17及び外周面18
にはマスキングが施され、平坦な電着面19のみが露出
している。
化されていないワッシャーブレード72aを製造する場
合に使用される電着基盤14は、図2に示すような所定
の厚みを有するリング状の電着基盤14aであり、アル
ミニウム等により構成され、内周面17及び外周面18
にはマスキングが施され、平坦な電着面19のみが露出
している。
【0015】このように構成される電着ブレード製造装
置10においては、通電手段16から電着基盤14と電
解金属15との間に所定の電圧を加えると、電解液11
に混入したダイヤモンド砥粒13が沈降して電着基盤1
4の電着面17上に堆積すると共に、電解金属によって
電着面19においてメッキされてダイヤモンド砥粒13
と母体金属とからなる電着層が成長していく。
置10においては、通電手段16から電着基盤14と電
解金属15との間に所定の電圧を加えると、電解液11
に混入したダイヤモンド砥粒13が沈降して電着基盤1
4の電着面17上に堆積すると共に、電解金属によって
電着面19においてメッキされてダイヤモンド砥粒13
と母体金属とからなる電着層が成長していく。
【0016】そして、電着層が所望の厚さまで形成され
ると、電着基盤14を電解液12から取り出して電着基
盤14を例えば水酸化ナトリウムによって溶解して除去
することにより、図13(A)に示したようなワッシャ
ーブレード72aが形成される。
ると、電着基盤14を電解液12から取り出して電着基
盤14を例えば水酸化ナトリウムによって溶解して除去
することにより、図13(A)に示したようなワッシャ
ーブレード72aが形成される。
【0017】なお、図13(B)において示したハブブ
レード72bを製造する場合には、図3に示すように、
その形状に対応した電着基盤14bに電着面20の外周
部21のみが露出するようにマスキング22を施し、電
着面20を上にして電解液12に浸漬して上記と同様に
して電着面20に電着層を成長させる。
レード72bを製造する場合には、図3に示すように、
その形状に対応した電着基盤14bに電着面20の外周
部21のみが露出するようにマスキング22を施し、電
着面20を上にして電解液12に浸漬して上記と同様に
して電着面20に電着層を成長させる。
【0018】そして、マスキングが施されていない外周
部21に所定量の電着層が形成されると、電解液12か
ら取り出し、今度は、図4に示すように、電着基盤14
bを構成するハブ23及び裏面24の外周部25以外の
領域にマスキングを施し、水酸化ナトリウム等により溶
解する。すると、外周部25のみが除去されてそこに電
着層が露出し、ハブブレードが形成される。
部21に所定量の電着層が形成されると、電解液12か
ら取り出し、今度は、図4に示すように、電着基盤14
bを構成するハブ23及び裏面24の外周部25以外の
領域にマスキングを施し、水酸化ナトリウム等により溶
解する。すると、外周部25のみが除去されてそこに電
着層が露出し、ハブブレードが形成される。
【0019】以上のようにしてワッシャーブレードまた
はハブブレードが製造された後は、母体金属の表面にD
LCをコーティングするが、その前に、DLCをコーテ
ィングする必要がない領域にマスキングを施す(マスキ
ング工程)。例えば、ワッシャーブレードにマスキング
を施すときは、図5に示すように、母体金属の外周部以
外の領域にマスキング部材26をマスキングする。マス
キング部材としては、例えば、ポリイミド樹脂を用い
る。
はハブブレードが製造された後は、母体金属の表面にD
LCをコーティングするが、その前に、DLCをコーテ
ィングする必要がない領域にマスキングを施す(マスキ
ング工程)。例えば、ワッシャーブレードにマスキング
を施すときは、図5に示すように、母体金属の外周部以
外の領域にマスキング部材26をマスキングする。マス
キング部材としては、例えば、ポリイミド樹脂を用い
る。
【0020】そして、図5のようにしてマスキングが施
されたワッシャーブレード27には、例えば図6に示す
DLCコーティング装置30を用いてDLCがコーティ
ングされる。
されたワッシャーブレード27には、例えば図6に示す
DLCコーティング装置30を用いてDLCがコーティ
ングされる。
【0021】図6に示すDLCコーティング装置30
は、真空槽31と、コーティングしようとするブレード
が装着される回転軸32と、回転軸32を回転可能に支
持する導電性治具33と、導電性治具33を支持する電
極34と、電極34と対面する電極35と、電極35の
近傍に配設された加熱用ヒータ36と、補助電極37
と、電極34、35及び補助電極37と接続された電源
部38と、真空槽31内に炭化水素ガスを導入するガス
導入口39と、外部の真空装置に連結される接続管39
aとから概ね構成されている。
は、真空槽31と、コーティングしようとするブレード
が装着される回転軸32と、回転軸32を回転可能に支
持する導電性治具33と、導電性治具33を支持する電
極34と、電極34と対面する電極35と、電極35の
近傍に配設された加熱用ヒータ36と、補助電極37
と、電極34、35及び補助電極37と接続された電源
部38と、真空槽31内に炭化水素ガスを導入するガス
導入口39と、外部の真空装置に連結される接続管39
aとから概ね構成されている。
【0022】このDLCコーティング装置30を用いて
マスキングが施されたワッシャーブレード27の表面に
DLCをコーティングするときは、図6に示したよう
に、複数のワッシャーブレード27を回転軸32に嵌装
させて真空槽31内に収容する。そして、接続管39a
を介して真空槽31に連結された真空装置を作動させて
真空槽31の内部を約10-6トール程度の真空度とす
る。
マスキングが施されたワッシャーブレード27の表面に
DLCをコーティングするときは、図6に示したよう
に、複数のワッシャーブレード27を回転軸32に嵌装
させて真空槽31内に収容する。そして、接続管39a
を介して真空槽31に連結された真空装置を作動させて
真空槽31の内部を約10-6トール程度の真空度とす
る。
【0023】この状態を維持してガス導入口39から真
空槽31内に炭化水素ガス、例えばベンゼンガスを導入
し、ベンゼンガス雰囲気の下で、加熱用ヒータ36によ
って炭化水素ガスを加熱すると共に、電極34、35及
び補助電極37に電源部38から所定の電圧を印加す
る。
空槽31内に炭化水素ガス、例えばベンゼンガスを導入
し、ベンゼンガス雰囲気の下で、加熱用ヒータ36によ
って炭化水素ガスを加熱すると共に、電極34、35及
び補助電極37に電源部38から所定の電圧を印加す
る。
【0024】すると、炭化水素ガスがプラズマ状態とな
り、回転軸32の回転に伴って回転するハブブレード2
7の露出部分全体の表面にプラズマ状態の炭化水素が析
出または蒸着されて、図7に示すように、母体金属40
にDLCのコーティング層41が形成される(コーティ
ング工程)。このときコーティング層41は、切削に支
障が生じないように、母体金属40から突出した砥粒の
高さより薄く形成する。
り、回転軸32の回転に伴って回転するハブブレード2
7の露出部分全体の表面にプラズマ状態の炭化水素が析
出または蒸着されて、図7に示すように、母体金属40
にDLCのコーティング層41が形成される(コーティ
ング工程)。このときコーティング層41は、切削に支
障が生じないように、母体金属40から突出した砥粒の
高さより薄く形成する。
【0025】こうしてコーティング層41が形成された
後は、図5に示したマスキング部材26を剥離する(剥
離工程)。すると、図8(A)に示すように、母体金属
40の表面の外周部全体にコーティング層41が形成さ
れたワッシャーブレード42aが形成される。
後は、図5に示したマスキング部材26を剥離する(剥
離工程)。すると、図8(A)に示すように、母体金属
40の表面の外周部全体にコーティング層41が形成さ
れたワッシャーブレード42aが形成される。
【0026】なお、コーティング層41は、母体金属4
0だけでなくダイヤモンド砥粒13の上にも形成される
が、ダイヤモンド砥粒13にコーティングされたDLC
は母体金属40にコーティングされたDLCに比べて付
着力が弱く、容易に剥離するため、切削の妨げにはなら
ない。但し、被加工物を切削する前に、所定のドレッシ
ングボードを用いてドレッシングを行い、ダイヤモンド
砥粒13に形成されたコーティング層を予め剥離させて
おくことが好ましい。
0だけでなくダイヤモンド砥粒13の上にも形成される
が、ダイヤモンド砥粒13にコーティングされたDLC
は母体金属40にコーティングされたDLCに比べて付
着力が弱く、容易に剥離するため、切削の妨げにはなら
ない。但し、被加工物を切削する前に、所定のドレッシ
ングボードを用いてドレッシングを行い、ダイヤモンド
砥粒13に形成されたコーティング層を予め剥離させて
おくことが好ましい。
【0027】また、電着ブレードの外周面は面積が極め
て小さく、直接切削に寄与するため、外周面にコーティ
ングされたDLCは剥離されやすく切削の妨げにはなら
ない。但し、前記同様被加工物を切削する前に、所定の
ドレッシングボードを用いてドレッシングを行い、DL
Cを剥離させておくことが好ましい。
て小さく、直接切削に寄与するため、外周面にコーティ
ングされたDLCは剥離されやすく切削の妨げにはなら
ない。但し、前記同様被加工物を切削する前に、所定の
ドレッシングボードを用いてドレッシングを行い、DL
Cを剥離させておくことが好ましい。
【0028】なお、ハブブレードの場合も、上記と同様
に、複数のハブブレードにマスキングを施してから回転
軸32に嵌装し、コーティング工程、剥離工程を遂行す
ることにより、DLCがコーティングされたハブブレー
ドが形成される。
に、複数のハブブレードにマスキングを施してから回転
軸32に嵌装し、コーティング工程、剥離工程を遂行す
ることにより、DLCがコーティングされたハブブレー
ドが形成される。
【0029】また、マスキング箇所を変更することによ
り、DLCをコーティングする箇所を変更して種々のタ
イプのブレードを製造することができる。例えば、図8
(B)に示すワッシャーブレード42bは、ワッシャー
ブレードの側面の外周部に断続的にDLCによるコーテ
ィング層43を形成した場合、図8(C)に示すワッシ
ャーブレード42cは、ワッシャーブレードの側面の全
体にDLCによるコーティング層44を形成した場合を
示している。
り、DLCをコーティングする箇所を変更して種々のタ
イプのブレードを製造することができる。例えば、図8
(B)に示すワッシャーブレード42bは、ワッシャー
ブレードの側面の外周部に断続的にDLCによるコーテ
ィング層43を形成した場合、図8(C)に示すワッシ
ャーブレード42cは、ワッシャーブレードの側面の全
体にDLCによるコーティング層44を形成した場合を
示している。
【0030】また、図8(D)に示すハブブレード42
dは、ハブブレードの外周部に断続的にDLCによるコ
ーティング層45を形成した場合、図8(E)に示すハ
ブブレード42eは、ハブブレードの外周部の全体にD
LCによるコーティング層46を形成した場合を示して
いる。更に、このほかにも種々のバリエーションが考え
られる。
dは、ハブブレードの外周部に断続的にDLCによるコ
ーティング層45を形成した場合、図8(E)に示すハ
ブブレード42eは、ハブブレードの外周部の全体にD
LCによるコーティング層46を形成した場合を示して
いる。更に、このほかにも種々のバリエーションが考え
られる。
【0031】以上のようにして製造されたワッシャーブ
レード、ハブブレードは、例えば図9に示す切削装置5
0に搭載されて被加工物の切削に供される。以下におい
ては、図8(A)に示したワッシャーブレード42aが
搭載された切削装置50を用いて被加工物を切削する場
合について説明する。
レード、ハブブレードは、例えば図9に示す切削装置5
0に搭載されて被加工物の切削に供される。以下におい
ては、図8(A)に示したワッシャーブレード42aが
搭載された切削装置50を用いて被加工物を切削する場
合について説明する。
【0032】切削装置50を用いて被加工物を切削する
ときは、テープTを介してフレームFに保持された被加
工物51をチャックテーブル52に吸引保持する。そし
て、チャックテーブル52がX軸方向に移動してアライ
メント手段53の直下に位置付けられ、パターンマッチ
ング等の処理によって切削領域が検出され、切削手段5
4を構成するワッシャーブレード42aと切削領域との
Y軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせ
がなされると、更にチャックテーブル52がX軸方向に
移動し、高速回転するワッシャーブレード42aの作用
を受けて切削が行われる。
ときは、テープTを介してフレームFに保持された被加
工物51をチャックテーブル52に吸引保持する。そし
て、チャックテーブル52がX軸方向に移動してアライ
メント手段53の直下に位置付けられ、パターンマッチ
ング等の処理によって切削領域が検出され、切削手段5
4を構成するワッシャーブレード42aと切削領域との
Y軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせ
がなされると、更にチャックテーブル52がX軸方向に
移動し、高速回転するワッシャーブレード42aの作用
を受けて切削が行われる。
【0033】切削手段54は、図10に示すように、ス
ピンドルハウジング56によって回転可能に支持された
スピンドル57に電着ブレードが装着された構成のスピ
ンドルユニット58と、スピンドルハウジング56の先
端に装着されたブレードカバー59と、ブレードカバー
59の上部にネジ止めにより取り付けられてブレードの
破損状態を監視するブレード監視手段60と、ブレード
カバー59の側部にネジ止めにより取り付けられ切削時
に切削水を供給する切削水供給部61とから構成されて
いる。
ピンドルハウジング56によって回転可能に支持された
スピンドル57に電着ブレードが装着された構成のスピ
ンドルユニット58と、スピンドルハウジング56の先
端に装着されたブレードカバー59と、ブレードカバー
59の上部にネジ止めにより取り付けられてブレードの
破損状態を監視するブレード監視手段60と、ブレード
カバー59の側部にネジ止めにより取り付けられ切削時
に切削水を供給する切削水供給部61とから構成されて
いる。
【0034】スピンドルユニット58は、図11に示す
ように、スピンドルハウジング56に回転可能に支持さ
れたスピンドル57の先端にマウントフランジ62が固
定ナット63によって固定される。そして、マウントフ
ランジ62には、ワッシャーブレード42aが装着さ
れ、フランジ65と支持ナット66によって固定され
る。また、図示したように、ワッシャーブレード42a
に代えて、例えばハブブレード42eが装着される場合
には、支持ナット66によってハブブレード42eがマ
ウントフランジ62に固定される。
ように、スピンドルハウジング56に回転可能に支持さ
れたスピンドル57の先端にマウントフランジ62が固
定ナット63によって固定される。そして、マウントフ
ランジ62には、ワッシャーブレード42aが装着さ
れ、フランジ65と支持ナット66によって固定され
る。また、図示したように、ワッシャーブレード42a
に代えて、例えばハブブレード42eが装着される場合
には、支持ナット66によってハブブレード42eがマ
ウントフランジ62に固定される。
【0035】このようにしてハブブレード42aまたは
ワッシャーブレード42eが装着されたスピンドルユニ
ット58を用いて被加工物51の切削が行われると、D
LCコーティング層の表面は摩擦係数が小さくすべすべ
して滑りやすいため、側面抵抗が少なく、切削を円滑に
遂行できる。更に、図8(B)、(C)に示したワッシ
ャーブレード42b、42cや図8(D)に示したハブ
ブレード42d等を用いた場合にも上記と同様の効果を
得ることができる。
ワッシャーブレード42eが装着されたスピンドルユニ
ット58を用いて被加工物51の切削が行われると、D
LCコーティング層の表面は摩擦係数が小さくすべすべ
して滑りやすいため、側面抵抗が少なく、切削を円滑に
遂行できる。更に、図8(B)、(C)に示したワッシ
ャーブレード42b、42cや図8(D)に示したハブ
ブレード42d等を用いた場合にも上記と同様の効果を
得ることができる。
【0036】また、被加工物51がPZTセラミック
ス、生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム
砒素等の難切削材である場合には、ブレードの側面に目
詰まりが生じなくなるため側面抵抗が少なく、細かな切
削屑をスムーズに排出することができる。
ス、生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム
砒素等の難切削材である場合には、ブレードの側面に目
詰まりが生じなくなるため側面抵抗が少なく、細かな切
削屑をスムーズに排出することができる。
【0037】このように、従来からある電着ブレードの
表面にダイヤモンド状カーボンのコーティングを施すだ
けで、容易に電着ブレードの用途を広げることができ
る。
表面にダイヤモンド状カーボンのコーティングを施すだ
けで、容易に電着ブレードの用途を広げることができ
る。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電着
ブレード、及び、本発明に係る電着ブレード製造方法に
より製造された電着ブレードにおいては、母体金属の表
面の所定領域に摩擦係数が小さいダイヤモンド状カーボ
ンがコーティングされており、PZT、生セラミック
ス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難切削材
を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生じない
ため、切削が円滑に遂行される。
ブレード、及び、本発明に係る電着ブレード製造方法に
より製造された電着ブレードにおいては、母体金属の表
面の所定領域に摩擦係数が小さいダイヤモンド状カーボ
ンがコーティングされており、PZT、生セラミック
ス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難切削材
を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生じない
ため、切削が円滑に遂行される。
【0039】また、摩擦係数が小さいため切削時に被加
工物の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じ
にくいため、被加工物の品質が向上する。
工物の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じ
にくいため、被加工物の品質が向上する。
【図1】電着ブレードの製造に用いる電着ブレード製造
装置の構成を示す説明図である。
装置の構成を示す説明図である。
【図2】同電着ブレード製造装置に浸漬される、ワッシ
ャーブレード製造用の電着基盤を示す斜視図である。
ャーブレード製造用の電着基盤を示す斜視図である。
【図3】同電着ブレード製造装置に浸漬される、ハブブ
レード製造用の電着基盤の電着面にマスキングを施した
状態を示す斜視図である。
レード製造用の電着基盤の電着面にマスキングを施した
状態を示す斜視図である。
【図4】同電着ブレード製造装置に浸漬される、ハブブ
レード製造用の電着基盤の裏面にマスキングを施した状
態を示す斜視図である。
レード製造用の電着基盤の裏面にマスキングを施した状
態を示す斜視図である。
【図5】ハブブレードにマスキングを施した状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図6】本発明に係る電着ブレードの製造方法に使用す
るDLCコーティング装置の構成を示す説明図である。
るDLCコーティング装置の構成を示す説明図である。
【図7】本発明に係る電着ブレードの一部を拡大して示
す正面図である。
す正面図である。
【図8】本発明に係る電着ブレードであり、(A)、
(B)、(C)はワッシャーブレードの設計変更例を示
す斜視図、(D)、(E)はハブブレードの設計変更例
を示す斜視図である。
(B)、(C)はワッシャーブレードの設計変更例を示
す斜視図、(D)、(E)はハブブレードの設計変更例
を示す斜視図である。
【図9】同電着ブレードが搭載される切削装置の一例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図10】同切削装置を構成する切削手段の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図11】同切削手段を構成するスピンドルユニットの
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図12】電着ブレードを用いてチャックテーブルに保
持された被加工物を切削する様子を示す説明図である。
持された被加工物を切削する様子を示す説明図である。
【図13】従来の電着ブレードであり、(A)はワッシ
ャーブレードを示す斜視図、(B)はハブブレードを示
す斜視図である。
ャーブレードを示す斜視図、(B)はハブブレードを示
す斜視図である。
【図14】従来の電着ブレードの一部を拡大して示す正
面図である。
面図である。
【符号の説明】 10……電着ブレード製造装置 11……電着槽 12
……電解液 13……ダイヤモンド砥粒 14、14a、14b……
電着基盤 15……電解金属 16……通電手段 17……内周面
18……外周面 19、20……電着面 21……外周部 22……マス
キング 23……ハブ 24……裏面 25……外周部 26……マスキング部
材 27……ワッシャーブレード 30……DLCコーティング装置 31……真空槽 3
2……回転軸 33……導電性治具 34、35……電極 36……加
熱用ヒータ 37……補助電極 38……電源部 39……ガス導入
口 39a……接続管 40……母体金属 41……コーティング層 42a、42b、42c……ワッシャーブレード 42d、42e……ハブブレード 43〜46……コー
ティング層 50……切削装置 51……被加工物 52……チャッ
クテーブル 53……アライメント手段 54……切削手段 56…
…スピンドルハウジング 57……スピンドル 58……スピンドルユニット 5
9……ブレードカバー 60……ブレード監視手段 61……切削水供給部 6
2……マウントフランジ 63……固定ナット 65……フランジ 66……支持
ナット
……電解液 13……ダイヤモンド砥粒 14、14a、14b……
電着基盤 15……電解金属 16……通電手段 17……内周面
18……外周面 19、20……電着面 21……外周部 22……マス
キング 23……ハブ 24……裏面 25……外周部 26……マスキング部
材 27……ワッシャーブレード 30……DLCコーティング装置 31……真空槽 3
2……回転軸 33……導電性治具 34、35……電極 36……加
熱用ヒータ 37……補助電極 38……電源部 39……ガス導入
口 39a……接続管 40……母体金属 41……コーティング層 42a、42b、42c……ワッシャーブレード 42d、42e……ハブブレード 43〜46……コー
ティング層 50……切削装置 51……被加工物 52……チャッ
クテーブル 53……アライメント手段 54……切削手段 56…
…スピンドルハウジング 57……スピンドル 58……スピンドルユニット 5
9……ブレードカバー 60……ブレード監視手段 61……切削水供給部 6
2……マウントフランジ 63……固定ナット 65……フランジ 66……支持
ナット
Claims (6)
- 【請求項1】 砥粒を母体金属で電着して形成した電着
ブレードであって、 該母体金属の表面の所定領域にダイヤモンド状カーボン
をコーティングした電着ブレード。 - 【請求項2】 ダイヤモンド状カーボンのコーティング
層は、母体金属から突出した砥粒の高さより薄く形成し
た請求項1に記載の電着ブレード。 - 【請求項3】 砥粒はダイヤモンド砥粒であり、母体金
属はニッケルである請求項1または2に記載の電着ブレ
ード。 - 【請求項4】 電着ブレードは、ワッシャータイプであ
るか、またはハブタイプである請求項1、2または3に
記載の電着ブレード。 - 【請求項5】 電着ブレードの所定領域にダイヤモンド
状カーボンをコーティングする電着ブレード製造方法で
あって、 ダイヤモンド状カーボンがコーティングされる所定領域
以外の領域にマスキング部材をマスキングするマスキン
グ工程と、 該マスキングされた電着ブレードにベンゼンガス雰囲気
の下でダイヤモンド状カーボンをコーティングするコー
ティング工程と、 コーティングされた電着ブレードから該マスキング部材
を剥離する剥離工程とから構成される電着ブレード製造
方法。 - 【請求項6】マスキング工程において使用するマスキン
グ部材は、ポリイミド樹脂である請求項5に記載の電着
ブレード製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10325097A JP2000144477A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電着ブレード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10325097A JP2000144477A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電着ブレード及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000144477A true JP2000144477A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18173113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10325097A Withdrawn JP2000144477A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電着ブレード及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000144477A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100948249B1 (ko) | 2007-07-06 | 2010-03-18 | (주)인성다이아몬드 | 다이아몬드 입자 전착용 핸들러 |
JP2012192487A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
JP2012223868A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
CN105908235A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-31 | 上海应用技术学院 | 一种低电压电解有机物在铜基体表面生长dlc膜的方法 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10325097A patent/JP2000144477A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100948249B1 (ko) | 2007-07-06 | 2010-03-18 | (주)인성다이아몬드 | 다이아몬드 입자 전착용 핸들러 |
JP2012192487A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
JP2012223868A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
CN105908235A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-31 | 上海应用技术学院 | 一种低电压电解有机物在铜基体表面生长dlc膜的方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051027 |
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A977 | Report on retrieval |
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A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070314 |