JP2000144477A - 電着ブレード及びその製造方法 - Google Patents
電着ブレード及びその製造方法Info
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Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイヤモンド等の砥粒をニッケル等の母体金
属で電着して形成した電着ブレードを用いて被加工物の
切削を行う場合において、被加工物が切削により目詰ま
りしやすい材料である場合においても、電着ブレードの
側面に目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能
とする。 【解決手段】 電着ブレードを構成する母体金属４０の
表面の所定領域に摩擦係数の小さいダイヤモンド状カー
ボン４１をコーティングし、目詰まりが起こるのを防止
する。
属で電着して形成した電着ブレードを用いて被加工物の
切削を行う場合において、被加工物が切削により目詰ま
りしやすい材料である場合においても、電着ブレードの
側面に目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能
とする。 【解決手段】 電着ブレードを構成する母体金属４０の
表面の所定領域に摩擦係数の小さいダイヤモンド状カー
ボン４１をコーティングし、目詰まりが起こるのを防止
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、切削装置に搭載さ
れて被加工物の切削を行うブレードに関し、詳しくは、
ダイヤモンド等の砥粒をニッケル等の母体金属で電着し
て形成した電着ブレードに関する。
れて被加工物の切削を行うブレードに関し、詳しくは、
ダイヤモンド等の砥粒をニッケル等の母体金属で電着し
て形成した電着ブレードに関する。
【０００２】
【従来の技術】切削装置における被加工物の切削は、例
えば、図１２に示すように、被加工物７０を保持したチ
ャックテーブル７１がＸ軸方向に移動すると共に、高速
回転する電着ブレード７２が被加工物７０に切り込むこ
とにより行われる。
えば、図１２に示すように、被加工物７０を保持したチ
ャックテーブル７１がＸ軸方向に移動すると共に、高速
回転する電着ブレード７２が被加工物７０に切り込むこ
とにより行われる。
【０００３】電着ブレード７２には、図１３（Ａ）に示
すように切刃のみからなり支持部を有しないワッシャー
タイプのブレード（ワッシャーブレード）７２ａと、図
１３（Ｂ）に示すように切刃とハブとを一体化したハブ
タイプのブレード（ハブブレード）７２ｂとがある。そ
して、いずれの場合も被加工物に接触して切削に供され
る部分は、図１４に示すように、ダイヤモンド等の砥粒
７３がニッケル等の母体金属７４からなるメッキ層によ
って電着された構成となっており、その側面において
は、砥粒７３が母体金属７４から所定量突出している。
すように切刃のみからなり支持部を有しないワッシャー
タイプのブレード（ワッシャーブレード）７２ａと、図
１３（Ｂ）に示すように切刃とハブとを一体化したハブ
タイプのブレード（ハブブレード）７２ｂとがある。そ
して、いずれの場合も被加工物に接触して切削に供され
る部分は、図１４に示すように、ダイヤモンド等の砥粒
７３がニッケル等の母体金属７４からなるメッキ層によ
って電着された構成となっており、その側面において
は、砥粒７３が母体金属７４から所定量突出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被加工
物がＰＺＴ（Pb Zirconate Titanate）セラミックス、
生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素
などの目詰まりしやすい材料により形成される場合に
は、切削が進行するにつれて電着ブレード７２の側面に
目詰まりが起こり、側面の摩擦抵抗が大きくなって切削
が円滑に行われなくなるという弊害が生じている。
物がＰＺＴ（Pb Zirconate Titanate）セラミックス、
生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素
などの目詰まりしやすい材料により形成される場合に
は、切削が進行するにつれて電着ブレード７２の側面に
目詰まりが起こり、側面の摩擦抵抗が大きくなって切削
が円滑に行われなくなるという弊害が生じている。
【０００５】このように、切削により目詰まりしやすい
材料を切削する場合においては、電着ブレードの側面に
目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能とする
ことに解決すべき課題を有している。
材料を切削する場合においては、電着ブレードの側面に
目詰まりが起こるのを防止して円滑な切削を可能とする
ことに解決すべき課題を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、砥粒を母体金属で電着し
て形成した電着ブレードであって、母体金属の表面の所
定領域にダイヤモンド状カーボンをコーティングした電
着ブレードを提供する。
の具体的手段として本発明は、砥粒を母体金属で電着し
て形成した電着ブレードであって、母体金属の表面の所
定領域にダイヤモンド状カーボンをコーティングした電
着ブレードを提供する。
【０００７】そして、ダイヤモンド状カーボンのコーテ
ィング層は、母体金属から突出した砥粒の高さより薄く
形成したこと、砥粒はダイヤモンド砥粒であり、母体金
属はニッケルであること、電着ブレードは、ワッシャー
タイプであるか、またはハブタイプであることを付加的
要件とする。
ィング層は、母体金属から突出した砥粒の高さより薄く
形成したこと、砥粒はダイヤモンド砥粒であり、母体金
属はニッケルであること、電着ブレードは、ワッシャー
タイプであるか、またはハブタイプであることを付加的
要件とする。
【０００８】また本発明は、電着ブレードの所定領域に
ダイヤモンド状カーボンをコーティングする電着ブレー
ド製造方法であって、ダイヤモンド状カーボンがコーテ
ィングされる所定領域以外の領域にマスキング部材をマ
スキングするマスキング工程と、マスキングされた電着
ブレードにベンゼンガス雰囲気の下でダイヤモンド状カ
ーボンをコーティングするコーティング工程と、コーテ
ィングされた電着ブレードからマスキング部材を剥離す
る剥離工程とから構成される電着ブレード製造方法を提
供する。
ダイヤモンド状カーボンをコーティングする電着ブレー
ド製造方法であって、ダイヤモンド状カーボンがコーテ
ィングされる所定領域以外の領域にマスキング部材をマ
スキングするマスキング工程と、マスキングされた電着
ブレードにベンゼンガス雰囲気の下でダイヤモンド状カ
ーボンをコーティングするコーティング工程と、コーテ
ィングされた電着ブレードからマスキング部材を剥離す
る剥離工程とから構成される電着ブレード製造方法を提
供する。
【０００９】そして、マスキング工程において使用する
マスキング部材は、ポリイミド樹脂であることを付加的
要件とする。
マスキング部材は、ポリイミド樹脂であることを付加的
要件とする。
【００１０】本発明に係る電着ブレード、及び、本発明
に係る電着ブレード製造方法により製造された電着ブレ
ードにおいては、母体金属の表面の所定領域にダイヤモ
ンド状カーボンがコーティングされており、ダイヤモン
ド状カーボンの摩擦係数が小さいため、ＰＺＴ、生セラ
ミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難
切削材を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生
じない。また、摩擦係数が小さいため切削時に被加工物
の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じにく
い。
に係る電着ブレード製造方法により製造された電着ブレ
ードにおいては、母体金属の表面の所定領域にダイヤモ
ンド状カーボンがコーティングされており、ダイヤモン
ド状カーボンの摩擦係数が小さいため、ＰＺＴ、生セラ
ミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難
切削材を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生
じない。また、摩擦係数が小さいため切削時に被加工物
の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じにく
い。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係る電着ブレードを製造
する場合は、まず、図１に示す電着ブレード製造装置１
０を用いて従来と同様の電着ブレードを製造する。
する場合は、まず、図１に示す電着ブレード製造装置１
０を用いて従来と同様の電着ブレードを製造する。
【００１２】この電着ブレード製造装置１０において
は、電着槽１１内に硫酸ニッケル等の電解液１２が蓄え
られており、この電解液１２中には電着ブレードを構成
する砥粒、例えばダイヤモンド砥粒１３が混入されてい
る。
は、電着槽１１内に硫酸ニッケル等の電解液１２が蓄え
られており、この電解液１２中には電着ブレードを構成
する砥粒、例えばダイヤモンド砥粒１３が混入されてい
る。
【００１３】電解液１２には、電着基盤１４及びニッケ
ル等の電解金属１５が浸漬しており、電着基盤１４は通
電手段１６のマイナス端子に接続され、電解金属１５は
通電手段１６のプラス端子に接続されている。
ル等の電解金属１５が浸漬しており、電着基盤１４は通
電手段１６のマイナス端子に接続され、電解金属１５は
通電手段１６のプラス端子に接続されている。
【００１４】例えば、図１３（Ａ）に示したハブと一体
化されていないワッシャーブレード７２ａを製造する場
合に使用される電着基盤１４は、図２に示すような所定
の厚みを有するリング状の電着基盤１４ａであり、アル
ミニウム等により構成され、内周面１７及び外周面１８
にはマスキングが施され、平坦な電着面１９のみが露出
している。
化されていないワッシャーブレード７２ａを製造する場
合に使用される電着基盤１４は、図２に示すような所定
の厚みを有するリング状の電着基盤１４ａであり、アル
ミニウム等により構成され、内周面１７及び外周面１８
にはマスキングが施され、平坦な電着面１９のみが露出
している。
【００１５】このように構成される電着ブレード製造装
置１０においては、通電手段１６から電着基盤１４と電
解金属１５との間に所定の電圧を加えると、電解液１１
に混入したダイヤモンド砥粒１３が沈降して電着基盤１
４の電着面１７上に堆積すると共に、電解金属によって
電着面１９においてメッキされてダイヤモンド砥粒１３
と母体金属とからなる電着層が成長していく。
置１０においては、通電手段１６から電着基盤１４と電
解金属１５との間に所定の電圧を加えると、電解液１１
に混入したダイヤモンド砥粒１３が沈降して電着基盤１
４の電着面１７上に堆積すると共に、電解金属によって
電着面１９においてメッキされてダイヤモンド砥粒１３
と母体金属とからなる電着層が成長していく。
【００１６】そして、電着層が所望の厚さまで形成され
ると、電着基盤１４を電解液１２から取り出して電着基
盤１４を例えば水酸化ナトリウムによって溶解して除去
することにより、図１３（Ａ）に示したようなワッシャ
ーブレード７２ａが形成される。
ると、電着基盤１４を電解液１２から取り出して電着基
盤１４を例えば水酸化ナトリウムによって溶解して除去
することにより、図１３（Ａ）に示したようなワッシャ
ーブレード７２ａが形成される。
【００１７】なお、図１３（Ｂ）において示したハブブ
レード７２ｂを製造する場合には、図３に示すように、
その形状に対応した電着基盤１４ｂに電着面２０の外周
部２１のみが露出するようにマスキング２２を施し、電
着面２０を上にして電解液１２に浸漬して上記と同様に
して電着面２０に電着層を成長させる。
レード７２ｂを製造する場合には、図３に示すように、
その形状に対応した電着基盤１４ｂに電着面２０の外周
部２１のみが露出するようにマスキング２２を施し、電
着面２０を上にして電解液１２に浸漬して上記と同様に
して電着面２０に電着層を成長させる。
【００１８】そして、マスキングが施されていない外周
部２１に所定量の電着層が形成されると、電解液１２か
ら取り出し、今度は、図４に示すように、電着基盤１４
ｂを構成するハブ２３及び裏面２４の外周部２５以外の
領域にマスキングを施し、水酸化ナトリウム等により溶
解する。すると、外周部２５のみが除去されてそこに電
着層が露出し、ハブブレードが形成される。
部２１に所定量の電着層が形成されると、電解液１２か
ら取り出し、今度は、図４に示すように、電着基盤１４
ｂを構成するハブ２３及び裏面２４の外周部２５以外の
領域にマスキングを施し、水酸化ナトリウム等により溶
解する。すると、外周部２５のみが除去されてそこに電
着層が露出し、ハブブレードが形成される。
【００１９】以上のようにしてワッシャーブレードまた
はハブブレードが製造された後は、母体金属の表面にＤ
ＬＣをコーティングするが、その前に、ＤＬＣをコーテ
ィングする必要がない領域にマスキングを施す（マスキ
ング工程）。例えば、ワッシャーブレードにマスキング
を施すときは、図５に示すように、母体金属の外周部以
外の領域にマスキング部材２６をマスキングする。マス
キング部材としては、例えば、ポリイミド樹脂を用い
る。
はハブブレードが製造された後は、母体金属の表面にＤ
ＬＣをコーティングするが、その前に、ＤＬＣをコーテ
ィングする必要がない領域にマスキングを施す（マスキ
ング工程）。例えば、ワッシャーブレードにマスキング
を施すときは、図５に示すように、母体金属の外周部以
外の領域にマスキング部材２６をマスキングする。マス
キング部材としては、例えば、ポリイミド樹脂を用い
る。
【００２０】そして、図５のようにしてマスキングが施
されたワッシャーブレード２７には、例えば図６に示す
ＤＬＣコーティング装置３０を用いてＤＬＣがコーティ
ングされる。
されたワッシャーブレード２７には、例えば図６に示す
ＤＬＣコーティング装置３０を用いてＤＬＣがコーティ
ングされる。
【００２１】図６に示すＤＬＣコーティング装置３０
は、真空槽３１と、コーティングしようとするブレード
が装着される回転軸３２と、回転軸３２を回転可能に支
持する導電性治具３３と、導電性治具３３を支持する電
極３４と、電極３４と対面する電極３５と、電極３５の
近傍に配設された加熱用ヒータ３６と、補助電極３７
と、電極３４、３５及び補助電極３７と接続された電源
部３８と、真空槽３１内に炭化水素ガスを導入するガス
導入口３９と、外部の真空装置に連結される接続管３９
ａとから概ね構成されている。
は、真空槽３１と、コーティングしようとするブレード
が装着される回転軸３２と、回転軸３２を回転可能に支
持する導電性治具３３と、導電性治具３３を支持する電
極３４と、電極３４と対面する電極３５と、電極３５の
近傍に配設された加熱用ヒータ３６と、補助電極３７
と、電極３４、３５及び補助電極３７と接続された電源
部３８と、真空槽３１内に炭化水素ガスを導入するガス
導入口３９と、外部の真空装置に連結される接続管３９
ａとから概ね構成されている。
【００２２】このＤＬＣコーティング装置３０を用いて
マスキングが施されたワッシャーブレード２７の表面に
ＤＬＣをコーティングするときは、図６に示したよう
に、複数のワッシャーブレード２７を回転軸３２に嵌装
させて真空槽３１内に収容する。そして、接続管３９ａ
を介して真空槽３１に連結された真空装置を作動させて
真空槽３１の内部を約１０-6トール程度の真空度とす
る。
マスキングが施されたワッシャーブレード２７の表面に
ＤＬＣをコーティングするときは、図６に示したよう
に、複数のワッシャーブレード２７を回転軸３２に嵌装
させて真空槽３１内に収容する。そして、接続管３９ａ
を介して真空槽３１に連結された真空装置を作動させて
真空槽３１の内部を約１０-6トール程度の真空度とす
る。
【００２３】この状態を維持してガス導入口３９から真
空槽３１内に炭化水素ガス、例えばベンゼンガスを導入
し、ベンゼンガス雰囲気の下で、加熱用ヒータ３６によ
って炭化水素ガスを加熱すると共に、電極３４、３５及
び補助電極３７に電源部３８から所定の電圧を印加す
る。
空槽３１内に炭化水素ガス、例えばベンゼンガスを導入
し、ベンゼンガス雰囲気の下で、加熱用ヒータ３６によ
って炭化水素ガスを加熱すると共に、電極３４、３５及
び補助電極３７に電源部３８から所定の電圧を印加す
る。
【００２４】すると、炭化水素ガスがプラズマ状態とな
り、回転軸３２の回転に伴って回転するハブブレード２
７の露出部分全体の表面にプラズマ状態の炭化水素が析
出または蒸着されて、図７に示すように、母体金属４０
にＤＬＣのコーティング層４１が形成される（コーティ
ング工程）。このときコーティング層４１は、切削に支
障が生じないように、母体金属４０から突出した砥粒の
高さより薄く形成する。
り、回転軸３２の回転に伴って回転するハブブレード２
７の露出部分全体の表面にプラズマ状態の炭化水素が析
出または蒸着されて、図７に示すように、母体金属４０
にＤＬＣのコーティング層４１が形成される（コーティ
ング工程）。このときコーティング層４１は、切削に支
障が生じないように、母体金属４０から突出した砥粒の
高さより薄く形成する。
【００２５】こうしてコーティング層４１が形成された
後は、図５に示したマスキング部材２６を剥離する（剥
離工程）。すると、図８（Ａ）に示すように、母体金属
４０の表面の外周部全体にコーティング層４１が形成さ
れたワッシャーブレード４２ａが形成される。
後は、図５に示したマスキング部材２６を剥離する（剥
離工程）。すると、図８（Ａ）に示すように、母体金属
４０の表面の外周部全体にコーティング層４１が形成さ
れたワッシャーブレード４２ａが形成される。
【００２６】なお、コーティング層４１は、母体金属４
０だけでなくダイヤモンド砥粒１３の上にも形成される
が、ダイヤモンド砥粒１３にコーティングされたＤＬＣ
は母体金属４０にコーティングされたＤＬＣに比べて付
着力が弱く、容易に剥離するため、切削の妨げにはなら
ない。但し、被加工物を切削する前に、所定のドレッシ
ングボードを用いてドレッシングを行い、ダイヤモンド
砥粒１３に形成されたコーティング層を予め剥離させて
おくことが好ましい。
０だけでなくダイヤモンド砥粒１３の上にも形成される
が、ダイヤモンド砥粒１３にコーティングされたＤＬＣ
は母体金属４０にコーティングされたＤＬＣに比べて付
着力が弱く、容易に剥離するため、切削の妨げにはなら
ない。但し、被加工物を切削する前に、所定のドレッシ
ングボードを用いてドレッシングを行い、ダイヤモンド
砥粒１３に形成されたコーティング層を予め剥離させて
おくことが好ましい。
【００２７】また、電着ブレードの外周面は面積が極め
て小さく、直接切削に寄与するため、外周面にコーティ
ングされたＤＬＣは剥離されやすく切削の妨げにはなら
ない。但し、前記同様被加工物を切削する前に、所定の
ドレッシングボードを用いてドレッシングを行い、ＤＬ
Ｃを剥離させておくことが好ましい。
て小さく、直接切削に寄与するため、外周面にコーティ
ングされたＤＬＣは剥離されやすく切削の妨げにはなら
ない。但し、前記同様被加工物を切削する前に、所定の
ドレッシングボードを用いてドレッシングを行い、ＤＬ
Ｃを剥離させておくことが好ましい。
【００２８】なお、ハブブレードの場合も、上記と同様
に、複数のハブブレードにマスキングを施してから回転
軸３２に嵌装し、コーティング工程、剥離工程を遂行す
ることにより、ＤＬＣがコーティングされたハブブレー
ドが形成される。
に、複数のハブブレードにマスキングを施してから回転
軸３２に嵌装し、コーティング工程、剥離工程を遂行す
ることにより、ＤＬＣがコーティングされたハブブレー
ドが形成される。
【００２９】また、マスキング箇所を変更することによ
り、ＤＬＣをコーティングする箇所を変更して種々のタ
イプのブレードを製造することができる。例えば、図８
（Ｂ）に示すワッシャーブレード４２ｂは、ワッシャー
ブレードの側面の外周部に断続的にＤＬＣによるコーテ
ィング層４３を形成した場合、図８（Ｃ）に示すワッシ
ャーブレード４２ｃは、ワッシャーブレードの側面の全
体にＤＬＣによるコーティング層４４を形成した場合を
示している。
り、ＤＬＣをコーティングする箇所を変更して種々のタ
イプのブレードを製造することができる。例えば、図８
（Ｂ）に示すワッシャーブレード４２ｂは、ワッシャー
ブレードの側面の外周部に断続的にＤＬＣによるコーテ
ィング層４３を形成した場合、図８（Ｃ）に示すワッシ
ャーブレード４２ｃは、ワッシャーブレードの側面の全
体にＤＬＣによるコーティング層４４を形成した場合を
示している。
【００３０】また、図８（Ｄ）に示すハブブレード４２
ｄは、ハブブレードの外周部に断続的にＤＬＣによるコ
ーティング層４５を形成した場合、図８（Ｅ）に示すハ
ブブレード４２ｅは、ハブブレードの外周部の全体にＤ
ＬＣによるコーティング層４６を形成した場合を示して
いる。更に、このほかにも種々のバリエーションが考え
られる。
ｄは、ハブブレードの外周部に断続的にＤＬＣによるコ
ーティング層４５を形成した場合、図８（Ｅ）に示すハ
ブブレード４２ｅは、ハブブレードの外周部の全体にＤ
ＬＣによるコーティング層４６を形成した場合を示して
いる。更に、このほかにも種々のバリエーションが考え
られる。
【００３１】以上のようにして製造されたワッシャーブ
レード、ハブブレードは、例えば図９に示す切削装置５
０に搭載されて被加工物の切削に供される。以下におい
ては、図８（Ａ）に示したワッシャーブレード４２ａが
搭載された切削装置５０を用いて被加工物を切削する場
合について説明する。
レード、ハブブレードは、例えば図９に示す切削装置５
０に搭載されて被加工物の切削に供される。以下におい
ては、図８（Ａ）に示したワッシャーブレード４２ａが
搭載された切削装置５０を用いて被加工物を切削する場
合について説明する。
【００３２】切削装置５０を用いて被加工物を切削する
ときは、テープＴを介してフレームＦに保持された被加
工物５１をチャックテーブル５２に吸引保持する。そし
て、チャックテーブル５２がＸ軸方向に移動してアライ
メント手段５３の直下に位置付けられ、パターンマッチ
ング等の処理によって切削領域が検出され、切削手段５
４を構成するワッシャーブレード４２ａと切削領域との
Ｙ軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせ
がなされると、更にチャックテーブル５２がＸ軸方向に
移動し、高速回転するワッシャーブレード４２ａの作用
を受けて切削が行われる。
ときは、テープＴを介してフレームＦに保持された被加
工物５１をチャックテーブル５２に吸引保持する。そし
て、チャックテーブル５２がＸ軸方向に移動してアライ
メント手段５３の直下に位置付けられ、パターンマッチ
ング等の処理によって切削領域が検出され、切削手段５
４を構成するワッシャーブレード４２ａと切削領域との
Ｙ軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせ
がなされると、更にチャックテーブル５２がＸ軸方向に
移動し、高速回転するワッシャーブレード４２ａの作用
を受けて切削が行われる。
【００３３】切削手段５４は、図１０に示すように、ス
ピンドルハウジング５６によって回転可能に支持された
スピンドル５７に電着ブレードが装着された構成のスピ
ンドルユニット５８と、スピンドルハウジング５６の先
端に装着されたブレードカバー５９と、ブレードカバー
５９の上部にネジ止めにより取り付けられてブレードの
破損状態を監視するブレード監視手段６０と、ブレード
カバー５９の側部にネジ止めにより取り付けられ切削時
に切削水を供給する切削水供給部６１とから構成されて
いる。
ピンドルハウジング５６によって回転可能に支持された
スピンドル５７に電着ブレードが装着された構成のスピ
ンドルユニット５８と、スピンドルハウジング５６の先
端に装着されたブレードカバー５９と、ブレードカバー
５９の上部にネジ止めにより取り付けられてブレードの
破損状態を監視するブレード監視手段６０と、ブレード
カバー５９の側部にネジ止めにより取り付けられ切削時
に切削水を供給する切削水供給部６１とから構成されて
いる。
【００３４】スピンドルユニット５８は、図１１に示す
ように、スピンドルハウジング５６に回転可能に支持さ
れたスピンドル５７の先端にマウントフランジ６２が固
定ナット６３によって固定される。そして、マウントフ
ランジ６２には、ワッシャーブレード４２ａが装着さ
れ、フランジ６５と支持ナット６６によって固定され
る。また、図示したように、ワッシャーブレード４２ａ
に代えて、例えばハブブレード４２ｅが装着される場合
には、支持ナット６６によってハブブレード４２ｅがマ
ウントフランジ６２に固定される。
ように、スピンドルハウジング５６に回転可能に支持さ
れたスピンドル５７の先端にマウントフランジ６２が固
定ナット６３によって固定される。そして、マウントフ
ランジ６２には、ワッシャーブレード４２ａが装着さ
れ、フランジ６５と支持ナット６６によって固定され
る。また、図示したように、ワッシャーブレード４２ａ
に代えて、例えばハブブレード４２ｅが装着される場合
には、支持ナット６６によってハブブレード４２ｅがマ
ウントフランジ６２に固定される。
【００３５】このようにしてハブブレード４２ａまたは
ワッシャーブレード４２ｅが装着されたスピンドルユニ
ット５８を用いて被加工物５１の切削が行われると、Ｄ
ＬＣコーティング層の表面は摩擦係数が小さくすべすべ
して滑りやすいため、側面抵抗が少なく、切削を円滑に
遂行できる。更に、図８（Ｂ）、（Ｃ）に示したワッシ
ャーブレード４２ｂ、４２ｃや図８（Ｄ）に示したハブ
ブレード４２ｄ等を用いた場合にも上記と同様の効果を
得ることができる。
ワッシャーブレード４２ｅが装着されたスピンドルユニ
ット５８を用いて被加工物５１の切削が行われると、Ｄ
ＬＣコーティング層の表面は摩擦係数が小さくすべすべ
して滑りやすいため、側面抵抗が少なく、切削を円滑に
遂行できる。更に、図８（Ｂ）、（Ｃ）に示したワッシ
ャーブレード４２ｂ、４２ｃや図８（Ｄ）に示したハブ
ブレード４２ｄ等を用いた場合にも上記と同様の効果を
得ることができる。
【００３６】また、被加工物５１がＰＺＴセラミック
ス、生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム
砒素等の難切削材である場合には、ブレードの側面に目
詰まりが生じなくなるため側面抵抗が少なく、細かな切
削屑をスムーズに排出することができる。
ス、生セラミックス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム
砒素等の難切削材である場合には、ブレードの側面に目
詰まりが生じなくなるため側面抵抗が少なく、細かな切
削屑をスムーズに排出することができる。
【００３７】このように、従来からある電着ブレードの
表面にダイヤモンド状カーボンのコーティングを施すだ
けで、容易に電着ブレードの用途を広げることができ
る。
表面にダイヤモンド状カーボンのコーティングを施すだ
けで、容易に電着ブレードの用途を広げることができ
る。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電着
ブレード、及び、本発明に係る電着ブレード製造方法に
より製造された電着ブレードにおいては、母体金属の表
面の所定領域に摩擦係数が小さいダイヤモンド状カーボ
ンがコーティングされており、ＰＺＴ、生セラミック
ス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難切削材
を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生じない
ため、切削が円滑に遂行される。
ブレード、及び、本発明に係る電着ブレード製造方法に
より製造された電着ブレードにおいては、母体金属の表
面の所定領域に摩擦係数が小さいダイヤモンド状カーボ
ンがコーティングされており、ＰＺＴ、生セラミック
ス、ゴム、樹脂、シリコン、ガリウム砒素等の難切削材
を切削しても電着ブレードの側面に目詰まりが生じない
ため、切削が円滑に遂行される。
【００３９】また、摩擦係数が小さいため切削時に被加
工物の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じ
にくいため、被加工物の品質が向上する。
工物の切削面に与える衝撃が少なく、チッピングが生じ
にくいため、被加工物の品質が向上する。
【図１】電着ブレードの製造に用いる電着ブレード製造
装置の構成を示す説明図である。
装置の構成を示す説明図である。
【図２】同電着ブレード製造装置に浸漬される、ワッシ
ャーブレード製造用の電着基盤を示す斜視図である。
ャーブレード製造用の電着基盤を示す斜視図である。
【図３】同電着ブレード製造装置に浸漬される、ハブブ
レード製造用の電着基盤の電着面にマスキングを施した
状態を示す斜視図である。
レード製造用の電着基盤の電着面にマスキングを施した
状態を示す斜視図である。
【図４】同電着ブレード製造装置に浸漬される、ハブブ
レード製造用の電着基盤の裏面にマスキングを施した状
態を示す斜視図である。
レード製造用の電着基盤の裏面にマスキングを施した状
態を示す斜視図である。
【図５】ハブブレードにマスキングを施した状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】本発明に係る電着ブレードの製造方法に使用す
るＤＬＣコーティング装置の構成を示す説明図である。
るＤＬＣコーティング装置の構成を示す説明図である。
【図７】本発明に係る電着ブレードの一部を拡大して示
す正面図である。
す正面図である。
【図８】本発明に係る電着ブレードであり、（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はワッシャーブレードの設計変更例を示
す斜視図、（Ｄ）、（Ｅ）はハブブレードの設計変更例
を示す斜視図である。
（Ｂ）、（Ｃ）はワッシャーブレードの設計変更例を示
す斜視図、（Ｄ）、（Ｅ）はハブブレードの設計変更例
を示す斜視図である。
【図９】同電着ブレードが搭載される切削装置の一例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１０】同切削装置を構成する切削手段の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１１】同切削手段を構成するスピンドルユニットの
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図１２】電着ブレードを用いてチャックテーブルに保
持された被加工物を切削する様子を示す説明図である。
持された被加工物を切削する様子を示す説明図である。
【図１３】従来の電着ブレードであり、（Ａ）はワッシ
ャーブレードを示す斜視図、（Ｂ）はハブブレードを示
す斜視図である。
ャーブレードを示す斜視図、（Ｂ）はハブブレードを示
す斜視図である。
【図１４】従来の電着ブレードの一部を拡大して示す正
面図である。
面図である。
【符号の説明】 １０……電着ブレード製造装置 １１……電着槽 １２
……電解液 １３……ダイヤモンド砥粒 １４、１４ａ、１４ｂ……
電着基盤 １５……電解金属 １６……通電手段 １７……内周面
１８……外周面 １９、２０……電着面 ２１……外周部 ２２……マス
キング ２３……ハブ ２４……裏面 ２５……外周部 ２６……マスキング部
材 ２７……ワッシャーブレード ３０……ＤＬＣコーティング装置 ３１……真空槽 ３
２……回転軸 ３３……導電性治具 ３４、３５……電極 ３６……加
熱用ヒータ ３７……補助電極 ３８……電源部 ３９……ガス導入
口 ３９ａ……接続管 ４０……母体金属 ４１……コーティング層 ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ……ワッシャーブレード ４２ｄ、４２ｅ……ハブブレード ４３〜４６……コー
ティング層 ５０……切削装置 ５１……被加工物 ５２……チャッ
クテーブル ５３……アライメント手段 ５４……切削手段 ５６…
…スピンドルハウジング ５７……スピンドル ５８……スピンドルユニット ５
９……ブレードカバー ６０……ブレード監視手段 ６１……切削水供給部 ６
２……マウントフランジ ６３……固定ナット ６５……フランジ ６６……支持
ナット
……電解液 １３……ダイヤモンド砥粒 １４、１４ａ、１４ｂ……
電着基盤 １５……電解金属 １６……通電手段 １７……内周面
１８……外周面 １９、２０……電着面 ２１……外周部 ２２……マス
キング ２３……ハブ ２４……裏面 ２５……外周部 ２６……マスキング部
材 ２７……ワッシャーブレード ３０……ＤＬＣコーティング装置 ３１……真空槽 ３
２……回転軸 ３３……導電性治具 ３４、３５……電極 ３６……加
熱用ヒータ ３７……補助電極 ３８……電源部 ３９……ガス導入
口 ３９ａ……接続管 ４０……母体金属 ４１……コーティング層 ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ……ワッシャーブレード ４２ｄ、４２ｅ……ハブブレード ４３〜４６……コー
ティング層 ５０……切削装置 ５１……被加工物 ５２……チャッ
クテーブル ５３……アライメント手段 ５４……切削手段 ５６…
…スピンドルハウジング ５７……スピンドル ５８……スピンドルユニット ５
９……ブレードカバー ６０……ブレード監視手段 ６１……切削水供給部 ６
２……マウントフランジ ６３……固定ナット ６５……フランジ ６６……支持
ナット
Claims (6)
- 【請求項１】 砥粒を母体金属で電着して形成した電着
ブレードであって、 該母体金属の表面の所定領域にダイヤモンド状カーボン
をコーティングした電着ブレード。 - 【請求項２】 ダイヤモンド状カーボンのコーティング
層は、母体金属から突出した砥粒の高さより薄く形成し
た請求項１に記載の電着ブレード。 - 【請求項３】 砥粒はダイヤモンド砥粒であり、母体金
属はニッケルである請求項１または２に記載の電着ブレ
ード。 - 【請求項４】 電着ブレードは、ワッシャータイプであ
るか、またはハブタイプである請求項１、２または３に
記載の電着ブレード。 - 【請求項５】 電着ブレードの所定領域にダイヤモンド
状カーボンをコーティングする電着ブレード製造方法で
あって、 ダイヤモンド状カーボンがコーティングされる所定領域
以外の領域にマスキング部材をマスキングするマスキン
グ工程と、 該マスキングされた電着ブレードにベンゼンガス雰囲気
の下でダイヤモンド状カーボンをコーティングするコー
ティング工程と、 コーティングされた電着ブレードから該マスキング部材
を剥離する剥離工程とから構成される電着ブレード製造
方法。 - 【請求項６】マスキング工程において使用するマスキン
グ部材は、ポリイミド樹脂である請求項５に記載の電着
ブレード製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10325097A JP2000144477A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電着ブレード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10325097A JP2000144477A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電着ブレード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144477A true JP2000144477A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18173113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10325097A Withdrawn JP2000144477A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 電着ブレード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000144477A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100948249B1 (ko) | 2007-07-06 | 2010-03-18 | (주)인성다이아몬드 | 다이아몬드 입자 전착용 핸들러 |
| JP2012192487A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
| JP2012223868A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
| CN105908235A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-31 | 上海应用技术学院 | 一种低电压电解有机物在铜基体表面生长dlc膜的方法 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10325097A patent/JP2000144477A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100948249B1 (ko) | 2007-07-06 | 2010-03-18 | (주)인성다이아몬드 | 다이아몬드 입자 전착용 핸들러 |
| JP2012192487A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
| JP2012223868A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | 切断ブレード |
| CN105908235A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-31 | 上海应用技术学院 | 一种低电压电解有机物在铜基体表面生长dlc膜的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051027 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060705 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070314 |