JP2000128985A - ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 - Google Patents
ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂Info
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- JP2000128985A JP2000128985A JP10306728A JP30672898A JP2000128985A JP 2000128985 A JP2000128985 A JP 2000128985A JP 10306728 A JP10306728 A JP 10306728A JP 30672898 A JP30672898 A JP 30672898A JP 2000128985 A JP2000128985 A JP 2000128985A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体用途に優れた熱特性、電気特性、物理特
性、機械特性に優れた耐熱性樹脂を提供する。 【解決手段】一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を有
するポリベンゾオキサゾール前駆体及び一般式（Ｄ）で
表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール
樹脂。 【化１】 【化４】 （式（Ａ）、（Ｄ）中、ｎは２〜１０００までの整数を
示し、Ｘは一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示す。
ＲＸ1、ＲＸ2は、ＨまたはＣmＦ2m+1であり互いに同じ
であっても異なってもよく、少なくとも一方はＣmＦ
2m+1である。ｍは１〜１０までの整数を示す。） 【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。） 【化３】
性、機械特性に優れた耐熱性樹脂を提供する。 【解決手段】一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を有
するポリベンゾオキサゾール前駆体及び一般式（Ｄ）で
表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール
樹脂。 【化１】 【化４】 （式（Ａ）、（Ｄ）中、ｎは２〜１０００までの整数を
示し、Ｘは一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示す。
ＲＸ1、ＲＸ2は、ＨまたはＣmＦ2m+1であり互いに同じ
であっても異なってもよく、少なくとも一方はＣmＦ
2m+1である。ｍは１〜１０までの整数を示す。） 【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。） 【化３】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱特性、電気特
性、機械特性、物理特性に優れたポリベンゾオキサゾー
ル樹脂に関するものであり、半導体用の層間絶縁膜、保
護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカ
バーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として
適用できる。
性、機械特性、物理特性に優れたポリベンゾオキサゾー
ル樹脂に関するものであり、半導体用の層間絶縁膜、保
護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカ
バーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として
適用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体用の層間絶縁膜としては、
化学気相法等で作製した二酸化シリコーン等の無機の絶
縁膜が使用されている。しかしながら、二酸化シリコー
ン等の無機絶縁膜は誘電率が高く、高速化、高性能化の
ため絶縁膜として有機材料の適用が検討されつつある。
半導体用途の有機材料としては、耐熱性、電気特性、機
械的特性などに優れたポリイミド樹脂が用いられている
が、近年、半導体デバイスの高速化、低消費電力化にと
もない細線化が要求されている。ところが、デバイスの
細線化により逆に配線遅延となり初期の目的である高速
化、低消費電力化に大きな障害となっている。この問題
を解決するために従来のＡｌ配線から配線抵抗の小さい
Ｃｕ配線や配線容量を下げられる低誘電率層間絶縁膜が
要求されている。
化学気相法等で作製した二酸化シリコーン等の無機の絶
縁膜が使用されている。しかしながら、二酸化シリコー
ン等の無機絶縁膜は誘電率が高く、高速化、高性能化の
ため絶縁膜として有機材料の適用が検討されつつある。
半導体用途の有機材料としては、耐熱性、電気特性、機
械的特性などに優れたポリイミド樹脂が用いられている
が、近年、半導体デバイスの高速化、低消費電力化にと
もない細線化が要求されている。ところが、デバイスの
細線化により逆に配線遅延となり初期の目的である高速
化、低消費電力化に大きな障害となっている。この問題
を解決するために従来のＡｌ配線から配線抵抗の小さい
Ｃｕ配線や配線容量を下げられる低誘電率層間絶縁膜が
要求されている。
【０００３】このような事から、ポリイミド樹脂に比べ
て、吸水性、電気特性に関して優れた性能を示すポリベ
ンゾオキサゾール樹脂を半導体用途の絶縁材料に適用す
ることが試みられている。ポリベンゾオキサゾール樹脂
は、熱特性、電気特性、機械特性、物理特性のいずれか
の特性のみを満足することは、容易であり、例えば、
２，２’ービス（３ーアミノー４ーヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンとテレフタル酸からなるポ
リベンゾオキサゾール樹脂は、非常に優れた耐熱分解
性、高Ｔｇ等の耐熱性を有するが、誘電率２．５以下の
特性を満足する優れた樹脂は得られていないのが現状で
ある。
て、吸水性、電気特性に関して優れた性能を示すポリベ
ンゾオキサゾール樹脂を半導体用途の絶縁材料に適用す
ることが試みられている。ポリベンゾオキサゾール樹脂
は、熱特性、電気特性、機械特性、物理特性のいずれか
の特性のみを満足することは、容易であり、例えば、
２，２’ービス（３ーアミノー４ーヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンとテレフタル酸からなるポ
リベンゾオキサゾール樹脂は、非常に優れた耐熱分解
性、高Ｔｇ等の耐熱性を有するが、誘電率２．５以下の
特性を満足する優れた樹脂は得られていないのが現状で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は半導体用途に
熱特性、電気特性、物理特性及び機械特性に優れた耐熱
性樹脂を提供する事を目的とする。
熱特性、電気特性、物理特性及び機械特性に優れた耐熱
性樹脂を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（Ａ）
で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体、
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（Ａ）
で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体、
【化１】
【０００６】及び一般式（Ｄ）で表されるポリベンゾオ
キサゾール樹脂を見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
キサゾール樹脂を見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
【化４】 （式（Ａ），（Ｄ）中、ｎは２〜１０００までの整数を
示し、Ｘは一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示
す。）
示し、Ｘは一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示
す。）
【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。）
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。）
【化３】
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のポリベンゾオキサゾール
前駆体の製造方法は、前記一般式（Ｃ）のいずれかの構
造を有するビスアミノフェノール化合物、代表的には
２，２’-ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２’-ビス（３-アミノ-４-
ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン等と、２，２’−ビス（４−トリフル
オロメチル−５−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−トリフルオ
ロメチル−４−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、２，２’−ビス（３−トリフルオロ
メチル−５−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン等とで、従来の酸クロリド法、ポリリン
酸やジシクロヘキシルジカルボジイミド等の脱水縮合剤
の存在下での縮合反応等の方法により得ることができ
る。例えば酸クロリド法では、まず、２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシカルボニル
フェニル）ヘキサフルオロプロパンをジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）存在下、過剰量の塩化チオニルを添加し
室温から７５℃で反応することで２，２’-ビス（４−
トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェニル）
ヘキサフルオロプロパンが得られる。次にビスアミノフ
ェノール化合物を、通常Ｎ−メチルー２ーピロリドン等
の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、
２，２’-ビス（４−トリフルオロメチル−５−クロロ
カルボニルフェニル）ヘキサフルオロプロパンと室温か
らー３０℃で反応することが出来る。
前駆体の製造方法は、前記一般式（Ｃ）のいずれかの構
造を有するビスアミノフェノール化合物、代表的には
２，２’-ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２’-ビス（３-アミノ-４-
ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン等と、２，２’−ビス（４−トリフル
オロメチル−５−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−トリフルオ
ロメチル−４−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、２，２’−ビス（３−トリフルオロ
メチル−５−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン等とで、従来の酸クロリド法、ポリリン
酸やジシクロヘキシルジカルボジイミド等の脱水縮合剤
の存在下での縮合反応等の方法により得ることができ
る。例えば酸クロリド法では、まず、２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシカルボニル
フェニル）ヘキサフルオロプロパンをジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）存在下、過剰量の塩化チオニルを添加し
室温から７５℃で反応することで２，２’-ビス（４−
トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェニル）
ヘキサフルオロプロパンが得られる。次にビスアミノフ
ェノール化合物を、通常Ｎ−メチルー２ーピロリドン等
の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、
２，２’-ビス（４−トリフルオロメチル−５−クロロ
カルボニルフェニル）ヘキサフルオロプロパンと室温か
らー３０℃で反応することが出来る。
【０００８】本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、
このようにして得られたポリベンゾオキサゾール前駆体
を従来法の通り、加熱または、脱水剤で処理することに
より縮合反応し、得ることができる。これに、必要によ
り各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を
添加し、半導体用層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間
絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダー
レジスト膜、液晶配向膜等として用いることが出来る。
このようにして得られたポリベンゾオキサゾール前駆体
を従来法の通り、加熱または、脱水剤で処理することに
より縮合反応し、得ることができる。これに、必要によ
り各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を
添加し、半導体用層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間
絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダー
レジスト膜、液晶配向膜等として用いることが出来る。
【０００９】また、本発明におけるポリベンゾオキサゾ
ール樹脂は、その前駆体と感光剤としてナフトキノンジ
アジド化合物を用いることで、感光性樹脂組成物として
用いることが可能である。
ール樹脂は、その前駆体と感光剤としてナフトキノンジ
アジド化合物を用いることで、感光性樹脂組成物として
用いることが可能である。
【００１０】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体
は、通常、これを溶剤に溶解し、ワニス状にして使用す
るのが好ましい。溶剤としては、Ｎ−メチルー２ーピロ
リドン、γーブチロラクトン、Ｎ，Ｎージメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチレエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチレエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、
乳酸ブチル、メチルー１，３ーブチレングリコールアセ
テート、１，３ーブチレングリコール−３−モノメチル
エーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチ
ルー３ーメトキシプロピオネート等を１種、または２種
以上混合して用いることが出来る。
は、通常、これを溶剤に溶解し、ワニス状にして使用す
るのが好ましい。溶剤としては、Ｎ−メチルー２ーピロ
リドン、γーブチロラクトン、Ｎ，Ｎージメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチレエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチレエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、
乳酸ブチル、メチルー１，３ーブチレングリコールアセ
テート、１，３ーブチレングリコール−３−モノメチル
エーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチ
ルー３ーメトキシプロピオネート等を１種、または２種
以上混合して用いることが出来る。
【００１１】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体の
使用方法は、まず該樹脂およびその他化合物を上記溶剤
に溶解し、適当な支持体、例えばシリコーンウエハーや
セラミック基盤等に塗布する。塗布方法は、スピンナー
を用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗
布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を行う。このよ
うにして、塗膜を形成した後、加熱処理をして、ポリベ
ンゾオキサゾール樹脂に変換し用いることが好ましい。
使用方法は、まず該樹脂およびその他化合物を上記溶剤
に溶解し、適当な支持体、例えばシリコーンウエハーや
セラミック基盤等に塗布する。塗布方法は、スピンナー
を用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗
布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を行う。このよ
うにして、塗膜を形成した後、加熱処理をして、ポリベ
ンゾオキサゾール樹脂に変換し用いることが好ましい。
【００１２】
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、実施例の内容になんら限定されるものではない。
以下、部は重量部を示す。
るが、実施例の内容になんら限定されるものではない。
以下、部は重量部を示す。
【００１３】「実施例１」２，２’ービス（３ーアミノ
ー４ーヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７
３．２部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したＮ，Ｎージメチル
アセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部
（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、ー１５℃でシ
クロヘキサン１００部に２，２’−ビス（４−トリフル
オロメチル−５−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を溶解し
たものを３０分掛けて滴下した。滴下終了後、室温まで
戻し、室温で５時間攪拌した。その後、反応液を蒸留水
７リットルに滴下し、沈殿物を集め、乾燥することによ
りポリベンゾオキサゾール前駆体（一般式（Ｅ））を得
た。
ー４ーヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７
３．２部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したＮ，Ｎージメチル
アセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部
（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、ー１５℃でシ
クロヘキサン１００部に２，２’−ビス（４−トリフル
オロメチル−５−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を溶解し
たものを３０分掛けて滴下した。滴下終了後、室温まで
戻し、室温で５時間攪拌した。その後、反応液を蒸留水
７リットルに滴下し、沈殿物を集め、乾燥することによ
りポリベンゾオキサゾール前駆体（一般式（Ｅ））を得
た。
【化５】 このポリベンゾオキサゾール前駆体をＮーメチルー２−
ピロリドンに溶解し、０．２μｍのテフロンフィルター
で濾過しワニスを得た。このワニスをガラス板上にドク
ターナイフを用いて塗布した。その後、オーブン中７０
℃１時間乾燥し、はく離して膜厚２０μｍのポリベンゾ
オキサゾール前駆体フィルムを得た。そのフィルムを金
枠で固定し、１５０℃／３０分、２５０℃／３０分、３
５０℃／３０分の順で加熱し、ポリベンゾオキサゾール
樹脂（一般式（Ｆ））を得た。
ピロリドンに溶解し、０．２μｍのテフロンフィルター
で濾過しワニスを得た。このワニスをガラス板上にドク
ターナイフを用いて塗布した。その後、オーブン中７０
℃１時間乾燥し、はく離して膜厚２０μｍのポリベンゾ
オキサゾール前駆体フィルムを得た。そのフィルムを金
枠で固定し、１５０℃／３０分、２５０℃／３０分、３
５０℃／３０分の順で加熱し、ポリベンゾオキサゾール
樹脂（一般式（Ｆ））を得た。
【化６】 この試験フィルムを用いて、各種特性を評価し、その結
果を表１にまとめた。
果を表１にまとめた。
【００１５】「実施例２」実施例１の２，２’ービス
（３ーアミノー４ーヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン７３．２部（０．２ｍｏｌ）の代わりに２，
２’-ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシ−５−トリフルオ
ロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５
部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にポリベ
ンゾオキサゾール樹脂（一般式（Ｇ））を作製し、評価
を行った。
（３ーアミノー４ーヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン７３．２部（０．２ｍｏｌ）の代わりに２，
２’-ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシ−５−トリフルオ
ロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５
部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にポリベ
ンゾオキサゾール樹脂（一般式（Ｇ））を作製し、評価
を行った。
【化７】
【００１６】「実施例３」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに２，２’−ビス（３−トリフルオロメ
チル−４−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施
例１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｈ））を作製し、評価を行った。
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに２，２’−ビス（３−トリフルオロメ
チル−４−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施
例１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｈ））を作製し、評価を行った。
【化８】
【００１７】「実施例４」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに２，２’−ビス（３−トリフルオロメ
チル−５−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施
例１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｉ））を作製し、評価を行った。
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに２，２’−ビス（３−トリフルオロメ
チル−５−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施
例１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｉ））を作製し、評価を行った。
【化９】
【００１８】「比較例１」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりにイソフタル酸クロリド４０．６部
（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にポリベン
ゾオキサゾール樹脂（一般式（Ｊ））を作製し、評価を
行った。
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりにイソフタル酸クロリド４０．６部
（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にポリベン
ゾオキサゾール樹脂（一般式（Ｊ））を作製し、評価を
行った。
【化１０】
【００１９】「比較例２」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに４，４’−ビフェニレンジカルボン酸
クロリド４６．２部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例
１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｋ））を作製し、評価を行った。
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに４，４’−ビフェニレンジカルボン酸
クロリド４６．２部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例
１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｋ））を作製し、評価を行った。
【化１１】
【００２０】実施例と比較例での評価結果を表１に示
す。
す。
【表１】 誘電率：測定周波数１ＭＨｚ 耐熱性：熱重量減少５％温度 ＣＴＥ：２５〜１００℃の範囲の熱膨張率 吸水率：温度８５℃、湿度８５％、２４時間の吸水率
【００２１】
【発明の効果】本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は
優れた熱特性、電気特性、機械特性、物理特性を達成す
ることができ、半導体用の層間絶縁膜、保護膜、多層回
路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、
ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として適用できる。
優れた熱特性、電気特性、機械特性、物理特性を達成す
ることができ、半導体用の層間絶縁膜、保護膜、多層回
路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、
ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として適用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑尾 卓也 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内 Ｆターム(参考） 4J043 PA02 QB23 SA06 SA71 SB01 TA26 TB01 UA121 UA122 UA131 UA141 UB021 UB061 UB121 UB131 UB301 ZB47
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ａ）で表わされる繰り返し単位を
有するポリベンゾオキサゾール前駆体。 【化１】 （式（Ａ）中、ｎは２〜１０００までの整数を示し、Ｘ
は一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示す。ＲＸ1、
ＲＸ2は、ＨまたはＣmＦ2m+1であり互いに同じであって
も異なってもよく、少なくとも一方はＣmＦ2m+1であ
る。ｍは１〜１０までの整数を示す。） 【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。） 【化３】 - 【請求項２】一般式（Ｄ）で表される繰り返し単位を有
するポリベンゾオキサゾール樹脂。 【化４】 （式（Ｄ）中、ｎは２〜１０００までの整数を示し、Ｘ
は一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示す。） 【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。） 【化３】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306728A JP2000128985A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306728A JP2000128985A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000128985A true JP2000128985A (ja) | 2000-05-09 |
Family
ID=17960590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10306728A Pending JP2000128985A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000128985A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531431B2 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-11 | Minebea Co., Ltd. | Pivot assembly bearing |
| SG104255A1 (en) * | 1998-09-29 | 2004-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Polybenzoxazole resin and precursor thereof |
-
1998
- 1998-10-28 JP JP10306728A patent/JP2000128985A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG104255A1 (en) * | 1998-09-29 | 2004-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Polybenzoxazole resin and precursor thereof |
| US6531431B2 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-11 | Minebea Co., Ltd. | Pivot assembly bearing |
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