JP2000128985A - Polybenzoxazole precursor and polybenzoxazole resin - Google Patents
Polybenzoxazole precursor and polybenzoxazole resinInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、熱特性、電気特
性、機械特性、物理特性に優れたポリベンゾオキサゾー
ル樹脂に関するものであり、半導体用の層間絶縁膜、保
護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカ
バーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として
適用できる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polybenzoxazole resin having excellent thermal, electrical, mechanical and physical properties, and relates to an interlayer insulating film for a semiconductor, a protective film, and an interlayer insulating film for a multilayer circuit. It can be applied as a cover coat of a flexible copper-clad board, a solder resist film, a liquid crystal alignment film, or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体用の層間絶縁膜としては、
化学気相法等で作製した二酸化シリコーン等の無機の絶
縁膜が使用されている。しかしながら、二酸化シリコー
ン等の無機絶縁膜は誘電率が高く、高速化、高性能化の
ため絶縁膜として有機材料の適用が検討されつつある。
半導体用途の有機材料としては、耐熱性、電気特性、機
械的特性などに優れたポリイミド樹脂が用いられている
が、近年、半導体デバイスの高速化、低消費電力化にと
もない細線化が要求されている。ところが、デバイスの
細線化により逆に配線遅延となり初期の目的である高速
化、低消費電力化に大きな障害となっている。この問題
を解決するために従来のＡｌ配線から配線抵抗の小さい
Ｃｕ配線や配線容量を下げられる低誘電率層間絶縁膜が
要求されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as an interlayer insulating film for semiconductors,
An inorganic insulating film such as silicone dioxide produced by a chemical vapor method or the like is used. However, an inorganic insulating film such as silicone dioxide has a high dielectric constant, and application of an organic material as an insulating film is being studied for high speed and high performance.
Polyimide resins having excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, etc. are used as organic materials for semiconductors. In recent years, thinning of semiconductor devices has been demanded due to high speed and low power consumption. I have. However, the thinning of the device causes a wiring delay, which is a serious obstacle to the initial goal of high speed and low power consumption. In order to solve this problem, there has been a demand for a Cu wiring having a lower wiring resistance and a low dielectric constant interlayer insulating film capable of lowering the wiring capacitance from the conventional Al wiring.
【０００３】このような事から、ポリイミド樹脂に比べ
て、吸水性、電気特性に関して優れた性能を示すポリベ
ンゾオキサゾール樹脂を半導体用途の絶縁材料に適用す
ることが試みられている。ポリベンゾオキサゾール樹脂
は、熱特性、電気特性、機械特性、物理特性のいずれか
の特性のみを満足することは、容易であり、例えば、
２，２’ービス（３ーアミノー４ーヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンとテレフタル酸からなるポ
リベンゾオキサゾール樹脂は、非常に優れた耐熱分解
性、高Ｔｇ等の耐熱性を有するが、誘電率２．５以下の
特性を満足する優れた樹脂は得られていないのが現状で
ある。[0003] In view of the above, attempts have been made to apply a polybenzoxazole resin, which exhibits better performance in terms of water absorption and electrical properties than a polyimide resin, to an insulating material for semiconductors. Polybenzoxazole resin, it is easy to satisfy only one of the thermal properties, electrical properties, mechanical properties, physical properties, for example,
A polybenzoxazole resin composed of 2,2′-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and terephthalic acid has excellent heat decomposition resistance and heat resistance such as high Tg, but has a dielectric constant of 2.5. At present, no excellent resin satisfying the following characteristics has been obtained.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は半導体用途に
熱特性、電気特性、物理特性及び機械特性に優れた耐熱
性樹脂を提供する事を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a heat-resistant resin having excellent thermal, electrical, physical and mechanical properties for semiconductor applications.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（Ａ）
で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体、Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies in view of the above-mentioned conventional problems, and as a result, have found that the general formula (A)
A polybenzoxazole precursor represented by
【化１】 Embedded image
【０００６】及び一般式（Ｄ）で表されるポリベンゾオ
キサゾール樹脂を見いだし、本発明を完成するに至っ
た。[0006] A polybenzoxazole resin represented by the general formula (D) has been found, and the present invention has been completed.
【化４】 （式（Ａ），（Ｄ）中、ｎは２〜１０００までの整数を
示し、Ｘは一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示
す。）Embedded image (In the formulas (A) and (D), n represents an integer of 2 to 1000, and X represents a structure selected from the general formula (B).)
【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。）Embedded image (In the formula (B), Y represents a structure selected from the general formula (C), and these aromatic hydrogen atoms are methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t- (Including those substituted with a butyl group, a fluorine atom, a trifluoromethyl group, or a pentafluoroethyl group.)
【化３】 Embedded image
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明のポリベンゾオキサゾール
前駆体の製造方法は、前記一般式（Ｃ）のいずれかの構
造を有するビスアミノフェノール化合物、代表的には
２，２’-ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２’-ビス（３-アミノ-４-
ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン等と、２，２’−ビス（４−トリフル
オロメチル−５−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−トリフルオ
ロメチル−４−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、２，２’−ビス（３−トリフルオロ
メチル−５−ヒドロキシカルボニルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン等とで、従来の酸クロリド法、ポリリン
酸やジシクロヘキシルジカルボジイミド等の脱水縮合剤
の存在下での縮合反応等の方法により得ることができ
る。例えば酸クロリド法では、まず、２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシカルボニル
フェニル）ヘキサフルオロプロパンをジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）存在下、過剰量の塩化チオニルを添加し
室温から７５℃で反応することで２，２’-ビス（４−
トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェニル）
ヘキサフルオロプロパンが得られる。次にビスアミノフ
ェノール化合物を、通常Ｎ−メチルー２ーピロリドン等
の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、
２，２’-ビス（４−トリフルオロメチル−５−クロロ
カルボニルフェニル）ヘキサフルオロプロパンと室温か
らー３０℃で反応することが出来る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for producing a polybenzoxazole precursor according to the present invention comprises a bisaminophenol compound having any of the structures represented by the general formula (C), typically 2,2'-bis (3 -Amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-
Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2′-bis (4-trifluoromethyl-5-hydroxycarbonylphenyl) hexafluoropropane, 2,2′-bis (3-trifluoromethyl -4-Hydroxycarbonylphenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-trifluoromethyl-5-hydroxycarbonylphenyl) hexafluoropropane, etc., and the conventional acid chloride method, polyphosphoric acid, dicyclohexyl dicarbodiimide, etc. Can be obtained by a method such as a condensation reaction in the presence of a dehydrating condensing agent. For example, in the acid chloride method, first, 2,2′-bis (4-trifluoromethyl-5-hydroxycarbonylphenyl) hexafluoropropane is added with an excess amount of thionyl chloride in the presence of dimethylformamide (DMF), and the temperature is reduced from room temperature to 75%. 2,2'-bis (4-
Trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl)
Hexafluoropropane is obtained. Next, the bisaminophenol compound is usually dissolved in a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, and in the presence of an acid acceptor such as pyridine,
It can react with 2,2'-bis (4-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane at room temperature to -30 ° C.
【０００８】本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、
このようにして得られたポリベンゾオキサゾール前駆体
を従来法の通り、加熱または、脱水剤で処理することに
より縮合反応し、得ることができる。これに、必要によ
り各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を
添加し、半導体用層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間
絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダー
レジスト膜、液晶配向膜等として用いることが出来る。The polybenzoxazole resin of the present invention comprises
The polybenzoxazole precursor thus obtained can be subjected to a condensation reaction by heating or treating with a dehydrating agent as in a conventional method. If necessary, various additives such as surfactants and coupling agents are added, and interlayer insulating films for semiconductors, protective films, interlayer insulating films for multilayer circuits, cover coats for flexible copper clad boards, solder resist films, It can be used as a liquid crystal alignment film or the like.
【０００９】また、本発明におけるポリベンゾオキサゾ
ール樹脂は、その前駆体と感光剤としてナフトキノンジ
アジド化合物を用いることで、感光性樹脂組成物として
用いることが可能である。The polybenzoxazole resin of the present invention can be used as a photosensitive resin composition by using a naphthoquinonediazide compound as a precursor and a photosensitizer.
【００１０】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体
は、通常、これを溶剤に溶解し、ワニス状にして使用す
るのが好ましい。溶剤としては、Ｎ−メチルー２ーピロ
リドン、γーブチロラクトン、Ｎ，Ｎージメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチレエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチレエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、
乳酸ブチル、メチルー１，３ーブチレングリコールアセ
テート、１，３ーブチレングリコール−３−モノメチル
エーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチ
ルー３ーメトキシプロピオネート等を１種、または２種
以上混合して用いることが出来る。The polybenzoxazole precursor of the present invention is usually preferably used by dissolving it in a solvent to form a varnish. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol. Monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate,
Mix one or more of butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate, etc. Can be used.
【００１１】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体の
使用方法は、まず該樹脂およびその他化合物を上記溶剤
に溶解し、適当な支持体、例えばシリコーンウエハーや
セラミック基盤等に塗布する。塗布方法は、スピンナー
を用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗
布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を行う。このよ
うにして、塗膜を形成した後、加熱処理をして、ポリベ
ンゾオキサゾール樹脂に変換し用いることが好ましい。In the method of using the polybenzoxazole precursor of the present invention, the resin and other compounds are first dissolved in the above-mentioned solvent and applied to a suitable support, for example, a silicon wafer or a ceramic substrate. The coating method includes spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, roll coating, and the like. After forming the coating film in this manner, it is preferable to perform a heat treatment to convert the resin to a polybenzoxazole resin.
【００１２】[0012]
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、実施例の内容になんら限定されるものではない。
以下、部は重量部を示す。EXAMPLES The present invention will be described in detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.
Hereinafter, "part" indicates "part by weight".
【００１３】「実施例１」２，２’ービス（３ーアミノ
ー４ーヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７
３．２部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したＮ，Ｎージメチル
アセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部
（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、ー１５℃でシ
クロヘキサン１００部に２，２’−ビス（４−トリフル
オロメチル−５−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を溶解し
たものを３０分掛けて滴下した。滴下終了後、室温まで
戻し、室温で５時間攪拌した。その後、反応液を蒸留水
７リットルに滴下し、沈殿物を集め、乾燥することによ
りポリベンゾオキサゾール前駆体（一般式（Ｅ））を得
た。"Example 1"2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane 7
Dissolve 3.2 parts (0.2 mol) in 200 parts of dried N, N-dimethylacetamide, add 39.6 parts (0.5 mol) of pyridine, and add 100 parts of cyclohexane at -15 ° C under dry nitrogen. A solution of 113.0 parts (0.2 mol) of 2,2′-bis (4-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane was added dropwise over 30 minutes. After completion of the dropwise addition, the mixture was returned to room temperature and stirred at room temperature for 5 hours. Thereafter, the reaction solution was dropped into 7 liters of distilled water, and the precipitate was collected and dried to obtain a polybenzoxazole precursor (general formula (E)).
【化５】 このポリベンゾオキサゾール前駆体をＮーメチルー２−
ピロリドンに溶解し、０．２μｍのテフロンフィルター
で濾過しワニスを得た。このワニスをガラス板上にドク
ターナイフを用いて塗布した。その後、オーブン中７０
℃１時間乾燥し、はく離して膜厚２０μｍのポリベンゾ
オキサゾール前駆体フィルムを得た。そのフィルムを金
枠で固定し、１５０℃／３０分、２５０℃／３０分、３
５０℃／３０分の順で加熱し、ポリベンゾオキサゾール
樹脂（一般式（Ｆ））を得た。Embedded image This polybenzoxazole precursor was converted to N-methyl-2-
It was dissolved in pyrrolidone and filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a varnish. The varnish was applied on a glass plate using a doctor knife. Then in the oven 70
The resultant was dried at a temperature of 1 ° C. for 1 hour and peeled off to obtain a polybenzoxazole precursor film having a thickness of 20 μm. The film was fixed with a metal frame, 150 ° C./30 minutes, 250 ° C./30 minutes, 3
Heating was performed in the order of 50 ° C./30 minutes to obtain a polybenzoxazole resin (general formula (F)).
【化６】 この試験フィルムを用いて、各種特性を評価し、その結
果を表１にまとめた。Embedded image Various characteristics were evaluated using this test film, and the results are summarized in Table 1.
【００１５】「実施例２」実施例１の２，２’ービス
（３ーアミノー４ーヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン７３．２部（０．２ｍｏｌ）の代わりに２，
２’-ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシ−５−トリフルオ
ロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５
部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にポリベ
ンゾオキサゾール樹脂（一般式（Ｇ））を作製し、評価
を行った。Example 2 Instead of 73.2 parts (0.2 mol) of 2,2′-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane of Example 1,
2'-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane 100.5
Using a part (0.2 mol), a polybenzoxazole resin (general formula (G)) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1.
【化７】 Embedded image
【００１６】「実施例３」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに２，２’−ビス（３−トリフルオロメ
チル−４−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施
例１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｈ））を作製し、評価を行った。Example 3 113.0 parts of 2,2'-bis (4-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane of Example 1 (0.2 m
polybenzoxazole resin in the same manner as in Example 1 except that 113.0 parts (0.2 mol) of 2,2′-bis (3-trifluoromethyl-4-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane was used instead of (General formula (H)) was prepared and evaluated.
【化８】 Embedded image
【００１７】「実施例４」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに２，２’−ビス（３−トリフルオロメ
チル−５−クロロカルボニルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン１１３．０部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施
例１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｉ））を作製し、評価を行った。Example 4 113.0 parts of 2,2'-bis (4-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane of Example 1 (0.2 m
polybenzoxazole resin in the same manner as in Example 1 except that 113.0 parts (0.2 mol) of 2,2′-bis (3-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane was used instead of (General formula (I)) was prepared and evaluated.
【化９】 Embedded image
【００１８】「比較例１」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりにイソフタル酸クロリド４０．６部
（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にポリベン
ゾオキサゾール樹脂（一般式（Ｊ））を作製し、評価を
行った。Comparative Example 1 113.0 parts of 2,2'-bis (4-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane of Example 1 (0.2 m
ol) was replaced with 40.6 parts (0.2 mol) of isophthalic acid chloride to prepare a polybenzoxazole resin (general formula (J)) in the same manner as in Example 1, and evaluated.
【化１０】 Embedded image
【００１９】「比較例２」実施例１の２，２’−ビス
（４−トリフルオロメチル−５−クロロカルボニルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１１３．０部（０．２ｍ
ｏｌ）の代わりに４，４’−ビフェニレンジカルボン酸
クロリド４６．２部（０．２ｍｏｌ）を用いて、実施例
１と同様にポリベンゾオキサゾール樹脂（一般式
（Ｋ））を作製し、評価を行った。Comparative Example 2 113.0 parts of 2,2'-bis (4-trifluoromethyl-5-chlorocarbonylphenyl) hexafluoropropane of Example 1 (0.2 m
ol) was replaced with 46.2 parts (0.2 mol) of 4,4′-biphenylenedicarboxylic acid chloride to prepare a polybenzoxazole resin (general formula (K)) in the same manner as in Example 1, and evaluated. went.
【化１１】 Embedded image
【００２０】実施例と比較例での評価結果を表１に示
す。Table 1 shows the evaluation results of the examples and the comparative examples.
【表１】 誘電率：測定周波数１ＭＨｚ 耐熱性：熱重量減少５％温度 ＣＴＥ：２５〜１００℃の範囲の熱膨張率 吸水率：温度８５℃、湿度８５％、２４時間の吸水率[Table 1] Dielectric constant: measurement frequency 1 MHz Heat resistance: thermal weight loss 5% temperature CTE: coefficient of thermal expansion in the range of 25 to 100 ° C. Water absorption: temperature 85 ° C., humidity 85%, water absorption for 24 hours
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は
優れた熱特性、電気特性、機械特性、物理特性を達成す
ることができ、半導体用の層間絶縁膜、保護膜、多層回
路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、
ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として適用できる。The polybenzoxazole resin of the present invention can achieve excellent thermal, electrical, mechanical, and physical properties, and can be used as an interlayer insulating film for semiconductors, a protective film, an interlayer insulating film for a multilayer circuit, Flexible copper clad board cover coat,
It can be applied as a solder resist film, a liquid crystal alignment film and the like.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑尾 卓也 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内 Ｆターム(参考） 4J043 PA02 QB23 SA06 SA71 SB01 TA26 TB01 UA121 UA122 UA131 UA141 UB021 UB061 UB121 UB131 UB301 ZB47 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Takuya Hatao 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. F-term (reference) 4J043 PA02 QB23 SA06 SA71 SB01 TA26 TB01 UA121 UA122 UA131 UA141 UB021 UB061 UB121 UB131 UB301 ZB47
Claims (2)
有するポリベンゾオキサゾール前駆体。 【化１】 （式（Ａ）中、ｎは２〜１０００までの整数を示し、Ｘ
は一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示す。ＲＸ1、
ＲＸ2は、ＨまたはＣmＦ2m+1であり互いに同じであって
も異なってもよく、少なくとも一方はＣmＦ2m+1であ
る。ｍは１〜１０までの整数を示す。） 【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。） 【化３】 1. A polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the general formula (A). Embedded image (In the formula (A), n represents an integer of 2 to 1000;
Represents a structure selected from the general formula (B). RX 1 ,
RX 2 is H or C m F 2m + 1 and may be the same or different, and at least one is C m F 2m + 1 . m represents an integer of 1 to 10. ) (In the formula (B), Y represents a structure selected from the general formula (C), and these aromatic hydrogen atoms are methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t- (Including those substituted with a butyl group, a fluorine atom, a trifluoromethyl group, or a pentafluoroethyl group.)
するポリベンゾオキサゾール樹脂。 【化４】 （式（Ｄ）中、ｎは２〜１０００までの整数を示し、Ｘ
は一般式（Ｂ）より選ばれてなる構造を示す。） 【化２】 （式（Ｂ）中、Ｙは一般式（Ｃ）より選ばれてなる構造
を示し、これらの芳香族水素原子がメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔ−ブチル基、フッ素原子、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基で置換されたものを含
む。） 【化３】 2. A polybenzoxazole resin having a repeating unit represented by the general formula (D). Embedded image (In the formula (D), n represents an integer of 2 to 1000;
Represents a structure selected from the general formula (B). ) (In the formula (B), Y represents a structure selected from the general formula (C), and these aromatic hydrogen atoms are methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t- (Including those substituted with a butyl group, a fluorine atom, a trifluoromethyl group, or a pentafluoroethyl group.)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306728A JP2000128985A (en) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | Polybenzoxazole precursor and polybenzoxazole resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306728A JP2000128985A (en) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | Polybenzoxazole precursor and polybenzoxazole resin |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000128985A true JP2000128985A (en) | 2000-05-09 |
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ID=17960590
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10306728A Pending JP2000128985A (en) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | Polybenzoxazole precursor and polybenzoxazole resin |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531431B2 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-11 | Minebea Co., Ltd. | Pivot assembly bearing |
| SG104255A1 (en) * | 1998-09-29 | 2004-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Polybenzoxazole resin and precursor thereof |
-
1998
- 1998-10-28 JP JP10306728A patent/JP2000128985A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG104255A1 (en) * | 1998-09-29 | 2004-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Polybenzoxazole resin and precursor thereof |
| US6531431B2 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-11 | Minebea Co., Ltd. | Pivot assembly bearing |
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