JP2000122309A - Resist removing and washing method for semiconductor substrate - Google Patents
Resist removing and washing method for semiconductor substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造工程における配線
形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去し、か
つ、配線材料の腐食を発生させない半導体基板のレジス
ト剥離・洗浄方法に関するものである。[0001] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
The present invention relates to a method of removing and cleaning a resist of a semiconductor substrate which removes a resist residue generated at the time of forming wiring in a manufacturing process of a semiconductor element circuit or the like of a liquid crystal panel with high performance and does not cause corrosion of a wiring material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レジスト剥離剤組成物は、半導体集積回
路、液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられる
フォトレジストを剥離する際に用いられる。半導体素子
回路又は付随する電極部の製造は、以下のように行われ
る。まず、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜をＣＶ
Ｄやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォト
レジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパタ
ーン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマ
スクとして金属膜をエッチングする。その後、不要とな
ったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除去
した後、洗浄液で洗浄する。これらの操作を繰り返すこ
とにより素子の形成が行われる。2. Description of the Related Art A resist stripping composition is used for stripping a photoresist used in the manufacture of semiconductor integrated circuits, semiconductor element circuits for liquid crystal panels, and the like. The manufacture of the semiconductor element circuit or the associated electrode unit is performed as follows. First, a metal film is formed on a substrate such as silicon or glass by CV.
The layers are laminated by a method such as D or sputtering. A photoresist is coated on the upper surface, and the photoresist is patterned by exposure, development and the like. The metal film is etched using the patterned photoresist as a mask. Thereafter, the unnecessary photoresist is stripped and removed using a stripping agent composition, and then washed with a washing liquid. An element is formed by repeating these operations.
【０００３】半導体基板のレジスト剥離・洗浄技術とし
て、例えば、特開平９−２１３７０４号公報には、半導
体ウエハー上に、形成した金属導電膜上にフォトレジス
トを塗布し、フォトリソプロセスによるマスク形成後、
非マスク領域をドライエッチングし、配線構造を形成す
る際、導電膜およびフォトレジストの側壁部に発生する
保護堆積膜を、フッ素系化合物を含有する剥離液で剥離
後、過酸化物を含有する水で洗浄する方法が記載されて
いる。As a technique for removing and cleaning a resist of a semiconductor substrate, for example, JP-A-9-213704 discloses a technique in which a photoresist is applied on a metal conductive film formed on a semiconductor wafer, and a mask is formed by a photolithography process.
When the non-mask region is dry-etched to form a wiring structure, the protective deposition film formed on the sidewalls of the conductive film and the photoresist is stripped with a stripping solution containing a fluorine-based compound, and then the water containing peroxide is removed. The method of washing with is described.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】レジスト剥離剤組成物
は、レジスト残渣除去性に優れており、かつ、基板上に
形成されたアルミニウム、アルミニウム合金等の導電性
金属膜の腐食が良好に防止できることが要求される。し
かし、半導体製造工程におけるＡｌ配線上のレジスト残
渣除去の際に、上記の特開平９−２１３７０４号公報に
記載されているようなフッ素系化合物を含有する剥離液
（剥離剤組成物）でレジストを剥離した後、過酸化物を
含有する水で洗浄しても、必ずしもレジスト残渣の除去
性及びアルミニウム防食性を両立させることができな
い。このうち防食性については問題点が多く、特に酸性
においてはエッチング支配種であるＨＦ2 -が安定に存在
し、防食性の点において望ましくない。また、有機物が
多く含まれるレジスト残渣に対しては、十分な剥離力を
有していない。SUMMARY OF THE INVENTION A resist stripping composition is excellent in resist residue removal properties, and can favorably prevent corrosion of a conductive metal film such as aluminum or an aluminum alloy formed on a substrate. Is required. However, when removing the resist residue on the Al wiring in the semiconductor manufacturing process, the resist is removed with a stripping solution (stripping agent composition) containing a fluorine-based compound as described in JP-A-9-213704. After peeling, even if the substrate is washed with water containing peroxide, it is not always possible to achieve both the removal of the resist residue and the corrosion protection of aluminum. Among them, there are many problems regarding the anticorrosion property. Particularly, in the case of acidity, HF 2 − which is an etching dominant species is stably present, which is not desirable in terms of anticorrosion property. Further, it does not have a sufficient peeling force with respect to a resist residue containing a large amount of organic substances.
【０００５】そこで、本発明者は種々の実験を重ねた結
果、アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物
の少なくともいずれかと水とヒドロキシルアミン（ＮＨ
2 ＯＨ）と必要に応じて極性有機溶媒とを主成分とする
レジスト剥離液で剥離処理した後、必要に応じてアルコ
ールにてリンスを行ない、ついで過酸化水素を含有する
水で洗浄を行なうことにより、レジスト残渣の除去性の
性能を低下させることなく、アルミニウム等防食性を実
現させ得ることを見出した。本発明は、上記の知見に基
づいてなされたもので、本発明の目的は、配線形成時に
生成するレジスト残渣を高性能で除去すると同時に、基
板上のアルミニウム等の腐食を良好に防止することがで
きる半導体基板のレジスト剥離・洗浄方法を提供するこ
とにある。Accordingly, the present inventors have conducted various experiments and found that at least one of an alkylamine and an alkylammonium hydroxide, water and hydroxylamine (NH
After stripping with a resist stripping solution containing 2 OH) and, if necessary, a polar organic solvent as a main component, rinsing with alcohol if necessary, and then washing with water containing hydrogen peroxide As a result, it has been found that corrosion resistance of aluminum or the like can be realized without lowering the performance of removing resist residues. The present invention has been made based on the above-described findings, and an object of the present invention is to remove resist residues generated during wiring formation with high performance, and at the same time, to prevent corrosion of aluminum and the like on a substrate satisfactorily. It is an object of the present invention to provide a method of removing and cleaning a semiconductor substrate resist.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のレジスト剥離・洗浄方法は、半導体基板
上に金属導電膜を形成させる半導体素子回路の製造工程
における配線形成時に生成するレジスト残渣を、アルキ
ルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくと
もいずれかと水とヒドロキシルアミンと必要に応じて極
性有機溶媒とを主成分とするレジスト剥離液（剥離剤組
成物）で剥離処理した後、過酸化水素を含有する水で洗
浄するように構成されている。ヒドロキシルアミン（Ｎ
Ｈ2 ＯＨ）は、残渣除去性能を向上させるために添加さ
れる。In order to achieve the above-mentioned object, a resist stripping / cleaning method according to the present invention is formed at the time of forming a wiring in a manufacturing process of a semiconductor element circuit for forming a metal conductive film on a semiconductor substrate. The resist residue is stripped with a resist stripping solution (stripping agent composition) containing at least one of an alkylamine and an alkylammonium hydroxide, water, hydroxylamine and, if necessary, a polar organic solvent as a main component, and then removing the resist residue. It is configured to be washed with water containing hydrogen oxide. Hydroxylamine (N
H 2 OH) is added to improve the residue removal performance.
【０００７】また、本発明のレジスト剥離・洗浄方法
は、半導体基板上に金属導電膜を形成させる半導体素子
回路の製造工程における配線形成時に生成するレジスト
残渣を、アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸
化物の少なくともいずれかと水とヒドロキシルアミンと
必要に応じて極性有機溶媒とを主成分とするレジスト剥
離液（剥離剤組成物）で剥離処理した後、アルコールに
てリンスを行ない、さらに過酸化水素を含有する水で洗
浄することを特徴としている。Further, in the method of removing and cleaning a resist according to the present invention, a resist residue generated at the time of forming a wiring in a process of manufacturing a semiconductor device circuit for forming a metal conductive film on a semiconductor substrate is formed by removing an alkylamine and an alkylammonium hydroxide. After stripping with a resist stripper (stripping agent composition) containing at least one of water, hydroxylamine and, if necessary, a polar organic solvent as a main component, rinsing with alcohol and further containing hydrogen peroxide It is characterized by washing with water.
【０００８】これらの方法において、過酸化水素はＡｌ
を酸化して酸化膜を形成し腐食を抑えると考えられる。
そして、過酸化水素の含有量は０．０１〜５．０重量
％、望ましくは０．１〜３．０重量％である。過酸化水
素の含有量がこの範囲未満の場合は、十分な防食効果が
認められない。一方、この範囲を超える場合は、Ａｌ表
面の酸化が激しくなるだけで、防食効果の向上は認めら
れない。また、上記の組成に防食剤を添加する場合もあ
る。In these methods, the hydrogen peroxide is Al
Is oxidized to form an oxide film to suppress corrosion.
The content of hydrogen peroxide is 0.01 to 5.0% by weight, preferably 0.1 to 3.0% by weight. When the content of hydrogen peroxide is less than this range, a sufficient anticorrosion effect is not recognized. On the other hand, if it exceeds this range, only the oxidation of the Al surface becomes severe, and no improvement in the anticorrosion effect is observed. In some cases, an anticorrosive is added to the above composition.
【０００９】本発明におけるレジスト剥離液に使用する
アルキルアミンとしては、モノメチルアミン、モノエチ
ルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、２−エチル
ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオキシプロピルア
ミン、２−エトキシプロピルアミン、ジメチルアミン、
ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、３−ジエチルアミノプロピル
アミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミ
ノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ト
リ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−
ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチル
アミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミ
ン、３−メトキシプロピルアミン、アリルアミン、ジア
リルアミン、トリアリルアミン、イソプロピルアミン、
ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミン、イミノ
ビスプロピルアミン、モノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールア
ミン、３−アミノ−１−プロパノール等を用いることが
できる。The alkylamine used in the resist stripping solution of the present invention includes monomethylamine, monoethylamine, propylamine, butylamine, 2-ethylhexylamine, 2-ethylhexyloxypropylamine, 2-ethoxypropylamine, dimethylamine, and the like.
Diethylamine, dipropylamine, dibutylamine,
Trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, 3-diethylaminopropylamine, di-2-ethylhexylamine, dibutylaminopropylamine, tetramethylethylenediamine, tri-n-octylamine, t-butylamine, sec-
Butylamine, methylaminopropylamine, dimethylaminopropylamine, methyliminobispropylamine, 3-methoxypropylamine, allylamine, diallylamine, triallylamine, isopropylamine,
Diisopropylamine, iminopropylamine, iminobispropylamine, monoethanolamine (ME
A), N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N
-Dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, 3-amino-1-propanol and the like can be used.
【００１０】また、アルキルアンモニウム水酸化物とし
ては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドや
コリン等を用いることができる。また、本発明における
レジスト剥離液に必要に応じて使用する極性有機溶媒
は、従来の有機アミン系剥離液に使用される水溶性有機
溶媒が使用できる。前記極性有機溶媒としては、ジメチ
ルスルホキシド等のスルホキシド類、ジメチルスルホ
ン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）
スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシ
メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−
ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジ
ノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン
等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラクトン、δ−バ
レロラクトン等のラクトン類、エチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル
（ブチルジグリコール：ＢＤＧ）、トリエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソ
プロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチル
エーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテ
ル、アリルエチレングリコール、プロピレングリコー
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチルジエチレングリコールジエ
チルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテ
ル、３−メチル−３−メトキシ−ブタノール、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、乳酸イソプロピル、乳酸ブチル等の多
価アルコール類及びその誘導体が挙げられる。これらの
中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラ
クトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル（ブチルジグリコール：ＢＤＧ）、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルがレジスト残渣除
去性及びＡｌ等防食性に優れ好ましい。As the alkylammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, choline or the like can be used. As the polar organic solvent used as necessary in the resist stripping solution in the present invention, a water-soluble organic solvent used in a conventional organic amine-based stripping solution can be used. Examples of the polar organic solvent include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfone, and bis (2-hydroxyethyl).
Sulfones such as sulfone and tetramethylene sulfone,
Amides such as N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylacetamide, N, N-diethylacetamide,
N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-
Lactams such as pyrrolidone, imidazolidinones such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diisopropyl-2-imidazolidinone, γ- Lactones such as butyrolactone and δ-valerolactone, ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol Monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether (butyl diglycol: BDG), triethylene glycol monomethyl ether , Ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, allyl ethylene glycol, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene Glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethyl diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, 3-methyl-3-methoxy-butanol Methyl lactate, ethyl lactate, isopropyl, polyhydric alcohols and derivatives thereof such as butyl lactate. Among them, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, diethylene glycol monobutyl ether ( Butyl diglycol (BDG) and propylene glycol monomethyl ether are preferred because they have excellent resist residue removal properties and anticorrosion properties such as Al.
【００１１】[0011]
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特
徴とするところをより一層明確にする。 実施例１〜５、比較例１〜５ シリコン酸化膜上にＴｉ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／
ＴｉＮの順でスパッタにより膜付けした半導体素子回路
基板を、パターニングされたレジストをマスクとしてＣ
ｌ2 とＢＣｌ3 を用いてドライエッチングし、ついで酸
素プラズマにてアッシングした時に配線側壁又は配線上
部に生成するレジスト残渣を剥離対象物とした。この剥
離対象物を下記の剥離条件で処理した。すなわち、この
剥離対象物を表１に示す組成に調製された剥離液（剥離
剤組成物）中に７０℃で１０分間浸漬した後、イソプロ
パノール中にて２４℃で５分間浸漬し、さらにイソプロ
パノール中に２４℃で５分間浸漬した後、過酸化水素含
有水中に２４℃で１０分間浸漬して洗浄し、ついで、２
４℃の純水で１分間シャワー洗浄し、最後に窒素ガスを
エアーガンで吹き付けて純水を吹き飛ばして乾燥させ
た。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて残渣除去の程度及び
アルミニウム腐食の程度を観察し、比較した。結果を表
１に示す。EXAMPLES Examples and comparative examples are shown below to further clarify the features of the present invention. Examples 1-5, Comparative Examples 1-5 Ti / TiN / Al-Cu / Ti /
A semiconductor element circuit board on which a film is formed by sputtering in the order of TiN is formed using a patterned resist as a mask.
dry etching using l 2 and BCl 3, then peeling the object wiring sidewalls or resist residues to produce the wiring upper when ashing in an oxygen plasma. The object to be peeled was processed under the following peeling conditions. That is, the object to be stripped was immersed in a stripping solution (stripping agent composition) prepared to the composition shown in Table 1 at 70 ° C. for 10 minutes, then immersed in isopropanol at 24 ° C. for 5 minutes, and further immersed in isopropanol. After immersion in hydrogen peroxide-containing water at 24 ° C. for 10 minutes, the substrate was washed with water at 24 ° C. for 5 minutes.
It was shower-washed with pure water at 4 ° C. for 1 minute, and finally nitrogen gas was blown with an air gun to blow off the pure water and dry. The degree of residue removal and the degree of aluminum corrosion were observed with a scanning electron microscope (SEM) and compared. Table 1 shows the results.
【００１２】[0012]
【表１】 [Table 1]
【００１３】表１の残渣除去性の欄において、○印は
「残渣が完全に除去できている」、×印は「残渣が残っ
ている」を示している。また、表１の腐食性の欄におい
て、○印は「腐食が見られない」、×印は「腐食により
表面が荒れているか又は穴があいている」を示してい
る。表１において、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドを
示している。また、カテコール（１，２−ジヒドロキシ
ベンゼン）は防食剤として添加されている。In the column of residue removal in Table 1, a circle indicates that the residue has been completely removed, and a cross indicates that the residue remains. Further, in the corrosive column of Table 1, the mark “O” indicates “no corrosion is observed”, and the mark “X” indicates “the surface is rough or has holes due to corrosion”. In Table 1, DMSO indicates dimethyl sulfoxide. Catechol (1,2-dihydroxybenzene) is added as an anticorrosive.
【００１４】表１から、比較例１〜３におけるようにヒ
ドロキシルアミン及び水を含まず、モノエタノールアミ
ンとＤＭＳＯからなる剥離液組成物を用いて処理する場
合は、過酸化水素含有水で洗浄しても残渣除去性能が悪
く、また、比較例４、５におけるように、ヒドロキシル
アミン及び水を含有し、エタノールアミン又はエタノー
ルアミンとＤＭＳＯを含有する剥離液組成物を用いて処
理する場合でも、過酸化水素含有水で洗浄しなければ腐
食性能が悪いが、実施例１〜５におけるように、モノエ
タノールアミン、ヒドロキシルアミン及び水を含み、必
要に応じてＤＭＳＯを加えた剥離剤組成物を用いて処理
した後、過酸化水素含有水で洗浄した場合は、残渣除去
性及び腐食性の両方を満足させることができたことがわ
かる。As shown in Table 1, when the treatment is carried out using a stripping solution composition containing monoethanolamine and DMSO without containing hydroxylamine and water as in Comparative Examples 1 to 3, it is washed with water containing hydrogen peroxide. However, even in the case of treating with a stripping solution containing hydroxylamine and water and containing ethanolamine or ethanolamine and DMSO as in Comparative Examples 4 and 5, Corrosion performance is poor if not washed with hydrogen oxide-containing water. However, as in Examples 1 to 5, using a release agent composition containing monoethanolamine, hydroxylamine and water and optionally adding DMSO. It can be seen that in the case of washing with hydrogen peroxide-containing water after the treatment, both the residue removal property and the corrosiveness could be satisfied.
【００１５】[0015]
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） レジスト残渣を、アルキルアミン及びアルキル
アンモニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とヒド
ロキシルアミンと必要に応じて極性有機溶媒とを主成分
とするレジスト剥離液で剥離処理した後、過酸化水素を
含有する水で洗浄することにより、半導体素子回路等の
製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を
高性能で除去することができるとともに、半導体基板上
のアルミニウム等の金属薄膜の腐食を良好に防止するこ
とができる。As described above, the present invention has the following effects. (1) Stripping the resist residue with a resist stripper containing at least one of an alkylamine and an alkylammonium hydroxide, water, hydroxylamine and, if necessary, a polar organic solvent, and then removing hydrogen peroxide. By washing with the contained water, resist residues generated during wiring formation in the manufacturing process of semiconductor element circuits and the like can be removed with high performance, and corrosion of a thin metal film such as aluminum on a semiconductor substrate can be prevented well. can do.
フロントページの続き (72)発明者 村瀬 香苗 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ電子 化学株式会社兵庫工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA02 JA04 5F043 AA24 BB16 BB27 BB30 CC16 CC20 DD07 DD12 DD15 GG02 GG10 5F046 MA02 Continued on the front page (72) Inventor Kanae Murase 236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagase Electronics Chemical Co., Ltd.Hyogo Plant F-term (reference) 2H096 AA25 HA02 JA04 5F043 AA24 BB16 BB27 BB30 CC16 CC20 DD07 DD12 DD15 GG02 GG10 5F046 MA02
Claims (5)
半導体素子回路の製造工程における配線形成時に生成す
るレジスト残渣を、アルキルアミン及びアルキルアンモ
ニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とヒドロキシ
ルアミンとを主成分とするレジスト剥離液で剥離処理し
た後、過酸化水素を含有する水で洗浄することを特徴と
する半導体基板のレジスト剥離・洗浄方法。1. A resist residue generated at the time of wiring formation in a process of manufacturing a semiconductor element circuit for forming a metal conductive film on a semiconductor substrate is mainly composed of at least one of alkylamine and alkylammonium hydroxide, water and hydroxylamine. A method for removing and cleaning a resist of a semiconductor substrate, comprising performing a removing treatment with a resist removing liquid as a component, and then washing the substrate with water containing hydrogen peroxide.
半導体素子回路の製造工程における配線形成時に生成す
るレジスト残渣を、アルキルアミン及びアルキルアンモ
ニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とヒドロキシ
ルアミンとを主成分とするレジスト剥離液で剥離処理し
た後、アルコールにてリンスを行ない、さらに過酸化水
素を含有する水で洗浄することを特徴とする半導体基板
のレジスト剥離・洗浄方法。2. A resist residue generated at the time of forming a wiring in a manufacturing process of a semiconductor device circuit for forming a metal conductive film on a semiconductor substrate is mainly composed of at least one of an alkylamine and an alkylammonium hydroxide, water and hydroxylamine. A method for stripping and cleaning a resist on a semiconductor substrate, comprising: performing a stripping treatment with a resist stripping solution as a component, rinsing with alcohol, and further washing with water containing hydrogen peroxide.
半導体素子回路の製造工程における配線形成時に生成す
るレジスト残渣を、アルキルアミン及びアルキルアンモ
ニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とヒドロキシ
ルアミンと極性有機溶媒とを主成分とするレジスト剥離
液で剥離処理した後、過酸化水素を含有する水で洗浄す
ることを特徴とする半導体基板のレジスト剥離・洗浄方
法。3. A resist residue generated at the time of wiring formation in a process of manufacturing a semiconductor element circuit for forming a metal conductive film on a semiconductor substrate is formed by removing at least one of an alkylamine and an alkylammonium hydroxide, water, hydroxylamine and a polar organic compound. A resist stripping / cleaning method for a semiconductor substrate, comprising: performing a stripping treatment with a resist stripping solution containing a solvent as a main component, followed by washing with water containing hydrogen peroxide.
半導体素子回路の製造工程における配線形成時に生成す
るレジスト残渣を、アルキルアミン及びアルキルアンモ
ニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とヒドロキシ
ルアミンと極性有機溶媒とを主成分とするレジスト剥離
液で剥離処理した後、アルコールにてリンスを行ない、
さらに過酸化水素を含有する水で洗浄することを特徴と
する半導体基板のレジスト剥離・洗浄方法。4. A resist residue generated at the time of wiring formation in a process of manufacturing a semiconductor element circuit for forming a metal conductive film on a semiconductor substrate is formed by removing at least one of an alkylamine and an alkylammonium hydroxide, water, hydroxylamine and a polar organic compound. After stripping with a resist stripper containing a solvent as the main component, rinse with alcohol,
A method for removing and cleaning a resist of a semiconductor substrate, further comprising cleaning with water containing hydrogen peroxide.
重量％である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体基
板のレジスト剥離・洗浄方法。5. The content of hydrogen peroxide is 0.01 to 5.0.
The method for stripping and cleaning a resist of a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the amount is% by weight.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038529A1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for releasing resist |
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| JP2008071915A (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | Method for separating resist |
| KR101333779B1 (en) * | 2007-08-20 | 2013-11-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | A color resist remover composition for tft-lcd preparation |
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-
1998
- 1998-10-15 JP JP10293699A patent/JP2000122309A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038529A1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for releasing resist |
| CN100338530C (en) * | 2001-11-02 | 2007-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Method for releasing resist |
| KR100770217B1 (en) | 2006-06-12 | 2007-10-26 | 삼성전자주식회사 | Composition for removing photoresist and method of forming a bump electrode using the composition |
| JP2008071915A (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | Method for separating resist |
| KR101333779B1 (en) * | 2007-08-20 | 2013-11-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | A color resist remover composition for tft-lcd preparation |
| CN110187614A (en) * | 2019-05-13 | 2019-08-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Photoresistive striping process and optical resistance-stripping device |
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