JP2000119024A - 六弗化タングステンの製造方法 - Google Patents
六弗化タングステンの製造方法Info
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- JP2000119024A JP2000119024A JP10291056A JP29105698A JP2000119024A JP 2000119024 A JP2000119024 A JP 2000119024A JP 10291056 A JP10291056 A JP 10291056A JP 29105698 A JP29105698 A JP 29105698A JP 2000119024 A JP2000119024 A JP 2000119024A
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- sulfuric acid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高純度六弗化タングステンを安定して
得る。 【解決手段】 三弗化窒素ガス中の水分の濃度が、１
容量ｐｐｍ以下であり、該三弗化窒素ガスを用い、反応
容器内で金属タングステンと２００〜４００℃で接触さ
せる。
得る。 【解決手段】 三弗化窒素ガス中の水分の濃度が、１
容量ｐｐｍ以下であり、該三弗化窒素ガスを用い、反応
容器内で金属タングステンと２００〜４００℃で接触さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度の六弗化タ
ングステン（ＷＦ６）の製造方法に関する。特に、高純
度六弗化タングステンは、半導体製造用の配線材料とし
て注目されている。
ングステン（ＷＦ６）の製造方法に関する。特に、高純
度六弗化タングステンは、半導体製造用の配線材料とし
て注目されている。
【０００２】
【従来技術】原料として使用する三弗化窒素（ＮＦ３）
ガスは、ＮＨ４Ｆ・χＨＦ（χ＝１〜２）の電解液を用
い、これを電気分解する直接電解法と、ＨＦを電解液と
する電気分解で発生するＦ２ガスにＮＨ３を接触させる
化学法によって得ることができる。しかしこれらの方法
で得られたＮＦ３には不純物を多く含んでいるので、こ
れを除去する必要がある。
ガスは、ＮＨ４Ｆ・χＨＦ（χ＝１〜２）の電解液を用
い、これを電気分解する直接電解法と、ＨＦを電解液と
する電気分解で発生するＦ２ガスにＮＨ３を接触させる
化学法によって得ることができる。しかしこれらの方法
で得られたＮＦ３には不純物を多く含んでいるので、こ
れを除去する必要がある。
【０００３】そこで、直接電解法や化学法によって得ら
れたＮＦ３中に含まれる、ＨＦやＯＦ２、Ｎ２Ｆ２、Ｎ
２Ｆ４、ＣＯ２、Ｎ２Ｏなどの不純物を、アルカリ水溶
液を用いて除去する方法や、Ｎ２Ｏをチオ硫酸ナトリウ
ム水溶液を用いて除去する方法（特公平５−０５３７２
５号公報）等によって除去し、このＮＦ３を用い金属タ
ングステンと反応させた場合もやはり、反応管から捕集
器の間に設けられた金属製のガス配管と反応して内部に
青色の生成物が確認される。また捕集したＷＦ ６中に
も、ガス配管に使用する金属の成分が微量含まれる結果
となる。
れたＮＦ３中に含まれる、ＨＦやＯＦ２、Ｎ２Ｆ２、Ｎ
２Ｆ４、ＣＯ２、Ｎ２Ｏなどの不純物を、アルカリ水溶
液を用いて除去する方法や、Ｎ２Ｏをチオ硫酸ナトリウ
ム水溶液を用いて除去する方法（特公平５−０５３７２
５号公報）等によって除去し、このＮＦ３を用い金属タ
ングステンと反応させた場合もやはり、反応管から捕集
器の間に設けられた金属製のガス配管と反応して内部に
青色の生成物が確認される。また捕集したＷＦ ６中に
も、ガス配管に使用する金属の成分が微量含まれる結果
となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高純
度ＷＦ６を安定的に製造することにある。
度ＷＦ６を安定的に製造することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＷＦ６を
安定的に高純度に精製する方法について鋭意検討を重ね
た結果、洗浄処理された後のＮＦ３ガス中に微量の水分
が含まれていることに着目し、この水分を限界まで除去
することことで、純度の高いＷＦ６が得られることを見
いだし、本発明を完成させるに至った。
安定的に高純度に精製する方法について鋭意検討を重ね
た結果、洗浄処理された後のＮＦ３ガス中に微量の水分
が含まれていることに着目し、この水分を限界まで除去
することことで、純度の高いＷＦ６が得られることを見
いだし、本発明を完成させるに至った。
【０００６】即ち、本発明は三弗化窒素ガス中の水分の
濃度が、１容量ｐｐｍ以下であり、該三弗化窒素ガスを
用い、反応容器内で金属タングステンと２００〜４００
℃で接触させることを特徴とする高純度六弗化タングス
テンの製造方法に関する。
濃度が、１容量ｐｐｍ以下であり、該三弗化窒素ガスを
用い、反応容器内で金属タングステンと２００〜４００
℃で接触させることを特徴とする高純度六弗化タングス
テンの製造方法に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明は、ＮＦ３ガスと金属タングステン（Ｗ）の
主反応で高純度ＷＦ６を得る方法である。使用する金属
材料のうち、白金、ニッケル、モネル等の高価な金属材
料を接ガスする全ての部分に用いれば何ら問題はない
が、設備費用に膨大なコストがかかる。ＮＦ３ガスと金
属タングステン（Ｗ）の反応部分は２００〜４００℃と
比較的高温であることから、反応器には、白金、ニッケ
ル、モネルを使用せざるを得ないが、配管、バルブ、捕
集容器等の接ガス部には安価なステンレス製の金属の使
用が好まれる。
る。本発明は、ＮＦ３ガスと金属タングステン（Ｗ）の
主反応で高純度ＷＦ６を得る方法である。使用する金属
材料のうち、白金、ニッケル、モネル等の高価な金属材
料を接ガスする全ての部分に用いれば何ら問題はない
が、設備費用に膨大なコストがかかる。ＮＦ３ガスと金
属タングステン（Ｗ）の反応部分は２００〜４００℃と
比較的高温であることから、反応器には、白金、ニッケ
ル、モネルを使用せざるを得ないが、配管、バルブ、捕
集容器等の接ガス部には安価なステンレス製の金属の使
用が好まれる。
【０００８】しかし、このステンレスの場合、反応で得
られるＷＦ６中に水分を含むと、ステンレスを侵し、こ
のステンレスの金属成分がＷＦ６にコンタミし、純度低
下の原因となってしまうことが明らかとなった。ＷＦ６
中に水分が混入する原因は、金属タングステンの付着
水、反応管、配管、バルブ内のパージ不足、空気の漏れ
込み等も原因の一つであり、十分な注意が必要である。
が、最も重要なことは、原料であるＮＦ３中の水分量を
１容量ｐｐｍ以下、好ましくは０．１容量ｐｐｍ以下と
することである。ＮＦ３中の水分量が１容量ｐｐｍを越
える場合、前述したようにステンレスの金属成分がＷＦ
６にコンタミし、純度低下の原因となってしまうので好
ましくない。
られるＷＦ６中に水分を含むと、ステンレスを侵し、こ
のステンレスの金属成分がＷＦ６にコンタミし、純度低
下の原因となってしまうことが明らかとなった。ＷＦ６
中に水分が混入する原因は、金属タングステンの付着
水、反応管、配管、バルブ内のパージ不足、空気の漏れ
込み等も原因の一つであり、十分な注意が必要である。
が、最も重要なことは、原料であるＮＦ３中の水分量を
１容量ｐｐｍ以下、好ましくは０．１容量ｐｐｍ以下と
することである。ＮＦ３中の水分量が１容量ｐｐｍを越
える場合、前述したようにステンレスの金属成分がＷＦ
６にコンタミし、純度低下の原因となってしまうので好
ましくない。
【０００９】また、コンタミした金属を除去するため
に、精密蒸留や高性能フィルターを使用し除去すること
も可能であるが、コストアップとなるので好ましい方法
とは言えない。むしろ、精密蒸留塔に使用される材質、
フィルターの材質によっては更に純度低下を招く恐れが
ある。
に、精密蒸留や高性能フィルターを使用し除去すること
も可能であるが、コストアップとなるので好ましい方法
とは言えない。むしろ、精密蒸留塔に使用される材質、
フィルターの材質によっては更に純度低下を招く恐れが
ある。
【００１０】次に、ＮＦ３中の水分の除去方法について
説明する。水分の除去方法には種々の方法があり、大別
すると低温で凝縮させる方法と、乾燥剤を用いた化学的
吸湿または物理的吸着による方法の２種類がある。本発
明は、これらのいずれの方法でも実施可能であるが、特
に除去効果の優れている以下の方法が好適に採用され
る。
説明する。水分の除去方法には種々の方法があり、大別
すると低温で凝縮させる方法と、乾燥剤を用いた化学的
吸湿または物理的吸着による方法の２種類がある。本発
明は、これらのいずれの方法でも実施可能であるが、特
に除去効果の優れている以下の方法が好適に採用され
る。
【００１１】一つは低温で凝縮させる方法であるが、Ｎ
Ｆ３を−７８〜−１３０℃の温度で冷却した凝集器に通
気することによって水分を除去する。冷却温度が−７８
℃を越えると水分濃度を１容量ｐｐｍ以下に低減するこ
とが出来ない。また、−１３０℃未満で凝集器を冷却す
ると、ＮＦ３が液化するので好ましくない。
Ｆ３を−７８〜−１３０℃の温度で冷却した凝集器に通
気することによって水分を除去する。冷却温度が−７８
℃を越えると水分濃度を１容量ｐｐｍ以下に低減するこ
とが出来ない。また、−１３０℃未満で凝集器を冷却す
ると、ＮＦ３が液化するので好ましくない。
【００１２】もう一つの方法は、乾燥剤による方法であ
るが、乾燥剤には優れた吸湿力をもつ五酸化リン、過塩
素酸マグネシウム、濃硫酸、合成ゼオライトが好適に使
用される。中でも、濃硫酸は液体であり循環ポンプを使
用し絶えず高濃度を維持することができるので工業的に
有利な方法である。
るが、乾燥剤には優れた吸湿力をもつ五酸化リン、過塩
素酸マグネシウム、濃硫酸、合成ゼオライトが好適に使
用される。中でも、濃硫酸は液体であり循環ポンプを使
用し絶えず高濃度を維持することができるので工業的に
有利な方法である。
【００１３】本発明において使用する濃硫酸は、硫酸濃
度８０％以上の工薬または試薬が用いられる。また、濃
硫酸中にＨ２ＳやＳＯ３の含まないものが望ましい。濃
硫酸を用いる吸湿操作では、さまざまな形式の装置が使
用されるが、一般的なものでは、バブラー方式、または
スクラバー方式が寛容に用いられ、ＮＦ３と気液接触さ
せて吸湿させる。
度８０％以上の工薬または試薬が用いられる。また、濃
硫酸中にＨ２ＳやＳＯ３の含まないものが望ましい。濃
硫酸を用いる吸湿操作では、さまざまな形式の装置が使
用されるが、一般的なものでは、バブラー方式、または
スクラバー方式が寛容に用いられ、ＮＦ３と気液接触さ
せて吸湿させる。
【００１４】これらの装置の材質は、ステンレス、ハス
テロイなどの金属材料や、ポリプロピレンやテフロンと
いった樹脂材料が使用できる。濃硫酸とＮＦ３を接触さ
せる際の温度は、濃硫酸が凍結しない温度であれば特に
限定はないが、通常室温で行われる。冬場に於いては、
濃硫酸が凍結することがあるので、２０℃程度に保温し
ておくなどの処置が必要がある。また脱水された合成ゼ
オライトを用いる方法も工業的に適しており、更にはこ
れらを併用する方法も可能である。
テロイなどの金属材料や、ポリプロピレンやテフロンと
いった樹脂材料が使用できる。濃硫酸とＮＦ３を接触さ
せる際の温度は、濃硫酸が凍結しない温度であれば特に
限定はないが、通常室温で行われる。冬場に於いては、
濃硫酸が凍結することがあるので、２０℃程度に保温し
ておくなどの処置が必要がある。また脱水された合成ゼ
オライトを用いる方法も工業的に適しており、更にはこ
れらを併用する方法も可能である。
【００１５】上記で述べたように、金属タングステンを
接触させる反応容器に、ニッケル、またはモネル製の容
器を用い、ＮＦ３中の水分を１容量ｐｐｍ以下、好まし
くは０．１容量ｐｐｍ以下とすることで、該ＮＦ３と金
属タングステンを２００〜４００℃で接触させ高純度六
弗化タングステンを製造することが可能となった。
接触させる反応容器に、ニッケル、またはモネル製の容
器を用い、ＮＦ３中の水分を１容量ｐｐｍ以下、好まし
くは０．１容量ｐｐｍ以下とすることで、該ＮＦ３と金
属タングステンを２００〜４００℃で接触させ高純度六
弗化タングステンを製造することが可能となった。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例をもって説
明する。尚、％は重量基準で、ｐｐｍ及びｐｐｂは容量
基準で表す。 実施例１ １Ｌ容量のニッケル製反応容器に金属タングステンを２
００ｇ仕込み、３００℃に加熱した。一方６．５ｐｐｍ
の水分を含むＮＦ３ガスを１００ｃｃ／ｍｉｎで−１２
０℃に冷却された５００ｃｃの脱水用トラップに通気さ
せて水分を０．３ｐｐｍまで減少させた。このガスを上
記反応管に通気し、金属タングステンと反応させてＷＦ
６を生成させた。この生成ガスを、電解研磨されたＳＵ
Ｓ３１６のステンレス配管を導管に用い、テフロン製の
吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１００ｇを吸収
液として用い、これに２時間吸収させた。この吸収液を
加熱乾固させＷＯ３↓を析出させた後、希硝酸にて抽出
した処理液をＩＣＰ−ＭＳにて分析を行った。結果を表
１に示すが、ＳＵＳ３１６のステンレス配管内の腐食は
見られず、また分析結果からも腐食に起因する金属成分
は１０ｐｐｂ以下であった。
明する。尚、％は重量基準で、ｐｐｍ及びｐｐｂは容量
基準で表す。 実施例１ １Ｌ容量のニッケル製反応容器に金属タングステンを２
００ｇ仕込み、３００℃に加熱した。一方６．５ｐｐｍ
の水分を含むＮＦ３ガスを１００ｃｃ／ｍｉｎで−１２
０℃に冷却された５００ｃｃの脱水用トラップに通気さ
せて水分を０．３ｐｐｍまで減少させた。このガスを上
記反応管に通気し、金属タングステンと反応させてＷＦ
６を生成させた。この生成ガスを、電解研磨されたＳＵ
Ｓ３１６のステンレス配管を導管に用い、テフロン製の
吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１００ｇを吸収
液として用い、これに２時間吸収させた。この吸収液を
加熱乾固させＷＯ３↓を析出させた後、希硝酸にて抽出
した処理液をＩＣＰ−ＭＳにて分析を行った。結果を表
１に示すが、ＳＵＳ３１６のステンレス配管内の腐食は
見られず、また分析結果からも腐食に起因する金属成分
は１０ｐｐｂ以下であった。
【００１７】実施例２ ６．５ｐｐｍの水分を含むＮＦ３ガスを１００ｃｃ／ｍ
ｉｎで９８％硫酸５００ｃｃにバブリングさせて水分を
０．７ｐｐｍまで減少させた。このガスを実施例１と同
様に上記反応管に通気し、生成ガスを電解研磨されたＳ
ＵＳ３１６のステンレス配管を導管に用い、テフロン製
の吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１００ｇを吸
収液として用い、これに２時間吸収させた。この吸収液
を実施例１と同様の操作で得られた処理液をＩＣＰ−Ｍ
Ｓにて分析を行った。結果を表１に示すが、ＳＵＳ３１
６のステンレス配管内の腐食は見られず、また分析結果
からも腐食に起因する金属成分は１０ｐｐｂ以下であっ
た。
ｉｎで９８％硫酸５００ｃｃにバブリングさせて水分を
０．７ｐｐｍまで減少させた。このガスを実施例１と同
様に上記反応管に通気し、生成ガスを電解研磨されたＳ
ＵＳ３１６のステンレス配管を導管に用い、テフロン製
の吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１００ｇを吸
収液として用い、これに２時間吸収させた。この吸収液
を実施例１と同様の操作で得られた処理液をＩＣＰ−Ｍ
Ｓにて分析を行った。結果を表１に示すが、ＳＵＳ３１
６のステンレス配管内の腐食は見られず、また分析結果
からも腐食に起因する金属成分は１０ｐｐｂ以下であっ
た。
【００１８】実施例３ ６．５ｐｐｍの水分を含むＮＦ３ガスを１００ｃｃ／ｍ
ｉｎで９８％硫酸５００ｃｃにバブリングさせ、更に脱
水された合成ゼオライト（４Å）１００ｃｃに通気して
水分を０．０８ｐｐｍまで減少させた。このガスを実施
例１と同様に上記反応管に通気し、生成ガスを電解研磨
されたＳＵＳ３１６のステンレス配管を導管に用い、テ
フロン製の吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１０
０ｇを吸収液として用い、これに２時間吸収させた。こ
の吸収液を実施例１と同様の操作で得られた処理液をＩ
ＣＰ−ＭＳにて分析を行った。結果を表１に示すが、Ｓ
ＵＳ３１６のステンレス配管内の腐食は見られず、また
分析結果からも腐食に起因する金属成分は１０ｐｐｂ以
下であった。
ｉｎで９８％硫酸５００ｃｃにバブリングさせ、更に脱
水された合成ゼオライト（４Å）１００ｃｃに通気して
水分を０．０８ｐｐｍまで減少させた。このガスを実施
例１と同様に上記反応管に通気し、生成ガスを電解研磨
されたＳＵＳ３１６のステンレス配管を導管に用い、テ
フロン製の吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１０
０ｇを吸収液として用い、これに２時間吸収させた。こ
の吸収液を実施例１と同様の操作で得られた処理液をＩ
ＣＰ−ＭＳにて分析を行った。結果を表１に示すが、Ｓ
ＵＳ３１６のステンレス配管内の腐食は見られず、また
分析結果からも腐食に起因する金属成分は１０ｐｐｂ以
下であった。
【００１９】比較例１ ６．５ｐｐｍの水分を含むＮＦ３ガスを実施例１と同様
に上記反応管に通気し、生成ガスを電解研磨されたＳＵ
Ｓ３１６のステンレス配管を導管に用い、テフロン製の
吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１００ｇを吸収
液として用い、これに２時間吸収させた。この吸収液を
実施例１と同様の操作で得られた処理液をＩＣＰ−ＭＳ
にて分析を行った。結果を表１に示すが、ＳＵＳ３１６
のステンレス配管内には腐食が見られ、また分析結果か
らも腐食に起因する金属成分濃度が高い値を示してい
る。
に上記反応管に通気し、生成ガスを電解研磨されたＳＵ
Ｓ３１６のステンレス配管を導管に用い、テフロン製の
吸収瓶まで導いた。吸収瓶には、超純水１００ｇを吸収
液として用い、これに２時間吸収させた。この吸収液を
実施例１と同様の操作で得られた処理液をＩＣＰ−ＭＳ
にて分析を行った。結果を表１に示すが、ＳＵＳ３１６
のステンレス配管内には腐食が見られ、また分析結果か
らも腐食に起因する金属成分濃度が高い値を示してい
る。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明は、金属タングステンの製造原料
として用いられるＮＦ３ガス中の水分の管理値を１ｐｐ
ｍ以下とすることで、従来のような生成した金属タング
ステン自身による配管の腐食と、これに伴うガス純度の
低下を防止することで高純度な金属タングステンの製造
が可能となった。
として用いられるＮＦ３ガス中の水分の管理値を１ｐｐ
ｍ以下とすることで、従来のような生成した金属タング
ステン自身による配管の腐食と、これに伴うガス純度の
低下を防止することで高純度な金属タングステンの製造
が可能となった。
Claims (6)
- 【請求項１】 三弗化窒素ガス中の水分の濃度が、１
容量ｐｐｍ以下であり、該三弗化窒素ガスを用い、反応
容器内で金属タングステンと２００〜４００℃で接触さ
せることを特徴とする高純度六弗化タングステンの製造
方法。 - 【請求項２】 三弗化窒素ガス中の水分の濃度が、
０．１容量ｐｐｍ以下である請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 三弗化窒素ガスと、金属タングステン
を接触させる反応容器に、ニッケル、またはモネル製の
容器を用いる請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 三弗化窒素ガスを、−７８〜−１３０
℃の温度で冷却した凝集器に通気する請求項１記載の方
法。 - 【請求項５】 室温に於いて三弗化窒素ガスを、硫酸
濃度８０％以上の濃硫酸と接触する請求項１記載の方
法。 - 【請求項６】 三弗化窒素ガスを、脱水した合成ゼオ
ライトに通気する請求項１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291056A JP2000119024A (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 六弗化タングステンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291056A JP2000119024A (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 六弗化タングステンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000119024A true JP2000119024A (ja) | 2000-04-25 |
Family
ID=17763869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10291056A Pending JP2000119024A (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 六弗化タングステンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000119024A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042815A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Ulvac Japan Ltd | 触媒線化学気相成長装置および触媒線化学気相成長装置における触媒線の再生方法 |
| KR100727272B1 (ko) | 2005-11-15 | 2007-06-13 | 주식회사 소디프신소재 | 고순도 육불화텅스텐의 제조방법 |
| KR101376827B1 (ko) | 2013-01-24 | 2014-03-20 | 최병구 | 육불화텅스텐의 제조방법 |
| CN106587159A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 山东飞源科技有限公司 | 高纯六氟化钨的制备方法 |
| KR20200087848A (ko) | 2017-12-19 | 2020-07-21 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 6불화텅스텐의 제조 방법 |
| KR20210041079A (ko) | 2018-08-17 | 2021-04-14 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 육불화텅스텐의 제조 방법 |
| CN116425202A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-07-14 | 福建德尔科技股份有限公司 | 一种六氟化钨气体的制备方法 |
-
1998
- 1998-10-13 JP JP10291056A patent/JP2000119024A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007042815A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Ulvac Japan Ltd | 触媒線化学気相成長装置および触媒線化学気相成長装置における触媒線の再生方法 |
| KR100727272B1 (ko) | 2005-11-15 | 2007-06-13 | 주식회사 소디프신소재 | 고순도 육불화텅스텐의 제조방법 |
| KR101376827B1 (ko) | 2013-01-24 | 2014-03-20 | 최병구 | 육불화텅스텐의 제조방법 |
| CN106587159A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 山东飞源科技有限公司 | 高纯六氟化钨的制备方法 |
| CN106587159B (zh) * | 2016-12-31 | 2018-09-25 | 山东飞源科技有限公司 | 高纯六氟化钨的制备方法 |
| KR20200087848A (ko) | 2017-12-19 | 2020-07-21 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 6불화텅스텐의 제조 방법 |
| KR20210041079A (ko) | 2018-08-17 | 2021-04-14 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 육불화텅스텐의 제조 방법 |
| CN116425202A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-07-14 | 福建德尔科技股份有限公司 | 一种六氟化钨气体的制备方法 |
| CN116425202B (zh) * | 2023-02-23 | 2023-11-21 | 福建德尔科技股份有限公司 | 一种六氟化钨气体的制备方法 |
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