JP2000114152A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板裏面の不要な処理液を確実に除去するこ
とができる基板処理装置を提供すること、および、温度
調節が必要な部分に確実に温調液を供給して基板の膜厚
調整を行うことができる基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 ウエハＷの裏面側に、ウエハＷ表面への
レジスト液の吐出中または吐出後、ウエハＷ裏面に洗浄
・温調液を吐出する洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動
するノズル移動機構７２を設け、ウエハＷ裏面を洗浄す
る場合またはウエハＷ表面の膜厚を調整する場合に、洗
浄・温調液吐出ノズル７０をウエハＷ裏面に沿って移動
させながら、ウエハＷ裏面に洗浄・温調液を吐出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の基板に対して液体を供給して基板の
処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体としての半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）
にフォトレジストを塗布し、回路パターンに対応してフ
ォトレジストを露光し、これを現像処理するという、い
わゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが
形成される。

【０００３】これらの工程のうちフォトレジスト塗布工
程においては、ウエハをスピンチャック上に保持させて
回転させながら、その上方に設けられたノズルからその
表面中心部にレジスト液を供給し、遠心力によってレジ
スト液を拡散させる。これにより、ウエハの表面全体に
レジスト膜を塗布している。

【０００４】このような塗布工程においては、レジスト
液をウエハの表面に塗布した後、ウエハの裏面に、不要
なレジスト液が付着していることがある。そのため、ウ
エハの裏面側に、洗浄液（溶剤、例えばシンナー）を吐
出する洗浄液吐出ノズルを設け、レジスト液の塗布後、
この洗浄液吐出ノズルからウエハ裏面に洗浄液を吐出さ
せて、ウエハの裏面を洗浄し、不要なレジスト液を除去
している。

【０００５】また、レジスト液を塗布する際、レジスト
液の温度を調整し、ウエハ表面全体にレジスト液を均一
に塗布するようにコントロールしているが、その場合に
も、レジスト膜をウエハの表面全体に必ずしも均一に塗
布できるとは限らないことから、ウエハの裏面側に、所
定温度に調整した温調液（溶剤、例えばシンナー）を吐
出する温調液吐出ノズルを設け、これにより、レジスト
液の塗布中に、温調液をウエハ裏面に吐出し、これによ
り、ウエハの表面に塗布されるレジスト液の温度を調整
して、ウエハ表面の膜厚を調整することが行われてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た塗布工程にあっては、洗浄液吐出ノズルから吐出した
洗浄液によりウエハの裏面を洗浄する際、この洗浄液吐
出ノズルは、ウエハの裏面側で所定位置に固定されてい
るため、ウエハ裏面の限られたエリアにしか洗浄液を吐
出することができず、ウエハ裏面の洗浄エリアが限定さ
れているといったことがある。そのため、例えば、ウエ
ハをチャック機構により真空吸着するウエハ裏面の中央
部には、不要なレジスト液が付着しやすいが、このよう
な箇所は、十分に洗浄できずにレジスト液が残存する虞
れがある。

【０００７】また、ノズルから温調液をウエハ裏面に吐
出してウエハ表面の膜厚を調整する場合にも、ノズルが
ウエハの裏面側で所定位置に固定されているため、温調
液をウエハ裏面に部分的にしか吐出することができず、
ウエハ表面の膜厚調整も部分的にしか行うことができな
い。そのため、温度調節が必要な部分に温調液を供給で
きない場合が生じる。

【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、基板裏面の不要な処理液を確実に除去する
ことができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。また、温度調節が必要な部分に確実に温調液を供給
して基板の膜厚調整を行うことができる基板処理装置を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板に処理液を塗布して、基板に
処理を施す基板処理装置であって、基板の表面に、処理
液を吐出する処理液吐出ノズルと、この基板の表面への
処理液の吐出中または吐出後、基板の裏面に、液体を吐
出する液体吐出ノズルと、基板の裏面側で、この液体吐
出ノズルを移動する移動機構とを具備することを特徴と
する基板処理装置が提供される。

【００１０】本発明によれば、基板の裏面側に、基板表
面への処理液の吐出中または吐出後、基板裏面に液体を
吐出する液体吐出ノズルを移動する移動機構を設けてい
るため、例えば、基板裏面を洗浄する場合または基板表
面の膜厚を調整する場合のいずれの場合にも、液体吐出
ノズルを基板裏面に沿って移動させながら、基板裏面に
液体を吐出させることができる。そのため、基板裏面の
洗浄エリアを限定することなく、また基板の口径にかか
わらず、基板裏面の略全域を洗浄することができ、不要
な処理液を確実に除去することができる。また、基板表
面の膜厚に不均一が生じる場合に、膜厚を均一にするた
めに温度調節が必要な部分の裏面に確実に液体を吐出す
ることができる。

【００１１】この場合に、移動機構によって液体吐出ノ
ズルを基板の略中央から周辺に向けて移動するようにす
ることにより、例えば、基板の口径に対応して、基板裏
面を洗浄することができ、また基板表面の膜厚を調整す
ることができる。

【００１２】また、移動機構によって、基板保持回転手
段により回転される基板の速度に対応して、液体吐出ノ
ズルを移動させるようにすることにより、例えば、基板
の回転速度が低速の場合、液体吐出ノズルを基板の略中
央に位置させ、基板の回転速度が増大するにつれて、液
体吐出ノズルを基板の略中央から周辺に移動させること
ができる。

【００１３】さらに、液体吐出ノズルを、基板の裏面に
付着した処理液を洗浄するように、液体として洗浄液を
基板の裏面に吐出するものとすることにより、レジスト
液塗布処理装置や現像処理装置等において、基板裏面の
洗浄エリアを限定することなく、基板裏面の略全域を洗
浄でき、不要な処理液を確実に除去することができる。

【００１４】さらにまた、液体吐出ノズルを、基板の表
面の膜厚を調整するように、液体として、所定温度に調
整した温調液を基板の裏面に吐出するものとすることに
より、例えばレジスト液塗布処理装置において、基板表
面の膜厚が不均一になっている場合に、膜厚を均一にす
るために温度調節が必要な部分の裏面に確実に温調液を
吐出することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図１ないし図３は、各々本発明の実施
の形態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と
いう）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であっ
て、図１は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示して
いる。

【００１６】この塗布・現像処理システム１は、図１に
示すように、ウエハＷをウエハカセットＣＲで例えば２
５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシ
ステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウ
エハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーシ
ョン１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所
定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に
多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ス
テーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せ
ず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェース部１２とを一体に接続した構成を有している。

【００１７】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方
向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納された
ウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可
能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的
にアクセスするようになっている。

【００１８】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセス可能となっている。

【００１９】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが複数毎に多段に配置されている。

【００２０】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。

【００２１】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しが行われる。

【００２２】また、図１に示すように、この例では、処
理ユニットが多段に配置された５つの処理ユニット群Ｇ
１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能となっており、
第１および第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２は、システ
ム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理
ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して
配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェー
ス部１２に隣接して配置されている。また、第５の処理
ユニット群Ｇ５は背面側に配置可能となっている。

【００２３】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の処理ユニット群Ｇ２でも、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２
段に重ねられている。

【００２４】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ３では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられてい
る。第４の処理ユニット群Ｇ４でも、オーブン型の処理
ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イク
ステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、
イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）およびポストエクスポージャーベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねら
れている。

【００２５】前記インターフェース部１２は、図１に示
すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェース部１２の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設け
られている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ４の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっ
ている。

【００２６】また前記塗布・現像処理システム１では、
図１に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構２２の
背面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５の多
段ユニットが配置できるようになっているが、この第５
の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２
５に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフ
トできるように構成されている。したがって、この第５
の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットを図示の如く設け
た場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドする
ことにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行え
るようになっている。

【００２７】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムに装着されるレジスト液塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）について説明する。図４および図５は、レジスト
液塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面
図および略平面図である。

【００２８】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック５１（基板保持回転手段）が
配置されている。スピンチャック５１は、真空吸着によ
ってウエハＷを保持しながら駆動モータ５２によって回
転され、この駆動モータ５２は、エアシリンダ５４によ
って昇降されるフランジ５３に固定されている。

【００２９】ウエハＷの表面にレジスト液を供給するた
めのレジスト液吐出ノズル５５は、レジスト供給管５６
を介してレジスト供給部（図示略）に接続されている。
このレジスト液吐出ノズル５５は、レジスト液吐出ノズ
ルスキャンアーム５７の先端部にノズル保持体５８を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジスト液吐
出ノズルスキャンアーム５７は、一方向（Ｙ方向）に敷
設されたガイドレール５９上で水平移動可能な垂直支持
部材６０の上端部に取り付けられており、図示しないＹ
方向駆動機構によって垂直支持部材６０と一体にＹ方向
に移動するようになっている。

【００３０】また、レジスト液吐出ノズルスキャンアー
ム５７は、レジスト液吐出ノズル待機部６６でレジスト
液吐出ノズル５５を選択的に取り付けるためにＹ方向と
直角なＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ方向駆
動機構によってＸ方向にも移動するようになっている。

【００３１】さらに、レジスト液吐出ノズルスキャンア
ーム２７の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供
給に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための液
剤例えばシンナーを供給するシンナーノズル６２が取り
付けられている。

【００３２】さらに、ガイドレール５９上には、リンス
ノズルスキャンアーム６３を支持しＹ方向に移動可能な
垂直支持部材６４も設けられている。このリンスノズル
スキャンアーム６３の先端部にはサイドリンス用のリン
スノズル６５が取り付けられている。リンスノズルスキ
ャンアーム６３およびリンスノズル６５は、リンスノズ
ル待機位置（実線の位置）とウエハＷの周辺部の真上に
設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並
進または直線移動するようになっている。なお、参照符
号７０は洗浄・温調液吐出ノズルであり、６１はその移
動機構等を覆うカバーである。これらの詳細は後述す
る。

【００３３】このように構成されたレジスト液塗布装置
ユニット（ＣＯＴ）においては、まず、主ウエハ搬送機
構２２の保持部材４８によってレジスト塗布装置ユニッ
ト（ＣＯＴ）内のカップＣＰの真上までウエハＷが搬送
され、例えばエアシリンダ５４によって上昇してきたス
ピンチャック５１によってウエハＷが真空吸着される。
主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをスピンチャック５１
に真空吸着せしめた後、保持部材４８をレジスト塗布装
置ユニット（ＣＯＴ）内から引き戻し、レジスト塗布装
置ユニット（ＣＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終え
る。

【００３４】次いで、スピンチャック５１はウエハＷが
カップＣＰ内の定位置まで下降し、駆動モータ５２によ
ってスピンチャック５１の回転駆動が開始される。その
後、レジスト液吐出ノズル待機部６１からのノズル保持
体５８の移動が開始される。このノズル保持体５８の移
動はＹ方向に沿って行われる。シンナーノズル３２の吐
出口がスピンチャック５１の中心（ウエハＷの中心）上
に到達したところでシンナーを回転するウエハＷの表面
に供給する。ウエハ表面に供給された溶剤は遠心力によ
ってウエハ中心からその周囲全域にむらなく広がる。

【００３５】続いて、ノズル保持体５８は、レジスト液
吐出ノズル５５の吐出口がスピンチャック５１の中心
（ウエハＷの中心）上に到達するまでＹ方向に移動さ
れ、レジスト液吐出ノズル５５の吐出口からレジスト液
が、回転するウエハＷの表面の中心に滴下されてウエハ
表面へのレジスト液塗布が行われる。

【００３６】次に、図６を参照して、ウエハＷの裏面洗
浄（バックリンス）および膜厚調整について説明する。
図６は、洗浄・温調液吐出ノズルが装着されたレジスト
液塗布処理ユニットの模式図およびブロック図である。

【００３７】図６に示すように、ウエハＷの裏面側に
は、シンナー等の溶剤を洗浄液または温調液として吐出
する洗浄・温調液吐出ノズル７０が設けられている。こ
の洗浄・温調液吐出ノズル７０の下部には、このノズル
を昇降するための昇降機構７１が設けられ、この昇降機
構７１の下側には、洗浄・温調液吐出ノズル７０を水平
方向に移動させるためのノズル移動機構７２が設けられ
ている。これにより、ウエハＷの裏面洗浄および膜厚調
整時には、洗浄・温調液吐出ノズル７０をウエハＷの裏
面側で移動させながら、シンナー等の溶剤をウエハＷの
裏面に吐出することができる。ノズル移動機構７２は可
変取り付け機構７５に取り付けられており、ノズル移動
機構７２自体の垂直方向の位置調整が可能となってい
る。この場合に昇降シリンダー等により自動的に位置合
わせするようにすれば位置合わせを簡単に行うことがで
きる。昇降機構７１および可変取り付け機構７５により
ノズル７０を垂直方向の移動を可能にすることにより、
例えば洗浄液の吐出量を少なくしたいときにノズル７０
を上昇させ、洗浄液の吐出量を多くし、洗浄効果を挙げ
たい時には、ウエハＷを押し上げる力を低下させるた
め、ノズル７０を下降させるといった調整が可能とな
る。なお、洗浄・温調液吐出ノズル７０の下側には、ノ
ズル移動機構７２等の駆動系を覆うカバー６１が設けら
れており、ウエハＷに当たって飛散した液がこれら駆動
系に付着することを防止するようになっている。カバー
６１は、ノズル７０の移動に追従可能なように伸縮可能
に構成されている。

【００３８】また、洗浄・温調液吐出ノズル７０には、
シンナー等の溶剤を洗浄液または温調液として供給する
洗浄・温調液供給機構７３が接続されている。これによ
り、ウエハＷの裏面洗浄時には、シンナー等の溶剤が洗
浄液として洗浄・温調液供給機構７３から洗浄・温調液
吐出ノズル７０に供給され、ウエハＷの裏面に吐出され
るようになっており、また、ウエハＷの表面の膜厚調整
の際には、所定温度に調整されたシンナー等の溶剤が温
調液として洗浄・温調液供給機構７３から洗浄・温調液
吐出ノズル７０に供給され、ウエハＷの裏面に吐出され
るようになっている。

【００３９】さらに、ノズル移動機構７２および洗浄・
温調液供給機構７３は、塗布処理ユニットコントローラ
７４により制御されるようになっている。この塗布処理
ユニットコントローラ７４からノズル移動機構７２に
は、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させる時期、移
動時間、移動経路等の制御信号が送信される。また、洗
浄・温調液吐出ノズル７０は、所定のレシピに従ったシ
ーケンスに基づいて移動されるように構成されていても
よい。

【００４０】例えば、ウエハＷがスピンチャック５１に
より真空吸着されたウエハＷの略中央から周辺に向け
て、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させてもよく、
これにより、ウエハＷの種々の口径に対応して、洗浄・
温調液吐出ノズル７０を移動させることができる。ま
た、スピンチャック５１により回転されるウエハＷの回
転速度に対応して、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動
させてもよく、ウエハＷの回転速度が低速の場合には、
洗浄・温調液吐出ノズル７０をウエハＷの略中央に位置
させ、ウエハＷの回転速度が増大するにつれて、洗浄・
温調液吐出ノズル７０をウエハＷの略中央から周辺に移
動させることができる。

【００４１】また、塗布処理ユニットコントローラ７４
から洗浄・温調液供給機構７３には、例えば、シンナー
等の溶剤を洗浄液または温調液として供給する時期、供
給時間、供給量、温度調整等の制御信号が送信される。
これにより、例えば、ウエハＷの表面の膜厚調整時、洗
浄・温調液供給機構７３は、レジスト膜の膜厚の調整量
に対応した温度に、シンナー等の温調液の温度を調整す
るように、塗布処理ユニット７４から指示され、このよ
うな温度に調整したシンナー等の温調液を洗浄・温調液
吐出ノズル７０に供給するようになっている。

【００４２】さらに洗浄・温調液供給機構７３から洗浄
・温調液吐出ノズル７０に至る配管には電磁バルブ７６
が設けられており、この電磁バルブ７６の開度は塗布処
理ユニットコントローラ７４により制御されるようにな
っている。このように電磁バルブ７６の開度を制御する
ことにより、吐出する液の吐出量を制御することが可能
となっている。

【００４３】このような機構によりウエハＷの裏面を洗
浄する場合、レジスト液の塗布後または塗布中に、ノズ
ル移動機構７２により洗浄・温調液吐出ノズル７０をウ
エハＷの裏面側で移動させながら、洗浄・温調液吐出ノ
ズル７０からシンナー等の溶剤を洗浄液としてウエハＷ
の裏面に吐出させる。

【００４４】この際、移動経路としては、ウエハＷがス
ピンチャック５１により真空吸着されたウエハＷの略中
央から周辺に向けて、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移
動させる。この場合、ウエハＷをスピンチャック５１に
より真空吸着したウエハ裏面の略中央には、不要なレジ
スト液が付着し易いが、このような箇所に付着したレジ
スト液を十分に洗浄することができる。また、ウエハＷ
の口径が種々に変化しても、洗浄・温調液吐出ノズル７
０を上記のように径方向に移動させれば、ウエハＷの種
々の口径に対応して、ウエハＷ裏面の洗浄を行うことが
できる。

【００４５】また、他の移動経路としては、スピンチャ
ック５１により回転されるウエハＷの回転速度に対応し
て、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させ、例えば、
ウエハＷの回転速度の低速時には、洗浄・温調液吐出ノ
ズル７０をウエハＷの略中央に位置させ、ウエハＷの回
転速度が増大するにつれて、洗浄・温調液吐出ノズル７
０をウエハＷの略中央から周辺に移動させる。この場合
には、不要なレジスト液や洗浄液が回転するウエハＷか
ら遠心力により径方向外方に振り切られるのに対応し
て、洗浄・温調吐出ノズル７０を移動させることができ
るため、ウエハＷ裏面の洗浄を効率的に行うことができ
る。

【００４６】洗浄・温調液ノズル７０の移動経路として
は、上記経路の他、目的に応じて種々の経路を採用する
ことができる。

【００４７】また、電磁バルブ７６により、洗浄液吐出
量を制御することにより、より適切な洗浄を行うことが
できる。例えばノズル７０の洗浄液吐出量をウエハＷの
周辺部でウエハＷの中央部よりも少なくなるように制御
することにより、ウエハＷの周辺における洗浄液の飛散
を有効に防止しつつ、裏面中央部を確実に洗浄すること
ができる。裏面中央部は洗浄液はウエハＷ裏面に沿った
方向に飛散し上側には飛散しないので、洗浄液飛散防止
の観点からは吐出量を少なくする必要はない。

【００４８】このように、本実施の形態では、レジスト
液塗布処理ユニット（ＣＯＴ）において、ウエハＷ裏面
の洗浄エリアを限定することなく、ウエハＷ裏面の略全
域を洗浄することができ、不要なレジスト液を確実に除
去することができる。また、このように、ウエハＷの裏
面から不要なレジスト液を除去できるため、後工程の周
辺露光工程において、周辺露光時間を短縮することも可
能となる。

【００４９】ウエハＷ表面の膜厚調整を行う場合には、
レジスト液の塗布中に、洗浄・温調液供給機構７３か
ら、レジスト膜の膜厚の調整量に対応した温度に調整さ
れたシンナー等の温調液を洗浄・温調液吐出ノズル７０
に供給し、ノズル移動機構７２により洗浄・温調液吐出
ノズル７０をウエハＷの裏面側で移動させながら、洗浄
・温調液吐出ノズル７０からシンナー等の溶剤を温調液
としてウエハＷの裏面に吐出させる。

【００５０】この膜厚調整の場合の移動経路も、洗浄の
場合と同様に、ウエハＷの略中央から周辺に向けて洗浄
・温調液吐出ノズル７０を移動させてもよく、また、回
転されるウエハＷの回転速度に対応して、洗浄・温調液
吐出ノズル７０を移動させてもよい。ウエハＷの径方向
に洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させる場合には、
膜厚が特に不均一になりやすいウエハＷの略中央部の膜
厚を調整することができる。

【００５１】特に、膜厚調整の場合には、洗浄・温調液
吐出ノズル７０をウエハＷの裏面側で移動させるように
しているため、ウエハＷ表面でレジスト膜の膜厚に不均
一が生じるような場合でも、膜厚を均一にするために温
度調節が必要な部分の裏面に局部的に、シンナー等の温
調液を吐出することができる。そのため、膜厚に不均一
が生じるような場合に、臨機応変に膜厚調整を行うこと
ができる。このように、本実施の形態では、温調液をウ
エハＷ裏面の略全域に吐出することができ、ウエハＷ表
面の任意の箇所でレジスト膜の膜厚調整を行うことがで
きる。

【００５２】膜厚調整の場合にも、洗浄・温調液ノズル
７０の移動経路としては、上記経路の他、目的に応じて
種々の経路を採用することができる。また、洗浄時に、
温度調整したシンナー等の溶剤をウエハＷの裏面に吐出
することにより、洗浄と膜厚調整とを同時に行ってもよ
い。

【００５３】また、電磁バルブ７６により、温調液吐出
量を制御することにより、ウエハＷの温度調節をより適
切に行うことができる。例えば、ウエハＷの裏面中央部
のほうが周辺部よりも温調液に接する機会が多いため、
ウエハＷの裏面中央部よりも裏面周辺部の温調液吐出量
を多くすることにより、ウエハＷの温度がより均一にな
ることが期待される。

【００５４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施
形態では、本発明をレジスト液塗布処理ユニットに適用
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はない。例えば、洗浄に関しては、現像処理ユニットに
おいて、現像液が塗布された基板の裏面を洗浄液を吐出
して不要な現像液を除去する場合にも適用することがで
きる。さらに、基板として半導体ウエハを用いたが、こ
れに限らず、例えばＬＣＤ用ガラス基板であってもよ
い。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の裏面側に、基板表面への処理液の吐出中または吐
出後、基板裏面に液体を吐出する液体吐出ノズルを移動
する移動機構を設けているため、例えば、基板裏面を洗
浄する場合または基板表面の膜厚を調整する場合のいず
れの場合にも、液体吐出ノズルを基板裏面に沿って移動
させながら、基板裏面に液体を吐出させることができ
る。そのため、基板裏面の洗浄エリアを限定することな
く、また基板の口径にかかわらず、基板裏面の略全域を
洗浄することができ、不要な処理液を確実に除去するこ
とができる。また、基板表面の膜厚に不均一が生じる場
合に、膜厚を均一にするために温度調節が必要な部分の
裏面に確実に液体を吐出することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される半導体ウエハの塗布現像処
理システムの全体構成を示す平面図。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。

【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布装置の全体構成を示す断面図。

【図５】図４に示したレジスト塗布装置の平面図。

【図６】洗浄・温調液吐出ノズルが装着されたレジスト
液塗布処理ユニットの模式図およびブロック図。

【符号の説明】

５１；スピンチャック（基板保持回転手段） ５５；レジスト液吐出ノズル（処理液吐出ノズル） ７０；洗浄・温調液吐出ノズル（液体吐出ノズル） ７２；ノズル移動機構（移動機構） ７３；洗浄・温調液供給機構 ７４；塗布処理ユニットコントローラ ＣＯＴ；レジスト液塗布処理ユニット Ｗ；半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 EA05 3B201 AA03 AB23 AB34 AB47 BB22 BB55 BB82 BB95 CB01 CD42 CD43 5F046 CD01 CD05 JA02 JA09 JA15 JA22 JA24

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を塗布して、基板に処理を
   施す基板処理装置であって、 基板の表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、 この基板の表面への処理液の吐出中または吐出後、基板
   の裏面に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、 基板の裏面側で、この液体吐出ノズルを移動する移動機
   構とを具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記移動機構は、前記液体吐出ノズルを
   基板の略中央から周辺に向けて移動することを特徴とす
   る請求項１に記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 基板を保持しながら回転させる基板保持
   回転手段をさらに具備し、前記移動機構は、この基板保
   持回転手段により回転される基板の速度に対応して、前
   記液体吐出ノズルを移動させることを特徴とする請求項
   １または請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記液体吐出ノズルは、基板の裏面に付
   着した処理液を洗浄するように、液体として洗浄液を基
   板の裏面に吐出することを特徴とする請求項１ないし請
   求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記液体吐出ノズルは、基板の表面の膜
   厚を調整するように、液体として、所定温度に調整した
   温調液を基板の裏面に吐出することを特徴とする請求項
   １ないし請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装
   置。