JP2000111703A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 S偏光成分の光の反射率が低い反射防止膜を
提供する。 【解決手段】 基板側から順に第1、第2、第3、第
4、第5層の薄膜が積層される5層構造の反射防止膜に
おいて、第1、第2、第3、第4、第5層の屈折率及び
膜厚をn1,n2,n3,n4,n5及びd1,d2,
d3,d4,d5とするとともに、設計主波長をλ0と
した時に、n2またはn3は1.56以下であり、n4
≧n2>n1≧n5,n2>n3,0<n1d1≦0.
06λ0または0.20≦n1d1≦1.25λ0,
0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0,0.02λ0
≦n3d3≦0.19λ0,0.09λ0≦n4d4≦
1.30λ0,0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0
の関係にした。
提供する。 【解決手段】 基板側から順に第1、第2、第3、第
4、第5層の薄膜が積層される5層構造の反射防止膜に
おいて、第1、第2、第3、第4、第5層の屈折率及び
膜厚をn1,n2,n3,n4,n5及びd1,d2,
d3,d4,d5とするとともに、設計主波長をλ0と
した時に、n2またはn3は1.56以下であり、n4
≧n2>n1≧n5,n2>n3,0<n1d1≦0.
06λ0または0.20≦n1d1≦1.25λ0,
0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0,0.02λ0
≦n3d3≦0.19λ0,0.09λ0≦n4d4≦
1.30λ0,0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0
の関係にした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学部品の表面に
形成される反射防止膜に関し、特に5層の積層薄膜から
成る反射防止膜に関する。
形成される反射防止膜に関し、特に5層の積層薄膜から
成る反射防止膜に関する。
【0002】
【従来の技術】レンズやプリズム等の光学部品の表面に
真空蒸着法等によって積層薄膜を成膜して反射防止膜を
形成し、表面反射を低下させる方法が知られている。従
来の反射防止膜の構成は例えば特開平5−2101号公
報に開示されており、図1に示すようになっている。基
板側から第1層はMgF2(フッ化マグネシウム、屈折
率n1=1.385,膜厚d1=64nm)、第2層は
ZrTiO4(酸化チタンジルコニウム、屈折率n2=
2.1,膜厚d2=16nm)、第3層はSiO2(二
酸化珪素、屈折率n3=1.47,膜厚d3=54n
m)、第4層はZrTiO4(屈折率n4=2.1,膜
厚d4=139nm)、第5層はMgF2(屈折率n5
=1.385,膜厚d5=99nm)から成っている。
設計主波長λ0は550nmであり、ndは光学膜厚
(単位nm)を示している。この時、低い反射率が得ら
れるようになっている。
真空蒸着法等によって積層薄膜を成膜して反射防止膜を
形成し、表面反射を低下させる方法が知られている。従
来の反射防止膜の構成は例えば特開平5−2101号公
報に開示されており、図1に示すようになっている。基
板側から第1層はMgF2(フッ化マグネシウム、屈折
率n1=1.385,膜厚d1=64nm)、第2層は
ZrTiO4(酸化チタンジルコニウム、屈折率n2=
2.1,膜厚d2=16nm)、第3層はSiO2(二
酸化珪素、屈折率n3=1.47,膜厚d3=54n
m)、第4層はZrTiO4(屈折率n4=2.1,膜
厚d4=139nm)、第5層はMgF2(屈折率n5
=1.385,膜厚d5=99nm)から成っている。
設計主波長λ0は550nmであり、ndは光学膜厚
(単位nm)を示している。この時、低い反射率が得ら
れるようになっている。
【0003】000 また、特開平10−39105号
公報等に開示された反射防止膜では図2に示すような構
成にしている。基板側から第1層はAl2O3(アルミ
ナ、屈折率n1=1.62,膜厚d1=67nm)、第
2層はZrTiO4(屈折率n2=2.1,膜厚d2=
10nm)、第3層はAl2O3(屈折率n3=1.6
2,膜厚d3=17nm)、第4層はZrTiO4(屈
折率n4=2.1,膜厚d4=100nm)、第5層は
MgF2(屈折率n5=1.385,膜厚d5=100
nm)、から成っている。この時、可視波長領域全域に
おいて低い反射率が得られるようになっている。
公報等に開示された反射防止膜では図2に示すような構
成にしている。基板側から第1層はAl2O3(アルミ
ナ、屈折率n1=1.62,膜厚d1=67nm)、第
2層はZrTiO4(屈折率n2=2.1,膜厚d2=
10nm)、第3層はAl2O3(屈折率n3=1.6
2,膜厚d3=17nm)、第4層はZrTiO4(屈
折率n4=2.1,膜厚d4=100nm)、第5層は
MgF2(屈折率n5=1.385,膜厚d5=100
nm)、から成っている。この時、可視波長領域全域に
おいて低い反射率が得られるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般に光学部品に入射
する光の入射角が大きくなると偏光成分の分離が生じ、
S偏光成分の光の方がP偏光成分の光よりも反射率が大
きくなる。このことから、液晶プロジェクターではS偏
光成分の光を主に使用するように構成して投射光量の低
下を防止している。
する光の入射角が大きくなると偏光成分の分離が生じ、
S偏光成分の光の方がP偏光成分の光よりも反射率が大
きくなる。このことから、液晶プロジェクターではS偏
光成分の光を主に使用するように構成して投射光量の低
下を防止している。
【0005】しかしながら、反射防止膜においては反射
率を低くする必要がある。上記従来例の反射防止膜によ
ると、入射角が小さい範囲ではP、S偏光成分とも低い
反射率を示すが、入射角が45゜近辺では上記偏光成分
の分離によってS偏光成分の光の反射率Rsが大きくな
る。図3、図4は夫々図1、図2の構成の反射防止膜の
入射角45゜における反射率特性を示す特性図であり、
縦軸は反射率、横軸は波長を示す。
率を低くする必要がある。上記従来例の反射防止膜によ
ると、入射角が小さい範囲ではP、S偏光成分とも低い
反射率を示すが、入射角が45゜近辺では上記偏光成分
の分離によってS偏光成分の光の反射率Rsが大きくな
る。図3、図4は夫々図1、図2の構成の反射防止膜の
入射角45゜における反射率特性を示す特性図であり、
縦軸は反射率、横軸は波長を示す。
【0006】これらの図によると、設計主波長λ0(5
50nm)の付近でP偏光成分の光の反射率Rpは小さ
いが、S偏光成分の光の反射率Rsが大きくなってい
る。従って、裏面にこれらの反射防止膜が形成されたフ
ィルター等にS偏光成分の光を入射角45゜で入射させ
ると、該フィルター表面で反射する光と該フィルターを
透過して反射防止膜で反射する光とによって2重像が生
じる問題があった。
50nm)の付近でP偏光成分の光の反射率Rpは小さ
いが、S偏光成分の光の反射率Rsが大きくなってい
る。従って、裏面にこれらの反射防止膜が形成されたフ
ィルター等にS偏光成分の光を入射角45゜で入射させ
ると、該フィルター表面で反射する光と該フィルターを
透過して反射防止膜で反射する光とによって2重像が生
じる問題があった。
【0007】本発明は、S偏光成分の光の反射率を小さ
くすることのできる反射防止膜を提供することを目的と
する。
くすることのできる反射防止膜を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載された発明は、基板側から順に第1、
第2、第3、第4、第5層の薄膜が積層される5層構造
の反射防止膜において、第1、第2、第3、第4、第5
層の屈折率及び膜厚をn1,n2,n3,n4,n5及
びd1,d2,d3,d4,d5とするとともに、設計
主波長をλ0とした時に、n2またはn3は1.56以
下であり、 n4≧n2>n1≧n5 n2>n3 0<n1d1≦0.06λ0 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 の関係または n4≧n2>n1≧n5 n2>n3 0.20≦n1d1≦1.25λ0 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 の関係にしたことを特徴としている。
に請求項1に記載された発明は、基板側から順に第1、
第2、第3、第4、第5層の薄膜が積層される5層構造
の反射防止膜において、第1、第2、第3、第4、第5
層の屈折率及び膜厚をn1,n2,n3,n4,n5及
びd1,d2,d3,d4,d5とするとともに、設計
主波長をλ0とした時に、n2またはn3は1.56以
下であり、 n4≧n2>n1≧n5 n2>n3 0<n1d1≦0.06λ0 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 の関係または n4≧n2>n1≧n5 n2>n3 0.20≦n1d1≦1.25λ0 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 の関係にしたことを特徴としている。
【0009】また請求項2に記載された発明は、請求項
1に記載された反射防止膜において、前記基板の屈折率
をnsとした時に、 1.50≦ns≦1.85 1.35≦n1≦1.80 2.00≦n2≦2.60 1.35≦n3≦1.80 2.00≦n4≦2.60 1.38≦n5≦1.48 の関係にしたことを特徴としている。
1に記載された反射防止膜において、前記基板の屈折率
をnsとした時に、 1.50≦ns≦1.85 1.35≦n1≦1.80 2.00≦n2≦2.60 1.35≦n3≦1.80 2.00≦n4≦2.60 1.38≦n5≦1.48 の関係にしたことを特徴としている。
【0010】また請求項3に記載された発明は、請求項
1または請求項2に記載された反射防止膜において、第
1層はMgF2、チオライト、SiO2、Al2O3、Mg
Oの1つまたは複数を主成分とし、第2層はTiO2、
ZnS、ZrTiO4、Ta2O5、の1つまたは複数を
主成分とし、第3層はMgF2、チオライト、SiO2、
Al2O3、MgOの1つまたは複数を主成分とし、第4
層はTiO2、ZnS、ZrTiO4、Ta2O5、の1つ
または複数を主成分とし、第5層はMgF2、チオライ
ト、SiO2の1つまたは複数を主成分とした事を特徴
としている。
1または請求項2に記載された反射防止膜において、第
1層はMgF2、チオライト、SiO2、Al2O3、Mg
Oの1つまたは複数を主成分とし、第2層はTiO2、
ZnS、ZrTiO4、Ta2O5、の1つまたは複数を
主成分とし、第3層はMgF2、チオライト、SiO2、
Al2O3、MgOの1つまたは複数を主成分とし、第4
層はTiO2、ZnS、ZrTiO4、Ta2O5、の1つ
または複数を主成分とし、第5層はMgF2、チオライ
ト、SiO2の1つまたは複数を主成分とした事を特徴
としている。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図を参照して
説明する。図5は第1実施形態の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は550nmである。レンズ
やプリズム等の光学部品から成る基板(屈折率ns=
1.52)の表面に、基板側から第1層はMgF2(屈
折率n1=1.385,膜厚d1=224nm)、第2
層はTiO2(酸化チタン)(屈折率n2=2.45,
膜厚d2=18nm)、第3層はMgF2(屈折率n3
=1.385,膜厚d3=18nm)、第4層はTiO
2(屈折率n4=2.45,膜厚d4=90nm)、第
5層はMgF2(屈折率n5=1.385,膜厚d5=
108nm)の薄膜を形成している。各層の薄膜は真空
蒸着法等により形成することができる。
説明する。図5は第1実施形態の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は550nmである。レンズ
やプリズム等の光学部品から成る基板(屈折率ns=
1.52)の表面に、基板側から第1層はMgF2(屈
折率n1=1.385,膜厚d1=224nm)、第2
層はTiO2(酸化チタン)(屈折率n2=2.45,
膜厚d2=18nm)、第3層はMgF2(屈折率n3
=1.385,膜厚d3=18nm)、第4層はTiO
2(屈折率n4=2.45,膜厚d4=90nm)、第
5層はMgF2(屈折率n5=1.385,膜厚d5=
108nm)の薄膜を形成している。各層の薄膜は真空
蒸着法等により形成することができる。
【0012】この構成による反射防止膜の入射角45゜
における反射率特性を計算機によってシュミレーション
すると図6に示すようになる。同図によると設計主波長
λ0(550nm)の付近でP偏光成分の光の反射率R
pは大きいが、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値に
なっている。
における反射率特性を計算機によってシュミレーション
すると図6に示すようになる。同図によると設計主波長
λ0(550nm)の付近でP偏光成分の光の反射率R
pは大きいが、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値に
なっている。
【0013】入射角の大きい領域において、S偏光成分
の光の反射率RsとP偏光成分の光の反射率Rpとの両
方が小さくなるように反射防止膜を構成する事が望まし
いが困難である。このため本実施形態のように、S偏光
成分の光の反射率RsをP偏光成分の光の反射率Rpよ
り小さくなるように構成することで、S偏光成分の光の
反射率Rsを低くすることができる。従って、この反射
防止膜を形成した光学部品をS偏光成分の光を主として
構成される光学装置に使用すると、2重像による不具合
を低減することができる。
の光の反射率RsとP偏光成分の光の反射率Rpとの両
方が小さくなるように反射防止膜を構成する事が望まし
いが困難である。このため本実施形態のように、S偏光
成分の光の反射率RsをP偏光成分の光の反射率Rpよ
り小さくなるように構成することで、S偏光成分の光の
反射率Rsを低くすることができる。従って、この反射
防止膜を形成した光学部品をS偏光成分の光を主として
構成される光学装置に使用すると、2重像による不具合
を低減することができる。
【0014】図7は第2実施形態の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ0は550nmである。第1
実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第2層の
材料をZrTiO4(屈折率n2=2.1)に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角45゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図8に示すようになる。同図によると第1実施形態と同
様に、設計主波長λ0(550nm)の付近でS偏光成
分の光の反射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpより
小さく、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値になって
いる。
示している。設計主波長λ0は550nmである。第1
実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第2層の
材料をZrTiO4(屈折率n2=2.1)に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角45゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図8に示すようになる。同図によると第1実施形態と同
様に、設計主波長λ0(550nm)の付近でS偏光成
分の光の反射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpより
小さく、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値になって
いる。
【0015】図9は第3実施形態の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ0は550nmである。第2
実施形態に対して膜厚dを変えている。この構成による
反射防止膜の入射角45゜における反射率特性を計算機
によってシュミレーションすると図10に示すようにな
る。同図によると第1実施形態と同様に、設計主波長λ
0(550nm)の付近でS偏光成分の光の反射率Rs
がP偏光成分の光の反射率Rpより小さく、S偏光成分
の光の反射率Rsが低い値になっている。
示している。設計主波長λ0は550nmである。第2
実施形態に対して膜厚dを変えている。この構成による
反射防止膜の入射角45゜における反射率特性を計算機
によってシュミレーションすると図10に示すようにな
る。同図によると第1実施形態と同様に、設計主波長λ
0(550nm)の付近でS偏光成分の光の反射率Rs
がP偏光成分の光の反射率Rpより小さく、S偏光成分
の光の反射率Rsが低い値になっている。
【0016】図11は第4実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第3層
の材料をAl2O3(屈折率n3=1.62)に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角45゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図12に示すようになる。同図によると第1実施形態と
同様に、設計主波長λ0(550nm)の付近でS偏光
成分の光の反射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpよ
り小さく、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値になっ
ている。
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第3層
の材料をAl2O3(屈折率n3=1.62)に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角45゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図12に示すようになる。同図によると第1実施形態と
同様に、設計主波長λ0(550nm)の付近でS偏光
成分の光の反射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpよ
り小さく、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値になっ
ている。
【0017】図13は第5実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
4実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第1層
の材料をSiO2(屈折率n1=1.47)に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角45゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図14に示すようになる。同図によると第1実施形態と
同様に、設計主波長λ0(550nm)の付近でS偏光
成分の光の反射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpよ
り小さく、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値になっ
ている。
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
4実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第1層
の材料をSiO2(屈折率n1=1.47)に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角45゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図14に示すようになる。同図によると第1実施形態と
同様に、設計主波長λ0(550nm)の付近でS偏光
成分の光の反射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpよ
り小さく、S偏光成分の光の反射率Rsが低い値になっ
ている。
【0018】図15は第6実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第1、
第3層の材料をSiO2(屈折率n1,n3=1.4
7)に変更している。この構成による反射防止膜の入射
角45゜における反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図16に示すようになる。同図によると
第1実施形態と同様に、設計主波長λ0(550nm)
の付近でS偏光成分の光の反射率RsがP偏光成分の光
の反射率Rpより小さく、S偏光成分の光の反射率Rs
が低い値になっている。
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第1、
第3層の材料をSiO2(屈折率n1,n3=1.4
7)に変更している。この構成による反射防止膜の入射
角45゜における反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図16に示すようになる。同図によると
第1実施形態と同様に、設計主波長λ0(550nm)
の付近でS偏光成分の光の反射率RsがP偏光成分の光
の反射率Rpより小さく、S偏光成分の光の反射率Rs
が低い値になっている。
【0019】図17は第7実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第1、
第3、第5層の材料をSiO2(屈折率n1,n3,n
5=1.47)に変更している。この構成による反射防
止膜の入射角45゜における反射率特性を計算機によっ
てシュミレーションすると図18に示すようになる。同
図によると第1実施形態と同様に、設計主波長λ0(5
50nm)の付近でS偏光成分の光の反射率RsがP偏
光成分の光の反射率Rpより小さく、S偏光成分の光の
反射率Rsが低い値になっている。
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第1、
第3、第5層の材料をSiO2(屈折率n1,n3,n
5=1.47)に変更している。この構成による反射防
止膜の入射角45゜における反射率特性を計算機によっ
てシュミレーションすると図18に示すようになる。同
図によると第1実施形態と同様に、設計主波長λ0(5
50nm)の付近でS偏光成分の光の反射率RsがP偏
光成分の光の反射率Rpより小さく、S偏光成分の光の
反射率Rsが低い値になっている。
【0020】図19は第8実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第3層
の材料をMgO(酸化マグネシウム、屈折率n3=1.
75)に変更している。この構成による反射防止膜の入
射角45゜における反射率特性を計算機によってシュミ
レーションすると図20に示すようになる。同図による
と第1実施形態と同様に、設計主波長λ0(550n
m)の付近でS偏光成分の光の反射率RsがP偏光成分
の光の反射率Rpより小さく、S偏光成分の光の反射率
Rsが低い値になっている。
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、第3層
の材料をMgO(酸化マグネシウム、屈折率n3=1.
75)に変更している。この構成による反射防止膜の入
射角45゜における反射率特性を計算機によってシュミ
レーションすると図20に示すようになる。同図による
と第1実施形態と同様に、設計主波長λ0(550n
m)の付近でS偏光成分の光の反射率RsがP偏光成分
の光の反射率Rpより小さく、S偏光成分の光の反射率
Rsが低い値になっている。
【0021】図21は第9実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、基板の
材料を変更している(屈折率ns=1.76)。この構
成による反射防止膜の入射角45゜における反射率特性
を計算機によってシュミレーションすると図22に示す
ようになる。同図によると第1実施形態と同様に、設計
主波長λ0(550nm)の付近でS偏光成分の光の反
射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpより小さく、S
偏光成分の光の反射率Rsが低い値になっている。
を示している。設計主波長λ0は550nmである。第
1実施形態に対して膜厚dを変更するとともに、基板の
材料を変更している(屈折率ns=1.76)。この構
成による反射防止膜の入射角45゜における反射率特性
を計算機によってシュミレーションすると図22に示す
ようになる。同図によると第1実施形態と同様に、設計
主波長λ0(550nm)の付近でS偏光成分の光の反
射率RsがP偏光成分の光の反射率Rpより小さく、S
偏光成分の光の反射率Rsが低い値になっている。
【0022】第2〜第9実施形態によるといづれも入射
角が45゜において、設計主波長λ0(550nm)の
付近でP偏光成分の光の反射率Rpは大きいが、S偏光
成分の光の反射率Rsが低い値になっている。従って、
第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
角が45゜において、設計主波長λ0(550nm)の
付近でP偏光成分の光の反射率Rpは大きいが、S偏光
成分の光の反射率Rsが低い値になっている。従って、
第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0023】以上のように、第1〜第9実施形態の反射
防止膜はいづれの構成においてもS偏光成分の光の反射
率Rsを低くすることができ、計算機によるシュミレー
ションによると、第1、第2、第3、第4、第5層の屈
折率n及び膜厚dをn1,n2,n3,n4,n5及び
d1,d2,d3,d4,d5とした時に、n2または
n3が1.56以下であり、以下の式(1)〜(7) n4≧n2>n1≧n5 ・・・(1) n2>n3 ・・・(2) 0<n1d1≦0.06λ0 ・・・(3) 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 ・・・(4) 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 ・・・(5) 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 ・・・(6) 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 ・・・(7) を満足していれば、入射角が小さい範囲から45゜付近
の大きい範囲までS偏光成分の光の反射率を小さくする
ことができる。
防止膜はいづれの構成においてもS偏光成分の光の反射
率Rsを低くすることができ、計算機によるシュミレー
ションによると、第1、第2、第3、第4、第5層の屈
折率n及び膜厚dをn1,n2,n3,n4,n5及び
d1,d2,d3,d4,d5とした時に、n2または
n3が1.56以下であり、以下の式(1)〜(7) n4≧n2>n1≧n5 ・・・(1) n2>n3 ・・・(2) 0<n1d1≦0.06λ0 ・・・(3) 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 ・・・(4) 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 ・・・(5) 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 ・・・(6) 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 ・・・(7) を満足していれば、入射角が小さい範囲から45゜付近
の大きい範囲までS偏光成分の光の反射率を小さくする
ことができる。
【0024】また、式(3)を下記の式(3’) 0.20≦n1d1≦1.25λ0 ・・・(3’) に置き換えた場合においても、入射角が小さい範囲から
45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光の反射率を
小さくすることができる。
45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光の反射率を
小さくすることができる。
【0025】更に、前記基板の屈折率をnsとした時
に、以下の式(8)〜(13) 1.50≦ns≦1.85 ・・・(8) 1.35≦n1≦1.80 ・・・(9) 2.00≦n2≦2.60 ・・・(10) 1.35≦n3≦1.80 ・・・(11) 2.00≦n4≦2.60 ・・・(12) 1.38≦n5≦1.48 ・・・(13) の条件を加えて、式(1)〜(13)または式(1),
(2),(3’),(4)〜(13)を満足していれ
ば、入射角が小さい範囲から45゜付近の大きい範囲ま
でS偏光成分の光の反射率をより小さくすることができ
る。
に、以下の式(8)〜(13) 1.50≦ns≦1.85 ・・・(8) 1.35≦n1≦1.80 ・・・(9) 2.00≦n2≦2.60 ・・・(10) 1.35≦n3≦1.80 ・・・(11) 2.00≦n4≦2.60 ・・・(12) 1.38≦n5≦1.48 ・・・(13) の条件を加えて、式(1)〜(13)または式(1),
(2),(3’),(4)〜(13)を満足していれ
ば、入射角が小さい範囲から45゜付近の大きい範囲ま
でS偏光成分の光の反射率をより小さくすることができ
る。
【0026】上記の屈折率を有する材料として、第1層
はMgF2、チオライト(Na5Al3F14)、SiO2、
Al2O3、MgO等、第2層はTiO2、ZnS(硫化
亜鉛)、ZrTiO4、Ta2O5(酸化タンタル)等、
第3層はMgF2、チオライト、SiO2、Al2O3、M
gO等、第4層はTiO2、ZnS、ZrTiO4、Ta
2O5等、第5層はMgF2、チオライト、SiO2等を使
用することができる。各層でこれらの1つまたは複数に
よる薄膜を形成しても良いし、これらの1つまたは複数
を主成分とする薄膜を形成しても良い。
はMgF2、チオライト(Na5Al3F14)、SiO2、
Al2O3、MgO等、第2層はTiO2、ZnS(硫化
亜鉛)、ZrTiO4、Ta2O5(酸化タンタル)等、
第3層はMgF2、チオライト、SiO2、Al2O3、M
gO等、第4層はTiO2、ZnS、ZrTiO4、Ta
2O5等、第5層はMgF2、チオライト、SiO2等を使
用することができる。各層でこれらの1つまたは複数に
よる薄膜を形成しても良いし、これらの1つまたは複数
を主成分とする薄膜を形成しても良い。
【0027】
【発明の効果】請求項1の発明によると、入射角が小さ
い範囲から45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光
の反射率を低くすることができ、S偏光を主構成とする
光学機器において、反射特性を向上させることができ、
高い透過光量を得るとともに、反射光による2重像等を
防止することができる。
い範囲から45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光
の反射率を低くすることができ、S偏光を主構成とする
光学機器において、反射特性を向上させることができ、
高い透過光量を得るとともに、反射光による2重像等を
防止することができる。
【0028】請求項2の発明によると、入射角が小さい
範囲から45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光の
反射率をより低くすることができ、S偏光を主構成とす
る光学機器において、反射特性をより向上させることが
できる。
範囲から45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光の
反射率をより低くすることができ、S偏光を主構成とす
る光学機器において、反射特性をより向上させることが
できる。
【0029】請求項3の発明によると、入射角が小さい
範囲から45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光の
反射率が低い反射防止膜を簡単に実現することができ
る。
範囲から45゜付近の大きい範囲までS偏光成分の光の
反射率が低い反射防止膜を簡単に実現することができ
る。
【図1】 従来の反射防止膜の構成を示す図であ
る。
る。
【図2】 従来の他の反射防止膜の構成を示す図で
ある。
ある。
【図3】 図1の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図4】 図2の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図5】 本発明の第1実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図6】 図5の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図7】 本発明の第2実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図8】 図7の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図9】 本発明の第3実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図10】 図9の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図11】 本発明の第4実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図12】 図11の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図13】 本発明の第5実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図14】 図13の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図15】 本発明の第6実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図16】 図15の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図17】 本発明の第7実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図18】 図16の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図19】 本発明の第8実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図20】 図18の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図21】 本発明の第9実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図22】 図21の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
n,ns,n1〜n4 屈折率 d,d1〜d4 膜厚 λ0 設計主波長 Rp P偏光成分の光の反射率 Rs S偏光成分の光の反射率
Claims (3)
- 【請求項1】 基板側から順に第1、第2、第3、第
4、第5層の薄膜が積層される5層構造の反射防止膜に
おいて、第1、第2、第3、第4、第5層の屈折率及び
膜厚をn1,n2,n3,n4,n5及びd1,d2,
d3,d4,d5とするとともに、設計主波長をλ0と
した時に、n2またはn3は1.56以下であり、 n4≧n2>n1≧n5 n2>n3 0<n1d1≦0.06λ0 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 の関係または n4≧n2>n1≧n5 n2>n3 0.20≦n1d1≦1.25λ0 0.03λ0≦n2d2≦0.15λ0 0.02λ0≦n3d3≦0.19λ0 0.09λ0≦n4d4≦1.30λ0 0.24λ0≦n5d5≦0.36λ0 の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項2】 前記基板の屈折率をnsとした時に、 1.50≦ns≦1.85 1.35≦n1≦1.80 2.00≦n2≦2.60 1.35≦n3≦1.80 2.00≦n4≦2.60 1.38≦n5≦1.48 の関係にしたことを特徴とする請求項1に記載の反射防
止膜。 - 【請求項3】 第1層はMgF2、チオライト、Si
O2、Al2O3、MgOの1つまたは複数を主成分と
し、第2層はTiO2、ZnS、ZrTiO4、Ta
2O5、の1つまたは複数を主成分とし、第3層はMgF
2、チオライト、SiO2、Al2O3、MgOの1つまた
は複数を主成分とし、第4層はTiO2、ZnS、Zr
TiO4、Ta2O5、の1つまたは複数を主成分とし、
第5層はMgF2、チオライト、SiO2の1つまたは複
数を主成分とした事を特徴とする請求項1または請求項
2に記載の反射防止膜。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10284024A JP2000111703A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 反射防止膜 |
US09/413,736 US6280848B1 (en) | 1998-10-06 | 1999-10-06 | Antireflection coating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10284024A JP2000111703A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 反射防止膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000111703A true JP2000111703A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17673327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10284024A Pending JP2000111703A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000111703A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
JP2005302088A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Konica Minolta Opto Inc | 対物レンズ及び光ピックアップ装置 |
-
1998
- 1998-10-06 JP JP10284024A patent/JP2000111703A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
JP2005302088A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Konica Minolta Opto Inc | 対物レンズ及び光ピックアップ装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050622 |