JP2000111703A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓ偏光成分の光の反射率が低い反射防止膜を
提供する。 【解決手段】 基板側から順に第１、第２、第３、第
４、第５層の薄膜が積層される５層構造の反射防止膜に
おいて、第１、第２、第３、第４、第５層の屈折率及び
膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及びｄ１，ｄ２，
ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計主波長をλ０と
した時に、ｎ２またはｎ３は１．５６以下であり、ｎ４
≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５，ｎ２＞ｎ３，０＜ｎ１ｄ１≦０．
０６λ０または０．２０≦ｎ１ｄ１≦１．２５λ０，
０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０，０．０２λ０
≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０，０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦
１．３０λ０，０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０
の関係にした。
提供する。 【解決手段】 基板側から順に第１、第２、第３、第
４、第５層の薄膜が積層される５層構造の反射防止膜に
おいて、第１、第２、第３、第４、第５層の屈折率及び
膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及びｄ１，ｄ２，
ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計主波長をλ０と
した時に、ｎ２またはｎ３は１．５６以下であり、ｎ４
≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５，ｎ２＞ｎ３，０＜ｎ１ｄ１≦０．
０６λ０または０．２０≦ｎ１ｄ１≦１．２５λ０，
０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０，０．０２λ０
≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０，０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦
１．３０λ０，０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０
の関係にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学部品の表面に
形成される反射防止膜に関し、特に５層の積層薄膜から
成る反射防止膜に関する。
形成される反射防止膜に関し、特に５層の積層薄膜から
成る反射防止膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】レンズやプリズム等の光学部品の表面に
真空蒸着法等によって積層薄膜を成膜して反射防止膜を
形成し、表面反射を低下させる方法が知られている。従
来の反射防止膜の構成は例えば特開平５−２１０１号公
報に開示されており、図１に示すようになっている。基
板側から第１層はＭｇＦ2（フッ化マグネシウム、屈折
率ｎ１＝１．３８５，膜厚ｄ１＝６４ｎｍ）、第２層は
ＺｒＴｉＯ4（酸化チタンジルコニウム、屈折率ｎ２＝
２．１，膜厚ｄ２＝１６ｎｍ）、第３層はＳｉＯ2（二
酸化珪素、屈折率ｎ３＝１．４７，膜厚ｄ３＝５４ｎ
ｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ４＝２．１，膜
厚ｄ４＝１３９ｎｍ）、第５層はＭｇＦ2（屈折率ｎ５
＝１．３８５，膜厚ｄ５＝９９ｎｍ）から成っている。
設計主波長λ０は５５０ｎｍであり、ｎｄは光学膜厚
（単位ｎｍ）を示している。この時、低い反射率が得ら
れるようになっている。
真空蒸着法等によって積層薄膜を成膜して反射防止膜を
形成し、表面反射を低下させる方法が知られている。従
来の反射防止膜の構成は例えば特開平５−２１０１号公
報に開示されており、図１に示すようになっている。基
板側から第１層はＭｇＦ2（フッ化マグネシウム、屈折
率ｎ１＝１．３８５，膜厚ｄ１＝６４ｎｍ）、第２層は
ＺｒＴｉＯ4（酸化チタンジルコニウム、屈折率ｎ２＝
２．１，膜厚ｄ２＝１６ｎｍ）、第３層はＳｉＯ2（二
酸化珪素、屈折率ｎ３＝１．４７，膜厚ｄ３＝５４ｎ
ｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ４＝２．１，膜
厚ｄ４＝１３９ｎｍ）、第５層はＭｇＦ2（屈折率ｎ５
＝１．３８５，膜厚ｄ５＝９９ｎｍ）から成っている。
設計主波長λ０は５５０ｎｍであり、ｎｄは光学膜厚
（単位ｎｍ）を示している。この時、低い反射率が得ら
れるようになっている。
【０００３】０００ また、特開平１０−３９１０５号
公報等に開示された反射防止膜では図２に示すような構
成にしている。基板側から第１層はＡｌ2Ｏ3（アルミ
ナ、屈折率ｎ１＝１．６２，膜厚ｄ１＝６７ｎｍ）、第
２層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ２＝２．１，膜厚ｄ２＝
１０ｎｍ）、第３層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ３＝１．６
２，膜厚ｄ３＝１７ｎｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈
折率ｎ４＝２．１，膜厚ｄ４＝１００ｎｍ）、第５層は
ＭｇＦ2（屈折率ｎ５＝１．３８５，膜厚ｄ５＝１００
ｎｍ）、から成っている。この時、可視波長領域全域に
おいて低い反射率が得られるようになっている。
公報等に開示された反射防止膜では図２に示すような構
成にしている。基板側から第１層はＡｌ2Ｏ3（アルミ
ナ、屈折率ｎ１＝１．６２，膜厚ｄ１＝６７ｎｍ）、第
２層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ２＝２．１，膜厚ｄ２＝
１０ｎｍ）、第３層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ３＝１．６
２，膜厚ｄ３＝１７ｎｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈
折率ｎ４＝２．１，膜厚ｄ４＝１００ｎｍ）、第５層は
ＭｇＦ2（屈折率ｎ５＝１．３８５，膜厚ｄ５＝１００
ｎｍ）、から成っている。この時、可視波長領域全域に
おいて低い反射率が得られるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に光学部品に入射
する光の入射角が大きくなると偏光成分の分離が生じ、
Ｓ偏光成分の光の方がＰ偏光成分の光よりも反射率が大
きくなる。このことから、液晶プロジェクターではＳ偏
光成分の光を主に使用するように構成して投射光量の低
下を防止している。
する光の入射角が大きくなると偏光成分の分離が生じ、
Ｓ偏光成分の光の方がＰ偏光成分の光よりも反射率が大
きくなる。このことから、液晶プロジェクターではＳ偏
光成分の光を主に使用するように構成して投射光量の低
下を防止している。
【０００５】しかしながら、反射防止膜においては反射
率を低くする必要がある。上記従来例の反射防止膜によ
ると、入射角が小さい範囲ではＰ、Ｓ偏光成分とも低い
反射率を示すが、入射角が４５゜近辺では上記偏光成分
の分離によってＳ偏光成分の光の反射率Ｒｓが大きくな
る。図３、図４は夫々図１、図２の構成の反射防止膜の
入射角４５゜における反射率特性を示す特性図であり、
縦軸は反射率、横軸は波長を示す。
率を低くする必要がある。上記従来例の反射防止膜によ
ると、入射角が小さい範囲ではＰ、Ｓ偏光成分とも低い
反射率を示すが、入射角が４５゜近辺では上記偏光成分
の分離によってＳ偏光成分の光の反射率Ｒｓが大きくな
る。図３、図４は夫々図１、図２の構成の反射防止膜の
入射角４５゜における反射率特性を示す特性図であり、
縦軸は反射率、横軸は波長を示す。
【０００６】これらの図によると、設計主波長λ０（５
５０ｎｍ）の付近でＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐは小さ
いが、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが大きくなってい
る。従って、裏面にこれらの反射防止膜が形成されたフ
ィルター等にＳ偏光成分の光を入射角４５゜で入射させ
ると、該フィルター表面で反射する光と該フィルターを
透過して反射防止膜で反射する光とによって２重像が生
じる問題があった。
５０ｎｍ）の付近でＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐは小さ
いが、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが大きくなってい
る。従って、裏面にこれらの反射防止膜が形成されたフ
ィルター等にＳ偏光成分の光を入射角４５゜で入射させ
ると、該フィルター表面で反射する光と該フィルターを
透過して反射防止膜で反射する光とによって２重像が生
じる問題があった。
【０００７】本発明は、Ｓ偏光成分の光の反射率を小さ
くすることのできる反射防止膜を提供することを目的と
する。
くすることのできる反射防止膜を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、基板側から順に第１、
第２、第３、第４、第５層の薄膜が積層される５層構造
の反射防止膜において、第１、第２、第３、第４、第５
層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及
びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計
主波長をλ０とした時に、ｎ２またはｎ３は１．５６以
下であり、 ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ２＞ｎ３ ０＜ｎ１ｄ１≦０．０６λ０ ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ の関係または ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ２＞ｎ３ ０．２０≦ｎ１ｄ１≦１．２５λ０ ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ の関係にしたことを特徴としている。
に請求項１に記載された発明は、基板側から順に第１、
第２、第３、第４、第５層の薄膜が積層される５層構造
の反射防止膜において、第１、第２、第３、第４、第５
層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及
びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計
主波長をλ０とした時に、ｎ２またはｎ３は１．５６以
下であり、 ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ２＞ｎ３ ０＜ｎ１ｄ１≦０．０６λ０ ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ の関係または ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ２＞ｎ３ ０．２０≦ｎ１ｄ１≦１．２５λ０ ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ の関係にしたことを特徴としている。
【０００９】また請求項２に記載された発明は、請求項
１に記載された反射防止膜において、前記基板の屈折率
をｎｓとした時に、 １．５０≦ｎｓ≦１．８５ １．３５≦ｎ１≦１．８０ ２．００≦ｎ２≦２．６０ １．３５≦ｎ３≦１．８０ ２．００≦ｎ４≦２．６０ １．３８≦ｎ５≦１．４８ の関係にしたことを特徴としている。
１に記載された反射防止膜において、前記基板の屈折率
をｎｓとした時に、 １．５０≦ｎｓ≦１．８５ １．３５≦ｎ１≦１．８０ ２．００≦ｎ２≦２．６０ １．３５≦ｎ３≦１．８０ ２．００≦ｎ４≦２．６０ １．３８≦ｎ５≦１．４８ の関係にしたことを特徴としている。
【００１０】また請求項３に記載された発明は、請求項
１または請求項２に記載された反射防止膜において、第
１層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏの１つまたは複数を主成分とし、第２層はＴｉＯ2、
ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つまたは複数を
主成分とし、第３層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯの１つまたは複数を主成分とし、第４
層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つ
または複数を主成分とし、第５層はＭｇＦ2、チオライ
ト、ＳｉＯ2の１つまたは複数を主成分とした事を特徴
としている。
１または請求項２に記載された反射防止膜において、第
１層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏの１つまたは複数を主成分とし、第２層はＴｉＯ2、
ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つまたは複数を
主成分とし、第３層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯの１つまたは複数を主成分とし、第４
層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つ
または複数を主成分とし、第５層はＭｇＦ2、チオライ
ト、ＳｉＯ2の１つまたは複数を主成分とした事を特徴
としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図を参照して
説明する。図５は第１実施形態の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。レンズ
やプリズム等の光学部品から成る基板（屈折率ｎｓ＝
１．５２）の表面に、基板側から第１層はＭｇＦ2（屈
折率ｎ１＝１．３８５，膜厚ｄ１＝２２４ｎｍ）、第２
層はＴｉＯ2（酸化チタン）（屈折率ｎ２＝２．４５，
膜厚ｄ２＝１８ｎｍ）、第３層はＭｇＦ2（屈折率ｎ３
＝１．３８５，膜厚ｄ３＝１８ｎｍ）、第４層はＴｉＯ
2（屈折率ｎ４＝２．４５，膜厚ｄ４＝９０ｎｍ）、第
５層はＭｇＦ2（屈折率ｎ５＝１．３８５，膜厚ｄ５＝
１０８ｎｍ）の薄膜を形成している。各層の薄膜は真空
蒸着法等により形成することができる。
説明する。図５は第１実施形態の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。レンズ
やプリズム等の光学部品から成る基板（屈折率ｎｓ＝
１．５２）の表面に、基板側から第１層はＭｇＦ2（屈
折率ｎ１＝１．３８５，膜厚ｄ１＝２２４ｎｍ）、第２
層はＴｉＯ2（酸化チタン）（屈折率ｎ２＝２．４５，
膜厚ｄ２＝１８ｎｍ）、第３層はＭｇＦ2（屈折率ｎ３
＝１．３８５，膜厚ｄ３＝１８ｎｍ）、第４層はＴｉＯ
2（屈折率ｎ４＝２．４５，膜厚ｄ４＝９０ｎｍ）、第
５層はＭｇＦ2（屈折率ｎ５＝１．３８５，膜厚ｄ５＝
１０８ｎｍ）の薄膜を形成している。各層の薄膜は真空
蒸着法等により形成することができる。
【００１２】この構成による反射防止膜の入射角４５゜
における反射率特性を計算機によってシュミレーション
すると図６に示すようになる。同図によると設計主波長
λ０（５５０ｎｍ）の付近でＰ偏光成分の光の反射率Ｒ
ｐは大きいが、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値に
なっている。
における反射率特性を計算機によってシュミレーション
すると図６に示すようになる。同図によると設計主波長
λ０（５５０ｎｍ）の付近でＰ偏光成分の光の反射率Ｒ
ｐは大きいが、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値に
なっている。
【００１３】入射角の大きい領域において、Ｓ偏光成分
の光の反射率ＲｓとＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐとの両
方が小さくなるように反射防止膜を構成する事が望まし
いが困難である。このため本実施形態のように、Ｓ偏光
成分の光の反射率ＲｓをＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐよ
り小さくなるように構成することで、Ｓ偏光成分の光の
反射率Ｒｓを低くすることができる。従って、この反射
防止膜を形成した光学部品をＳ偏光成分の光を主として
構成される光学装置に使用すると、２重像による不具合
を低減することができる。
の光の反射率ＲｓとＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐとの両
方が小さくなるように反射防止膜を構成する事が望まし
いが困難である。このため本実施形態のように、Ｓ偏光
成分の光の反射率ＲｓをＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐよ
り小さくなるように構成することで、Ｓ偏光成分の光の
反射率Ｒｓを低くすることができる。従って、この反射
防止膜を形成した光学部品をＳ偏光成分の光を主として
構成される光学装置に使用すると、２重像による不具合
を低減することができる。
【００１４】図７は第２実施形態の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第１
実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第２層の
材料をＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ２＝２．１）に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角４５゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図８に示すようになる。同図によると第１実施形態と同
様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成
分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐより
小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になって
いる。
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第１
実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第２層の
材料をＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ２＝２．１）に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角４５゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図８に示すようになる。同図によると第１実施形態と同
様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成
分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐより
小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になって
いる。
【００１５】図９は第３実施形態の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第２
実施形態に対して膜厚ｄを変えている。この構成による
反射防止膜の入射角４５゜における反射率特性を計算機
によってシュミレーションすると図１０に示すようにな
る。同図によると第１実施形態と同様に、設計主波長λ
０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反射率Ｒｓ
がＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分
の光の反射率Ｒｓが低い値になっている。
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第２
実施形態に対して膜厚ｄを変えている。この構成による
反射防止膜の入射角４５゜における反射率特性を計算機
によってシュミレーションすると図１０に示すようにな
る。同図によると第１実施形態と同様に、設計主波長λ
０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反射率Ｒｓ
がＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分
の光の反射率Ｒｓが低い値になっている。
【００１６】図１１は第４実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第３層
の材料をＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ３＝１．６２）に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角４５゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図１２に示すようになる。同図によると第１実施形態と
同様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光
成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐよ
り小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっ
ている。
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第３層
の材料をＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ３＝１．６２）に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角４５゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図１２に示すようになる。同図によると第１実施形態と
同様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光
成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐよ
り小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっ
ている。
【００１７】図１３は第５実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
４実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１層
の材料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１＝１．４７）に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角４５゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図１４に示すようになる。同図によると第１実施形態と
同様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光
成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐよ
り小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっ
ている。
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
４実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１層
の材料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１＝１．４７）に変更して
いる。この構成による反射防止膜の入射角４５゜におけ
る反射率特性を計算機によってシュミレーションすると
図１４に示すようになる。同図によると第１実施形態と
同様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光
成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐよ
り小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっ
ている。
【００１８】図１５は第６実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１、
第３層の材料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１，ｎ３＝１．４
７）に変更している。この構成による反射防止膜の入射
角４５゜における反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図１６に示すようになる。同図によると
第１実施形態と同様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）
の付近でＳ偏光成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光
の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓ
が低い値になっている。
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１、
第３層の材料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１，ｎ３＝１．４
７）に変更している。この構成による反射防止膜の入射
角４５゜における反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図１６に示すようになる。同図によると
第１実施形態と同様に、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）
の付近でＳ偏光成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分の光
の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率Ｒｓ
が低い値になっている。
【００１９】図１７は第７実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１、
第３、第５層の材料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１，ｎ３，ｎ
５＝１．４７）に変更している。この構成による反射防
止膜の入射角４５゜における反射率特性を計算機によっ
てシュミレーションすると図１８に示すようになる。同
図によると第１実施形態と同様に、設計主波長λ０（５
５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反射率ＲｓがＰ偏
光成分の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分の光の
反射率Ｒｓが低い値になっている。
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１、
第３、第５層の材料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１，ｎ３，ｎ
５＝１．４７）に変更している。この構成による反射防
止膜の入射角４５゜における反射率特性を計算機によっ
てシュミレーションすると図１８に示すようになる。同
図によると第１実施形態と同様に、設計主波長λ０（５
５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反射率ＲｓがＰ偏
光成分の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分の光の
反射率Ｒｓが低い値になっている。
【００２０】図１９は第８実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第３層
の材料をＭｇＯ（酸化マグネシウム、屈折率ｎ３＝１．
７５）に変更している。この構成による反射防止膜の入
射角４５゜における反射率特性を計算機によってシュミ
レーションすると図２０に示すようになる。同図による
と第１実施形態と同様に、設計主波長λ０（５５０ｎ
ｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分
の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率
Ｒｓが低い値になっている。
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第３層
の材料をＭｇＯ（酸化マグネシウム、屈折率ｎ３＝１．
７５）に変更している。この構成による反射防止膜の入
射角４５゜における反射率特性を計算機によってシュミ
レーションすると図２０に示すようになる。同図による
と第１実施形態と同様に、設計主波長λ０（５５０ｎ
ｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反射率ＲｓがＰ偏光成分
の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ偏光成分の光の反射率
Ｒｓが低い値になっている。
【００２１】図２１は第９実施形態の反射防止膜の構成
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、基板の
材料を変更している（屈折率ｎｓ＝１．７６）。この構
成による反射防止膜の入射角４５゜における反射率特性
を計算機によってシュミレーションすると図２２に示す
ようになる。同図によると第１実施形態と同様に、設計
主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反
射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ
偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっている。
を示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第
１実施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、基板の
材料を変更している（屈折率ｎｓ＝１．７６）。この構
成による反射防止膜の入射角４５゜における反射率特性
を計算機によってシュミレーションすると図２２に示す
ようになる。同図によると第１実施形態と同様に、設計
主波長λ０（５５０ｎｍ）の付近でＳ偏光成分の光の反
射率ＲｓがＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐより小さく、Ｓ
偏光成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっている。
【００２２】第２〜第９実施形態によるといづれも入射
角が４５゜において、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の
付近でＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐは大きいが、Ｓ偏光
成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっている。従って、
第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
角が４５゜において、設計主波長λ０（５５０ｎｍ）の
付近でＰ偏光成分の光の反射率Ｒｐは大きいが、Ｓ偏光
成分の光の反射率Ｒｓが低い値になっている。従って、
第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２３】以上のように、第１〜第９実施形態の反射
防止膜はいづれの構成においてもＳ偏光成分の光の反射
率Ｒｓを低くすることができ、計算機によるシュミレー
ションによると、第１、第２、第３、第４、第５層の屈
折率ｎ及び膜厚ｄをｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及び
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５とした時に、ｎ２または
ｎ３が１．５６以下であり、以下の式（１）〜（７） ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ・・・（１） ｎ２＞ｎ３ ・・・（２） ０＜ｎ１ｄ１≦０．０６λ０ ・・・（３） ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ・・・（４） ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ・・・（５） ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ・・・（６） ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ ・・・（７） を満足していれば、入射角が小さい範囲から４５゜付近
の大きい範囲までＳ偏光成分の光の反射率を小さくする
ことができる。
防止膜はいづれの構成においてもＳ偏光成分の光の反射
率Ｒｓを低くすることができ、計算機によるシュミレー
ションによると、第１、第２、第３、第４、第５層の屈
折率ｎ及び膜厚ｄをｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及び
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５とした時に、ｎ２または
ｎ３が１．５６以下であり、以下の式（１）〜（７） ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ・・・（１） ｎ２＞ｎ３ ・・・（２） ０＜ｎ１ｄ１≦０．０６λ０ ・・・（３） ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ・・・（４） ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ・・・（５） ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ・・・（６） ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ ・・・（７） を満足していれば、入射角が小さい範囲から４５゜付近
の大きい範囲までＳ偏光成分の光の反射率を小さくする
ことができる。
【００２４】また、式（３）を下記の式（３’） ０．２０≦ｎ１ｄ１≦１．２５λ０ ・・・（３’） に置き換えた場合においても、入射角が小さい範囲から
４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光の反射率を
小さくすることができる。
４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光の反射率を
小さくすることができる。
【００２５】更に、前記基板の屈折率をｎｓとした時
に、以下の式（８）〜（１３） １．５０≦ｎｓ≦１．８５ ・・・（８） １．３５≦ｎ１≦１．８０ ・・・（９） ２．００≦ｎ２≦２．６０ ・・・（１０） １．３５≦ｎ３≦１．８０ ・・・（１１） ２．００≦ｎ４≦２．６０ ・・・（１２） １．３８≦ｎ５≦１．４８ ・・・（１３） の条件を加えて、式（１）〜（１３）または式（１），
（２），（３’），（４）〜（１３）を満足していれ
ば、入射角が小さい範囲から４５゜付近の大きい範囲ま
でＳ偏光成分の光の反射率をより小さくすることができ
る。
に、以下の式（８）〜（１３） １．５０≦ｎｓ≦１．８５ ・・・（８） １．３５≦ｎ１≦１．８０ ・・・（９） ２．００≦ｎ２≦２．６０ ・・・（１０） １．３５≦ｎ３≦１．８０ ・・・（１１） ２．００≦ｎ４≦２．６０ ・・・（１２） １．３８≦ｎ５≦１．４８ ・・・（１３） の条件を加えて、式（１）〜（１３）または式（１），
（２），（３’），（４）〜（１３）を満足していれ
ば、入射角が小さい範囲から４５゜付近の大きい範囲ま
でＳ偏光成分の光の反射率をより小さくすることができ
る。
【００２６】上記の屈折率を有する材料として、第１層
はＭｇＦ2、チオライト（Ｎａ5Ａｌ3Ｆ14）、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ等、第２層はＴｉＯ2、ＺｎＳ（硫化
亜鉛）、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）等、
第３層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ等、第４層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ
2Ｏ5等、第５層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2等を使
用することができる。各層でこれらの１つまたは複数に
よる薄膜を形成しても良いし、これらの１つまたは複数
を主成分とする薄膜を形成しても良い。
はＭｇＦ2、チオライト（Ｎａ5Ａｌ3Ｆ14）、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ等、第２層はＴｉＯ2、ＺｎＳ（硫化
亜鉛）、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）等、
第３層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ等、第４層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ
2Ｏ5等、第５層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2等を使
用することができる。各層でこれらの１つまたは複数に
よる薄膜を形成しても良いし、これらの１つまたは複数
を主成分とする薄膜を形成しても良い。
【００２７】
【発明の効果】請求項１の発明によると、入射角が小さ
い範囲から４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光
の反射率を低くすることができ、Ｓ偏光を主構成とする
光学機器において、反射特性を向上させることができ、
高い透過光量を得るとともに、反射光による２重像等を
防止することができる。
い範囲から４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光
の反射率を低くすることができ、Ｓ偏光を主構成とする
光学機器において、反射特性を向上させることができ、
高い透過光量を得るとともに、反射光による２重像等を
防止することができる。
【００２８】請求項２の発明によると、入射角が小さい
範囲から４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光の
反射率をより低くすることができ、Ｓ偏光を主構成とす
る光学機器において、反射特性をより向上させることが
できる。
範囲から４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光の
反射率をより低くすることができ、Ｓ偏光を主構成とす
る光学機器において、反射特性をより向上させることが
できる。
【００２９】請求項３の発明によると、入射角が小さい
範囲から４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光の
反射率が低い反射防止膜を簡単に実現することができ
る。
範囲から４５゜付近の大きい範囲までＳ偏光成分の光の
反射率が低い反射防止膜を簡単に実現することができ
る。
【図１】 従来の反射防止膜の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】 従来の他の反射防止膜の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】 図１の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図４】 図２の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図５】 本発明の第１実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】 図５の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図７】 本発明の第２実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図８】 図７の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図９】 本発明の第３実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１０】 図９の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。
である。
【図１１】 本発明の第４実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１２】 図１１の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図１３】 本発明の第５実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１４】 図１３の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図１５】 本発明の第６実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１６】 図１５の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図１７】 本発明の第７実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１８】 図１６の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図１９】 本発明の第８実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２０】 図１８の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
【図２１】 本発明の第９実施形態の反射防止膜の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２２】 図２１の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。
図である。
ｎ，ｎｓ，ｎ１〜ｎ４ 屈折率 ｄ，ｄ１〜ｄ４ 膜厚 λ０ 設計主波長 Ｒｐ Ｐ偏光成分の光の反射率 Ｒｓ Ｓ偏光成分の光の反射率
Claims (3)
- 【請求項１】 基板側から順に第１、第２、第３、第
４、第５層の薄膜が積層される５層構造の反射防止膜に
おいて、第１、第２、第３、第４、第５層の屈折率及び
膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及びｄ１，ｄ２，
ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計主波長をλ０と
した時に、ｎ２またはｎ３は１．５６以下であり、 ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ２＞ｎ３ ０＜ｎ１ｄ１≦０．０６λ０ ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ の関係または ｎ４≧ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ２＞ｎ３ ０．２０≦ｎ１ｄ１≦１．２５λ０ ０．０３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１５λ０ ０．０２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．１９λ０ ０．０９λ０≦ｎ４ｄ４≦１．３０λ０ ０．２４λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３６λ０ の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項２】 前記基板の屈折率をｎｓとした時に、 １．５０≦ｎｓ≦１．８５ １．３５≦ｎ１≦１．８０ ２．００≦ｎ２≦２．６０ １．３５≦ｎ３≦１．８０ ２．００≦ｎ４≦２．６０ １．３８≦ｎ５≦１．４８ の関係にしたことを特徴とする請求項１に記載の反射防
止膜。 - 【請求項３】 第１層はＭｇＦ2、チオライト、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯの１つまたは複数を主成分と
し、第２層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ
2Ｏ5、の１つまたは複数を主成分とし、第３層はＭｇＦ
2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯの１つまた
は複数を主成分とし、第４層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ｚｒ
ＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つまたは複数を主成分とし、
第５層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2の１つまたは複
数を主成分とした事を特徴とする請求項１または請求項
２に記載の反射防止膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10284024A JP2000111703A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 反射防止膜 |
| US09/413,736 US6280848B1 (en) | 1998-10-06 | 1999-10-06 | Antireflection coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10284024A JP2000111703A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111703A true JP2000111703A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17673327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10284024A Pending JP2000111703A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000111703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
| JP2005302088A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Konica Minolta Opto Inc | 対物レンズ及び光ピックアップ装置 |
-
1998
- 1998-10-06 JP JP10284024A patent/JP2000111703A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
| JP2005302088A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Konica Minolta Opto Inc | 対物レンズ及び光ピックアップ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050615 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050622 |