JP2000100999A - 中継基板 - Google Patents
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
させる中継基板において、基板の接続端子やパッドにか
かるせん断応力を抑制、吸収して、基板に形成したパッ
ドとハンダと接続部近傍のハンダ部の破壊を防ぎ、高い
接続信頼性を得ることが可能となる。 【構成】中継基板本体に、基板の接続端子やパッドにか
かるせん断応力を緩和する為の構造、スリット、切り込
み又は溝を形成することにより、発生するせん断応力を
抑制、吸収して、高い接続信頼性を得ることができる。
また、中継基板がより大型化して、基板の接続端子やパ
ッドにかかるせん断応力がより大きくなるときには、本
発明によって、大型化した中継基板が、複数の小さなサ
イズの中継基板の集合体のような形状になり、基板の接
続端子やパッドにかかるせん断応力を抑制、吸収して、
基板に形成したパッドとハンダと接続部近傍のハンダ部
の破壊を防ぎ、高い接続信頼性を得ることができる。
Description
接続端子を有する基板と、この接続端子に対応する位置
に接続端子を備えた上記基板を取付けるための取付基板
との間に介在させ、両者を接続する中継基板に関するも
のである。
り、ICチップに設けられる出入力端子の数が増大し、
高集積化されてきた。それに伴い、ICチップを搭載す
るICチップ搭載基板に形成される出入力端子の数も増
大している。
ICチップ搭載基板の主平面に格子状または千鳥状に並
べるいわゆるLGA(ランドグリッドアレイ)型基板や、
パッド上にボール状の接続端子を備えたいわゆるBGA
(ボールグリッドアレイ)型基板が広く用いられてい
る。
ト基板(マザーボード基板)の平面上に格子状または千
鳥状にパッドやバンプなどの接続端子を形成し、ICチ
ップ搭載基板とプリント基板を接続する場合には、IC
チップ搭載基板とプリント基板の材質による熱膨張係数
がそれぞれ異なるので、平面方向に熱膨張差が発生す
る。つまり、接続端子から見ると、接続しているICチ
ップ搭載基板およびプリント基板が平面方向についてそ
れぞれ逆方向に寸法変化しようとするので、接続端子や
パッドには、せん断応力が働くこととなる。
めに、従来から、ICチップ搭載基板とマザーボード基
板(取付基板)との接続に中継基板を介在させる技術が
実用に供されている。例えば、特開平9−214088
公報では、BGA型のセラミック基板とプリント配線基
板を中継基板を介在して接続するものが公開されてい
る。図10に示すように中継基板本体30は、せん断応
力を緩和する為の構造を有していない。図10に於い
て、28はICチップ31を搭載するためのセラミック
製ICチップ搭載基板、29はプリント配線基板であ
り、両者は中継基板30を介して電気的に接続されてい
る。
るICチップの高集積化により、ICチップ搭載基板の
パッド数が増大し、それに伴いICチップ搭載基板のサ
イズが大きくなる傾向にある。通常、中継基板のサイズ
は、ICチップ搭載基板のサイズと同等かそれ以上であ
るため、ICチップ搭載基板が大きくなれば、それに伴
い中継基板も大きくなる。
複数のICチップを搭載する場合にも、ICチップ搭載
基板のサイズが大きくなる。さらに、ICチップ搭載基
板の大きさにかかわらず、複数のICチップ搭載基板を
一つの中継基板に搭載する場合にも、中継基板のサイズ
が大きくなる。
るせん断応力は、面接続(面実装)される端子のうち、
最も離れた2つの端子間で最大となる。即ち、例えば端
子が格子状にかつ最外周の端子が正方形をなすように形
成されている場合、それぞれこの正方形の対角上に位置
する2つの端子間で基板等の熱膨張差が最も大きく影響
し、最も大きいせん断応力が掛かることとなる。
ればなるほど、大きいせん断応力が発生することにな
る。ICチップ搭載基板のサイズが大きくなり大きなせ
ん断応力がかかると、従来のような中継基板では、該中
継基板を介在させてICチップ搭載基板とマザーボード
基板(取付基板)との接続を行なうときに、高い接続信
頼性を得ることが出来なかった。
Cチップ搭載基板とマザーボード基板との接続を行なう
ときに、中継基板の接続端子やICチップ搭載基板とマ
ザーボード基板のパッドにかかるせん断応力を効果的に
緩和、吸収して、基板に形成したパッドと中継基板の端
子との接続部近傍の破壊を防ぎ、高い接続信頼性を得る
ことである。
段を講じることにより解決することが可能である。
パッドを有する基板と、該基板側の主平面上の上記接続
パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基板と
の間に介在させる中継基板であって、第1面と第2面と
を有する略板形状をなす中継基板本体と、第1面側にお
いて上記接続パッドと接続する第1面側端子と、第2面
側において上記取付パッドと接続し、かつ上記第1面側
端子と電気的に接続された第2面側端子とを備え、上記
中継基板本体はせん断応力を緩和する為の構造を有して
いることを特徴とする中継基板を要旨とする。
せん断応力を緩和する為の構造を設けることにより、中
継基板の接続端子やICチップ搭載基板とマザーボード
基板(取付基板)のパッドにかかるせん断応力を効果的
に緩和、吸収して、高い接続信頼性を得ることができ
る。
チップ搭載基板やマザーボード基板の材質を考慮した
り、製造の容易さや、熱伝導率、熱膨張係数の大きさを
考慮して適宜選択すれば良い。例えば、アルミナセラミ
ックス、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミックス
や、ガラス−エポキシ樹脂複合材料、ガラス−BT樹脂
複合材料、ポリエステル−エポキシ樹脂複合材料等の無
機あるいは有機繊維と樹脂との複合材料、連続多孔質P
TFE(ポリテトラフルオロエチレン)にエポキシ樹脂
を含浸させた複合材料などが挙げられる。
ICチップ搭載基板本体やマザーボード基板本体のいず
れかの材質または熱膨張係数に等しい材料を選択しても
良いし、両者の中間の熱膨張係数を有する材料を選択し
てもよい。
例えば、アルミナセラミックスからなる中継基板本体に
形成された隙間に樹脂を注入した構造などが挙げられ
る。
パッドを有する基板と、該基板側の主平面上の上記接続
パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基板と
の間に介在させる中継基板であって、第1面と第2面と
を有する略板形状をなす中継基板本体と、第1面側にお
いて上記接続パッドと接続する第1面側端子と、第2面
側において上記取付パッドと接続し、かつ上記第1面側
端子と電気的に接続された第2面側端子と、上記中継基
板本体に形成されたスリット、切り込み、又は溝と、を
備えることを特徴とする中継基板を要旨とする。
るせん断応力を、中継基板本体にスリット、切り込み、
又は溝を形成することにより、中継基板が複数に分けら
れる。これにより、中継基板が大きくなっても、スリッ
ト、切り込み、又は溝が、応力を解放することができる
ので、中継基板の接続端子やICチップ搭載基板とマザ
ーボード基板(取付基板)のパッドにかかるせん断応力
を効果的に緩和、吸収して、高い接続信頼性を得ること
ができる。なお、この効果はスリット、切り込み、又は
溝のうちでは、中継基板本体を貫通するスリットを設け
た場合が特に優れている。
パッドを有する複数の基板と、該基板側の主平面上の上
記接続パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付
基板との間に介在させる中継基板であって、第1面と第
2面とを有する略板形状をなし、上記複数の基板を搭載
する基板搭載領域を有する中継基板本体と、上記基板搭
載領域内に形成され、上記第1面側においてそれぞれの
基板の接続パッドと接続する第1面側端子と、上記第2
面側において上記取付パッドと接続し、かつ上記第1面
側端子と電気的に接続された第2面側端子と、上記中継
基板本体に形成されたスリット、切り込み、又は溝とか
らなり、上記スリット、切り込み、又は溝は、少なくと
も上記基板搭載領域の間に形成されていることを特徴と
する中継基板を要旨とする。
適宜選択すればよいが、一般に、端子の間隔は狭く、端
子間に形成することは困難な場合が多い。複数のICチ
ップ搭載基板を中継基板に搭載する場合でも、中継基板
の端子(第1面側端子)はそれぞれのICチップ搭載基
板を搭載する領域(基板搭載領域)内のほぼ全域に、例
えば格子状に狭ピッチで形成されている場合が多い。
リット、切り込み、又は溝を基板搭載領域内ではなく、
基板搭載領域の間(基板搭載領域外)に設けることによ
り、中継基板の端子(第1面側端子)相互間の間隔に束
縛されることなく、比較的自由に形成できる。また、以
上の理由により、スリット、切り込み、又は溝を比較的
大きく、また、場合によっては複数、形成することも可
能となり、せん断応力を緩和する効果がより大きくな
る。
などによってICチップ搭載基板とマザーボード基板
(取付基板)との間、あるいは、ICチップ搭載基板と
中継基板本体との間や中継基板本体とマザーボード基板
(取付基板)との間で発生する応力を変形によって吸収
する柔らかい金属からなるものである。材質は、例え
ば、鉛(Pb)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)やこれら
を主体とする合金などが挙げられ、Pb−Sn系高温ハ
ンダ(例えば、Pb90%−Sn10%合金、Pb95
%−Sn5%合金等)やホワイトメタルなどが挙げられ
る。
述べる。
施例である中継基板1とICチップ搭載基板2とマザー
ボード基板3とを電気的に接続した構造体100の断面
図である。
bを有し、厚さ0.3mm、一辺25mmの略板形状の
中継基板本体4に複数の貫通孔5が格子状に形成されて
いる。また、中継基板本体4には、図2に示すように4
本のスリット6が貫通孔5の間に形成されている。
するICチップ搭載基板2と、マザーボード基板3との
間に介在させ、ICチップ搭載基板2の図中下面側に形
成された接続パッド12とマザーボード基板3の図中上
面側に形成された取付パッド13とをそれぞれ軟質金属
体11によって接続している。
分とするアルミナセラミックスを用いる。
ことはなく、ICチップ搭載基板やマザーボード基板の
材質を考慮したり、製造の容易さや、熱伝導率、熱膨張
係数の大きさを考慮して適宜選択すれば良い。例えば、
アルミナセラミックス、窒化アルミニウム、ムライト等
のセラミックスや、ガラス−エポキシ樹脂複合材料、ガ
ラス−BT樹脂複合材料、ポリエステル−エポキシ樹脂
複合材料等の無機あるいは有機繊維と樹脂との複合材
料、連続多孔質PTFE(ポリテトラフルオロエチレ
ン)にエポキシ樹脂を含浸させた複合材料などが挙げら
れる。
基板1の断面図の部分拡大図である。中継基板本体4に
はその上下面である第1面4aと第2面4bとの間を貫
通する複数の貫通孔5(直径0.8mm)を有する。こ
の貫通孔5は、間隔P=1.27mmの間隔で格子状に
縦横各18ヶ(合計324ヶ)穿孔されており、各貫通
孔にはそれぞれ軟質金属体11が固着されている。ま
た、図2に示すように中継基板本体4のほぼ全面にスリ
ット6(幅0.4mm)が形成されている。
の形状に限ることはなく、基板の接続端子やパッドにか
かるせん断応力を抑制、吸収して、高い接続信頼性を得
るという機能を果たす範囲で、適宜変更して適用でき
る。例えば、スリットを、中継基板本体を貫通しない切
り込み7(図4参照)、又は溝にかえてもよい。また、
例えば、アルミナセラミックスからなる中継基板本体に
形成された隙間に樹脂を注入したせん断応力を緩和する
為の構造などでもよい。これらのいずれの構造によって
も、スリットの場合と同様に基板の接続端子やパッドに
かかるせん断応力を抑制、吸収して、高い接続信頼性を
得ることができる。
テン(W)層8およびその上に形成された無電解Ni−
Bメッキ層9からなる金属層10が形成され、金属層1
0に軟質金属体11が溶着されている(図3参照)。
続する第1面側端子と、取付パッド13と接続する第2
面側端子が形成される。
置され、該中継基板本体4の第1面4aより図中上方に
突出した第1突出部11aと、第2面4bより図中上方
に突出した第2突出部11bを備え、その先端面(図中
上端面および下端面)11at、11btはいずれも中
継基板本体4(第1面4aおよび第2面4b)と略平行
な平坦面とされている。さらに、第1突出部11aの先
端面11atには、共晶ハンダ(Pb37%−Sn63
%)からなる第1面側ハンダ14が略半球状に盛り上が
って溶着されている(図3参照)。
よび第2突出部11bは、共に円錐台形でありその先端
面の径が小さくなっている。ここで、先端面11atお
よび先端面11btの径は各突出部の根元部の径の60
%以上95%以下にするとよい。なぜなら、95%以上
であると、軟質金属体11を円錐台形状の凹部を有する
治具内で形成し、製造した後に治具から取り出しにく
い。一方、60%未満であると搬送時に折れ曲がり、取
り扱いが困難となり、接続パッド12および取付パッド
13との接続強度が弱くなるからである。
ダ(Pb90%−Sn10%合金)を用いる。
ことはなく、熱膨張率の違いなどによってICチップ搭
載基板とマザーボード基板(取付基板)間、あるいは、
ICチップ搭載基板と中継基板本体間や中継基板本体と
取付基板間で発生するせん断応力を変形によって吸収す
る柔らかい金属で形成すればよい。例えば、鉛(P
b)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)やこれらを主体とす
る合金など、Pb−Sn系高温ハンダ(Pb95%−S
n5%合金)やホワイトメタルなどが挙げられる。な
お、鉛、スズ等は再結晶温度が常温であるので、塑性変
形しても再結晶するので、繰り返し応力がかかっても容
易に破断(破壊)に至らないので都合がよい。その他、
純度の高い銅(Cu)銀(Ag)も柔らかいので用いる
ことができる。
シートの時点に、パンチングにより穴開けする。スリッ
トの代わりに中継基板本体4を貫通しない切り込み7を
形成する場合には、該中継基板本体がグリーンシートの
時点に、刃を備えた金型を押し当てて加工する。また、
溝を形成する場合には、中継基板本体4がグリーンシー
トの時点に、又は、焼結後にレーザーにより加工する。
図5はスリット6、図6は切り込み7、図7は溝27の
拡大断面図である。
中継基板本体4の片側(第1面側)にのみ形成したが、
反対側(第2面側)に形成してもよく、さらに両面に形
成してもよい。
ICチップ搭載基板2およびマザーボード基板3と接続
する。
載基板として厚さ1.0mm、一辺25mmの略板形状
のICチップ搭載基板2を用意した。このICチップ搭
載基板2は、中継基板本体4と同様のアルミナセラミッ
クからなり、ICチップ31をフリップチップ接続によ
り搭載するためのフリップチップパッド15を備え、図
中下面に外部接続用端子として接続パッド12を備えて
いる(図1参照)。
で、中継基板1の軟質金属体11の位置に対応するよう
に、1.77mmの間隔で格子状に縦横各18ヶが中継
基板のスリット6を避けて配列され、下地のモリブデン
層上に無電解Ni−Bメッキが施され、さらに酸化防止
の為に薄く無電解Auメッキが施されている。また、I
Cチップ搭載基板2の内部または外部に形成された図示
しない配線によって、フリップチップパッド15と接続
パッド12とがそれぞれ接続している。
用意した。このマザーボード基板3は、厚さ1.6m
m、一辺30mmの略板形状で、ガラス−エポキシ樹脂
複合材料(JIS:FR−4)からなり、主平面(図1
上側)には、ICチップ搭載基板2の接続パッド12と
対応し、かつ、中継基板1の軟質金属体11とも対応す
る位置に、取付パッド13が形成されている。この取付
パッド13は、厚さ25μm、直径0.72mmの銅か
らなり、1.27mm間隔で格子状に縦横各18ヶが配
列されている。なお、取付パッド13の表面には、ニッ
ケルメッキ及び金メッキが施され、その上に共晶ハンダ
ペーストが溶着されている。
ザーボード基板3とを、中継基板1を介在させて接続す
る。
とを、軟質金属体11の第1突出部11a上の第1面側
ハンダ14が接続パッド12とそれぞれ位置が合うよう
に重ねる。さらに、最高温度220℃のリフロー炉を通
過させ、共晶ハンダからなる第1面側ハンダ14を溶融
させてハンダ層16とする。軟質金属体11の第1突出
部11aと接続パッド12とが、このハンダ層16を介
して接続され、中継基板1とICチップ搭載基板2の接
続体ができる。
継基板1とICチップ搭載基板2の接続体を重ね、予め
取付パッド13上に塗布した共晶ハンダペーストを介し
て、第2突出部11bの先端面11btを取付パッド1
3とそれぞれ位置を合わせるようにして突き当て、これ
らを最高温度220℃のリフロー炉を通過させて加熱す
る。
ペーストを溶融させてハンダ層17とし、ICチップ搭
載基板−中継基板−マザーボード基板の三者を電気的に
接続した構造体100が形成される。
16と取付パッド上のハンダ層17に同じ共晶ハンダを
用いた例を示したが、例えば、ハンダ層16に、共晶ハ
ンダよりも融点の高いハンダを用いることにより、ハン
ダ層17を形成する時に、ハンダ層16が溶融しないよ
うにしてもよい。
ったん中継基板1に取付けて、ICチップ搭載基板と中
継基板との接続体とした後に、さらにマザーボード基板
3に接続した例を示したが、一度に製作する方法を採る
こともできる。即ち、マザーボード基板3と中継基板1
とICチップ搭載基板2とをこの順に重ね、リフローし
て、ICチップ搭載基板2と中継基板1、および中継基
板1とマザーボード基板3とを一度に接続(ハンダ付
け)しても良い。また、中継基板とマザーボード基板と
を先に接続しておいても良い。
ップ搭載基板が一つの場合であったが、以下複数個のI
Cチップ搭載基板を中継基板を介在してマザーボードに
取り付ける場合、とくに4つのICチップ搭載基板を取
り付ける場合を示す。
基板18と4つのICチップ搭載基板とマザーボード基
板19とを電気的に接続した構造体1000の断面図で
ある。
5mmの略板形状の中継基板本体20を有する。また、
中継基板本体20には、4本のスリット21が、図9に
示すように基板搭載領域32の間に形成されている。
搭載基板が載置される領域を指し、基板搭載領域32内
には、ほぼ全域にわたり軟質金属体23が設置されてい
る(図9参照)。図9では、基板搭載領域32とその外
側との間に境界線を示したが、これはあくまで仮想的な
線であり、実際の製品(中継基板18)に示されている
わけではない。
載する4つのICチップ搭載基板とマザーボード基板1
9との間に介在させ、ICチップ搭載基板の図中下面側
に形成された接続パッド25とマザーボード基板19の
図中上面側に形成された取付パッド26とをそれぞれ軟
質金属体23によって接続している。
成分とするアルミナセラミックスを用いる。但し、上記
中継基板本体20の材質は、第1の実施例と同様にこれ
に限ることはない。
にはその上下面である第1面と第2面との間を貫通する
複数の貫通孔22(直径0.8mm)を有する。この貫
通孔22は、各配線基板搭載領域につき間隔P=1.2
7mmの間隔で格子状に縦横各36ヶ(合計1296
ヶ)穿孔されており各貫通孔22にはそれぞれ軟質金属
体23が固着されている。また、各配線基板搭載領域3
2にスリット21(幅0.4mm)が形成されている。
実施例と同様に図9の形状に限ることはなく、基板の接
続端子やパッドにかかるせん断応力を抑制、吸収して、
高い接続信頼性を得るという機能を果たす範囲で、適宜
変更して適用できる。
の実施例と同様にタングステン(W)層およびその上に
形成された無電解Ni−Bメッキ層からなる金属層が形
成され、この金属層に軟質金属体23が溶着されてい
る。
に、貫通孔22内に挿通して配置され、該中継基板本体
20の第1面より図中上方に突出した第1突出部と、第
2面より図中上方に突出した第2突出部を備え、その先
端面(図中上端面および下端面)はいずれも中継基板本
体20の第1面および第2面と略平行な平坦面とされて
いる。さらに、第1突出部の先端面には、共晶ハンダ
(Pb37%−Sn63%)からなる第1面側ハンダが
略半球状に盛り上がって溶着されている。
ハンダ(Pb90%−Sn10%合金)を用いる。
施例と同様にこれに限ることはなく、熱膨張率の違いな
どによってICチップ搭載基板とマザーボード基板(取
付基板)間、あるいは、ICチップ搭載基板と中継基板
本体間や中継基板本体と取付基板間で発生する応力を変
形によって吸収する柔らかい金属で形成すればよい。
1は、第1の実施例と同様に加工、形成される。
してICチップ搭載基板およびマザーボード基板19と
接続する。
厚さ1.0mm、一辺25mmの略板形状のICチップ
搭載基板4つを用意した。これらのICチップ搭載基板
は、中継基板本体18と同様のアルミナセラミックから
なり、ICチップ31をフリップチップ接続により搭載
するためのフリップチップパッド24を備え、図中下面
に外部接続用端子として接続パッド25を備えている
(図8参照)。
で、中継基板18の軟質金属体23の位置に対応するよ
うに、1.77mmの間隔で格子状に縦横各36ヶが中
継基板のスリット21を避けて配列され、下地のモリブ
デン層上に無電解Ni−Bメッキが施され、さらに酸化
防止の為に薄く無電解Auメッキが施されている。ま
た、ICチップ搭載基板の内部または外部に形成された
図示しない配線によって、フリップチップパッド24と
接続パッド25とがそれぞれ接続している。
このマザーボード基板19は、厚さ1.6mm、一辺6
0mmの略板形状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料
(JIS:FR−4)からなり、主平面(図8上側)に
は、ICチップ搭載基板の接続パッド25と対応し、か
つ、中継基板18の軟質金属体23とも対応する位置
に、取付パッド26が形成されている。この取付パッド
26は、厚さ25μm、直径0.72mmの銅からな
り、1.27mm間隔で格子状に縦横各36ヶが配列さ
れている。なお、取付パッド26の表面には、ニッケル
メッキ及び金メッキが施され、その上に共晶ハンダペー
ストが溶着されている。
ICチップ搭載基板とマザーボード基板19とを、中継
基板18を介在させて接続する。
載基板とをICチップ搭載基板が基板搭載領域32内に
位置するようにし、軟質金属体23の第1突出部上の第
1面側ハンダが接続パッド25とそれぞれ位置が合うよ
うに重ねる。さらに、最高温度220℃のリフロー炉を
通過させ、共晶ハンダからなる第1面側ハンダを溶融さ
せてハンダ層とする。軟質金属体23の第1突出部と接
続パッド25とが、このハンダ層を介して接続され、中
継基板18とICチップ搭載基板の接続体ができる。
中継基板18とICチップ搭載基板の接続体を重ね、予
め取付パッド26上に塗布した共晶ハンダペーストを介
して、第2突出部の先端面を取付パッド26とそれぞれ
位置を合わせるようにして突き当て、これらを最高温度
220℃のリフロー炉を通過させて加熱する。
ダペーストを溶融させてハンダ層とし、ICチップ搭載
基板−中継基板−マザーボード基板の三者を電気的に接
続した構造体1000が形成される。
ダ層と取付パッド26上のハンダ層に同じ共晶ハンダを
用いた例を示したが、例えば、接続パッド25上のハン
ダ層に、共晶ハンダよりも融点の高いハンダを用いるこ
とにより、取付パッド26上のハンダ層を形成する時
に、接続パッド25上のハンダ層が溶融しないようにし
てもよい。
をいったん中継基板18に取付けて、ICチップ搭載基
板と中継基板との接続体とした後に、さらにマザーボー
ド基板19に接続した例を示したが、一度に製作する方
法を採ることもできる。即ち、マザーボード基板19と
中継基板18とICチップ搭載基板とをこの順に重ね、
リフローして、ICチップ搭載基板と中継基板18、お
よび中継基板18とマザーボード基板19とを一度に接
続(ハンダ付け)しても良い。また、中継基板18とマ
ザーボード基板19とを先に接続しておいても良い。
ば、ICチップ搭載基板とマザーボード基板を該中継基
板を介して接続する場合に、中継基板の接続端子やIC
チップ搭載基板とマザーボード基板のパッドにかかるせ
ん断応力を抑制、吸収して、高い接続信頼性を得ること
ができる。
継基板を介在させてマザーボードに取り付ける場合な
ど、該中継基板がより大型化して、基板の接続端子やパ
ッドにかかるせん断応力がより大きくなるときには、本
発明により大型化した中継基板が、複数の小さなサイズ
の中継基板の集合体のような形状になり、基板の接続端
子やパッドにかかるせん断応力を抑制、吸収して、基板
に形成したパッドとハンダと接続部近傍のハンダ部の破
壊を防ぎ、高い接続信頼性を得ることができる。
置を用いて接続する際にも、中継基板本体のスリット、
切り込み、又は溝などの構造のパターンが位置決めをす
るときの標識となり、装置が取付位置を正確に認識する
ことができ、正確に接続をすることができる効果もあ
る。これにより、製品の歩留まりを高めることができ
る。
み、溝を形成する場合には、その分中継基板の軽量化を
計ることができる。
ップ搭載基板とマザーボード基板からなる構造体の断面
図である。
る。
ある。
る。
たスリットの拡大断面図である。
た切り込みの拡大断面図である。
た溝の拡大断面図である。
ップ搭載基板とマザーボード基板からなる構造体の断面
図である。
る。
の構造体の断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 一方の主平面上に接続パッドを有する基
板と、該基板側の主平面上の上記接続パッドに対応する
位置に取付パッドを有する取付基板との間に介在させる
中継基板であって、 第1面と第2面とを有する略板形状をなす中継基板本体
と、 第1面側において上記接続パッドと接続する第1面側端
子と、 第2面側において上記取付パッドと接続し、かつ上記第
1面側端子と電気的に接続された第2面側端子とを備え、 上記中継基板本体はせん断応力を緩和する為の構造を有
していることを特徴とする中継基板。 - 【請求項2】一方の主平面上に接続パッドを有する基板
と、該基板側の主平面上の上記接続パッドに対応する位
置に取付パッドを有する取付基板との間に介在させる中
継基板であって、 第1面と第2面とを有する略板形状をなす中継基板本体
と、 第1面側において上記接続パッドと接続する第1面側端
子と、 第2面側において上記取付パッドと接続し、かつ上記第
1面側端子と電気的に接続された第2面側端子と、 上記中継基板本体に形成されたスリット、切り込み、又
は溝と、を備えることを特徴とする中継基板。 - 【請求項3】 一方の主平面上に接続パッドを有する複
数の基板と、該基板側の主平面上の上記接続パッドに対
応する位置に取付パッドを有する取付基板との間に介在
させる中継基板であって、 第1面と第2面とを有する略板形状をなし、上記複数の
基板を搭載する基板搭載領域を有する中継基板本体と、 上記基板搭載領域内に形成され、上記第1面側において
それぞれの基板の接続パッドと接続する第1面側端子
と、 上記第2面側において上記取付パッドと接続し、かつ上
記第1面側端子と電気的に接続された第2面側端子と、 上記中継基板本体に形成されたスリット、切り込み、又
は溝とからなり、 上記スリット、切り込み、又は溝は、少なくとも上記基
板搭載領域の間に形成されていることを特徴とする中継
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26982698A JP2000100999A (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 中継基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26982698A JP2000100999A (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 中継基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000100999A true JP2000100999A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17477724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26982698A Pending JP2000100999A (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 中継基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000100999A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006515712A (ja) * | 2002-10-24 | 2006-06-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 熱伝導性基板パッケージ |
JP2009542299A (ja) * | 2006-07-07 | 2009-12-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 選択的レーザー焼結により作られた構造要素を用いた電磁放射線の選択透過のための格子 |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP26982698A patent/JP2000100999A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006515712A (ja) * | 2002-10-24 | 2006-06-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 熱伝導性基板パッケージ |
JP2009542299A (ja) * | 2006-07-07 | 2009-12-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 選択的レーザー焼結により作られた構造要素を用いた電磁放射線の選択透過のための格子 |
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