JP2000100570A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

Info

Publication number
JP2000100570A
JP2000100570A JP10271054A JP27105498A JP2000100570A JP 2000100570 A JP2000100570 A JP 2000100570A JP 10271054 A JP10271054 A JP 10271054A JP 27105498 A JP27105498 A JP 27105498A JP 2000100570 A JP2000100570 A JP 2000100570A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
light emitting
emitting device
metal complex
unsubstituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10271054A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Kohama
亨 小濱
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
Akiko Takano
明子 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP10271054A priority Critical patent/JP2000100570A/ja
Publication of JP2000100570A publication Critical patent/JP2000100570A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】発光効率が高く、高輝度で色純度に優れた、発
光素子を提供する。 【解決手段】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
子が1,2,4−トリアゾール骨格を有する配位子から
なる金属錯体含むことを特徴とする発光素子である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】負極から注入された電子と正極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光する有機積層薄膜発光素子の研究が近年活発に
行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下での高
輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴で
ある。
【0003】有機積層薄膜素子が高輝度に発光すること
は、コダック社のC.W.Tangらによって初めて示
された(Appl.Phys.Lett.51(12)
21、p.913、1987)。コダック社の提示した
有機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス
基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であり、
電子輸送性も併せ持った8−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム、そして負極としてMg:Agを順次設けたもの
であり、10V程度の駆動電圧で1000カンデラ/平
方メートルの緑色発光が可能であった。現在の有機積層
薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他に、電子輸送
層を別に設けているものなど構成を変えているものもあ
るが、基本的にはコダック社の構成を踏襲している。
【0004】発光層はホスト材料のみや、ホスト材料に
ゲスト材料をドーピングして構成される。ホスト材料と
しては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを始
めとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジアリー
ルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、ベンズオキサ
ゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体(特開昭63−
264692号公報)などがあげられる。
【0005】一方、ゲスト材料としてのドーパント材料
には、レーザー染料として有用であることが知られてい
る、7−ジメチルアミノ−4−メチルクマリンを始めと
する蛍光性クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染
料、ジシアノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染
料、シアニン染料、オキソベンズアンスラセン染料、キ
サンテン染料、ローダミン染料、フルオレセイン染料、
ピリリウム染料、カルボスチリル染料、ペリレン染料、
アクリジン染料、ビス(スチリル)ベンゼン染料、ピレ
ン染料、オキサジン染料、フェニレンオキサイド染料
(特開昭63−264692号公報)、ペリレン、テト
ラセン、ペンタセン(特開平2−261889号公
報)、キナクリドン化合物、キナゾリン化合物(特開平
5−70773号公報)ピロロピリジン化合物、フロピ
リジン化合物(特開平5−222360号公報)、1,
2,5−チアジアゾロピレン誘導体(特開平5−222
361号公報)、ペリノン誘導体(特開平5−2796
62号公報)、ピロロピロール化合物(特開平5−32
0663号公報)、スクアリリウム化合物(特開平6−
93257号公報)、ビオラントロン化合物(特開平7
−90259号公報)、フェナジン誘導体(特開平7−
102250号公報)、アクリドン化合物(特開平8−
67873号公報)、ジアザフラビン誘導体(特開平9
−78058号公報)などが知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術に用
いられる発光材料(ホスト材料、ドーパント材料)に
は、発光効率が低く消費電力が高いものや、化合物の耐
久性が低く素子寿命の短いものが多かった。また、フル
カラーディスプレイとして赤色、緑色、青色の三原色発
光が求められているが、赤色、青色発光においては、発
光波長を満足させるものは少なく、発光ピークの幅も広
く色純度が良いものは少ない。中でも青色発光におい
て、耐久性に優れ十分な輝度と色純度特性を示すものが
必要とされている。
【0007】本発明は、かかる従来技術の問題を解決
し、発光効率が高く、高輝度で色純度に優れた発光素子
を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、正極と負極の
間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発
光する素子であって、該素子が1,2,4−トリアゾー
ル骨格を有する配位子からなる金属錯体を含むことを特
徴とする発光素子である。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明における正極は、光を取り
出すために透明であれば、酸化錫、酸化インジウム、酸
化錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、あ
るいは、金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅
などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、ポリアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定され
るものでないが、ITOガラスやネサガラスを用いるこ
とが特に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分
な電流が供給できればよいので限定されないが、素子の
消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例
えば300Ω/□以下のITO基板であれば素子電極と
して機能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給
も可能になっていることから、20Ω/□以下の低抵抗
の基板を使用することが特に望ましい。ITOの厚みは
抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常100
〜300nmの間で用いられることが多い。また、ガラ
ス基板はソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが
用いられ、また厚みも機械的強度を保つのに十分な厚み
があればよいので、0.7mm以上あれば十分である。
ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少
ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、
SiO2などのバリアコートを施したソーダライムガラ
スも市販されているのでこれを使用できる。ITO膜形
成方法は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学
反応法など特に制限を受けるものではない。
【0010】本発明における負極は、電子を効率よく、
発光を司る物質または発光を司る物質に隣接する物質
(例えば電子輸送層)に注入できる物質であれば特に限
定されない。一般的には白金、金、銀、銅、鉄、錫、ア
ルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリ
ウム、カルシウム、マグネシウムなどがあげられる。電
子注入効率を上げて素子特性を向上させるためには、リ
チウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシ
ウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効であ
る。しかし、これら低仕事関数金属は一般に大気中で不
安定であることが多く、電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれらの金属を用いた合金、そしてシリカ、
チタニアなどの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビ
ニルなどのポリマを積層することが好ましい。これらの
電極の作製法も、抵抗加熱法蒸着、電子ビーム蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、コーティ
ング法など導通を取ることができれば、特に制限されな
い。
【0011】本発明における発光を司る物質の構成は、
1)正孔輸送材料/発光材料、2)正孔輸送材料/発光
材料/電子輸送材料、3)発光材料/電子輸送材料、そ
して、4)以上の組合わせ物質を一層に混合した形態、
のいずれであってもよい。即ち、上記1)〜3)の多層
積層構造の他に,4)のように発光材料単独または発光
材料と正孔輸送材料、あるいは発光材料と正孔輸送材料
および電子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよ
い。
【0012】発光材料はホスト材料のみでも、ホスト材
料とドーパント材料の組み合わせでも、いずれであって
もよい。また、ドーパント材料はホスト材料の全体に含
まれていても、部分的に含まれていても、いずれであっ
てもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散さ
れていても、いずれであってもよい。
【0013】本発明における正孔輸送材料としては、電
界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率良
く輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入さ
れた正孔を効率良く輸送することが望ましい。そのため
にはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度
が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物
が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが
要求される。このような条件を満たす物質として、特に
限定されるものではないが、ビスカルバゾリル誘導体、
TPD、m−MTDATA、α−NPDなどのトリフェ
ニルアミン誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化
合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体や
フタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、ポリ
ビニルカルバゾール、ポリシランなどの既知の正孔輸送
材料を使用できる。これらの正孔輸送材料は単独でも用
いられるが、異なる正孔輸送材料と積層または混合して
使用しても構わない。
【0014】本発明における発光材料は下記一般式
(1)で表される1,2,4−トリアゾール骨格を有す
る配位子からなる金属錯体を含有する。
【0015】
【化7】 ここでR1〜R3はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
く、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中から選
ばれる。但し、一般式(1)のR1〜R3の少なくとも
1つは、金属錯体を形成するのに必要な、水酸基、メル
カプト基、無置換あるいは一置換アミノ基、無置換カル
ボキシル基のいずれかを有する。
【0016】これらの置換基の説明の内、アルキル基と
は例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置
換されていてもかまわない。また、シクロアルキル基と
は例えばシクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニ
ル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、
これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、
アラルキル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基
などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示
し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換
でも置換されていてもかまわない。また、アルケニル基
とは例えばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの
二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、シクロ
アルケニル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロペ
ンタジエニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含
む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置
換されていてもかまわない。また、アルキニル基とは例
えばアセチレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族
炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていても
かまわない。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ基
などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、
脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわ
ない。また、アルキルチオ基とはアルコキシ基のエーテ
ル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。
また、アリールエーテル基とは例えばフェノキシ基など
のエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香
族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわな
い。また、アリールチオエーテル基とはアリールエーテ
ル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換された
ものである。また、アリール基とは例えばフェニル基、
ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフ
ェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、
これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、
複素環基とは例えばフリル基、チエニル基、オキサゾリ
ル基、ピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基などの
炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置
換でも置換されていてもかまわない。ハロゲンとはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。ハロアルカン、ハロア
ルケン、ハロアルキンとは例えばトリフルオロメチル基
などの、前述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基の一部あるいは全部が、前述のハロゲンで置換された
ものを示し、残りの部分は無置換でも置換されていても
かまわない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換され
たものも含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素、複素環は無置換でも置換されてい
てもかまわない。シリル基とは例えばトリメチルシリル
基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換
されていてもかまわない。シロキサニル基とは例えばト
リメチルシロキサニル基などのエーテル結合を介したケ
イ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていて
もかまわない。隣接置換基との間に形成される環構造は
無置換でも置換されていてもかまわない。
【0017】金属錯体を形成する金属については特に限
定されるものではないが、例えばリチウム、ナトリウ
ム、カリウム、ベリリウム、カルシウム、亜鉛、アルミ
ニウム、ガリウムなどがあげられる。
【0018】本発明における一般式(1)の1,2,4
−トリアゾール骨格を有する配位子は配位能を有する、
水酸基、メルカプト基、無置換あるいは一置換アミノ
基、無置換カルボキシル基のいずれかを有するが、中で
も水酸基を有することが好ましく、具体的には一般式
(3)〜(5)で表される配位子があげられる。
【0019】
【化8】
【化9】
【化10】 ここでR1〜R3、R7〜R10はそれぞれ同じでも異
なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
アルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構造
の中から選ばれる。
【0020】これらの置換基の説明については、上述し
たものと同様である。
【0021】上記のトリアゾ−ル骨格を有する配位子と
して、具体的には下記のような構造があげられる。
【0022】
【化11】
【化12】 また、本発明における発光材料は下記一般式(2)で表
される1,2,4−トリアゾール骨格を有する配位子か
らなる金属錯体を含有する。
【0023】
【化13】 ここでR4〜R6はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
く、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中から選
ばれる。但し、一般式(2)のR5、R6の少なくとも
1つは、金属錯体を形成するのに必要な、水酸基、メル
カプト基、無置換あるいは一置換アミノ基、無置換カル
ボキシル基のいずれかを有する。
【0024】さらに、本発明における一般式(2)の
1,2,4−トリアゾール骨格を有する配位子は配位能
を有する、水酸基、メルカプト基、無置換あるいは一置
換アミノ基、無置換カルボキシル基のいずれかを有する
が、中でも水酸基を有することが好ましく、具体的には
下記一般式(6)で表される配位子があげられる。
【0025】
【化14】 ここでR4〜R6、R11〜R14はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
アルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構造
の中から選ばれる。
【0026】これらの置換基の説明については、上述し
たものと同様である。
【0027】上記のトリアゾ−ル骨格を有する配位子と
して、具体的には下記のような構造があげられる。
【0028】
【化15】
【化16】 トリアゾ−ル骨格を有する金属錯体はドーパント材料と
して用いてもかまわないが、優れた電子輸送能を有する
ことから、ホスト材料として好適に用いられる。
【0029】発光材料のホスト材料はトリアゾ−ル骨格
を有する金属錯体を有する化合物一種のみに限る必要は
なく、複数のトリアゾ−ル骨格を有する金属錯体を混合
して用いたり、既知のホスト材料の一種類以上をトリア
ゾ−ル骨格を有する金属錯体と混合して用いてもよい。
既知のホスト材料としては特に限定されるものではない
が、以前から発光体として知られていたアントラセンや
ピレンなどの縮合環誘導体、トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウムを始めとする金属キレート化オキシノ
イド化合物、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチ
リルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラ
フェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導
体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポ
リフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導
体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使用できる。
【0030】発光材料に添加するドーパント材料は、特
に限定されるものではないが、具体的には従来から知ら
れている、ペリレン、ルブレンなどの縮合環誘導体、キ
ナクリドン誘導体、フェノキサゾン660、DCM1、
ペリノン、クマリン誘導体などがそのまま使用できる
が、特にイソベンゾフラン誘導体が好適に用いられる。
【0031】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、8−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘
導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属
錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン、
クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナ
ントロリン誘導体などがあるが特に限定されるものでは
ない。本発明におけるトリアゾ−ル骨格を有する金属錯
体も、優れた電子輸送能を有することから、電子輸送材
料としても好適に用いることができる。これらの電子輸
送材料は単独でも用いられるが、異なる電子輸送材料と
積層または混合して使用しても構わない。
【0032】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカ−ボネ
−ト、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾ−
ル)、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロ−
ス、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン樹脂などの
溶剤可溶性樹脂や、フェノ−ル樹脂、キシレン樹脂、石
油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能で
ある。
【0033】本発明における発光を司る物質の形成方法
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
法、分子積層法、コーティング法など特に限定されるも
のではないが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着
が特性面で好ましい。層の厚みは発光を司る物質の抵抗
値にもよるので限定できないが、経験的には10〜10
00nmの間から選ばれる。
【0034】本発明における電気エネルギーとは主に直
流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも
可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、
素子の消費電力、寿命を考慮すると、できるだけ低いエ
ネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきであ
る。
【0035】本発明の発光素子はマトリクスまたはセグ
メント方式、あるいはその両者を組み合わせることによ
って表示するディスプレイを構成することが好ましい。
【0036】本発明におけるマトリクスは、表示のため
の画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合で
文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途によ
って決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画像
および文字表示には、通常、一辺が300μm以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には赤、緑、青の
画素を並べて表示させる。この場合典型的にはデルタタ
イプとストライプタイプがある。尚、本発明における発
光素子は、赤、緑、青色発光が可能であるので、前記表
示方法を用いれば、マルチカラーまたはフルカラー表示
もできる。そして、このマトリクスの駆動方法として
は、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちら
でもよい。線順次駆動の方が構造が簡単という利点があ
るが、動作特性を考慮するとアクティブマトリックスの
方が優れる場合があるので、これも用途により使い分け
ることが必要である。
【0037】本発明におけるセグメントタイプは、予め
決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決
められた領域を発光させる。例えば、デジタル時計や温
度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調
理器などの動作状態表示、自動車のパネル表示などがあ
げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表
示は同じパネルの中に共存していてもよい。
【0038】本発明の発光素子はバックライトとしても
好ましく用いられる。本発明におけるバックライトは、
主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に
使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動
車パネル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表
示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途
のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導
光板からなっているため薄型化が困難であることを考え
ると、本発明におけるバックライトは薄型、軽量が特徴
になる。
【0039】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【0040】実施例1 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子社製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を30
×40mmに切断、エッチングを行った。得られた基板
をアセトン、セミコクリン56で各々15分間超音波洗
浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルア
ルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに
15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製
する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内
に設置して、装置内の真空度が5×10-5Pa以下にな
るまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材
料として4,4’−ビス(N−(m−トリル)−N−フ
ェニルアミノ)ビフェニルを100nm蒸着した。次に
ホスト材料として2−フェニル−3−(2−ヒドロキシ
フェニル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール
の亜鉛錯体を100nmの厚さに積層した。次にリチウ
ムを0.5nm、アルミニウムを200nm蒸着して陰
極とし、5×5mm角の素子を作製した。ここで言う膜
厚は表面粗さ計での測定値で補正した水晶発振式膜厚モ
ニター表示値である。この発光素子からは良好な青色発
光が得られた。
【0041】比較例1 ホスト材料としてビス(2−メチルキノリノラート)
(2−ピリジノラート)アルミニウム(III)を用い
た以外は実施例1と全く同様にして作製した発光素子か
らは青緑発光しか得られなかった。
【0042】実施例2 正孔輸送材料として銅フタロシアニンを20nm、3,
3’ビス(エチルカルバゾール)を100nm用いた以
外は実施例1と全く同様にして作製した発光素子からは
良好な青色発光が得られた。
【0043】実施例3 ホスト材料として2−フェニル−3−(2−ヒドロキシ
フェニル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール
の亜鉛錯体を、ドーパント材料として1,3−ジフェニ
ルイソベンゾフランを用いて、ドーパントが1wt%に
なるように30nmの厚さに共蒸着し、次にホスト材料
単独で70nmの厚さに積層した以外は実施例1と全く
同様にして作製した発光素子からは良好な青色発光が得
られた。
【0044】実施例4 ホスト材料として3−(2−ヒドロキシフェニル)−4
−フェニル−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール
の亜鉛錯体を用いた他は実施例1と全く同様にして作製
した発光素子からは良好な青色発光が得られた。
【0045】実施例5 正孔輸送材料として銅フタロシアニンを20nm、3,
3’ビス(エチルカルバゾール)を100nm用いた以
外は実施例4と全く同様にして作製した発光素子からは
良好な青色発光が得られた。
【0046】実施例6 ホスト材料として3−(2−ヒドロキシフェニル)−4
−フェニル−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール
の亜鉛錯体を、ドーパント材料として1,3−ジフェニ
ルイソベンゾフランを用いて、ドーパントが1wt%に
なるように30nmの厚さに共蒸着し、次にホスト材料
単独で70nmの厚さに積層した以外は実施例4と全く
同様にして作製した発光素子からは良好な青色発光が得
られた。
【0047】
【発明の効果】本発明は、発光効率が高く、高輝度で色
純度に優れた、発光素子を提供できるものである。特に
青色発光にとって有効なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB17 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
    し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
    子が1,2,4−トリアゾール骨格を有する配位子から
    なる金属錯体を含むことを特徴とする発光素子。
  2. 【請求項2】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
    し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
    子が下記一般式(1)で表される1,2,4−トリアゾ
    ール骨格を有する配位子からなる金属錯体を含むことを
    特徴とする請求項1記載の発光素子。 【化1】 (ここでR1〜R3はそれぞれ同じでも異なっていても
    よく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキ
    ル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
    基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
    オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
    アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
    アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
    ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
    ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
    基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中から選
    ばれる。但し、R1〜R3の少なくとも1つは、金属錯
    体を形成するのに必要な、水酸基、メルカプト基、無置
    換あるいは一置換アミノ基、無置換カルボキシル基のい
    ずれかを有する。)
  3. 【請求項3】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
    し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
    子が下記一般式(2)で表される1,2,4−トリアゾ
    ール骨格を有する配位子からなる金属錯体を含むことを
    特徴とする請求項1記載の発光素子。 【化2】 (ここでR4〜R6はそれぞれ同じでも異なっていても
    よく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキ
    ル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
    基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
    オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
    アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
    アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
    ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
    ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
    基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中から選
    ばれる。但し、R5、R6の少なくとも1つは、金属錯
    体を形成するのに必要な、水酸基、メルカプト基、無置
    換あるいは一置換アミノ基、無置換カルボキシル基のい
    ずれかを有する。)
  4. 【請求項4】一般式(1)のトリアゾール骨格を有する
    配位子が下記一般式(3)〜一般式(5)のいずれかで
    表されることを特徴とする請求項2記載の発光素子。 【化3】 【化4】 【化5】 (ここでR1〜R3、R7〜R10はそれぞれ同じでも
    異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキ
    ル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
    基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ
    基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
    オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
    アルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、ア
    ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
    基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
    シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構造
    の中から選ばれる。)
  5. 【請求項5】一般式(2)のトリアゾール骨格を有する
    配位子が下記一般式(6)で表されることを特徴とする
    請求項3記載の発光素子。 【化6】 (ここでR4〜R6、R11〜R14はそれぞれ同じで
    も異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアル
    キル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニ
    ル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキ
    シ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリール
    チオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハ
    ロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、
    アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステ
    ル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル
    基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環
    構造の中から選ばれる。)
  6. 【請求項6】該金属錯体が発光材料であることを特徴と
    する請求項1〜5のいずれか記載の発光素子。
  7. 【請求項7】該金属錯体が電子輸送材料であることを特
    徴とする請求項1〜5のいずれか記載の発光素子。
  8. 【請求項8】発光素子がマトリクスおよび/またはセグ
    メント方式によって表示するディスプレイを構成するこ
    とを特徴とする請求項1〜7のいずれか記載の発光素
    子。
  9. 【請求項9】発光素子がバックライトであることを特徴
    とする請求項1〜7のいずれか記載の発光素子。
JP10271054A 1998-09-25 1998-09-25 発光素子 Pending JP2000100570A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10271054A JP2000100570A (ja) 1998-09-25 1998-09-25 発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10271054A JP2000100570A (ja) 1998-09-25 1998-09-25 発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000100570A true JP2000100570A (ja) 2000-04-07

Family

ID=17494770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10271054A Pending JP2000100570A (ja) 1998-09-25 1998-09-25 発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000100570A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146368A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
WO2006114377A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Electroluminescent device
WO2007026847A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Hodogaya Chemical Co., Ltd. ピリジル基で置換されたトリアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9090569B2 (en) 2004-11-18 2015-07-28 Synta Pharmaceuticals Corp. Triazone compounds that modulate HSP90 activity

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146368A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP4631259B2 (ja) * 2002-10-03 2011-02-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US9090569B2 (en) 2004-11-18 2015-07-28 Synta Pharmaceuticals Corp. Triazone compounds that modulate HSP90 activity
WO2006114377A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Electroluminescent device
KR101402633B1 (ko) * 2005-04-28 2014-06-03 시바 홀딩 인크 전기발광 장치
US9113536B2 (en) 2005-04-28 2015-08-18 Basf Se Electroluminescent device
WO2007026847A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Hodogaya Chemical Co., Ltd. ピリジル基で置換されたトリアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102964338A (zh) * 2005-08-31 2013-03-13 保土谷化学工业株式会社 具有被吡啶基取代的***环结构的化合物和有机电致发光器件
JP5175099B2 (ja) * 2005-08-31 2013-04-03 保土谷化学工業株式会社 ピリジル基で置換されたトリアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4876311B2 (ja) 発光素子
JP4876333B2 (ja) 発光素子
JP2001057292A (ja) 発光素子
JP2001023777A (ja) 発光素子
JP2002063988A (ja) 発光素子
JP2002015871A (ja) 発光素子
JP2001006877A (ja) 発光素子
JP2001118683A (ja) 発光素子
JP2001196182A (ja) 発光素子
JP2001332384A (ja) 発光素子
JP2000323278A (ja) 発光素子
JP2001291590A (ja) 発光素子
JP4000711B2 (ja) 発光素子
JP4729776B2 (ja) 発光素子
JP2001291590A5 (ja)
JP2000299186A5 (ja)
JP2001250689A (ja) 発光素子
JP2000100569A (ja) 発光素子
JP4048645B2 (ja) 発光素子
JP2002008866A (ja) 発光素子
JP2001332385A (ja) 発光素子
JPH11329729A (ja) 発光素子
JP2002134274A (ja) 発光素子
JP2000100570A (ja) 発光素子
JP2002289351A (ja) 発光素子