JP2001250689A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JP2001250689A
JP2001250689A JP2000061980A JP2000061980A JP2001250689A JP 2001250689 A JP2001250689 A JP 2001250689A JP 2000061980 A JP2000061980 A JP 2000061980A JP 2000061980 A JP2000061980 A JP 2000061980A JP 2001250689 A JP2001250689 A JP 2001250689A
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light emitting
emitting device
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Application number
JP2000061980A
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English (en)
Inventor
Takeshi Tominaga
剛 富永
Toru Kohama
亨 小濱
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】発光効率が高く、高輝度で色純度に優れた発光
素子を提供する。 【解決手段】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子において、該素子が一般
式(1)で表される化合物を含むことを特徴とする発光
素子。 【化1】 (ここでR1〜R5はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
く、結合、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラ
ルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリー
ルチオエーテル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ
ル基、ハロゲン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル
基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、ア
ミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置
換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。Zは
酸素、置換もしくは無置換の窒素のいずれかより選ばれ
る。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。
【0003】この研究は、コダック社のC.W.Tan
gらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来(Appl.Phys.Lett.51(12)
21,p.913,1987)、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である8−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてM
g:Agを順次設けたものであり、10V程度の駆動電
圧で1000cd/m2の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。
【0004】発光層はホスト材料のみや、ホスト材料に
ゲスト材料をドーピングして構成される。三原色の発光
材料の中では緑色発光材料の研究が最も進んでおり、現
在は赤色発光材料と青色発光材料において、特性向上を
目指して鋭意研究がなされている。特に青色発光におい
て、耐久性に優れ十分な輝度と色純度特性を示すものが
望まれている。
【0005】ホスト材料としては、トリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウムを始めとするキノリノール誘導体
の金属錯体、ベンゾキノリノールの金属錯体、ベンズオ
キサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、チアジア
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などがあげられる。
【0006】青色発光用のホスト材料としては、キノリ
ノール誘導体と異なる配位子を組み合わせた金属錯体、
ベンゾイミダゾール誘導体などがあげられ、ビススチリ
ルベンゼン誘導体(特開平4−117485号公報)な
どは比較的良い特性を示すが、特に色純度が十分ではな
い。また、本発明類似の構造を有する化合物として特開
平8−104867号公報があるが、これはアミド結合
を有する芳香環を有しているために黄緑色発光を有し、
青色発光用および電子輸送用材料として有用である本発
明とはコンセプトから異なっている。さらに、特開平8
−298186号公報および特開平11−149982
号公報では本発明の構造と酸素原子の位置が異なるもの
があるが、これらはそれぞれ赤色および青緑色発光であ
り、本発明のような青色発光は得られていない。
【0007】一方、ゲスト材料としてのドーパント材料
には、レーザー染料として有用であることが知られてい
る、7−ジメチルアミノ−4−メチルクマリンを始めと
する蛍光性クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染
料、ジシアノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染
料、シアニン染料、オキソベンズアンスラセン染料、キ
サンテン染料、ローダミン染料、フルオレセイン染料、
ピリリウム染料、カルボスチリル染料、ペリレン染料、
アクリジン染料、ビス(スチリル)ベンゼン染料、ピレ
ン染料、オキサジン染料、フェニレンオキサイド染料、
ペリレン、テトラセン、ペンタセン、キナクリドン化合
物、ピロロピリジン化合物、フロピリジン化合物、1,
2,5−チアジアゾロピレン誘導体、ペリノン誘導体、
ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、ビオラ
ントロン化合物、フェナジン誘導体、アクリドン化合
物、ジアザフラビン誘導体などが知られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術に用
いられる発光材料(ホスト材料、ドーパント材料)に
は、発光効率が低く消費電力が高いものや、化合物の耐
久性が低く素子寿命の短いものが多かった。また、フル
カラーディスプレイとして赤色、緑色、青色の三原色発
光が求められているが、赤色、青色発光においては、発
光波長を満足させるものは少なく、発光ピークの幅も広
く色純度が良いものは少ない。中でも青色発光におい
て、耐久性に優れ十分な輝度と色純度特性を示すものが
必要とされている。
【0009】本発明は、かかる従来技術の問題を解決
し、発光効率が高く、高輝度で色純度に優れた発光素子
を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、陽極と陰極の
間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する
素子において、素子が下記一般式(1)で表される化合
物を含むことを特徴とする発光素子である。
【0011】
【化5】
【0012】(ここでR1〜R5はそれぞれ同じでも異な
っていてもよく、結合、水素、アルキル基、シクロアル
キル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニ
ル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテ
ル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環
基、ヒドロキシル基、ハロゲン、シアノ基、アルデヒド
基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カル
バモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサ
ニル基、隣接置換基との間に形成される環構造の中から
選ばれる。Zは酸素、置換もしくは無置換の窒素のいず
れかより選ばれる。)
【0013】
【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるもの
でないが、ITOガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば3
00Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機
能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能
になっていることから、低抵抗品を使用することが特に
望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ
事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5
mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、
ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカ
リガラスの方が好ましいが、SiO2などのバリアコー
トを施したソーダライムガラスも市販されているのでこ
れを使用できる。ITO膜形成方法は、電子線ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。
【0014】陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウ
ム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率
をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、
これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であ
ることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグ
ネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドー
ピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい
例として挙げることができるが、フッ化リチウムのよう
な無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定
されるものではない。更に電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコー
ル、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層すること
が好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法
も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプ
レーティング、コーティングなど導通を取ることができ
れば特に制限されない。
【0015】本発明の発光物質とは、1)正孔輸送層/
発光層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、3)発
光層/電子輸送層、そして、4)以上の組合わせ物質を
一層に混合した形態、5)正孔輸送層/発光層/正孔阻
止層/電子輸送層、6)発光層/正孔阻止層/電子輸送
層そして、7)以上の組合わせ物質を一層に混合した形
態のいずれであってもよい。即ち、素子構成としては、
上記1)〜6)の多層積層構造の他に7)のように発光
材料単独または発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料
を含む層を一層設けるだけでもよい。さらに、本発明に
おける発光物質は自ら発光するもの、その発光を助ける
もののいずれにも該当し、発光に関与している化合物、
層などを指すものである。
【0016】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはTPD、m−MTDATA、α−NPDなどのト
リフェニルアミン類、ビス(N−アリルカルバゾール)
またはビス(N−アルキルカルバゾール)類、ピラゾリ
ン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、
オキサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポル
フィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系
では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチ
レン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなど
が好ましいが、素子作製に必要な薄膜を形成し、陽極か
ら正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物で
あれば特に限定されるものではない。
【0017】発光材料はホスト材料のみでも、ホスト材
料とドーパント材料の組み合わせでも、いずれであって
もよい。また、ドーパント材料はホスト材料の全体に含
まれていても、部分的に含まれていても、いずれであっ
てもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散さ
れていても、いずれであってもよい。
【0018】本発明における発光材料は下記一般式
(1)で表される化合物を含有する。
【0019】
【化6】
【0020】ここでR1〜R5はそれぞれ同じでも異なっ
ていてもよく、結合、水素、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル
基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、
ヒドロキシル基、ハロゲン、シアノ基、アルデヒド基、
カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモ
イル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
基、隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ば
れる。Zは酸素、置換もしくは無置換の窒素のいずれか
より選ばれる。
【0021】これらの置換基の説明のうち、結合とはそ
の位置で複数個の一般式(1)に示す骨格と連結されて
いることを意味する。この場合、複数個の一般式(1)
に示す骨格は直接連結されていても構わないし、ある結
合単位を介して連結されていても構わない。アルキル基
とは例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも
置換されていてもかまわない。また、シクロアルキル基
とは例えばシクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボル
ニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示
し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ま
た、アラルキル基とは例えばベンジル基、フェニルエチ
ル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を
示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置
換でも置換されていてもかまわない。また、アルケニル
基とは例えばビニル基、アリル基、ブタジエニル基など
の二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これ
は無置換でも置換されていてもかまわない。また、シク
ロアルケニル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロ
ペンタジエニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を
含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも
置換されていてもかまわない。また、アルコキシ基とは
例えばメトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭
化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換さ
れていてもかまわない。また、アルキルチオ基とはアル
コキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換さ
れたものである。また、アリールエーテル基とは例えば
フェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水
素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されて
いてもかまわない。また、アリールチオエーテル基とは
アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原
子に置換されたものである。また、アリール基とは例え
ばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナント
リル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化
水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかま
わない。また、複素環基とは例えばフリル基、チエニル
基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリル基、カルバ
ゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示
し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ハ
ロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。ハロア
ルカン、ハロアルケン、ハロアルキンとは例えばトリフ
ルオロメチル基などの、前述のアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基の一部あるいは全部が、前述のハロゲ
ンで置換されたものを示し、残りの部分は無置換でも置
換されていてもかまわない。アルデヒド基、カルボニル
基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基には脂肪族
炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環な
どで置換されたものも含み、さらに脂肪族炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環は無置換でも置
換されていてもかまわない。シリル基とは例えばトリメ
チルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置
換でも置換されていてもかまわない。シロキサニル基と
は例えばトリメチルシロキサニル基などのエーテル結合
を介したケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換
されていてもかまわない。隣接置換基との間に形成され
る環構造は無置換でも置換されていてもかまわない。
【0022】また、本発明の発光材料は下記一般式
(2)および(3)で示す化合物を配位子とした金属錯
体の形で含有されていても構わない。
【0023】
【化7】
【0024】ここでR6〜R9はそれぞれ同じでも異なっ
ていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、
アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、ア
ルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、ア
リールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲ
ン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキ
シル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニト
ロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に
形成される環構造の中から選ばれる。Zは酸素、置換も
しくは無置換の窒素のいずれかより選ばれる。
【0025】
【化8】
【0026】ここでR10〜R17はそれぞれ同じでも異な
っていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル
基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、
ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構造
の中から選ばれる。Zは酸素、置換もしくは無置換の窒
素のいずれかより選ばれる。これらの置換基については
上述したものと同様である。
【0027】金属錯体を形成する金属については特に限
定されるものではないが、ナトリウム、リチウム、ホウ
素、ベリリウム、マグネシウム、アルミニウム、ガリウ
ム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリ
ウム、インジウム、タリウム、白金などが好適な例とし
て挙げることができる。これらの金属は一般式(2)、
一般式(3)に含まれる水酸基と窒素原子との間で錯体
を形成する。但し、ナトリウムおよびリチウムのような
一価の金属塩に関しては、上記水酸基の水素に置き換わ
ったナトリウム塩およびリチウム塩のような形で存在す
る場合もある。
【0028】さらに、熱的安定性が得られることから上
記一般式(1)を複数個有する化合物が好ましく、分子
を分岐状に修飾することが容易であることから下記一般
式(4)で表される化合物がより好ましい。
【0029】
【化9】
【0030】ここでR18〜R21はそれぞれ同じでも異な
っていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル
基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、
ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構造
の中から選ばれる。Zは酸素、置換もしくは無置換の窒
素のいずれかより選ばれる。nは2以上の整数であり、
Xは複数の骨格を共役的または非共役的に互いに結合さ
せる結合単位である。
【0031】これらの置換基の説明のうち、R18〜R21
に関しては上述したものと同様である。結合単位である
Xは単結合、二重結合、アルキル、シクロアルキル、ア
リール、複素環、エーテルあるいはチオエーテルからな
り、これらは無置換でも置換されていてもかまわない
し、これらを単独あるいは組み合わせて用いてもかまわ
ない。
【0032】さらに、本発明における化合物を用いて高
輝度発光を得るには、キャリヤ輸送能が高い化合物を用
いるのが好ましい。そこで、前記母骨格を複数個有する
化合物としては、結合単位中に芳香環を含んでいる化合
物がより好ましい。ここでいう芳香環とは置換または無
置換の芳香族炭化水素あるいは芳香複素環を意味し、こ
れらを単独あるいは組合せて用いてもかまわない。
【0033】上記の化合物として、具体的には下記のよ
うな構造があげられる。
【0034】
【化10】
【0035】
【化11】
【0036】本発明の化合物はドーパント材料として用
いてもホスト材料として用いてもかまわない。
【0037】発光材料のホスト材料は一般式(1)に示
す骨格を有する化合物一種のみに限る必要はなく、複数
の該化合物を混合して用いたり、既知のホスト材料の一
種類以上を該化合物と混合して用いてもよい。既知のホ
スト材料としては特に限定されるものではないが、以前
から発光体として知られていたフェナンスレン、ピレ
ン、ペリレン、クリセンなどの縮合環誘導体、トリス
(8−キノリノラト)アルミニウムを始めとするキノリ
ノール誘導体の金属錯体、ベンズアゾール誘導体および
その金属錯体、キノリノール誘導体と異なる配位子を組
み合わせた金属錯体、オキサジアゾール誘導体およびそ
の金属錯体、チアジアゾール誘導体、スチルベン誘導
体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導
体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラ
セン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチ
リル誘導体、クマリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、
ピロロピロール誘導体、ペリノン誘導体、チアジアゾロ
ピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニ
レン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリ
チオフェン誘導体などが使用できる。
【0038】発光材料に添加するドーパント材料は、特
に限定されるものではないが、イミダゾピリジン骨格を
有する化合物以外の具体的なものとしては、従来から知
られている、アントラセン、ピレン、ペリレン、ナフト
ピレン、ジベンゾピレンなどの縮合環誘導体、アゾール
誘導体およびその金属錯体、トリアゾール誘導体および
その金属錯体、ベンズアゾール誘導体及びその金属錯
体、ベンズトリアゾール誘導体およびその金属錯体、オ
キサジアゾール誘導体およびその金属錯体、ピラゾリン
誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラ
フェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導
体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベン
ゼン誘導体などのビススチリル誘導体、ジアザインダセ
ン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、イソベ
ンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、クマリン誘
導体、キサンテン誘導体、カルボスチリル誘導体、アク
リジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリ
ドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導
体、フェナジン誘導体などがそのまま使用できるが、特
にイソベンゾフラン誘導体が好適に用いられる。
【0039】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において陰極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、8−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘
導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属
錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン、
クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナ
ントロリン誘導体などがあるが特に限定されるものでは
ない。本発明における化合物も電子輸送能を有すること
から、電子輸送材料としても用いることができる。これ
らの電子輸送材料は単独でも用いられるが、異なる電子
輸送材料と積層または混合して使用しても構わない。
【0040】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン樹脂などの
溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石
油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能で
ある。
【0041】本発明における発光物質の形成方法は、抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング法、分子
積層法、コーティング法など特に限定されるものではな
いが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面
で好ましい。層の厚みは発光物質の抵抗値にもよるので
限定できないが、10〜1000nmの間から選ばれ
る。
【0042】本発明における電気エネルギーとは主に直
流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも
可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、
素子の消費電力、寿命を考慮すると、できるだけ低いエ
ネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきであ
る。
【0043】本発明の発光素子はマトリクスまたはセグ
メント方式、あるいはその両者を組み合わせることによ
って表示するディスプレイを構成することが好ましい。
本発明におけるマトリクスとは、表示のための画素が格
子状に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像
を表示する。画素の形状、サイズは用途によって決ま
る。例えばパソコン、モニター、テレビの画像および文
字表示には、通常、一辺が300μm以下の四角形の画
素が用いられるし、表示パネルのような大型ディスプレ
イの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることに
なる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すれ
ばよいが、カラー表示の場合には赤、緑、青の画素を並
べて表示させる。この場合典型的にはデルタタイプとス
トライプタイプがある。尚、本発明における発光素子
は、赤、緑、青色発光が可能であるので、前記表示方法
を用いれば、マルチカラーまたはフルカラー表示もでき
る。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順
次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよ
い。線順次駆動の方が構造が簡単という利点があるが、
動作特性を考慮するとアクティブマトリックスの方が優
れる場合があるので、これも用途により使い分けること
が必要である。
【0044】また、本発明におけるセグメントタイプと
は、予め決められた情報を表示するようにパターンを形
成し、決められた領域を発光させることを意味する。例
えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、
オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動
車のパネル表示などがあげられる。そして、前記マトリ
クス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存して
いてもよい。
【0045】本発明の発光素子はバックライトとしても
好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しな
い表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶
表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示
板、標識などに使用される。特に液晶表示装置、中でも
薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライト
としては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなって
いるため薄型化が困難であることを考えると、本発明に
おける発光素子を用いたバックライトは薄型、軽量が特
徴になる。
【0046】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【0047】実施例1 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた
基板をアセトン、”セミコクリン56”で各々15分間
超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプ
ロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタ
ノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素
子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸
着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10-5Pa
以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正
孔輸送材料として4,4’−ビス(N−(m−トリル)
−N−フェニルアミノ)ビフェニル(TPD)を50n
m蒸着した。次に発光材料として、下記に示されるEM
1を15nmの厚さに積層した。次に電子輸送材料とし
て、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10
−フェナントロリンを35nmの厚さに積層し、引き続
き金属リチウムを微量ドーピングした(膜厚換算0.5
nm)。最後に、銀を150nm蒸着して陰極とし、5
×5mm角の素子を作製した。ここで言う膜厚は表面粗
さ計での測定値で補正した水晶発振式膜厚モニター表示
値である。この発光素子からは明瞭な青色発光が得られ
た。
【0048】
【化12】
【0049】比較例1 発光材料として下記に示される化合物を用いた以外は実
施例1と全く同様にして作製した発光素子からは、黄緑
色発光しか得られなかった。
【0050】
【化13】
【0051】実施例2 ホスト材料として下記に示されるEM2を用いた他は実
施例1と全く同様にして発光素子を作製した。この発光
素子からは、明瞭な青色発光が得られた。
【0052】
【化14】
【0053】実施例3 ホスト材料として下記に示されるEM3を用いた他は実
施例1と全く同様にして発光素子を作製した。この発光
素子からは、明瞭な青色発光が得られた。
【0054】
【化15】
【0055】実施例4 ホスト材料として下記に示されるEM4を用いた他は実
施例1と全く同様にして発光素子を作製した。この発光
素子からは、明瞭な青色発光が得られた。
【0056】
【化16】
【0057】実施例5 発光材料としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウ
ム(III)(Alq3)を35nmの厚さに積層し、次
に電子輸送材料として実施例4におけるEM4を15n
mの厚さに積層した以外は実施例1と全く同様にして発
光素子を作製した。この発光素子からは、Alq3に基
づく緑色発光が得られた。本発明の化合物は電子輸送層
としても有効に機能した。
【0058】実施例6 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって
300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のスト
ライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺
方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.
27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてあ
る。得られた基板をアセトン、”セミコクリン56”で
各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。
続いてイソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄し
てから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。
この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処
理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5
×10-4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によ
って、まず正孔輸送層として、TPDを50nm蒸着
し、発光層として、実施例4で用いたEM4を15nm
の厚さに、そして電子輸送層として、2,9−ジメチル
−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンを
35nmの厚さに蒸着した。次に厚さ50μmのコバー
ル板にウエットエッチングによって16本の250μm
の開口部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)
を設けたマスクを、真空中でITOストライプに直交す
るようにマスク交換し、マスクとITO基板が密着する
ように裏面から磁石で固定した。そして金属リチウムを
微量ドーピング(膜厚換算0.5nm)した後、アルミ
ニウムを150nm蒸着して32×16ドットマトリク
ス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたとこ
ろ、クロストークなく文字表示できた。
【0059】
【発明の効果】本発明の発光素子は、特に青色発光に対
して有効なものである。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
    エネルギーにより発光する素子において、素子が一般式
    (1)で表される化合物を含むことを特徴とする発光素
    子。 【化1】 (ここでR1〜R5はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
    く、結合、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラ
    ルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコ
    キシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリー
    ルチオエーテル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ
    ル基、ハロゲン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル
    基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、ア
    ミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置
    換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。Zは
    酸素、置換もしくは無置換の窒素のいずれかより選ばれ
    る。)
  2. 【請求項2】前記化合物が一般式(2)で表される化合
    物もしくはその金属錯体であることを特徴とする請求項
    1記載の発光素子。 【化2】 (ここでR6〜R9はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
    く、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル
    基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ
    基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
    オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、シア
    ノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、
    エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シ
    リル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成され
    る環構造の中から選ばれる。Zは酸素、置換もしくは無
    置換の窒素のいずれかより選ばれる。)
  3. 【請求項3】前記化合物が一般式(3)で表される化合
    物もしくはその金属錯体であることを特徴とする請求項
    1記載の発光素子。 【化3】 (ここでR10〜R17はそれぞれ同じでも異なっていても
    よく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキ
    ル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ
    基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
    オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
    アルカン、ハロアルケン、シアノ基、アルデヒド基、カ
    ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
    ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
    基、隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ば
    れる。Zは酸素、置換もしくは無置換の窒素のいずれか
    より選ばれる。)
  4. 【請求項4】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
    エネルギーにより発光する素子において、素子が一般式
    (1)で表される骨格を複数個有する化合物を含むこと
    を特徴とする請求項1記載の発光素子。
  5. 【請求項5】前記化合物が一般式(4)で表されること
    を特徴とする請求項4記載の発光素子。 【化4】 (ここでR18〜R21はそれぞれ同じでも異なっていても
    よく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキ
    ル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ
    基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
    オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
    アルカン、ハロアルケン、シアノ基、アルデヒド基、カ
    ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
    ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
    基、隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ば
    れる。Zは酸素、置換もしくは無置換の窒素のいずれか
    より選ばれる。nは2以上の整数であり、Xは複数の骨
    格を共役的または非共役的に互いに結合させる結合単位
    である。)
  6. 【請求項6】一般式(4)のXで示した結合単位が芳香
    環を含むことを特徴とする請求項4または5記載の発光
    素子。
  7. 【請求項7】前記化合物が発光材料であることを特徴と
    する請求項1記載の発光素子。
  8. 【請求項8】前記化合物が電子輸送材料であることを特
    徴とする請求項1記載の発光素子。
  9. 【請求項9】発光素子がマトリクスおよび/またはセグ
    メント方式によって表示するディスプレイを構成するこ
    とを特徴とする請求項7または8記載の発光素子。
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