JP2000088884A - プローブカード - Google Patents

プローブカード

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JP2000088884A
JP2000088884A JP10281935A JP28193598A JP2000088884A JP 2000088884 A JP2000088884 A JP 2000088884A JP 10281935 A JP10281935 A JP 10281935A JP 28193598 A JP28193598 A JP 28193598A JP 2000088884 A JP2000088884 A JP 2000088884A
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昌男 大久保
Kazumasa Okubo
和正 大久保
Hiroshi Iwata
浩 岩田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 最近のボンディングパッドの配置パターンが
さらに複雑になった半導体集積回路の電気的諸特性の測
定に用いられるより安価に製造する。 【構成】 周辺部に周辺ボンディングパッド810が、
中央部に中央ボンディングパッド820がそれぞれ形成
された測定対象物としての半導体集積回路800の電気
的諸特性を測定するプローブカードであって、周辺ボン
ディングパッド810に接触する横型プローブ100
と、この横型プローブ100が取り付けられる第1の基
板300と、中央ボンディングパッド820に接触する
縦型プローブ200と、この縦型プローブ200が取り
付けられる第2の基板600と、第2の基板600と第
1の基板300との間の間隔を調整する間隔調整機構7
50とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、測定対象物として
のLSIチップ等の半導体集積回路の電気的諸特性を測
定する際に用いられるプローブカードに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のプローブカードには、大別してカ
ンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ばれ
る縦型タイプとがある。前者の横型タイプのプローブカ
ードは、多くの点で優れているが、近年のLSIチップ
の高集積化とテスターの多重化に伴う多チップ同時測定
には適していない面がある。これに対して、縦型のプロ
ーブカードは、より多くのプローブ(数百本〜数千本)
を使用でき、しかもプローブの配置の自由度が高いの
で、多チップ同時測定には適している。
【0003】また、横型タイプのプローブカードでは、
組立製造が比較的容易であるため、安価に提供できると
いうメリットがあるが、多数本の横型のプローブが水平
方向に並ぶため、電極が複雑なパターンで配置されてい
る場合や、複雑な半導体集積回路、或いは多数個の半導
体集積回路を同時に測定するような大型のプローブカー
ドには適していない。
【0004】一方、縦型のプローブカードは、電極が複
雑なパターンで配置されているような半導体集積回路
や、複雑な半導体集積回路、或いは多数個の半導体集積
回路を同時に測定するような大型のプローブカードには
適している。しかし、この縦型のプローブカードに用い
られる各部品にはより高精度が要求され、組立も困難な
ため、横型のプローブカードより製造コストが高くなる
という問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近、半導
体集積回路の高集積化、高密度化に伴って電極の配置パ
ターンがさらに複雑になるものが急増している。例え
ば、電極(この種の半導体集積回路ではボンディングパ
ッドと称される。)は、半導体集積回路の周辺部のみな
らず、中央部にもランダムに配置されることが多くなっ
てきた。
【0006】かかる半導体集積回路には、従来の横型の
プローブカードでは対応できないため、縦型のプローブ
カードで対応しているのが現状である。よって、最近の
ボンディングパッドの配置パターンがさらに複雑にな半
導体集積回路には、高価な縦型のプローブカードを使用
するのが一般的になっていた。
【0007】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、最近のボンディングパッドの配置パターンがさらに
複雑になった半導体集積回路の電気的諸特性の測定に用
いられるより安価なプローブカードを提供することを目
的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係るプローブ
カードは、周辺部と中央部とにボンディングパッドが形
成された測定対象物の電気的諸特性を測定するプローブ
カードであって、周辺部のボンディングパッドに接触す
る横型プローブと、中央部のボンディングパッドに接触
する縦型プローブとを備えている。
【0009】また、請求項2に係るプローブカードは、
周辺部と中央部とにボンディングパッドが形成された測
定対象物の電気的諸特性を測定するプローブカードであ
って、周辺部のボンディングパッドに接触する横型プロ
ーブと、この横型プローブが取り付けられる第1の基板
と、中央部のボンディングパッドに接触する縦型プロー
ブと、この縦型プローブが取り付けられる第2の基板と
を備えており、前記第2の基板は、第1の基板の上側に
設けられている。
【0010】さらに、前記第2の基板と第1の基板との
間の間隔を調整する間隔調整機構を備えていることが望
ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
プローブカードの概略的断面図、図2は本発明の実施の
形態に係るプローブカードの要部の概略的断面図、図3
は本発明の実施の形態に係るプローブカードに用いられ
る支持部材の概略的斜視図である。
【0012】本発明の実施の形態に係るプローブカード
は、周辺部に周辺ボンディングパッド810が、中央部
に中央ボンディングパッド820が形成された測定対象
物としてのLSIチップ等の半導体集積回路800の電
気的諸特性を測定するプローブカードであって、前記周
辺ボンディングパッド810に接触する横型プローブ1
00と、前記中央ボンディングパッド820に接触する
縦型プローブ200とを有している。
【0013】まず、測定対象物としての半導体集積回路
800は、図1に示すように、外周縁部に沿って複数個
の周辺ボンディングパッド810が形成されるととも
に、それより内側の中央部に複数個の中央ボンディング
パッド820がランダムに形成されている。この半導体
集積回路800はウエハ850の状態で電気的諸特性を
測定する。
【0014】前記横型プローブ100は、タングステン
や3%程度のレニウムを含有したタングステン合金等か
ら構成される。この横型プローブ100は、先端の接触
部110と、この接触部110に連なる本体部120と
を有している。接触部110は、周辺ボンディングパッ
ド810に接触する部分であるから、先鋭化されてい
る。また、この接触部110は周辺ボンディングパッド
810に対して略直角に接触するように本体部120か
ら屈曲されている。
【0015】一方、縦型プローブ200は、タングステ
ンや3%程度のレニウムを含有したタングステン合金等
から構成される。この縦型プローブ200は、先端の接
触部210が半導体集積回路800の中央ボンディング
パッド820に接触する部分である。従って、この接触
部210は、先端が研磨されて先鋭化されている。
【0016】この縦型プローブ200の中腹部には、略
横向きU字形状の座屈部220が形成されている。この
座屈部220は、オーバードライブ(プローブの先端の
接触部がボンディングパッドに接触してからもさらに加
圧すること)を加えることにより、座屈変形して、中央
ボンディングパッド820への接触圧が所定値になるよ
うにする部分である。
【0017】また、第1の基板300は、略中央に測定
対象としての半導体集積回路800が望める開口310
が開設されている。かかる第1の基板300は、積層基
板であって、各層に配線パターンが形成されている。そ
して、第1の基板300の上面に形成された配線パター
ン320は、スルーホール330を介して第1の基板3
00の下面に露出している。この下面の部分で横型プロ
ーブ100の基端側の接続部130が配線パターン32
0に接続される。
【0018】この第1の基板300の下面には、開口3
10を取り囲むように略リング状の傾斜部材400が取
り付けられている。この傾斜部材400は、下端面が内
側に向かって下り傾斜のテーパ面410となっている。
かかる傾斜部材400は、横型プローブ100の本体部
120の中腹部がエポキシ系樹脂等の接着剤420で取
り付けられる部分である。従って、接触部110が所定
の位置、すなわち接触すべき周辺ボンディングパッド8
10に接触する位置になるように傾斜部材400に取り
付けられると、後端の接続部130が前記スルーホール
330に臨むようになる。なお、横型プローブ100の
接続部130は半田付けで配線パターン320に接続さ
れる。
【0019】また、この傾斜部材400の内側には、前
記縦型プローブ200の先端の位置決めを行うガイド板
500が取り付けられている。このガイド板500に
は、中央ボンディングパッド820に対応した複数個の
貫通孔510が開設されている。
【0020】一方、前記第2の基板600は、裏面側に
配線パターン610が形成されている。この第2の基板
600の貫通孔620に縦型プローブ200の後端の接
続部230を挿入して半田付けすることで、縦型プロー
ブ200の第2の基板600への電気的及び構造的な接
続を行う。前記配線パターン610は、図2に示すよう
に、第2の基板600の端部にまで形成されている。ま
た、この第2の基板600には、後述する間隔調整機構
750を構成する高さ調整ネジ751の先端が取り付け
られる穴部630が形成されている。この穴部630
は、高さ調整ネジ751は螺合せず、高さ調整ネジ75
1が空回りするようになっている。
【0021】この第2の基板600は、第1の基板30
0に立設された一対の支持部材700によって前記第1
の基板300に対して平行になるように取り付けられ
る。すなわち、この支持部材700は、図3に示すよう
に、板状部材であって、上方に第2の基板600の厚さ
寸法より大きい溝部710が形成されている。この一対
の支持部材700は、溝部710を向かい合せにすると
ともに、第2の基板600の幅寸法と略同一の間隔をも
って第1の基板300に立設される。
【0022】さらに、前記支持部材700の上面には、
溝部710に連なる2つの雌ネジ720が形成されてい
る。この雌ネジ720と前記第2の基板600に形成さ
れる穴部630とは、前記溝部710に第2の基板60
0を正確に取り付けた状態で同一鉛直線上に位置するよ
うになっている。
【0023】その上、前記支持部材700の内面には、
図2に示すように、前記配線パターン610に接触する
配線パターン730が形成されている。かかる配線パタ
ーン730は、第1の基板300に支持部材700を立
設すると、第1の基板300に形成された配線パターン
320の所定のものに接続されるようになっている。
【0024】次に、このように構成されたプローブカー
ドによる半導体集積回路800の電気的諸特性の特定に
ついて説明する。
【0025】半導体集積回路800はウエハ850の状
態で可動テーブル900に吸着保持される。この可動テ
ーブル900が上昇することにより、半導体集積回路8
00の周辺ボンディングパッド810に横型プローブ1
00が、中央ボンディングパッド820に縦型プローブ
200がそれぞれ接触する。
【0026】各プローブ100、200の接触部11
0、210が各ボンディングパッド810、820に接
触してからも、オーバードライブ(各プローブ100、
200の接触部110、210が半導体集積回路800
の各ボンディングパッド810、820に接触してから
さらに加圧すること)を加えると、縦型プローブ200
では座屈部220が座屈変形し、横型プローブ100で
は本体部120が撓む。
【0027】半導体集積回路800の電気的諸特性の測
定が終了すると、可動テーブル900が下降するととも
に、横方向に移動し、次の半導体集積回路800の電気
的諸特性の測定を行う。
【0028】この半導体集積回路800の電気的諸特性
の測定に際して、間隔調整機構750によって、第1の
基板300と第2基板600との間隔を調整する。すな
わち、高さ調整ネジ751の雌ネジ720への螺合の具
合を変えることによって、第2の基板600の高さ位置
を変更することができ、この第2の基板600の高さ位
置の変更は縦型プローブ200の接触部210の高さ位
置の変更を意味する。従って、間隔調整機構750によ
って、縦型プローブ200の中央ボンディングパッド8
20への接触圧を調整することができるのである。
【0029】なお、上述した実施の形態では、1個の半
導体集積回路800を測定するようにしていたが、同時
に複数個の半導体集積回路800の電気的諸特性を測定
するようにしてもよい。
【0030】
【発明の効果】請求項1に係るプローブカードは、周辺
部と中央部とにボンディングパッドが形成された測定対
象物の電気的諸特性を測定するプローブカードであっ
て、周辺部のボンディングパッドに接触する横型プロー
ブと、中央部のボンディングパッドに接触する縦型プロ
ーブとを備えている。
【0031】このプローブカードによると、中央ボンデ
ィングパッドのみを縦型プローブとし、その他の周辺ボ
ンディングパッドを横型プローブとするので、すべてを
縦型プローブとする従来のプローブカードより安価に構
成することができる。
【0032】また、請求項2に係るプローブカードは、
周辺部と中央部とにボンディングパッドが形成された測
定対象物の電気的諸特性を測定するプローブカードであ
って、周辺部のボンディングパッドに接触する横型プロ
ーブと、この横型プローブが取り付けられる第1の基板
と、中央部のボンディングパッドに接触する縦型プロー
ブと、この縦型プローブが取り付けられる第2の基板と
を備えており、前記第2の基板は、第1の基板の上側に
設けられている。
【0033】このため、このプローブカードは従来のす
べてを縦型プローブとする従来のプローブカードより安
価に構成することができるとともに、縦型プローブと横
型プローブとが1つの基板に形成されないので、その製
造を分けて行うことができるという利点がある。
【0034】さらに、請求項3に係るプローブカードで
は、第2の基板と第1の基板との間の間隔を調整する間
隔調整機構が設けられている。
【0035】従って、半導体集積回路の電気的諸特性の
測定に際して、間隔調整機構によって、第1の基板と第
2基板との間隔を調整することで、第2の基板の高さ位
置の変更、すなわち縦型プローブの高さ位置の変更がで
き、縦型プローブの中央ボンディングパッドへの接触圧
を調整することができるのである。このため、第2の基
板と縦型プローブとのみを交換した場合でも容易に縦型
プローブの高さ位置の調整が可能となり大変便利であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るプローブカードの概
略的断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るプローブカードの要
部の概略的断面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るプローブカードに用
いられる支持部材の概略的斜視図である。
【符号の説明】
100 横型プローブ 200 縦型プローブ 300 第1の基板 600 第2の基板 750 間隔調整機構 800 半導体集積回路 810 周辺ボンディングパッド 820 中央ボンディングパッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 浩 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日 本電子材料株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AA07 AG03 AH04 2G011 AA17 AB06 AB07 AB08 AC06 AE03 AF07 4M106 AA02 BA01 BA14 CA70 DD01 DD03 DD04 DD06 DD10

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周辺部と中央部とにボンディングパッド
    が形成された測定対象物の電気的諸特性を測定するプロ
    ーブカードにおいて、周辺部のボンディングパッドに接
    触する横型プローブと、中央部のボンディングパッドに
    接触する縦型プローブとを具備したことを特徴とするプ
    ローブカード。
  2. 【請求項2】 周辺部と中央部とにボンディングパッド
    が形成された測定対象物の電気的諸特性を測定するプロ
    ーブカードにおいて、周辺部のボンディングパッドに接
    触する横型プローブと、この横型プローブが取り付けら
    れる第1の基板と、中央部のボンディングパッドに接触
    する縦型プローブと、この縦型プローブが取り付けられ
    る第2の基板とを具備しており、前記第2の基板は、第
    1の基板の上側に設けられていることを特徴とするプロ
    ーブカード。
  3. 【請求項3】 前記第2の基板と第1の基板との間の間
    隔を調整する間隔調整機構を具備することを特徴とする
    請求項2記載のプローブカード。
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