JPH11295342A - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents

プローブカード及びその製造方法

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JPH11295342A
JPH11295342A JP10111465A JP11146598A JPH11295342A JP H11295342 A JPH11295342 A JP H11295342A JP 10111465 A JP10111465 A JP 10111465A JP 11146598 A JP11146598 A JP 11146598A JP H11295342 A JPH11295342 A JP H11295342A
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JP
Japan
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probe
guide plate
conductive pattern
intermediate substrate
probe card
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Application number
JP10111465A
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English (en)
Inventor
Masao Okubo
昌男 大久保
Kazumasa Okubo
和正 大久保
Hiroshi Iwata
浩 岩田
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Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プローブの交換を容易にするとともに、より
高密度の電極パッドの配置にも対応できるようにする。 【構成】 LSIチップ800の材料と近い熱膨張係数
を有する素材からなるガイド板200と、LSIチップ
800の電極パッド810の配置に対応してガイド板2
00に取り付けられるプローブ100と、ガイド板20
0とは別体であり、ガイド板200の上面に取り付けら
れた中間基板300と、プローブ100と中間基板30
0の導電パターン310とを接続するボンディングワイ
ヤ400と、ガイド板200と中間基板300とを着脱
可能に下側に取り付ける主基板500と、この主基板5
00に形成された配線パターン530と導電パターン3
10とを接続する接触子600とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSIチップ等の
半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられ
るプローブカードと、その製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のプローブカードには、大別してカ
ンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ばれ
る縦型タイプとがある。前者の横型タイプのプローブカ
ードは、多くの点で優れているが、近年のLSIチップ
の高集積化とテスターの多重化に伴う多チップ同時測定
には適していない点がある。これに対して、縦型のプロ
ーブカードは、より多くのプローブ(数百本〜数千本)
を使用でき、しかもプローブの配置の自由度が高いの
で、多チップ同時測定に適している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、縦型の
プローブカードは、LSIチップの電極パッドとプロー
ブとの適切な接触圧を確保するために、プローブの中腹
部に横方向に突出した湾曲部を形成しているため、個々
のプローブの交換が困難であるという問題点がある。か
かる問題を解消するプローブカードとして、プローブの
一部を細くして、この細くなった部分の弾性限界内での
座屈を利用するものがある。このタイプでは、プローブ
を1本ずつ引き抜けるので、個々のプローブの交換は容
易である。
【0004】しかしながら、この個々のプローブの交換
を可能にしたものは、プローブの座屈する部分が弾性限
界に近いため、時として塑性変形を起こす可能性があ
り、信頼性に欠ける点は否定できない。
【0005】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、プローブの余裕のある弾性を確保しつつ、プローブ
の交換作業時等をより簡単に行うことができるプローブ
カード及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブカ
ードは、被検査物たる半導体集積回路の材料と近い熱膨
張係数を有する素材からなるガイド板と、前記半導体集
積回路の電極パッドの配置に対応して前記ガイド板に取
り付けられるプローブと、前記ガイド板とは別体であ
り、前記ガイド板の上面に取り付けられた中間基板と、
前記プローブと中間基板の導電パターンとを接続するボ
ンディングワイヤと、前記ガイド板と中間基板とを着脱
可能に下側に取り付ける主基板と、この主基板に形成さ
れた配線パターンと前記導電パターンとを接続する接続
手段とを備えている。
【0007】また、本発明に係るプローブカードの製造
方法は、被検査物たる半導体集積回路の材料と近い熱膨
張係数を有する素材からなるガイド板に、前記半導体集
積回路の電極パッドに対応して配置されて取り付けられ
たプローブと、前記ガイド板とは別体である中間基板の
導電パターンとをワイヤボンディングで接続する工程を
有している。
【0008】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
プローブカードの要部の概略的断面図、図2は本発明の
実施の形態に係るプローブカードのプローブと導電パタ
ーンとを接続するボンディングワイヤ等の概略的斜視
図、図2は本発明の実施の形態に係るプローブカードの
プローブとボンディングワイヤとの接続の他の例を示す
概略的断面図である。
【0009】本発明の実施の形態に係るプローブカード
は、被検査物たる半導体集積回路であるLSIチップ8
00の材料と近い熱膨張係数を有する素材からなるガイ
ド板200と、前記LSIチップ800の電極パッド8
10の配置に対応して前記ガイド板200に取り付けら
れるプローブ100と、前記ガイド板200とは別体で
あり、前記ガイド板200の上面に取り付けられた中間
基板300と、前記プローブ100と中間基板300の
導電パターン310とを接続するボンディングワイヤ4
00と、前記ガイド板200と中間基板300とを着脱
可能に下側に取り付ける主基板500と、この主基板5
00に形成された配線パターン530と前記導電パター
ン310とを接続する接続手段としての接触子600と
を有している。
【0010】前記ガイド板200は、例えば窒化珪素か
らなる2枚の上側板210及び下側板220と、この両
板210、220の間に介在され空間を形成するスペー
サ230と、前記空間に充填された軟質シリコン樹脂2
40とを有している。前記上側板210には、電極パッ
ド810の配置に対応したスルーホール211が、下側
板220には、電極パッド810の配置に対応した貫通
孔221がそれぞれ開設されている。前記スルーホール
211及び貫通孔221は、後述するプローブ100が
貫通される部分であるので、プローブ100は電極パッ
ド810に対して垂直に接触することになる。
【0011】前記上側板210のスルーホール211の
周囲には、ランド212が形成されている。このランド
212は、スルーホール211の内周面に形成された導
電層123と一体に形成されている。
【0012】一方の下側板220の貫通孔221には、
この種の導電性のパターンは形成されていない。しか
し、この下側板220には、上側板210にはない樹脂
注入穴222が開設されている。この樹脂注入穴222
は、前記空間に充填される軟質シリコン樹脂240を注
入する部分であって、空間の大きさ等に応じて適宜個、
適宜箇所に開設されている。
【0013】前記上側板210は、下側板220より大
きく形成されている。これは、ガイド板200を主基板
500に取り付けるためである。この点については、後
述する。
【0014】前記プローブ100は、タングステン等の
細線から形成されており、その先端の接触部110は先
鋭化されている。また、このプローブ100の中腹部分
は、弾性変形部120として他の部分より細く形成され
ている。すなわち、プローブ100が電極パッド810
に接触してオーバードライブを加えた時、この弾性変形
部120が弾性変形することにより、プローブ100と
電極パッド810との間の接触圧が好適になるようにす
るのである。なお、このプローブ100の長さ寸法は、
接触部110がガイド板200から突出するために、ガ
イド板200の厚さ寸法より大きく設定されていること
は勿論である。
【0015】上記説明におけるオーバードライブとは、
プローブ100の接触部110がLSIチップ800の
電極パッド810に接触してからさらに加圧することを
いう。
【0016】前記中間基板300は、ガイド板200の
上面、すなわち上側板210の上面に取り付けられてい
る。しかも、この中間基板300は、スルーホール21
1を避けてガイド板200の外周縁部に取り付けられて
いる。
【0017】この中間基板300の上面には、ランド状
の導電パターン310が形成されている。この導電パタ
ーン310は、基本的には前記ランド212と一対一対
応で形成されている。この導電パターン310と前記ラ
ンド212とは、半導体集積回路素子の組立工程で多用
されるボンディングワイヤの手法を用いて接続される。
【0018】すなわち、ワイヤボンダーを用いて導電パ
ターン310とランド212とを接続するが、ワイヤボ
ンダーのキャピラリは内側から外側に向かって動く点を
考えて、ランド212をファーストボンドとし、導電パ
ターン310をセカンドボンドとする。なお、この導電
パターン310とランド212とを接続するボンディン
グワイヤ400は金線である。
【0019】前記主基板500は、前記導電パターン3
10に対応した貫通孔510が開設されている。この貫
通孔510は、主基板500に形成された配線パターン
530と前記導電パターン310とを接続する接続手段
としての接触子600が取り付けられる部分である。
【0020】また、この主基板500の裏面には、窒化
珪素からなる裏打板520が取り付けられている。この
裏打板520にも前記貫通孔510に対応した貫通孔5
21が開設されている。
【0021】前記接触子600は、上述したプローブ1
00と同様に、銅やベリリウム銅等の細線から形成され
ている。また、この接触子600の中腹部分は、弾性変
形部620として他の部分より細く形成されている。た
だし、この接触子600は、前記プローブ100とは違
ってその先端の接触部610は先鋭化されていない。す
なわち、この接触子600の接触部610は、プローブ
カードとして完成すれば、分解されないかぎり、導電パ
ターン310に接触し続けるものであり、プローブ10
0のように接触、離脱を繰り返すものではないからであ
る。
【0022】このように形成された接触子600は、基
端を主基板500の上に若干突出させた状態で半田付け
される。これによって、接触子600は、主基板500
の配線パターン530に電気的に接続されることにな
る。
【0023】一方、この主基板500には、ガイド板2
00を取り付けるための取付部材700が取り付けられ
る。この取付部材700は、窒化珪素からなる取付アン
グル710と、この取付アングル710を主基板500
の裏側に固定するボルト・ナット720とを有してい
る。
【0024】前記取付アングル710は、断面視略L字
形状に形成されている。下端側から内側に向かって突出
した顎部711は、ガイド板200の上側板210の外
周縁部、すなわち下側板220より大きい部分を下から
支える部分である。また、顎部711から上側に延設さ
れた取付部712にはボルトが貫通するボルト孔が開設
されている。
【0025】なお、取付アングル710と主基板500
の裏側の裏打板520との間には、寸法調節のためのス
ペーサ730が適宜介在される。
【0026】次に、上述したプローブカードの製造手順
について説明する。まず、ガイド板200にプローブ1
00を取り付ける。プローブ100をガイド板200の
スルーホール211及び貫通孔221に挿入し、後端側
を上側板210から若干突出した状態で保持する。この
とき、各プローブ100の先端の接触部110が同一高
さにあるようにすることが重要なポイントの一つであ
る。
【0027】次に、ガイド板200の下側板220の樹
脂注入穴222から、上側板210と下側板220との
間の空間に軟質シリコン樹脂240を注入する。軟質シ
リコン樹脂240が硬化することによって、プローブ1
00はガイド板200に取り付けられたことになる。な
お、プローブ100の基端側はランド212に半田付け
されるのは勿論である。
【0028】また、プローブ100がガイド板200に
取り付けられた後に、上側板210に形成されたランド
212に半田付けする。これによって、プローブ100
が取り付けられたガイド板200が完成する。
【0029】次に、このガイド板200に中間基板30
0を取り付ける。この中間基板300の取り付けは、エ
ポキシ樹脂系の接着剤等で行う。
【0030】次に、図2に示すように、前記ランド21
2と中間基板300の導電パターン310とをボンディ
ングワイヤ400で接続する。このボンディングワイヤ
400による接続は、上述したように、ランド212を
ファーストボンドとし、導電パターン310をセカンド
ボンドとする。これは、ワイヤボンダのキャピラリは内
側から外側に向かって動く点を考慮したものである。そ
して、ボンディングワイヤ400の表面に絶縁性樹脂を
適宜な方法でコーティングする。
【0031】一方、主基板500には接触子600を取
り付ける。すなわち、接触子600の基端を主基板50
0の上に若干突出させた状態で配線パターン530に半
田付けするのである。これで、接触子600は電気的に
は配線パターン530に接続され、構造的には主基板5
00に固定されたことになる。
【0032】次に、プローブ100が取り付けられたガ
イド板200を取付部材700の取付アングル710に
セットする。すなわち、ガイド板002の上側板210
の外周縁部を取付アングル710の顎部711に載せる
のである。この際、より強固にするために、ガイド板2
00を取付アングル710に接着してもよい。
【0033】ガイド板200が取り付けられた取付アン
グル710をボルト・ナット720を利用して主基板5
00に取り付ける。これによって、接触子600の先端
が導電パターン310に圧接されて、導電パターン31
0と配線パターン530とが電気的に接続される。すな
わち、プローブ100→ランド212→ボンディングワ
イヤ400→導電パターン310→接触子600→配線
パターン530という順序で電気的に接続されるのであ
る。
【0034】なお、前記接触子600には弾性変形部6
20が設けられているため、接触子600が多少長くて
も、弾性変形部620の変形によって吸収される。
【0035】上述した実施の形態では、中間基板300
の導電パターン310にボンディングワイヤ400が接
続されるとしたが、ボンディングワイヤ400は、図3
に示すように、プローブ100の基端に直接接続されて
もよい。
【0036】このようにして製造されたプローブカード
によるLSIチップ800の電気的諸特性の測定につい
て説明する。図示しないプローブカード支持機構にプロ
ーブカードを取り付ける。そして、下方にある吸着テー
ブル850にウエハ状のLSIチップ800を載置す
る。
【0037】次に、プローブカードと吸着テーブル85
0とを相対的に移動させて、プローブ100の接触部1
10をLSIチップ800の電極パッド810に接触さ
せる。さらに、オーバードライブを加えてプローブ10
0の電極パッド810に対する接触圧を適正なものにす
る。この際、プローブ100の弾性変形部120は弾性
変形してオーバードライブを吸収する。
【0038】この状態で図外の検査装置と信号を遣り取
りしてLSIチップ800の電気的諸特性を測定する。
【0039】このようにして複数個のLSIチップ80
0の電気的諸特性を繰り返して測定する。
【0040】また、測定すべきLSIチップ800の電
極パッド810の配置が変更になった場合には、新たな
電極パッド810の配置に対応したプローブ100が取
り付けられたガイド板200を交換して対応する。
【0041】
【発明の効果】本発明に係るプローブカードは、被検査
物たる半導体集積回路の材料と近い熱膨張係数を有する
素材からなるガイド板と、前記半導体集積回路の電極パ
ッドの配置に対応して前記ガイド板に取り付けられるプ
ローブと、前記ガイド板とは別体であり、前記ガイド板
の上面に取り付けられた中間基板と、前記プローブと中
間基板の導電パターンとを接続するボンディングワイヤ
と、前記ガイド板と中間基板とを着脱可能に下側に取り
付ける主基板と、この主基板に形成された配線パターン
と前記導電パターンとを接続する接続手段とを備えてい
る。
【0042】このプローブカードによると、容易に主基
板からガイド板と中間基板とを取り外すことができるの
で、プローブの交換を容易に行うことができる。また、
プローブと中間基板の導電パターンとをボンディングワ
イヤで接続しているので、従来からあるワイヤボンダー
を利用してプローブカードを製造することができるとと
もに、従来のように基板に形成される導電パターンのみ
で対応してきたものより、より多くのプローブに対応す
ることがでる。特に、ボンディングワイヤと従来の導電
パターンとを併用することよって、より多密度のプロー
ブに対応することが可能になる。
【0043】その上、このプローブカードは、ガイド板
が半導体集積回路の材料と近い熱膨張係数を有する素
材、例えば窒化珪素から構成されているので、バーンイ
ンテストと呼ばれる半導体集積回路を加熱して行うテス
トにも対応することができる。すなわち、バーンインテ
ストでは、半導体集積回路の加熱によって、プローブカ
ードを加熱されるが、半導体集積回路とプローブカード
との熱膨張係数が異なるために、室温ではプローブが電
極パッドの配置に正確に対応していたとしても、熱膨張
によってずれることがあったが、熱膨張係数が近いと熱
膨張の影響を最小限に抑制することができる。
【0044】また、前記ガイド板は、プローブの基端側
が貫通するスルーホールと、この当該スルーホールの周
囲に形成されたランドとを有しており、前記ランドにボ
ンディングワイヤが接続されるようにすると、ボンディ
ングワイヤを形成する際にプローブにはワイヤボンダー
のキャピラリが直接当たらないので、ワイヤボンディン
グの際のプローブの位置ずれが発生しにくい。
【0045】さらに、前記ガイド板は、プローブの基端
側が貫通するスルーホールとを有しており、前記ボンデ
ィングワイヤは、プローブの基端に接続されるようにす
ると、より小さな面積により多くのプローブを配置する
ことができる。ただし、プローブを予め強固にガイド板
に固定しておくことが、キャピラリの接触による位置ず
れの予防のために重要である。
【0046】一方、本発明に係るプローブカードの製造
方法では、被検査物たる半導体集積回路の材料と近い熱
膨張係数を有する素材からなるガイド板に、前記半導体
集積回路の電極パッドに対応して配置されて取り付けら
れたプローブと、前記ガイド板とは別体である中間基板
の導電パターンとをワイヤボンディングで接続する工程
を備えている。
【0047】このため、この方法によると、従来からあ
るワイヤボンダーを流用してより多くのプローブを配置
したプローブカードを製造することができる。しかも、
この方法によれば、従来のような手作業での接続作業が
減少するので、生産性の向上にも寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るプローブカードの要
部の概略的断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るプローブカードのプ
ローブと導電パターンとを接続するボンディングワイヤ
等の概略的斜視図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るプローブカードのプ
ローブとボンディングワイヤとの接続の他の例を示す概
略的断面図である。
【符号の説明】
100 プローブ 200 ガイド板 300 中間基板 400 ボンディングワイヤ 500 主基板 600 接触子(接続手段) 800 LSIチップ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検査物たる半導体集積回路の材料と近
    い熱膨張係数を有する素材からなるガイド板と、前記半
    導体集積回路の電極パッドの配置に対応して前記ガイド
    板に取り付けられるプローブと、前記ガイド板とは別体
    であり、前記ガイド板の上面に取り付けられた中間基板
    と、前記プローブと中間基板の導電パターンとを接続す
    るボンディングワイヤと、前記ガイド板と中間基板とを
    着脱可能に下側に取り付ける主基板と、この主基板に形
    成された配線パターンと前記導電パターンとを接続する
    接続手段とを具備したことを特徴とするプローブカー
    ド。
  2. 【請求項2】 前記ガイド板は、プローブの基端側が貫
    通するスルーホールと、この当該スルーホールの周囲に
    形成されたランドとを有しており、前記ランドにボンデ
    ィングワイヤが接続されることを特徴とする請求項1記
    載のプローブカード。
  3. 【請求項3】 前記ガイド板は、プローブの基端側が貫
    通するスルーホールとを有しており、前記ボンディング
    ワイヤは、プローブの基端に接続されていることを特徴
    とする請求項1記載のプローブカード。
  4. 【請求項4】 被検査物たる半導体集積回路の材料と近
    い熱膨張係数を有する素材からなるガイド板に、前記半
    導体集積回路の電極パッドに対応して配置されて取り付
    けられたプローブと、前記ガイド板とは別体である中間
    基板の導電パターンとをワイヤボンディングで接続する
    工程を具備したことを特徴とするプローブカードの製造
    方法。
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