JP2000077574A

JP2000077574A - 半導体装置及びこれを用いた積層型半導体装置

Info

Publication number: JP2000077574A
Application number: JP10371381A
Authority: JP
Inventors: Koji Yamaguchi; 浩司山口; Yasuo Amano; 泰雄天野; Isamu Yoshida; 勇吉田
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1998-06-18
Filing date: 1998-12-25
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】外観が良好で所要のマークを明瞭に表示可能
な薄形の半導体装置及び各半導体装置の積層構造等を容
易に確認可能な積層型半導体装置を提供する。【解決手段】４個の半導体装置１ａ〜１ｄを４層に積
層して積層型半導体装置１を構成する。各半導体装置の
一辺に、リードフレームを加工することによって形成さ
れた各半導体装置の階層を表示するコードデータの表示
部４ａ〜４ｄを露出させる。当該表示部は、各半導体装
置ごとに異なっており、当該表示部を目視することによ
って、積層型半導体装置の積層構造が正しいか否かを確
認できる。各半導体装置のアウタリード３ａ〜３ｄは、
対応するアウタリードごとにはんだによって接続され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子と当該
半導体素子の各端子が電気的に接続された複数本のリー
ドとこれら半導体素子及びリードを一体に封止する封止
樹脂とからなる樹脂封止型の半導体装置、及びこの種の
半導体装置を２以上積層してなる積層型半導体装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置にお
いては、１ピン端子の位置を示すためのインデックスマ
ークが、封止樹脂の上下面の特定エリアに設けられてい
る。このインデックスマークの形成方法としては、例え
ば特開平６−６１３７３号公報に記載されているよう
に、樹脂封止用の成形金型に備えられた離型イジェクタ
ピンを樹脂充填時に金型キャビティ内に突出させてお
き、成形された封止樹脂の上下面に突出された離型イジ
ェクタピンの形状に対応するくぼみを形成するという方
法が一般に用いられている。なお、樹脂封止用の成形金
型には、一般に複数個の金型キャビティが形成されてお
り、１ショットの成形サイクルで金型キャビティの数に
応じた数の樹脂封止型半導体装置を多数個取りできるよ
うに構成されている。

【０００３】ところで、電子機器は、近年に至ってます
ます小型化・軽量化が強く要請されており、かかる要請
に対処するため、半導体素子の高集積化や半導体装置の
小型化・軽量化が進められている。また、半導体装置の
実装技術についても高密度化が進められており、特開平
７−９４６７４号公報に記載されているように、複数の
半導体装置を積層して実装する方法が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特開平６−６１３７３
号公報に記載の技術、即ち、封止樹脂の上下面にくぼみ
状のインデックスマークを形成する方法は、封止樹脂の
厚みが十分に大きい場合には何ら問題を有しないが、封
止樹脂の薄形化が進むと、これに伴って樹脂封止の際の
離型イジェクタピンの先端部から樹脂封止される半導体
素子までの間隙が必然的に小さくなるため、金型キャビ
ティ内に充填される封止樹脂の流れが悪くなり、外観が
良好な半導体装置を得ることが難しくなるという問題が
ある。

【０００５】また、仮に薄形で外観が良好な半導体装置
が得られたとしても、この種の半導体装置は、複数の半
導体装置を積層して用いる積層型半導体装置には適用し
がたいという問題がある。即ち、複数の半導体装置を積
層した後は、最上段の半導体装置を除く他の半導体装置
については外部からインデックスマークが見えなくな
り、積層型半導体装置組立て後の例えば検査工程におい
て１ピン端子の位置や各半導体装置の向きを確認するこ
とができなくなるからである。

【０００６】なお、前記においては、封止樹脂の上下面
に１ピン端子の位置を示すためのインデックスマークが
形成された半導体装置を例にとって説明したが、その
他、例えばチップセレクト端子の位置を示すためのマー
クなど、当該半導体装置の種類を表示するための他のマ
ークが封止樹脂の上下面に形成された半導体装置につい
ても同様の不都合がある。

【０００７】さらに、複数個の金型キャビティが備えら
れた成形金型を用いて樹脂封止型半導体装置を多数個取
りする場合においては、各金型キャビティの位置によっ
て溶融樹脂の流れが微妙に異なるため、特定の金型キャ
ビティによって成形された樹脂封止型半導体装置に不良
品が発生しやすいということが起こり得る。このような
不都合を改善するためには、各樹脂封止型半導体装置に
ついて樹脂封止がどの金型キャビティを用いて行われた
かを正確に把握することが不可欠であり、その一方法と
して、使用した金型キャビティを特定するためのマーク
を封止樹脂に表示することが行われている。この場合に
も、封止樹脂の上下面に前記のマークを表示すると、上
記の如き種々の不都合が生じる。

【０００８】本発明の課題は、このような従来技術の不
備を解消し、封止樹脂を薄形化した場合にも良好な外観
を得ることができ、かつ所要のマークを明瞭に表示する
ことが可能な半導体装置を提供すること、及び複数の半
導体装置の積層構造や各層の半導体装置の１ピン端子の
位置等を容易に確認可能な積層型半導体装置を提供する
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成するため、半導体装置に関しては、半導体素子と、
当該半導体素子の各端子が電気的に接続された複数本の
リードと、これら半導体素子及びリードを一体に封止す
る封止樹脂とからなる半導体装置において、前記封止樹
脂の側面に、前記リードと同一材料をもって構成された
コードデータの表示部を設けるか、前記封止樹脂の側面
に、当該封止樹脂の表面に表された凹凸をもって構成さ
れたコードデータ又は文字の表示部を設けるという構成
にした。

【００１０】コードデータ又は文字の表示内容について
は、何ら制限があるものではなく、必要に応じて任意の
事項を表示することができる。例えば、積層型半導体装
置を構成するための各半導体装置については、当該半導
体装置の種類又は１ピン端子の位置若しくはこれらの組
み合わせを表示することができる。また、１ショットの
成形サイクルで多数個取りされる半導体装置について
は、封止樹脂をモールドするに使用した金型のキャビテ
ィ位置を表示することもできる。

【００１１】これらの表示部は、封止樹脂の側面上に配
置することもできるし、封止樹脂の側面より外向きに突
出させることもできる。

【００１２】前記のリードと同一材料をもって構成され
るコードデータは、半導体素子の接続前及び樹脂封止前
に、リードフレームの所要部分に当該コードデータに対
応する透孔などを予め加工しておくことによって形成す
ることができ、封止樹脂については何らの加工も要しな
い。したがって、リードフレームの一部を利用してコー
ドデータの表示部を形成すると、封止樹脂の薄形化ひい
ては半導体装置の小型化薄形化に対処することができ
る。また、リードフレームは、樹脂封止型の半導体装置
を製造する際の必須の構成要素であるので、リードフレ
ームの一部を利用して表示部を形成すると、半導体装置
の製造コストを上昇することなく、半導体装置に所要の
コードデータを付与することができる。

【００１３】また、封止樹脂の表面に表された凹凸をも
って構成されたコードデータ又は文字は、封止樹脂をモ
ールドする金型キャビティのキャビティ面に、封止樹脂
の側面に表示しようとするコードデータ又は文字と凹凸
の向きが逆のコードデータ又は文字を刻設しておくこと
によって形成できる。この場合にも、封止樹脂の側面に
所要のコードデータ又は文字を表示するので、半導体装
置の薄形化に対処することができる。

【００１４】一方、積層型半導体装置に関しては、半導
体素子と、当該半導体素子の各端子が電気的に接続され
た複数本のリードと、これら半導体素子及びリードを一
体に封止する封止樹脂とからなり、前記封止樹脂の側面
にコードデータ又は文字の表示部が設けられた２以上の
半導体装置を、前記表示部を同一方向に向けて積層し、
これら各半導体装置のアウタリードを互いに電気的に接
続するという構成にした。

【００１５】互いに積層される２以上の半導体装置とし
ては、前記表示部に表わされたコードデータ又は文字が
互いに同じものを用いることもできるし、異なるものを
用いることもできる。

【００１６】このように、封止樹脂の側面に表示部が設
けられた半導体装置を用いて積層型半導体装置を構成す
ると、積層型半導体装置の組立後に各層の半導体装置の
表示部を確認することができるため、各層の半導体装置
の積層構造の適否、各層の半導体装置の１ピン端子の位
置等の確認を容易に行うことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図４に基づいて、第
１実施形態例に係る半導体装置及びこれを用いた積層型
半導体装置を説明する。図１は本実施形態例に係る積層
型半導体装置の斜視図、図２は本実施形態例に係る積層
型半導体装置の第１の側面図、図３は積層型半導体装置
を構成する各半導体装置に形成された表示部の説明図、
図４は本実施形態例に係る積層型半導体装置の第２の側
面図である。

【００１８】これらの図から明らかなように、本例の積
層型半導体装置１は、４個の半導体装置１ａ〜１ｄを４
層に積層してなる。各半導体装置１ａ〜１ｄは、いずれ
も、封止樹脂２ａ〜２ｄと、各封止樹脂２ａ〜２ｄの相
対向する２辺から突出されたアウタリード３ａ〜３ｄ
と、封止樹脂２ａ〜２ｄの相対向する他の２辺より露出
された表示部４ａ〜４ｄ及び５ａ〜５ｄとを有してい
る。なお、封止樹脂２ａ〜２ｄの内部には、半導体素子
が封止されており（図示省略）、当該半導体素子の各端
子と前記アウタリード３ａ〜３ｄとが電気的に接続され
ている。また、アウタリード３ａ〜３ｄと表示部４ａ〜
４ｄ及び５ａ〜５ｄとは、同一の材料をもって構成され
ている。

【００１９】これら４個の半導体装置１ａ〜１ｄのう
ち、最下段の半導体装置１ａのアウタリード３ａは、所
要の配線基板への接続を容易にするため、面付きのガル
ウイング形状に形成されている。これに対して、その他
の半導体装置１ｂ〜１ｄのアウタリード３ｂ〜３ｄは、
それぞれの下方に配置される半導体装置のアウタリード
の外面に面接触するようにＬ字形に形成されている。

【００２０】各半導体装置１ａ〜１ｄは、図１、図２、
図４に示すように、表示部４ａ〜４ｄの露出面及び５ａ
〜５ｄの露出面を互いに合致させ、かつ対応する位置に
形成された各アウタリード３ａ〜３ｄどうしが互いに面
接触するように重ね合わされる。面接触された各アウタ
リード３ａ〜３ｄは、はんだ（図示省略）によって接続
される。

【００２１】表示部４ａ〜４ｄは、積層型半導体装置１
を構成する各半導体装置１ａ〜１ｄの種類を符号化され
たコードデータをもって表示したものであって、図１及
び図２に示すように、封止樹脂２ａ〜２ｄの側面に露出
する幅の広いリードフレームの切断面と幅の狭いリード
フレームの切断面との組合せをもって構成されている。
図３に示すように、幅の広いリードフレームの切断面を
２進数の「０」に対応させ、幅の狭いリードフレームの
切断面を２進数の「１」に対応させると、最下段の半導
体装置１ａの表示部４ａが示すコードデータは「０００
１」となって１０進数の「１」となり、当該半導体装置
１ａが最下段に配置されるべきものであることを示して
いる。同様に第２層の半導体装置１ｂの表示部４ｂが示
すコードデータは「００１０」、第３層の半導体装置１
ｃの表示部４ｃが示すコードデータは「００１１」、第
４層の半導体装置１ｄの表示部４ｄが示すコードデータ
は「０１００」となって、それぞれ半導体装置１ｂ，１
ｃ，１ｄが積層型半導体装置１の第２層、第３層、第４
層に配置されるべきものであることを示している。した
がって、図１及び図３に示した積層型半導体装置１は、
正しい積層構造を有していることがこれらの表示部４ａ
〜４ｄから容易に判る。

【００２２】表示部５ａ〜５ｄは、積層型半導体装置１
を構成する各半導体装置１ａ〜１ｄの１ピン端子６の位
置を示すものであって、図４に示すように、封止樹脂２
ａ〜２ｄの側面に露出する幅の広いリードフレームの切
断面と幅の狭いリードフレームの切断面との組合せをも
って構成されており、幅の狭いリードフレームの切断面
の位置で１ピン端子６の位置を表示している。即ち、本
例の場合には、封止樹脂２ａ〜２ｄの相対向する２辺か
ら突出されたアウタリード３ａ〜３ｄのうち、幅の狭い
リードフレームの切断面に近い辺から突出されたアウタ
リードであって、当該表示部５ａ〜５ｄが露出された辺
に最も近いアウタリードが１ピン端子６であることを示
している。図４から明らかなように、本例の積層型半導
体装置１においては、全ての半導体装置１ａ〜１ｄの表
示部５ａ〜５ｄが同一パターンになっているので、１ピ
ン端子６の位置に誤りがないことが判ると共に、幅の狭
いリードフレームの切断面の位置からこの積層型半導体
装置１の１ピン端子６の位置を知ることができる。

【００２３】次に、図５〜図１０に基づいて、本実施形
態例に係る半導体装置１ａ〜１ｄの製造方法を説明す
る。

【００２４】図５は、第４層（最上段）の半導体装置１
ｄの製造に適用されるリードフレームの一部平面図であ
って、長い帯状のリードフレーム１０ｄには、略矩形を
なす多数の透孔１１が一定ピッチで形成されている（図
５には、１つのみ表示）。各透孔１１の相対向する２辺
には、所要数のインナリード１２ｄ及び当該インナリー
ド１２ｄと一体をなすアウタリード３ｄとが形成されて
おり、アウタリード３ｄには、封止樹脂の流出を防止す
るためのダムバー１３が設置されている。また、他の相
対向する２辺には、パッケージ吊りリード１４ｄ，１５
ｄが形成されており、一方のパッケージ吊りリード１４
ｄには、切断後に表示部４ｄとなる幅広部１４ｄ₁ 、幅
狭部１４ｄ₂ 、幅広部１４ｄ₃ 、幅広部１４ｄ₄ がこの
順に形成されている。他方のパッケージ吊りリード１５
ｄには、切断後に表示部５ｄとなる幅狭部１５ｄ₁ 、幅
広部１５ｄ₂ 、幅広部１５ｄ₃ 、幅広部１５ｄ₄ がこの
順に形成されている。

【００２５】このリードフレーム１０ｄは、側辺部に沿
って一定ピッチで開設された丸形の移送用孔１６を利用
して図面の左右方向に一定ピッチで移送され、半導体素
子の実装、半導体素子及びリードフレーム１０ｄの封
止、リードフレーム１０ｄの切断並びに成形が順次行わ
れる。即ち、まずパッケージ吊りリード１４ｄ，１５ｄ
に半導体素子を固定して各インナリード１２ｄと半導体
素子に形成された端子部とをボンディングした後、当該
ボンディング部を含む半導体素子とインナリード１２ｄ
とを樹脂で一体に封止して所定形状の封止樹脂２ｄを形
成する。しかる後に、図６の太線で示す部分から切断し
て、半導体装置１ｄの半製品を取り出す。最後に、アウ
タリード３ｄを所要の形状に成形して、図７に示す半導
体装置１ｄの製品を得る。

【００２６】図８は、第１層（最下段）の半導体装置１
ａの製造に適用されるリードフレーム１０ａの一部平面
図であって、一方のパッケージ吊りリード１４ａには、
切断後に表示部４ａとなる幅広部１４ａ₁ 、幅広部１４
ａ₂ 、幅広部１４ａ₃ 、幅狭部１４ａ₄ がこの順に形成
されている。他方のパッケージ吊りリード１５ａには、
切断後に表示部５ａとなる幅狭部１５ａ₁ 、幅広部１５
ａ₂ 、幅広部１５ａ₃、幅広部１５ａ₄ がこの順に形成
されている。その他については、図５に示した第４層の
半導体装置１ｄの製造に適用されるリードフレームと同
じであるので、重複を避けるために説明を省略する。ま
た、半導体装置の製造方法についても、第４層の半導体
装置１ｄの場合と同じであるので、説明を省略する。

【００２７】図９は、第２層の半導体装置１ｂの製造に
適用されるリードフレーム１０ｂの一部平面図であっ
て、一方のパッケージ吊りリード１４ｂには、切断後に
表示部４ｂとなる幅広部１４ｂ₁ 、幅広部１４ｂ₂ 、幅
狭部１４ｂ₃ 、幅広部１４ｂ₄がこの順に形成されてい
る。他方のパッケージ吊りリード１５ｂには、切断後に
表示部５ｂとなる幅狭部１５ｂ₁ 、幅広部１５ｂ₂ 、幅
広部１５ｂ₃ 、幅広部１５ｂ₄ がこの順に形成されてい
る。その他については、図５に示した第４層の半導体装
置１ｄの製造に適用されるリードフレームと同じである
ので、重複を避けるために説明を省略する。また、半導
体装置の製造方法についても、第４層の半導体装置１ｄ
の場合と同じであるので、説明を省略する。

【００２８】図１０は、第３層の半導体装置１ｃの製造
に適用されるリードフレーム１０ｃの一部平面図であっ
て、一方のパッケージ吊りリード１４ｃには、切断後に
表示部４ｃとなる幅広部１４ｃ₁ 、幅広部１４ｃ₂、幅
狭部１４ｃ₃、幅狭部１４ｃ_４がこの順に形成されてい
る。他方のパッケージ吊りリード１５ｃには、切断後に
表示部５ｃとなる幅狭部１５ｃ_１、幅広部１５ｃ₂ 、
幅広部１５ｃ₃ 、幅広部１５ｃ₄ がこの順に形成されて
いる。その他については、図５に示した第４層の半導体
装置１ｄの製造に適用されるリードフレームと同じであ
るので、重複を避けるために説明を省略する。また、半
導体装置の製造方法についても、第４層の半導体装置１
ｄの場合と同じであるので、説明を省略する。

【００２９】本例の半導体装置１ａ〜１ｄは、リードフ
レーム１０ａ〜１０ｄの一部を利用して表示部４ａ〜４
ｄ及び５ａ〜５ｄを形成したので、封止樹脂２ａ〜２ｄ
の薄形化、ひいては半導体装置の小型化薄形化に対処す
ることができる。また、リードフレーム１０ａ〜１０ｄ
は、樹脂封止型の半導体装置に必須の構成要素であるの
で、かかる構成にしても半導体装置の製造コストを上昇
することがない。

【００３０】図１に示した積層型半導体装置１は、この
ようにして作製された各半導体装置１ａ〜１ｄを、表示
部４ａ〜４ｄの形成面及び表示部５ａ〜５ｄの形成面を
互いに合致させ、かつ所定の順番に積層することにより
組み立てられる。そして、互いに面接触された各半導体
装置１ａ〜１ｄのアウタリード３ａ〜３ｄをはんだ付け
して組立を完了する。

【００３１】本例の積層型半導体装置１は、各表示部４
ａ〜４ｄ及び５ａ〜５ｄを封止樹脂２ａ〜２ｄの側面に
表わしたので、当該積層型半導体装置１の組立後に各層
の半導体装置の表示部を確認することができ、各層の半
導体装置の積層構造の適否、各層の半導体装置の１ピン
端子６の位置等の確認を容易に行うことができる。

【００３２】次に、図１１〜図１３に基づいて、第２実
施形態例に係る半導体装置及びこれを用いた積層型半導
体装置を説明する。図１１は第２実施形態例に係る積層
型半導体装置の斜視図、図１２は第２実施形態例に係る
積層型半導体装置を構成する各半導体装置の平面図、図
１３は本例に係る半導体装置の製造に使用されるリード
フレームの一部平面図である。これらの図において、符
号２０ａ〜２０ｄは表示部を示し、その他前出の図１、
図２、図４、図５と対応する部分にはそれと同一の符号
が表示されている。

【００３３】図１１及び図１２から明らかなように、本
例の積層型半導体装置１は、表示部２０ａ〜２０ｄが封
止樹脂２ａ〜２ｄのアウタリード配列面より突出された
４個の半導体装置１ａ〜１ｄを４層に積層したことを特
徴とする。

【００３４】表示部２０ａ〜２０ｄには、当該半導体装
置が何段目に積層されるべきものであるのかを示す階層
マーク４ａ〜４ｄと、各半導体装置１ａ〜１ｄの１ピン
端子の位置を表示する１ピン端子表示マーク５ａ〜５ｄ
とが形成されている。階層マーク４は、表示部２０ａ〜
２０ｄに形成された突起によって表示されており、１ピ
ン端子表示マーク５は、表示部２０ａ〜２０ｄに形成さ
れた切欠によって表示されている。図１２（ａ）〜
（ｄ）に示すように、階層マーク４については、各半導
体装置１ａ〜１ｄに備えられる各表示部２０ａ〜２０ｄ
について異なる位置に形成され、１ピン端子表示マーク
５については、各半導体装置１ａ〜１ｄに備えられる各
表示部２０ａ〜２０ｄについて同一の位置に形成され
る。

【００３５】各半導体装置１ａ〜１ｄの１ピン端子６の
位置は、表示部２０ａ〜２０ｄが形成された封止樹脂２
ａ〜２ｄの辺と１ピン端子表示マーク５の形成位置とか
ら、図１２に表示された各半導体装置１ａ〜１ｄの右辺
に配置された各アウタリードのうちの最も下方部分に配
置されたアウタリードと特定することができる。

【００３６】前記表示部２０ａ〜２０ｄも、リードフレ
ームから形成される。図１３は、最下段の半導体装置１
ａの製造に適用されるリードフレーム１０ａの一部平面
図であって、所要の部分に表示部２０ａの元になる埋設
片２１が形成されている。この埋設片２１は、階層マー
ク４である突起と１ピン端子表示マーク５である切欠と
が形成された露出部２１ａと、封止樹脂２ａによって封
止される埋設部２１ｂとから構成されており、埋設部２
１ｂを樹脂封止した後、露出部２１ａが封止樹脂２ａか
ら露出するように所定部分から切断して形成される。

【００３７】本例の積層型半導体装置１は、前記第１実
施形態例に係る積層型半導体装置と同様の効果を有する
ほか、表示部２０ａ〜２０ｄを封止樹脂２ａ〜２ｄの側
面から突出させたので、当該積層型半導体装置１の上方
から各半導体装置１ａ〜１ｄの積層構造と１ピン端子の
確認を行うことができ、より一層これらの確認作業を容
易化できるという効果がある。

【００３８】次いで、図１４〜図１６に基づいて、第３
実施形態例に係る半導体装置及びこれを用いた積層型半
導体装置を説明する。図１４は第３実施形態例に係る積
層型半導体装置の斜視図、図１５は第３実施形態例に係
る積層型半導体装置を構成する各半導体装置の平面図、
図１６は本例に係る半導体装置の製造に使用されるリー
ドフレームの一部平面図である。これらの図において、
符号３０ａ〜３０ｄは第１の表示部、符号３１ａ〜３１
ｄは第２の表示部を示し、その他前出の図１、図２、図
４、図５と対応する部分にはそれと同一の符号が表示さ
れている。

【００３９】図１４及び図１５から明らかなように、本
例の積層型半導体装置１は、第１の表示部３０ａ〜３０
ｄ及び第２の表示部３１ａ〜３１ｄが封止樹脂２ａ〜２
ｄの２つのアウタリード配列面よりそれぞれ突出された
４個の半導体装置１ａ〜１ｄを４層に積層したことを特
徴とする。

【００４０】１ピン端子６の位置を表示する１ピン端子
表示マーク５は、各層の半導体装置１ａ〜１ｄについ
て、第１の表示部３０ａ〜３０ｄ上の同一位置に同一形
状の切欠をもって形成される。一方、当該半導体装置が
何段目に積層されるべきものであるのかを示す階層マー
ク４は、各半導体装置１ａ〜１ｄによって、第１の表示
部３０ａ〜３０ｄ又は第２の表示部３１ａ〜３１ｄにく
ぼみの有無及び個数をもって形成される。

【００４１】即ち、第１層の半導体装置１ａについて
は、図１５（ａ）に示すように、第１の表示部３０ａに
１つのくぼみ状の階層マーク４が形成され、第２の表示
部３１ａには何らのマークも形成されない。第２層の半
導体装置１ｂについては、図１５（ｂ）に示すように、
第１の表示部３０ｂに２つのくぼみ状の階層マーク４が
形成され、第２の表示部３１ｂには何らのマークも形成
されない。第３層の半導体装置１ｃについては、図１５
（ｃ）に示すように、第１の表示部３０ｃには１ピン端
子表示マーク５のみが形成され、第２の表示部３１ｃに
１つのくぼみ状の階層マーク４が形成される。第４層の
半導体装置１ｄについては、図１５（ｄ）に示すよう
に、第１の表示部３０ｄには１ピン端子表示マーク５の
みが形成され、第２の表示部３１ｄに２つのくぼみ状の
階層マーク４が形成される。

【００４２】各半導体装置１ａ〜１ｄの１ピン端子６の
位置は、第１の表示部３０ａ〜３０ｄが突設された封止
樹脂２ａ〜２ｄの辺と１ピン端子表示マーク５の形成位
置とから、図１５に表示された各半導体装置１ａ〜１ｄ
の右辺に配置された各アウタリードのうちの最も下方に
配置されたアウタリードと特定することができる。

【００４３】前記第１の表示部３０ａ〜３０ｄ及び第２
の表示部３１ａ〜３１ｄも、リードフレームから形成さ
れる。図１６は、最下段の半導体装置１ａの製造に適用
されるリードフレーム１０ａの一部平面図であって、所
要の部分に第１の表示部３０ａの元になる第１の埋設片
３２と第２の表示部３１ａの元になる第２の埋設片３３
とが対向に形成されている。第１の埋設片３２は、階層
マーク４であるくぼみと１ピン端子表示マーク５である
切欠とが形成された露出部３２ａと、封止樹脂２ａによ
って封止される埋設部３２ｂとから構成されており、埋
設部３２ｂを樹脂封止した後、露出部３２ａが封止樹脂
２ａから露出するように所定部分から切断して形成され
る。一方、第２の埋設片３３は、封止樹脂２ａから露出
する露出部３３ａと、封止樹脂２ａによって封止される
埋設部３３ｂとから構成されており、埋設部３３ｂを樹
脂封止した後、露出部３３ａが封止樹脂２ａから露出す
るように所定部分から切断して形成される。

【００４４】本例の積層型半導体装置１は、前記第２実
施形態例に係る積層型半導体装置と同様の効果を有する
ほか、封止樹脂２ａ〜２ｄの相対向する２つの側面から
第１の表示部３０ａ〜３０ｄと第２の表示部３１ａ〜３
１ｄとを突出させたので、これらの各表示部が放熱板と
して機能し、放熱性がより一層改善されるという効果が
ある。

【００４５】なお、前記各実施形態例においては、４層
構造の積層型半導体装置を例にとって説明したが、半導
体装置の積層数については何ら制限されるものではな
く、必要に応じて任意の数の半導体装置を積層して積層
型半導体装置を構成することが可能である。

【００４６】また、前記各実施形態例においては、最下
段の半導体装置のアウタリードの形状を面部を有するガ
ルウイング構造とし、この上に積層される半導体装置の
アウタリードの形状をこれに面接触可能なＬ字形とした
が、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、積
層型半導体装置を所要の配線基板に接続することがで
き、かつ所要のアウタリードを互いに面接触可能な形状
であれば、任意の形状に成形することができる。

【００４７】次に、図１７〜図２０に基づいて、第４実
施形態例に係る半導体装置を説明する。本例の半導体装
置は、リードフレームの切断面をもって、封止樹脂の側
面部に、当該封止樹脂をモールドするに使用した金型の
キャビティ位置を表示したことを特徴とする。図１７は
本例に係る半導体装置の製造に用いられるリードフレー
ムの平面図、図１８は本例に係る半導体装置の第１の方
向から見た斜視図、図１９は本例に係る半導体装置の第
２の方向から見た斜視図、図２０は本例に係る半導体装
置を搭載したＩＣカードの平面図である。

【００４８】図１８〜図２０から明らかなように、本例
の半導体装置１００は、封止樹脂１０１と、当該封止樹
脂１０１の相対向する２辺から突出されたアウタリード
１０２及び１０３と、当該封止樹脂１０１のアウタリー
ド突出辺に設けられた表示部１０４及び１０５とを有し
ている。なお、封止樹脂１０１の内部には、半導体素子
が封止されており、当該半導体素子の各端子と前記アウ
タリード１０２及び１０３とが電気的に接続されている
（図示省略）。また、アウタリード１０２及び１０３と
表示部１０４及び１０５とは、同一の材料をもって構成
されている。そして、図１８及び図１９に示した本例の
半導体装置１００においては、封止樹脂１０１の一辺に
設けられた表示部１０４に、幅の広い１つのリードフレ
ームの切断面が露出され、これと対向する他の辺に設け
られた表示部１０５には、幅の狭い５つのリードフレー
ムの切断面が露出されている。

【００４９】以下、本例の半導体装置１００を作製する
に使用したリードフレームの構成を、図１７に基づいて
説明する。図１７から明らかなように、本例のリードフ
レーム１１０には、３行５列の半導体素子接続部１１１
_AI〜１１１_C5が形成されており、合計１５個の半導体素
子を１ショットの成形サイクルで同時に樹脂封止できる
ように構成されている。

【００５０】図１７から明らかなように、第１行（上
段）第１列（左端）の半導体素子接続部１１１_A1には、
半導体素子を設定するための透孔１１２を介して、その
左辺部の下側と右辺部の上側にそれぞれアウタリード１
０２及び１０３が形成されると共に、左辺部のアウタリ
ード１０２と隣接する部分には切断後に表示部１０４と
なる１つのフレーム１１３₁が形成され、右辺部のアウ
タリード１０３と隣接する部分には切断後に表示部１０
５となる１つのフレーム１１４₁が形成されている。第
１行第２列の半導体素子接続部１１１_A2、第１行第３列
の半導体素子接続部１１１_A3、第１行第４列の半導体素
子接続部１１１_A4、第１行第５列の半導体素子接続部１
１１_A5は、右辺部のアウタリード１０３と隣接する部分
に形成されるフレームの数がそれぞれ２個、３個、４
個、５個となる点を除いて、第１行第１列の半導体素子
接続部１１１_A1と同様に形成される。

【００５１】第２行（中段）の各半導体素子接続部１１
１_B1〜１１１_B5は、それぞれ左辺部に２つのフレーム１
１３₂が形成される点を除いて、第１行の各半導体素子
接続部１１１_A1〜１１１_A5と同様に形成される。また、
第３行（下段）の各半導体素子接続部１１１_C1〜１１１
_C5は、それぞれ左辺部に３つのフレーム１１３₃が形成
される点を除いて、第１行の各半導体素子接続部１１１
_A1〜１１１_A5及び第２行の各半導体素子接続部１１１_B1
〜１１１_B5と同様に形成される。

【００５２】このリードフレーム１１０は、周辺部に開
設された位置決め孔１１５を利用して図示しない樹脂封
止用の金型に取り付けられ、各半導体素子接続部ごとに
対応付けて形成された金型キャビティ内に溶融樹脂を射
出することによって、各半導体素子接続部に接続された
半導体素子が樹脂封止される。樹脂封止後のリードフレ
ーム１１０は、不要部分が切断され、所要のアウタリー
ド１０２，１０３及び表示部１０４，１０５を有する完
成品としての半導体装置１００が取り出される。各半導
体装置１００の各表示部１０４，１０５には、フレーム
１１３，１１４の分割数に応じたマークが表示される。

【００５３】前記したように、フレーム１１３，１１４
の分割数は、リードフレーム１１０における各半導体素
子接続部の位置、ひいては樹脂封止に使用した金型キャ
ビティの位置を表しているから、各表示部１０４，１０
５に表示されたマークを見ることによって、当該半導体
装置１００がどの金型キャビティにて樹脂封止されたも
のかを容易に知ることができる。例えば、図１８及び図
１９に示した半導体装置には、表示部１０４に幅の広い
１つのリードフレームの切断面が露出され、表示部１０
５に幅の狭い５つのリードフレームの切断面が露出され
ているので、これを見ることによって、第１行第５列の
金型キャビティにて樹脂封止された半導体装置であると
知ることができる。

【００５４】これを利用すれば、ある半導体装置の封止
樹脂に欠陥が発生した場合に、どの金型キャビティにて
樹脂封止されたものであるかを容易に知ることができる
ので、金型キャビティを改修する等の対策を迅速にとる
ことができ、多数個取りの半導体装置の製造効率及び良
品の歩留まりを高めることができる。

【００５５】図２０は、本例の半導体装置をＩＣカード
に実装した場合の平面図であって、アウタリード１０
２，１０３にアンテナコイル１２０の両端部を接続して
なるＩＣモジュール１２１が、プラスチックシートから
なるカード基体１２２によってケーシングされている。

【００５６】なお、前記各実施形態例においては、リー
ドフレームの切断面をもって各表示部を形成したが、封
止樹脂の表面の凹凸や印刷によって表示部を形成するこ
とも勿論可能である。なお、封止樹脂の表面に凹凸を付
ける方法としては、金型キャビティのキャビティ面に、
封止樹脂の側面に表示しようとするコードデータ又は文
字と凹凸の向きが逆のコードデータ又は文字を刻設して
おくほか、刻印などの機械的方法や、レーザビームを照
射して書き込む等の光学的方法をとることもできる。ま
た、前記各実施形態例においては、各表示部にコードデ
ータを表示したが、文字（記号を含む）を表記すること
も勿論可能である。

【００５７】

【発明の効果】本発明の半導体装置は、リードフレーム
の一部を利用してコードデータの表示部を形成したの
で、封止樹脂を薄形化した場合にも封止樹脂の形成に悪
影響が生じにくく、半導体装置の薄形化に対処すること
ができる。また、樹脂封止型の半導体装置にとって必須
の構成要素であるリードフレームを利用して表示部を形
成するので、半導体装置の製造コストを上昇することな
く、コードデータ付きの半導体装置を得ることができ
る。

【００５８】また、本発明の積層型半導体装置は、封止
樹脂の側面に表示部が露出された半導体装置を用いて積
層型半導体装置を構成したので、積層型半導体装置の組
立後に各層の半導体装置の表示部を確認することがで
き、各層の半導体装置の積層構造の適否、各層の半導体
装置の１ピン端子の位置等の確認を容易に行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態例に係る積層型半導体装置の斜視
図である。

【図２】第１実施形態例に係る積層型半導体装置の第１
の側面図である。

【図３】第１実施形態例に係る積層型半導体装置を構成
する各半導体装置に形成された表示部の説明図である。

【図４】第１実施形態例に係る積層型半導体装置の第２
の側面図である。

【図５】第４層の半導体装置の製造に適用されるリード
フレームの一部平面図である。

【図６】リードフレームの切断位置を示す要部平面図で
ある。

【図７】本発明に係る半導体装置の平面図である。

【図８】第１層の半導体装置の製造に適用されるリード
フレームの一部平面図である。

【図９】第２層の半導体装置の製造に適用されるリード
フレームの一部平面図である。

【図１０】第３層の半導体装置の製造に適用されるリー
ドフレームの一部平面図である。

【図１１】第２実施形態例に係る積層型半導体装置の斜
視図である。

【図１２】第２実施形態例に係る積層型半導体装置を構
成する各半導体装置の平面図である。

【図１３】第２実施形態例に係る半導体装置の製造に使
用されるリードフレームの一部平面図である。

【図１４】第３実施形態例に係る積層型半導体装置の斜
視図である。

【図１５】第３実施形態例に係る積層型半導体装置を構
成する各半導体装置の平面図である。

【図１６】第３実施形態例に係る半導体装置の製造に使
用されるリードフレームの一部平面図である。

【図１７】第４実施形態例に係る半導体装置の製造に用
いられるリードフレームの平面図である。

【図１８】第４実施形態例に係る半導体装置の第１の方
向から見た斜視図である。

【図１９】第４実施形態例に係る半導体装置の第２の方
向から見た斜視図である。

【図２０】第４実施形態例に係る半導体装置を搭載した
ＩＣカードの平面図である。

【符号の説明】

１積層型半導体装置１ａ〜１ｄ半導体装置２ａ〜２ｄ封止樹脂３ａ〜３ｄアウタリード４ａ〜４ｄ表示部５ａ〜５ｄ表示部６１ピン端子１０ａ〜１０ｄリードフレーム１１透孔１２ａ〜１２ｄインナリード１３ダムバー１４ａ〜１４ｄパッケージ吊りリード１５ａ〜１５ｄパッケージ吊りリード２０ａ〜２０ｄ表示部２１埋設片２１ａ露出部２１ｂ埋設部３０ａ〜３０ｄ第１の表示部３１ａ〜３１ｄ第２の表示部１００半導体装置１０１封止樹脂１０２，１０３アウタリード１０４，１０５表示部１１０リードフレーム１１１半導体素子接続部１１２１１３，１１４フレーム１１５位置決め孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者天野泰雄神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者吉田勇神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子と、当該半導体素子の各端子
が電気的に接続された複数本のリードと、これら半導体
素子及びリードを一体に封止する封止樹脂とからなる半
導体装置において、前記封止樹脂の側面に、前記リード
と同一材料をもって構成されたコードデータの表示部を
設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】半導体素子と、当該半導体素子の各端子
が電気的に接続された複数本のリードと、これら半導体
素子及びリードを一体に封止する封止樹脂とからなる半
導体装置において、前記封止樹脂の側面に、当該封止樹
脂の表面に表された凹凸をもって構成されたコードデー
タ又は文字の表示部を設けたことを特徴とする半導体装
置。
【請求項３】請求項１又は２に記載の半導体装置にお
いて、前記表示部に表されたコードデータ又は文字が、
当該半導体装置の１ピン端子の位置を表示したもの、又
は当該半導体装置の種類を表示したもの、若しくはこれ
らの両者からなるものであることを特徴とする半導体装
置。
【請求項４】請求項１又は２に記載の半導体装置にお
いて、前記表示部に表されたコードデータ又は文字が、
当該半導体装置の封止樹脂をモールドするに使用した金
型のキャビティ位置を表示したものであることを特徴と
する半導体装置。
【請求項５】請求項１に記載の半導体装置において、
前記表示部の端面を、前記封止樹脂の側面上に露出して
配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項１に記載の半導体装置において、
前記表示部を、前記封止樹脂の側面より外向きに突出さ
せたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項１又は２に記載の半導体装置にお
いて、前記表示部を、前記封止樹脂の一側面又は２以上
の側面に設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】半導体素子と、当該半導体素子の各端子
が電気的に接続された複数本のリードと、これら半導体
素子及びリードを一体に封止する封止樹脂とからなり、
前記封止樹脂の側面にコードデータ又は文字の表示部が
設けられた２以上の半導体装置を、前記表示部を同一方
向に向けて積層し、これら各半導体装置のアウタリード
を互いに電気的に接続したことを特徴とする積層型半導
体装置。
【請求項９】請求項８に記載の積層型半導体装置にお
いて、前記２以上の半導体装置として、前記表示部に表
わされたコードデータ又は文字が互いに異なる半導体装
置を積層したことを特徴とする積層型半導体装置。