JPH11150061A - 半導体露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
半導体露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法Info
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- JPH11150061A JPH11150061A JP9330818A JP33081897A JPH11150061A JP H11150061 A JPH11150061 A JP H11150061A JP 9330818 A JP9330818 A JP 9330818A JP 33081897 A JP33081897 A JP 33081897A JP H11150061 A JPH11150061 A JP H11150061A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オンラインでのロットの処理をキャンセルし
たり、処理が終了するのを待ったりする必要なしにオフ
ラインのロット処理ができるようにする。 【解決手段】 外部装置401、402との間で通信手
段を介して情報の授受を行うとともに露光処理のための
駆動制御を行う制御手段を備え、前記外部装置から搬送
されるオンラインでの基板のロットに対して前記外部装
置からの指令に応じてオンラインでの露光処理を行う半
導体露光装置403において、前記制御手段は、前記外
部装置からの指令によって開始したオンラインによるロ
ットの露光処理を、与えられる指令に応じて中断しおよ
び再開する機能を有する。
たり、処理が終了するのを待ったりする必要なしにオフ
ラインのロット処理ができるようにする。 【解決手段】 外部装置401、402との間で通信手
段を介して情報の授受を行うとともに露光処理のための
駆動制御を行う制御手段を備え、前記外部装置から搬送
されるオンラインでの基板のロットに対して前記外部装
置からの指令に応じてオンラインでの露光処理を行う半
導体露光装置403において、前記制御手段は、前記外
部装置からの指令によって開始したオンラインによるロ
ットの露光処理を、与えられる指令に応じて中断しおよ
び再開する機能を有する。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、LSI、VLSI
等の半導体デバイスを製造するための半導体露光装置、
半導体製造装置およびデバイス製造方法に関する。
等の半導体デバイスを製造するための半導体露光装置、
半導体製造装置およびデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、このような半導体製造装置では、
焼付け処理を実行するに際して、外部装置からの起動に
よるオンラインでのロット処理を実行している場合に、
途中で割込みのロットを装置単独でロット処理をするた
めにオフライン処理をするときには、オンラインのロッ
ト処理が完了するか、ロット処理をキャンセルしてオフ
ラインのロット処理を行なっている。
焼付け処理を実行するに際して、外部装置からの起動に
よるオンラインでのロット処理を実行している場合に、
途中で割込みのロットを装置単独でロット処理をするた
めにオフライン処理をするときには、オンラインのロッ
ト処理が完了するか、ロット処理をキャンセルしてオフ
ラインのロット処理を行なっている。
【0003】図6はこのような従来の半導体製造装置に
おける動作を示すフローチャートである。同図に示すよ
うに、ホストコンピュータが基板のレジスト塗布および
現像処理を行うC/Dに対して露光処理の開始を指令す
ると(ステップS501)、C/Dが処理した所定ロッ
トのウエハが露光装置に搬送される。この後、ホストコ
ンピュータが露光装置に対して露光処理の開始を指令す
ると(ステップS503)、露光装置はC/Dから搬送
されたロットのウエハに対して露光処理を開始し(ステ
ップS504、S505)、その旨をホストコンピュー
タに送信する(ステップS506)。そして、露光処理
が終了すると(ステップS507)、その旨をホストコ
ンピュータに送信する(ステップS508)。
おける動作を示すフローチャートである。同図に示すよ
うに、ホストコンピュータが基板のレジスト塗布および
現像処理を行うC/Dに対して露光処理の開始を指令す
ると(ステップS501)、C/Dが処理した所定ロッ
トのウエハが露光装置に搬送される。この後、ホストコ
ンピュータが露光装置に対して露光処理の開始を指令す
ると(ステップS503)、露光装置はC/Dから搬送
されたロットのウエハに対して露光処理を開始し(ステ
ップS504、S505)、その旨をホストコンピュー
タに送信する(ステップS506)。そして、露光処理
が終了すると(ステップS507)、その旨をホストコ
ンピュータに送信する(ステップS508)。
【0004】このようなオンラインによるロットの処理
が終了した後、あるいは行われていないとき、オペレー
タからのオフラインへ切り替えるべき旨の指令を受ける
と(ステップS513)、露光装置は、オフライン処理
への切替えを行い(ステップS509)、その旨をホス
トコンピュータに報告する(ステップS510)。その
後、オペレータは露光装置に対して割込み処理するロッ
トのウエハをセットし、処理開始の指令を入力すると
(ステップS514)、これに応じて露光装置は割込み
処理するロットの露光処理を開始する(ステップS51
1)。この露光処理が終了すると(ステップS51
2)、オペレータは露光済みの割り込み処理のロットの
ウエハを回収する(ステップS515)。
が終了した後、あるいは行われていないとき、オペレー
タからのオフラインへ切り替えるべき旨の指令を受ける
と(ステップS513)、露光装置は、オフライン処理
への切替えを行い(ステップS509)、その旨をホス
トコンピュータに報告する(ステップS510)。その
後、オペレータは露光装置に対して割込み処理するロッ
トのウエハをセットし、処理開始の指令を入力すると
(ステップS514)、これに応じて露光装置は割込み
処理するロットの露光処理を開始する(ステップS51
1)。この露光処理が終了すると(ステップS51
2)、オペレータは露光済みの割り込み処理のロットの
ウエハを回収する(ステップS515)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これに
よれば、緊急にオフラインでの割込みロットの処理を行
ないたい場合にオンラインのロット処理が完了するのを
待つか、オンラインのロット処理をキャンセルしなけれ
ばならない。
よれば、緊急にオフラインでの割込みロットの処理を行
ないたい場合にオンラインのロット処理が完了するのを
待つか、オンラインのロット処理をキャンセルしなけれ
ばならない。
【0006】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、半導体製造装置、半導体露光装置およびデ
バイス製造方法において、オンラインでのロット処理の
完了を待ったり、オンラインでのロット処理をキャンセ
ルする必要なしにオフラインのロット処理ができるよう
にすることにある。
題点に鑑み、半導体製造装置、半導体露光装置およびデ
バイス製造方法において、オンラインでのロット処理の
完了を待ったり、オンラインでのロット処理をキャンセ
ルする必要なしにオフラインのロット処理ができるよう
にすることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、外部装置との間で通信手段を介して情報の
授受を行うとともに露光処理のための駆動制御を行う制
御手段を備え、前記外部装置から搬送されるオンライン
での基板のロットに対して前記外部装置からの指令に応
じてオンラインでの露光処理を行う半導体露光装置にお
いて、前記制御手段は、前記外部装置からの指令によっ
て開始したオンラインによるロットの露光処理を、与え
られる指令に応じて中断しおよび再開する機能を有する
ことを特徴とする。
本発明では、外部装置との間で通信手段を介して情報の
授受を行うとともに露光処理のための駆動制御を行う制
御手段を備え、前記外部装置から搬送されるオンライン
での基板のロットに対して前記外部装置からの指令に応
じてオンラインでの露光処理を行う半導体露光装置にお
いて、前記制御手段は、前記外部装置からの指令によっ
て開始したオンラインによるロットの露光処理を、与え
られる指令に応じて中断しおよび再開する機能を有する
ことを特徴とする。
【0008】また、本発明のデバイス製造方法において
は、このような半導体露光装置を用いて基板の露光を行
うことによりデバイスを製造する際に、オンラインでの
基板のロットに対する露光処理を途中で中断し、次に別
の基板のロットに対してオフラインにより露光処理を行
い、そしてこのオフラインによる露光処理の終了後、中
断したオンラインでの基板のロットに対する露光処理を
再開することを特徴とする。
は、このような半導体露光装置を用いて基板の露光を行
うことによりデバイスを製造する際に、オンラインでの
基板のロットに対する露光処理を途中で中断し、次に別
の基板のロットに対してオフラインにより露光処理を行
い、そしてこのオフラインによる露光処理の終了後、中
断したオンラインでの基板のロットに対する露光処理を
再開することを特徴とする。
【0009】これら本発明によれば、オンラインでのロ
ット処理途中にオフラインのロット処理ができるため、
割込みのロット処理が速やかに行なわれる。
ット処理途中にオフラインのロット処理ができるため、
割込みのロット処理が速やかに行なわれる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、制御手段は、外部装置からの指令によって開始し
たオンラインによるロットの露光処理の途中で、処理を
中断すべき旨の指令を受けると、そのオンライン処理を
中断し、その旨を前記外部装置に送信するとともに、中
断したオンライン処理を再開すべき旨の指令を受ける
と、オンライン処理を再開し、その旨を前記外部装置に
送信する。この場合、前記制御手段は、前記オンライン
処理の中断から再開までの間に、セットされたオフライ
ン処理のための基板のロットに対して、与えられる指令
に応じてオフラインによる露光処理を行うように装置を
制御することができる。
ては、制御手段は、外部装置からの指令によって開始し
たオンラインによるロットの露光処理の途中で、処理を
中断すべき旨の指令を受けると、そのオンライン処理を
中断し、その旨を前記外部装置に送信するとともに、中
断したオンライン処理を再開すべき旨の指令を受ける
と、オンライン処理を再開し、その旨を前記外部装置に
送信する。この場合、前記制御手段は、前記オンライン
処理の中断から再開までの間に、セットされたオフライ
ン処理のための基板のロットに対して、与えられる指令
に応じてオフラインによる露光処理を行うように装置を
制御することができる。
【0011】また、より具体的には、ホストコンピュー
タと、前記ホストコンピュータに通信手段により接続さ
れた露光装置と、前記ホストコンピュータに通信手段に
より接続され、基板に対して所定の処理を行うととも
に、前記露光装置との間で基板の授受を行う基板処理装
置とを備え、前記基板処理装置はそれが処理した所定ロ
ットの基板を前記ホストコンピュータの指令に応じて前
記露光装置に受け渡すとともに、前記露光装置は前記ホ
ストコンピュータの指令に応じて、受け渡されたロット
の基板に対して露光処理を行う半導体製造装置におい
て、前記露光装置は、前記受け渡されたロットの基板に
対してホストコンピュータからの指令によって開始した
露光処理の途中で、処理を中断すべき旨の指令を受ける
と、その処理を中断し、その旨を前記ホストコンピュー
タに送信するとともに、前記ホストコンピュータはこれ
を受信し、前記露光装置は、中断した処理を再開すべき
旨の指令を受けると、中断した処理を再開し、その旨を
前記ホストコンピュータに送信するとともに、前記ホス
トコンピュータはこれを受信する。以下、実施例を通じ
て本発明の実施形態をより具体的に説明する。
タと、前記ホストコンピュータに通信手段により接続さ
れた露光装置と、前記ホストコンピュータに通信手段に
より接続され、基板に対して所定の処理を行うととも
に、前記露光装置との間で基板の授受を行う基板処理装
置とを備え、前記基板処理装置はそれが処理した所定ロ
ットの基板を前記ホストコンピュータの指令に応じて前
記露光装置に受け渡すとともに、前記露光装置は前記ホ
ストコンピュータの指令に応じて、受け渡されたロット
の基板に対して露光処理を行う半導体製造装置におい
て、前記露光装置は、前記受け渡されたロットの基板に
対してホストコンピュータからの指令によって開始した
露光処理の途中で、処理を中断すべき旨の指令を受ける
と、その処理を中断し、その旨を前記ホストコンピュー
タに送信するとともに、前記ホストコンピュータはこれ
を受信し、前記露光装置は、中断した処理を再開すべき
旨の指令を受けると、中断した処理を再開し、その旨を
前記ホストコンピュータに送信するとともに、前記ホス
トコンピュータはこれを受信する。以下、実施例を通じ
て本発明の実施形態をより具体的に説明する。
【0012】
【実施例】図3は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の外観を示す斜視図である。この半導体露光装置は、
装置本体の制御を行なうCPUを有するEWS(Eng
ineering Work Station)本体1
06と、装置における所定の情報を表示するEWS用デ
ィスプレイ装置102とを備えている。また、チャンバ
101の内部には半導体露光装置本体が設置されてい
る。
置の外観を示す斜視図である。この半導体露光装置は、
装置本体の制御を行なうCPUを有するEWS(Eng
ineering Work Station)本体1
06と、装置における所定の情報を表示するEWS用デ
ィスプレイ装置102とを備えている。また、チャンバ
101の内部には半導体露光装置本体が設置されてい
る。
【0013】EWS用ディスプレイ装置102には、装
置本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表
示するモニタTV105と、装置に対して所定の入力を
行なうための操作パネル103と、EWS用キーボード
104等を含むコンソール部を備えている。107はO
N−OFFスイッチであり、108は非常停止スイッチ
である。109は各種のスイッチやマウス等からなる。
置本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表
示するモニタTV105と、装置に対して所定の入力を
行なうための操作パネル103と、EWS用キーボード
104等を含むコンソール部を備えている。107はO
N−OFFスイッチであり、108は非常停止スイッチ
である。109は各種のスイッチやマウス等からなる。
【0014】このEWS用ディスプレイ装置102は、
EL、プラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのもので
あり、チャンバ101の前面に納められ、LANケーブ
ル110によりEWS本体106と接続されている。ま
た、操作パネル103、キーボード104、モニタTV
105等は、チャンバの前面からコンソール操作を行な
うことができる。
EL、プラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのもので
あり、チャンバ101の前面に納められ、LANケーブ
ル110によりEWS本体106と接続されている。ま
た、操作パネル103、キーボード104、モニタTV
105等は、チャンバの前面からコンソール操作を行な
うことができる。
【0015】110はLAN通信ケーブルである。11
1はコンソール機能からの発熱の排気ダクトである。1
12はチャンバの排気装置である。
1はコンソール機能からの発熱の排気ダクトである。1
12はチャンバの排気装置である。
【0016】図4はこの半導体露光装置の内部構造を示
す。この例では、半導体露光装置としてのステッパの構
造を示す。図中、202はレチクルである。203はウ
エハである。この構造では、光源装置204から射出さ
れた光束が照明光学系205を通ってレチクル202を
照明するとき、投影レンズ206によりレチクル202
上のパターンをウエハ203上の感光層に転写する。
す。この例では、半導体露光装置としてのステッパの構
造を示す。図中、202はレチクルである。203はウ
エハである。この構造では、光源装置204から射出さ
れた光束が照明光学系205を通ってレチクル202を
照明するとき、投影レンズ206によりレチクル202
上のパターンをウエハ203上の感光層に転写する。
【0017】レチクル202はレチクル202を保持、
移動するためのレチクルステージ207により支持され
ている。ウエハ203はウエハチャック291により真
空吸着された状態で露光される。ウエハチャック291
はウエハステージ209により各軸方向に移動可能であ
る。レチクル202の上側にはレチクル202の位置ず
れ量を検出するためのレチクル光学系281が配置され
ている。ウエハステージ209の上方には、投影レンズ
206に隣接してオフアクシス顕微鏡282が配置され
ている。オフアクシス顕微鏡282は内部の基準マーク
とウエハ203上のアライメントマークとの相対位置検
出を行なうのが主たる役割である。
移動するためのレチクルステージ207により支持され
ている。ウエハ203はウエハチャック291により真
空吸着された状態で露光される。ウエハチャック291
はウエハステージ209により各軸方向に移動可能であ
る。レチクル202の上側にはレチクル202の位置ず
れ量を検出するためのレチクル光学系281が配置され
ている。ウエハステージ209の上方には、投影レンズ
206に隣接してオフアクシス顕微鏡282が配置され
ている。オフアクシス顕微鏡282は内部の基準マーク
とウエハ203上のアライメントマークとの相対位置検
出を行なうのが主たる役割である。
【0018】また、このようなステッパ本体に隣接し
て、周辺装置としてのレチクルライブラリ220やウエ
ハキャリアエレベータ230が配置されている。この場
合、必要に応じて、レチクル202やウエハ203は、
レチクル搬送装置221およびウエハ搬送装置231に
よってステッパ本体側に搬送される。
て、周辺装置としてのレチクルライブラリ220やウエ
ハキャリアエレベータ230が配置されている。この場
合、必要に応じて、レチクル202やウエハ203は、
レチクル搬送装置221およびウエハ搬送装置231に
よってステッパ本体側に搬送される。
【0019】チャンバ101は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室210及び微小異物をろ過し清浄空気の
均一な流れを形成するフィルタボックス213や、装置
環境を外部と遮断するブース214で構成されている。
チャンバ101内では、空調機室210内にある冷却器
215及び再熱ヒータ216により温度調節された空気
が、送風器217によりエアフィルタgを介してブース
214内に供給される。このブース214に供給された
空気はリターン口raにより再度空調機室210に取り
込まれ、チャンバ101内を循環する。通常、このチャ
ンバ101は厳密には完全な循環系ではなく、ブース2
14内を常時陽圧に保つため循環空気量の約1割のブー
ス214外の空気を空調機室210に設けられた外気導
入口oaより送風機を介して導入している。このように
してチャンバ101は、本装置の置かれる環境温度を一
定に保ち、かつ、空気を清浄に保つことを可能としてい
る。
行なう空調機室210及び微小異物をろ過し清浄空気の
均一な流れを形成するフィルタボックス213や、装置
環境を外部と遮断するブース214で構成されている。
チャンバ101内では、空調機室210内にある冷却器
215及び再熱ヒータ216により温度調節された空気
が、送風器217によりエアフィルタgを介してブース
214内に供給される。このブース214に供給された
空気はリターン口raにより再度空調機室210に取り
込まれ、チャンバ101内を循環する。通常、このチャ
ンバ101は厳密には完全な循環系ではなく、ブース2
14内を常時陽圧に保つため循環空気量の約1割のブー
ス214外の空気を空調機室210に設けられた外気導
入口oaより送風機を介して導入している。このように
してチャンバ101は、本装置の置かれる環境温度を一
定に保ち、かつ、空気を清浄に保つことを可能としてい
る。
【0020】また、光源装置204には、超高圧水銀灯
の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口s
aと排気口eaとが設けられ、ブース214内の空気の
一部が光源装置204を経由し、空調機室210に備え
られた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気さ
れている。また空気中の化学物質を除去するための化学
吸着フィルタcfを、空調機室210の外気導入口oa
およびリターン口raにそれぞれ接続して備えている。
の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口s
aと排気口eaとが設けられ、ブース214内の空気の
一部が光源装置204を経由し、空調機室210に備え
られた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気さ
れている。また空気中の化学物質を除去するための化学
吸着フィルタcfを、空調機室210の外気導入口oa
およびリターン口raにそれぞれ接続して備えている。
【0021】図5はこの半導体露光装置の電気回路構成
を示すブロック図である。図中、321は装置全体の制
御を司る、前記EWS本体106に内蔵された本体CP
Uである。この本体CPU321は、マイクロコンピュ
ータまたはミニコンピュータ等の中央演算処理装置から
なる。322はウエハステージ駆動装置である。323
は前記オフアクシス顕微鏡282等のアライメント検出
系である。324はレチクルステージ駆動系である。3
27はフォーカス検出系である。328はZ駆動装置で
ある。これら各装置は、本体CPU321により制御さ
れる。
を示すブロック図である。図中、321は装置全体の制
御を司る、前記EWS本体106に内蔵された本体CP
Uである。この本体CPU321は、マイクロコンピュ
ータまたはミニコンピュータ等の中央演算処理装置から
なる。322はウエハステージ駆動装置である。323
は前記オフアクシス顕微鏡282等のアライメント検出
系である。324はレチクルステージ駆動系である。3
27はフォーカス検出系である。328はZ駆動装置で
ある。これら各装置は、本体CPU321により制御さ
れる。
【0022】また、329は、レチクル搬送装置22
1、ウエハ搬送装置231等の搬送系である。330
は、前記EWS用ディスプレイ装置102、キーボード
104等を有するコンソールユニットである。このコン
ソールユニット330は、本体CPU321に露光装置
403(図2)の動作に関する各種コマンドやパラメー
タを与えるためのもの、すなわち、オペレータとの間で
情報の授受を行なうためのものである。331はコソン
ールCPUであり、332はパラメータ等を記憶する外
部メモリである。
1、ウエハ搬送装置231等の搬送系である。330
は、前記EWS用ディスプレイ装置102、キーボード
104等を有するコンソールユニットである。このコン
ソールユニット330は、本体CPU321に露光装置
403(図2)の動作に関する各種コマンドやパラメー
タを与えるためのもの、すなわち、オペレータとの間で
情報の授受を行なうためのものである。331はコソン
ールCPUであり、332はパラメータ等を記憶する外
部メモリである。
【0023】図2は、この半導体露光装置を用いた半導
体製造装置の構成を示し、この半導体製造装置は半導体
露光装置403とこれに接続された外部装置により構成
される。ホストコンピュータ401(第1の外部装置)
は、通信手段410を介して、C/D(レジスト処理装
置)402(第2の外部装置)および半導体露光装置4
03を制御する。C/D402は、ウエハの塗布・現像
の処理を行なうものであり、半導体露光装置403との
間でウエハ搬送装置420を介してウエハの授受を行な
う。
体製造装置の構成を示し、この半導体製造装置は半導体
露光装置403とこれに接続された外部装置により構成
される。ホストコンピュータ401(第1の外部装置)
は、通信手段410を介して、C/D(レジスト処理装
置)402(第2の外部装置)および半導体露光装置4
03を制御する。C/D402は、ウエハの塗布・現像
の処理を行なうものであり、半導体露光装置403との
間でウエハ搬送装置420を介してウエハの授受を行な
う。
【0024】図1はこの半導体製造装置における露光処
理を示すフローチャートである。同図に示すように、処
理が開始されると、まず、ホストコンピュータ401か
らC/D402にスタート命令が送られる(ステップS
601)。これにより、C/D402から露光装置40
3に露光すべきロットのウエハが搬入される(ステップ
S602)。次にホストコンピュータ401から露光装
置403にスタートコマンドが発令される(ステップS
603)。これにより、露光装置403は、ウエハ20
3を露光ステージ209に搬送し(ステップS60
4)、露光を開始する(ステップS605)。露光を開
始すると、露光装置403はホストコンピュータ401
へ露光開始報告を送信し、ホストコンピュータ401は
これを受信する(ステップS606)。
理を示すフローチャートである。同図に示すように、処
理が開始されると、まず、ホストコンピュータ401か
らC/D402にスタート命令が送られる(ステップS
601)。これにより、C/D402から露光装置40
3に露光すべきロットのウエハが搬入される(ステップ
S602)。次にホストコンピュータ401から露光装
置403にスタートコマンドが発令される(ステップS
603)。これにより、露光装置403は、ウエハ20
3を露光ステージ209に搬送し(ステップS60
4)、露光を開始する(ステップS605)。露光を開
始すると、露光装置403はホストコンピュータ401
へ露光開始報告を送信し、ホストコンピュータ401は
これを受信する(ステップS606)。
【0025】このオンラインでの露光処理の途中で、露
光装置403においてオペレータにより手動で露光中断
のコマンド操作が行なわれると(ステップS615)、
露光装置403はオンラインロットの露光を中断して
(ステップS607)、ホストコンピュータ401へ露
光中断報告を送信し、ホストコンピュータ401はこれ
を受信する(ステップS608)。引き続き、露光装置
403においてオペレータが割込みロットのウエハを装
置に手動でセットして割込みロットに対する処理のスタ
ートコマンド操作を行なうことにより(ステップS61
6)、これに応じて露光装置403は割込みロットの処
理をオフラインでスタートする(ステップS609)。
割り込みロットの露光が終了すると(ステップS61
0)、オペレータが露光済ウエハを回収する(ステップ
S617)。
光装置403においてオペレータにより手動で露光中断
のコマンド操作が行なわれると(ステップS615)、
露光装置403はオンラインロットの露光を中断して
(ステップS607)、ホストコンピュータ401へ露
光中断報告を送信し、ホストコンピュータ401はこれ
を受信する(ステップS608)。引き続き、露光装置
403においてオペレータが割込みロットのウエハを装
置に手動でセットして割込みロットに対する処理のスタ
ートコマンド操作を行なうことにより(ステップS61
6)、これに応じて露光装置403は割込みロットの処
理をオフラインでスタートする(ステップS609)。
割り込みロットの露光が終了すると(ステップS61
0)、オペレータが露光済ウエハを回収する(ステップ
S617)。
【0026】そして、露光装置403においてオペレー
タが再スタートコマンド操作を行なうと(ステップS6
18)、露光装置403はオンラインでのロット処理を
再開し(ステップ611)、ホストコンピュータ401
へロット再開報告を送信し、ホストコンピュータ401
はこれを受信する(ステップS612)。そしてこのオ
ンラインでの露光処理が終了すると(ステップS61
3)、露光装置403はホストコンピュータ401へ露
光終了報告を送信し、ホストコンピュータ401はこれ
を受信する(ステップS614)。
タが再スタートコマンド操作を行なうと(ステップS6
18)、露光装置403はオンラインでのロット処理を
再開し(ステップ611)、ホストコンピュータ401
へロット再開報告を送信し、ホストコンピュータ401
はこれを受信する(ステップS612)。そしてこのオ
ンラインでの露光処理が終了すると(ステップS61
3)、露光装置403はホストコンピュータ401へ露
光終了報告を送信し、ホストコンピュータ401はこれ
を受信する(ステップS614)。
【0027】次に、上述した半導体露光装置もしくは半
導体製造装置を利用することができるデバイス製造例に
ついて説明する。図7は微小デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステッ
プ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程
を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷(ステップ7)される。
導体製造装置を利用することができるデバイス製造例に
ついて説明する。図7は微小デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステッ
プ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程
を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0028】図8は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶緑
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハにレジストを塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置または露
光方法によってマスクの回路パターンをウエハの複数の
ショット領域に並べて焼付露光する。ステップ17(現
像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エ
ッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶緑
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハにレジストを塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置または露
光方法によってマスクの回路パターンをウエハの複数の
ショット領域に並べて焼付露光する。ステップ17(現
像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エ
ッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
【0029】これによれば、従来は製造が難しかった大
型のデバイスを低コストで製造することができる。な
お、本発明は、上述実施例に限定されることなく適宜変
形して実施することができる。例えば、上述においては
露光装置や基板処理装置をそれぞれ1台のみ用いている
が、これらの機器を複数用いる場合でも本発明を適用す
ることができる。また、本発明における、ホストコンピ
ュータ、露光装置の制御手段等の機能は、これらにその
ような機能を果たすためのプログラムを供給することに
よって達成される場合もあり、その場合も本発明の範囲
に含まれることは言うまでもない。その場合、本発明に
従った機能を達成するためのソフトウエアによって表さ
れるプログラムを格納した記憶媒体からそのプログラム
をホストコンピュータ、露光装置の制御手段等が読み出
すことによって、半導体製造装置や半導体露光装置は本
発明の効果を享受することが可能となる。
型のデバイスを低コストで製造することができる。な
お、本発明は、上述実施例に限定されることなく適宜変
形して実施することができる。例えば、上述においては
露光装置や基板処理装置をそれぞれ1台のみ用いている
が、これらの機器を複数用いる場合でも本発明を適用す
ることができる。また、本発明における、ホストコンピ
ュータ、露光装置の制御手段等の機能は、これらにその
ような機能を果たすためのプログラムを供給することに
よって達成される場合もあり、その場合も本発明の範囲
に含まれることは言うまでもない。その場合、本発明に
従った機能を達成するためのソフトウエアによって表さ
れるプログラムを格納した記憶媒体からそのプログラム
をホストコンピュータ、露光装置の制御手段等が読み出
すことによって、半導体製造装置や半導体露光装置は本
発明の効果を享受することが可能となる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部装置からの指令によって開始したオンラインによるロ
ットの露光処理を、与えられる指令に応じて中断しおよ
び再開する機能を有するようにしたため、オンラインで
のロット処理の完了を待ったり、オンラインでのロット
処理をキャンセルしたりする必要なしに、つまりオンラ
インでのロット処理の途中で、オフラインのロット処理
を行うことができる。したがって、割込みさせて処理し
たいロット処理が発生した場合の負荷を軽減することが
できる。
部装置からの指令によって開始したオンラインによるロ
ットの露光処理を、与えられる指令に応じて中断しおよ
び再開する機能を有するようにしたため、オンラインで
のロット処理の完了を待ったり、オンラインでのロット
処理をキャンセルしたりする必要なしに、つまりオンラ
インでのロット処理の途中で、オフラインのロット処理
を行うことができる。したがって、割込みさせて処理し
たいロット処理が発生した場合の負荷を軽減することが
できる。
【図1】 図2の装置における露光処理時のロット処理
の一例を示すフローチャートである。
の一例を示すフローチャートである。
【図2】 本発明の一実施例に係る半導体製造装置の構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図3】 図2の半導体製造装置で使用される半導体露
光装置の外観を示す斜視図である。
光装置の外観を示す斜視図である。
【図4】 図3の半導体露光装置の内部構成を示す断面
図である。
図である。
【図5】 図3の半導体露光装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図6】 従来の露光処理におけるロット処理の一例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図7】 本発明の装置または方法を用いることができ
るデバイス製造例を示すフローチャートである。
るデバイス製造例を示すフローチャートである。
【図8】 図7におけるウエハプロセスの詳細なフロー
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
101:温調チャンバ、102:EWS用ディスプレイ
装置、103:操作パネル、104:EWS用キーボー
ド、105:モニタTV、106:EWS本体、10
7:ON−OFFスイッチ、108:非常停止スイッ
チ、109:各種スイッチ、マウス等、110:LAN
通信ケーブル、111:排気ダクト、112:排気装
置、202:レチクル、203:ウエハ、204:光源
装置、205:照明光学系、206:投影レンズ、20
7:レチクルステージ、209:ウエハステージ、28
1:レチクル顕微鏡、282:オフアクシス顕微鏡、2
10:空調機室、213:フィルタボックス、214:
ブース、217:送風機、g:エアフィルタ、cf:化
学吸着フィルタ、oa:外気導入口、ra:リターン
口、321:本体CPU、330:コンソール、33
1:コンソールCPU、332:外部メモリ、401:
ホストコンピュータ、402:レジスト処理装置、40
3:露光装置、410:通信手段、420:搬送装置。
装置、103:操作パネル、104:EWS用キーボー
ド、105:モニタTV、106:EWS本体、10
7:ON−OFFスイッチ、108:非常停止スイッ
チ、109:各種スイッチ、マウス等、110:LAN
通信ケーブル、111:排気ダクト、112:排気装
置、202:レチクル、203:ウエハ、204:光源
装置、205:照明光学系、206:投影レンズ、20
7:レチクルステージ、209:ウエハステージ、28
1:レチクル顕微鏡、282:オフアクシス顕微鏡、2
10:空調機室、213:フィルタボックス、214:
ブース、217:送風機、g:エアフィルタ、cf:化
学吸着フィルタ、oa:外気導入口、ra:リターン
口、321:本体CPU、330:コンソール、33
1:コンソールCPU、332:外部メモリ、401:
ホストコンピュータ、402:レジスト処理装置、40
3:露光装置、410:通信手段、420:搬送装置。
Claims (6)
- 【請求項1】 外部装置との間で通信手段を介して情報
の授受を行うとともに露光処理のための駆動制御を行う
制御手段を備え、前記外部装置から搬送されるオンライ
ンでの基板のロットに対して前記外部装置からの指令に
応じてオンラインでの露光処理を行う半導体露光装置に
おいて、前記制御手段は、前記外部装置からの指令によ
って開始したオンラインによるロットの露光処理を、与
えられる指令に応じて中断しおよび再開する機能を有す
ることを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項2】 前記制御手段は、前記外部装置からの指
令によって開始したオンラインによるロットの露光処理
の途中で、処理を中断すべき旨の指令を受けると、その
オンライン処理を中断し、その旨を前記外部装置に送信
するとともに、中断したオンライン処理を再開すべき旨
の指令を受けると、オンライン処理を再開し、その旨を
前記外部装置に送信するものであることを特徴とする請
求項1に記載の半導体露光装置。 - 【請求項3】 前記制御手段は、前記オンライン処理の
中断から再開までの間に、セットされたオフライン処理
のための基板のロットに対して、与えられる指令に応じ
てオフラインによる露光処理を行うように装置を制御す
るものであることを特徴とする請求項1または2に記載
の半導体露光装置。 - 【請求項4】 ホストコンピュータと、前記ホストコン
ピュータに通信手段により接続された露光装置と、前記
ホストコンピュータに通信手段により接続され、基板に
対して所定の処理を行うとともに、前記露光装置との間
で基板の授受を行う基板処理装置とを備え、前記基板処
理装置はそれが処理した所定ロットの基板を前記ホスト
コンピュータの指令に応じて前記露光装置に受け渡すと
ともに、前記露光装置は前記ホストコンピュータの指令
に応じて、受け渡されたロットの基板に対して露光処理
を行う半導体製造装置において、前記露光装置は、前記
受け渡されたロットの基板に対してホストコンピュータ
からの指令によって開始した露光処理の途中で、処理を
中断すべき旨の指令を受けると、その処理を中断し、そ
の旨を前記ホストコンピュータに送信するとともに、前
記ホストコンピュータはこれを受信し、前記露光装置
は、中断した処理を再開すべき旨の指令を受けると、中
断した処理を再開し、その旨を前記ホストコンピュータ
に送信するとともに、前記ホストコンピュータはこれを
受信することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項5】 前記露光装置は、請求項1〜3のいずれ
かの半導体露光装置であることを特徴とする請求項4に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項6】 請求項1〜6のいずれかの半導体露光装
置または半導体製造装置を用いて基板の露光を行うこと
によりデバイスを製造する際に、オンラインでの基板の
ロットに対する露光処理を途中で中断し、次に別の基板
のロットに対してオフラインにより露光処理を行い、そ
してこのオフラインによる露光処理の終了後、中断した
オンラインでの基板のロットに対する露光処理を再開す
ることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9330818A JPH11150061A (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 半導体露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9330818A JPH11150061A (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 半導体露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11150061A true JPH11150061A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18236896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9330818A Pending JPH11150061A (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 半導体露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11150061A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225890A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
-
1997
- 1997-11-17 JP JP9330818A patent/JPH11150061A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225890A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
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