JP2000046750A - 表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法 - Google Patents
表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法Info
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- JP2000046750A JP2000046750A JP10216030A JP21603098A JP2000046750A JP 2000046750 A JP2000046750 A JP 2000046750A JP 10216030 A JP10216030 A JP 10216030A JP 21603098 A JP21603098 A JP 21603098A JP 2000046750 A JP2000046750 A JP 2000046750A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マーキング作業を迅速に実施できるととも
に、切り出したのちの基板試料片の分類および表面欠陥
の分析を効率良く行なうことができる表面欠陥確認装置
を提供する。 【解決手段】 被検査基板Ｋ上の表面欠陥Ｐを確認する
光学顕微鏡１と、前記表面欠陥Ｐの位置をマーキングす
るスタンプ２と、前記光学顕微鏡１の反射レンズ４また
は透過レンズ５の位置と前記表面欠陥Ｐの位置を一致さ
せるように前記被検査基板Ｋを移送するステージ３とか
らなる表面欠陥確認装置であって、前記光学顕微鏡１の
反射レンズ４を移動させるとともに、前記表面欠陥Ｐの
位置に前記スタンプ２を移動させる切替え手段Ａとスタ
ンプ２を上昇および下降させる駆動手段Ｂとを備えてい
る。
に、切り出したのちの基板試料片の分類および表面欠陥
の分析を効率良く行なうことができる表面欠陥確認装置
を提供する。 【解決手段】 被検査基板Ｋ上の表面欠陥Ｐを確認する
光学顕微鏡１と、前記表面欠陥Ｐの位置をマーキングす
るスタンプ２と、前記光学顕微鏡１の反射レンズ４また
は透過レンズ５の位置と前記表面欠陥Ｐの位置を一致さ
せるように前記被検査基板Ｋを移送するステージ３とか
らなる表面欠陥確認装置であって、前記光学顕微鏡１の
反射レンズ４を移動させるとともに、前記表面欠陥Ｐの
位置に前記スタンプ２を移動させる切替え手段Ａとスタ
ンプ２を上昇および下降させる駆動手段Ｂとを備えてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面欠陥確認装置な
らびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示
装置の基板欠陥分析方法に関する。さらに詳しくは、た
とえばＴＦＴ液晶表示装置の製造に用いるガラス基板に
付いた異物または傷などの表面欠陥の欠陥位置を特定す
る表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分
析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法に関す
る。
らびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示
装置の基板欠陥分析方法に関する。さらに詳しくは、た
とえばＴＦＴ液晶表示装置の製造に用いるガラス基板に
付いた異物または傷などの表面欠陥の欠陥位置を特定す
る表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分
析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＴＦＴ液晶ディスプレイ製造
工程や半導体製造工程などにおいて、基板表面に付着し
た異物は、配線の断線、絶縁破壊や短絡などの不良原因
となっている。このような異物は、製造装置の駆動部か
ら発生するものや、人体発塵、プロセスガスによる反応
生成物、薬品などに混入されているものなどがある。こ
れらの表面付着異物を検出する装置としては、レーザー
などを照射して異物から発生する散乱光を検出する装置
が知られている（特開昭６１−９９８４５号公報、特開
平３−１８７０８号公報および特開平７−９２０９５号
公報参照）。またこの装置では同時に基板上での異物の
分布や異物のサイズも検出することができる。
工程や半導体製造工程などにおいて、基板表面に付着し
た異物は、配線の断線、絶縁破壊や短絡などの不良原因
となっている。このような異物は、製造装置の駆動部か
ら発生するものや、人体発塵、プロセスガスによる反応
生成物、薬品などに混入されているものなどがある。こ
れらの表面付着異物を検出する装置としては、レーザー
などを照射して異物から発生する散乱光を検出する装置
が知られている（特開昭６１−９９８４５号公報、特開
平３−１８７０８号公報および特開平７−９２０９５号
公報参照）。またこの装置では同時に基板上での異物の
分布や異物のサイズも検出することができる。
【０００３】一方、基板上に付いた異物または傷などの
表面欠陥の発生源を特定するためには、該欠陥をＳＥＭ
／ＥＤＸ、ＦＴ−ＩＲなどの分析装置で分析する必要が
ある。半導体製造に用いられるシリコンウエハでは、ウ
エハをそのまま装置内に入れられる分析装置もあるが、
ＴＦＴ−ＬＣＤ製造に用いられる大型のガラス基板をそ
のまま分析できる大型の分析装置は存在しない。そこで
基板上に付いた表面欠陥を分析するばあい、該欠陥の場
所を光学顕微鏡などで観察しながらペンまたはマジック
などでマーキングして、大型基板を分析装置内に入る大
きさに小さく切断して分析を行なっている。
表面欠陥の発生源を特定するためには、該欠陥をＳＥＭ
／ＥＤＸ、ＦＴ−ＩＲなどの分析装置で分析する必要が
ある。半導体製造に用いられるシリコンウエハでは、ウ
エハをそのまま装置内に入れられる分析装置もあるが、
ＴＦＴ−ＬＣＤ製造に用いられる大型のガラス基板をそ
のまま分析できる大型の分析装置は存在しない。そこで
基板上に付いた表面欠陥を分析するばあい、該欠陥の場
所を光学顕微鏡などで観察しながらペンまたはマジック
などでマーキングして、大型基板を分析装置内に入る大
きさに小さく切断して分析を行なっている。
【０００４】かかるマーキング作業は、作業者が経験に
より、表面欠陥の近に１つずつマーキングをするため、
非常に煩わしく、効率がわるい。また表面欠陥が付いた
基板を多数切断するばあい、各々の基板試料片の分類が
煩わしい。
より、表面欠陥の近に１つずつマーキングをするため、
非常に煩わしく、効率がわるい。また表面欠陥が付いた
基板を多数切断するばあい、各々の基板試料片の分類が
煩わしい。
【０００５】そこで、熟練を必要とせず、簡単にマーキ
ング作業を行なう装置として、顕微鏡の対物レンズ筒の
外周に対物レンズの光学方向に摺動可能なマーク部材を
取り付け、ソレノイドに通電すると、プランジャーが下
方に突出するとともに、前記マーク部材を降下させ、試
料の周囲に円形のマークを付着させるもの（以下、装置
Ａという）がある（実開昭５２−１４８９４１号公報参
照）。また顕微鏡本体の側部に取り付けられた揺動モー
タと、該揺動モータの揺動軸に接続されたアームと、該
アームに取り付けられたペン装置とからなり、顕微鏡検
査時に該ペン装置を揺動させたのち、該ペン装置のペン
先部から芯材が前進し、試料の目的位置にインクを付着
させるマーキング装置（以下、装置Ｂという）がある
（特開平５−２８１４７３号公報）。
ング作業を行なう装置として、顕微鏡の対物レンズ筒の
外周に対物レンズの光学方向に摺動可能なマーク部材を
取り付け、ソレノイドに通電すると、プランジャーが下
方に突出するとともに、前記マーク部材を降下させ、試
料の周囲に円形のマークを付着させるもの（以下、装置
Ａという）がある（実開昭５２−１４８９４１号公報参
照）。また顕微鏡本体の側部に取り付けられた揺動モー
タと、該揺動モータの揺動軸に接続されたアームと、該
アームに取り付けられたペン装置とからなり、顕微鏡検
査時に該ペン装置を揺動させたのち、該ペン装置のペン
先部から芯材が前進し、試料の目的位置にインクを付着
させるマーキング装置（以下、装置Ｂという）がある
（特開平５−２８１４７３号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記装
置Ａでは、マークを付着した試料を顕微鏡から外したの
ち、再度観察および分析をするばあい、対物レンズと試
料との距離が短いため、対物レンズ筒と同じ位の大きな
円形のマーク内にある試料を早期に見つけ出すのが大変
である。一方、前記装置Ｂでは、ペン装置をゆっくり揺
動させなければ、誤ってペン先部の芯材からインクが滲
み出てしまう惧れがある。またインクの付着位置は一定
であるため、大きな試料のばあい、誤ってインクが試料
に付着し、分析が難しくなる惧れがある。
置Ａでは、マークを付着した試料を顕微鏡から外したの
ち、再度観察および分析をするばあい、対物レンズと試
料との距離が短いため、対物レンズ筒と同じ位の大きな
円形のマーク内にある試料を早期に見つけ出すのが大変
である。一方、前記装置Ｂでは、ペン装置をゆっくり揺
動させなければ、誤ってペン先部の芯材からインクが滲
み出てしまう惧れがある。またインクの付着位置は一定
であるため、大きな試料のばあい、誤ってインクが試料
に付着し、分析が難しくなる惧れがある。
【０００７】さらに装置Ａ、Ｂでは、マークおよびイン
ク付着形状は、各試料に対し、一定であるため、試料の
分類が難しいという問題がある。
ク付着形状は、各試料に対し、一定であるため、試料の
分類が難しいという問題がある。
【０００８】本発明は、叙上の事情に鑑み、マーキング
作業を迅速に実施できるとともに、切り出したのちの試
料片の分類および表面欠陥の分析を効率良く行なうこと
ができる表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板
欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法を
提供することを目的とする。
作業を迅速に実施できるとともに、切り出したのちの試
料片の分類および表面欠陥の分析を効率良く行なうこと
ができる表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板
欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の表面欠陥確認装
置は、被検査基板上の表面欠陥を確認する欠陥確認手段
と、前記表面欠陥の位置をマーキングする欠陥位置特定
手段と、前記欠陥確認手段の検査部の位置と前記表面欠
陥の位置を一致させるように前記被検査基板を移送する
基板移送手段とからなる表面欠陥確認装置であって、前
記欠陥確認手段の検査部を移動させるとともに、前記表
面欠陥の位置に前記欠陥位置特定手段を移動させる切替
え手段と前記欠陥位置特定手段を上昇および下降させる
駆動手段とを備えてなることを特徴とする。
置は、被検査基板上の表面欠陥を確認する欠陥確認手段
と、前記表面欠陥の位置をマーキングする欠陥位置特定
手段と、前記欠陥確認手段の検査部の位置と前記表面欠
陥の位置を一致させるように前記被検査基板を移送する
基板移送手段とからなる表面欠陥確認装置であって、前
記欠陥確認手段の検査部を移動させるとともに、前記表
面欠陥の位置に前記欠陥位置特定手段を移動させる切替
え手段と前記欠陥位置特定手段を上昇および下降させる
駆動手段とを備えてなることを特徴とする。
【００１０】また本発明の液晶表示装置の基板欠陥分析
方法は、前記表面欠陥確認装置を用いた基板欠陥分析方
法であって、前記欠陥確認手段の検査部の位置と前記表
面欠陥の位置を一致させるように前記被検査基板を移送
する基板移送工程と、前記表面欠陥の位置に前記欠陥位
置特定手段の切り替えを行なう切替え工程と、前記表面
欠陥にマーキングする工程と、マーキングされた被検査
基板の表面欠陥の観察および／または分析をする工程と
を含むことを特徴とする。
方法は、前記表面欠陥確認装置を用いた基板欠陥分析方
法であって、前記欠陥確認手段の検査部の位置と前記表
面欠陥の位置を一致させるように前記被検査基板を移送
する基板移送工程と、前記表面欠陥の位置に前記欠陥位
置特定手段の切り替えを行なう切替え工程と、前記表面
欠陥にマーキングする工程と、マーキングされた被検査
基板の表面欠陥の観察および／または分析をする工程と
を含むことを特徴とする。
【００１１】さらに本発明の液晶表示装置の基板欠陥分
析方法は、前記表面欠陥確認装置を用いた液晶表示装置
の基板欠陥分析方法であって、表面欠陥の位置座標デー
タを基板移送手段の移送制御部に入力するデータ入力工
程と、前記位置座標データに基づいて前記欠陥確認手段
の検査部の位置と前記表面欠陥の位置を一致させるよう
に前記被検査基板を移送する基板移送工程と、前記表面
欠陥の位置に前記欠陥位置特定手段の切り替えを行なう
切替え工程と、前記表面欠陥にマーキングする工程と、
マーキングされた被検査基板を基板試料片に切り出す工
程と、該基板試料片における表面欠陥の観察および／ま
たは分析をする工程とを含むことを特徴とする。
析方法は、前記表面欠陥確認装置を用いた液晶表示装置
の基板欠陥分析方法であって、表面欠陥の位置座標デー
タを基板移送手段の移送制御部に入力するデータ入力工
程と、前記位置座標データに基づいて前記欠陥確認手段
の検査部の位置と前記表面欠陥の位置を一致させるよう
に前記被検査基板を移送する基板移送工程と、前記表面
欠陥の位置に前記欠陥位置特定手段の切り替えを行なう
切替え工程と、前記表面欠陥にマーキングする工程と、
マーキングされた被検査基板を基板試料片に切り出す工
程と、該基板試料片における表面欠陥の観察および／ま
たは分析をする工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥
分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法を説明
する。
明の表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥
分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法を説明
する。
【００１３】図１は本発明の表面欠陥確認装置にかかわ
る一実施の形態を示す要部正面図、図２は本発明の表面
欠陥確認装置にかかわる他の実施の形態を示す要部正面
図、図３は本発明の表面欠陥確認装置にかかわるさらに
他の実施の形態を示す要部正面図、図４は本発明の基板
欠陥分析方法の一実施の形態を示すフローチャートであ
る。
る一実施の形態を示す要部正面図、図２は本発明の表面
欠陥確認装置にかかわる他の実施の形態を示す要部正面
図、図３は本発明の表面欠陥確認装置にかかわるさらに
他の実施の形態を示す要部正面図、図４は本発明の基板
欠陥分析方法の一実施の形態を示すフローチャートであ
る。
【００１４】図１に示すように、本発明の一実施の形態
にかかわる表面欠陥確認装置は、欠陥確認手段である、
たとえば光学顕微鏡１と、欠陥位置特定手段であるマー
キング用スタンプ２と、被検査基板Ｋを水平方向に移送
する基板移送手段であるステージ３とから構成され、前
記被検査基板Ｋ上の表面欠陥Ｐの位置に前記スタンプ２
を移動させる切替え手段Ａと該スタンプ２を上昇および
下降させる駆動手段Ｂとを備えている。
にかかわる表面欠陥確認装置は、欠陥確認手段である、
たとえば光学顕微鏡１と、欠陥位置特定手段であるマー
キング用スタンプ２と、被検査基板Ｋを水平方向に移送
する基板移送手段であるステージ３とから構成され、前
記被検査基板Ｋ上の表面欠陥Ｐの位置に前記スタンプ２
を移動させる切替え手段Ａと該スタンプ２を上昇および
下降させる駆動手段Ｂとを備えている。
【００１５】前記被検査基板Ｋとしては、たとえば液晶
表示装置の製造に用いられるガラス基板であり、該被検
査基板Ｋは前記光学顕微鏡１における反射レンズ（対物
レンズ）４と透過レンズ５とのあいだに撓まないように
ステージ３上に配置されている。この透過レンズ５は、
表面欠陥Ｐが透明であるか、または不透明であるかを見
るために反射レンズ４と切り換えて使うようにする。
表示装置の製造に用いられるガラス基板であり、該被検
査基板Ｋは前記光学顕微鏡１における反射レンズ（対物
レンズ）４と透過レンズ５とのあいだに撓まないように
ステージ３上に配置されている。この透過レンズ５は、
表面欠陥Ｐが透明であるか、または不透明であるかを見
るために反射レンズ４と切り換えて使うようにする。
【００１６】前記ステージ３は、前記反射レンズ４の位
置と前記表面欠陥Ｐの位置を一致させるように駆動す
る。このステージ３は、手動または自動により駆動させ
ることができる。たとえばステージ３を自動的に駆動さ
せるばあい、前記光学顕微鏡１には、ＴＦＴ−ＬＣＤの
アレイ基板のような繰り返しパターンのデジタル画像を
比較して表面欠陥を検出するパターン欠陥検査装置６
や、レーザーなどの検査光を被検査基板Ｋに照射し、表
面欠陥Ｐにより検査光の散乱光を検出する表面検査装置
などを接続するのが好ましい。かかる検査装置６を接続
させることにより、被検査基板Ｋ上の表面欠陥Ｐの位置
座標を該検査装置６のメモリー部に記録できることか
ら、該メモリー部から読み出し位置座標データに基づい
てステージ３を制御して、移動させることができる。か
かるステージ３の制御は、前記検査装置６とステージ３
とのあいだに移送制御部７を備えつけることにより行な
うことができる。
置と前記表面欠陥Ｐの位置を一致させるように駆動す
る。このステージ３は、手動または自動により駆動させ
ることができる。たとえばステージ３を自動的に駆動さ
せるばあい、前記光学顕微鏡１には、ＴＦＴ−ＬＣＤの
アレイ基板のような繰り返しパターンのデジタル画像を
比較して表面欠陥を検出するパターン欠陥検査装置６
や、レーザーなどの検査光を被検査基板Ｋに照射し、表
面欠陥Ｐにより検査光の散乱光を検出する表面検査装置
などを接続するのが好ましい。かかる検査装置６を接続
させることにより、被検査基板Ｋ上の表面欠陥Ｐの位置
座標を該検査装置６のメモリー部に記録できることか
ら、該メモリー部から読み出し位置座標データに基づい
てステージ３を制御して、移動させることができる。か
かるステージ３の制御は、前記検査装置６とステージ３
とのあいだに移送制御部７を備えつけることにより行な
うことができる。
【００１７】前記スタンプ２は、先端部２ａ内に円形状
のインク部（図示せず）を有しており、基部２ｂ側には
前記切替え手段Ａと駆動手段Ｂが設けられている。な
お、前記インク部の形状は、表面欠陥の大きさ、形状な
どにより適宜選定することができる。また前記インク部
はカートリッジまたは該インク部にインク補給ができる
ようにされている。
のインク部（図示せず）を有しており、基部２ｂ側には
前記切替え手段Ａと駆動手段Ｂが設けられている。な
お、前記インク部の形状は、表面欠陥の大きさ、形状な
どにより適宜選定することができる。また前記インク部
はカートリッジまたは該インク部にインク補給ができる
ようにされている。
【００１８】前記切替え手段Ａとしては、前記被検査基
板Ｋ上の表面欠陥Ｐを確認したのち、反射レンズ４の位
置にスタンプ２の位置を移動させることができる公知の
機構なら、本発明においては、とくに限定されるもので
はなく、たとえば回転モータと回転スライド部材または
揺動スライド部材などを用いたもの、またはソレノイド
と回転スライド部材または揺動スライド部材などを用い
たものなどとすることができる。
板Ｋ上の表面欠陥Ｐを確認したのち、反射レンズ４の位
置にスタンプ２の位置を移動させることができる公知の
機構なら、本発明においては、とくに限定されるもので
はなく、たとえば回転モータと回転スライド部材または
揺動スライド部材などを用いたもの、またはソレノイド
と回転スライド部材または揺動スライド部材などを用い
たものなどとすることができる。
【００１９】また前記駆動手段Ｂとしては、反射レンズ
４の光軸上に切り替えられたスタンプ２を下降させて前
記被検査基板Ｋに接触させるまでのストロークが確保で
きる公知のアクチュエーターなら本発明においては、と
くに限定されるものではないが、たとえばソレノイド、
エアシリンダーまたは圧電素子などを用いることができ
る。なお、この駆動手段Ｂには、マーキング位置を調整
するための、微調整手段、たとえば調整ねじなどを連結
するのが好ましい。前記切替え手段Ａおよび駆動手段Ｂ
は、それぞれ切替えボタン８およびスタンプボタン９の
ＯＮ−ＯＦＦで、作動と停止ができるようにされてい
る。
４の光軸上に切り替えられたスタンプ２を下降させて前
記被検査基板Ｋに接触させるまでのストロークが確保で
きる公知のアクチュエーターなら本発明においては、と
くに限定されるものではないが、たとえばソレノイド、
エアシリンダーまたは圧電素子などを用いることができ
る。なお、この駆動手段Ｂには、マーキング位置を調整
するための、微調整手段、たとえば調整ねじなどを連結
するのが好ましい。前記切替え手段Ａおよび駆動手段Ｂ
は、それぞれ切替えボタン８およびスタンプボタン９の
ＯＮ−ＯＦＦで、作動と停止ができるようにされてい
る。
【００２０】したがって、本実施の形態では、被検査基
板Ｋに表面欠陥Ｐを確認したのち、切替えボタン８を押
すことにより、反射レンズ４とスタンプ２を切り替え
る。ついでスタンプボタン９を押すことにより、スタン
プ２が下降して表面欠陥Ｐを中心に、たとえば周囲１ｃ
ｍの円形状のインクが基板表面にマーキングされる。こ
れにより、当該マーキングされた部分を目印に切り出さ
れた基板試料片について、ＳＥＭによる表面欠陥の観察
や分析を行なうばあい、前記マーキング部分を容易に見
つけることができるため、観察および分析の作業時間を
短縮することができる。
板Ｋに表面欠陥Ｐを確認したのち、切替えボタン８を押
すことにより、反射レンズ４とスタンプ２を切り替え
る。ついでスタンプボタン９を押すことにより、スタン
プ２が下降して表面欠陥Ｐを中心に、たとえば周囲１ｃ
ｍの円形状のインクが基板表面にマーキングされる。こ
れにより、当該マーキングされた部分を目印に切り出さ
れた基板試料片について、ＳＥＭによる表面欠陥の観察
や分析を行なうばあい、前記マーキング部分を容易に見
つけることができるため、観察および分析の作業時間を
短縮することができる。
【００２１】つぎに本発明の他の実施の形態を説明す
る。本実施の形態は、被検査基板の裏面にマーキングす
る点で前記実施の形態とは異なる。
る。本実施の形態は、被検査基板の裏面にマーキングす
る点で前記実施の形態とは異なる。
【００２２】すなわち、被検査基板Ｋの表面にレジスト
膜またはＴＦＴ素子などが形成されているばあい、表面
欠陥Ｐの周囲にマーキングすると、表面欠陥Ｐの周辺部
にインクが滲んだり、またはレジストなどによりスタン
プ自体の汚染により正確な観察および分析結果がえられ
ない惧れがある。このため、図２に示すように、前記ス
タンプ２、切替え手段Ａおよび駆動手段Ｂが被検査基板
Ｋの下に配置されている。
膜またはＴＦＴ素子などが形成されているばあい、表面
欠陥Ｐの周囲にマーキングすると、表面欠陥Ｐの周辺部
にインクが滲んだり、またはレジストなどによりスタン
プ自体の汚染により正確な観察および分析結果がえられ
ない惧れがある。このため、図２に示すように、前記ス
タンプ２、切替え手段Ａおよび駆動手段Ｂが被検査基板
Ｋの下に配置されている。
【００２３】したがって、本実施の形態では、表面欠陥
Ｐを確認したのち、切替えボタン８を押すことにより、
スタンプ２と透過レンズ５を切り替える。ついでスタン
プボタン９を押すことにより、スタンプ２が上昇して表
面欠陥Ｐを中心に周囲１ｃｍの円形状のインクが基板裏
面にマーキングされる。
Ｐを確認したのち、切替えボタン８を押すことにより、
スタンプ２と透過レンズ５を切り替える。ついでスタン
プボタン９を押すことにより、スタンプ２が上昇して表
面欠陥Ｐを中心に周囲１ｃｍの円形状のインクが基板裏
面にマーキングされる。
【００２４】つぎに本発明のさらに他の実施の形態を説
明する。本実施の形態では、切り出した基板試料片が複
数あるばあい各基板試料片の判別が難しくなるため、複
数の表面欠陥の分類ができるようにされている。
明する。本実施の形態では、切り出した基板試料片が複
数あるばあい各基板試料片の判別が難しくなるため、複
数の表面欠陥の分類ができるようにされている。
【００２５】すなわち、図３に示すように、たとえば３
本のスタンプ２ａ、２ｂおよび２ｃを反射レンズまたは
透過レンズのレンズ部１０に設置し、表面欠陥の種類に
応じて各スタンプ２ａ〜２ｃを切り替える。たとえば各
スタンプ２ａ〜２ｃによりマーキングされるインクの色
彩および／または形状を異ならせることにより、表面欠
陥を分類することができる。前記色彩としては、表面欠
陥Ｐ１には赤色、表面欠陥Ｐ２には青色、表面欠陥Ｐ３
には黄色などとすることができ、前記形状としては、表
面欠陥Ｐ１には○印、表面欠陥Ｐ２には△印、表面欠陥
Ｐ３には□印などのマークとすることができる。前記各
スタンプ２ａ〜２ｃを表面欠陥により切り替えるため
に、各スタンプ２ａ〜２ｃの切替え手段Ａと駆動手段Ｂ
を作動させる切替えボタンとスタンプボタンをそれぞれ
設けるのが好ましい。なお、各マークの中央位置に表面
欠陥Ｐ１〜Ｐ３が来るように、各スタンプ２ａ〜２ｃの
位置は予め調整されている。
本のスタンプ２ａ、２ｂおよび２ｃを反射レンズまたは
透過レンズのレンズ部１０に設置し、表面欠陥の種類に
応じて各スタンプ２ａ〜２ｃを切り替える。たとえば各
スタンプ２ａ〜２ｃによりマーキングされるインクの色
彩および／または形状を異ならせることにより、表面欠
陥を分類することができる。前記色彩としては、表面欠
陥Ｐ１には赤色、表面欠陥Ｐ２には青色、表面欠陥Ｐ３
には黄色などとすることができ、前記形状としては、表
面欠陥Ｐ１には○印、表面欠陥Ｐ２には△印、表面欠陥
Ｐ３には□印などのマークとすることができる。前記各
スタンプ２ａ〜２ｃを表面欠陥により切り替えるため
に、各スタンプ２ａ〜２ｃの切替え手段Ａと駆動手段Ｂ
を作動させる切替えボタンとスタンプボタンをそれぞれ
設けるのが好ましい。なお、各マークの中央位置に表面
欠陥Ｐ１〜Ｐ３が来るように、各スタンプ２ａ〜２ｃの
位置は予め調整されている。
【００２６】つぎに本発明の操作手続きを図４に示すフ
ローチャートに基づいて説明する。まず基板の検査を行
なう（ステップＳ１）。そして表面欠陥を確認するか否
かの判定をする（ステップＳ２）。欠陥確認をしないば
あいには、つぎの基板の検査を行なう（ステップＳ
１）。欠陥確認をするばあいは、たとえば光学顕微鏡で
確認する（ステップ３）。欠陥のＳＥＭ観察および／ま
たは分析するか否かの判定をする（ステップ４）。ＳＥ
Ｍ観察および／または分析をしないばあいは、つぎの基
板の検査を行ない（ステップＳ１）、ＳＥＭ観察および
／または分析をするばあいには欠陥位置の特定し（マー
キング）、つぎに表面欠陥の判別（色彩、形状変更）を
行なったのち（ステップ５）、基板の切断を行なう（ス
テップＳ６）。そしてＳＥＭ観察および／または分析を
実施する（ステップＳ７）という一連の分析方法を行な
う。
ローチャートに基づいて説明する。まず基板の検査を行
なう（ステップＳ１）。そして表面欠陥を確認するか否
かの判定をする（ステップＳ２）。欠陥確認をしないば
あいには、つぎの基板の検査を行なう（ステップＳ
１）。欠陥確認をするばあいは、たとえば光学顕微鏡で
確認する（ステップ３）。欠陥のＳＥＭ観察および／ま
たは分析するか否かの判定をする（ステップ４）。ＳＥ
Ｍ観察および／または分析をしないばあいは、つぎの基
板の検査を行ない（ステップＳ１）、ＳＥＭ観察および
／または分析をするばあいには欠陥位置の特定し（マー
キング）、つぎに表面欠陥の判別（色彩、形状変更）を
行なったのち（ステップ５）、基板の切断を行なう（ス
テップＳ６）。そしてＳＥＭ観察および／または分析を
実施する（ステップＳ７）という一連の分析方法を行な
う。
【００２７】たとえば、ステップＳ１ではＬＣ３０９０
（Ｏｒｂｏｔｅｃ社製）のパターン欠陥検査装置で検査
し、ステップＳ２では欠陥位置データをＭＨＬ４２５Ｒ
Ｓ（オリンパス（株）製）の光学顕微鏡に入力する。前
記欠陥位置データに基づいて光学顕微鏡が有するスタン
プの位置と欠陥位置とを一致させるように前記基板が移
送される。ステップＳ５において選択した欠陥に応じて
前記欠陥特定手段の切り替えを行なう一連の欠陥分析方
法である。
（Ｏｒｂｏｔｅｃ社製）のパターン欠陥検査装置で検査
し、ステップＳ２では欠陥位置データをＭＨＬ４２５Ｒ
Ｓ（オリンパス（株）製）の光学顕微鏡に入力する。前
記欠陥位置データに基づいて光学顕微鏡が有するスタン
プの位置と欠陥位置とを一致させるように前記基板が移
送される。ステップＳ５において選択した欠陥に応じて
前記欠陥特定手段の切り替えを行なう一連の欠陥分析方
法である。
【００２８】なお、本発明では、検査装置の接続を省
き、手動により表面欠陥を確認したのち、マーキング
し、ついで基板の表面欠陥の観察および／または分析を
することもできる。
き、手動により表面欠陥を確認したのち、マーキング
し、ついで基板の表面欠陥の観察および／または分析を
することもできる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
マーキング作業を迅速に実施できるとともに、たとえば
切断した基板試料片の分類および表面欠陥の観察および
／または分析を効率良く行なうことができる。
マーキング作業を迅速に実施できるとともに、たとえば
切断した基板試料片の分類および表面欠陥の観察および
／または分析を効率良く行なうことができる。
【図１】本発明の表面欠陥確認装置にかかわる一実施の
形態を示す要部正面図である。
形態を示す要部正面図である。
【図２】本発明の表面欠陥確認装置にかかわる他の実施
の形態を示す要部正面図である。
の形態を示す要部正面図である。
【図３】本発明の表面欠陥確認装置にかかわるさらに他
の実施の形態を示す要部正面図である。
の実施の形態を示す要部正面図である。
【図４】本発明の基板欠陥分析方法の一実施の形態を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
１ 光学顕微鏡 ２ スタンプ ３ ステージ ４ 反射レンズ ５ 透過レンズ ６ 検査装置 ７ 移送制御部 ８ 切替えボタン ９ スタンプボタン Ａ 切替え手段 Ｂ 駆動手段 Ｋ 被検査基板 Ｐ 表面欠陥
Claims (8)
- 【請求項１】 被検査基板上の表面欠陥を確認する欠陥
確認手段と、前記表面欠陥の位置をマーキングする欠陥
位置特定手段と、前記欠陥確認手段の検査部の位置と前
記表面欠陥の位置を一致させるように前記被検査基板を
移送する基板移送手段とからなる表面欠陥確認装置であ
って、前記欠陥確認手段の検査部を移動させるととも
に、前記表面欠陥の位置に前記欠陥位置特定手段を移動
させる切替え手段と前記欠陥位置特定手段を上昇および
下降させる駆動手段とを備えてなる表面欠陥確認装置。 - 【請求項２】 前記欠陥確認手段が光学顕微鏡である請
求項１記載の表面欠陥確認装置。 - 【請求項３】 前記欠陥位置特定手段がスタンプである
請求項１または２記載の表面欠陥確認装置。 - 【請求項４】 前記欠陥位置特定手段が、前記切替え手
段により少なくとも２種類の表面欠陥を区別できるよう
にされてなる請求項１、２または３記載の表面欠陥確認
装置。 - 【請求項５】 前記表面欠陥の種類に基づいて前記スタ
ンプのインクの色彩および／または形状が変化してなる
請求項４記載の表面欠陥確認装置。 - 【請求項６】 前記欠陥位置特定手段に前記被検査基板
の表面を検査する検査装置が接続されており、前記基板
移送手段が、表面欠陥の位置座標データに基づいて移送
するための移動制御部を備えてなる請求項１、２、３、
４または５記載の表面欠陥確認装置。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４または５記載の表
面欠陥確認装置を用いた基板欠陥分析方法であって、前
記欠陥確認手段の検査部の位置と前記表面欠陥の位置を
一致させるように前記被検査基板を移送する基板移送工
程と、前記表面欠陥の位置に前記欠陥位置特定手段の切
り替えを行なう切替え工程と、前記表面欠陥にマーキン
グする工程と、マーキングされた被検査基板の表面欠陥
の観察および／または分析をする工程とを含む基板欠陥
分析方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の表面欠陥確認装置を用い
た液晶表示装置の基板欠陥分析方法であって、表面欠陥
の位置座標データを基板移送手段の移送制御部に入力す
るデータ入力工程と、前記位置座標データに基づいて前
記欠陥確認手段の検査部の位置と前記表面欠陥の位置を
一致させるように前記被検査基板を移送する基板移送工
程と、前記表面欠陥に位置に前記欠陥位置特定手段の切
り替えを行なう切替え工程と、前記表面欠陥にマーキン
グする工程と、マーキングされた被検査基板を基板試料
片に切り出す工程と、該基板試料片における表面欠陥の
観察および／または分析をする工程とを含む液晶表示装
置の基板欠陥分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216030A JP2000046750A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216030A JP2000046750A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046750A true JP2000046750A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16682204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10216030A Pending JP2000046750A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 表面欠陥確認装置ならびに該装置を用いた基板欠陥分析方法および液晶表示装置の基板欠陥分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000046750A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010181254A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Ushio Inc | スクリーン製版の検査装置 |
| CN108872240A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微观缺陷检测装置及检测方法、显微镜 |
Citations (8)
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| JPH06324269A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Canon Inc | 顕微鏡試料前処理用アタッチメント及びこれを用いた破断面作製方法 |
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-
1998
- 1998-07-30 JP JP10216030A patent/JP2000046750A/ja active Pending
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|
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