JP2000044579A - カルボシロキサンデンドリマー - Google Patents
カルボシロキサンデンドリマーInfo
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ポリシロキサン構造を核とし、シロキサン結
合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐構造を
有し、高分子量化が可能で、分子量分布の狭い新規なカ
ルボシロキサンデンドリマーを提供する。 【解決手段】 一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2 ｛R1はＣ１〜１０のアルキル又はアリール基、aは０〜
２の整数、X1は i = 1の場合の次式のシリルアルキル基
である。 （R1は前記と同じ、R2はＣ２〜１０のアルキレン基、R3
はＣ１〜１０のアルキル基、Xi+1は上記シリルアルキル
基またはR4である。R4はＣ１〜３０の炭化水素基、iは
該シリルアルキル基の階層を示す１〜１０の整数、biは
０〜３の整数である。）｝のシロキサン単位を含有する
Ｓｉ２以上のポリシロキサン構造を核に有し、一般式 （R1とR4は前記と同じである。）のシロキシ基を１個以
上有するカルボシロキサンデンドリマー。
合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐構造を
有し、高分子量化が可能で、分子量分布の狭い新規なカ
ルボシロキサンデンドリマーを提供する。 【解決手段】 一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2 ｛R1はＣ１〜１０のアルキル又はアリール基、aは０〜
２の整数、X1は i = 1の場合の次式のシリルアルキル基
である。 （R1は前記と同じ、R2はＣ２〜１０のアルキレン基、R3
はＣ１〜１０のアルキル基、Xi+1は上記シリルアルキル
基またはR4である。R4はＣ１〜３０の炭化水素基、iは
該シリルアルキル基の階層を示す１〜１０の整数、biは
０〜３の整数である。）｝のシロキサン単位を含有する
Ｓｉ２以上のポリシロキサン構造を核に有し、一般式 （R1とR4は前記と同じである。）のシロキシ基を１個以
上有するカルボシロキサンデンドリマー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なカルボシロキ
サンデンドリマーに関し、詳しくは、ポリシロキサン構
造を核として、シロキサン結合とシルアルキレン結合が
交互に配列した高分岐構造を有する、分子量分布の狭い
新規なカルボシロキサンデンドリマーに関する。
サンデンドリマーに関し、詳しくは、ポリシロキサン構
造を核として、シロキサン結合とシルアルキレン結合が
交互に配列した高分岐構造を有する、分子量分布の狭い
新規なカルボシロキサンデンドリマーに関する。
【０００２】
【従来の技術】一つの核から放射状に高度な枝分かれ構
造を有し、分子量分布が狭い高分子はデンドリマーと呼
ばれ、低粘度性，高反応性，高溶解性，低ガラス転移温
度といった特徴的な性質を持っており、その応用が注目
されている。有機ケイ素デンドリマーとしては、例え
ば、シロキサンデンドリマー｛レブロフら、Dokl. Aka
d.Nauk. SSSR 309, 367 (1989)；正宗ら、J. Am. Chem.
Soc. 112, 7077 (1990)参照｝，カルボシロキサンデン
ドリマー｛柿本ら、Macromolecules 24, 3469 (1991)；
特開平７−１７９８１号公報、シェイコら、Macromol.
Rapid Commun. 17,283 (1996)参照｝，カルボシランデ
ンドリマー｛ルーバースら、Macromolecules26, 963 (1
993)；特開平８−３１１２０５号公報参照｝などが知ら
れている。これらの中には、シロキサン結合とシルアル
キレン結合が交互に配列したカルボシロキサンデンドリ
マーも開示されているが｛特開平７−１７９８１号公
報；シェイコら、Macromol. Rapid Commun. 17, 283 (1
996)参照｝、これらは一個のケイ素原子に複数のビニル
基またはアリル基が結合したシラン化合物をデンドリマ
ーの核構成原料とするものに限定されており、しかも、
階層数が小さい低分子量のデンドリマーしか得られない
という欠点があった。また、一段階重合法によるシロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
状ポリマーの合成も開示されているが｛マシウスら、J.
Am. Chem. Soc. 113, 4043 (1991)参照｝、この方法で
は、分子量分布の狭いデンドリマーは得られないという
欠点があった。すなわち、シロキサン結合とシルアルキ
レン結合が交互に配列した高分岐構造を有し、高分子量
化が可能であり、かつ分子量分布の狭いカルボシロキサ
ンデンドリマーはこれまで知られていなかった。
造を有し、分子量分布が狭い高分子はデンドリマーと呼
ばれ、低粘度性，高反応性，高溶解性，低ガラス転移温
度といった特徴的な性質を持っており、その応用が注目
されている。有機ケイ素デンドリマーとしては、例え
ば、シロキサンデンドリマー｛レブロフら、Dokl. Aka
d.Nauk. SSSR 309, 367 (1989)；正宗ら、J. Am. Chem.
Soc. 112, 7077 (1990)参照｝，カルボシロキサンデン
ドリマー｛柿本ら、Macromolecules 24, 3469 (1991)；
特開平７−１７９８１号公報、シェイコら、Macromol.
Rapid Commun. 17,283 (1996)参照｝，カルボシランデ
ンドリマー｛ルーバースら、Macromolecules26, 963 (1
993)；特開平８−３１１２０５号公報参照｝などが知ら
れている。これらの中には、シロキサン結合とシルアル
キレン結合が交互に配列したカルボシロキサンデンドリ
マーも開示されているが｛特開平７−１７９８１号公
報；シェイコら、Macromol. Rapid Commun. 17, 283 (1
996)参照｝、これらは一個のケイ素原子に複数のビニル
基またはアリル基が結合したシラン化合物をデンドリマ
ーの核構成原料とするものに限定されており、しかも、
階層数が小さい低分子量のデンドリマーしか得られない
という欠点があった。また、一段階重合法によるシロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
状ポリマーの合成も開示されているが｛マシウスら、J.
Am. Chem. Soc. 113, 4043 (1991)参照｝、この方法で
は、分子量分布の狭いデンドリマーは得られないという
欠点があった。すなわち、シロキサン結合とシルアルキ
レン結合が交互に配列した高分岐構造を有し、高分子量
化が可能であり、かつ分子量分布の狭いカルボシロキサ
ンデンドリマーはこれまで知られていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記問題
点を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
即ち、本発明の目的は、ポリシロキサン構造を核とし
て、シロキサン結合とシルアルキレン結合が交互に配列
した高分岐構造を有し、高分子量化が可能であり、かつ
分子量分布の狭い新規なカルボシロキサンデンドリマー
を提供することにある。
点を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
即ち、本発明の目的は、ポリシロキサン構造を核とし
て、シロキサン結合とシルアルキレン結合が交互に配列
した高分岐構造を有し、高分子量化が可能であり、かつ
分子量分布の狭い新規なカルボシロキサンデンドリマー
を提供することにある。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、一般式：X1R1
aSiO(3-a)/2 ｛式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、aは０〜２の整数であり、X1はi=1と
した場合の次式で示されるシリルアルキル基である。
aSiO(3-a)/2 ｛式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、aは０〜２の整数であり、X1はi=1と
した場合の次式で示されるシリルアルキル基である。
【化３】 （式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、R2は炭素原子数２〜１０のアルキレ
ン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のアルキル基であ
り、Xi+1は上記シリルアルキル基または炭素原子数１〜
３０の炭化水素基である。iは該シリルアルキル基の階
層を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整
数である。）｝で示されるシロキサン単位を含有するケ
イ素原子数２以上のポリシロキサン構造を核に有し、
式：
アリール基であり、R2は炭素原子数２〜１０のアルキレ
ン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のアルキル基であ
り、Xi+1は上記シリルアルキル基または炭素原子数１〜
３０の炭化水素基である。iは該シリルアルキル基の階
層を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整
数である。）｝で示されるシロキサン単位を含有するケ
イ素原子数２以上のポリシロキサン構造を核に有し、
式：
【化４】 （式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、R4は炭素原子数１〜３０の炭化水素
基である。）で示されるシロキシ基を１個以上有するカ
ルボシロキサンデンドリマーに関する。
アリール基であり、R4は炭素原子数１〜３０の炭化水素
基である。）で示されるシロキシ基を１個以上有するカ
ルボシロキサンデンドリマーに関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のカルボシロキサンデンド
リマーは、一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2 で示される同種も
しくは異種のシロキサン単位を含有するケイ素原子数２
以上のポリシロキサン構造を核に有する化合物である。
上式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、アルキル基としては、メチル基，エ
チル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，イソプロ
ピル基，イソブチル基，シクロペンチル基，シクロヘキ
シル基が例示され、アリール基としては、フェニル基，
ナフチル基が例示される。これらの中でもメチル基が好
ましい。aは０〜２の整数である。X1はi=1とした場合の
次式で示されるシリルアルキル基である。
リマーは、一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2 で示される同種も
しくは異種のシロキサン単位を含有するケイ素原子数２
以上のポリシロキサン構造を核に有する化合物である。
上式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、アルキル基としては、メチル基，エ
チル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，イソプロ
ピル基，イソブチル基，シクロペンチル基，シクロヘキ
シル基が例示され、アリール基としては、フェニル基，
ナフチル基が例示される。これらの中でもメチル基が好
ましい。aは０〜２の整数である。X1はi=1とした場合の
次式で示されるシリルアルキル基である。
【化５】 上式中、R2は炭素原子数２〜１０のアルキレン基であ
り、エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ヘキシレ
ン基などの直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基，メ
チルエチレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジ
メチルブチレン基などの分岐状アルキレン基が例示され
る。これらの中でも、エチレン基，メチルメチレン基，
ヘキシレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジメ
チルブチレン基が好ましい。R3は炭素原子数１〜１０の
アルキル基であり、メチル基，エチル基，プロピル基，
ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基が例示される。
これらの中でもメチル基またはエチル基が好ましい。R1
は前記と同じである。Xi+1は上記シリルアルキル基また
は炭素原子数１〜３０の非置換の炭化水素基であり、該
炭化水素基として具体的には、メチル基，エチル基，プ
ロピル基，ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基，イ
ソブチル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基など
のアルキル基；フェニル基，ナフチル基，トリル基，キ
シリル基などのアリール基；ビニル基，アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基，へキセニル基などのアルケニル
基；ベンジル基，フェネチル基などのアラルキル基が例
示される。iは１〜１０の整数であり、biは０〜３の整
数である。ここで、iは該シリルアルキル基の階層数、
即ち、該シリルアルキル基の繰り返し数を示している。
従って、階層数が１である場合に、該シリルアルキル基
は一般式：
り、エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ヘキシレ
ン基などの直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基，メ
チルエチレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジ
メチルブチレン基などの分岐状アルキレン基が例示され
る。これらの中でも、エチレン基，メチルメチレン基，
ヘキシレン基，１−メチルペンチレン基，１,４−ジメ
チルブチレン基が好ましい。R3は炭素原子数１〜１０の
アルキル基であり、メチル基，エチル基，プロピル基，
ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基が例示される。
これらの中でもメチル基またはエチル基が好ましい。R1
は前記と同じである。Xi+1は上記シリルアルキル基また
は炭素原子数１〜３０の非置換の炭化水素基であり、該
炭化水素基として具体的には、メチル基，エチル基，プ
ロピル基，ブチル基，ペンチル基，イソプロピル基，イ
ソブチル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基など
のアルキル基；フェニル基，ナフチル基，トリル基，キ
シリル基などのアリール基；ビニル基，アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基，へキセニル基などのアルケニル
基；ベンジル基，フェネチル基などのアラルキル基が例
示される。iは１〜１０の整数であり、biは０〜３の整
数である。ここで、iは該シリルアルキル基の階層数、
即ち、該シリルアルキル基の繰り返し数を示している。
従って、階層数が１である場合に、該シリルアルキル基
は一般式：
【化６】 で示され、階層数が２である場合に、該シリルアルキル
基は一般式：
基は一般式：
【化７】 で示され、階層数が３である場合に、該シリルアルキル
基は一般式：
基は一般式：
【化８】 で示される。上式中、R1, R2, R3, b1, b2, b3は前記と
同じであり、R4は炭素原子数１〜３０の炭化水素基であ
り、前記Xi+1で例示したのと同様の基が挙げられる。
尚、本発明のカルボシロキサンデンドリマーは、１分子
中に、式：
同じであり、R4は炭素原子数１〜３０の炭化水素基であ
り、前記Xi+1で例示したのと同様の基が挙げられる。
尚、本発明のカルボシロキサンデンドリマーは、１分子
中に、式：
【化９】 （式中、R1およびR4は前記と同じである。）で示される
シロキシ基を１個以上有する。
シロキシ基を１個以上有する。
【０００６】本発明のカルボシロキサンデンドリマーの
核であるポリシロキサン構造は、上記一般式：X1R1 aSiO
(3-a)/2（式中、X1，R1およびａは前記と同じであ
る。）で示されるシロキサン単位を含有するケイ素原子
数２以上のシロキサン構造であればよく、一般式：X1R1
aSiO(3-a)/2（式中、X1，R1およびａは前記と同じであ
る。）で示されるシロキサン単位からなるポリシロキサ
ン構造の他、該一般式で示されるシロキサン単位と一般
式：R1 cSiO(4-c)/2（式中、R1は前記と同じであり、ｃ
は０〜３の整数である。）で示されるシロキサン単位か
らなるポリシロキサン構造が挙げられる。このような本
発明のカルボシロキサンデンドリマーの核を構成するシ
ロキサン単位としては、一般式： X1R1 2SiO1/2またはR1
3SiO1/2で示される１官能シロキサン単位（Ｍ単位），
一般式：X1R1SiO2/2またはR1 2SiO2/2で示される２官能
シロキサン単位（Ｄ単位），一般式：X1SiO3/2またはR1
SiO3/2で示される３官能シロキサン単位（Ｔ単位），Si
O4/2で示される４官能シロキサン単位（Ｑ単位）があ
る。このようなシロキサン単位が結合したポリシロキサ
ン構造を核とし、この核から放射状に高度な枝分かれ構
造を有する本発明のカルボシロキサンデンドリマーとし
ては、次の一般式で示される化合物が挙げられる。式
中、X1およびR1は前記と同じであり、m, n, x, y, z,
p, q, r, s, tは一分子中に存在するシロキサン単位数
を示す１以上の数であるが、（p+q）は５以上、（s+t）
は６以上である。
核であるポリシロキサン構造は、上記一般式：X1R1 aSiO
(3-a)/2（式中、X1，R1およびａは前記と同じであ
る。）で示されるシロキサン単位を含有するケイ素原子
数２以上のシロキサン構造であればよく、一般式：X1R1
aSiO(3-a)/2（式中、X1，R1およびａは前記と同じであ
る。）で示されるシロキサン単位からなるポリシロキサ
ン構造の他、該一般式で示されるシロキサン単位と一般
式：R1 cSiO(4-c)/2（式中、R1は前記と同じであり、ｃ
は０〜３の整数である。）で示されるシロキサン単位か
らなるポリシロキサン構造が挙げられる。このような本
発明のカルボシロキサンデンドリマーの核を構成するシ
ロキサン単位としては、一般式： X1R1 2SiO1/2またはR1
3SiO1/2で示される１官能シロキサン単位（Ｍ単位），
一般式：X1R1SiO2/2またはR1 2SiO2/2で示される２官能
シロキサン単位（Ｄ単位），一般式：X1SiO3/2またはR1
SiO3/2で示される３官能シロキサン単位（Ｔ単位），Si
O4/2で示される４官能シロキサン単位（Ｑ単位）があ
る。このようなシロキサン単位が結合したポリシロキサ
ン構造を核とし、この核から放射状に高度な枝分かれ構
造を有する本発明のカルボシロキサンデンドリマーとし
ては、次の一般式で示される化合物が挙げられる。式
中、X1およびR1は前記と同じであり、m, n, x, y, z,
p, q, r, s, tは一分子中に存在するシロキサン単位数
を示す１以上の数であるが、（p+q）は５以上、（s+t）
は６以上である。
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】 (X1R1 2SiO1/2)p(R1SiO3/2)q (X1SiO3/2)r (X1R1 2SiO1/2)s(SiO4/2)t 本発明のカルボシロキサンデンドリマーは単一化合物も
しくはそれらの混合物であるが、ポリスチレン換算の分
子量における分散度指数、即ち重量平均分子量と数平均
分子量の商（Ｍｗ／Ｍｎ）が２以下であることが好まし
い。
しくはそれらの混合物であるが、ポリスチレン換算の分
子量における分散度指数、即ち重量平均分子量と数平均
分子量の商（Ｍｗ／Ｍｎ）が２以下であることが好まし
い。
【０００７】このような本発明のカルボシロキサンデン
ドリマーとして具体的には、下記平均分子式で示される
重合体が挙げられる。
ドリマーとして具体的には、下記平均分子式で示される
重合体が挙げられる。
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【０００８】本発明のカルボシロキサンデンドリマー
は、例えば、一般式：HR1 aSiO(3-a)/2（式中、R1および
aは前記と同じである。）で示されるケイ素原子数２以
上のケイ素原子結合水素原子含有ポリシロキサンを出発
物質として、下記の（ｘ）〜（ｗ）工程のいずれかを少
なくとも１回以上行い、最後に（ｚ）工程もしくは
（ｗ）工程を行うことにより製造することができる。具
体的には、（ｚ）工程のみを行う方法や、（ｘ）工程と
（ｙ）工程を１回以上交互に行い、次いで（ｙ）工程の
後に（ｚ）工程を行うか、もしくは（ｘ）工程の後に
（ｗ）工程を行う方法が挙げられる。 （ｘ）工程：上記出発物質または下記（ｙ）工程で生成
するケイ素原子結合水素原子含有カルボシロキサンデン
ドリマーと、一般式：R5Si(OR3)3（式中、R3は前記と同
じであり、R5は炭素原子数２〜１０のアルケニル基であ
る。）で示されるアルケニル基含有アルコキシシランと
を、白金系遷移金属触媒の存在下に付加反応させる工
程。 （ｙ）工程：上記（ｘ）工程で得られたアルコキシ基含
有カルボシロキサンデンドリマーと、一般式：
は、例えば、一般式：HR1 aSiO(3-a)/2（式中、R1および
aは前記と同じである。）で示されるケイ素原子数２以
上のケイ素原子結合水素原子含有ポリシロキサンを出発
物質として、下記の（ｘ）〜（ｗ）工程のいずれかを少
なくとも１回以上行い、最後に（ｚ）工程もしくは
（ｗ）工程を行うことにより製造することができる。具
体的には、（ｚ）工程のみを行う方法や、（ｘ）工程と
（ｙ）工程を１回以上交互に行い、次いで（ｙ）工程の
後に（ｚ）工程を行うか、もしくは（ｘ）工程の後に
（ｗ）工程を行う方法が挙げられる。 （ｘ）工程：上記出発物質または下記（ｙ）工程で生成
するケイ素原子結合水素原子含有カルボシロキサンデン
ドリマーと、一般式：R5Si(OR3)3（式中、R3は前記と同
じであり、R5は炭素原子数２〜１０のアルケニル基であ
る。）で示されるアルケニル基含有アルコキシシランと
を、白金系遷移金属触媒の存在下に付加反応させる工
程。 （ｙ）工程：上記（ｘ）工程で得られたアルコキシ基含
有カルボシロキサンデンドリマーと、一般式：
【化２８】 （式中、R1は前記と同じである。）で示されるジシロキ
サンを酸性条件下に反応させる工程。 （ｚ）工程：上記出発物質または上記（ｙ）工程で得ら
れたカルボシロキサンデンドリマーと、一分子中に1個
の非共役アルケニル基を有する化合物とを、白金系遷移
金属触媒の存在下に付加反応させる工程。 （ｗ）工程：上記（ｘ）工程で得られたアルコキシ基含
有カルボシロキサンデンドリマーと、一般式：
サンを酸性条件下に反応させる工程。 （ｚ）工程：上記出発物質または上記（ｙ）工程で得ら
れたカルボシロキサンデンドリマーと、一分子中に1個
の非共役アルケニル基を有する化合物とを、白金系遷移
金属触媒の存在下に付加反応させる工程。 （ｗ）工程：上記（ｘ）工程で得られたアルコキシ基含
有カルボシロキサンデンドリマーと、一般式：
【化２９】 （式中、R1およびR4は前記と同じである。）で示される
ジシロキサンを酸性条件下に反応させる工程。
ジシロキサンを酸性条件下に反応させる工程。
【０００９】上記（ｘ）工程および（ｚ）工程で使用さ
れる白金系遷移金属触媒としては、塩化白金酸，アルコ
ール変性塩化白金酸，白金のオレフィン錯体，白金のジ
ケトナート錯体が例示される。この白金系遷移金属触媒
を用いて付加反応を行う際には、原料中のケイ素原子結
合水素原子を完全に反応させるために、やや過剰のアル
ケニル基含有化合物を反応させるのが好ましい。過剰量
のアルケニル基含有化合物は反応後、減圧蒸留等によっ
て分別回収することができる。またこの付加反応は常温
もしくは加熱条件下に行うことができ、反応を妨害しな
い溶媒を用いて行うこともできる。尚、（ｘ）工程で使
用されるアルケニル基含有アルコキシシランとしては、
ビニルトリメトキシシラン，ビニルトリエトキシシラ
ン，ヘキセニルトリメトキシシラン，ヘキセニルトリエ
トキシシランが例示され、（ｚ）工程で使用される一分
子中に1個の非共役アルケニル基を有する化合物として
は、ブテン，イソブテン，ヘキセン，オクテン，スチレ
ン，α−メチルスチレン，ビニルトリス（トリメチルシ
ロキシ）シラン，ビニルビス（トリメチルシロキシ）メ
トキシシランが例示される。
れる白金系遷移金属触媒としては、塩化白金酸，アルコ
ール変性塩化白金酸，白金のオレフィン錯体，白金のジ
ケトナート錯体が例示される。この白金系遷移金属触媒
を用いて付加反応を行う際には、原料中のケイ素原子結
合水素原子を完全に反応させるために、やや過剰のアル
ケニル基含有化合物を反応させるのが好ましい。過剰量
のアルケニル基含有化合物は反応後、減圧蒸留等によっ
て分別回収することができる。またこの付加反応は常温
もしくは加熱条件下に行うことができ、反応を妨害しな
い溶媒を用いて行うこともできる。尚、（ｘ）工程で使
用されるアルケニル基含有アルコキシシランとしては、
ビニルトリメトキシシラン，ビニルトリエトキシシラ
ン，ヘキセニルトリメトキシシラン，ヘキセニルトリエ
トキシシランが例示され、（ｚ）工程で使用される一分
子中に1個の非共役アルケニル基を有する化合物として
は、ブテン，イソブテン，ヘキセン，オクテン，スチレ
ン，α−メチルスチレン，ビニルトリス（トリメチルシ
ロキシ）シラン，ビニルビス（トリメチルシロキシ）メ
トキシシランが例示される。
【００１０】上記（ｙ）工程および（ｗ）工程において
酸性条件を作るのに使われる酸性物質としては、塩酸，
硫酸，カルボン酸類，スルホン酸類またはその混合物が
好ましい。尚、（ｙ）工程では、ケイ素原子結合水素原
子がアルコール分解することにより、本発明のカルボシ
ロキサンデンドリマーに下記式で示されるモノアルコキ
シシロキシ基が少量含まれることがある。
酸性条件を作るのに使われる酸性物質としては、塩酸，
硫酸，カルボン酸類，スルホン酸類またはその混合物が
好ましい。尚、（ｙ）工程では、ケイ素原子結合水素原
子がアルコール分解することにより、本発明のカルボシ
ロキサンデンドリマーに下記式で示されるモノアルコキ
シシロキシ基が少量含まれることがある。
【化３０】 （式中、R1およびR3は前記と同じである。）
【００１１】以上のような本発明のカルボシロキサンデ
ンドリマーは、ポリシロキサン構造を核として、シロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
構造を有し、高分子量化が可能であり、かつ分子量分布
が狭いという特徴を有する。さらに本発明のカルボシロ
キサンデンドリマーは、分岐構造のすべての末端が非置
換の炭化水素基であるため、高分岐構造を有するにもか
かわらず粘度が低く、線状ポリシロキサンと同程度の低
いガラス転移温度を有し、しかも結晶化を起こしにくい
という特徴を有する。このため、本発明のカルボシロキ
サンデンドリマーは、離型剤，潤滑剤，樹脂添加剤とし
て有用である。
ンドリマーは、ポリシロキサン構造を核として、シロキ
サン結合とシルアルキレン結合が交互に配列した高分岐
構造を有し、高分子量化が可能であり、かつ分子量分布
が狭いという特徴を有する。さらに本発明のカルボシロ
キサンデンドリマーは、分岐構造のすべての末端が非置
換の炭化水素基であるため、高分岐構造を有するにもか
かわらず粘度が低く、線状ポリシロキサンと同程度の低
いガラス転移温度を有し、しかも結晶化を起こしにくい
という特徴を有する。このため、本発明のカルボシロキ
サンデンドリマーは、離型剤，潤滑剤，樹脂添加剤とし
て有用である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。実施
例中、本発明のカルボシロキサンデンドリマーの同定
は、29Ｓｉ−核磁気共鳴分析およびゲル透過クロマトグ
ラフィー分析（溶媒：トルエン）により行った。
例中、本発明のカルボシロキサンデンドリマーの同定
は、29Ｓｉ−核磁気共鳴分析およびゲル透過クロマトグ
ラフィー分析（溶媒：トルエン）により行った。
【００１３】
【実施例１】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リス（トリメチルシロキシ）シラン３５．５ｇと塩化白
金酸３％イソプロパノール溶液０．０４ｇを投入し、こ
れらを撹拌しながら１００℃に加熱した。これに、テト
ラキス（ジメチルシロキシ）シラン８．２ｇを、滴下ロ
ートを用いて反応温度が１００℃を保つようにゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応溶液を１２０℃で１時間加
熱した。冷却後、減圧濃縮したところ、４０．５ｇの微
褐色液体が得られた。得られた液体の25℃での粘度は９
８センチストークスであり、示差走査熱量計により求め
たガラス転移温度は−８５．１℃であり、また直鎖状の
ポリジメチルシロキサンに通常見られるような結晶化が
起きないことが確認された。この反応生成物を29Ｓｉ−
核磁気共鳴分析により分析したところ、下記の平均分子
式で示されるカルボシロキサンデンドリマーであること
が判明した。またこのカルボシロキサンデンドリマー
は、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリスチレン換
算数平均分子量が２１８０であり、分散度指数が１．０
６であることが確認された。
トを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リス（トリメチルシロキシ）シラン３５．５ｇと塩化白
金酸３％イソプロパノール溶液０．０４ｇを投入し、こ
れらを撹拌しながら１００℃に加熱した。これに、テト
ラキス（ジメチルシロキシ）シラン８．２ｇを、滴下ロ
ートを用いて反応温度が１００℃を保つようにゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応溶液を１２０℃で１時間加
熱した。冷却後、減圧濃縮したところ、４０．５ｇの微
褐色液体が得られた。得られた液体の25℃での粘度は９
８センチストークスであり、示差走査熱量計により求め
たガラス転移温度は−８５．１℃であり、また直鎖状の
ポリジメチルシロキサンに通常見られるような結晶化が
起きないことが確認された。この反応生成物を29Ｓｉ−
核磁気共鳴分析により分析したところ、下記の平均分子
式で示されるカルボシロキサンデンドリマーであること
が判明した。またこのカルボシロキサンデンドリマー
は、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリスチレン換
算数平均分子量が２１８０であり、分散度指数が１．０
６であることが確認された。
【化３１】
【００１４】
【実施例２】撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１０７ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．０４ｇを投入し、これらを撹拌しながら
１００℃に加熱した。これに、テトラキス（ジメチルシ
ロキシ）シラン４９．４ｇを、滴下ロートを用いて反応
温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終
了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、
減圧濃縮したところ、１３８ｇの微褐色液体が得られ
た。これを中間体Ａとした。次に、撹拌装置、温度計、
還流冷却管、滴下ロートを取り付けた２リットル４つ口
フラスコに、１,１,３,３−テトラメチル−１,３−ジビ
ニルジシロキサン２１０ｇ、酢酸６７．６ｇおよびトリ
フルオロメタンスルホン酸０．２０ｇを投入してこれら
を撹拌しながら、５０℃に昇温した。これに、上記で得
た中間体Ａ１２０ｇを滴下ロートを用いて１時間かけて
ゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を６０℃で５
時間撹拌した。冷却後、反応溶液を分液ロートに移し、
水２００ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１
００ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。生成した固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃
縮したところ、２１２ｇの無色透明液体が得られた。こ
の反応生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析した
ところ、下記の平均分子式で示される、一分子中に約１
２個のビニル基を有するカルボシロキサンデンドリマー
であることが判明した。またこのカルボシロキサンデン
ドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリス
チレン換算数平均分子量が１２１１であり、分散度指数
が１．２８であることが確認された。
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１０７ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．０４ｇを投入し、これらを撹拌しながら
１００℃に加熱した。これに、テトラキス（ジメチルシ
ロキシ）シラン４９．４ｇを、滴下ロートを用いて反応
温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終
了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、
減圧濃縮したところ、１３８ｇの微褐色液体が得られ
た。これを中間体Ａとした。次に、撹拌装置、温度計、
還流冷却管、滴下ロートを取り付けた２リットル４つ口
フラスコに、１,１,３,３−テトラメチル−１,３−ジビ
ニルジシロキサン２１０ｇ、酢酸６７．６ｇおよびトリ
フルオロメタンスルホン酸０．２０ｇを投入してこれら
を撹拌しながら、５０℃に昇温した。これに、上記で得
た中間体Ａ１２０ｇを滴下ロートを用いて１時間かけて
ゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を６０℃で５
時間撹拌した。冷却後、反応溶液を分液ロートに移し、
水２００ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１
００ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。生成した固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃
縮したところ、２１２ｇの無色透明液体が得られた。こ
の反応生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析した
ところ、下記の平均分子式で示される、一分子中に約１
２個のビニル基を有するカルボシロキサンデンドリマー
であることが判明した。またこのカルボシロキサンデン
ドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリス
チレン換算数平均分子量が１２１１であり、分散度指数
が１．２８であることが確認された。
【化３２】
【００１５】
【実施例３】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１８２ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．２８ｇを投入し、これらを撹拌しながら
１００℃に加熱した。これに、メチルトリス（ジメチル
シロキシ）シラン１００ｇを、滴下ロートを用いて反応
温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終
了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、
反応溶液を減圧濃縮したところ、２６６ｇの微褐色液体
が得られた。これを中間体Ｅとした。次に、撹拌装置、
温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた５００ｍ
ｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３−テトラメチルジシ
ロキサン１２７ｇ、濃塩酸３３ｍｌ、水６６ ｍｌ
およびイソプロパノール６６ｍｌを投入してこれらを撹
拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｅ１００ｇを
滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴
下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌した。反応溶液
を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液
を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３
０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮したとこ
ろ、１５６ｇの無色透明液体が得られた。これを中間体
Ｆとした。最後に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴
下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、上
記で得た中間体Ｆ３０．０ｇと塩化白金酸３％イソプロ
パノール溶液０．０３ｇを投入し、これらを撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。これに、ヘキセン２４．６ｇ
を、滴下ロートを用いて反応温度が１００℃を保つよう
にゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を１００℃
で１時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したと
ころ、４４．４ｇの微褐色液体が得られた。この反応生
成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析したところ、
下記の平均分子式で示されるカルボシロキサンデンドリ
マーであることが判明した。またこのカルボシロキサン
デンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポ
リスチレン換算数平均分子量が２４７６であり、分散度
指数が１．０８であることが確認された。
トを取り付けた３００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１８２ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．２８ｇを投入し、これらを撹拌しながら
１００℃に加熱した。これに、メチルトリス（ジメチル
シロキシ）シラン１００ｇを、滴下ロートを用いて反応
温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終
了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、
反応溶液を減圧濃縮したところ、２６６ｇの微褐色液体
が得られた。これを中間体Ｅとした。次に、撹拌装置、
温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた５００ｍ
ｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３−テトラメチルジシ
ロキサン１２７ｇ、濃塩酸３３ｍｌ、水６６ ｍｌ
およびイソプロパノール６６ｍｌを投入してこれらを撹
拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｅ１００ｇを
滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴
下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌した。反応溶液
を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液
を水３０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３
０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮したとこ
ろ、１５６ｇの無色透明液体が得られた。これを中間体
Ｆとした。最後に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴
下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、上
記で得た中間体Ｆ３０．０ｇと塩化白金酸３％イソプロ
パノール溶液０．０３ｇを投入し、これらを撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。これに、ヘキセン２４．６ｇ
を、滴下ロートを用いて反応温度が１００℃を保つよう
にゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を１００℃
で１時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したと
ころ、４４．４ｇの微褐色液体が得られた。この反応生
成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析したところ、
下記の平均分子式で示されるカルボシロキサンデンドリ
マーであることが判明した。またこのカルボシロキサン
デンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによるポ
リスチレン換算数平均分子量が２４７６であり、分散度
指数が１．０８であることが確認された。
【化３３】
【００１６】
【実施例４】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１２１ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．２ｇを投入し、これらを撹拌しながら１
００℃に加熱した。これに、１,１,３,３−テトラメチ
ルジシロキサン５０ｇを、滴下ロートを用いて反応温度
が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、反
応溶液を減圧濃縮したところ、１５８ｇの微褐色液体が
得られた。これを中間体Ｇとした。次に、撹拌装置、温
度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた１リットル
４つ口フラスコに、１,１,３,３−テトラメチルジシロ
キサン１８０ｇ、濃塩酸５０ｍｌ、水１００ｍｌおよび
イソプロパノール１００ｍｌを投入してこれらを撹拌し
た。これに、上記で得た中間体Ｇ１５８ｇを滴下ロート
を用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、
反応溶液を室温で１時間撹拌した。反応溶液を分液ロー
トに移して下層を分取した後、残った上層液を水１００
ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌ
で１回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。固形
分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮したところ、２３
３ｇの無色透明液体が得られた。これを中間体Ｈとし
た。最後に、撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リス（トリメチルシロキシ）シラン１３３ｇと塩化白金
酸３％イソプロパノール溶液０．０９ｇを投入し、これ
らを撹拌しながら１００℃に加熱した。これに、上記で
得た中間体Ｈ４０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、減
圧濃縮したところ、１２７ｇの微褐色液体が得られた。
この反応生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析し
たところ、下記の平均分子式で示されるカルボシロキサ
ンデンドリマーであることが判明した。またこのカルボ
シロキサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィ
ーによるポリスチレン換算数平均分子量が２９１１であ
り、分散度指数が１．０８であることが確認された。
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン１２１ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．２ｇを投入し、これらを撹拌しながら１
００℃に加熱した。これに、１,１,３,３−テトラメチ
ルジシロキサン５０ｇを、滴下ロートを用いて反応温度
が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、反
応溶液を減圧濃縮したところ、１５８ｇの微褐色液体が
得られた。これを中間体Ｇとした。次に、撹拌装置、温
度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた１リットル
４つ口フラスコに、１,１,３,３−テトラメチルジシロ
キサン１８０ｇ、濃塩酸５０ｍｌ、水１００ｍｌおよび
イソプロパノール１００ｍｌを投入してこれらを撹拌し
た。これに、上記で得た中間体Ｇ１５８ｇを滴下ロート
を用いて１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、
反応溶液を室温で１時間撹拌した。反応溶液を分液ロー
トに移して下層を分取した後、残った上層液を水１００
ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌ
で１回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。固形
分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮したところ、２３
３ｇの無色透明液体が得られた。これを中間体Ｈとし
た。最後に、撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リス（トリメチルシロキシ）シラン１３３ｇと塩化白金
酸３％イソプロパノール溶液０．０９ｇを投入し、これ
らを撹拌しながら１００℃に加熱した。これに、上記で
得た中間体Ｈ４０．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温
度が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、減
圧濃縮したところ、１２７ｇの微褐色液体が得られた。
この反応生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析し
たところ、下記の平均分子式で示されるカルボシロキサ
ンデンドリマーであることが判明した。またこのカルボ
シロキサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィ
ーによるポリスチレン換算数平均分子量が２９１１であ
り、分散度指数が１．０８であることが確認された。
【化３４】
【００１７】
【実施例５】撹拌装置，温度計，還流冷却管，滴下ロー
トを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン４９．４ｇと塩化白金酸３％イソプロ
パノール溶液０．０４ｇを投入し、これらを撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。これに、平均分子式：
トを取り付けた１００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン４９．４ｇと塩化白金酸３％イソプロ
パノール溶液０．０４ｇを投入し、これらを撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。これに、平均分子式：
【化３５】 で示されるポリシロキサン３０．０ｇを、滴下ロートを
用いて反応温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下し
た。滴下終了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱し
た。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したところ、６３．１
ｇの微褐色液体が得られた。これを中間体Ｋとした。次
に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り
付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３−テ
トラメチルジシロキサン３３．９ｇ、濃塩酸１３ｍｌ、
水２７ｍｌおよびイソプロパノール２７ｍｌを投入して
これらを撹拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｋ
４０．０ｇを滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌し
た。反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、
残った上層液を水２０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液２０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃
縮したところ、４５．４ｇの無色透明液体が得られた。
これを中間体Ｌとした。最後に、撹拌装置，温度計，還
流冷却管，滴下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フ
ラスコに、α−メチルスチレン６５．５ｇと塩化白金酸
３％イソプロパノール溶液０．０４ｇを投入し、これら
を撹拌しながら１００℃に加熱した。これに、上記で得
た中間体Ｌ２４．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温度
が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、減
圧濃縮したところ、３５．１ｇの微褐色液体が得られ
た。この反応生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分
析したところ、下記の平均分子式で示されるカルボシロ
キサンデンドリマーであることが判明した。またこのカ
ルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラ
フィーによるポリスチレン換算数平均分子量が３８３０
であり、分散度指数が１．７５であることが確認され
た。
用いて反応温度が１００℃を保つようにゆっくり滴下し
た。滴下終了後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱し
た。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したところ、６３．１
ｇの微褐色液体が得られた。これを中間体Ｋとした。次
に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り
付けた２００ｍｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３−テ
トラメチルジシロキサン３３．９ｇ、濃塩酸１３ｍｌ、
水２７ｍｌおよびイソプロパノール２７ｍｌを投入して
これらを撹拌した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｋ
４０．０ｇを滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌し
た。反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、
残った上層液を水２０ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液２０ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃
縮したところ、４５．４ｇの無色透明液体が得られた。
これを中間体Ｌとした。最後に、撹拌装置，温度計，還
流冷却管，滴下ロートを取り付けた１００ｍｌ４つ口フ
ラスコに、α−メチルスチレン６５．５ｇと塩化白金酸
３％イソプロパノール溶液０．０４ｇを投入し、これら
を撹拌しながら１００℃に加熱した。これに、上記で得
た中間体Ｌ２４．０ｇを、滴下ロートを用いて反応温度
が１００℃を保つようにゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応溶液を１２０℃で１時間加熱した。冷却後、減
圧濃縮したところ、３５．１ｇの微褐色液体が得られ
た。この反応生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分
析したところ、下記の平均分子式で示されるカルボシロ
キサンデンドリマーであることが判明した。またこのカ
ルボシロキサンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラ
フィーによるポリスチレン換算数平均分子量が３８３０
であり、分散度指数が１．７５であることが確認され
た。
【化３６】
【００１８】
【実施例６】撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロー
トを取り付けた５００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン２１４ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．１６ｇを投入し、これらを撹拌しながら
１００℃に加熱した。これに、平均組成式：{H(CH3)2Si
O1/2}10(SiO4/2)5 で示されるポリシロキサン１００ｇ
を、滴下ロートを用いて反応温度が１００℃を保つよう
にゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を１２０℃
で１時間加熱した。冷却後、減圧濃縮したところ、２３
４ｇの微褐色液体が得られた。これを中間体Ｍとした。
次に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取
り付けた１０００ｍｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３
−テトラメチルジシロキサン４６８ｇ、濃塩酸７５ｍ
ｌ、水１５０ｍｌおよびイソプロパノール１５０ｍｌを
投入してこれらを撹拌した。これに、上記で得た中間体
M２２０ｇを滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌し
た。反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、
残った上層液を水１００ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１００ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減
圧濃縮したところ、２７３ｇの無色透明液体が得られ
た。これを中間体Ｎとした。最後に、撹拌装置、温度
計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた２００ｍｌ４
つ口フラスコに、ビニルトリス（トリメチルシロキシ）
シラン１０５ｇと塩化白金酸３％イソプロパノール溶液
０．０７ｇを投入し、これらを撹拌しながら１００℃に
加熱した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｎ３５．０
ｇを、滴下ロートを用いて反応温度が１００℃を保つよ
うにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を１２０
℃で１時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮した
ところ、８０．３ｇの微褐色液体が得られた。この反応
生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析したとこ
ろ、下記の平均分子式で示されるカルボシロキサンデン
ドリマーであることが判明した。またこのカルボシロキ
サンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによ
るポリスチレン換算数平均分子量が６５８６であり、分
散度指数が１．１４であることが確認された。
トを取り付けた５００ｍｌ４つ口フラスコに、ビニルト
リメトキシシラン２１４ｇと塩化白金酸３％イソプロパ
ノール溶液０．１６ｇを投入し、これらを撹拌しながら
１００℃に加熱した。これに、平均組成式：{H(CH3)2Si
O1/2}10(SiO4/2)5 で示されるポリシロキサン１００ｇ
を、滴下ロートを用いて反応温度が１００℃を保つよう
にゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を１２０℃
で１時間加熱した。冷却後、減圧濃縮したところ、２３
４ｇの微褐色液体が得られた。これを中間体Ｍとした。
次に、撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取
り付けた１０００ｍｌ４つ口フラスコに、１,１,３,３
−テトラメチルジシロキサン４６８ｇ、濃塩酸７５ｍ
ｌ、水１５０ｍｌおよびイソプロパノール１５０ｍｌを
投入してこれらを撹拌した。これに、上記で得た中間体
M２２０ｇを滴下ロートを用いて１時間かけてゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で１時間撹拌し
た。反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、
残った上層液を水１００ｍｌで２回、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１００ｍｌで１回洗浄して、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減
圧濃縮したところ、２７３ｇの無色透明液体が得られ
た。これを中間体Ｎとした。最後に、撹拌装置、温度
計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた２００ｍｌ４
つ口フラスコに、ビニルトリス（トリメチルシロキシ）
シラン１０５ｇと塩化白金酸３％イソプロパノール溶液
０．０７ｇを投入し、これらを撹拌しながら１００℃に
加熱した。次いでこれに、上記で得た中間体Ｎ３５．０
ｇを、滴下ロートを用いて反応温度が１００℃を保つよ
うにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を１２０
℃で１時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮した
ところ、８０．３ｇの微褐色液体が得られた。この反応
生成物を29Ｓｉ−核磁気共鳴分析により分析したとこ
ろ、下記の平均分子式で示されるカルボシロキサンデン
ドリマーであることが判明した。またこのカルボシロキ
サンデンドリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによ
るポリスチレン換算数平均分子量が６５８６であり、分
散度指数が１．１４であることが確認された。
【化３７】
【００１９】
【発明の効果】本発明のカルボシロキサンデンドリマー
は、ポリシロキサン構造を核として、シロキサン結合と
シルアルキレン結合が交互に配列した高分岐構造を有
し、高分子量化が可能であり、かつ分子量分布が狭いと
いう特徴を有する。さらに本発明のカルボシロキサンデ
ンドリマーは、そのような高分岐構造を有するにもかか
わらず粘度が低く、線状ポリシロキサンと同程度の低い
ガラス転移温度を有し、しかも結晶化を起こしにくいと
いう特徴を有する。
は、ポリシロキサン構造を核として、シロキサン結合と
シルアルキレン結合が交互に配列した高分岐構造を有
し、高分子量化が可能であり、かつ分子量分布が狭いと
いう特徴を有する。さらに本発明のカルボシロキサンデ
ンドリマーは、そのような高分岐構造を有するにもかか
わらず粘度が低く、線状ポリシロキサンと同程度の低い
ガラス転移温度を有し、しかも結晶化を起こしにくいと
いう特徴を有する。
【図１】 図１は、実施例１で得られたカルボシロキサ
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
【図２】 図２は、実施例２で得られたカルボシロキサ
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
【図３】 図３は、実施例３で得られたカルボシロキサ
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
【図４】 図４は、実施例４で得られたカルボシロキサ
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
【図５】 図５は、実施例５で得られたカルボシロキサ
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
【図６】 図６は、実施例６で得られたカルボシロキサ
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
ンデンドリマーの29Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H049 VN01 VP10 VQ02 VQ79 VR21 VR23 VR41 VR43 VR44 VW02 4J035 CA01N HA01 HB10
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式：X1R1 aSiO(3-a)/2 ｛式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、aは０〜２の整数であり、X1はi=1と
した場合の次式で示されるシリルアルキル基である。 【化１】 （式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、R2は炭素原子数２〜１０のアルキレ
ン基であり、R3は炭素原子数１〜１０のアルキル基であ
り、Xi+1は上記シリルアルキル基または炭素原子数１〜
３０の炭化水素基である。iは該シリルアルキル基の階
層を示している１〜１０の整数であり、biは０〜３の整
数である。）｝で示されるシロキサン単位を含有するケ
イ素原子数２以上のポリシロキサン構造を核に有し、
式： 【化２】 （式中、R1は炭素原子数１〜１０のアルキル基もしくは
アリール基であり、R4は炭素原子数１〜３０の炭化水素
基である。）で示されるシロキシ基を１個以上有するカ
ルボシロキサンデンドリマー。 - 【請求項２】 ポリスチレン換算分子量の分散度指数が
２以下である請求項１記載のカルボシロキサンデンドリ
マー。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10230154A JP2000044579A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | カルボシロキサンデンドリマー |
| US09/317,529 US6184407B1 (en) | 1998-05-29 | 1999-05-24 | Carbosiloxane dendrimers |
| CA002273131A CA2273131A1 (en) | 1998-05-29 | 1999-05-27 | Carbosiloxane dendrimers |
| KR1019990019587A KR100574573B1 (ko) | 1998-05-29 | 1999-05-29 | 카보실록산 덴드리머 |
| EP19990114567 EP0976775B1 (en) | 1998-07-31 | 1999-07-24 | Carbosiloxane dendrimers |
| DE69927644T DE69927644T2 (de) | 1998-07-31 | 1999-07-24 | Carbosiloxan-Dendrimer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10230154A JP2000044579A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | カルボシロキサンデンドリマー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000044579A true JP2000044579A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16903449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10230154A Pending JP2000044579A (ja) | 1998-05-29 | 1998-07-31 | カルボシロキサンデンドリマー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000044579A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040014018A (ko) * | 2002-08-09 | 2004-02-14 | 김정균 | 터피리딘-금속착물의 합성방법 |
| JP2004532921A (ja) * | 2001-06-11 | 2004-10-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 枝分れオルガノシリコーン化合物 |
| JP2007302721A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Tokyo Institute Of Technology | シロキサン誘導体およびシロキサン誘導体被覆無機酸化物 |
| JP2011246706A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-12-08 | Dow Corning Toray Co Ltd | 新規なオルガノポリシロキサン、それを含む界面活性剤、エマルジョン組成物、粉体処理剤、油性原料の増粘剤、ゲル化剤、ゲル状組成物、化粧料用原料並びに、これらを含む外用剤及び化粧料 |
| WO2014141578A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 信越化学工業株式会社 | 対称ハイパーブランチ型シリコーン変性重合性化合物、及びそのモジュール化した製造方法 |
| US9980897B2 (en) | 2010-04-30 | 2018-05-29 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Organopolysiloxane and powder treatment agent, preparation for external use and cosmetic comprising the same |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10230154A patent/JP2000044579A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004532921A (ja) * | 2001-06-11 | 2004-10-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 枝分れオルガノシリコーン化合物 |
| KR20040014018A (ko) * | 2002-08-09 | 2004-02-14 | 김정균 | 터피리딘-금속착물의 합성방법 |
| JP2007302721A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Tokyo Institute Of Technology | シロキサン誘導体およびシロキサン誘導体被覆無機酸化物 |
| JP2011246706A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-12-08 | Dow Corning Toray Co Ltd | 新規なオルガノポリシロキサン、それを含む界面活性剤、エマルジョン組成物、粉体処理剤、油性原料の増粘剤、ゲル化剤、ゲル状組成物、化粧料用原料並びに、これらを含む外用剤及び化粧料 |
| US9475828B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-10-25 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Organopolysiloxane and use thereof as surfactant, powder treatment agent, thickening agent of oil-based raw material or gelling agent. gel and emulsion compositions, as well as, preparations for external use and cosmetics comprising the same |
| US9980897B2 (en) | 2010-04-30 | 2018-05-29 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Organopolysiloxane and powder treatment agent, preparation for external use and cosmetic comprising the same |
| WO2014141578A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 信越化学工業株式会社 | 対称ハイパーブランチ型シリコーン変性重合性化合物、及びそのモジュール化した製造方法 |
| JP2014198703A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-23 | 信越化学工業株式会社 | 対称ハイパーブランチ型シリコーン変性重合性化合物、及びそのモジュール化した製造方法 |
| US9428527B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Symmetric hyperbranched type silicone-modified polymerizable compound, and its modularized preparation method |
| KR101752650B1 (ko) | 2013-03-15 | 2017-06-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 대칭 하이퍼브랜치형 실리콘 변성 중합성 화합물, 및 그 모듈화한 제조방법 |
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