JP2000031371A - リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子３をリードフレームのダイパッド１
に接着し、半導体素子３とリード２を金属線４で結線し
モールド樹脂５で成形するタイプの半導体装置パッケー
ジの構造に関する。半導体装置のハンダ付け時の熱スト
レスにより発生するダイパッド１裏面のモールド樹脂５
との剥離、ふくれ、クラックを防止すること。 【解決手段】リードフレームのダイパッド１に多数の網
目状貫通穴１２を形成し、その貫通穴１２の断面形状は
凹凸をつけたものにする。
に接着し、半導体素子３とリード２を金属線４で結線し
モールド樹脂５で成形するタイプの半導体装置パッケー
ジの構造に関する。半導体装置のハンダ付け時の熱スト
レスにより発生するダイパッド１裏面のモールド樹脂５
との剥離、ふくれ、クラックを防止すること。 【解決手段】リードフレームのダイパッド１に多数の網
目状貫通穴１２を形成し、その貫通穴１２の断面形状は
凹凸をつけたものにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をリー
ドフレームのダイパッドに接着し、半導体素子とリード
を金属線で結線し、モールド樹脂で成形するタイプの半
導体装置パッケージの構造に関するものである。
ドフレームのダイパッドに接着し、半導体素子とリード
を金属線で結線し、モールド樹脂で成形するタイプの半
導体装置パッケージの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子をプラスチックパッケージに
組立てた状態の半導体装置は、図３に示すように、半導
体素子３をリードフレームのダイパット６に接着し金属
線４で半導体３とリード２を結線し、モールド樹脂５で
成形したものである。
組立てた状態の半導体装置は、図３に示すように、半導
体素子３をリードフレームのダイパット６に接着し金属
線４で半導体３とリード２を結線し、モールド樹脂５で
成形したものである。
【０００３】この構造でダイパッド１の形状で従来知ら
れているものとしては、図４（ａ）から図４（ｅ）に示
すような例がある。
れているものとしては、図４（ａ）から図４（ｅ）に示
すような例がある。
【０００４】図４（ａ）は特に何もしないで平な板状の
もの、図４（ｂ）は半導体素子を接着する面の反対側に
半球状のメクラ穴８を多数設けたもの、図４（ｃ）は、
十字スリットの貫通穴９を設けたもの、図４（ｄ）は多
数の貫通穴１０を設けたもの、図４（ｅ）は貫通穴の径
を表裏で変えたものである。
もの、図４（ｂ）は半導体素子を接着する面の反対側に
半球状のメクラ穴８を多数設けたもの、図４（ｃ）は、
十字スリットの貫通穴９を設けたもの、図４（ｄ）は多
数の貫通穴１０を設けたもの、図４（ｅ）は貫通穴の径
を表裏で変えたものである。
【０００５】この半導体装置を基板実装する時は、実装
基板２１のパターン上にハンダクリーム２２を塗り、半
導体装置をのせてリフロー炉でハンダ付けを行なう。
基板２１のパターン上にハンダクリーム２２を塗り、半
導体装置をのせてリフロー炉でハンダ付けを行なう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術の図３で示す半導体装置パッケージの構造では、モ−
ルド樹脂５が吸湿性があるため通常の室内放置でも吸湿
が進行し、基板実装する際のリフロー炉の熱によりモー
ルド樹脂５の中の水分が急激に気化し、ダイパッドとダ
イパッド下面のモールド樹脂５との界面に水蒸気６が発
生して、剥離が発生し、ひどい場合にはモールド樹脂５
にクラックが発生する。
術の図３で示す半導体装置パッケージの構造では、モ−
ルド樹脂５が吸湿性があるため通常の室内放置でも吸湿
が進行し、基板実装する際のリフロー炉の熱によりモー
ルド樹脂５の中の水分が急激に気化し、ダイパッドとダ
イパッド下面のモールド樹脂５との界面に水蒸気６が発
生して、剥離が発生し、ひどい場合にはモールド樹脂５
にクラックが発生する。
【０００７】ダイパッド１とダイパッド下面のモールド
樹脂５の界面の剥離は、クラックに至らないまでもふく
れとなって実装基板２１に接触するため、リード２の先
端が浮き上がってハンダ２２と隙間２３ができるため、
ハンダ付け不良となることがある。この剥離現象はダイ
パッド１のサイズが大きい程発生しやすくダイパッドサ
イズ１のサイズが約５ｍｍを超えると発生しやすくな
る。
樹脂５の界面の剥離は、クラックに至らないまでもふく
れとなって実装基板２１に接触するため、リード２の先
端が浮き上がってハンダ２２と隙間２３ができるため、
ハンダ付け不良となることがある。この剥離現象はダイ
パッド１のサイズが大きい程発生しやすくダイパッドサ
イズ１のサイズが約５ｍｍを超えると発生しやすくな
る。
【０００８】また、この剥離現象は、モールド樹脂５の
厚さが薄い程発生しやすく、モールド樹脂５の厚さが約
１．５ｍｍ以下になると発生しやすくなる。
厚さが薄い程発生しやすく、モールド樹脂５の厚さが約
１．５ｍｍ以下になると発生しやすくなる。
【０００９】近年半導体装置パッケージの多リード化、
大型化、薄型化によりこの剥離現象の問題がクローズア
ップされてきている。
大型化、薄型化によりこの剥離現象の問題がクローズア
ップされてきている。
【００１０】従来この現象の対策として種々のダイパッ
ド形状が提案されている。
ド形状が提案されている。
【００１１】図４（ａ）は、特に対策をとっていないも
のであり、ダイパッド裏面は平面状になっている。
のであり、ダイパッド裏面は平面状になっている。
【００１２】図４（ｂ）はダイパッド１の半導体素子を
接着する面の反対側に半球状のメクラ穴８を多数設けた
ものであるが、半球上のメクラ穴のためモールド樹脂５
をホールドする力が弱い。
接着する面の反対側に半球状のメクラ穴８を多数設けた
ものであるが、半球上のメクラ穴のためモールド樹脂５
をホールドする力が弱い。
【００１３】図４（ｃ）はダイパッド１に十字スリット
の貫通穴９を設けたものであり、応力が４等分されるこ
とをねらっているがこれでは不充分の場合がある。
の貫通穴９を設けたものであり、応力が４等分されるこ
とをねらっているがこれでは不充分の場合がある。
【００１４】図４（ｄ）はダイパッドに多数の抜き穴１
０を設けたものであるが、抜き穴であるためモールド樹
脂５をホールドする力が弱い。
０を設けたものであるが、抜き穴であるためモールド樹
脂５をホールドする力が弱い。
【００１５】図４（ｅ）はダイパッド１に斜めの貫通穴
１１を設けたものであるが貫通穴の数、断面形状によっ
ては樹脂５をホールドする力が弱い。
１１を設けたものであるが貫通穴の数、断面形状によっ
ては樹脂５をホールドする力が弱い。
【００１６】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、その目的は、ダイパット１に樹脂５をし
っかりホールドさせる構造にすることにより、半導体装
置を基板実装する際のリフロー炉の熱ストレスにより、
ダイパッド１の下面とモールド樹脂５との剥離、クラッ
クを防止して、製品の信頼性を向上可能とする半導体装
置を提供することにある。
されたもので、その目的は、ダイパット１に樹脂５をし
っかりホールドさせる構造にすることにより、半導体装
置を基板実装する際のリフロー炉の熱ストレスにより、
ダイパッド１の下面とモールド樹脂５との剥離、クラッ
クを防止して、製品の信頼性を向上可能とする半導体装
置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るリ
ードフレームは、上記の課題を解決するために、半導体
素子搭載部のダイパッドに網目状に貫通穴を形成し、そ
の貫通穴の断面形状は凹凸をつけたことを特徴としてい
る。
ードフレームは、上記の課題を解決するために、半導体
素子搭載部のダイパッドに網目状に貫通穴を形成し、そ
の貫通穴の断面形状は凹凸をつけたことを特徴としてい
る。
【００１８】上記の構造によるリードフレームを請求項
３の発明に係る半導体装置に用いた場合、モールド樹脂
がダイパッドにしっかりホールドされるため剥離、クラ
ックを防止することができる。
３の発明に係る半導体装置に用いた場合、モールド樹脂
がダイパッドにしっかりホールドされるため剥離、クラ
ックを防止することができる。
【００１９】請求項２の発明に係るリードフレームは、
上記の課題を解決するために請求項１に記載のリードフ
レームにおいてダイパッドの大きさが約５ｍｍ以上のも
のについて網目状に貫通穴を形成し、その貫通穴の断面
形状は凹凸をつけたことを特徴としている。
上記の課題を解決するために請求項１に記載のリードフ
レームにおいてダイパッドの大きさが約５ｍｍ以上のも
のについて網目状に貫通穴を形成し、その貫通穴の断面
形状は凹凸をつけたことを特徴としている。
【００２０】上記構造によるリードフレームを請求項３
の発明に係る半導体装置に用いた場合、ダイパッド裏面
とモールド樹脂の剥離の発生しやすい大きさの領域にお
いて効果的に剥離、クラックを防止することができる。
の発明に係る半導体装置に用いた場合、ダイパッド裏面
とモールド樹脂の剥離の発生しやすい大きさの領域にお
いて効果的に剥離、クラックを防止することができる。
【００２１】請求項３の発明に係る半導体装置は、上記
の課題を解決するために請求項１および請求２記載のリ
ードフレームに半導体素子を接着し、金属線で半導体素
子とリードを結線し、モールド樹脂で成形したことを特
徴としている。
の課題を解決するために請求項１および請求２記載のリ
ードフレームに半導体素子を接着し、金属線で半導体素
子とリードを結線し、モールド樹脂で成形したことを特
徴としている。
【００２２】上記の構造による半導体装置は、モールド
樹脂が、ダイパッドにしっかりホールドされているため
剥離、クラックを防止することができる。
樹脂が、ダイパッドにしっかりホールドされているため
剥離、クラックを防止することができる。
【００２３】請求項４の発明に係る半導体装置は請求３
記載の半導体装置においてモールド樹脂厚が約１．５ｍ
ｍ以下のものについて請求項１および請求２記載のリー
ドフレームを適用したことを特徴としている。
記載の半導体装置においてモールド樹脂厚が約１．５ｍ
ｍ以下のものについて請求項１および請求２記載のリー
ドフレームを適用したことを特徴としている。
【００２４】上記構造による半導体装置は、ダイパッド
裏面とモールド樹脂の剥離の発生しやすい厚さの領域に
おいて効果的に剥離、クラックを防止することができ
る。
裏面とモールド樹脂の剥離の発生しやすい厚さの領域に
おいて効果的に剥離、クラックを防止することができ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
１および図２に基づいて説明すれば以下のとおりであ
る。
１および図２に基づいて説明すれば以下のとおりであ
る。
【００２６】まず本実施の形態で用いる半導体装置の構
成について説明する。
成について説明する。
【００２７】図１においてダイパッド１とリード２は通
常１枚の金属板から成形されてリードフレームと称す
る。
常１枚の金属板から成形されてリードフレームと称す
る。
【００２８】リードフレームのダイパッド１に半導体素
子３を接着し、半導体素子３とリード２を金属線で結線
した後、モールド樹脂５で成形する。
子３を接着し、半導体素子３とリード２を金属線で結線
した後、モールド樹脂５で成形する。
【００２９】その後、リード２の表面処理、切断、曲げ
成形を行なって半導体装置が完成する。
成形を行なって半導体装置が完成する。
【００３０】この半導体装置を実装する場合には基板２
１にハンダクリーム２２を塗り、半導体装置をのせてリ
フロー炉でハンダ付けを行なう。
１にハンダクリーム２２を塗り、半導体装置をのせてリ
フロー炉でハンダ付けを行なう。
【００３１】次に本発明の特徴であるリードフレームの
形態例について説明する。
形態例について説明する。
【００３２】本発明のリードフレームは、図２に示すよ
うにダイパッド１に、多数の貫通穴１２を形成して網目
状にし、その貫通穴１２の断面形状に凹凸をつけたもの
である。
うにダイパッド１に、多数の貫通穴１２を形成して網目
状にし、その貫通穴１２の断面形状に凹凸をつけたもの
である。
【００３３】貫通穴１２の断面形状実施例としては以下
のとおりである。
のとおりである。
【００３４】図２（ｂ）は、貫通穴１２の断面形状を円
弧状にし、厚さ方向の中央部の径を入口部より大きくし
たものである。
弧状にし、厚さ方向の中央部の径を入口部より大きくし
たものである。
【００３５】図２（ｃ）は貫通穴１２の断面形状を細か
いギザギザをつけたようにしたものである。
いギザギザをつけたようにしたものである。
【００３６】図２（ｄ）は貫通穴１２の断面形状をスト
レートであるが厚さ方向の中央部に入口部より大きい径
の穴を設けたものである。
レートであるが厚さ方向の中央部に入口部より大きい径
の穴を設けたものである。
【００３７】図２（ｅ）は、貫通穴１２の断面形状を斜
めの直線状にし、厚さ方向の中央部の径を入口部より大
きくしたものである。
めの直線状にし、厚さ方向の中央部の径を入口部より大
きくしたものである。
【００３８】図２（ｆ）は、貫通穴１２の断面形状をス
トレートではあるが２段穴とし、半導体素子３を接着す
る側の径を大きくしたものである。
トレートではあるが２段穴とし、半導体素子３を接着す
る側の径を大きくしたものである。
【００３９】上記貫通穴１２の断面形状図２（ｂ）から
図２（ｆ）については、組合わせ方によって他に多数の
形状が考えられる。
図２（ｆ）については、組合わせ方によって他に多数の
形状が考えられる。
【００４０】上記貫通穴１２を形成したリードフレーム
を用いて、先に述べたように図１のような半導体装置が
構成されるが、この場合モールド成形時に、モールド樹
脂５がダイパッド１の貫通穴１２の中に流れ込んで固ま
り、貫通穴１２の凹凸によりしっかりとホールドされる
ようになるため、半導体装置の基板２１へのハンダ付け
時に加わる熱ストレスによりダイパッド１とダイパッド
下面のモールド樹脂５の剥離するのを防止することがで
きる。
を用いて、先に述べたように図１のような半導体装置が
構成されるが、この場合モールド成形時に、モールド樹
脂５がダイパッド１の貫通穴１２の中に流れ込んで固ま
り、貫通穴１２の凹凸によりしっかりとホールドされる
ようになるため、半導体装置の基板２１へのハンダ付け
時に加わる熱ストレスによりダイパッド１とダイパッド
下面のモールド樹脂５の剥離するのを防止することがで
きる。
【００４１】この剥離現象は、ダイパッド１のサイズが
大きい程発生しやすくなる性質があり、ダイパッド１の
サイズが約５ｍｍを超えると発生しやすくなるため、ダ
イパッド１のサイズが約５ｍｍ以上のものについて本発
明の貫通穴１２を設けてリードフレームを形成すること
により効果が大きい。
大きい程発生しやすくなる性質があり、ダイパッド１の
サイズが約５ｍｍを超えると発生しやすくなるため、ダ
イパッド１のサイズが約５ｍｍ以上のものについて本発
明の貫通穴１２を設けてリードフレームを形成すること
により効果が大きい。
【００４２】またこの剥離現象はモールド樹脂５の厚さ
が薄い程発生しやすくなる性質があり、モールド樹脂５
の厚さが約１．５ｍｍ以下になると発生しやすくなるた
め、モールド樹脂５の厚さが約１．５ｍｍ以下の半導体
装置について本発明のリードフレームを適用することに
より効果が大きい。
が薄い程発生しやすくなる性質があり、モールド樹脂５
の厚さが約１．５ｍｍ以下になると発生しやすくなるた
め、モールド樹脂５の厚さが約１．５ｍｍ以下の半導体
装置について本発明のリードフレームを適用することに
より効果が大きい。
【００４３】
【発明の効果】請求項１の発明に係るリードフレーム
は、以上のようにダイパットに多数の貫通穴を網目状に
形成し、その貫通穴の断面形状は凹凸をつけた形状を有
するものである。
は、以上のようにダイパットに多数の貫通穴を網目状に
形成し、その貫通穴の断面形状は凹凸をつけた形状を有
するものである。
【００４４】請求項目３の発明に係る半導体装置は、上
記請求項１のリードフレームに半導体素子を接着し、金
属線で半導体素子とリードを結線し、モールド樹脂で形
成した構成である。
記請求項１のリードフレームに半導体素子を接着し、金
属線で半導体素子とリードを結線し、モールド樹脂で形
成した構成である。
【００４５】それゆえ、モールド成形時にモールド樹脂
がダイパッドの貫通穴に流れ込んで固まり、貫通穴の凹
凸によりしっかりとホールドされるようになるため、半
導体装置の基板へのハンダ付け時に加わる熱ストレスに
よりダイパッドとダイパッド下面のモールド樹脂の剥離
するのを防止することができることから、半導体装置の
ふくれ、クラック防止をはかることができ、半導体装置
の耐久性や信頼性の向上を図ることができるという効果
を奏する。
がダイパッドの貫通穴に流れ込んで固まり、貫通穴の凹
凸によりしっかりとホールドされるようになるため、半
導体装置の基板へのハンダ付け時に加わる熱ストレスに
よりダイパッドとダイパッド下面のモールド樹脂の剥離
するのを防止することができることから、半導体装置の
ふくれ、クラック防止をはかることができ、半導体装置
の耐久性や信頼性の向上を図ることができるという効果
を奏する。
【００４６】請求項目２の発明に係るリードフレーム
は、請求項１で記載されたダイパッドの貫通穴をダイパ
ッドサイズが約５ｍｍ以上のものに適用したリードフレ
ームである。
は、請求項１で記載されたダイパッドの貫通穴をダイパ
ッドサイズが約５ｍｍ以上のものに適用したリードフレ
ームである。
【００４７】請求項４の発明に係る半導体装置は、上記
請求項３記載の半導体装置において、モールド樹脂厚が
約１．５ｍｍ以下のものについて請求項１および請求項
２記載のリードフレームを適用した半導体装置である。
請求項３記載の半導体装置において、モールド樹脂厚が
約１．５ｍｍ以下のものについて請求項１および請求項
２記載のリードフレームを適用した半導体装置である。
【００４８】それゆえ、上記のダイパットとダイパッド
下面のモールド樹脂の剥離が発生しやすい領域であるダ
イパッドサイズが約５ｍｍ以上およびモールド樹脂厚が
約１．５ｍｍ以下の領域において剥離を防止することが
でき、近年高まっている、半導体装置の多リード化、大
型化、薄型化に対応できるという効果を奏する。
下面のモールド樹脂の剥離が発生しやすい領域であるダ
イパッドサイズが約５ｍｍ以上およびモールド樹脂厚が
約１．５ｍｍ以下の領域において剥離を防止することが
でき、近年高まっている、半導体装置の多リード化、大
型化、薄型化に対応できるという効果を奏する。
【００４９】またこの結果、半導体装置を使用した機器
の実装効率を高めることになり、機器の小型化、薄型化
に寄与できる。
の実装効率を高めることになり、機器の小型化、薄型化
に寄与できる。
【図１】本発明に係る半導体装置の一構成例を示す概略
図である。
図である。
【図２】本発明に係るリードフレームの一形状例を示す
もので、同図（ａ）は上図面であり、同図（ｂ）から同
図（ｆ）は、同図（ａ）の貫通穴の部分の断面図であ
る。
もので、同図（ａ）は上図面であり、同図（ｂ）から同
図（ｆ）は、同図（ａ）の貫通穴の部分の断面図であ
る。
【図３】従来の半導体装置の一構成例を示す概略図であ
る。
る。
【図４】従来のリードフレームの形状例を示す概略図で
ある。
ある。
１． ダイパッド ２． リード ３． 半導体素子 ４． 金属線 ５． モールド樹脂 ６． 水蒸気 ８． 半球状メクラ穴（ダイパッド裏面） ９． 十字スリット貫通穴（ダイパッド） １０． 貫通穴（ダイパッド） １１． 貫通穴の径を表裏で変えたもの（ダイパッド） １２． 多数の網目状貫通穴（ダイパッド） ２１． 実装基板 ２２． ハンダクリーム ２３． 隙間
Claims (4)
- 【請求項１】半導体装置用リ−ドフレームにおいて、半
導体素子搭載部のダイパッドに、多数の貫通穴を網目状
に形成し、その貫通穴の断面形状は凹凸をつけたことを
特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】請求項１記載のリードフレームにおいて、
ダイパッドの大きさが約５ｍｍ以上のものについて、網
目状に貫通穴を形成し、その貫通穴の断面形状は凹凸を
つけたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】請求項１および請求項２記載のリードフレ
ームに半導体素子を接着し金属線で半導体素子とリード
を結線し、モールド樹脂で成形したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体装置において、モー
ルド樹脂厚が約１．５ｍｍ以下のものについて、請求項
１および請求項２記載のリードフレームを適用したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19486498A JP2000031371A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19486498A JP2000031371A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
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Family Applications (1)
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006131776A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Leadframe, semiconductor package and methods of producing the same |
| CN100385658C (zh) * | 2003-05-28 | 2008-04-30 | 雅马哈株式会社 | 引线框以及利用该引线框的半导体器件 |
| JP2008103455A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
| JP2009302209A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nec Electronics Corp | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP19486498A patent/JP2000031371A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385658C (zh) * | 2003-05-28 | 2008-04-30 | 雅马哈株式会社 | 引线框以及利用该引线框的半导体器件 |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
| WO2006131776A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Leadframe, semiconductor package and methods of producing the same |
| JP2008103455A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
| JP2009302209A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nec Electronics Corp | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
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