JP2000031073A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法Info
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Abstract
おいて、高速処理が可能なVHF周波数のプラズマ処理
法を導入しようとした場合の、高周波電力が歪んで高調
波を生じ易く、入射、反射電力が正確に読めない、マッ
チングが正確に合わせられないという問題を解決し、再
現性良く、大面積にわたって均一に、高速で処理しうる
高周波プラズマ処理装置及び方法を提供することができ
る。 【解決手段】 真空容器103内に原料ガスを導入し、
高周波電力を供給して、真空容器103内の基板107
上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形
成装置において、高周波電力の基本発振周波数がVHF
周波数であり、高周波電源102の入射電力及び反射電
力の電力検出回路111に、基本発振周波数を透過し、
高調波成分をカットするローパスフィルター120を挿
入する。
Description
処理を行う処理装置及び処理方法に関し、例えば薄膜太
陽電池に用いることのできるアモルファスシリコン、ア
モルファスシリコンゲルマニウム、アモルファス炭化シ
リコン、微結晶シリコン等の非単結晶シリコン系半導体
の堆積膜をプラズマを利用して基板上に形成、あるい
は、プラズマを利用したエッチング、アニーリング、ア
ッシングに用いられるプラズマ処理装置及びプラズマ処
理方法に関する。
リコンは、プラズマCVD法によって大面積の半導体膜
を形成することができ、結晶シリコンや多結晶シリコン
と比較して大面積の半導体デバイスを比較的容易に形成
することができる。
きな面積を必要とする半導体デバイス、具体的には、太
陽電池、複写機の感光ドラム、ファクシミリのイメージ
センサー、液晶ディスプレー用の薄膜トランジスタ等に
多く用いられている。
結晶半導体からなるデバイスと比較し、1つのデバイス
の面積が大きく、例えば、太陽電池の場合、変換効率が
10%ならば、一般家庭の電力を賄う約3kWの出力を
得るには1家庭当り約30平方メートルもの面積が必要
とされ、1つの太陽電池素子もかなり大きな面積にな
る。そのため、大面積に高速で堆積膜が形成できる技術
が望まれている。
一般にSiH4やSi2H6等のSiを含有する原料ガス
を高周波放電によって分解してプラズマ状態にし、該プ
ラズマ中に置かれた基板上に成膜するプラズマCVD法
によっている。
リコン膜を成膜する場合、従来、RF周波数(13.5
6MHz近傍)の高周波が一般的に用いられてきた。
ズマCVDが注目されている。例えば、Amorpho
us・Silicon・Technology,199
2,p15〜p26(Materials・Resea
rch・Society・Symposium・Pro
ceedings・Volume・258)には放電周
波数を13.56MHzのRFからVHF周波数にする
ことによって、成膜速度を格段に高めることができ、高
速で良好な堆積膜を形成可能になると報告されている。
数のプラズマCVD法によって、大面積に堆積膜を形成
しようとしたところ、以下のような点に気をつけるべき
であることがわかった。
ラズマCVD法で大面積に堆積膜を形成する場合に用い
る平行平板型の放電電極をVHF周波数に用いようとす
ると、放電電極の面積が小さいうちはRF周波数と同様
に放電できても、大面積に均一なプラズマを得ようとし
て放電電極の面積を大きくすると、放電電極のインピー
ダンスが大きくなり、整合回路でマッチングがとれず、
有効に電力を投入できないと分かった。
を得ようとする場合、放電電極の形態としては、平板で
はなく、一般に直棒状あるいは放射状あるいは櫛形状等
の表面積の少ない棒状の形態とすれば都合が良い。とこ
ろが、この場合は、放電電極のインピーダンスがかなり
小さくなるために整合回路から放電電極までの間の浮遊
容量の影響を大きく受けるようになり、整合回路から先
で高周波の波形が歪みやすくて高調波を生じやすくなっ
た。そして、高周波の波形が歪んで高調波を生じると、
投入電力が正確に読みとれなくなるとともに、マッチン
グも正確に合わせられなくなり、高周波の投入電力の再
現性が著しく低下するという問題があった。
てプラズマCVD法を利用した堆積膜形成装置を用いて
簡単に説明する。
わけてプラズマ処理部(ここでは堆積部)101と高周
波電源部102を有している。プラズマ処理部101は
内部に放電室104を有する真空容器を備え、該放電室
104は放電室104内に所望のガスと導入するための
ガス導入管106と放電室104内を排気するための排
気管105が夫々接続されている。プラズマ処理される
(ここでは堆積膜が堆積される)基体107は放電室1
04内に設けられた基体載置部に載置される。また、基
体107を必要に応じて所望の温度に加熱又は保持する
ためのヒーター108が適宜設けられる。
高周波電力を供給するため、真空容器103に設けられ
た高周波電力導入部122を介してアンテナ109が放
電室104内に設けられる。該アンテナ109は高周波
電源102に電気的に接続される。
波を吸収する高周波電源回路部110と高周波電力の入
射、反射を検出回路部111と整合回路112とに大き
く分けることができる。
113とサーキュレーター114、反射波吸収負荷11
5とを有し、電力検出回路111は方向性結合器116
とそれに接続された検波器117、アンプ118、メー
ター119を入射電力用と反射電力用に2組有してい
る。
行波)は高周波ケーブル121を通って整合回路112
を介してインピーダンス調整されアンテナ109に接続
される。アンテナ109からの反射波は進行波と経路を
順に伝って方向性結合器116に到達する。
D法による堆積膜形成装置においては、高周波の投入電
力は一般に高周波電源102に設けた電力検出回路11
1によって入射電力、反射電力を読みとるが、常時電力
を監視する方向性結合器116を用いた透過型の電力検
出回路111では基本発振周波数に対してのみ正しい値
を示すように較正されている。そのため、整合回路11
2から先で高周波の波形が歪み、高調波を生じると、高
調波を多く含んだ反射波が高周波電源102の電力検出
回路111に戻ってくるため、入射、反射電力が正確に
読めなくなり、マッチングも正確に合わせることができ
ない。
される高周波電力が歪んで高調波を生じ易く、入射、反
射電力が正確に読めない、マッチングが正確に合わせら
れないという問題を解決し、再現性良く、大面積にわた
って均一にプラズマ処理(例えば堆積膜の形成エッチン
グ)を行うことのできるプラズマ処理装置及びプラズマ
処理方法を提供することである。
高周波電力を投入して、プラズマを生起させ、該プラズ
マにより処理を行うプラズマ処理装置において、高周波
電力の基本発振周波数がVHF周波数であり、高周波電
源の入射電力及び/又は反射電力検出回路に、基本発振
周波数を透過し、その高調波成分をカットするローパス
フィルターを挿入したことを特徴としている。
おいて、更に、高周波電源の入射電力及び/又は反射電
力検出回路が、少なくとも高周波電源の出力段に設けた
方向性結合器と方向性結合器に接続された検波器を有
し、高周波フィルターが方向性結合器と検波器の間に挿
入されることを特徴としている。
おいて、更に、放電電極が棒状電極であることを特徴と
している。
空容器内に高周波電力を投入して、プラズマを生起さ
せ、該プラズマにより処理を行う処理方法において、高
周波電力の基本発振周波数がVHF周波数であり、該基
本発振周波数を透過し、その高調波成分をカットするロ
ーパスフィルターを介して基本発振周波数を検知するこ
とを特徴としている。
において、更に、前記検知した値に基づいて負荷と電源
の整合を制御することを特徴としている。
を詳細に説明する。
してプラズマCVD法による堆積膜形成装置の例の模式
的構成図を示す。
号で示したものは同じものを示しており、堆積膜形成装
置は大きくプラズマ処理部101と高周波電源部102
を有する。
部に放電室104が設けられ、放電室104には排気装
置(不図示)に接続された排気管105と、堆積膜の原
料ガス(エッチングの場合はエッチングガス,希釈ガス
の導入も可)を導入するガス導入管106と、堆積膜を
堆積する基板107と、基板107を加熱するヒーター
108と、高周波電力を放射するアンテナ109が設け
られ、加熱された基板107上にプラズマCVD法によ
り堆積膜を形成できる。
振し、反射波を吸収する高周波電源回路110と、入
射、反射電力を検出する電力検出回路111と、プラズ
マCVD装置101の負荷との間のインピーダンスマッ
チングを行う整合回路112と、高周波ケーブル121
とを有する。
13と、サーキュレーター114、反射波吸収負荷11
5からなり、電力検出回路111は、方向性結合器11
6と、検波器117と、アンプ118と、メーター11
9と、ローパスフィルター120からなり、ローパスフ
ィルター120は方向性結合器116と検波器117と
の間に挿入されている。ローパスフィルター120の有
無が図2の装置との大きな違いである。
110と整合回路112の間に挿入される電力検出回路
111に、基本発振周波数を通過させ、その高調波成分
をカットするローパスフィルター120を挿入してある
ので、整合回路112からプラズマCVD装置101の
間で高周波電力の波形が歪んで基本発振周波数の高調波
が生じ、電力検出回路111に反射波として返ってきて
も、その影響を受けることなく基本発振周波数の入射、
反射電力のみを検出できる。
入電力が正確に読みとれなくなる、あるいは、マッチン
グも正確に合わせられなくなる等の問題が解消され、高
周波の投入電力の再現性が著しく向上する。
て説明する。
置において好適に用いられるローパスフィルターとして
は、高周波電源の基本発振周波数に対して十分透過し、
その2倍波、3倍波等の高調波に対しては十分カットす
る様な透過特性を有するものが用いられる。
の場合、100MHzに対しては90%以上透過し、そ
の高調波である200MHzや300MHzに対しては
透過を10%以下に抑制するようなものが好ましい。
波用のフィルタ回路を用いることができ、LやCの組み
合わせによって周波数透過特性をもたせた高周波回路で
もよい。
ーとは、一定周波数以上の高周波の透過を阻止する機能
を有するフィルターのことで、一定周波数帯域を選択的
に透過するいわゆるバンドパスフィルターも範疇に含ん
でいる。
構造、あるいは格子形構造の回路や水晶フィルター等を
用いることができる。
周波数の高周波も僅かながら透過率が下がるため、かか
る電力計の電力較正はローパスフィルターを入れた状態
で行なうのが望ましい。
ィルターの一例を具体的に説明する。
Cにより構成されるローパスフィルターの一例を示す概
略的回路である。
側に、検波器側が図中右側になる。図3では電源ライン
側にインダクタンスL1が挿入され、その検波器側で静
電容量C1が電源ラインとアースラインに接続されてい
る。
ンスLと静電容量Cの組みを2つと電源ライン側に更に
インダクタンスLと静電容量Cを並列に挿入している。
Cの関係は図示したとおりであるが、それらL1,C1,
mは以下の関係式を夫々満足している。
数、Rは公称インピーダンスである。
透過させたい周波数帯に応じて先に説明した所望の条件
を満たすように適宜選択すれば良い。
ような、図4の構成の回路であれば図6のような周波数
に対する減衰量特性を得ることができる。
スフィルターの例である。図において、801は水晶、
802はコンデンサである。
せたい周波数帯に応じて適宜設計すれば良い。
特性を得ることができる。
置する位置は重要である。本発明のローパスフィルター
は検波器へ入る高周波を効果的に除去できるのであれ
ば、何れの場所においてもある程度の効果を得ることが
できるが、以下に理由により方向性結合器と検波器の間
に設けることが特に効果的である。
るならば、電源と負荷との間にローパスフィルターを設
けることも可能であるが、この場合、高周波の検波器へ
入る経路としては主に、電源側から負荷(放電電極)
側へ向かう途中で方向性結合器により検波器へ導かれる
経路と、負荷(放電電極)側から電源側へ向かう途中
で方向性結合器により検波器へ導かれる経路とが考えら
れる。
つ、電源と検波器の間及び負荷(放電電極)と検波器の
間の2箇所にローパスフィルターを設ける必要がある。
電源と負荷の間に流れる高周波電流はプラズマ処理を行
うだけの電力が必要であるため、方向性結合器を介して
検波器へ向かう電流と比較すると非常に大きな電流が流
れている。従って、電源と負荷の間に設けるローパスフ
ィルターは大電流に対応したものとする必要がある。そ
の結果、ローパスフィルター自体が大型化し、装置の
設計の自由度を制限し、同時に装置コストを上昇させ
る、ローパスフィルター自体である程度電力が損失さ
れるので、特にローパスフィルターが複数であると電源
からの電力が有効に負荷に伝達されないという不都合が
生じる場合がある。この傾向は大電力になるほど顕著で
ある。
方向性結合器と検波器の間に設けることが好ましい。
高周波電力は、基本発振周波数がVHF周波数の高周波
電力である。
来、一般的に用いられている13.56MHz等のRF
周波数よりも高く、2.45GHz等のマイクロ波周波
数よりも低い周波数範囲を指し、凡そ20MHz乃至5
00MHzの周波数範囲である。
堆積速度の向上を望む場合には比較的高い周波数領域を
選択し、大面積の均一性を望む場合には、より波長が長
く大面積での均一性が高い、比較的低い周波数領域を選
択する。
て、プラズマを生起することによってプラズマ処理する
プラズマ処理装置としては、先述したとおり堆積膜形成
装置が知られており、例えばこのような装置では真空排
気手段を有する真空容器103に堆積膜の原料ガスを導
入しつつ、VHF領域の高周波を投入し、真空容器10
3に配置した基体107表面に堆積膜を形成することが
できる。
させるには、少なくともSiH4、Si2H6等の原料ガ
スと必要に応じて適度のH2等の希釈ガスを、真空ポン
プによって排気した減圧可能な真空容器103内に導入
し、VHF電力をアンテナ109等の電力放射手段から
該真空容器103内に投入し、原料ガスを放電分解し、
150〜350℃程度の範囲内に温度制御したガラス、
金属等の基板107表面に堆積膜を形成する。
得る化合物としては、鎖状または環状シラン化合物が用
いられ、具体的には例えば、SiH4,Si2H6,Si
F4,SiFH3,SiF2H2,SiF3H,Si3H8,
SiD4,SiHD3,SiH2D2,SiH3D,SiF
D3,SiF2D2,Si2D3H3,(SiF2)5,(Si
F2)6,(SiF2)4,Si2F6,Si3F8,Si2H2
F4,Si2H3F3,SiCl4,(SiCl2)5,Si
Br4,(SiBr2)5,Si2Cl6,SiHCl3,S
iH2Br2,SiH2Cl2,Si2Cl3F3などのガス
状態のまたは容易にガス化し得るものが挙げられる。
尚、ここで、Dは重水素を表す。
積する場合に導入する原料ガスとして、具体的にゲルマ
ニウム原子を含有するガス化し得る化合物としては、G
eH4,GeD4,GeF4,GeFH3,GeF2H2,G
eF3H,GeHD3,GeH2D2,GeH3D,Ge2H
6,Ge2D6等が挙げられる。
合に導入する原料ガスとして、具体的に炭素原子を含有
するガス化し得る化合物としては、CH4,CD4,Cn
H2n+2(nは整数),CnH2n(nは整数),C2H2,
C6H6,CO2,CO等が挙げられる。
n型層に導入される物質としては周期率表第III族原
子及び第V族原子が挙げられる。
効に使用されるものとしては、具体的にはホウ素原子導
入用としては、B2H6等の水素化ホウ素、BF3,BC
l3等のハロゲン化ホウ素等を挙げることができる。
使用されるのは、具体的には燐原子導入用としてPH3
等の水素化燐、PF3等のハロゲン化燐が挙げられる。
このほかAsH3等も挙げることができる。
e,Ne,Ar,Xe,Kr等のガスで適宜希釈して成
膜室に導入しても良い。
が、棒状、具体的には直棒状、放射状、櫛形状等の平板
ではなく表面積の少ない形態のものが好ましい。
すが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。
したものを用いた。このような本発明の装置を組み込ん
だ図9に示すロールツーロール方式の連続堆積膜形成装
置を使って、帯状基板を連続的に搬送させながら6つの
高周波プラズマ放電室を通過させ、基板上に2層タンデ
ム太陽電池用の6層からなる非単結晶シリコン半導体積
層膜を連続的に製造した。
き出し室302でコイル状に巻かれた状態から引き出さ
れ、プラズマ放電室303〜308を順次通過して、巻
き取り機構(不図示)を備えた巻き取り室309でコイ
ル状に巻き取られる。巻き出し室301、各プラズマ放
電室303〜308、巻き取り室309は各々隣合うチ
ャンバーとガスゲート310によって接続されている。
10には、それぞれその基板搬送方向の中央部近傍にゲ
ートガス導入管311が設けられ、H2,He等のガス
が導入されることで、ガスゲート中央から隣合うチャン
バーへのガスの流れが形成され、隣り合うチャンバーの
原料ガスの混入を防ぎ、原料ガスを分離する。
ス導入管312、排気管313、放電電極314、基板
加熱ヒータ315が設けられ、移動する帯状基板301
の表面に半導体膜が積層される。
いて、プラズマ放電室303〜308のうち、プラズマ
放電室304および307が本発明の堆積膜形成装置
で、高周波放電周波数は105MHzであり、プラズマ
放電室304ではアモルファスシリコンゲルマニウム
が、プラズマ放電室307ではアモルファスシリコンが
堆積される。その他のプラズマ放電室303、305、
306、308の高周波放電周波数は13.56MHz
である。
マ放電室304および307において、高周波電力は放
電室内に設けたアンテナ状の放電電極314から放射さ
れる。また、プラズマ放電室304及び307の放電室
内にはアンテナ状の放電電極314とは別にバイアス電
極316が設けられ、直流電源317から直流電圧が印
加される。
た構成の本発明の装置を組み込んだ図9に示す構成の装
置を用いて、ステンレス基板上に6層のシリコン系非単
結晶膜からなるnipnip構造の2層タンデム型太陽
電池を製造した。
5MHzのVHF周波数の高周波でプラズマCVDを行
なう成膜室であり、図1に示したように高周波電源10
2の電力検出回路111にL,Cからなり、160MH
z以下の周波数を90%以上透過し、310MHz以上
の周波数を10%以下にカットする図3に示される回路
構成を有するローパスフィルター120を入射、反射電
力検出回路111に挿入した。
00m、幅356mm、厚さ0.15mmのステンレス
(SUS430−BA)の帯状基板301を、巻き出し
室302のコイル状に巻かれたボビンからガスゲート3
10を介してプラズマ放電室303〜308を通し、巻
き取り室309のボビンにコイル状に巻き取られるよう
にセットし、張力印加機構(不図示)により弛みなく張
られるようにした。
室の排気手段により1Pa以下に一度真空排気した。
電室のガス供給手段(不図示)に接続されたガス導入管
312からHeガスを各100sccm導入し、排気管
313の排気弁(不図示)の開度を調整することで各真
空容器の内圧を100Paに維持した。
接続された基板搬送機構(不図示)により、帯状基板が
毎分600mmの移動速度で連続的に移動するようにし
た。
熱ヒータ315および基板温度モニタ(不図示)によ
り、各プラズマ放電室内で移動する帯状基板301が所
定の温度になるように加熱制御した。
加熱されたら、引き続き加熱しつつ、Heガスの導入を
停止し、ガス導入管312へのガスSiH4を含み原料
ガスに切り替えた。
手段(不図示)に接続されたゲートガス導入管311か
ら原料ガス分離用のガスとしてH2を各1000scc
m導入した。
に高周波電源から高周波電力を供給し、各グロー放電室
にグロー放電を発生させ、原料ガスをプラズマ分解し
て、連続的に移動する帯状基板301上にシリコン系非
単結晶膜の堆積膜を堆積させ、シリコン系非単結晶半導
体からなる2層ランデム構造の太陽電池の半導体膜を形
成した。
周波数は105MHzで放電電極は棒状、プラズマ放電
室303、305、306、308の放電周波数は1
3.56MHzで放電電極は平板状であった。
極にはアース電位の帯状基板に対し正の向きに直流電圧
300Vを印加し、プラズマ放電室307のバイアス電
極にはアース電位の帯状基板に対し正の向きに直流電圧
100Vを印加した。
す。
mにわたって連続的に行った後、各プラズマ放電室への
放電電力の供給と、原料ガスの導入と、帯状基板の加熱
とを停止し、各室内を十分にパージし、帯状基板と装置
内部を充分冷却した後、装置を大気開放し、半導体積層
膜が形成されて巻き取り室のボビンに巻き取られた帯状
基板を取り出した。
おいて電力計の入射電力の表示値は±5%以内に安定し
ており、反射電力の表示値は入射電力量の3%以下で安
定していた。
易で、マッチング状態も安定していた。
てマッチングをとった状態で、電力検出回路111の方
向性結合器116の入射側出力をスペクトラムアナライ
ザで観測したところ、フィルター120の前では第2高
調波、第3高調波が基本波の15%、10%含有されて
いた。しかし、フィルター120の後では第2高調波、
第3高調波は基本波の1%以下に低減されていた。
ル化装置によって連続的に加工し、半導体積層膜の上
に、透明電極として全面に60nmのITO薄膜を形成
し、集電電極として一定間隔に細線状のAg電極を形成
し、35cm角のnipnip構造の2層タンデム型太
陽電池モジュールを連続的に作成した。
いて、AM1.5(100mW/cm2)の疑似太陽光
照射下にて特性評価を行った。
ールの光電変換効率は、1ロール400mの長さの中で
±3%以内に安定していた。
S基板上に各400mの長さに太陽電池モジュールを1
0ロール作成し、各ロールの太陽電池モジュールの光電
変換効率の平均値を比較したところ±3%以内に安定し
ていた。
307の高周波電源の電力検出回路にローパスフィルタ
ーを挿入しない図2に示すものに代えて実施例1と同様
に2層タンデム型太陽電池モジュールを連続的に作成し
た。
4、307において電力計の入射電力の表示値は±15
%の範囲で安定せず、反射電力の表示値も入射電力量の
15%以上と大きく、安定しなかった。
射が小さくなるポイントを探すことが難しく、成膜中に
マッチング状態も安定していなかった。
整をした状態で、電力検出回路112の方向性結合器1
16の入射側出力をスペクトラムアナライザで観測した
ところ、第2高調波、第3高調波が基本波の30%、2
0%含有されていることが観測された。
ールの光電変換効率は、1ロール400mの長さの中で
±20%の範囲でばらついていた。
S基板上に各400mの長さに太陽電池モジュールを1
0ロール作成し、各ロールの太陽電池モジュールの光電
変換効率の平均値を比較したところ±25%と特性再現
性が低かった。
る放電周波数を、20MHzに変え、ローパスフィルタ
ー120を図7に示した回路構成として、25MHz以
下の周波数を90%以上透過させ、35MHz以上の周
波数を10%以下にカットするものに変えた以外は実施
例1と同様にして、35cm角のnipnip構造の2
層タンデム型太陽電池モジュールを連続的に作成した。
おいて電力計の入射電力の表示値は±3%以内に安定し
ており、反射電力の表示値は入射電力量の2%以下で安
定していた。
易で、マッチング状態も安定していた。
チングをとった状態で、電力検出回路111の方向性結
合器116の入射側出力をスペクトラムアナライザで観
測したところ、フィルター120の前では第2高調波、
第3高調波が基本波の10%、5%含有されていた。し
かし、フィルター120の後では第2高調波、第3高調
波は基本波の0.5%以下に低減されていた。
いて、AM1.5(100mW/cm2)の疑似太陽光
照射下にて特性評価を行った。
ールの光電変換効率は、1ロール400mの長さの中で
±2%以内に安定していた。
S基板上に各400mの長さに太陽電池モジュールを1
0ロール作成し、各ロールの太陽電池モジュールの光電
変換効率の平均値を比較したところ±2%以内に安定し
ていた。
る放電周波数を、45MHzに変え、ローパスフィルタ
ー120を図4に示される回路構成のものを用い、55
0MHz以下の周波数を90%以上透過させ、600M
Hz以上の周波数を10%以下にカットするものに変え
た以外は実施例1と同様にして、35cm角のnipn
ip構造の2層タンデム型太陽電池モジュールを連続的
に作成した。
おいて電力計の入射電力の表示値は±5%以内に安定し
ており、反射電力の表示値は入射電力量の3%以下で安
定していた。
易で、マッチング状態も安定していた。
チングをとった状態で、電力検出回路111の方向性結
合器116の入射側出力をスペクトラムアナライザで観
測したところ、フィルター120の前では第2高調波、
第3高調波が基本波の15%、8%含有されていた。し
かし、フィルター120の後では第2高調波、第3高調
波は基本波の1%以下に低減されていた。
いて、AM1.5(100mW/cm2)の疑似太陽光
照射下にて特性評価を行った。
ールの光電変換効率は、1ロール400mの長さの中で
±3%以内に安定していた。
S基板上に各400mの長さに太陽電池モジュールを1
0ロール作成し、各ロールの太陽電池モジュールの光電
変換効率の平均値を比較したところ±3%以内に安定し
ていた。
ば、従来の大面積にプラズマ処理を行う装置及び方法に
おいて、高速処理が可能なVHF周波数のプラズマ処理
法を導入しようとした場合の、高周波電力が歪んで高調
波を生じ易く、入射、反射電力が正確に読めない、マッ
チングが正確に合わせられないという問題を解決し、再
現性良く、大面積にわたって均一に、高速で処理しうる
高周波プラズマ処理装置及び方法を提供することができ
る。
の概略的構成図である。
の概略的構成図である。
略的回路図である。
略的回路図である。
例を示す特性図である。
例を示す特性図である。
略的回路図である。
例を示す特性図である。
ル方式の堆積膜形成装置の一例を示す概略的構成図であ
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 真空容器内に高周波電力を投入して、プ
ラズマを生起させ、該プラズマにより処理を行うプラズ
マ処理装置において、 高周波電力の基本発振周波数がVHF周波数であり、高
周波電源の入射電力及び/又は反射電力検出回路に、基
本発振周波数を透過し、その高調波成分をカットするロ
ーパスフィルターを挿入したことを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 【請求項2】 高周波電源の入射電力及び/又は反射電
力検出回路が、少なくとも高周波電源の出力段に設けた
方向性結合器と該方向性結合器に接続された検波器から
なり、ローパスフィルターが方向性結合器と検波器の間
に挿入されることを特徴とする請求項1に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項3】 放電電極が棒状電極であることを特徴と
する請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】 真空容器内に高周波電力を投入して、プ
ラズマを生起させ、該プラズマにより処理を行うプラズ
マ処理方法において、 高周波電力の基本発振周波数がVHF周波数であり、該
基本発振周波数を透過し、その高調波成分をカットする
ローパスフィルターを介して基本発振周波数を検知する
ことを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項5】 前記検知した値に基づいて負荷と電源の
整合を制御することを含むことを特徴とする請求項4に
記載のプラズマ処理方法。
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