JP2000022317A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents
プリント配線板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000022317A JP2000022317A JP10202691A JP20269198A JP2000022317A JP 2000022317 A JP2000022317 A JP 2000022317A JP 10202691 A JP10202691 A JP 10202691A JP 20269198 A JP20269198 A JP 20269198A JP 2000022317 A JP2000022317 A JP 2000022317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder resist
- wiring board
- solder
- printed wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
き層の形成を確実にし、かつ、実装時のアンダーフィル
との密着力を高めることができ、接続性、信頼性に優れ
たプリント配線板とその製造方法を提案する。 【解決手段】 ソルダーレジスト層70を形成した基板
30に、酸素プラズマによって、開口71内の金属表面
(粗化面162の表面)の有機残渣、および、ソルダー
レジスト層70の表面の酸化膜層を除去する。このた
め、該粗化面162上にニッケルめっき層72を適切に
析出させることができ、また、ソルダーレジスト層70
の濡れ性が高まるため、アンダーフィル88との密着力
を高めることができる。
Description
して集積回路チップを載置するパッケージ基板等を形成
するプリント配線板およびその製造方法に関するもので
ある。
を構成するプリント配線板を示す。該プリント配線板2
10では、ICチップ290を実装するために、半田バ
ンプ276を形成し、これら半田バンプ276が互い融
着しないようにソルダーレジスト層270を設けてあ
る。具体的には、導体回路258からなる半田パッド2
75の上にソルダーレジスト層270を設け、この開口
271にニッケルめっき層272、金めっき層274を
設けた後、半田ペースト等を印刷、リフローして半田バ
ンプ276を形成する。そして、該半田バンプ276を
介してICチップ290を取り付けた後、該半田バンプ
276とICチップ290との接続信頼性を高めるため
に、ICチップ290とプリント配線板との間にアンダ
ーフィル(封止用樹脂)288を充填する。現在、IC
チップの高集積化に伴い、半田バンプ276がファイン
ピッチ化し、ソルダーレジスト270の開口が小径にな
っている。
ッケルめっき層及び金めっき層を介さずに、半田ペース
トを直接印刷して半田バンプを形成する方法も採用され
ている。
ーレジスト270の開口部271にニッケルめっき層2
72を形成させる際、該開口部271の径が小さいた
め、めっき液の回り込みが悪くなり、未反応、反応停止
により、ニッケル層272の厚みが薄くなる、または、
ニッケルめっき層が形成されないことがあり、接続不良
の原因となっている。一方、銅導体上にニッケル及び金
めっき層を介さずに、半田バンプを直接形成する際、半
田バンプと導体回路258との接合が取れず、ICチッ
プとプリント配線板との接続不良が発生するという問題
が起こった。
210との接続信頼性を長期に渡り保つためには、実装
時にアンダーフィル288とソルダーレジスト層270
との密着性を高める必要がある。即ち、アンダーフィル
288とソルダーレジスト層270との密着性が低い
と、両者の界面から水分が侵入し、半田バンプ276か
ら半田のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジス
ト層内を拡散する現象)が発生し、半田バンプ相互の短
絡が生じる。しかしながら、ソルダーレジスト層270
の表面は、酸化膜層が形成され、濡れ性が悪いため、今
以上に密着力を高めることができない。
271の壁面でも同様に酸化膜層が形成されて、濡れ性
が悪くなり、ニッケルめっき層272、および、半田ペ
−ストが壁面との界面での密着不良を引き起こすことが
ある。
なされたものであり、その主たる目的は、ソルダーレジ
スト層の開口部のニッケルめっき層の形成を確実にし、
かつ、実装時のアンダーフィルとの密着力を高めること
ができ、接続性、信頼性に優れたプリント配線板とその
製造方法を提案することにある。
ようにソルダーレジスト層の開口部にめっきによるニッ
ケル層を形成させた際に、未反応、反応停止が発生する
原因を研究した。そして、適切にニッケルメッキの形成
されていない未反応部分の開口部の底部の金属表面を分
析した結果、ソルダーレジストの有機残渣が残っている
ことが分かった。その残渣により、パラジウムなどの触
媒が付与されない、または、濡れ性が低下し、反応停止
が発生していることを知見した。
を保護するアンダーフィルとソルダーレジストとの密着
性を向上させる必要があるが、ソルダーレジストの表面
は、酸化膜層が形成され、アンダーフィルを構成する樹
脂のソルダーレジスト表面に対する接触角度が大きくな
り、濡れ性を悪くし、これが密着力を下げる原因となっ
ていた。
面の酸化膜層を溶解させる、あるいは、研磨機等によっ
て酸化膜層を除去させることにより、接触角度を変え、
樹脂等との濡れ性を向上させる方法も考え得る。しか
し、酸処理により酸化膜層を溶解させたとしても、均一
に酸化膜を除去することはできない。また、研磨機等に
より物理的に酸化膜層を除去させると、ソルダーレジス
ト層が剥離することがあり、現実的はでない。
層を除去し、かつ、除去時にソルダーレジスト層が耐え
られる方法を模索した結果、気体プラズマにより有機残
渣、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去
するという本発明に至った。すなわち、発明の要旨構成
は、以下のようである。
ルの開口部を設けた後、プラズマによるソルダーレジス
ト層の表面処理を施す。その処理方法は、ソルダーレジ
スト層を形成したプリント配線板を真空状態にした装置
内に入れ、酸素、あるいは窒素、炭酸ガス、四フッ化炭
素のプラズマを放出させて、開口部の導体上の有機残
渣、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去
させる。
ルダーレジスト開口部の有機残渣は完全に除去できる
が、新たに、開口部に露出した金属表面が酸化されてし
まい、触媒が付着しにくく、濡れ性も悪くなるため、ニ
ッケルめっき層の形成を妨げるという問題が起きる。よ
って、プラズマ処理のニッケルとの密着性を向上させる
最適条件は、プラズマ放出量は、500〜1000W、
気体供給量は、100〜500sec./M、処理時間
は、1〜20分で行うのがよい。このプラズマ処理によ
り、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去し、ソル
ダーレジストの表面を損傷させることなく濡れ性を高
め、アンダーフィルとの密着性を向上させることができ
る。
滴を一滴垂らし、その水滴の接触角度を測定した。ソル
ダーレジストの接触角度は40°以下が良い。これは、
接触角度が40°を越えると、濡れ性が低下してしまう
ため、アンダーフィルとソルダーレジストとの密着が低
下し、高温高湿条件で信頼性試験を行うとアンダーフィ
ルとソルダーレジストとの界面から、水が侵入しやすく
なり、半田バンプの破壊が早期に始まる。他方、ソルダ
ーレジストを種々の処理を施しても、接触角度を8°以
下にすることはできなかった。このため、接触角度は8
°〜40°の範囲であることが望ましい。
さは、5〜40μmがよい。薄すぎると半田の流れをせ
き止めるソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口
し難くなる上、半田バンプを構成する半田体と接触し、
半田体にクラックを生じさせる原因となるからである。
るバイアホールは、ソルダーレジスト層により、その一
部分が露出した形態、あるいは全部が露出されてなる形
態のいずれも採用できる。前者の場合は、導体パッドも
しくはバイアホールの境界部分で生じる樹脂絶縁層のク
ラックを防止でき、後者の場合は開口位置ずれの許容範
囲を大きくすることができる。
を使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。
半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキ
シ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレー
ト」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として
含むものが好ましい。
鉛のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジスト層
内を拡散する現象)が少ないという利点を持つ。しか
も、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹
脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶
融する温度(200 ℃前後)でも劣化せず、ニッケルめっ
き及び金めっきを行う際の強塩基性のめっき液で分解す
ることもない。
ト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生
じやすい。このため、補強層を設けることでソルダーレ
ジスト層の剥離を防止することもできる。補強層は、酸
素プラズマにて粗化を行ったソルダーレジスト層に塗布
することも可能である。更に、該補強層の表面を酸素プ
ラズマにて粗化し、アンダーフィルとの密着性を改善す
ることも好適である。
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ )、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール(品
名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾール(品
名:2E4MZ )を用いることができる。
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量
%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させ
ない。また、人体に対する有害性も少ない。
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH 3 O-(CH2 CH2 O) n −CH3 (n=1〜5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜40wt%がよい。
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製のR−
604を用いることができる。
は、25℃で0.5〜10Pa・s、より望ましくは1
〜10Pa・sがよい。ロールコータで塗布しやすい粘
度だからである。
酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶
液が望ましい。また、酸化還元処理は、上記酸化処理の
後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液
に浸漬して行う。前記粗化層は、1〜5μmがよい。厚
すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると
密着性が低下するからである。
層として無電解めっき用接着剤を用いることが望まし
い。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてな
るものが最適である。酸、酸化剤で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できる。
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μ
mを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。
0μmがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。
フォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。
熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95
/5〜50/50がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、
望ましくは10〜40重量%がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる2層により構成してもよい。
及びその製造方法について図を参照して説明する。先
ず、本発明の第1実施例に係るプリント配線板10の構
成について、図7及び図8を参照して説明する。図7
は、集積回路チップ90搭載前のプリント配線板(パッ
ケージ基板)10の断面を示し、図8は、集積回路チッ
プ90を搭載した状態のプリント配線板10の断面を示
している。図8に示すように、プリント配線板10の上
面側には、集積回路チップ90が搭載され、下面側は、
ドータボード94へ接続されている。
いて詳細に説明する。該プリント配線板10では、多層
コア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80
A、80Bが形成されている。該ビルトアップ層80A
は、バイアホール60及び導体回路58の形成された層
間樹脂絶縁層50と、バイアホール160及び導体回路
158の形成された層間樹脂絶縁層150とからなる。
また、ビルドアップ配線層80Bは、バイアホール60
及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、
バイアホール160及び導体回路158の形成された層
間樹脂絶縁層150とからなる。
92(図8参照)へ接続するための半田バンプ76Uが
配設されている。半田バンプ76Uはバイアホール16
0及びバイアホール60を介してスルーホール36へ接
続されている。一方、下面側には、ドーターボード(サ
ブボード)94のランド96(図8参照)に接続するた
めの半田バンプ76Dが配設されている。該半田バンプ
76Dは、バイアホール160及びバイアホール60を
介してスルーホール36へ接続されている。該半田バン
プ76U、76Dは、ソルダーレジスト70の開口71
内の導体回路158及びバイアホール160上に、ニッ
ケルめっき層72、金めっき層74が形成された半田パ
ッド75に半田が配設されてなる。
Cチップ90との間には樹脂封止を行うアンダーフィル
88が配設されている。同様に、プリント配線板10と
マザーボード84との間にアンダーフィル88が配設さ
れている。ここで、ビルトアップ層80Aの上側及びビ
ルトアップ層80Bの下側のアンダーフィル88の表面
は、共に後述するようにプラズマ処理により、接触角度
8°〜40°となるように粗化されている。これによ
り、アンダーフィル88との密着性が改善されて、両者
の界面から水分が侵入し、半田バンプ276に半田のマ
イグレーションが発生し、半田バンプ相互の短絡が生じ
ることを防いでいる。
造する方法について一例を挙げて具体的に説明する。ま
ず、A.無電解めっき用接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、
C.樹脂充填剤、D.ソルダーレジストの組成について
説明する。
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レベ
リング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部
を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±1
℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
配線板10の製造方法を説明する。E.プリント配線板
の製造 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板30の両面に18
μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30
Aを出発材料とした(図1(A)参照)。まず、この銅
張積層板30Aをドリル削孔し、無電解めっき処理を施
し、パターン状にエッチングすることにより、基板30
の両面に内層銅パターン34とスルーホール36を形成
した(図1(B))。
ル36を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO
2 (40g/l),Na3 PO4 (6g/l)、還元浴とし
て、NaOH(10g/l),NaBH4 (6g/l)を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン34およびスルー
ホール36の表面に粗化層38を設けた(図1(C)参
照)。
混合混練して樹脂充填剤を得た。 (4) 前記(3) で得た樹脂充填剤40を、調製後24時間以
内に基板30の両面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、導体回路(内層銅パターン)34と導体回路
34との間、及び、スルーホール36内に充填し、70
℃,20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして
樹脂充填剤40を導体回路34間あるいはスルーホール
36内に充填し、70℃,20分間で加熱乾燥させた(図1
(D)参照)。
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン34の表面
やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤4
0が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。こ
のような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に
行った(図2(E)参照)。次いで、100 ℃で1時間、
120 ℃で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加
熱処理を行って樹脂充填剤40を硬化した。
填された樹脂充填剤40の表層部および内層導体回路3
4上面の粗化層38を除去して基板30両面を平滑化し
た上で、樹脂充填剤40と内層導体回路34の側面とが
粗化層38を介して強固に密着し、またスルーホール3
6の内壁面と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強
固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、
樹脂充填剤40の表面と内層銅パターン34の表面が同
一平面となる。
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.9
1×10-2mol/l、硫酸ニッケル3.75×10-3
mol/l、クエン酸ナトリウム7.75×10-2mo
l/l、次亜リン酸ナトリウム2.27×10-1mol
/l、界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール46
5)1.10×10-4mol/l、PH=9からなる無
電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回
に割合で縦、および、横振動させて、導体回路34およ
びスルーホール36のランド36aの表面にCu−Ni
−Pからなる針状合金の被覆層と粗化層42を設けた
(図2(F)参照)。
l、チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=
1.2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ0.3μmSn層(図示せず)を設けた。
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)4
4を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベー
ク)を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度7Pa・s
の感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接着剤層
50αを形成した(図2(G)参照)。
0の両面に、図2(H)に示すように85μmφの黒円5
1aが印刷されたフォトマスクフィルム51を密着さ
せ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光した。これ
をDMTG溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板3
0を超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 で露光し、100 ℃
で1時間、120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加
熱処理(ポストベーク)をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた85μmφの開口
(バイアホール形成用開口)48を有する厚さ35μmの
層間樹脂絶縁層(2層構造)50を形成した(図3
(I)参照)。なお、バイアホールとなる開口48に
は、スズめっき層(図示せず)を部分的に露出させた。
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層50の表面を粗化し(図3(J)参
照)、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してか
ら水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ6μm)
した該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)
を付与することにより、層間樹脂絶縁層50の表面およ
びバイアホール用開口48の内壁面に触媒核を付けた。
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μmの無電
解銅めっき膜52を形成した(図3(K))。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリ
ウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54を
設けた(図3(L)参照)。
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき
膜56を形成した(図4(M)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜52と電解銅めっき膜5
6からなる厚さ18μmの導体回路58及びバイアホール
60を形成した(図4(N))。
8及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(図
4(O)参照)。 (16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さら
に上層の層間樹脂絶縁層150を設けてから導体回路1
58及びバイアホール160を形成し、多層配線基板を
得た(図4(P)参照)。但し、該導体回路158及び
バイアホール160の表面に形成した粗化面62では、
Sn置換を行わなかった。
上記D.にて説明したソルダーレジスト組成物70αを
20μmの厚さで塗布した(図5(Q)参照)。次いで、
70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円
パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフ
ォトマスクフィルム(図示せず)を密着させて載置し、
1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そ
してさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で
1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパ
ッド部分(バイアホールとそのランド部分を含む)に開
口(開口径 200μm)71を有するソルダーレジスト層
(厚み20μm)70を形成した(図5(R)参照)。
した基板30に、酸素プラズマ73によって、開口71
内の金属表面(導体回路158及びバイアホール160
の粗化面162の表面)の有機残渣、および、ソルダー
レジスト層70の表面の酸化膜層を除去すると共に粗化
層(図示せず)を形成させた。該酸素プラズマ処理に
は、九州松下製プラズマクリーニング装置(PC12F
−G型)を用い、真空状態にした中に、プラズマ放射量
800W、酸素供給量300sec./M、酸素供給圧
0.15MPa、処理時間10分で行った。この処理に
より、ソルダーレジスト層70表面の接触角度を下げ
た。
1×10-2mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.84
×10-1mol/l、クエン酸ナトリウム1.55×1
0-1mol/l、からなるpH=4.5の無電解ニッケ
ルめっき液に該基板30を20分間浸漬して、開口部に
厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム7.61×10-3
mol/l、塩化アンモニウム1.87×10-1mol
/l、クエン酸ナトリウム1.16×10-1mol/
l、次亜リン酸ナトリウム1.70×10-1mol/l
からなる無電解金めっき液に80℃の条件で7分20秒間
浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μmの金めっ
き層74を形成することで、バイアホール160及び導
体回路158に半田パッド75を形成した(図6(T)
参照)。
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76U、76D
を形成し、プリント配線板10を形成した(図6(U)
参照)。
配線板10の接続試験を行った。このチェッカー工程で
は、金属製のプローブを該半田バンプ76U、76Dに
当てて、プリント配線板内の短絡・断線を確認した。更
に、印刷工程を経て、製品番号等の印刷を行った。
た(18)の工程と同様に、酸素プラズマ73によって、半
田バンプ76U、76Dの表面の汚染(特に、上記チェ
ッカー工程及び印刷工程で付着した油脂類)、および、
ソルダーレジスト層70の表面の酸化膜層を除去すると
共に粗化層(図示せず)を形成させた。該酸素プラズマ
処理には、(18)の工程と同様に九州松下製プラズマクリ
ーニング装置(PC12F−G型)を用い、真空状態に
した中に、プラズマ放射量800W、酸素供給量300
sec./M、酸素供給圧0.15MPa、処理時間1
0分で行った。この処理により、ソルダーレジスト層7
0表面を、接触角度40°以下で8°に近い値まで低下
させ、最大粗さ(Rmax )を0.1nm〜100nmに
することで、図7に示すプリント配線板10を完成し
た。
チップの載置及び、ドータボード94への取り付けにつ
いて、図8を参照して説明する。完成したプリント配線
板10の半田バンプ76UにICチップ90の半田パッ
ド92が対応するように、ICチップ90を載置し、リ
フローを行うことで、ICチップ90の取り付けを行
う。その後、ICチップ90とプリント配線板10との
間に、アンダーフィル88となる封止樹脂を充填する。
同様に、リフローによりプリント配線板10の半田バン
プ76Dにドータボード94を取り付け、アンダーフィ
ル88となる封止樹脂を充填する。
プの形成前に酸素プラズマ73によって、ソルダーレジ
スト層70の表面を粗化した後、更に、半田バンプの形
成後に酸素プラズマ73によって、ソルダーレジスト層
70の表面を粗化するので、ソルダーレジスト層70表
面の接触角度8°に近い値まで低下さ得る。このため、
ソルダーレジスト層70とアンダーフィル88との密着
性を非常に高めることが可能になり、ソルダーレジスト
層70とアンダーフィル88との界面を介しての水分の
侵入をほぼ完全に防ぐことができる。
ント配線板の製造方法について説明する。上述した第1
実施例では、半田バンプの形成前及び半田バンプの形成
後に、酸素プラズマ73によってソルダーレジスト層7
0の表面を2回粗化した。これに対して、この第2実施
形態では、半田バンプの形成前に、酸素プラズマ73に
よってソルダーレジスト層70の表面を1回粗化した。
他の工程は、上述した第1実施例と同様であるため、説
明を省略する。
製造方法と、比較例に係る製造方法によるプリント配線
板との比較試験の結果を説明する。この比較例のプリン
ト配線板は、基本的に第2実施例と同様であるが、酸素
プラズマによるソルダーレジスト層の表面処理を実施し
なかった。
ント配線板について、ソルダーレジスト層表面の接触角
度、ニッケルめっき層、および、金めっき層の反応不良
発生率、厚み、半田バンプとの接続不良の発生率、実装
後のアンダーフィルとのピール強度、PCT試験による
信頼性試験を行った。この実施例と比較例の評価結果を
図11の図表中に示す。当該試験で、接触角度は、エル
マ販売(株)製 エルマ接触角測定360型にて測定し
た。反応不良発生率は顕微鏡(×50)にて測定を行
い、めっき層の厚みは、電子顕微鏡(×1000)にて
測定を行った。導通不良発生率は半田バンプと該当配線
との導通試験を行い測定した。ピール強度は、ソルダー
レジスト層にアンダーフィルを塗布、硬化後に、ピール
測定を実施した。信頼性試験は、PCT試験(温度12
0℃、圧力2気圧、200時間)後、ICチップとの導
通の確認を行い、動作異常の発生率を調べた。
(接触角度35°)が向上し、アンターフィルとの密着
性が高まっている(ピール強度15kgf/cm2 )。こ
れにより、PCT試験においても異常が発生しなかっ
た。更に、金属表面(導体回路158及びバイアホール
160の粗化面62の表面)の有機残渣が酸素プラズマ
で除去されるため、ニッケルめっき層、および、金めっ
き層の反応不良発生率が低減している。なお、めっき層
の厚みは比較例と同等であった。
ント配線板の製造方法について説明する。上述した第1
実施例では、半田バンプの形成前及び半田バンプの形成
後に、酸素プラズマ73によってソルダーレジスト層7
0の表面を2回粗化した。これに対して、この第3実施
形態では、半田バンプの形成後に、酸素プラズマ73に
よってソルダーレジスト層70の表面を1回粗化した。
他の工程は、上述した第1実施例と同様であるため、説
明を省略する。
たプリント配線板について、ソルダーレジスト層表面の
接触角度、ニッケルめっき層、および、金めっき層の反
応不良発生率、厚み、半田バンプとの接続不良の発生
率、実装後のアンダーフィルとのピール強度、PCT試
験による信頼性試験を行った。この実施例と比較例の評
価結果を図12の図表中に示す。当該試験で、接触角度
は、エルマ販売(株)製エルマ接触角測定360型にて
測定した。最大粗さは、Digital Instruments社製 Nan
oScope2 にて測定を行った。実装不良発生率は顕微鏡
(×1000)で接続の検査を実施し、ICチップとの
バンプの接続不良をカウントした。ピール強度は、ソル
ダーレジスト層にアンダーフィルを塗布、硬化後に、ピ
ール測定を実施した。信頼性試験は、PCT試験(温度
120℃、圧力2気圧、200時間)後、ICチップと
の導通の確認を行い、動作異常の発生率を調べた。
(接触角度30°)が向上し、表面が粗され(最大粗さ
(Rmax )20.0nm)ているため、アンターフィル
との密着性が高まっている(ピール強度17kgf/cm
2 )。これにより、PCT試験においても異常が発生し
なかった。更に、半田バンプ76U、76Dの表面の汚
れ(チェッカー工程及び印刷工程で付着した油脂類等)
が除去されているため、ICチップとの接続不良の発生
率が低下している(発生率0%)。
施例に係るプリント配線板について説明する。上述した
第1〜第3実施例では、導体回路158及びバイアホー
ル160の粗化層162の上方に配設されたニッケルめ
っき層及び金めっき層を介して半田バンプが形成されて
いたが、この第4実施例では、導体回路158及びバイ
アホール160の粗化層162の上方に半田バンプ76
U、76Dが直接形成されている。係る、プリント配線
板においても、第1実施例と同様に、半田バンプの形成
前及び半田バンプの形成後に、酸素プラズマ73によっ
てソルダーレジスト層70の表面を2回粗化すること
も、また、第2、第3実施形態と同様に半田バンプの形
成後又は前に、酸素プラズマ73によってソルダーレジ
スト層70の表面を1回粗化することも可能である。
実施例に係るプリント配線板について説明する。上述し
た第1〜第4実施例では、半田パッドとして作用するバ
イアホール160は、ソルダーレジスト層70により、
その一部分が露出した形態に形成されていた。これに対
して、第5実施例のプリント配線板では、バイアホール
160は、ソルダーレジスト層70から全部が露出され
るよう形成されている。この第5実施例のプリント配線
板では、ソルダーレジスト70の開口71の位置ずれの
許容範囲を大きくすることができる。この第5実施例の
プリント配線板でも、第1実施例と同様に、半田バンプ
の形成前及び半田バンプの形成後に、酸素プラズマ73
によってソルダーレジスト層70の表面を2回粗化する
ことも、また、第2、第3実施形態と同様に半田バンプ
の形成後又は前に、酸素プラズマ73によってソルダー
レジスト層70の表面を1回粗化することも可能であ
る。
(D)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
(H)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
(L)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
(P)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
明の第1実施例に係るプリント配線板の製造方法の工程
図である。
明の第1実施例に係るプリント配線板の製造方法の工程
図である。
ント配線板の断面図である。
ント配線板にICチップを載置させた状態を示す断面図
である。
ント配線板の断面図である。
リント配線板の断面図である。
リント配線板と比較例のプリント配線板との試験結果を
示す図表である。
リント配線板と比較例のプリント配線板との試験結果を
示す図表である。
板の断面図である。
9)
Claims (7)
- 【請求項1】 基板上に形成された半田パッドとなる導
体上に、ソルダーレジスト層が形成され、該ソルダーレ
ジスト層には、半田パッドとなる導体の少なくとも一部
を露出させる開口が設けられてなるプリント基板におい
て、 ソルダーレジスト層の表面が、接触角度8°〜40°を
有することを特徴とするプリント配線板。 - 【請求項2】 前記開口には、ニッケルめっき層、金め
っき層が形成されてなる請求項1に記載のプリント配線
板。 - 【請求項3】 前記半田パッドとなる導体表面には、プ
ラズマ処理による粗化面が形成されてなる請求項1また
は2に記載のプリン配線基板。 - 【請求項4】 基板上に半田パッドとなる導体を形成す
る工程と、 該導体上に、半田パッドとなる導体の少なくとも一部を
露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する
工程と、 前記ソルダーレジスト層表面を気体プラズマ処理する工
程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造
方法。 - 【請求項5】 基板上に半田パッドとなる導体を形成す
る工程と、 該導体上に、半田パッドとなる導体の少なくとも一部を
露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する
工程と、 前記ソルダーレジスト層表面を気体プラズマ処理する工
程と、 前記導体に金属層を設けて半田パッドを形成する工程
と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方
法。 - 【請求項6】 前記プラズマ処理は、酸素、窒素、炭酸
ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも1種以上で
ある請求項4または5に記載のプリント配線板の製造方
法。 - 【請求項7】 前記プラズマ処理は、プラズマの放射量
500〜1000Wで、酸素プラズマにより1〜20分
間処理する請求項4または5に記載のプリント配線板の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20269198A JP3437451B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | Icチップ実装用プリント配線板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20269198A JP3437451B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | Icチップ実装用プリント配線板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000022317A true JP2000022317A (ja) | 2000-01-21 |
JP3437451B2 JP3437451B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=16461566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20269198A Expired - Lifetime JP3437451B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | Icチップ実装用プリント配線板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3437451B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214586A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-07-29 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2004328006A (ja) * | 2004-06-07 | 2004-11-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
KR100484890B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-04-28 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 반도체 소자 제조공정의 솔더마스크와 언더필간 결합력증가방법 |
EP2058859A2 (en) | 2007-11-06 | 2009-05-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011044500A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Renesas Electronics Corp | インターポーザチップ、及びインターポーザチップの製造方法 |
KR101099582B1 (ko) | 2010-02-05 | 2011-12-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
KR101175909B1 (ko) | 2011-07-27 | 2012-08-22 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 인쇄회로기판 |
JP2013023666A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Sekisui Chem Co Ltd | エポキシ樹脂材料、硬化物及びプラズマ粗化処理硬化物 |
JP2020150271A (ja) * | 2015-02-26 | 2020-09-17 | マクセルホールディングス株式会社 | 配列用マスク |
US20230164925A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-05-25 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
-
1998
- 1998-07-02 JP JP20269198A patent/JP3437451B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100484890B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-04-28 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 반도체 소자 제조공정의 솔더마스크와 언더필간 결합력증가방법 |
JP2004214586A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-07-29 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2004328006A (ja) * | 2004-06-07 | 2004-11-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
EP2058859A2 (en) | 2007-11-06 | 2009-05-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7893524B2 (en) | 2007-11-06 | 2011-02-22 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Wiring substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011044500A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Renesas Electronics Corp | インターポーザチップ、及びインターポーザチップの製造方法 |
KR101099582B1 (ko) | 2010-02-05 | 2011-12-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
JP2013023666A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Sekisui Chem Co Ltd | エポキシ樹脂材料、硬化物及びプラズマ粗化処理硬化物 |
KR101175909B1 (ko) | 2011-07-27 | 2012-08-22 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 인쇄회로기판 |
US8915419B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-12-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for surface-treating printed circuit board and printed circuit board |
JP2020150271A (ja) * | 2015-02-26 | 2020-09-17 | マクセルホールディングス株式会社 | 配列用マスク |
US20230164925A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-05-25 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3437451B2 (ja) | 2003-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003023252A (ja) | 多層プリント配線板 | |
JP2003023253A (ja) | 多層プリント配線板 | |
JP2001121053A (ja) | 塗布用ロールコータおよびそれを用いたプリント配線板の製造方法 | |
JP2000165046A (ja) | 多層ビルドアップ配線板 | |
JP3437451B2 (ja) | Icチップ実装用プリント配線板およびその製造方法 | |
JP3437453B2 (ja) | Icチップ実装用プリント配線板およびその製造方法 | |
JP2003023251A (ja) | 多層プリント配線板 | |
JP2000068650A (ja) | 多層プリント配線板 | |
JP3388192B2 (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
JP4226125B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2000307024A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2000307225A (ja) | 半田印刷用マスク、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 | |
JP2000208903A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
JP3259906B2 (ja) | 無電解めっき用接着剤およびプリント配線板 | |
JP4869461B2 (ja) | プリント配線板 | |
JP4321913B2 (ja) | プリント配線板 | |
JP2000133941A (ja) | 多層ビルドアップ配線板 | |
JP2008118162A (ja) | プリント配線板 | |
JP2000101246A (ja) | 多層ビルドアップ配線板及び多層ビルドアップ配線板の製造方法 | |
JP2000349427A (ja) | プリント配線板、表面実装用プリント配線板及び表面実装配線板 | |
JP2000058710A (ja) | プリント配線板 | |
JP2000307226A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2001060765A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
JP2000244101A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
JP2000307227A (ja) | 半田印刷用マスク及びプリント配線板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |