JP2000022262A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- current
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 上部電極２８と第２上部クラッド層３０との
間に形成された絶縁膜３４が上部電極２８から光導波路
１８ａの端部へ向かう電流を阻止するため、光導波路１
８ａの端部には電流が付与されない。したがって、この
端部すなわち電流非注入領域１８ｂではジュール熱によ
る温度上昇はなく、その温度上昇に伴うバンドギャップ
の縮小も生じない。 【効果】 光導波路１８ａの端部におけるバンドギャッ
プの縮小を防止でき、レーザ光の吸収に伴う発熱による
瞬時光損傷（ＣＯＤ）を防止できる。また、発光効率の
低下や製造工程の複雑化を防止できる。
間に形成された絶縁膜３４が上部電極２８から光導波路
１８ａの端部へ向かう電流を阻止するため、光導波路１
８ａの端部には電流が付与されない。したがって、この
端部すなわち電流非注入領域１８ｂではジュール熱によ
る温度上昇はなく、その温度上昇に伴うバンドギャップ
の縮小も生じない。 【効果】 光導波路１８ａの端部におけるバンドギャッ
プの縮小を防止でき、レーザ光の吸収に伴う発熱による
瞬時光損傷（ＣＯＤ）を防止できる。また、発光効率の
低下や製造工程の複雑化を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特にたとえば、ディスクプレーヤやバーコードリー
ダ等に適用される、半導体レーザ装置に関する。
し、特にたとえば、ディスクプレーヤやバーコードリー
ダ等に適用される、半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、活性層に含まれる光導波路の端
部は酸化されて、中央部よりもバンドギャップが小さく
なるため、レーザ光を吸収して発熱し易い。そのため、
光導波路の端部は中央部よりも瞬時光損傷（以下、「Ｃ
ＯＤ」という。）が起こりやすく、このＣＯＤに起因し
て半導体レーザ装置の特性が劣化するおそれがある。
部は酸化されて、中央部よりもバンドギャップが小さく
なるため、レーザ光を吸収して発熱し易い。そのため、
光導波路の端部は中央部よりも瞬時光損傷（以下、「Ｃ
ＯＤ」という。）が起こりやすく、このＣＯＤに起因し
て半導体レーザ装置の特性が劣化するおそれがある。
【０００３】そこで従来では、これを防止するために、
光導波路の端部からクラッド層へレーザ光をしみ出させ
て光子密度を低くする方法や、光導波路の端部に亜鉛
（Ｚｎ）を熱拡散させて透明領域（ＮＡＭ構造）を形成
する方法によって、光導波路の端部における発熱を抑制
するようにしていた。
光導波路の端部からクラッド層へレーザ光をしみ出させ
て光子密度を低くする方法や、光導波路の端部に亜鉛
（Ｚｎ）を熱拡散させて透明領域（ＮＡＭ構造）を形成
する方法によって、光導波路の端部における発熱を抑制
するようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術のう
ち、光子密度を低くする方法では、レーザ光の発光効率
が下がるという問題点があった。一方、透明領域（ＮＡ
Ｍ構造）を形成する方法では、亜鉛（Ｚｎ）の拡散深さ
を厳密に制御するのが困難なため、特性が安定せず、し
かも、亜鉛（Ｚｎ）を含有する膜の形成やその膜の除去
や亜鉛（Ｚｎ）の熱拡散等のために製造工程が複雑にな
るという問題点があった。
ち、光子密度を低くする方法では、レーザ光の発光効率
が下がるという問題点があった。一方、透明領域（ＮＡ
Ｍ構造）を形成する方法では、亜鉛（Ｚｎ）の拡散深さ
を厳密に制御するのが困難なため、特性が安定せず、し
かも、亜鉛（Ｚｎ）を含有する膜の形成やその膜の除去
や亜鉛（Ｚｎ）の熱拡散等のために製造工程が複雑にな
るという問題点があった。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、発
光効率の低下や製造工程の複雑化を招くことなくＣＯＤ
を防止できる、半導体レーザ装置を提供することであ
る。
光効率の低下や製造工程の複雑化を招くことなくＣＯＤ
を防止できる、半導体レーザ装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板の上に
下部クラッド層，光導波路を有する活性層，上部クラッ
ド層および電極を積層し、電極から上部クラッド層を通
して活性層へ電流を付与するようにした、半導体レーザ
装置において、電極と上部クラッド層との間における光
導波路の端部に対応する位置に電流の流れを阻止するた
めの絶縁膜を形成したことを特徴とする、半導体レーザ
装置である。
下部クラッド層，光導波路を有する活性層，上部クラッ
ド層および電極を積層し、電極から上部クラッド層を通
して活性層へ電流を付与するようにした、半導体レーザ
装置において、電極と上部クラッド層との間における光
導波路の端部に対応する位置に電流の流れを阻止するた
めの絶縁膜を形成したことを特徴とする、半導体レーザ
装置である。
【０００７】
【作用】電極と上部クラッド層との間に形成された絶縁
膜が電極から光導波路の端部へ向かう電流を阻止するた
め、光導波路の端部には電流が与えられない。したがっ
て、この端部ではジュール熱による温度上昇はなく、そ
の温度上昇によるバンドギャップの縮小は生じない。
膜が電極から光導波路の端部へ向かう電流を阻止するた
め、光導波路の端部には電流が与えられない。したがっ
て、この端部ではジュール熱による温度上昇はなく、そ
の温度上昇によるバンドギャップの縮小は生じない。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、光導波路の端部にお
いてバンドギャップの縮小が生じないので、レーザ光の
吸収に伴う発熱を抑制でき、ＣＯＤを防止できる。ま
た、従来のように、クラッド層へレーザ光をしみ出させ
たり、亜鉛（Ｚｎ）を含有する膜を形成したりする必要
がないため、発光効率の低下や製造工程の複雑化を招く
ことはない。
いてバンドギャップの縮小が生じないので、レーザ光の
吸収に伴う発熱を抑制でき、ＣＯＤを防止できる。ま
た、従来のように、クラッド層へレーザ光をしみ出させ
たり、亜鉛（Ｚｎ）を含有する膜を形成したりする必要
がないため、発光効率の低下や製造工程の複雑化を招く
ことはない。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】図１に示すこの実施例の半導体レーザ装置１
０は、たとえばＧａＡｓからなる第１導電型（以下、
「ｎ型」という。）の基板１２を含み、基板１２の下面
には、Ａｕを主体とした下部電極１４が形成される。一
方、基板１２の上面には、たとえばＩｎX （Ｇａ1-Y Ａ
ｌY ）1-X Ｐ（Ｘ＝０．５，Ｙ＝０．７）からなるｎ型
の下部クラッド層１６，たとえばＩｎX （ＧａＡｌY ）
Ｐ（Ｘ＝０．５，０．０≦Ｙ≦０．４）からなる活性層
１８，たとえばＩｎX （ＧａＡｌY ）Ｐ（Ｘ＝０．５，
Ｙ＝０．７）からなる第２導電型（以下、「ｐ型」とい
う。）の第１上部クラッド層２０，たとえばＩｎX Ｇａ
Ｐ（Ｘ＝０．５）からなるｐ型のエッチングストップ層
２２，たとえばＧａＡｓからなるｎ型の電流制限層２４
およびたとえばＧａＡｓからなるｐ型の第２コンタクト
層２６がこの順に積層され、第２コンタクト層２６の上
面にはＡｕを主体とした上部電極２８が形成される。ま
た、電流制限層２４の幅方向中央部には、たとえばＩｎ
X （ＧａＡｌY ）Ｐ（Ｘ≦０．５，Ｙ＝０．７）からな
るｐ型の第２上部クラッド層３０が電流制限層２４にお
けるレーザ出射方向の一端から他端へ延びて形成され、
第２上部クラッド層３０の上には、たとえばＩｎX Ｇａ
Ｐ（Ｘ＝０．５）からなるｐ型の第１コンタクト層３２
が形成される。さらに、第１コンタクト層３２の上に
は、その両端部を覆うようにして、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ），酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3）または酸化チ
タン（Ｔｉ2 Ｏ3 ）等を含む絶縁膜３４が形成される。
０は、たとえばＧａＡｓからなる第１導電型（以下、
「ｎ型」という。）の基板１２を含み、基板１２の下面
には、Ａｕを主体とした下部電極１４が形成される。一
方、基板１２の上面には、たとえばＩｎX （Ｇａ1-Y Ａ
ｌY ）1-X Ｐ（Ｘ＝０．５，Ｙ＝０．７）からなるｎ型
の下部クラッド層１６，たとえばＩｎX （ＧａＡｌY ）
Ｐ（Ｘ＝０．５，０．０≦Ｙ≦０．４）からなる活性層
１８，たとえばＩｎX （ＧａＡｌY ）Ｐ（Ｘ＝０．５，
Ｙ＝０．７）からなる第２導電型（以下、「ｐ型」とい
う。）の第１上部クラッド層２０，たとえばＩｎX Ｇａ
Ｐ（Ｘ＝０．５）からなるｐ型のエッチングストップ層
２２，たとえばＧａＡｓからなるｎ型の電流制限層２４
およびたとえばＧａＡｓからなるｐ型の第２コンタクト
層２６がこの順に積層され、第２コンタクト層２６の上
面にはＡｕを主体とした上部電極２８が形成される。ま
た、電流制限層２４の幅方向中央部には、たとえばＩｎ
X （ＧａＡｌY ）Ｐ（Ｘ≦０．５，Ｙ＝０．７）からな
るｐ型の第２上部クラッド層３０が電流制限層２４にお
けるレーザ出射方向の一端から他端へ延びて形成され、
第２上部クラッド層３０の上には、たとえばＩｎX Ｇａ
Ｐ（Ｘ＝０．５）からなるｐ型の第１コンタクト層３２
が形成される。さらに、第１コンタクト層３２の上に
は、その両端部を覆うようにして、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ），酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3）または酸化チ
タン（Ｔｉ2 Ｏ3 ）等を含む絶縁膜３４が形成される。
【００１１】したがって、活性層１８のうち第２上部ク
ラッド層３０に対応する部分が、レーザ光を発生させる
とともにこれを導くための光導波路１８ａ（図１（Ｃ）
（Ｄ）中の黒塗部分）となり、絶縁膜３４に対応する部
分が電流非注入領域１８ｂ（図１（Ｂ）中の黒塗部分）
となる。ここで、絶縁膜３４の大きさは光導波路１８ａ
の端部に電流非注入領域１８ｂを確実に形成できるよう
に設定され、たとえば、光導波路１８ａの長さＬが５０
０〜１０００μｍ程度であれば、絶縁膜３４の幅Ｗは４
０μｍ程度に設定される。
ラッド層３０に対応する部分が、レーザ光を発生させる
とともにこれを導くための光導波路１８ａ（図１（Ｃ）
（Ｄ）中の黒塗部分）となり、絶縁膜３４に対応する部
分が電流非注入領域１８ｂ（図１（Ｂ）中の黒塗部分）
となる。ここで、絶縁膜３４の大きさは光導波路１８ａ
の端部に電流非注入領域１８ｂを確実に形成できるよう
に設定され、たとえば、光導波路１８ａの長さＬが５０
０〜１０００μｍ程度であれば、絶縁膜３４の幅Ｗは４
０μｍ程度に設定される。
【００１２】以下には、図２および図３に従って、半導
体レーザ装置１０の具体的な製造方法を説明する。ま
ず、図２（Ａ）に示すように、有機金属気相成長（以
下、「ＭＯＣＶＤ」という。）装置内に基板１２を装着
し、その上に下部クラッド層１６を１２０００〜１８０
００Å、活性層１８を８００〜１２００Å、第１上部ク
ラッド層２０を２５００〜３５００Å、エッチングスト
ップ層２２を１００〜５００Å、第２上部クラッド層３
０を１００００〜１４０００Å、第１コンタクト層３２
を１００〜５００Åの厚さにそれぞれ順に積層する。そ
して、ＭＯＣＶＤ装置から基板１２を取り出してこれを
スパッタ装置内に装着し、図２（Ｂ）に示すように、第
１コンタクト層３２の上に絶縁膜３４をスパッタ法によ
り形成する。そして、スパッタ装置から基板１２を取り
出した後、図２（Ｃ）に示すように、絶縁膜３４を図示
しないレジストでマスクし、絶縁膜３４，第１コンタク
ト層３２および第２上部クラッド層３０のぞれぞれをエ
ッチングして畝状の構造体３６を形成する。このとき、
エッチングストップ層２２がエッチングの進行を阻止す
るので、第１上部クラッド層２０が不所望にエッチング
されることはない。なお、このエッチング工程では、絶
縁膜３４，第１コンタクト層３２および第２上部クラッ
ド層３０のそれぞれを異種類のエッチング液またはエッ
チングガスにより個別にエッチングしてもよいし、これ
らのうち２つまたは全部を同種類のエッチング液または
エッチングガスにより連続的にエッチングしてもよい。
そして、絶縁膜３４の上の図示しないレジストを除去し
た後、ＭＯＣＶＤ装置内に基板１２を装着し、図２
（Ｄ）に示すように、エッチングストップ層２２の上に
電流制限層２４を第１コンタクト層３２の上面の高さま
で成長させる。
体レーザ装置１０の具体的な製造方法を説明する。ま
ず、図２（Ａ）に示すように、有機金属気相成長（以
下、「ＭＯＣＶＤ」という。）装置内に基板１２を装着
し、その上に下部クラッド層１６を１２０００〜１８０
００Å、活性層１８を８００〜１２００Å、第１上部ク
ラッド層２０を２５００〜３５００Å、エッチングスト
ップ層２２を１００〜５００Å、第２上部クラッド層３
０を１００００〜１４０００Å、第１コンタクト層３２
を１００〜５００Åの厚さにそれぞれ順に積層する。そ
して、ＭＯＣＶＤ装置から基板１２を取り出してこれを
スパッタ装置内に装着し、図２（Ｂ）に示すように、第
１コンタクト層３２の上に絶縁膜３４をスパッタ法によ
り形成する。そして、スパッタ装置から基板１２を取り
出した後、図２（Ｃ）に示すように、絶縁膜３４を図示
しないレジストでマスクし、絶縁膜３４，第１コンタク
ト層３２および第２上部クラッド層３０のぞれぞれをエ
ッチングして畝状の構造体３６を形成する。このとき、
エッチングストップ層２２がエッチングの進行を阻止す
るので、第１上部クラッド層２０が不所望にエッチング
されることはない。なお、このエッチング工程では、絶
縁膜３４，第１コンタクト層３２および第２上部クラッ
ド層３０のそれぞれを異種類のエッチング液またはエッ
チングガスにより個別にエッチングしてもよいし、これ
らのうち２つまたは全部を同種類のエッチング液または
エッチングガスにより連続的にエッチングしてもよい。
そして、絶縁膜３４の上の図示しないレジストを除去し
た後、ＭＯＣＶＤ装置内に基板１２を装着し、図２
（Ｄ）に示すように、エッチングストップ層２２の上に
電流制限層２４を第１コンタクト層３２の上面の高さま
で成長させる。
【００１３】そして、ＭＯＣＶＤ装置から基板１２を取
り出した後、図３（Ｅ）に示すように、絶縁膜３４の両
端部をレジスト３８でマスクして、絶縁膜３４の不要部
分をエッチングにより除去する。そして、図３（Ｆ）に
示すように、レジスト３８を除去して、所定サイズの絶
縁膜３４を得る。続いて、ＭＯＣＶＤ装置内に基板１２
を装着し、図３（Ｇ）に示すように、電流制限層２４，
第１コンタクト層３２および絶縁膜３４の上に第２コン
タクト層２６を８０００〜１２０００Åの厚さに積層す
る。
り出した後、図３（Ｅ）に示すように、絶縁膜３４の両
端部をレジスト３８でマスクして、絶縁膜３４の不要部
分をエッチングにより除去する。そして、図３（Ｆ）に
示すように、レジスト３８を除去して、所定サイズの絶
縁膜３４を得る。続いて、ＭＯＣＶＤ装置内に基板１２
を装着し、図３（Ｇ）に示すように、電流制限層２４，
第１コンタクト層３２および絶縁膜３４の上に第２コン
タクト層２６を８０００〜１２０００Åの厚さに積層す
る。
【００１４】そして、ＭＯＣＶＤ装置から基板１２を取
り出した後、図１に示すように、基板１２の下面に下部
電極１４を蒸着等によって形成するとともに、第２コン
タクト層２６の上面に上部電極２８を蒸着等によって形
成する。この半導体レーザ装置１０において、下部電極
１４および上部電極２８に電圧を印加すると、上部電極
２８から第２コンタクト層２６，第１コンタクト層３
２，第２上部クラッド層３０，エッチングストップ層２
２，第１上部クラッド層２０を通して活性層１８に電流
が与えられ、活性層１８の光導波路１８ａにおいてレー
ザ光が発生する。このとき、光導波路１８ａの端部へ向
かう電流が絶縁層３４によって阻止されるため、光導波
路１８ａの端部には電流非注入領域１８ｂが形成され
る。したがって、光導波路１８ａの端部では、ジュール
熱による発熱がなく、温度上昇に伴うバンドギャップの
縮小が抑制され、レーザ光の吸収が抑制される。
り出した後、図１に示すように、基板１２の下面に下部
電極１４を蒸着等によって形成するとともに、第２コン
タクト層２６の上面に上部電極２８を蒸着等によって形
成する。この半導体レーザ装置１０において、下部電極
１４および上部電極２８に電圧を印加すると、上部電極
２８から第２コンタクト層２６，第１コンタクト層３
２，第２上部クラッド層３０，エッチングストップ層２
２，第１上部クラッド層２０を通して活性層１８に電流
が与えられ、活性層１８の光導波路１８ａにおいてレー
ザ光が発生する。このとき、光導波路１８ａの端部へ向
かう電流が絶縁層３４によって阻止されるため、光導波
路１８ａの端部には電流非注入領域１８ｂが形成され
る。したがって、光導波路１８ａの端部では、ジュール
熱による発熱がなく、温度上昇に伴うバンドギャップの
縮小が抑制され、レーザ光の吸収が抑制される。
【００１５】この実施例によれば、光導波路１８ａの端
部においてレーザ光の吸収に伴う温度上昇を抑制できる
ので、ＣＯＤを防止できる。また、クラッド層１６また
は２０にレーザ光をしみ出させたり、光導波路１８ａに
亜鉛（Ｚｎ）を拡散させたりする必要がないため、発光
効率の低下や製造工程の複雑化を招くこともない。
部においてレーザ光の吸収に伴う温度上昇を抑制できる
ので、ＣＯＤを防止できる。また、クラッド層１６また
は２０にレーザ光をしみ出させたり、光導波路１８ａに
亜鉛（Ｚｎ）を拡散させたりする必要がないため、発光
効率の低下や製造工程の複雑化を招くこともない。
【００１６】なお、上述の実施例では、ＭＯＣＶＤ装置
を用いて各化合物層を形成しているが、これに代えて、
たとえば分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）装置を用
いて各化合物層を形成してもよい。
を用いて各化合物層を形成しているが、これに代えて、
たとえば分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）装置を用
いて各化合物層を形成してもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例の製造方法を示す図解図である。
【図３】図１実施例の製造方法を示す図解図である。
１０ …半導体レーザ装置 １２ …基板 １４ …下部電極 １６ …下部クラッド層 １８ …活性層 １８ａ …光導波路 １８ｂ …電流非注入領域 ２０ …第１上部クラッド層 ２２ …エッチングストップ層 ２４ …電流制限層 ２６ …第２コンタクト層 ２８ …上部電極 ３０ …第２上部クラッド層 ３２ …第１コンタクト層 ３４ …絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】基板の上に下部クラッド層，光導波路を有
する活性層，上部クラッド層および電極を積層し、前記
電極から前記上部クラッド層を通して前記活性層へ電流
を付与するようにした、半導体レーザ装置において、 前記電極と前記上部クラッド層との間における前記光導
波路の端部に対応する位置に前記電流の流れを阻止する
ための絶縁膜を形成したことを特徴とする、半導体レー
ザ装置。 - 【請求項２】前記絶縁膜を前記光導波路の端部に電流非
注入領域を形成できる程度の大きさで形成した、請求項
１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】前記絶縁膜は酸化膜を含む、請求項１また
は２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】前記酸化膜は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を
含む、請求項３記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10181791A JP2000022262A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 半導体レーザ装置 |
| TW088108147A TW409446B (en) | 1998-06-29 | 1999-05-19 | Semiconductor laser device |
| KR1019990018751A KR100699671B1 (ko) | 1998-06-29 | 1999-05-25 | 반도체 레이저장치 |
| US09/344,648 US6426967B1 (en) | 1998-06-29 | 1999-06-25 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10181791A JP2000022262A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022262A true JP2000022262A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16106942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10181791A Pending JP2000022262A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6426967B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000022262A (ja) |
| KR (1) | KR100699671B1 (ja) |
| TW (1) | TW409446B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003101139A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Nec Corp | 端面発光型半導体レーザおよび半導体レーザ・モジュール |
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| JP2008544561A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-04 | ブッカム テクノロジー ピーエルシー | 高パワー半導体レーザダイオード |
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