JP2000013174A - 共振器型ｓａｗフィルタ - Google Patents
共振器型ｓａｗフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低挿入損失で、終端インピーダンスが５０Ω
となるＧＨｚ帯のＲＦフィルタを実現する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に複数のＩＤＴ電極と複数の
反射器とを備えた共振器型ＳＡＷフィルタで、ＩＤＴ電
極のライン占有率を反射器のライン占有率より大きく
て、前記共振器型ＳＡＷフィルタの挿入損失を小さくす
ると共に終端インピーダンスをほぼ５０Ωとする。
となるＧＨｚ帯のＲＦフィルタを実現する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に複数のＩＤＴ電極と複数の
反射器とを備えた共振器型ＳＡＷフィルタで、ＩＤＴ電
極のライン占有率を反射器のライン占有率より大きく
て、前記共振器型ＳＡＷフィルタの挿入損失を小さくす
ると共に終端インピーダンスをほぼ５０Ωとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は共振器型ＳＡＷフィ
ルタに関し、特にＵＨＦ帯で用いられるＲＦフィルタの
低損失化を図った共振器型ＳＡＷフィルタに関する。
ルタに関し、特にＵＨＦ帯で用いられるＲＦフィルタの
低損失化を図った共振器型ＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられてその普及の
一翼を担っている。図４はＳＡＷデバイスの一種である
共振器型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であり、圧
電基板１１の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ
電極１２、１３を近接して配置すると共に、該ＩＤＴ電
極１２、１３の両側にグレーティング反射器１４ａ、１
４ｂを配設して構成した、所謂縦結合二重モードＳＡＷ
フィルタである。ＩＤＴ電極１２、１３はそれぞれ互い
に間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極
により構成され、ＩＤＴ電極１２、１３のそれぞれ一方
のくし形電極は入出力端子IN、OUTに接続されると共
に、ＩＤＴ電極１２、１３の他方のくし形電極は接地さ
れる構成となっている。また、ＩＤＴ電極１２、１３と
グレーティング反射器１４ａ、１４ｂとのライン占有率
η（ＩＤＴ電極あるいはグレーティング反射器の電極指
幅Ｌとスペース幅Ｓとの和に対する電極指幅Ｌの比、即
ちη＝Ｌ／（Ｌ＋Ｓ））は、一般にほぼ同一となるよう
に構成されている。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられてその普及の
一翼を担っている。図４はＳＡＷデバイスの一種である
共振器型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であり、圧
電基板１１の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ
電極１２、１３を近接して配置すると共に、該ＩＤＴ電
極１２、１３の両側にグレーティング反射器１４ａ、１
４ｂを配設して構成した、所謂縦結合二重モードＳＡＷ
フィルタである。ＩＤＴ電極１２、１３はそれぞれ互い
に間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極
により構成され、ＩＤＴ電極１２、１３のそれぞれ一方
のくし形電極は入出力端子IN、OUTに接続されると共
に、ＩＤＴ電極１２、１３の他方のくし形電極は接地さ
れる構成となっている。また、ＩＤＴ電極１２、１３と
グレーティング反射器１４ａ、１４ｂとのライン占有率
η（ＩＤＴ電極あるいはグレーティング反射器の電極指
幅Ｌとスペース幅Ｓとの和に対する電極指幅Ｌの比、即
ちη＝Ｌ／（Ｌ＋Ｓ））は、一般にほぼ同一となるよう
に構成されている。
【０００３】上記共振器型ＳＡＷフィルタの動作はＩＤ
Ｔ電極１２で励起された複数の表面波がグレーティング
反射器１４ａ、１４ｂ間に閉じ込められて結合し、その
うち１次と２次の縦振動モードが強勢に励振され、この
２つの共振モードを用いた帯域フィルタとして動作す
る。なお、この共振器型ＳＡＷフィルタの電気的等価回
路がラダー回路で表されることもよく知られている。例
えば、図４に示したＩＤＴ電極１２あるいは１３の電気
的等価回路は、電極対数をＮ、１対当たりの電極間容量
をCsとすると、図５に示す放射コンダクタンスＧ、放射
サセプタンスＢ及び正負電極間の静電容量ＮCsの並列接
続回路で表わされる。
Ｔ電極１２で励起された複数の表面波がグレーティング
反射器１４ａ、１４ｂ間に閉じ込められて結合し、その
うち１次と２次の縦振動モードが強勢に励振され、この
２つの共振モードを用いた帯域フィルタとして動作す
る。なお、この共振器型ＳＡＷフィルタの電気的等価回
路がラダー回路で表されることもよく知られている。例
えば、図４に示したＩＤＴ電極１２あるいは１３の電気
的等価回路は、電極対数をＮ、１対当たりの電極間容量
をCsとすると、図５に示す放射コンダクタンスＧ、放射
サセプタンスＢ及び正負電極間の静電容量ＮCsの並列接
続回路で表わされる。
【０００４】近年、移動体通信における通信速度の高速
化、大容量化に伴い、通信機器の搬送周波数の高周波化
が一層進んでおり、これに伴い約１ＧＨｚ以上のＲＦフ
ィルタ用ＳＡＷフィルタの高性能化が強く望まれてい
る。周知のように、受信用ＲＦフィルタはアンテナ利得
に関係し、送信用のそれは消費電力を左右するため、い
ずれも低損失のフィルタであることが重要な要素となっ
ている。一方、ＳＡＷデバイスで１ＧＨｚ以上のフィル
タを実現しようとすると、表面波の共振周波数の波長λ
で電極膜厚ｈを基準化したｈ／λを設計パラメータとし
ているため、ＩＤＴ電極の膜厚が薄くなり、その結果、
該電極のオーミックロス（抵抗損）が増大する。
化、大容量化に伴い、通信機器の搬送周波数の高周波化
が一層進んでおり、これに伴い約１ＧＨｚ以上のＲＦフ
ィルタ用ＳＡＷフィルタの高性能化が強く望まれてい
る。周知のように、受信用ＲＦフィルタはアンテナ利得
に関係し、送信用のそれは消費電力を左右するため、い
ずれも低損失のフィルタであることが重要な要素となっ
ている。一方、ＳＡＷデバイスで１ＧＨｚ以上のフィル
タを実現しようとすると、表面波の共振周波数の波長λ
で電極膜厚ｈを基準化したｈ／λを設計パラメータとし
ているため、ＩＤＴ電極の膜厚が薄くなり、その結果、
該電極のオーミックロス（抵抗損）が増大する。
【０００５】ＳＡＷデバイスの設計手順は、一般に要求
されるＳＡＷフィルタの中心周波数、帯域幅、挿入損
失、終端条件等が与えられると、中心周波数ｆ0から電
極ピッチｐが決まり、帯域幅、挿入損失、終端インピー
ダンス等から電極指幅Ｌ、交差長ｗ、電極膜厚ｈ等が決
まる。ＩＤＴ電極の電極膜厚ｈが設定されると微細な電
極指の幅Ｌ、交差長ｗ、その全長及び電極材料等から電
極の抵抗損が決まることになる。電極ピッチｐは中心周
波数から一意的に決まるため、電極指幅Ｌは該ピッチｐ
より広くすることは出来ない。そのため、抵抗損を小さ
くするためには電極の長さを短く、即ち交差長ｗを短く
することになる。
されるＳＡＷフィルタの中心周波数、帯域幅、挿入損
失、終端条件等が与えられると、中心周波数ｆ0から電
極ピッチｐが決まり、帯域幅、挿入損失、終端インピー
ダンス等から電極指幅Ｌ、交差長ｗ、電極膜厚ｈ等が決
まる。ＩＤＴ電極の電極膜厚ｈが設定されると微細な電
極指の幅Ｌ、交差長ｗ、その全長及び電極材料等から電
極の抵抗損が決まることになる。電極ピッチｐは中心周
波数から一意的に決まるため、電極指幅Ｌは該ピッチｐ
より広くすることは出来ない。そのため、抵抗損を小さ
くするためには電極の長さを短く、即ち交差長ｗを短く
することになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにＩＤＴ電極の交差長ｗを短くした高周波ＲＦフィ
ルタにおいては、ＩＤＴ電極の放射コンダクタンスＧが
小さくなり、そのインピーダンスは５０Ωより大きくな
って、ＲＦフィルタの入出力インピーダンスが通信機器
からの要求条件である５０Ωに合わなくなる。即ち、Ｒ
Ｆフィルタの挿入損失を小さくするためＩＤＴ電極の抵
抗損を低減することと、ＲＦフィルタの要求条件である
５０Ω終端とを同時に満たすことが、１ＧＨｚ帯のＲＦ
フィルタにとっては極めて難しいという問題があった。
本発明は、この問題を解決するためになされたものであ
って、電極指抵抗を小さくしてＲＦフィルタの低挿入損
失を維持しながら要求の５０Ωの終端条件を満たした共
振器型ＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
ようにＩＤＴ電極の交差長ｗを短くした高周波ＲＦフィ
ルタにおいては、ＩＤＴ電極の放射コンダクタンスＧが
小さくなり、そのインピーダンスは５０Ωより大きくな
って、ＲＦフィルタの入出力インピーダンスが通信機器
からの要求条件である５０Ωに合わなくなる。即ち、Ｒ
Ｆフィルタの挿入損失を小さくするためＩＤＴ電極の抵
抗損を低減することと、ＲＦフィルタの要求条件である
５０Ω終端とを同時に満たすことが、１ＧＨｚ帯のＲＦ
フィルタにとっては極めて難しいという問題があった。
本発明は、この問題を解決するためになされたものであ
って、電極指抵抗を小さくしてＲＦフィルタの低挿入損
失を維持しながら要求の５０Ωの終端条件を満たした共
振器型ＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る共振器型ＳＡＷフィルタの請求項１記載
の発明は、圧電基板上に複数のＩＤＴ電極と複数の反射
器を配置して構成する共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、ＩＤＴ電極のライン占有率を反射器のライン占有率
より大きくしたことを特徴とする共振器型ＳＡＷフィル
タである。請求項２記載の発明は、圧電基板上に複数の
ＩＤＴ電極と複数の反射器を配置して構成する共振器型
ＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴ電極のライン占有率を
反射器のライン占有率より大きくし、共振器型ＳＡＷフ
ィルタの終端インピーダンスをほぼ５０Ωとしたことを
特徴とする共振器型ＳＡＷフィルタである。
に本発明に係る共振器型ＳＡＷフィルタの請求項１記載
の発明は、圧電基板上に複数のＩＤＴ電極と複数の反射
器を配置して構成する共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、ＩＤＴ電極のライン占有率を反射器のライン占有率
より大きくしたことを特徴とする共振器型ＳＡＷフィル
タである。請求項２記載の発明は、圧電基板上に複数の
ＩＤＴ電極と複数の反射器を配置して構成する共振器型
ＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴ電極のライン占有率を
反射器のライン占有率より大きくし、共振器型ＳＡＷフ
ィルタの終端インピーダンスをほぼ５０Ωとしたことを
特徴とする共振器型ＳＡＷフィルタである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る共
振器型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であり、圧電
基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極
２、３を近接して配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３
の両側にグレーティング反射器４ａ、４ｂを配設して構
成した、縦結合二重モードＳＡＷフィルタである。ＩＤ
Ｔ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極
指を有する一対のくし形電極により構成され、ＩＤＴ電
極２、３のそれぞれ一方のくし形電極は入出力端子Ｉ
Ｎ、OUTに接続すると共に、ＩＤＴ電極２、３の他方の
くし形電極は接地する構成となっている。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る共
振器型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であり、圧電
基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極
２、３を近接して配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３
の両側にグレーティング反射器４ａ、４ｂを配設して構
成した、縦結合二重モードＳＡＷフィルタである。ＩＤ
Ｔ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極
指を有する一対のくし形電極により構成され、ＩＤＴ電
極２、３のそれぞれ一方のくし形電極は入出力端子Ｉ
Ｎ、OUTに接続すると共に、ＩＤＴ電極２、３の他方の
くし形電極は接地する構成となっている。
【０００９】本発明の特徴は図１に示したように、ＩＤ
Ｔ電極２、３のライン占有率ηiをグレーティング反射
器４ａ、４ｂのライン占有率ηrより大きくした点にあ
る。即ち、前述したように、ＩＤＴ電極の抵抗損を小さ
くするために交差長ｗを短くすると、その放射コンダク
タンスＧが減少するが、この減少をＩＤＴ電極のライン
占有率ηiを大きくすることで補い、所望の大きさの放
射コンダクタンスＧを実現する点にある。
Ｔ電極２、３のライン占有率ηiをグレーティング反射
器４ａ、４ｂのライン占有率ηrより大きくした点にあ
る。即ち、前述したように、ＩＤＴ電極の抵抗損を小さ
くするために交差長ｗを短くすると、その放射コンダク
タンスＧが減少するが、この減少をＩＤＴ電極のライン
占有率ηiを大きくすることで補い、所望の大きさの放
射コンダクタンスＧを実現する点にある。
【００１０】文献「Analysis of Metal-strip SAW Grat
ings and Transducers」IEEE Transactions on Sonics
and Ultrasonics , Vol. SU-32 NO.3 P395-408 May 198
5に記述されているように、ＩＤＴ電極の放射コンダク
タンスＧは、圧電基板にＩＤＴ電極を配設する前の表面
波の速度を基準として、ＩＤＴ電極を設けた後、その電
極を短絡した時の表面波の速度と、開放した時の表面波
の速度とを用いて求めることができる。実際には、前記
それぞれの表面波速度を周波数として観測し、ＩＤＴ電
極を設ける前の表面波の周波数、設けた後の短絡時と開
放時の周波数差から放射コンダクタンスＧを求める方が
容易である。図２は、３６゜Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3基板
上にアルミニウムＡｌを主成分としたＩＤＴ電極を設
け、その電極を短絡した場合と、開放した場合との周波
数差をもとに放射コンダクタンスＧを算出し、電極対数
Ｎと交差長ｗで基準化した放射コンダクタンスＧ’とラ
イン占有率との関係を示した図である。即ち、電極膜厚
ｈをパラメータにとり、２％λ、５％λ、８％λ（λは
励起される表面波の波長）とした場合のＩＤＴ電極１
対、交差長１λ当たりの放射コンダクタンスＧ’を示し
た図である。この図よりライン占有率ηiが大きくなる
ほど放射コンダクタンスＧ’が大きくなり、電極膜厚ｈ
が厚くなるほど放射コンダクタンスＧ’が増大すること
が分かる。
ings and Transducers」IEEE Transactions on Sonics
and Ultrasonics , Vol. SU-32 NO.3 P395-408 May 198
5に記述されているように、ＩＤＴ電極の放射コンダク
タンスＧは、圧電基板にＩＤＴ電極を配設する前の表面
波の速度を基準として、ＩＤＴ電極を設けた後、その電
極を短絡した時の表面波の速度と、開放した時の表面波
の速度とを用いて求めることができる。実際には、前記
それぞれの表面波速度を周波数として観測し、ＩＤＴ電
極を設ける前の表面波の周波数、設けた後の短絡時と開
放時の周波数差から放射コンダクタンスＧを求める方が
容易である。図２は、３６゜Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3基板
上にアルミニウムＡｌを主成分としたＩＤＴ電極を設
け、その電極を短絡した場合と、開放した場合との周波
数差をもとに放射コンダクタンスＧを算出し、電極対数
Ｎと交差長ｗで基準化した放射コンダクタンスＧ’とラ
イン占有率との関係を示した図である。即ち、電極膜厚
ｈをパラメータにとり、２％λ、５％λ、８％λ（λは
励起される表面波の波長）とした場合のＩＤＴ電極１
対、交差長１λ当たりの放射コンダクタンスＧ’を示し
た図である。この図よりライン占有率ηiが大きくなる
ほど放射コンダクタンスＧ’が大きくなり、電極膜厚ｈ
が厚くなるほど放射コンダクタンスＧ’が増大すること
が分かる。
【００１１】図３は、前記の実験と同様に３６゜Ｙ−Ｘ
ＬｉＴａＯ3基板上に、アルミニウムＡｌを主成分と
したＩＤＴ電極を設け、その電極を短絡した場合に形成
されるストップバンドの上端の周波数ｆUと、下端との
周波数ｆLとの差から求められるモード間結合係数κ'12
と、ライン占有率との関係を示した図であり、電極膜厚
ｈをパラメータにとり２％λ、５％λ、８％λに設定し
た場合である。この図から、グレーティング反射器のス
トップバンド幅を与えるモード間結合係数κ'12は、ラ
イン占有率ηrのある値で極大値をとり、膜厚ｈが厚く
なるほど極大値も大きくなることが分かる。
ＬｉＴａＯ3基板上に、アルミニウムＡｌを主成分と
したＩＤＴ電極を設け、その電極を短絡した場合に形成
されるストップバンドの上端の周波数ｆUと、下端との
周波数ｆLとの差から求められるモード間結合係数κ'12
と、ライン占有率との関係を示した図であり、電極膜厚
ｈをパラメータにとり２％λ、５％λ、８％λに設定し
た場合である。この図から、グレーティング反射器のス
トップバンド幅を与えるモード間結合係数κ'12は、ラ
イン占有率ηrのある値で極大値をとり、膜厚ｈが厚く
なるほど極大値も大きくなることが分かる。
【００１２】なお、モード間結合係数κ'12は弾性表面
波の解析に用いられるモード結合理論のパラメータの１
つで、電極指一本の反射係数Γと、 κ'12＝Γ／（−ｊπ） の関係にあり、電極指一本当たりの反射量を表してい
る。ＩＤＴ電極を短絡したのモード間結合係数κ'
12と、グレーティング反射器のモード間結合係数κ'12
とは、それぞれのライン占有率ηi、ηrが同じ値、即ち
ηi＝ηrならば同一の値となる。
波の解析に用いられるモード結合理論のパラメータの１
つで、電極指一本の反射係数Γと、 κ'12＝Γ／（−ｊπ） の関係にあり、電極指一本当たりの反射量を表してい
る。ＩＤＴ電極を短絡したのモード間結合係数κ'
12と、グレーティング反射器のモード間結合係数κ'12
とは、それぞれのライン占有率ηi、ηrが同じ値、即ち
ηi＝ηrならば同一の値となる。
【００１３】また、モード間結合係数κ'12の２倍、即
ち２×κ'12はＩＤＴ電極あるいはグレーティング反射
器が形成するストップバンド幅であり、共振器型ＳＡＷ
フィルタを構成する場合にはその通過域比帯域幅の最大
値を表す。図２に基づいて放射コンダクタンスＧ’を大
きくすべくＩＤＴ電極のライン占有率ηiを大きくし、
それと等しくなるようにグレーティング反射器のライン
占有率ηrを大きくすると、図３から明らかなように、
反射率はライン占有率ηrに対して上に凸の曲線である
ため、最大値を取り得るとは限らない。従って、反射率
の低下のため、必要な帯域幅を確保できない場合があ
る。
ち２×κ'12はＩＤＴ電極あるいはグレーティング反射
器が形成するストップバンド幅であり、共振器型ＳＡＷ
フィルタを構成する場合にはその通過域比帯域幅の最大
値を表す。図２に基づいて放射コンダクタンスＧ’を大
きくすべくＩＤＴ電極のライン占有率ηiを大きくし、
それと等しくなるようにグレーティング反射器のライン
占有率ηrを大きくすると、図３から明らかなように、
反射率はライン占有率ηrに対して上に凸の曲線である
ため、最大値を取り得るとは限らない。従って、反射率
の低下のため、必要な帯域幅を確保できない場合があ
る。
【００１４】この点を解決するために、グレーティング
反射器のライン占有率ηrをＩＤＴ電極のライン占有率
ηiより小さくし、図３に基づいて反射率が大きく、望
ましくは最大値になるように設定すると共に、ＩＤＴ電
極のライン占有率ηiは、放射コンダクタンスＧ’が十
分に大きくなり、ＲＦフィルタの終端インピーダンスが
ほぼ５０Ωとなるように、図２に基づいて設定する。さ
らに詳しく説明すると、初めに基板材料とその切断角度
を決めると電気機械結合係数が得られ、中心周波数より
ＩＤＴ電極、グレーティング反射器のピッチが決まる。
次に、所望の伝送特性を得るべくＩＤＴ電極の対数Ｎ、
グレーティング反射器の本数Ｍ等を設定する。ＩＤＴ電
極の対数Ｎ、交差長ｗ、ライン占有率η i等からフィル
タのインピーダンスＺが得られるので、１ＧＨｚ帯のフ
ィルタのオーミックロスを減ずるため、交差長ｗを短く
する。更に、インピーダンスＺの値がほぼ５０Ωとなる
ように、図２に基づいてライン占有率ηiを設定する。
そして最後にグレーティング反射器のライン占有率ηr
を図３に基づき通過帯域幅を十分にカバーするように設
定する。以上のようにＩＤＴ電極のライン占有率ηiと
グレーティング反射器のライン占有率ηrとをそれぞれ
設定することで、ＩＤＴ電極の放射コンダクタンスＧ’
を所望の値に設定すると共に、グレーティング反射器の
反射量が大きくなるため、ＲＦフィルタの低損失化とほ
ぼ５０Ω終端とを同時に満たすことができるようになっ
た。
反射器のライン占有率ηrをＩＤＴ電極のライン占有率
ηiより小さくし、図３に基づいて反射率が大きく、望
ましくは最大値になるように設定すると共に、ＩＤＴ電
極のライン占有率ηiは、放射コンダクタンスＧ’が十
分に大きくなり、ＲＦフィルタの終端インピーダンスが
ほぼ５０Ωとなるように、図２に基づいて設定する。さ
らに詳しく説明すると、初めに基板材料とその切断角度
を決めると電気機械結合係数が得られ、中心周波数より
ＩＤＴ電極、グレーティング反射器のピッチが決まる。
次に、所望の伝送特性を得るべくＩＤＴ電極の対数Ｎ、
グレーティング反射器の本数Ｍ等を設定する。ＩＤＴ電
極の対数Ｎ、交差長ｗ、ライン占有率η i等からフィル
タのインピーダンスＺが得られるので、１ＧＨｚ帯のフ
ィルタのオーミックロスを減ずるため、交差長ｗを短く
する。更に、インピーダンスＺの値がほぼ５０Ωとなる
ように、図２に基づいてライン占有率ηiを設定する。
そして最後にグレーティング反射器のライン占有率ηr
を図３に基づき通過帯域幅を十分にカバーするように設
定する。以上のようにＩＤＴ電極のライン占有率ηiと
グレーティング反射器のライン占有率ηrとをそれぞれ
設定することで、ＩＤＴ電極の放射コンダクタンスＧ’
を所望の値に設定すると共に、グレーティング反射器の
反射量が大きくなるため、ＲＦフィルタの低損失化とほ
ぼ５０Ω終端とを同時に満たすことができるようになっ
た。
【００１５】なお、グレーティング反射器の電極膜厚ｈ
を厚くすることにより、反射量を大きくすることも可能
であるが、電極膜厚ｈを厚くするとバルク放射損の増加
を来すという他の問題が生ずるので、必要以上に電極膜
厚ｈを厚くすることはできない。
を厚くすることにより、反射量を大きくすることも可能
であるが、電極膜厚ｈを厚くするとバルク放射損の増加
を来すという他の問題が生ずるので、必要以上に電極膜
厚ｈを厚くすることはできない。
【００１６】また、実際には、ＩＤＴ電極にもある程度
の反射量が必要であるため、ライン占有率ηiを必要以
上に大きくすることには制限がある。更に、ライン占有
率ηiを大きくすると、隣接する電極指間の間隔が狭く
なるため電極指間に生じる静電容量が増加し、その結果
インピーダンス整合に支障が生ずる場合もあるため、ラ
イン占有率ηiを大きくすることはインピーダンスマッ
チングの点からも制限がある。従って、ＲＦフィルタを
設計する際には、まず低損失になるようにＩＤＴ電極及
びグレーティング反射器のライン占有率ηi、ηrを決定
してから、ＲＦフィルタの終端インピーダンスが５０Ω
となるように、図２の放射コンダクタンスＧ’に基づ
き、交差長ｗを調整することになる。これにより従来の
構成よりも確実に交差長ｗが短くなり、電極指による抵
抗損を減らすことが出来る。この抵抗損の低減にはＩＤ
Ｔ電極の電極指幅を出来るだけ広くした効果も含まれて
いることは云うまでもない。
の反射量が必要であるため、ライン占有率ηiを必要以
上に大きくすることには制限がある。更に、ライン占有
率ηiを大きくすると、隣接する電極指間の間隔が狭く
なるため電極指間に生じる静電容量が増加し、その結果
インピーダンス整合に支障が生ずる場合もあるため、ラ
イン占有率ηiを大きくすることはインピーダンスマッ
チングの点からも制限がある。従って、ＲＦフィルタを
設計する際には、まず低損失になるようにＩＤＴ電極及
びグレーティング反射器のライン占有率ηi、ηrを決定
してから、ＲＦフィルタの終端インピーダンスが５０Ω
となるように、図２の放射コンダクタンスＧ’に基づ
き、交差長ｗを調整することになる。これにより従来の
構成よりも確実に交差長ｗが短くなり、電極指による抵
抗損を減らすことが出来る。この抵抗損の低減にはＩＤ
Ｔ電極の電極指幅を出来るだけ広くした効果も含まれて
いることは云うまでもない。
【００１７】以上、本発明に係る発明を１次−２次縦結
合二重モードＳＡＷを例として説明したが、本発明はこ
れのみに限るものではなく、他の共振器結合ＳＡＷフィ
ルタに適用できることは説明するまでもない。また、圧
電材料として３６゜Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3基板上にアル
ミニウムＡｌを主成分とする材料を用いて構成した共振
器型ＳＡＷフィルタに適用した例を説明したが、他の圧
電基板、例えばニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ラ
ンガサイト等の圧電基板に本発明が適用できることは云
うまでもない。
合二重モードＳＡＷを例として説明したが、本発明はこ
れのみに限るものではなく、他の共振器結合ＳＡＷフィ
ルタに適用できることは説明するまでもない。また、圧
電材料として３６゜Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3基板上にアル
ミニウムＡｌを主成分とする材料を用いて構成した共振
器型ＳＡＷフィルタに適用した例を説明したが、他の圧
電基板、例えばニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ラ
ンガサイト等の圧電基板に本発明が適用できることは云
うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、低損失なギガヘルツ帯共振器型ＳＡＷフィルタを
構成することが可能となり、このＳＡＷフィルタを無線
通信機器に用いれば高性能な通信機が構成できるという
著しい効果を発揮する。
ので、低損失なギガヘルツ帯共振器型ＳＡＷフィルタを
構成することが可能となり、このＳＡＷフィルタを無線
通信機器に用いれば高性能な通信機が構成できるという
著しい効果を発揮する。
【図１】本発明に係るＳＡＷデバイスの構成を示す平面
図でる。
図でる。
【図２】ライン占有率ηiとコンダクタンスＧとの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図３】ライン占有率ηと反射率との関係を示す図であ
る。
る。
【図４】従来のＳＡＷデバイスの構成を示す図である。
【図５】ＩＤＴ電極をアドミッタンス表示した場合の電
気的等価回路である。
気的等価回路である。
１・・圧電基板 ３・・ＩＤＴ電極 ４ａ、４ｂ・・グレーティング反射器 Ｌｉ・・ＩＤＴ電極の電極指幅 Ｓｉ・・ＩＤＴ電極のスペース Ｌｒ・・グレーティング反射器の電極指幅 Ｓｒ・・グレーティング反射器のスペース ＩＮ、ＯＵＴ・・入出力端子 Ｇ・・放射コンダクタンス Ｎ・・ＩＤＴ電極対数 ｗ・・交差長 ηi・・ＩＤＴ電極のライン占有率 ηr・・グレーティング反射器のライン占有率 ｈ・・電極膜厚
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に複数のＩＤＴ電極と複数の
反射器とを配置して構成する共振器型ＳＡＷフィルタに
おいて、ＩＤＴ電極のライン占有率を反射器のライン占
有率より大きくしたことを特徴とする共振器型ＳＡＷフ
ィルタ。 - 【請求項２】 圧電基板上に複数のＩＤＴ電極と複数の
反射器とを配置して構成する共振器型ＳＡＷフィルタに
おいて、ＩＤＴ電極のライン占有率を反射器のライン占
有率より大きくし、前記共振器型ＳＡＷフィルタの挿入
損失を小さくすると共に終端インピーダンスをほぼ５０
Ωとしたことを特徴とする共振器型ＳＡＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17087698A JP2000013174A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 共振器型ｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17087698A JP2000013174A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 共振器型ｓａｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000013174A true JP2000013174A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15912960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17087698A Pending JP2000013174A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 共振器型ｓａｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000013174A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046370A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP17087698A patent/JP2000013174A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046370A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
| JP4710186B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2011-06-29 | エプソントヨコム株式会社 | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
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