JP2000013174A - 共振器型sawフィルタ - Google Patents
共振器型sawフィルタInfo
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- JP2000013174A JP2000013174A JP17087698A JP17087698A JP2000013174A JP 2000013174 A JP2000013174 A JP 2000013174A JP 17087698 A JP17087698 A JP 17087698A JP 17087698 A JP17087698 A JP 17087698A JP 2000013174 A JP2000013174 A JP 2000013174A
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- filter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低挿入損失で、終端インピーダンスが50Ω
となるGHz帯のRFフィルタを実現する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に複数のIDT電極と複数の
反射器とを備えた共振器型SAWフィルタで、IDT電
極のライン占有率を反射器のライン占有率より大きく
て、前記共振器型SAWフィルタの挿入損失を小さくす
ると共に終端インピーダンスをほぼ50Ωとする。
となるGHz帯のRFフィルタを実現する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に複数のIDT電極と複数の
反射器とを備えた共振器型SAWフィルタで、IDT電
極のライン占有率を反射器のライン占有率より大きく
て、前記共振器型SAWフィルタの挿入損失を小さくす
ると共に終端インピーダンスをほぼ50Ωとする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は共振器型SAWフィ
ルタに関し、特にUHF帯で用いられるRFフィルタの
低損失化を図った共振器型SAWフィルタに関する。
ルタに関し、特にUHF帯で用いられるRFフィルタの
低損失化を図った共振器型SAWフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、SAWデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられてその普及の
一翼を担っている。図4はSAWデバイスの一種である
共振器型SAWフィルタの構成を示す平面図であり、圧
電基板11の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT
電極12、13を近接して配置すると共に、該IDT電
極12、13の両側にグレーティング反射器14a、1
4bを配設して構成した、所謂縦結合二重モードSAW
フィルタである。IDT電極12、13はそれぞれ互い
に間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極
により構成され、IDT電極12、13のそれぞれ一方
のくし形電極は入出力端子IN、OUTに接続されると共
に、IDT電極12、13の他方のくし形電極は接地さ
れる構成となっている。また、IDT電極12、13と
グレーティング反射器14a、14bとのライン占有率
η(IDT電極あるいはグレーティング反射器の電極指
幅Lとスペース幅Sとの和に対する電極指幅Lの比、即
ちη=L/(L+S))は、一般にほぼ同一となるよう
に構成されている。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられてその普及の
一翼を担っている。図4はSAWデバイスの一種である
共振器型SAWフィルタの構成を示す平面図であり、圧
電基板11の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT
電極12、13を近接して配置すると共に、該IDT電
極12、13の両側にグレーティング反射器14a、1
4bを配設して構成した、所謂縦結合二重モードSAW
フィルタである。IDT電極12、13はそれぞれ互い
に間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極
により構成され、IDT電極12、13のそれぞれ一方
のくし形電極は入出力端子IN、OUTに接続されると共
に、IDT電極12、13の他方のくし形電極は接地さ
れる構成となっている。また、IDT電極12、13と
グレーティング反射器14a、14bとのライン占有率
η(IDT電極あるいはグレーティング反射器の電極指
幅Lとスペース幅Sとの和に対する電極指幅Lの比、即
ちη=L/(L+S))は、一般にほぼ同一となるよう
に構成されている。
【0003】上記共振器型SAWフィルタの動作はID
T電極12で励起された複数の表面波がグレーティング
反射器14a、14b間に閉じ込められて結合し、その
うち1次と2次の縦振動モードが強勢に励振され、この
2つの共振モードを用いた帯域フィルタとして動作す
る。なお、この共振器型SAWフィルタの電気的等価回
路がラダー回路で表されることもよく知られている。例
えば、図4に示したIDT電極12あるいは13の電気
的等価回路は、電極対数をN、1対当たりの電極間容量
をCsとすると、図5に示す放射コンダクタンスG、放射
サセプタンスB及び正負電極間の静電容量NCsの並列接
続回路で表わされる。
T電極12で励起された複数の表面波がグレーティング
反射器14a、14b間に閉じ込められて結合し、その
うち1次と2次の縦振動モードが強勢に励振され、この
2つの共振モードを用いた帯域フィルタとして動作す
る。なお、この共振器型SAWフィルタの電気的等価回
路がラダー回路で表されることもよく知られている。例
えば、図4に示したIDT電極12あるいは13の電気
的等価回路は、電極対数をN、1対当たりの電極間容量
をCsとすると、図5に示す放射コンダクタンスG、放射
サセプタンスB及び正負電極間の静電容量NCsの並列接
続回路で表わされる。
【0004】近年、移動体通信における通信速度の高速
化、大容量化に伴い、通信機器の搬送周波数の高周波化
が一層進んでおり、これに伴い約1GHz以上のRFフ
ィルタ用SAWフィルタの高性能化が強く望まれてい
る。周知のように、受信用RFフィルタはアンテナ利得
に関係し、送信用のそれは消費電力を左右するため、い
ずれも低損失のフィルタであることが重要な要素となっ
ている。一方、SAWデバイスで1GHz以上のフィル
タを実現しようとすると、表面波の共振周波数の波長λ
で電極膜厚hを基準化したh/λを設計パラメータとし
ているため、IDT電極の膜厚が薄くなり、その結果、
該電極のオーミックロス(抵抗損)が増大する。
化、大容量化に伴い、通信機器の搬送周波数の高周波化
が一層進んでおり、これに伴い約1GHz以上のRFフ
ィルタ用SAWフィルタの高性能化が強く望まれてい
る。周知のように、受信用RFフィルタはアンテナ利得
に関係し、送信用のそれは消費電力を左右するため、い
ずれも低損失のフィルタであることが重要な要素となっ
ている。一方、SAWデバイスで1GHz以上のフィル
タを実現しようとすると、表面波の共振周波数の波長λ
で電極膜厚hを基準化したh/λを設計パラメータとし
ているため、IDT電極の膜厚が薄くなり、その結果、
該電極のオーミックロス(抵抗損)が増大する。
【0005】SAWデバイスの設計手順は、一般に要求
されるSAWフィルタの中心周波数、帯域幅、挿入損
失、終端条件等が与えられると、中心周波数f0から電
極ピッチpが決まり、帯域幅、挿入損失、終端インピー
ダンス等から電極指幅L、交差長w、電極膜厚h等が決
まる。IDT電極の電極膜厚hが設定されると微細な電
極指の幅L、交差長w、その全長及び電極材料等から電
極の抵抗損が決まることになる。電極ピッチpは中心周
波数から一意的に決まるため、電極指幅Lは該ピッチp
より広くすることは出来ない。そのため、抵抗損を小さ
くするためには電極の長さを短く、即ち交差長wを短く
することになる。
されるSAWフィルタの中心周波数、帯域幅、挿入損
失、終端条件等が与えられると、中心周波数f0から電
極ピッチpが決まり、帯域幅、挿入損失、終端インピー
ダンス等から電極指幅L、交差長w、電極膜厚h等が決
まる。IDT電極の電極膜厚hが設定されると微細な電
極指の幅L、交差長w、その全長及び電極材料等から電
極の抵抗損が決まることになる。電極ピッチpは中心周
波数から一意的に決まるため、電極指幅Lは該ピッチp
より広くすることは出来ない。そのため、抵抗損を小さ
くするためには電極の長さを短く、即ち交差長wを短く
することになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにIDT電極の交差長wを短くした高周波RFフィ
ルタにおいては、IDT電極の放射コンダクタンスGが
小さくなり、そのインピーダンスは50Ωより大きくな
って、RFフィルタの入出力インピーダンスが通信機器
からの要求条件である50Ωに合わなくなる。即ち、R
Fフィルタの挿入損失を小さくするためIDT電極の抵
抗損を低減することと、RFフィルタの要求条件である
50Ω終端とを同時に満たすことが、1GHz帯のRF
フィルタにとっては極めて難しいという問題があった。
本発明は、この問題を解決するためになされたものであ
って、電極指抵抗を小さくしてRFフィルタの低挿入損
失を維持しながら要求の50Ωの終端条件を満たした共
振器型SAWフィルタを提供することを目的とする。
ようにIDT電極の交差長wを短くした高周波RFフィ
ルタにおいては、IDT電極の放射コンダクタンスGが
小さくなり、そのインピーダンスは50Ωより大きくな
って、RFフィルタの入出力インピーダンスが通信機器
からの要求条件である50Ωに合わなくなる。即ち、R
Fフィルタの挿入損失を小さくするためIDT電極の抵
抗損を低減することと、RFフィルタの要求条件である
50Ω終端とを同時に満たすことが、1GHz帯のRF
フィルタにとっては極めて難しいという問題があった。
本発明は、この問題を解決するためになされたものであ
って、電極指抵抗を小さくしてRFフィルタの低挿入損
失を維持しながら要求の50Ωの終端条件を満たした共
振器型SAWフィルタを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る共振器型SAWフィルタの請求項1記載
の発明は、圧電基板上に複数のIDT電極と複数の反射
器を配置して構成する共振器型SAWフィルタにおい
て、IDT電極のライン占有率を反射器のライン占有率
より大きくしたことを特徴とする共振器型SAWフィル
タである。請求項2記載の発明は、圧電基板上に複数の
IDT電極と複数の反射器を配置して構成する共振器型
SAWフィルタにおいて、IDT電極のライン占有率を
反射器のライン占有率より大きくし、共振器型SAWフ
ィルタの終端インピーダンスをほぼ50Ωとしたことを
特徴とする共振器型SAWフィルタである。
に本発明に係る共振器型SAWフィルタの請求項1記載
の発明は、圧電基板上に複数のIDT電極と複数の反射
器を配置して構成する共振器型SAWフィルタにおい
て、IDT電極のライン占有率を反射器のライン占有率
より大きくしたことを特徴とする共振器型SAWフィル
タである。請求項2記載の発明は、圧電基板上に複数の
IDT電極と複数の反射器を配置して構成する共振器型
SAWフィルタにおいて、IDT電極のライン占有率を
反射器のライン占有率より大きくし、共振器型SAWフ
ィルタの終端インピーダンスをほぼ50Ωとしたことを
特徴とする共振器型SAWフィルタである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る共
振器型SAWフィルタの構成を示す平面図であり、圧電
基板1の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極
2、3を近接して配置すると共に、該IDT電極2、3
の両側にグレーティング反射器4a、4bを配設して構
成した、縦結合二重モードSAWフィルタである。ID
T電極2、3はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極
指を有する一対のくし形電極により構成され、IDT電
極2、3のそれぞれ一方のくし形電極は入出力端子I
N、OUTに接続すると共に、IDT電極2、3の他方の
くし形電極は接地する構成となっている。
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る共
振器型SAWフィルタの構成を示す平面図であり、圧電
基板1の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極
2、3を近接して配置すると共に、該IDT電極2、3
の両側にグレーティング反射器4a、4bを配設して構
成した、縦結合二重モードSAWフィルタである。ID
T電極2、3はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極
指を有する一対のくし形電極により構成され、IDT電
極2、3のそれぞれ一方のくし形電極は入出力端子I
N、OUTに接続すると共に、IDT電極2、3の他方の
くし形電極は接地する構成となっている。
【0009】本発明の特徴は図1に示したように、ID
T電極2、3のライン占有率ηiをグレーティング反射
器4a、4bのライン占有率ηrより大きくした点にあ
る。即ち、前述したように、IDT電極の抵抗損を小さ
くするために交差長wを短くすると、その放射コンダク
タンスGが減少するが、この減少をIDT電極のライン
占有率ηiを大きくすることで補い、所望の大きさの放
射コンダクタンスGを実現する点にある。
T電極2、3のライン占有率ηiをグレーティング反射
器4a、4bのライン占有率ηrより大きくした点にあ
る。即ち、前述したように、IDT電極の抵抗損を小さ
くするために交差長wを短くすると、その放射コンダク
タンスGが減少するが、この減少をIDT電極のライン
占有率ηiを大きくすることで補い、所望の大きさの放
射コンダクタンスGを実現する点にある。
【0010】文献「Analysis of Metal-strip SAW Grat
ings and Transducers」IEEE Transactions on Sonics
and Ultrasonics , Vol. SU-32 NO.3 P395-408 May 198
5に記述されているように、IDT電極の放射コンダク
タンスGは、圧電基板にIDT電極を配設する前の表面
波の速度を基準として、IDT電極を設けた後、その電
極を短絡した時の表面波の速度と、開放した時の表面波
の速度とを用いて求めることができる。実際には、前記
それぞれの表面波速度を周波数として観測し、IDT電
極を設ける前の表面波の周波数、設けた後の短絡時と開
放時の周波数差から放射コンダクタンスGを求める方が
容易である。図2は、36゜Y−X LiTaO3基板
上にアルミニウムAlを主成分としたIDT電極を設
け、その電極を短絡した場合と、開放した場合との周波
数差をもとに放射コンダクタンスGを算出し、電極対数
Nと交差長wで基準化した放射コンダクタンスG’とラ
イン占有率との関係を示した図である。即ち、電極膜厚
hをパラメータにとり、2%λ、5%λ、8%λ(λは
励起される表面波の波長)とした場合のIDT電極1
対、交差長1λ当たりの放射コンダクタンスG’を示し
た図である。この図よりライン占有率ηiが大きくなる
ほど放射コンダクタンスG’が大きくなり、電極膜厚h
が厚くなるほど放射コンダクタンスG’が増大すること
が分かる。
ings and Transducers」IEEE Transactions on Sonics
and Ultrasonics , Vol. SU-32 NO.3 P395-408 May 198
5に記述されているように、IDT電極の放射コンダク
タンスGは、圧電基板にIDT電極を配設する前の表面
波の速度を基準として、IDT電極を設けた後、その電
極を短絡した時の表面波の速度と、開放した時の表面波
の速度とを用いて求めることができる。実際には、前記
それぞれの表面波速度を周波数として観測し、IDT電
極を設ける前の表面波の周波数、設けた後の短絡時と開
放時の周波数差から放射コンダクタンスGを求める方が
容易である。図2は、36゜Y−X LiTaO3基板
上にアルミニウムAlを主成分としたIDT電極を設
け、その電極を短絡した場合と、開放した場合との周波
数差をもとに放射コンダクタンスGを算出し、電極対数
Nと交差長wで基準化した放射コンダクタンスG’とラ
イン占有率との関係を示した図である。即ち、電極膜厚
hをパラメータにとり、2%λ、5%λ、8%λ(λは
励起される表面波の波長)とした場合のIDT電極1
対、交差長1λ当たりの放射コンダクタンスG’を示し
た図である。この図よりライン占有率ηiが大きくなる
ほど放射コンダクタンスG’が大きくなり、電極膜厚h
が厚くなるほど放射コンダクタンスG’が増大すること
が分かる。
【0011】図3は、前記の実験と同様に36゜Y−X
LiTaO3基板上に、アルミニウムAlを主成分と
したIDT電極を設け、その電極を短絡した場合に形成
されるストップバンドの上端の周波数fUと、下端との
周波数fLとの差から求められるモード間結合係数κ'12
と、ライン占有率との関係を示した図であり、電極膜厚
hをパラメータにとり2%λ、5%λ、8%λに設定し
た場合である。この図から、グレーティング反射器のス
トップバンド幅を与えるモード間結合係数κ'12は、ラ
イン占有率ηrのある値で極大値をとり、膜厚hが厚く
なるほど極大値も大きくなることが分かる。
LiTaO3基板上に、アルミニウムAlを主成分と
したIDT電極を設け、その電極を短絡した場合に形成
されるストップバンドの上端の周波数fUと、下端との
周波数fLとの差から求められるモード間結合係数κ'12
と、ライン占有率との関係を示した図であり、電極膜厚
hをパラメータにとり2%λ、5%λ、8%λに設定し
た場合である。この図から、グレーティング反射器のス
トップバンド幅を与えるモード間結合係数κ'12は、ラ
イン占有率ηrのある値で極大値をとり、膜厚hが厚く
なるほど極大値も大きくなることが分かる。
【0012】なお、モード間結合係数κ'12は弾性表面
波の解析に用いられるモード結合理論のパラメータの1
つで、電極指一本の反射係数Γと、 κ'12=Γ/(−jπ) の関係にあり、電極指一本当たりの反射量を表してい
る。IDT電極を短絡したのモード間結合係数κ'
12と、グレーティング反射器のモード間結合係数κ'12
とは、それぞれのライン占有率ηi、ηrが同じ値、即ち
ηi=ηrならば同一の値となる。
波の解析に用いられるモード結合理論のパラメータの1
つで、電極指一本の反射係数Γと、 κ'12=Γ/(−jπ) の関係にあり、電極指一本当たりの反射量を表してい
る。IDT電極を短絡したのモード間結合係数κ'
12と、グレーティング反射器のモード間結合係数κ'12
とは、それぞれのライン占有率ηi、ηrが同じ値、即ち
ηi=ηrならば同一の値となる。
【0013】また、モード間結合係数κ'12の2倍、即
ち2×κ'12はIDT電極あるいはグレーティング反射
器が形成するストップバンド幅であり、共振器型SAW
フィルタを構成する場合にはその通過域比帯域幅の最大
値を表す。図2に基づいて放射コンダクタンスG’を大
きくすべくIDT電極のライン占有率ηiを大きくし、
それと等しくなるようにグレーティング反射器のライン
占有率ηrを大きくすると、図3から明らかなように、
反射率はライン占有率ηrに対して上に凸の曲線である
ため、最大値を取り得るとは限らない。従って、反射率
の低下のため、必要な帯域幅を確保できない場合があ
る。
ち2×κ'12はIDT電極あるいはグレーティング反射
器が形成するストップバンド幅であり、共振器型SAW
フィルタを構成する場合にはその通過域比帯域幅の最大
値を表す。図2に基づいて放射コンダクタンスG’を大
きくすべくIDT電極のライン占有率ηiを大きくし、
それと等しくなるようにグレーティング反射器のライン
占有率ηrを大きくすると、図3から明らかなように、
反射率はライン占有率ηrに対して上に凸の曲線である
ため、最大値を取り得るとは限らない。従って、反射率
の低下のため、必要な帯域幅を確保できない場合があ
る。
【0014】この点を解決するために、グレーティング
反射器のライン占有率ηrをIDT電極のライン占有率
ηiより小さくし、図3に基づいて反射率が大きく、望
ましくは最大値になるように設定すると共に、IDT電
極のライン占有率ηiは、放射コンダクタンスG’が十
分に大きくなり、RFフィルタの終端インピーダンスが
ほぼ50Ωとなるように、図2に基づいて設定する。さ
らに詳しく説明すると、初めに基板材料とその切断角度
を決めると電気機械結合係数が得られ、中心周波数より
IDT電極、グレーティング反射器のピッチが決まる。
次に、所望の伝送特性を得るべくIDT電極の対数N、
グレーティング反射器の本数M等を設定する。IDT電
極の対数N、交差長w、ライン占有率η i等からフィル
タのインピーダンスZが得られるので、1GHz帯のフ
ィルタのオーミックロスを減ずるため、交差長wを短く
する。更に、インピーダンスZの値がほぼ50Ωとなる
ように、図2に基づいてライン占有率ηiを設定する。
そして最後にグレーティング反射器のライン占有率ηr
を図3に基づき通過帯域幅を十分にカバーするように設
定する。以上のようにIDT電極のライン占有率ηiと
グレーティング反射器のライン占有率ηrとをそれぞれ
設定することで、IDT電極の放射コンダクタンスG’
を所望の値に設定すると共に、グレーティング反射器の
反射量が大きくなるため、RFフィルタの低損失化とほ
ぼ50Ω終端とを同時に満たすことができるようになっ
た。
反射器のライン占有率ηrをIDT電極のライン占有率
ηiより小さくし、図3に基づいて反射率が大きく、望
ましくは最大値になるように設定すると共に、IDT電
極のライン占有率ηiは、放射コンダクタンスG’が十
分に大きくなり、RFフィルタの終端インピーダンスが
ほぼ50Ωとなるように、図2に基づいて設定する。さ
らに詳しく説明すると、初めに基板材料とその切断角度
を決めると電気機械結合係数が得られ、中心周波数より
IDT電極、グレーティング反射器のピッチが決まる。
次に、所望の伝送特性を得るべくIDT電極の対数N、
グレーティング反射器の本数M等を設定する。IDT電
極の対数N、交差長w、ライン占有率η i等からフィル
タのインピーダンスZが得られるので、1GHz帯のフ
ィルタのオーミックロスを減ずるため、交差長wを短く
する。更に、インピーダンスZの値がほぼ50Ωとなる
ように、図2に基づいてライン占有率ηiを設定する。
そして最後にグレーティング反射器のライン占有率ηr
を図3に基づき通過帯域幅を十分にカバーするように設
定する。以上のようにIDT電極のライン占有率ηiと
グレーティング反射器のライン占有率ηrとをそれぞれ
設定することで、IDT電極の放射コンダクタンスG’
を所望の値に設定すると共に、グレーティング反射器の
反射量が大きくなるため、RFフィルタの低損失化とほ
ぼ50Ω終端とを同時に満たすことができるようになっ
た。
【0015】なお、グレーティング反射器の電極膜厚h
を厚くすることにより、反射量を大きくすることも可能
であるが、電極膜厚hを厚くするとバルク放射損の増加
を来すという他の問題が生ずるので、必要以上に電極膜
厚hを厚くすることはできない。
を厚くすることにより、反射量を大きくすることも可能
であるが、電極膜厚hを厚くするとバルク放射損の増加
を来すという他の問題が生ずるので、必要以上に電極膜
厚hを厚くすることはできない。
【0016】また、実際には、IDT電極にもある程度
の反射量が必要であるため、ライン占有率ηiを必要以
上に大きくすることには制限がある。更に、ライン占有
率ηiを大きくすると、隣接する電極指間の間隔が狭く
なるため電極指間に生じる静電容量が増加し、その結果
インピーダンス整合に支障が生ずる場合もあるため、ラ
イン占有率ηiを大きくすることはインピーダンスマッ
チングの点からも制限がある。従って、RFフィルタを
設計する際には、まず低損失になるようにIDT電極及
びグレーティング反射器のライン占有率ηi、ηrを決定
してから、RFフィルタの終端インピーダンスが50Ω
となるように、図2の放射コンダクタンスG’に基づ
き、交差長wを調整することになる。これにより従来の
構成よりも確実に交差長wが短くなり、電極指による抵
抗損を減らすことが出来る。この抵抗損の低減にはID
T電極の電極指幅を出来るだけ広くした効果も含まれて
いることは云うまでもない。
の反射量が必要であるため、ライン占有率ηiを必要以
上に大きくすることには制限がある。更に、ライン占有
率ηiを大きくすると、隣接する電極指間の間隔が狭く
なるため電極指間に生じる静電容量が増加し、その結果
インピーダンス整合に支障が生ずる場合もあるため、ラ
イン占有率ηiを大きくすることはインピーダンスマッ
チングの点からも制限がある。従って、RFフィルタを
設計する際には、まず低損失になるようにIDT電極及
びグレーティング反射器のライン占有率ηi、ηrを決定
してから、RFフィルタの終端インピーダンスが50Ω
となるように、図2の放射コンダクタンスG’に基づ
き、交差長wを調整することになる。これにより従来の
構成よりも確実に交差長wが短くなり、電極指による抵
抗損を減らすことが出来る。この抵抗損の低減にはID
T電極の電極指幅を出来るだけ広くした効果も含まれて
いることは云うまでもない。
【0017】以上、本発明に係る発明を1次−2次縦結
合二重モードSAWを例として説明したが、本発明はこ
れのみに限るものではなく、他の共振器結合SAWフィ
ルタに適用できることは説明するまでもない。また、圧
電材料として36゜Y−X LiTaO3基板上にアル
ミニウムAlを主成分とする材料を用いて構成した共振
器型SAWフィルタに適用した例を説明したが、他の圧
電基板、例えばニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ラ
ンガサイト等の圧電基板に本発明が適用できることは云
うまでもない。
合二重モードSAWを例として説明したが、本発明はこ
れのみに限るものではなく、他の共振器結合SAWフィ
ルタに適用できることは説明するまでもない。また、圧
電材料として36゜Y−X LiTaO3基板上にアル
ミニウムAlを主成分とする材料を用いて構成した共振
器型SAWフィルタに適用した例を説明したが、他の圧
電基板、例えばニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ラ
ンガサイト等の圧電基板に本発明が適用できることは云
うまでもない。
【0018】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、低損失なギガヘルツ帯共振器型SAWフィルタを
構成することが可能となり、このSAWフィルタを無線
通信機器に用いれば高性能な通信機が構成できるという
著しい効果を発揮する。
ので、低損失なギガヘルツ帯共振器型SAWフィルタを
構成することが可能となり、このSAWフィルタを無線
通信機器に用いれば高性能な通信機が構成できるという
著しい効果を発揮する。
【図1】本発明に係るSAWデバイスの構成を示す平面
図でる。
図でる。
【図2】ライン占有率ηiとコンダクタンスGとの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図3】ライン占有率ηと反射率との関係を示す図であ
る。
る。
【図4】従来のSAWデバイスの構成を示す図である。
【図5】IDT電極をアドミッタンス表示した場合の電
気的等価回路である。
気的等価回路である。
1・・圧電基板 3・・IDT電極 4a、4b・・グレーティング反射器 Li・・IDT電極の電極指幅 Si・・IDT電極のスペース Lr・・グレーティング反射器の電極指幅 Sr・・グレーティング反射器のスペース IN、OUT・・入出力端子 G・・放射コンダクタンス N・・IDT電極対数 w・・交差長 ηi・・IDT電極のライン占有率 ηr・・グレーティング反射器のライン占有率 h・・電極膜厚
Claims (2)
- 【請求項1】 圧電基板上に複数のIDT電極と複数の
反射器とを配置して構成する共振器型SAWフィルタに
おいて、IDT電極のライン占有率を反射器のライン占
有率より大きくしたことを特徴とする共振器型SAWフ
ィルタ。 - 【請求項2】 圧電基板上に複数のIDT電極と複数の
反射器とを配置して構成する共振器型SAWフィルタに
おいて、IDT電極のライン占有率を反射器のライン占
有率より大きくし、前記共振器型SAWフィルタの挿入
損失を小さくすると共に終端インピーダンスをほぼ50
Ωとしたことを特徴とする共振器型SAWフィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17087698A JP2000013174A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 共振器型sawフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17087698A JP2000013174A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 共振器型sawフィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000013174A true JP2000013174A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15912960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17087698A Pending JP2000013174A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 共振器型sawフィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000013174A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046370A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 縦結合二重モードsawフィルタ |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP17087698A patent/JP2000013174A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046370A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 縦結合二重モードsawフィルタ |
JP4710186B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2011-06-29 | エプソントヨコム株式会社 | 縦結合二重モードsawフィルタ |
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