HU214659B - Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére - Google Patents

Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére Download PDF

Info

Publication number
HU214659B
HU214659B HU9302398A HU9302398A HU214659B HU 214659 B HU214659 B HU 214659B HU 9302398 A HU9302398 A HU 9302398A HU 9302398 A HU9302398 A HU 9302398A HU 214659 B HU214659 B HU 214659B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
function
layer
mirror
dielectric
dielectric mirror
Prior art date
Application number
HU9302398A
Other languages
English (en)
Other versions
HU9302398D0 (en
HUT69814A (en
Inventor
Róbert Szipőcs
Ferenc Krausz
Original Assignee
Szilárdtestfizikai Kutatóintézet
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Szilárdtestfizikai Kutatóintézet filed Critical Szilárdtestfizikai Kutatóintézet
Priority to HU9302398A priority Critical patent/HU214659B/hu
Publication of HU9302398D0 publication Critical patent/HU9302398D0/hu
Priority to US08/289,086 priority patent/US5734503A/en
Publication of HUT69814A publication Critical patent/HUT69814A/hu
Publication of HU214659B publication Critical patent/HU214659B/hu

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/0883Mirrors with a refractive index gradient
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/0891Ultraviolet [UV] mirrors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/08Generation of pulses with special temporal shape or frequency spectrum
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S359/00Optical: systems and elements
    • Y10S359/90Methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

A találmány dielektrikűmtükör, amelynek az elektrőmágneses hűllámőkravőnatkőzó nagy visszaverőképességű hűllámhőssz-tartőmánya van, ésamely tükör egy hőrdőzó sík felületén egymásra rétegze t, a felületnőrmálisának irányában (x) váltőzó törésműtatójú (n) rétegrendszerttartalmaz. A találmány szerinti tükör rétegrendszerében a törésműtató(n) nőrmális irányú (x) váltőzása az n(x) = c exp[ exp {i(ř(k)–kx)} dk] függvény vagy az azt közelítő, rétegvastagságőnként kőnstans értékűlépcsős függvény szerint van kialakítva, ahől c egy valós kőnstans; ia képzetes egység; k a hűllámszám; r(k) a kőmplex am litúdóreflexiófüggvény; és ř(k) = arg r(k) a létrehőzandó fázis másődfőkú tagőt legalább tartalmazófüggvénye. A rétegrendszerben a t(k) csőpőrtkésl ltetés hűllámszámszerinti függvénye lineáris jellegű a tükör nagy visszaverőképességűtartőmányának legalább a felét meghaladó részén. A tükörtervezésieljárásban az első lépésben egy p számú különböző frekvenciánakmegfelelő pőntban adőtt t(ki) csőpőrtkésleltetés célfüggvénynekmegfelelő kiindűlási dielektrikűms erkezetet vesznek fel intűitívmódőn vagy a vékőnyréteg szerkezetek Főűrier-transzfőrmációstűlajdőnságán alapűló direkt módőn. A következő lépésben a kiindűlásidielektrikűmszerkezeten számítógépes ptimalizálást hajtanak végre at(ki) csőpőrtkésleltetés célfüggvény pőntőktól való eltérést jelentőhibafüggvény és a dielektrikűmtükör reflexiójának amplitúdójáravőnatkőzó hibaf ggvény együttes minimalizálásával. ŕ

Description

A találmány tárgya olyan dielektrikumtükör, amelynek az elektromágneses hullámokra vonatkozó nagy visszaverőképességű hullámhossztartománya van, és amely tükör egy hordozó sík felületén egymásra rétegzett, a felület normálisának irányában változó törésmutatójú rétegrendszert tartalmaz.
Mint ismeretes, a passzívan módusszinkronizált ultrarövid impulzusú, más szóval femtomásodperces lézerek működésénél meghatározó szerepet játszanak a lézerrezonátoron belül elhelyezett optikai elemek diszperziós tulajdonságai (R. L. Fork és társai, J. Quantum Electronics QE-19, 500. oldal, [1983]). A lézerrezonátoron belül elhelyezett, Brewster- szögnél alkalmazott prizmapárok negatív csoportkésleltetés diszperziója a pozitív anyagi (például üveg) diszperzióval kombinálva napjainkig megbízható, általános megoldást adott a lézerrezonátoron belüli diszperzió pontos beállítására (R.
L. Fork és társa, Optics Letters 9, 150. oldal, [1984]). A femtomásodperces szilárdtestlézerekben az impulzusok kialakulása lézeraktív közegben létrejövő önfázismoduláció miatt a rezonátoron belüli eredően negatív azaz anomális - csoportkésleltetés diszperzión alapul (szolitonszerű impulzusformálódás), ezért e lézerekben a prizmapárok alapvető fontosságú alkotóelemekké váltak.
A prizmapárt tartalmazó femtomásodperces szilárdtestlézerek hátrányos tulajdonsága, hogy a csoportkésleltetés diszperzió (GDD) erősen függ a hullámhossztól. E lézerekben ez az, alapvetően az alkalmazott prizmapároktól származó hullámhossz- (vagy frekvencia-) függés korlátozza az elérhető minimális impulzushosszat (F. Krausz és társai, J Quantum Elektromos QE-28, 2097. oldal, [1992]).
A lézerrezonátort alkotó dielektrikumtükrök diszperziós tulajdonságait nem sokkal az első femtomásodperces festéklézerek megjelenése után mind elméletileg (S. De Silvestri és társai, Optics Letters 9, 335. oldal, [1984]), mind kísérletileg (A. M. Weiner és társai, Optics Letters 10, 71. oldal, [1985]) vizsgálták. Felmerült annak gondolata is, hogy a dielektrikumtükrök diszperziós tulajdonságát mint impulzusformáló tényezőt alkalmazzák, és olyan rövidimpulzusú lézerrezonátort építsenek, amely állítható diszperzív elemként csak dielektrikumtükröket tartalmaz (J. Heppner és társa, Applied Physics Letters 47, 453 [1985/; M. Yamashita és társai, J. Quantum Electronics QE-23, 2005. oldal, [1987]). Ezeknél a megoldásoknál azonban a frekvenciától függő csoportkésleltetés a dielektrikumszerkezetekben kialakuló Fabry-Perot-szerű rezonanciákon alapult (dielektrikum Gires-Toumois interferométer, illetve két negyedhullámú tükörből megfelelően összerakott kombinált dielektrikumtükör), melynek következtében a csoportkésleltetés diszperziója még a prizmapámál is erősebben változott a hullámhossz függvényében, így ezek a megoldások el sem terjedtek a femtomásodperces lézertechnikában.
A találmánnyal célunk az volt, hogy az ultrarövid impulzusú szilárdtestlézerekben a csoportkésleltetés diszperzió hullámhosszfüggését lecsökkentsük, és a prizmapár elhagyásával a rezonátor konfigurációt egyszerűbbé, megbízhatóbbá tegyük.
Találmányunk célkitűzése közelebbről olyan diszperzív tulajdonságú dielektrikumtükör kialakítása volt, amely fény vagy egyéb elektromágneses impulzusokon visszaverődéskor a frekvenciától adott, praktikusan közel lineáris, monoton függvény szerint függő csoportkésleltetést hoz létre széles, a dielektrikumtükör nagy visszaverőképességű (R>99%) frekvenciatartományának jelentős, legalább a felét meghaladó részén. A találmány szerinti dielektrikumtükör így alkalmazható az ultrarövid impulzusú lézertechnikában és ennek alkalmazásaiban, tágabb értelemben az elektromágneses, a mikrohullámú és ennél nagyobb frekvenciájú impulzustechnikában.
A találmányhoz az a felismerés vezetett, hogy ennek megfelelően a lézerrezonátorok egyébként is szerves részét képező dielektrikumtükrök diszperziós tulajdonságait megfelelő tervezési eljárás segítségével úgy alakítsuk ki, hogy a hullámhossztól (frekvenciától) függő csoportkésleltetésük éppen a femtomásodperces szilárdtestlézerek működéséhez szükséges, a hullámhossztól csak kismértékben függő negatív csoportkésleltetés diszperziót vigye be a rendszerbe. Ezáltal az impulzusok időbeli szétcsúszása kompenzálható, elkerülhető. További felismerésünk volt, hogy milyen változó törésmutató-profilú dielektrikumtükör az, amely erre alkalmas. Végül felismertük, hogy ezen ideálisnak nevezhető profil lépcsős függvénnyel - homogén törésmutatójú rétegekkel - való közelítése is meglepően jó eredményt ad.
Ezen felismerés realitását megalapozza, hogy a dielektrikumtükrökben stacionárius körülmények között felépülő, adott frekvenciához tartozó állóhullámú elektromágneses tér integrális nagysága és az ugyanahhoz a frekvenciához, mint középfrekvenciához tartozó csoportkésleltetés között egyértelmű, arányos kapcsolat áll fenn (K. Ferencz, R. Szipőcs, Optical Engineering októberi száma [1993]). Megfelelő tervezési eljárással konstruálható olyan diszperzív dielektrikumtükör, melyben széles frekvenciatartományon az elektromágneses hullám behatolási mélysége, így az elektromágneses tér integrális nagysága, és így a csoportkésleltetés is a frekvencia monoton, közel lineáris függvénye.
Felismerésünkkel összhangban találmányunk általános megoldása a bevezetőben definiált tükrökre vonatkozóan az, hogy a rétegrendszerben a törésmutató normális irányú változása n(x) = c exp [pY^ exp {i(0(k)-kx)} dk] (I) —«Ο függvény szerinti vagy az azt közelítő, rétegvastagságonként konstans értékű lépcsős függvény szerinti. A képletben c egy valós konstans, i a képzetes egység, k a hullámszám, r(k) a komplex amplitúdó-reflexió függvény, és <j>(k)=arg r(k) a létrehozandó fázis másodfokú tagot legalább tartalmazó függvénye. Ekkor a rétegrendszerre a k hullámszám szerinti x(k) csoportkésleltetés függvény lineáris jellegű.
A tervezési eljárás két fő lépésből áll: az első lépésben egy p számú különböző frekvenciának megfe2
HU 214 659 Β lelő pontban adott τ(1ς) csoportkésleltetés célfüggvénynek megfelelő kiindulási dielektrikumszerkezetet veszünk fel intuitív módon vagy a vékonyréteg-szerkezetek Fourier-transzformációs tulajdonságán alapuló direkt módon. A következő lépésben találmányunk szerint a kiindulási dielektrikumszerkezeten számítógépes optimalizálást hajtunk végre a t(k;) csoportkésleltetés célfüggvény pontjaitól való eltérést jellemző hibafüggvény és a dielektrikumtükör reflexiójának amplitúdójára vonatkozó hibafüggvény együttes minimalizálásával.
A kiindulási dielektrikumtükör megkonstruálása történhet direkt módon a dielektrikum vékonyrétegrendszerek Fourier-transzformációs tulajdonságát alapul véve (L. Sossi, Easti NVS Tead. Akad. Tóim. fuss. Mát. 25, 171. oldal, [1976]) vagy intuitív módon, például a dielektrikumrétegek vastagságát algebrai vagy geometriai sor szerint megfelelően megválasztva. Az optimalizálási eljáráshoz különféle numerikus módszerek alkalmazhatóak (lásd például J. A. Dobrowolski és társa, Applied Optics 29, 2876. oldal, [1988]), egy fontos megkötéssel: a hibafuggvénynek tartalmaznia kell a négyzetes (vagy abszolút) eltérést mind a specifikált amplitúdótól, mind a specifikált fázistól, illetve így a csoportkésleltetésre jellemző függvénytől.
A találmányt egy kiviteli példa kapcsán, rajzok alapján ismertetjük közelebbről. A mellékelt rajzok a következők.
1. ábra: egy adott diszperzív dielektrikumtükör törésmutató-profilját mutatja.
2. ábra: az 1. ábrán szereplő törésmutató-profilra számolt, a rétegrendszerben kialakuló térerősség eloszlását szemlélteti a hullámhossz függvényében.
3. ábra: az 1. ábrának megfelelő, gyakorlatban megvalósított diszperzív dielektrikumtükör mért és számított csoportkésleltetési függvényét mutatja.
A következőkben a konkrét megvalósítást illusztráló, és technológiailag az egyik legegyszerűbben elkészíthető példa kedvéért bemutatjuk a találmányunk szerinti diszperzív dielektrikumtükör egy Ti:zafír lézerhez használatos kiviteli alakját.
Az adott dielektrikumtükör TiO2 és SiO2 egymással váltakozó rétegeiből áll, amelyeket vákuumpárologtatással egymás után vittünk fel egy üveg hordozó síkra polírozott felületére.
Az 1. ábra a vékonyréteg-struktúra lépcsős függvényként változó n törésmutatójának profilját mutatja az x optikai vastagság függvényében, mégpedig a hordozóra merőleges, azaz annak normálisa irányában mutatkozó változást.
A rétegszerkezet tervezése során a szakemberek körében jól ismert Fourier-transzformációs eljárás segítségével vettünk fel egy kiindulási rétegelrendezést. Esetünkben a SiO2 törésmutatója nL=l,45, a TiO2 törésmutatója nH=2,31 volt. Ezután a kiindulási dielektrikumszerkezeten számítógépes optimalizálást hajtottunk végre az elérendő T(k;) csoportkésleltetés célfüggvény pontjaitól való eltérést jelentő hibafuggvény és a dielektrikumtükör reflexiójának amplitúdójára vonatkozó hibafüggvény együttes minimalizálásával. A célfüggvényt itt az említett lézer mérhető csoportkésleltetés diszperziójából számítottuk, annak kompenzálása céljából.
A következő táblázat oszlopaiban a 42 rétegre numerikus eljárással kapott eredményeket, az egymás utáni rétegvastagság-adatokat mutatjuk be (pm egységekben), ahol a SiO2 negyedhullámú réteget L-lel, míg a TiO2 negyedhullámú réteget H-val jelöltük.
1. táblázat
Hordozó
0,8746 L 1,3090 L 1,0344 L
1,1360 H 0,6899 H 1,0867 H
1,5804 L 1.3003 L 0,6247 L
0,9773 H 1,2912 H 0,6587 H
1,1753 L 0,6874 L 0,8736 L
1,4465 H 1,2995 H 1,1185 H
0,7483 L 0,8073 L 0,6232 L
0,9600 H 1,0661 H 1,2079 H
1,5724 L 1,2475 L 0,6283 L
0,8492 H 0,6651 H 0,4309 H
0,7299 L 0,8142 L 0,9267 L
0,8378 H 0,9649 H 1,0710 H
1,4494 L 1,3478 L 0,7758 L
0,8468 H 0,8796 H 0,1600H
Levegő
A referencia-hullámhosszat a kérdéses lézernek megfelelően 790 nm-re választottuk. Az 1. ábrán látható tükröt alkotó rétegek vastagsága a hordozó, az optikai vastagság irányában átlagban fokozatosan nő.
A 2. ábra az E elektromos térerő E2 négyzetének eloszlását mutatja az x optikai vastagság és az L hullámhossz függvényében. Az ábrázolt eredményeket számítógépes modellezéssel kaptuk. Megfigyelhető, hogy az elektromágneses hullámok behatolási mélysége az L-es hullámhosszal közel lineárisan nő, ami széles, körülbelül 80 THz frekvenciatartományra lényegében állandó negatív csoportkésleltetés diszperziót biztosít. Szintén jól látható, hogy a tükörnek 700 és 900 nm között nagy visszaverő-képességű hullámhossz-tartománya van, mivel a térerő a hordozó felületénél, azaz az x=0 optikai vastagságnál lényegében nullává csökken.
A rétegrendszerben a törésmutató (n) normális irányú (x) változását találmányunk értelmében alapvetően itt is a következő jó közelítést adó egyenlet írja le:
n(x) = c exp exp {i(0(k)-kx)} dk] (I)
Mivel azonban az n(x) függvény folytonos, amit technológiailag nehéz megvalósítani, így közelítő, rétegvastagságonként konstans értékű lépcsős függvény szerint alakítottuk ki n(x) lehető legjobb közelítését. Megjegyezzük, hogy a folytonos profil esetén a réteg3
HU 214 659 Β rendszer egyetlen rétegből is állhat, azonban ez a technika jelenlegi állása szerint más, gyakorlati akadályokba ütközik. A fenti képletben c egy valós konstans; i a képzetes egység; k a hullámszám; r(k) a komplex amplitúdó-reflexió függvény. A 0(k)=arg (r(k)) fázis egy másodfokú tagot legalább tartalmazó függvény. A másodfokú tag előjele határozza meg, hogy a diszperzió negatív vagy pozitív.
A 3. ábrán a számított (folytonos vonallal ábrázolt) és a mért (kis négyzetekkel jelölt) τ csoportkésleltetés látható az L hullámhossz függvényében. Megállapíthatjuk, hogy a rétegrendszerben a t(k) csoportkésleltetés k hullámszám szerinti függvénye lényegét tekintve lineáris jellegű.
A találmányunk szerinti dielektrikumtükrök csoportkésleltetés diszperziójuk révén, amely a természetes eredetű csoportkésleltetés diszperzióval szemben lehet negatív előjelű is, jól alkalmazhatók femtomásodperces impulzushosszú szilárdtestlézerekben. Itt a rezonátorban régebben szokásosan alkalmazott prizmapárokat lehet általuk kiváltani, így a rezonátor felépítése a prizmapár elhagyásával egyszerűbbé tehető, mérete csökkenthető, működése megbízhatóbbá tehető.
A fenti tükröt az említett lézerbe építettük be, az a tükrökön kívül más szélessávú diszperzív elemet nem tartalmazott. Méréseink szerint a lézer 9 fs-os impulzusokat állított elő, amely jelenleg a világon előállított legrövidebb fényimpulzus. Az impulzusidőt a diszperziós tükör révén sikerült így leszorítani.
Igen jelentős lehet a találmányunk szerinti dielektrikumtükrök lézererősítő rendszerekben való használata, ahol kisugárzott impulzusokat szét kell húzni (stretching), majd ennek inverzeként össze kell nyomni (compressing). Erre megfelelő, egymáshoz képest inverz diszperziós karakterisztikájú tükörpárt lehet használni.
A találmányunk szerinti diszperzív dielektrikumtükrök a mikrohullámok alsó frekvenciatartományától egészen a röntgensugárzás felső végéig jól realizálható eszközt nyújtanak az elektromágneses impulzustechnikában.

Claims (4)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Dielektrikumtükör, amelynek az elektromágneses hullámokra vonatkozó nagy visszaverő-képességű hullámhossz-tartománya van, és amely tükör egy hordozó sík felületén egymásra rétegezett, a felület normálisának irányában változó törésmutatójú rétegrendszert tartalmaz, azzal jellemezve, hogy a rétegrendszerben a törésmutató (n) normális irányú (x) változása az függvény vagy az azt közelítő, rétegvastagságonként konstans értékű lépcsős függvény szerint van kialakítva, ahol c egy valós konstans; i a képzetes egység; k a hullámszám; r(k) a komplex amplitúdóreflexió függvény; és <{>(k)=arg r(k) a létrehozandó fázis másodfokú tagot legalább tartalmazó függvénye; továbbá a rétegrendszeiben a t(k) csoportkésleltetés hullámszám (k) szerinti függvénye lineáris jellegű a tükör nagy visszaverő-képességű hullámhossz-tartományának legalább a felét meghaladó részén.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti dielektrikumtükör, azzal jellemezve, hogy a törésmutató (n) normális irányú (x) változása kétértékű lépcsős függvény, ahol egy-egy lépcsőnek egy-egy adott homogén törésmutatójú (n) réteg felel meg.
  3. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti dielektrikumtükör, azzal jellemezve, hogy a x(k) csoportkésleltetés hullámszám (k) szerinti függvénye monoton csökkenő lineáris függvény.
  4. 4. Eljárás az előző igénypontok bármelyike szerinti dielektrikumtükör tervezésére, amelyben az első lépésben egy p számú különböző frekvenciának megfelelő pontban adott x(kj) csoportkésleltetés célfüggvénynek megfelelő kiindulási dielektrikumszerkezetet veszünk fel intuitív módon vagy a vékonyréteg-szerkezetek Fourier-transzformációs tulajdonságán alapuló direkt módon, azzal jellemezve, hogy a következő lépésben a kiindulási dielektrikumszerkezeten számítógépes optimalizálást hajtunk végre a x(kj) csoportkésleltetés célfüggvény pontjaitól való eltérést jelentő hibafuggvény és a dielektrikumtükör reflexiójának amplitúdójára vonatkozó hibafüggvény együttes minimalizálásával.
HU9302398A 1993-08-23 1993-08-23 Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére HU214659B (hu)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HU9302398A HU214659B (hu) 1993-08-23 1993-08-23 Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére
US08/289,086 US5734503A (en) 1993-08-23 1994-08-11 Dispersive dielectric mirror

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HU9302398A HU214659B (hu) 1993-08-23 1993-08-23 Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére

Publications (3)

Publication Number Publication Date
HU9302398D0 HU9302398D0 (en) 1993-12-28
HUT69814A HUT69814A (en) 1995-09-28
HU214659B true HU214659B (hu) 1998-04-28

Family

ID=10983909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9302398A HU214659B (hu) 1993-08-23 1993-08-23 Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5734503A (hu)
HU (1) HU214659B (hu)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5912915A (en) * 1997-05-19 1999-06-15 Coherent, Inc. Ultrafast laser with multiply-folded resonant cavity
WO1999036811A1 (en) * 1998-01-15 1999-07-22 Ciena Corporation Optical interference filter
US6301049B1 (en) 1998-05-18 2001-10-09 Spectra Physics Lasers, Inc. Double chirped mirror
US6222673B1 (en) * 1998-08-18 2001-04-24 Coherent, Inc. Group-delay-dispersive multilayer-mirror structures and method for designing same
US6081379A (en) * 1998-10-28 2000-06-27 Coherent, Inc. Multiple coupled Gires-Tournois interferometers for group-delay-dispersion control
AT410732B (de) * 1999-07-07 2003-07-25 Femtolasers Produktions Gmbh Dispersiver mehrschichtiger spiegel
US6256434B1 (en) 1999-07-13 2001-07-03 Time-Bandwidth Products Ag Method and dielectric and/or semiconductor device for influencing the dispersion of electromagnetic radiation
AT409905B (de) 1999-12-09 2002-12-27 Femtolasers Produktions Gmbh Mehrschichtiger spiegel zur herbeiführung einer vorgegebenen gruppenverzögerungsdispersion
FR2802352B1 (fr) * 1999-12-10 2002-09-06 Thomson Csf Dispositif de compression pour impulsion lumineuse
JP2005236336A (ja) * 2000-10-13 2005-09-02 Oyokoden Lab Co Ltd 複合型の光分散補償素子および光分散補償方法
JP4824855B2 (ja) * 2000-10-31 2011-11-30 浜松ホトニクス株式会社 空間光変調器および光パルス波形制御装置
US6643054B1 (en) 2001-01-22 2003-11-04 Carl-Zeiss-Stiftung Beam deflector, switching system comprising beam deflectors as well as method for selectively coupling terminals for optical signals
US8208505B2 (en) 2001-01-30 2012-06-26 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser system employing harmonic generation
US7583710B2 (en) * 2001-01-30 2009-09-01 Board Of Trustees Operating Michigan State University Laser and environmental monitoring system
US7450618B2 (en) * 2001-01-30 2008-11-11 Board Of Trustees Operating Michigan State University Laser system using ultrashort laser pulses
US7567596B2 (en) * 2001-01-30 2009-07-28 Board Of Trustees Of Michigan State University Control system and apparatus for use with ultra-fast laser
AT410721B (de) * 2001-02-26 2003-07-25 Femtolasers Produktions Gmbh Dispersiver mehrschicht-spiegel
US6865315B2 (en) * 2001-08-29 2005-03-08 Jds Uniphase Corporation Dispersion compensating filters
US6728038B2 (en) 2001-08-29 2004-04-27 Jds Uniphase Corporation Low chromatic dispersion filter for WDM
US6678082B2 (en) 2001-09-12 2004-01-13 Harris Corporation Electro-optical component including a fluorinated poly(phenylene ether ketone) protective coating and related methods
AT412829B (de) * 2003-11-13 2005-07-25 Femtolasers Produktions Gmbh Kurzpuls-laservorrichtung
US7590156B1 (en) 2004-05-17 2009-09-15 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. High intensity MHz mode-locked laser
AT414285B (de) * 2004-09-28 2006-11-15 Femtolasers Produktions Gmbh Mehrfachreflexions-verzögerungsstrecke für einen laserstrahl sowie resonator bzw. kurzpuls-laservorrichtung mit einer solchen verzögerungsstrecke
EP1851532A1 (en) * 2005-02-14 2007-11-07 Board of Trustees of Michigan State University Ultra-fast laser system
WO2007064703A2 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser based identification of molecular characteristics
JP2009088138A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujinon Corp 負分散ミラーおよび負分散ミラーを備えたモード同期固体レーザ装置
EP2083319B1 (en) 2008-01-25 2013-07-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Intra-cavity generation of pulsed coherent radiation in the UV or XUV wavelength range
US8861075B2 (en) 2009-03-05 2014-10-14 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser amplification system
US8279901B2 (en) * 2010-02-24 2012-10-02 Alcon Lensx, Inc. High power femtosecond laser with adjustable repetition rate and simplified structure
US8953651B2 (en) * 2010-02-24 2015-02-10 Alcon Lensx, Inc. High power femtosecond laser with repetition rate adjustable according to scanning speed
US20110206071A1 (en) * 2010-02-24 2011-08-25 Michael Karavitis Compact High Power Femtosecond Laser with Adjustable Repetition Rate
US9054479B2 (en) * 2010-02-24 2015-06-09 Alcon Lensx, Inc. High power femtosecond laser with adjustable repetition rate
US8630322B2 (en) * 2010-03-01 2014-01-14 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser system for output manipulation
US8908739B2 (en) 2011-12-23 2014-12-09 Alcon Lensx, Inc. Transverse adjustable laser beam restrictor
KR101684426B1 (ko) 2013-03-15 2016-12-08 웨이브라이트 게엠베하 초단 펄스 광의 빔을 스캐닝하기 위한 시스템 및 방법
US9548582B2 (en) 2014-11-26 2017-01-17 Electronics And Telecommunications Research Institute Pulse width stretcher and chirped pulse amplifier including the same
US11431377B1 (en) 2019-09-10 2022-08-30 The Board of Regents for the Oklahoma Agricultural and Mechanical Colleges Methods and tunable apparatuses for dynamic dispersion compensation of wireless terahertz signals
DE102020113631B3 (de) * 2020-05-20 2021-10-21 Helmut-Schmidt-Universität Universität der Bundeswehr Hamburg Vorrichtung zur spektralen Verbreiterung eines Laserimpulses und Lasersystem
US11695249B2 (en) 2020-12-04 2023-07-04 Electronics And Telecommunications Research Institute Femtosecond pulse laser apparatus
CN112666641B (zh) * 2021-01-18 2022-06-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 宽带低色散啁啾镜的设计方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE902191C (de) * 1949-10-29 1954-03-15 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Interferenzfilter mit verminderter Bandenstruktur
US3943457A (en) * 1974-10-16 1976-03-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical pulse compression and shaping system
JP2754214B2 (ja) * 1988-07-12 1998-05-20 工業技術院長 光パルスの周波数チャープ補償が出来る誘電体多層膜

Also Published As

Publication number Publication date
HU9302398D0 (en) 1993-12-28
HUT69814A (en) 1995-09-28
US5734503A (en) 1998-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HU214659B (hu) Diszperzív dielektrikumtükör és eljárás annak tervezésére
Matuschek et al. Analytical design of double-chirped mirrors with custom-tailored dispersion characteristics
Kärtner et al. Ultrabroadband double-chirped mirror pairs for generation of octave spectra
Tempea et al. Dispersion control over 150 THz with chirped dielectric mirrors
Craxton et al. Basic properties of KDP related to the frequency conversion of 1 µm laser radiation
Brovelli et al. Simple analytical expressions for the reflectivity and the penetration depth of a Bragg mirror between arbitrary media
US3637294A (en) Interference filter with alternately designed pairs of dielectric layers
Larciprete et al. Accessing the optical limiting properties of metallo-dielectric photonic band gap structures
JP2002528906A (ja) 多層鏡分散制御
Glass et al. Laser induced damage in optical materials: 7th ASTM symposium
Mironov et al. Highly efficient second-harmonic generation of intense femtosecond pulses with a significant effect of cubic nonlinearity
JPS6315757B2 (hu)
EP0555489B1 (en) Optical mirror and optical device using the same
AU6253100A (en) Dispersive multi-layer mirror
Pervak et al. Synthesis and manufacturing the mirrors for ultrafast optics
Serenyi et al. Directly controlled deposition of antireflection coatings for semiconductor lasers
Chen et al. High-damage-threshold chirped mirrors for next-generation ultrafast, high-power laser systems
EP0497268A2 (en) Organic optical logic device
US5097357A (en) Optical switching system and method
Szipocs et al. Design of dielectric high-reflectors for dispersion control in femtosecond lasers
Edmonds et al. Preparation and properties of SiO antireflection coatings for GaAs injection lasers with external resonators
US10191352B2 (en) Optical component for modulating a light field and applications thereof
Lababidi et al. Implementation of output coupler mirrors for high damage threshold CO2 laser: new technical approach
Pace et al. A simple GRM design for tunable Ti: sapphire lasers
Hodgson et al. The Fabry Perot Resonator