GR1007247B - Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v - Google Patents

Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v

Info

Publication number
GR1007247B
GR1007247B GR20100100237A GR20100100237A GR1007247B GR 1007247 B GR1007247 B GR 1007247B GR 20100100237 A GR20100100237 A GR 20100100237A GR 20100100237 A GR20100100237 A GR 20100100237A GR 1007247 B GR1007247 B GR 1007247B
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
current
reference voltage
circuit
voltage
common core
Prior art date
Application number
GR20100100237A
Other languages
English (en)
Inventor
Μιχαηλ Μπιρμπας
Ιωαννης Κικιδης
Φωτιος Πλεσσας
Αθανασιος Τσιτουρας
Original Assignee
Analogies S.A.,
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analogies S.A., filed Critical Analogies S.A.,
Priority to GR20100100237A priority Critical patent/GR1007247B/el
Publication of GR1007247B publication Critical patent/GR1007247B/el

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

Ολοκληρωμένο κύκλωμα γεννήτριας τάσης αναφοράς, σχεδιασμένο έτσι ώστε να χρησιμοποιείται ως κύκλωμα πόλωσης χαμηλής τροφοδοσίας υπό-IV. Το προτεινόμενο κύκλωμα τάσης αναφοράς αποτελείται από έναν κοινότυπο πυρήνα ενός κλασσικού κυκλώματος "bandgap reference" βασισμένο στη χρήση παρασιτικών διπολικών τρανζίστορ τύπου ρ-η-ρ και σε έναν μετατροπέα τάσης σε ρεύμα, V-I. Ο κοινότυπος πυρήνας παρέχει ρεύμα με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας, ενώ ο μετατροπέας τάσης-ρεύματος μετατρέπει την τάση εκπομπού-βάσης του παρασιτικού διπολικού transistor τύπου ρ-η-ρ του κοινότυπου πυρήνα σε ρεύμα με αρνητικό συντελεστή θερμοκρασίας. Αυτά τα δύο ρεύματα με αντίθετο θερμοκρασιακό συντελεστή προστίθενται κατάλληλα ώστε να παρέχουν συνολικό ρεύμα εξόδου ανεξάρτητο από τις μεταβολές της θερμοκρασίας. Το ρεύμα εξόδου μετατρέπεται γραμμικά σε τάση αναφοράς εξόδου μέσω μιας αντίστασης. Δύο τελεστικοί ενισχυτές χρησιμοποιούνται με στάδιο εξόδου τύπου «από άκρη σε άκρη», ώστε η λειτουργία του κυκλώματος να είναι στιβαρή. Η προτεινόμενη εφεύρεση δύναται να παρέχει ρεύμα ανάλογο της απολύτου θερμοκρασίας (proportional to absolute temperature, PTAT).
GR20100100237A 2010-04-19 2010-04-19 Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v GR1007247B (el)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20100100237A GR1007247B (el) 2010-04-19 2010-04-19 Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20100100237A GR1007247B (el) 2010-04-19 2010-04-19 Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v

Publications (1)

Publication Number Publication Date
GR1007247B true GR1007247B (el) 2011-04-28

Family

ID=43500992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR20100100237A GR1007247B (el) 2010-04-19 2010-04-19 Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v

Country Status (1)

Country Link
GR (1) GR1007247B (el)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102694514A (zh) * 2012-05-29 2012-09-26 上海艾为电子技术有限公司 功放装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0895147A1 (en) * 1997-07-29 1999-02-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Reference voltage generation circuit and reference current generation circuit
US6529066B1 (en) * 2000-02-28 2003-03-04 National Semiconductor Corporation Low voltage band gap circuit and method
US6771055B1 (en) * 2002-10-15 2004-08-03 National Semiconductor Corporation Bandgap using lateral PNPs

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0895147A1 (en) * 1997-07-29 1999-02-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Reference voltage generation circuit and reference current generation circuit
US6529066B1 (en) * 2000-02-28 2003-03-04 National Semiconductor Corporation Low voltage band gap circuit and method
US6771055B1 (en) * 2002-10-15 2004-08-03 National Semiconductor Corporation Bandgap using lateral PNPs

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANNE-JOHAN ANNEMA: "Low-Power Bandgap References Featuring DTMOST's", IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ, USA, vol. 34, no. 7, 1 July 1999 (1999-07-01), XP011061031, ISSN: 0018-9200 *
KLAAS-JAN DE LANGEN ET AL: "Compact Low-Voltage Power-Efficient Operational Amplifier Cells for VLSI", IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ, USA, vol. 33, no. 10, 1 October 1998 (1998-10-01), XP011060825, ISSN: 0018-9200 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102694514A (zh) * 2012-05-29 2012-09-26 上海艾为电子技术有限公司 功放装置
CN102694514B (zh) * 2012-05-29 2015-02-04 上海艾为电子技术有限公司 功放装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9977111B2 (en) Reference voltage temperature coefficient calibration circuit and method
CN105022441B (zh) 一种与温度无关的集成电路电流基准源
WO2011119936A3 (en) Low voltage temperature sensor and use thereof for autonomous multiprobe measurement device
TW200629033A (en) Low voltage bandgap reference (BGR) circuit
ATE475925T1 (de) Spannungsreferenz-elektronikschaltung
CN112859996B (zh) 一种低压高精度带隙基准电路
US9141124B1 (en) Bandgap reference circuit
CN106055002A (zh) 低压输出的带隙基准电路
TW201433899A (zh) 電壓產生器
Tian et al. Silicon carbide fully differential amplifier characterized up to 500° C
TWI554861B (zh) Reference voltage circuit
CN104375545A (zh) 带隙参考电压电路与其电子装置
CN103197722A (zh) 一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路
JP2010224594A (ja) 電圧発生回路
RU2461048C1 (ru) Источник опорного напряжения
CN104977968B (zh) 一种高阶温度补偿的带隙基准电路
CN203870501U (zh) 一种与温度无关的集成电路电流基准源
US20110169551A1 (en) Temperature sensor and method
GR1007247B (el) Ολοκληρωμενο κυκλωμα γεννητριας συνεχους τασης αναφορας με ταση τροφοδοσιας υπο-1v
US20100102795A1 (en) Bandgap voltage reference circuit
Cao et al. A 0.9-V high-PSRR bandgap with self-cascode current mirror
CN101840243A (zh) Cmos带隙基准电压产生电路
CN104820460A (zh) 一种带隙基准电压源电路
Ning et al. A novel high PSR voltage reference with secondary temperature compensation
CN107783586A (zh) 一种无双极晶体管的电压基准源电路

Legal Events

Date Code Title Description
PG Patent granted

Effective date: 20110513