FR3053526A1 - Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique - Google Patents
Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique Download PDFInfo
- Publication number
- FR3053526A1 FR3053526A1 FR1656331A FR1656331A FR3053526A1 FR 3053526 A1 FR3053526 A1 FR 3053526A1 FR 1656331 A FR1656331 A FR 1656331A FR 1656331 A FR1656331 A FR 1656331A FR 3053526 A1 FR3053526 A1 FR 3053526A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- collective
- layer
- electronic
- substrate plate
- graphite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 80
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 55
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 35
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
- H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Procédé de fabrication collective de dispositifs électroniques, comprenant les étapes suivantes: monter des puces électroniques (4) sur une face d'une plaque collective de substrat, étendre et fixer une feuille flexible collective en une matière conductrice de la chaleur comprenant une couche à base de graphite sur une zone collective s'étendant au-dessus des puces et au-dessus de la plaque collective de substrat, entre les puces, comprimer ladite feuille flexible collective, réaliser une découpe pour l'obtention de dispositifs électroniques comprenant une puce, une portion de ladite plaque collective et une portion de ladite feuille flexible collective. Dispositif électronique comprenant une plaque de substrat (2), une puce électronique (4) montée sur la plaque de substrat, et une couche flexible (12) conductrice de la chaleur à base de graphite, la couche flexible étant située sur une zone (11) s'étendant au-dessus de la puce et au-dessus de la plaque, autour de la puce.
Description
Titulaire(s) : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES Etablissement public,STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS, STMICROELECTRONICS SA Société anonyme.
Demande(s) d’extension
Mandataire(s) : CASALONGA & ASSOCIES.
PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE.
FR 3 053 526 - A1 f5// Procédé de fabrication collective de dispositifs électroniques, comprenant les étapes suivantes: monter des puces électroniques (4) sur une face d'une plaque collective de substrat, étendre et fixer une feuille flexible collective en une matière conductrice de la chaleur comprenant une couche à base de graphite sur une zone collective s'étendant au-dessus des puces et au-dessus de la plaque collective de substrat, entre les puces, comprimer ladite feuille flexible collective, réaliser une découpe pour l'obtention de dispositifs électroniques comprenant une puce, une portion de ladite plaque collective et une portion de ladite feuille flexible collective.
Dispositif électronique comprenant une plaque de substrat (2), une puce électronique (4) montée sur la plaque de substrat, et une couche flexible (12) conductrice de la chaleur à base de graphite, la couche flexible étant située sur une zone (11) s'étendant au-dessus de la puce et au-dessus de la plaque, autour de la puce.
i
Procédé de fabrication collective de dispositifs électroniques et dispositif électronique
La présente invention concerne le domaine des dispositifs électroniques incluant des puces électroniques de circuits intégrés.
Certaines puces électroniques produisent, en fonctionnement, de la chaleur qu’il convient d’évacuer. Dans certains cas, cette production de chaleur est locale et engendre une élévation locale et indésirable de la température.
Actuellement, il est connu d’équiper les dispositifs électroniques de plaques métalliques, généralement en cuivre, et d’y adjoindre éventuellement des radiateurs.
Néanmoins, de telles plaques métalliques ne permettent pas d’éviter une élévation locale excessive de la température des puces électroniques car la diffusion de la chaleur se produit essentiellement dans le sens de l’épaisseur des plaques métalliques. De plus, lors de la fabrication, les plaques métalliques sont mises en place individuellement sur les puces électroniques.
La présente invention a pour objet d’améliorer l’évacuation de la chaleur produite en particulier localement par les puces électroniques et de permettre une fabrication collective de dispositifs électroniques.
Selon un mode de réalisation, il est proposé un procédé de fabrication collective de dispositifs électroniques.
Le procédé comprend les étapes suivantes:
a) monter une pluralité de puces électroniques sur une face de montage d’une plaque collective de substrat, à distance les unes des autres et sur des emplacements,
b) étendre une feuille flexible collective comprenant au moins une couche en une matière conductrice de la chaleur, à base de graphite, sur une zone collective s’étendant au-dessus des puces électroniques et au-dessus de la face de montage de la plaque collective de substrat, entre les puces électroniques,
c) comprimer ladite feuille flexible collective en direction de ladite zone collective, et
d) réaliser une découpe pour l’obtention de dispositifs électroniques comprenant respectivement au moins une des puces électroniques, une portion de ladite plaque collective de substrat correspondant à un emplacement et une portion de ladite feuille flexible collective correspondant à cet emplacement.
Le graphite de ladite feuille flexible peut être pyrolytique (PGS).
Le procédé peut comprendre l’étape suivante entre l’étape a) et l’étape b) : réaliser un bloc collectif d’encapsulation remplissant au moins en partie les espaces entre les puces électroniques, ladite zone collective comprenant au moins une partie des faces arrière des puces électroniques et une face arrière dudit bloc collectif d’encapsulation.
Le procédé peut comprendre l’étape suivante entre l’étape a) et l’étape b) réaliser des anneaux d’encapsulation s’étendant respectivement autour des puces électroniques et au-dessus de la face de montage de la plaque de substrat, ladite zone collective comprenant au moins une partie des faces arrière des puces électroniques, au moins une partie des faces arrière desdits anneaux d’encapsulation et au moins une partie de la face de montage de la plaque collective de substrat s’étendant entre lesdits anneaux d’encapsulation.
Le procédé peut comprendre l’étape suivante après l’étape b) ou l’étape c) : réaliser un bloc collectif d’encapsulation au-dessus de ladite feuille flexible.
Le procédé peut comprendre l’étape suivante après l’étape b) ou l’étape c) : réaliser une couche collective de protection sur ladite feuille flexible collective.
Le procédé peut comprendre l’étape suivante entre les étapes a) et b) : réaliser une couche collective de protection au-dessus de ladite zone.
Le procédé peut comprendre l’étape suivante entre les étapes a) et b) : réaliser une couche collective de protection au-dessus de ladite zone.
Ladite feuille flexible collective à étaler peut comprendre la couche à base de graphite et une couche de protection.
Ladite feuille flexible collective à étaler peut comprendre la couche à base de graphite intercalée entre deux couches de protection.
La ou les couches de protection peuvent présenter une dureté supérieure à la dureté de ladite couche à base de graphite.
Le procédé peut comprendre l’étape suivante: fixer ladite feuille flexible collective au-dessus ladite zone collective par l’intermédiaire d’une couche collective de colle.
Il est également proposé un dispositif électronique qui comprend :
une plaque de substrat présentant une face de montage, au moins une puce électronique dont une face avant est montée sur ladite face de montage de la plaque de substrat, et une couche flexible comprenant au moins une couche en une matière conductrice de la chaleur, à base de graphite, la couche flexible étant située sur une zone s’étendant au-dessus d’une face arrière de la puce électronique et au-dessus de ladite face de montage de ladite plaque de substrat, autour de la puce électronique.
Ladite couche flexible peut comprendre une couche en un graphite pyrolytique (PGS).
Une couche de colle peut être interposée entre ladite couche flexible et ladite zone.
Une couche de protection peut être prévue au-dessus de ladite couche à base de graphite.
Une couche de protection peut être prévue au-dessous de ladite couche à base de graphite.
La ou les couches de protection peuvent présenter une dureté supérieure à la dureté de ladite couche à base de graphite.
Le dispositif peut comprendre un bloc d’encapsulation autour de ladite puce électronique et entre la face de montage de ladite plaque de substrat et ladite couche flexible, ladite zone comprenant la face arrière de la puce électronique et une face arrière dudit bloc d’encapsulation.
Le dispositif peut comprendre un anneau d’encapsulation s’étendant autour de la puce électronique et sur la face de montage de la plaque de substrat, ladite zone comprenant la face arrière de la puce électronique, une face arrière dudit anneau d’encapsulation et une partie de la face de montage de la plaque de substrat entourant ledit anneau d’encapsulation.
Le dispositif peut comprendre un bloc d’encapsulation audessus de ladite couche flexible.
Des dispositifs électroniques et des modes de fabrication de ces derniers vont maintenant être décrits à titre d’exemples de réalisation, illustrés par le dessin sur lequel :
- la figure 1 représente un coupe d’un dispositif électronique ;
- les figures 2 à 4 représentent des coupes illustrant un mode de fabrication du dispositif électronique de la figure 1 ;
- la figure 5 représente un coupe d’un autre dispositif électronique ; et
- les figures 6 à 8 représentent des coupes illustrant un mode de fabrication du dispositif électronique de la figure 5.
Comme illustré sur la figure 1, un dispositif électronique 1 comprend une plaque de support 2 en un substrat isolant, incluant un réseau de connexions électriques 3.
Le dispositif électronique 1 comprend une puce électronique de circuits intégrés 4 montée sur la plaque de support 2 par l’intermédiaire d’une pluralité d’éléments de connexion électrique 5 tels que des billes ou des piliers métalliques, interposés entre une face de montage 6 de la plaque de support 2 et une face avant 7 de la puce électronique 4. Les éléments de connexion électrique 5 sont reliés d’une part au réseau de connexions électriques 3 de la plaque de support 2 et d’autre part aux circuits intégrés de la puce électronique
4.
Le dispositif électronique 1 comprend également un bloc intermédiaire d’encapsulation 8, par exemple en une résine époxy, s’étendant sur la face de montage 6 de la plaque de support 2 et entourant la puce électronique 4 jusqu’au bord périphérique de la plaque de support 2.
Selon une variante de réalisation, le bloc d’encapsulation 8 présente une face arrière 9 qui s’étend dans le plan d’une face arrière 10 de la puce électronique 4 opposée à la face avant 7, pour former une zone arrière 11 parallèle à la face de montage 6 de la plaque de substrat 2.
Selon une autre variante de réalisation, le bloc d’encapsulation 8 peut recouvrir la face arrière 10 de la puce électronique 4, de sorte que la zone arrière 11 soit formée uniquement par la face arrière du bloc d’encapsulation 8.
Le dispositif électronique 1 comprend une couche arrière 12 en une matière flexible sous forme d’une feuille, conductrice de la chaleur, qui s’étend sur la zone 11 et qui est fixée sur cette dernière par l’intermédiaire d’une couche fine de colle 13 conductrice de la chaleur. Par exemple, la couche de colle 13 peut être à base de silicone ou de polyimide ou d’époxy et son épaisseur peut être comprise entre un et trente microns. La couche conductrice de la chaleur 12 s’étend jusqu’au bord périphérique du bloc d’encapsulation 8. Dans une variante de réalisation, la couche flexible conductrice 12 pourrait être fixée par compression, sans couche de colle, éventuellement avec interposition d’une feuille fine métallique par exemple en cuivre.
La couche flexible conductrice de la chaleur 12 est à base de graphite. Avantageusement, cette couche 12 comprend un graphite pyrolytique (PGS). Son épaisseur peut être comprise entre cinq microns et un millimètre.
Le dispositif électronique 1 comprend en outre une couche extérieure arrière de protection 14 qui recouvre une face 15 de la couche conductrice de la chaleur 12, tournée vers l’extérieur. La face 15 de la couche 12 est opposée à la face de la couche 12 en contact avec la colle. Cette couche extérieure 14 présente une dureté supérieure à la dureté de la couche conductrice de la chaleur 12, en graphite pyrolytique, et permet ainsi de protéger cette couche 12 à l’encontre de pressions et de chocs. La couche extérieure de protection est par exemple à base de polyimide adhérent sur la feuille flexible et son épaisseur peut être entre cinq et trente microns. Le dispositif électronique 1 se présente sous la forme d’un parallélépipède, à base carrée ou rectangulaire.
Le dispositif électronique 1 comprend en outre des éléments de connexion électrique extérieure 16 placés sur la face extérieure 17 de la plaque de support 2 opposé à sa face de montage 6. Les éléments 16 sont reliés au réseau de connexions électriques 3.
Grâce à la couche conductrice de la chaleur 12 en un graphite pyrolytique, la chaleur produite par la puce électronique 4, généralement localement, diffuse dans cette couche 12 parallèlement à la zone 11 dans toutes les directions, c’est-à-dire perpendiculairement à l’épaisseur de cette couche 12, de sorte que la face 15 tournée vers l’extérieur de la couche conductrice de la chaleur 12 diffuse la chaleur vers l’extérieur de façon quasiment homogène sur toute sa surface. Ainsi, une élévation excessive, localement, de la température de la puce électronique 4 peut être évitée car l’évacuation de la chaleur produite est améliorée.
Le dispositif électronique 1 est issu d’une fabrication collective que l’on va maintenant décrire.
Comme illustré sur la figure 2, on dispose d’une plaque de substrat 2A incluant une pluralité de réseaux de connexions électriques 3, prévus respectivement dans des emplacements adjacents E, par exemple à contours carrés ou rectangulaires, disposés selon une matrice, chaque emplacement E correspondant à un dispositif électronique 1 à réaliser.
On a monté sur une face de montage 6A de la plaque de substrat 2A, dans chacun des emplacements E, une puce électronique 4 par l’intermédiaire d’éléments de connexion électrique 5, ces puces étant à distance les unes des autres.
On a formé, sur la face de montage 6A de la plaque de substrat 2A et dans les espaces séparant les puces électroniques 4, un bloc collectif d’encapsulation 8A, par exemple en une résine époxy. Préalablement, une matière d’encapsulation, également en une résine époxy, peut être injectée entre chacune des puces électroniques 4 et la plaque de substrat 2A.
Selon une variante de réalisation, le bloc collectif d’encapsulation 8A entoure les puces électroniques 4 et présente une face arrière 9A qui s’étend dans le plan des faces arrière 10 des puces électroniques 4, pour former une zone collective arrière plate 11A parallèle à la face de montage 6A de la plaque de substrat 2A.
Selon une autre variante de réalisation, le bloc collectif d’encapsulation 8A peut en outre recouvrir les faces arrière 10 des puces électroniques 4, de sorte que la zone arrière collective 11A soit formée uniquement par la face arrière 9A du bloc d’encapsulation 8A.
Comme illustré sur la figure 3, on a étalé une fine couche collective de colle 13A sur la zone collective arrière 11 A. La couche collective de colle 13A peut être à base de silicone ou de polyimide ou d’époxy et son épaisseur peut être comprise entre cinq et trente microns.
Puis, on a étendu une feuille flexible collective 12A, en graphite pyrolytique, sur la couche collective de colle 13A. L’épaisseur de cette feuille flexible collective 12A peut être comprise entre cinq et deux cents microns.
Ensuite, on a procédé à une chauffe et on a pressé la feuille collective 12A en direction de la zone collective arrière 11 A, grâce à un outil P tel qu’une plaque de presse ou un rouleau, afin d’assurer le collage et de sorte que la feuille flexible collective 12A épouse la topographie de la zone collective arrière 11 A.
Comme illustré sur la figure 4, on a déposé une couche collective de protection 14A sur la feuille collective 12A collée. La couche collective de protection 14A peut être à base de polyimide adhérent sur la feuille flexible 12A et son épaisseur peut être entre cinq et trente microns.
Puis, on a mis en place des éléments de connexion électrique 16 sur la face 17A de la plaque de substrat 2A, opposée à sa face de montage 6A, les éléments de connexion électrique 16 étant respectivement reliés aux réseaux de connexion électrique 3.
Ensuite, on procède à une découpe, perpendiculairement à la plaque collective de substrat 2A et le long des lignes et des colonnes de la matrice d’emplacements E, au travers de la plaque collective de substrat 2A, du bloc collectif d'encapsulation 8A, de la couche collective de colle 13A, de la feuille collective 12A et de la couche collective de protection 14A, la matière de la feuille flexible 12A ne constituant pas un obstacle pour cette découpe.
On obtient ainsi une pluralité de dispositifs électroniques 1, chacun étant de forme parallélépipède et comprenant une puce électronique 4, une portion de la plaque collective de substrat 2A, une portion du bloc collectif d’encapsulation 8A, une portion de la couche conductrice de la chaleur 14A, une portion de la couche collective de colle 13A et une portion de la couche collective protectrice 14A, correspondant aux emplacements E.
Selon une variante de réalisation, préalablement à son étalement, la feuille flexible collective 12A peut être munie sur une face de la couche arrière de protection 14A, de façon à former une feuille collective multicouches à étaler au-dessus de la zone collective arrière 11 A.
Selon une autre variante de réalisation, préalablement à son étalement, la feuille flexible collective 12A peut être interposée entre la couche arrière de protection 14A sur une face et une couche de protection sur son autre face, de façon à former une feuille flexible collective multicouches à étaler au-dessus de la zone collective arrière 11A.
Comme illustré sur la figure 5, un dispositif électronique 101 comprend une plaque de support 102 en un substrat isolant, incluant un réseau de connexions électriques 103.
Le dispositif électronique 101 comprend une puce électronique de circuits intégrés 104 montée sur la plaque de support 102 par l’intermédiaire d’une pluralité d’éléments de connexion électrique 105 tels que des billes ou des piliers métalliques, interposés entre une face de montage 106 de la plaque de support 102 et une face avant 107 de la puce électronique 104. Les éléments de connexion électrique 105 sont reliés d’une part au réseau de connexions électriques 103 de la plaque de support 102 et d’autre part aux circuits intégrés de la puce électronique 104.
Le dispositif électronique 101 comprend une matière d’encapsulation 108 sur la face de montage 106 de la plaque de support 102, qui remplit l’espace entre la plaque de support 102 et la puce électronique 104 et qui forme un anneau d’encapsulation 109 qui remplit le coin entre la plaque de support 102 et la périphérie de la puce électronique 104. L’anneau d’encapsulation 109 n’atteint pas la périphérie de la plaque du support 102 et constitue un bloc intermédiaire d’encapsulation.
Ainsi, est définie une zone arrière 110 qui comprend la face arrière 111 de la puce 104, la portion périphérique 112 de la face de montage 106 de la plaque de support 102 (qui entoure l’anneau d’encapsulation 109) et la face arrière 113 de cet anneau d’encapsulation 109.
Le dispositif électronique 101 comprend une couche arrière 114 en une matière flexible, conductrice de la chaleur, qui s’étend sur la zone 110 et qui est fixée sur cette dernière par l’intermédiaire d’une couche fine de colle 115 conductrice de la chaleur. La couche conductrice de la chaleur 114 s’étend jusqu’au bord périphérique de la plaque de support 102 et est en forme de cuvette ou de cavité à l’intérieur de laquelle sont situés la puce électronique 104 et l’anneau d’encapsulation 109. En d’autres termes, une partie de la couche 114 épouse plus ou moins sensiblement la forme de la puce 104. La couche conductrice de la chaleur 114 est à base de graphite, avantageusement un graphite pyrolytique (PGS).
Le dispositif électronique 101 comprend une couche de protection 116, optionnelle, qui recouvre au moins en partie la couche arrière 114.
Le dispositif électronique 101 comprend en outre un bloc arrière extérieur d’encapsulation 117 qui recouvre au moins la portion périphérique de la couche de protection 116 et qui s’étend jusqu’au bord périphérique de la couche conductrice de la chaleur 114, de sorte ίο que le bloc d’encapsulation 117 présente une face arrière extérieure 118 parallèle à la plaque de support 102. Le dispositif électronique 101 se présente sous la forme d’un parallélépipède, à base carrée ou rectangulaire.
La couche de protection 116 et/ou le bloc d’encapsulation 117 présentent une dureté supérieure à la dureté de la couche conductrice de la chaleur 114, en graphite pyrolytique, et permettent ainsi de protéger cette couche 114 à l’encontre de pressions et de chocs.
Le dispositif électronique 101 comprend en outre des éléments de connexion électrique extérieure 119 placés sur la face extérieure 120 de la plaque de support 102 opposé à sa face de montage 106, ces éléments 119 étant reliés au réseau de connexions électriques 103.
Comme dans le cas de l’exemple précédent, grâce à la couche conductrice de la chaleur 114 en un graphite pyrolytique, la chaleur produite par la puce électronique 104, généralement localement, diffuse dans cette couche 114 parallèlement à la zone 110 dans toutes les directions, c’est-à-dire perpendiculairement à l’épaisseur de cette couche 114, de sorte que la face tournée vers l’extérieur de la couche conductrice de la chaleur 114 diffuse la chaleur vers l’extérieur de façon quasiment homogène sur toute sa surface, au travers du bloc d’encapsulation 117. Ainsi, une élévation excessive, localement, de la température de la puce électronique 104 peut être évitée car l’évacuation de la chaleur produite est améliorée.
Le dispositif électronique 101 est issu d’une fabrication collective que l’on va maintenant décrire.
Comme illustré sur la figure 6, on dispose d’une plaque de substrat 102A incluant une pluralité de réseaux de connexions électriques 103, prévus respectivement dans des emplacements adjacents E, par exemple à contours carrés ou rectangulaires, disposés selon une matrice. Chaque emplacement E correspond à un dispositif électronique 101 à réaliser.
On a monté sur une face de montage 106A de la plaque de substrat 102A, dans chacun des emplacements E, une puce électronique
104, à distance les unes des autres, par l’intermédiaire d’éléments de connexion électrique 105.
On a introduit, dans les espaces entre chacune des puces 104 et la face de montage 106A de la plaque de substrat 102A, une matière d’encapsulation 108. On a formé en même temps des anneaux d’encapsulation 109 autour des puces électroniques 104 sur la face de montage 106A de la plaque de substrat 102A.
Est alors formée une zone collective arrière non plate 110A qui comprend les faces arrière 111 des puces électroniques 104, les faces arrière 113 des anneaux d’encapsulation 109 et les portions collectives 121 de la face de montage 106A de la plaque de substrat 102A qui s’étendent entre les anneaux d’encapsulation 109, au-dessus des espaces entre les puces 104.
Comme illustré sur la figure 7, on a étalé une fine couche collective de colle 115A sur la zone collective arrière 110A.
Puis, on a étendu une feuille flexible collective 114A, en graphite pyrolytique, sur la couche de colle 115A.
Ensuite, on a procédé à une chauffe et on a pressé la feuille 114A en direction de la zone collective arrière 110A, grâce à un outil P de sorte que la feuille flexible collective 114A épouse la topographie de la zone collective 110A. Cet outil P présente avantageusement, sous forme d’un gaufrage, des faces en retrait 122 situées en face des faces arrière 111 des puces 104 et des faces en saillie 123 situées en face des portions collectives 121 de la plaque de substrat 102A.
Comme illustré sur la figure 8, on a formé une couche collective de protection 116A sur la feuille flexible collective 114A collée.
Puis, on a formé, sur la couche collective de protection 116A, un bloc collectif d’encapsulation 117A, par exemple en une résine époxy.
Puis, on a mis en place des éléments de connexion électrique 119 sur la face 120A de la plaque de substrat 102A, opposée à sa face de montage 106A, les éléments de connexion électrique 119 étant respectivement reliés aux réseaux de connexion électrique 3.
Ensuite, on procède à une découpe, perpendiculairement à la plaque collective de substrat 102A et le long des lignes et des colonnes de la matrice d’emplacements E, au travers de la plaque collective de substrat 102A, de la couche collective de colle 115A, de la feuille collective 114A, de la couche collective de protection 116A et du bloc collectif d’encapsulation 117A.
On obtient ainsi une pluralité de dispositifs électroniques 101, chacun étant de forme parallélépipède et comprenant une puce électronique 104, un anneau d’encapsulation 109, une portion de la plaque collective de substrat 102A, une portion de la couche conductrice de la chaleur 114A, une portion de la couche collective de colle 111A, une portion de la couche protectrice 116A et une portion du bloc collectif d’encapsulation 117A, correspondant aux emplacements E.
De façon équivalente à l’exemple précédent et selon une variante de réalisation, préalablement à son étalement, la feuille flexible collective 114A peut être munie sur une face de la couche arrière de protection 116A et optionnellement d’une couche de protection sur son autre face, de façon à former une feuille collective multicouches à étaler au-dessus de la zone collective arrière 110A.
Claims (20)
- REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication collective de dispositifs électroniques (1, 101), comprenant les étapes suivantes:a) monter une pluralité de puces électroniques (4 ; 104) sur une face de montage (6A) d’une plaque collective de substrat (2A ; 102A), à distance les unes des autres et sur des emplacements,b) étendre une feuille flexible collective comprenant au moins une couche (12A ; 114A) en une matière conductrice de la chaleur, à base de graphite, sur une zone collective (11A ; 110A) s’étendant audessus des puces électroniques et au-dessus de la face de montage de la plaque collective de substrat, entre les puces électroniques,c) comprimer ladite feuille flexible collective en direction de ladite zone collective, etd) réaliser une découpe pour l’obtention de dispositifs électroniques comprenant respectivement au moins une des puces électroniques, une portion de ladite plaque collective de substrat correspondant à un emplacement et une portion de ladite feuille flexible collective correspondant à cet emplacement.
- 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le graphite est pyrolytique (PGS).
- 3. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, comprenant l’étape suivante entre l’étape a) et l’étape b) : réaliser un bloc collectif d’encapsulation (8A) remplissant au moins en partie les espaces entre les puces électroniques, ladite zone collective comprenant au moins une partie des faces arrière des puces électroniques et une face arrière dudit bloc collectif d’encapsulation.
- 4. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, comprenant l’étape suivante entre l’étape a) et l’étape b) : réaliser des anneaux d’encapsulation (109) s’étendant respectivement autour des puces électroniques et au-dessus de la face de montage de la plaque de substrat, ladite zone collective comprenant au moins une partie des faces arrière des puces électroniques, au moins une partie des faces arrière desdits anneaux d’encapsulation et au moins une partie de la face de montage de la plaque collective de substrat s’étendant entre lesdits anneaux d’encapsulation.
- 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant l’étape suivante après l’étape b) ou l’étape c) : réaliser un bloc collectif d’encapsulation (117A) au-dessus de ladite feuille flexible.
- 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant l’étape suivante après l’étape b) ou l’étape c) : réaliser une couche collective de protection au-dessus de ladite feuille flexible collective.
- 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant l’étape suivante entre les étapes a) et b) : réaliser une couche collective de protection au-dessus de ladite zone.
- 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel ladite feuille flexible collective à étaler comprend la couche à base de graphite et une couche de protection.
- 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel ladite feuille flexible collective à étaler comprend la couche à base de graphite intercalée entre deux couches de protection.
- 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel la ou les couches de protection présentent une dureté supérieure à la dureté de ladite couche à base de graphite.
- 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant l’étape suivante: fixer ladite feuille flexible collective au-dessus ladite zone collective par l’intermédiaire d’une couche collective de colle (13A ; 115A).
- 12. Dispositif électronique comprenant :une plaque de substrat (2 ; 102) présentant une face de montage, au moins une puce électronique (4 ; 104) dont une face avant est montée sur ladite face de montage de la plaque de substrat, et une couche flexible (12 ; 114) comprenant au moins une couche en une matière conductrice de la chaleur, à base de graphite, la couche flexible étant située sur une zone (11 ; 110) s’étendant au3053526 dessus d’une face arrière de la puce électronique et au-dessus de ladite face de montage de ladite plaque de substrat, autour de la puce électronique.
- 13. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel ladite couche flexible comprend un graphite pyrolytique (PGS).
- 14. Dispositif selon l’une des revendications 12 et 13, comprenant une couche de colle (13 ; 115) entre ladite couche flexible et ladite zone.
- 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à14, comprenant une couche de protection (14 ; 116) au-dessus de ladite couche à base de graphite.
- 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à15, comprenant une couche de protection au-dessous de ladite couche à base de graphite.
- 17. Dispositif selon l’une des revendications 15 et 16, dans lequel ladite couche de protection présente une dureté supérieure à la dureté de ladite couche à base de graphite.
- 18. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 17, comprenant un bloc d’encapsulation (8) autour de ladite puce électronique et entre la face de montage de ladite plaque de substrat et ladite couche flexible, ladite zone (11) comprenant la face arrière de la puce électronique (10) et une face arrière (9) dudit bloc d’encapsulation.
- 19. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 17, comprenant un anneau d’encapsulation (109) s’étendant autour de la puce électronique et sur la face de montage de la plaque de substrat, ladite zone (110) comprenant la face arrière (111) de la puce électronique, une face arrière (113) dudit anneau d’encapsulation et une partie (112) de la face de montage de la plaque de substrat entourant ledit anneau d’encapsulation.
- 20. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 19, comprenant un bloc d’encapsulation (117) au-dessus de ladite couche flexible.1/4
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1656331A FR3053526B1 (fr) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique |
US15/632,878 US9870947B1 (en) | 2016-07-01 | 2017-06-26 | Method for collective (wafer-scale) fabrication of electronic devices and electronic device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1656331 | 2016-07-01 | ||
FR1656331A FR3053526B1 (fr) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3053526A1 true FR3053526A1 (fr) | 2018-01-05 |
FR3053526B1 FR3053526B1 (fr) | 2018-11-16 |
Family
ID=56684108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1656331A Active FR3053526B1 (fr) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9870947B1 (fr) |
FR (1) | FR3053526B1 (fr) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3061630B1 (fr) | 2017-01-03 | 2021-07-09 | St Microelectronics Grenoble 2 | Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot |
FR3061628A1 (fr) | 2017-01-03 | 2018-07-06 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de fabrication d'un capot d'encapsulation pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot |
FR3061629A1 (fr) * | 2017-01-03 | 2018-07-06 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot |
FR3079068B1 (fr) * | 2018-03-13 | 2023-05-26 | St Microelectronics Grenoble 2 | Dispositifs electroniques et procedes de fabrication |
KR20210096497A (ko) | 2020-01-28 | 2021-08-05 | 삼성전자주식회사 | 방열 구조체를 포함한 반도체 패키지 |
KR20220004269A (ko) | 2020-07-03 | 2022-01-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
CN113725169B (zh) * | 2021-04-22 | 2024-06-14 | 成都芯源***有限公司 | 倒装芯片封装单元及相关封装方法 |
CN113327899A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-08-31 | 成都芯源***有限公司 | 倒装芯片封装单元及封装方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1120830A2 (fr) * | 2000-01-24 | 2001-08-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Dispositif semi-conducteur comportant un dissipateur de chaleur plat de resin renforcé par fibre de carbone avec une partie concave |
CN2598137Y (zh) * | 2003-01-16 | 2004-01-07 | 威盛电子股份有限公司 | 芯片封装结构 |
EP2760044A1 (fr) * | 2013-01-25 | 2014-07-30 | Apple Inc. | Emballage intégré sur systèmes d'emballage |
US20160133541A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor Device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060128065A1 (en) * | 2003-06-06 | 2006-06-15 | Teiichi Inada | Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method |
JP5113627B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2013-01-09 | 日本電波工業株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
WO2009117345A2 (fr) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Henkel Corporation | Compositions adhésives pouvant être utilisées dans des applications de report de puces |
US20110019370A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-27 | Gainteam Holdings Limited | Flexible circuit module |
JP5993845B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2016-09-14 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆 |
JP6055259B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2016-12-27 | 日東電工株式会社 | 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
US9960099B2 (en) * | 2013-11-11 | 2018-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages |
JP6254509B2 (ja) * | 2014-11-07 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 電磁波シールド性支持基材付封止材及び封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ並びに半導体装置 |
-
2016
- 2016-07-01 FR FR1656331A patent/FR3053526B1/fr active Active
-
2017
- 2017-06-26 US US15/632,878 patent/US9870947B1/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1120830A2 (fr) * | 2000-01-24 | 2001-08-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Dispositif semi-conducteur comportant un dissipateur de chaleur plat de resin renforcé par fibre de carbone avec une partie concave |
CN2598137Y (zh) * | 2003-01-16 | 2004-01-07 | 威盛电子股份有限公司 | 芯片封装结构 |
EP2760044A1 (fr) * | 2013-01-25 | 2014-07-30 | Apple Inc. | Emballage intégré sur systèmes d'emballage |
US20160133541A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor Device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR3053526B1 (fr) | 2018-11-16 |
US20180005889A1 (en) | 2018-01-04 |
US9870947B1 (en) | 2018-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR3053526A1 (fr) | Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique | |
FR3029687A1 (fr) | Procede de fabrication de dispositifs electroniques et dispositif electronique a double anneau d'encapsulation | |
FR2893734A1 (fr) | Micromodule electronique et procede de fabrication d'un tel micromodule | |
JP5964970B2 (ja) | 半導体デバイス用不連続パターン化接合ならびに関連システムおよび方法 | |
FR2727542A1 (fr) | Carte incorporant au moins un element electronique | |
FR2988519A1 (fr) | Boitier electronique optique | |
FR3023059A1 (fr) | Circuit integre comportant un dissipateur de chaleur | |
FR3018953A1 (fr) | Puce de circuit integre montee sur un interposeur | |
EP1559068B1 (fr) | Module electronique comportant un element apparent sur une face et procede de fabrication d'un tel module | |
WO2013113691A1 (fr) | Entretoise de positionnement, module de stockage d'energie l'utilisant et procede d'assemblage du module | |
FR3030112A1 (fr) | Assemblage d'une puce de circuits integres et d'une plaque | |
FR2939963A1 (fr) | Procede de fabrication d'un support de composant semi-conducteur, support et dispositif semi-conducteur | |
FR3075466A1 (fr) | Couvercle de boitier de circuit electronique | |
FR2943849A1 (fr) | Procede de realisation de boitiers semi-conducteurs et boitier semi-conducteur | |
FR2732509A1 (fr) | Boitier de montage d'une puce de circuit integre | |
FR2977076A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur a elements de connexion electrique encapsules et son procede de fabrication | |
FR2503978A1 (fr) | Procede pour la fabrication de boitiers en matiere plastique avec dissipateur thermique incorpore pour circuits integres; combinaison de moule et de dissipateurs utilisable avec un tel procede | |
FR3079068A1 (fr) | Dispositifs electroniques et procedes de fabrication | |
EP3504057A1 (fr) | Outil de pressage a chaud, son procede de mise en oeuvre, installation et procede de fabrication correspondants | |
FR2987170A1 (fr) | Boitier et dispositif electroniques | |
FR2974234A1 (fr) | Assemblage de dispositifs a composants semiconducteurs empiles | |
FR2960095A1 (fr) | Procede de fabrication des dispositifs semi-conducteurs et dispositif semi-conducteur comprenant une puce a vias traversants | |
FR3050862A1 (fr) | Dispositif electronique a puces electroniques et dissipateur de la chaleur | |
FR3060942A1 (fr) | Procede de fabrication d'un ensemble comprenant une structure mecanique et un composant de puissance electrique pour un aeronef | |
EP3175489B1 (fr) | Dispositif électrique et/ou électronique comportant au moins deux composants électriques et/ou électroniques disposant chacun de deux systèmes de protection mécanique |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20180105 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 8 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 9 |