FR2912259B1 - Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant". - Google Patents

Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant".

Info

Publication number
FR2912259B1
FR2912259B1 FR0700720A FR0700720A FR2912259B1 FR 2912259 B1 FR2912259 B1 FR 2912259B1 FR 0700720 A FR0700720 A FR 0700720A FR 0700720 A FR0700720 A FR 0700720A FR 2912259 B1 FR2912259 B1 FR 2912259B1
Authority
FR
France
Prior art keywords
insulation
silicon
producing
substrate
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
FR0700720A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2912259A1 (fr
Inventor
Eric Neyret
Francois Boedt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Priority to FR0700720A priority Critical patent/FR2912259B1/fr
Priority to US11/849,912 priority patent/US7939427B2/en
Priority to PCT/IB2008/000157 priority patent/WO2008093193A1/fr
Priority to DE112008000218T priority patent/DE112008000218T5/de
Publication of FR2912259A1 publication Critical patent/FR2912259A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2912259B1 publication Critical patent/FR2912259B1/fr
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
FR0700720A 2007-02-01 2007-02-01 Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant". Expired - Fee Related FR2912259B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0700720A FR2912259B1 (fr) 2007-02-01 2007-02-01 Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant".
US11/849,912 US7939427B2 (en) 2007-02-01 2007-09-04 Process for fabricating a substrate of the silicon-on-insulator type with reduced roughness and uniform thickness
PCT/IB2008/000157 WO2008093193A1 (fr) 2007-02-01 2008-01-23 Procédé de production de substrat du type silicium sur isolant
DE112008000218T DE112008000218T5 (de) 2007-02-01 2008-01-23 Verfahren zum Herstellen eines Substrats vom Typ Silizium auf Isolator (SOI)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0700720A FR2912259B1 (fr) 2007-02-01 2007-02-01 Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant".

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2912259A1 FR2912259A1 (fr) 2008-08-08
FR2912259B1 true FR2912259B1 (fr) 2009-06-05

Family

ID=38169357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0700720A Expired - Fee Related FR2912259B1 (fr) 2007-02-01 2007-02-01 Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant".

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7939427B2 (fr)
DE (1) DE112008000218T5 (fr)
FR (1) FR2912259B1 (fr)
WO (1) WO2008093193A1 (fr)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2938118B1 (fr) * 2008-10-30 2011-04-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un empilement de couches minces semi-conductrices
FR2987935B1 (fr) * 2012-03-12 2016-07-22 Soitec Silicon On Insulator Procede d'amincissement de la couche active de silicium d'un substrat du type "silicium sur isolant" (soi).
US8921209B2 (en) 2012-09-12 2014-12-30 International Business Machines Corporation Defect free strained silicon on insulator (SSOI) substrates
FR3007891B1 (fr) * 2013-06-28 2016-11-25 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure composite
DE102014202845A1 (de) 2014-02-17 2015-08-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Strukturieren eines Schichtaufbaus aus zwei Halbleiterschichten und mikromechanisches Bauteil
JP2019501524A (ja) * 2015-12-04 2019-01-17 ザ・シランナ・グループ・プロプライエタリー・リミテッドThe Silanna Group Pty Limited 絶縁体上半導体基板
FR3061988B1 (fr) 2017-01-13 2019-11-01 Soitec Procede de lissage de surface d'un substrat semiconducteur sur isolant
FR3063176A1 (fr) * 2017-02-17 2018-08-24 Soitec Masquage d'une zone au bord d'un substrat donneur lors d'une etape d'implantation ionique
FR3091620B1 (fr) * 2019-01-07 2021-01-29 Commissariat Energie Atomique Procédé de transfert de couche avec réduction localisée d’une capacité à initier une fracture
FR3110282B1 (fr) * 2020-05-18 2022-04-15 Soitec Silicon On Insulator Procédé de fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant pour applications radiofréquences
FR3134229B1 (fr) * 2022-04-01 2024-03-08 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d’une couche mince sur un substrat support

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG65697A1 (en) 1996-11-15 1999-06-22 Canon Kk Process for producing semiconductor article
JPH11307472A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ
JP2000124092A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ
FR2797713B1 (fr) 1999-08-20 2002-08-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement de substrats pour la microelectronique et substrats obtenus par ce procede
FR2809867B1 (fr) * 2000-05-30 2003-10-24 Commissariat Energie Atomique Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat
FR2827423B1 (fr) 2001-07-16 2005-05-20 Soitec Silicon On Insulator Procede d'amelioration d'etat de surface
US6884696B2 (en) 2001-07-17 2005-04-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for producing bonding wafer
FR2828428B1 (fr) 2001-08-07 2003-10-17 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de decollement de substrats et procede associe
FR2834820B1 (fr) 2002-01-16 2005-03-18 Procede de clivage de couches d'une tranche de materiau
US6835633B2 (en) * 2002-07-24 2004-12-28 International Business Machines Corporation SOI wafers with 30-100 Å buried oxide (BOX) created by wafer bonding using 30-100 Å thin oxide as bonding layer
EP1596437A4 (fr) * 2003-02-19 2009-12-02 Shinetsu Handotai Kk Tranche soi et son procede de fabrication
FR2858462B1 (fr) * 2003-07-29 2005-12-09 Soitec Silicon On Insulator Procede d'obtention d'une couche mince de qualite accrue par co-implantation et recuit thermique
WO2005024925A1 (fr) * 2003-09-05 2005-03-17 Sumco Corporation Procede de production d'une plaquette soi
FR2861497B1 (fr) * 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
FR2880988B1 (fr) 2005-01-19 2007-03-30 Soitec Silicon On Insulator TRAITEMENT D'UNE COUCHE EN SI1-yGEy PRELEVEE
FR2881573B1 (fr) * 2005-01-31 2008-07-11 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert d'une couche mince formee dans un substrat presentant des amas de lacunes
JP2006216826A (ja) 2005-02-04 2006-08-17 Sumco Corp Soiウェーハの製造方法
JP4934966B2 (ja) 2005-02-04 2012-05-23 株式会社Sumco Soi基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7939427B2 (en) 2011-05-10
FR2912259A1 (fr) 2008-08-08
US20090035920A1 (en) 2009-02-05
WO2008093193A1 (fr) 2008-08-07
DE112008000218T5 (de) 2009-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2912259B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant".
FR2896618B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat composite
FR2957716B1 (fr) Procede de finition d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant
FR2910702B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat mixte
FR2907966B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat.
FR2916901B1 (fr) Procede d'obtention d'un substrat texture pour panneau photovoltaique
FR2876841B1 (fr) Procede de realisation de multicouches sur un substrat
FR2911430B1 (fr) "procede de fabrication d'un substrat hybride"
FR2944645B1 (fr) Procede d'amincissement d'un substrat silicium sur isolant
FR2898215B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat par condensation germanium
FR2912258B1 (fr) "procede de fabrication d'un substrat du type silicium sur isolant"
EP2031647A4 (fr) Procédé de fabrication d'une tranche de silicium et tranche de silicium fabriquée selon ce procédé
EP2080823A4 (fr) Substrat à base de nitrure d'élément du groupe iii, substrat présentant une couche épitaxiale, procédé de fabrication de ces substrats et procédé de fabrication d'un élément semiconducteur
EP1739731A4 (fr) Procédé de fabrication de substrat de nitrure de groupe iii
FR2918793B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat semiconducteur-sur- isolant pour la microelectronique et l'optoelectronique.
EP2133908A4 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat de silicium de déformation
FR2937427B1 (fr) Procede de fabrication d'un modulateur electro-optique lateral sur silicium a zones implantees auto-alignees
FR2933534B1 (fr) Procede de fabrication d'une structure comprenant une couche de germanium sur un substrat
FR2950633B1 (fr) Solution et procede d'activation de la surface oxydee d'un substrat semi-conducteur.
FR2949237B1 (fr) Procede de nettoyage de la surface d'un substrat de silicium
FR2928775B1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat de type semiconducteur sur isolant
FR2935618B1 (fr) Procede pour former un revetement anti-adherent a base de carbure de silicium
EP1930486A4 (fr) Procede de production de substrat semi-conducteur
FR2943458B1 (fr) Procede de finition d'un substrat de type "silicium sur isolant" soi
FR2926162B1 (fr) Procede de modification localisee de l'energie de surface d'un substrat

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name

Owner name: SOITEC, FR

Effective date: 20120423

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 10

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 11

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 12

ST Notification of lapse

Effective date: 20191006