FR2681958A1 - Device which includes a pattern configured by photogravure, especially an electrical circuit - Google Patents
Device which includes a pattern configured by photogravure, especially an electrical circuit Download PDFInfo
- Publication number
- FR2681958A1 FR2681958A1 FR9112045A FR9112045A FR2681958A1 FR 2681958 A1 FR2681958 A1 FR 2681958A1 FR 9112045 A FR9112045 A FR 9112045A FR 9112045 A FR9112045 A FR 9112045A FR 2681958 A1 FR2681958 A1 FR 2681958A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- frame
- support
- mask
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims abstract description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
La présente invention concerne le domaine des dispositifs comportant un modèle configuré par photogravure. The present invention relates to the field of devices comprising a model configured by photoengraving.
La présente invention concerne en particulier les circuits électriques dont la réalisation fait appel à des étapes de photogravure, tels que les circuits hybrides, les circuits imprimés et les semi-conducteurs. The present invention relates in particular to electrical circuits, the production of which requires photogravure steps, such as hybrid circuits, printed circuits and semiconductors.
Les figures la à le représentent schématiquement un processus classique de réalisation d'un circuit par photogravure. Figures la to le schematically represent a conventional process for producing a circuit by photoengraving.
La figure la représente un support 10 sur lequel est préalablement déposé un matériau 20 qui doit être photogravé pour réaliser le modèle configuré recherché. FIG. 1a represents a support 10 on which is previously deposited a material 20 which must be photo-etched to produce the desired configured pattern.
Comme représenté sur la figure lb, ce matériau 20 est recouvert par une couche de résine photosensible 30. As shown in FIG. 1b, this material 20 is covered by a layer of photosensitive resin 30.
Un masque 40 comportant des zones optiquement transparentes 41 et des zones optiquement opaques 42 est placé sur la couche de résine photosensible 30, comme représenté sur la figure lc et l'ensemble est soumis à un rayonnement ultraviolet à travers le masque photo 40. A mask 40 comprising optically transparent zones 41 and optically opaque zones 42 is placed on the layer of photosensitive resin 30, as shown in FIG. 1c and the assembly is subjected to ultraviolet radiation through the photo mask 40.
Après l'exposition, le masque 40 est retiré, et les zones irradiées précédemment sous-jacentes aux zones transparentes 41, sont dissoutes dans un solvant approprié, si l'on utilise des résines 30 de type positif. Dans le cas où l'on utilise des résines 30 de type négatif, au contraire les zones de la couche de résine photosensible 30 non irradiées, c'est-à-dire sous-jacentes précédemment aux zones optiquement opaques 42 du masque photo, sont dissoutes dans le solvant. After exposure, the mask 40 is removed, and the irradiated areas previously underlying the transparent areas 41, are dissolved in an appropriate solvent, if positive type resins 30 are used. In the case where resins 30 of negative type are used, on the contrary the zones of the photosensitive resin layer 30 not irradiated, that is to say previously underlying the optically opaque zones 42 of the photo mask, are dissolved in the solvent.
La figure Id représente l'ensemble ainsi obtenu. Figure Id represents the assembly thus obtained.
L'immersion dans un agent de gravure du matériau 20 considéré dissout alors ce dernier aux endroits non protégés, ne laissant ainsi sur le support que les zones protégées du matériau 20. The immersion in an etchant of the material 20 considered then dissolves the latter in unprotected places, thus leaving on the support only the protected areas of the material 20.
La résine photosensible peut ensuite être éliminée selon des techniques connues pour obtenir le circuit résultant représenté sur la figure le. The photosensitive resin can then be removed according to known techniques to obtain the resulting circuit shown in FIG.
Le processus de photogravure qui vient d'être décrit est largement utilisé depuis de nombreuses années. The photogravure process which has just been described has been widely used for many years.
Toutefois, les inventeurs ont constaté après de longues analyses que, comme cela est représenté sur la figure le, en utilisant un masque 40 présentant des zones optiquement opaques 42 de même largeur, on obtient après gravure, des zones de matériau 20 de largeurs différentes sur le support 10. However, the inventors have noted after long analyzes that, as shown in FIG. 1 a, by using a mask 40 having optically opaque zones 42 of the same width, zones of material 20 of different widths are obtained after etching. support 10.
Plus précisément, les inventeurs ont constaté que la largeur des pistes 20 gravées est plus faible en périphérie du support 10 qu'au centre de celui-ci, pour une même largeur de zones optiquement opaques 42 dans le masque 40. More precisely, the inventors have found that the width of the etched tracks 20 is narrower at the periphery of the support 10 than at the center of the latter, for the same width of optically opaque zones 42 in the mask 40.
En d'autres termes, en utilisant un masque présentant des zones optiquement opaques 42 de largeur constante, on constate expérimentalement que la largeur L1 des pistes gravées au centre du support 10 est supérieure à la largeur L2 des pistes gravées en zone intermédiaire du support, et qui est elle-même supérieure à la largeur L3 des pistes gravées à la périphérie du support 10. In other words, by using a mask having optically opaque zones 42 of constant width, it is experimentally observed that the width L1 of the tracks etched in the center of the support 10 is greater than the width L2 of the tracks etched in the intermediate area of the support, and which is itself greater than the width L3 of the tracks etched on the periphery of the support 10.
En référence à la figure 2 sur laquelle on a divisé le support 10 en une zone centrale 3, une zone intermédiaire concentrique 2 et une zone périphérique 1, les inventeurs ont mesurés par exemple, sur un support de format 25x25mm, après avoir utilisé un masque 40 présentant des largeurs de ligne de 100Cim, en réalité une largeur de 90,um pour la zone périphérique 1, une largeur de 951lm pour la zone annulaire intermédiaire 2, et une largeur de 100Cim pour les pistes gravées dans la zone centrale 3. With reference to FIG. 2 in which the support 10 has been divided into a central zone 3, a concentric intermediate zone 2 and a peripheral zone 1, the inventors have measured, for example, on a support of 25 × 25 mm format, after using a mask 40 having line widths of 100 μm, in reality a width of 90 μm for the peripheral zone 1, a width of 951 μm for the intermediate annular zone 2, and a width of 100 μm for the tracks engraved in the central zone 3.
Les inventeurs ont par ailleurs remarqué que l'écart entre les largeurs de pistes ainsi gravées s'amplifie avec les dimensions du support. The inventors have also noticed that the difference between the widths of tracks thus etched increases with the dimensions of the support.
Cet écart de largeurs de pistes gravées conduit bien entendu à une imprécision sur les dimensions des lignes, imprécision qui devient critique lorsque les longueurs et largeurs des lignes à obtenir sont inférieures à environ 100ci. This difference in widths of engraved tracks naturally leads to an imprecision on the dimensions of the lines, an imprecision which becomes critical when the lengths and widths of the lines to be obtained are less than around 100 cc.
Par ailleurs, compte-tenu de ce phénomène, il s'avère impossible d'obtenir des lignes de très faibles dimensions, de l'ordre de lOpm, sur l'ensemble du support. En effet, de telles lignes de faibles dimensions sortiraient correctement au centre du support, mais seraient quasi-inexistantes sur les bords de celui-ci. Furthermore, given this phenomenon, it turns out to be impossible to obtain lines of very small dimensions, of the order of lOpm, over the entire support. Indeed, such small lines would come out correctly in the center of the support, but would be almost non-existent on the edges of the latter.
Les recherches conduites par les inventeurs ont révélé que cette dispersion dans la largeur des pistes gravées est due au fait que, lors de l'immersion dans l'agent de gravure du matériau 20, la dissolution de ce dernier se fait selon deux axes : perpendiculairement au plan du matériau, c est l'attaque transversale, et parallèlement à ce même plan c'est l'attaque latérale, comme schématisé sur la figure 3. Research conducted by the inventors has revealed that this dispersion in the width of the etched tracks is due to the fact that, during the immersion in the etching agent of the material 20, the dissolution of the latter takes place along two axes: perpendicularly in terms of the material, it is the transverse attack, and parallel to this same plane it is the lateral attack, as shown diagrammatically in FIG. 3.
La conséquence directe de ces deux dissolutions simultanées, transversale et latérale, est que les lignes commencent à se dégager d'abord à la périphérie du support et que les dernières à être dégagées sont celles du centre. The direct consequence of these two simultaneous dissolutions, transverse and lateral, is that the lines begin to emerge first at the periphery of the support and that the last to be released are those in the center.
Le but de la présente invention est de résoudre les problèmes exposés ci-dessus. The object of the present invention is to solve the problems set out above.
En particulier, la présente invention a pour but de maîtriser la gravure latérale dans une opération de photogravure, en améliorant la reproductibilité, la précision et les tolérance sur les dimensions des lignes obtenues par photogravure. In particular, the object of the present invention is to control lateral etching in a photoengraving operation, by improving the reproducibility, the precision and the tolerances on the dimensions of the lines obtained by photoengraving.
En outre, la présente invention permet de réaliser des réseaux de lignes ayant les mêmes précisions et tolérances, qu ils soient situés au centre du support ou sur sa périphérie. In addition, the present invention makes it possible to produce networks of lines having the same precision and tolerances, whether they are located in the center of the support or on its periphery.
Ces buts sont atteints selon la présente invention grâce à un procédé de réalisation d'un dispositif comportant un modèle configuré par photogravure, du type comprenant les étapes consistant à a) recouvrir par une couche de résine photosensible, une couche de matériau préalablement déposée sur un support et destinée à former le modèle souhaité, b) placer un masque photo représentant le modèle souhaité sur la résine photosensible, c) soumettre l'ensemble à un rayonnement adapté, d) retirer le masque, e) dissoudre les zones de la couche photosensible complémentaires du modèle souhaité, puis f) graver la couche de matériau, aux endroits non protégés de celui-ci, à l'aide d'un agent de gravure, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre l'étape consistant à former un cadre en matériau résistant à l'agent de gravure, à la périphérie du support, avant l'étape f) de gravure. These aims are achieved according to the present invention by a method of producing a device comprising a pattern configured by photoengraving, of the type comprising the steps consisting in a) covering with a layer of photosensitive resin, a layer of material previously deposited on a support and intended to form the desired model, b) place a photo mask representing the desired model on the photosensitive resin, c) subject the assembly to suitable radiation, d) remove the mask, e) dissolve the zones of the photosensitive layer complementary to the desired model, then f) etching the layer of material, at unprotected places thereof, using an etchant, characterized in that it also comprises the step of forming a frame of material resistant to the etching agent, at the periphery of the support, before step f) of etching.
Selon une autre caractéristique avantageuse de la présente invention, le cadre précité est formé à l'aide de la résine photosensible déposée à l'étape a) et le masque reproduit ce cadre, de sorte que le cadre est configuré lors des étapes b) à f) simultanément au modèle recherché. According to another advantageous characteristic of the present invention, the aforementioned frame is formed using the photosensitive resin deposited in step a) and the mask reproduces this frame, so that the frame is configured during steps b) to f) simultaneously with the model sought.
D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemple non limitatif et sur lesquels - les figures la à le représentent schématiquement les diverses étapes successives d'un processus classique de photogravure d'un circuit électrique, - la figure 2 représente une vue en plan d'un circuit classique et illustre la dispersion de gravure obtenue sur celui-ci, - la figure 3 illustre schématique la dissolution transversale et la dissolution latérale sur un circuit et, - les figures 4a à 4e représentent schématiquement les diverses étapes successives d'un procédé de photogravure conforme à la présente invention. Other characteristics, objects and advantages of the present invention will appear on reading the detailed description which follows and with reference to the appended drawings given by way of nonlimiting example and in which - the figures la to schematically represent the various successive stages of a conventional photoengraving process of an electrical circuit, - Figure 2 shows a plan view of a conventional circuit and illustrates the dispersion of etching obtained on it, - Figure 3 schematically illustrates the transverse dissolution and lateral dissolution on a circuit and, - Figures 4a to 4e schematically show the various successive stages of a photoengraving process according to the present invention.
On va maintenant décrire un exemple particulier de mise en oeuvre de l'invention en regard des figures 4a à 4e. We will now describe a particular example of implementation of the invention with reference to Figures 4a to 4e.
Cet exemple correspond à la réalisation d'un réseau de lignes d'interconnexion sur un support 100 en alumine de dimension 50x50mm. This example corresponds to the creation of a network of interconnection lines on a support 100 of alumina of dimension 50 × 50 mm.
Le matériau 200 constituant les lignes est de l'or. I1 est déposé par pulvérisation cathodique et son épaisseur est de 4llm. The material 200 constituting the lines is gold. It is deposited by sputtering and its thickness is 4 μm.
Les diverses étapes de réalisation de ces lignes d'interconnexion, illustrées sur les figurs 4a, 4e sont les suivantes
PREMIERE RETAPE
Réalisation d'un masque photo 400. Selon la représentation schématique donnée sur la figure 4a, ce masque photo 400 comprend un support 410, par exemple une plaque de verre comportant des zones 411 optiquement transparentes et des zones 412 optiquement opaques. Les zones opaques 412 correspondent à la géométrie du réseau de lignes à obtenir dans la couche de matériau 200. En outre, les zones opaques définissent un cadre 450 fermé, sur la périphérie du masque 400. Comme on le verra par la suite, ce cadre 450 est destiné à prévenir la dissolution latérale du matériau 200.The various stages of production of these interconnection lines, illustrated in FIGS. 4a, 4e are as follows
FIRST RETAPE
Production of a photo mask 400. According to the schematic representation given in FIG. 4a, this photo mask 400 comprises a support 410, for example a glass plate comprising optically transparent zones 411 and optically opaque zones 412. The opaque zones 412 correspond to the geometry of the network of lines to be obtained in the layer of material 200. In addition, the opaque zones define a closed frame 450, on the periphery of the mask 400. As will be seen later, this frame 450 is intended to prevent lateral dissolution of the material 200.
Le cadre 450 a de préférence une largeur supérieure à deux fois l'épaisseur du matériau 200. The frame 450 preferably has a width greater than twice the thickness of the material 200.
Le cadre 450 a ainsi typiquement une largeur de l'ordre de 250pm. The frame 450 thus typically has a width of the order of 250 μm.
DEUXIEME RETAPE
Comme représenté sur la figure 4b, la couche de matériau 200, en l'espèce d'or, est recouverte d'une couche de résine photosensible 300. De façon classique en soi, les inventeurs ont utilisé une résine photosensible 300 de type TF20 commercialisée par la Société SHYPLEY, en déposant cette résine par centrifugation à 4000 tours par minute durant 40 secondes.SECOND RETAPE
As shown in FIG. 4b, the layer of material 200, in this case gold, is covered with a layer of photosensitive resin 300. In a conventional manner, the inventors used a photosensitive resin 300 of the TF20 type sold on the market. by the company SHYPLEY, by depositing this resin by centrifugation at 4000 revolutions per minute for 40 seconds.
Le masque 400 précité est ensuite positionné sur la couche de résine photosensible 300 et l'ensemble est soumis à un rayonnement ultraviolet. The aforementioned mask 400 is then positioned on the layer of photosensitive resin 300 and the assembly is subjected to ultraviolet radiation.
TROISIEME RETAPE
Le masque 400 est ensuite retiré et les zones de la résine 300 qui ont été exposées aux ultraviolets sont dissoutes dans un solvant approprié, par exemple à l'aide du produit référencé 351 de la Société
SHYPLEY. On obtient alors le circuit représenté sur la figure 4c.THIRD RETAPE
The mask 400 is then removed and the areas of the resin 300 which have been exposed to ultraviolet light are dissolved in an appropriate solvent, for example using the product referenced 351 from the Company.
SHYPLEY. The circuit shown in Figure 4c is then obtained.
On notera qu'à ce stade, un anneau de protection est formé dans la couche de résine 300 sur la périphérie de la couche d'or 200. It will be noted that at this stage, a protective ring is formed in the resin layer 300 on the periphery of the gold layer 200.
QUATRIEME RETAPE
L'ensemble représenté sur la figure 4c est ensuite plongé dans une solution chimique dissolvant la couche 200. Lorsque la couche 200 est formée d'or, il peut s'agir par exemple d'une solution comprenant 25 grammes d'iodure de potassium et 5 grammes d'iode pour 100cm3 d'eau. FOURTH RETAPE
The assembly shown in FIG. 4c is then immersed in a chemical solution dissolving the layer 200. When the layer 200 is formed of gold, it may for example be a solution comprising 25 grams of potassium iodide and 5 grams of iodine per 100cm3 of water.
Les zones de la couche 200 non protégées par la résine 300 sont ainsi dissoutes laissant sur le support le réseau des lignes formé du matériau 300 correspondant au modèle configuré souhaité, et le motif, lui aussi en matériau 300, correspondant au cadre formé sur la périphérie du support. On notera que ce cadre a "piégé" la dissolution latérale au niveau des lignes du modèle configuré recherché. The areas of the layer 200 not protected by the resin 300 are thus dissolved, leaving on the support the network of lines formed of the material 300 corresponding to the desired configured model, and the pattern, also made of material 300, corresponding to the frame formed on the periphery. support. It will be noted that this framework has "trapped" the lateral dissolution at the level of the lines of the configured pattern sought.
Le cadre formé dans la résine photosensible 300 est référencé 350 sur la figure 4c et 4d et le cadre correspondant formé dans le matériau 200 est référencé 250 sur la figure 4d. The frame formed in the photosensitive resin 300 is referenced 350 in FIG. 4c and 4d and the corresponding frame formed in the material 200 is referenced 250 in FIG. 4d.
Le cadre de protection 350 est donc réalisé à l'aide de la résine qui sert de réserve de gravure et en même que cette dernière. Le cadre 250 résultant dans le matériau 200, sert à minimiser, voire éliminer, la dissolution latérale du matériau 200 formant le modèle configuré recherché durant l'opération de gravure. Ce cadre 250 sert donc de protection du matériau 200 à la périphérie du support. The protective frame 350 is therefore produced using the resin which serves as an etching reserve and the same as the latter. The frame 250 resulting in the material 200 serves to minimize, even eliminate, the lateral dissolution of the material 200 forming the configured pattern sought during the etching operation. This frame 250 therefore serves to protect the material 200 at the periphery of the support.
Une fois la gravure terminée, il reste donc sur le support 100, comme représenté sur la figure 4d, le réseau de lignes 200 correspond au modèle configuré recherché constitué par le matériau gravé, ainsi que le cadre 250 composé de ce même matériau. Once the etching is complete, it therefore remains on the support 100, as shown in FIG. 4d, the network of lines 200 corresponds to the desired configured model constituted by the etched material, as well as the frame 250 made of this same material.
L'efficacité du procédé conforme à la présente invention peut être observée visuellement durant l'opération de gravure. En effet, on peut constater aisément que grâce à l'utilisation du cadre 350 et par conséquent du cadre 250, toutes les lignes 200 formant le modèle configuré voulu, qu'elles soient au centre ou sur la périphérie, se dégagent simultanément, et non plus les unes après les autres en commençant par la périphérie, comme cela se produit classiquement, lorsqu'il n'y a pas de cadre. The efficiency of the process according to the present invention can be observed visually during the etching operation. Indeed, we can easily see that thanks to the use of the frame 350 and consequently of the frame 250, all the lines 200 forming the desired configured pattern, whether in the center or on the periphery, emerge simultaneously, and not more one after the other, starting with the periphery, as conventionally happens, when there is no frame.
CINQUIEME RETAPE
La résine 300, 350 restant sur l'ensemble est ensuite dissoute dans un produit approprié, par exemple de l'acétone.FIFTH RETAPE
The resin 300, 350 remaining on the whole is then dissolved in a suitable product, for example acetone.
Selon les souhaits de l'utilisateur, le cadre 250 peut être éliminé par un procédé classique de photogravure, ou conservé sur le support 100. According to the wishes of the user, the frame 250 can be eliminated by a conventional photoengraving process, or kept on the support 100.
Comme mentionné précédemment, l'efficacité du procédé conforme à la présente invention peut être vérifiée visuellement. As mentioned previously, the efficiency of the process according to the present invention can be checked visually.
L'efficacité de ce procédé peut cependant être contrôlé d'une manière beaucoup plus rigoureuse.The effectiveness of this process can, however, be controlled in a much more rigorous manner.
Dans le cadre de l'exemple précité, les inventeurs ont obtenu, après l'opération de photogravure d'une couche d'or de 4,um d'épaisseur déposée sur un support en alumine, en utilisant deux masques photo comportant les mêmes motifs disséminés en leur centre et à leur periphérie, mais l'un des deux comportant en outre un cadre de blocage de la dissolution latérale conforme à l'invention, les résultats suivants : sans le cadre, l'écart mesuré sur la largeur des lignes centrales et périphériques est de 2um alors qu'il n'est plus que de 0,51lm si le cadre 450 est présent sur le masque photo. In the context of the aforementioned example, the inventors obtained, after the photoengraving operation, a layer of gold 4 μm thick deposited on an alumina support, using two photo masks comprising the same patterns disseminated at their center and at their periphery, but one of the two further comprising a lateral dissolution blocking frame in accordance with the invention, the following results: without the frame, the difference measured over the width of the central lines and peripherals is 2um while it is only 0.51lm if the frame 450 is present on the photo mask.
On utilise généralement une couche de nickel/chrome de quelques centaines d'angstroems d'épaisseur entre les couches d'or et le support d'alumine pour renforcer l'adhérence de la couche d'or. Cette couche de nickel/chrome n'a pas été représenté sur les figures annexées pour simplifier l'illustration. A nickel / chromium layer a few hundred angstroms thick is generally used between the gold layers and the alumina support to reinforce the adhesion of the gold layer. This nickel / chromium layer has not been shown in the appended figures to simplify the illustration.
L'exemple qui précède concerne l'utilisation d'une résine de protection du type positif. Bien entendu une résine du type négatif peut être utilisée pour l'invention. The above example concerns the use of a positive type protective resin. Of course, a resin of the negative type can be used for the invention.
Par ailleurs, le procédé conforme à la présente invention peut être appliqué à tout autre matériau que l'or, et à tout autre nature de substrat que l'alumine. Furthermore, the method according to the present invention can be applied to any material other than gold, and to any other type of substrate than alumina.
Le procédé conforme à la présente invention est d'autant plus avantageux que les dimensions du support 100 recouvert du matériau 200 à photograver sont importantes. De même, le procédé conforme à la présente invention est d'autant plus avantageux que l'épaisseur du matériau 200 à photograver est importante. En effet, dans ces deux cas, l'influence de la dissolution latérale tend à s'accroître, en absence du cadre de protection conforme à l'invention. The method according to the present invention is all the more advantageous when the dimensions of the support 100 covered with the material 200 to be photoetched are large. Likewise, the method according to the present invention is all the more advantageous the greater the thickness of the material 200 to be photoetched. Indeed, in these two cases, the influence of the lateral dissolution tends to increase, in the absence of the protective framework according to the invention.
Le procédé conforme à la présente invention peut aussi être utilisé pour la fabrication des masques photo 400 eux-mêmes, lorsque ceux-ci sont réalisés par photogravure, par exemple par photogravure de couche de chrome ou d'oxyde de fer, ou d'un autre matériau opaque aux ultraviolets, sur des supports de verre. The process according to the present invention can also be used for the manufacture of the photo masks 400 themselves, when these are produced by photoengraving, for example by photoengraving of a layer of chromium or of iron oxide, or of a other material opaque to ultraviolet, on glass supports.
Bien entendu la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation particuliers qui viennent d'être décrits mais s'étend à toutes variantes conformes à son esprit. Of course the present invention is not limited to the particular embodiments which have just been described but extends to all variants in accordance with its spirit.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9112045A FR2681958A1 (en) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | Device which includes a pattern configured by photogravure, especially an electrical circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9112045A FR2681958A1 (en) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | Device which includes a pattern configured by photogravure, especially an electrical circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2681958A1 true FR2681958A1 (en) | 1993-04-02 |
Family
ID=9417458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9112045A Withdrawn FR2681958A1 (en) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | Device which includes a pattern configured by photogravure, especially an electrical circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2681958A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0747911A1 (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing thick-film resistor |
| US5624782A (en) * | 1994-04-14 | 1997-04-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing thick-film resistor elements |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5536977A (en) * | 1978-09-07 | 1980-03-14 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS60124941A (en) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Toshiba Corp | Manufacture of integrated circuit |
| EP0219100A2 (en) * | 1985-10-16 | 1987-04-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
-
1991
- 1991-10-01 FR FR9112045A patent/FR2681958A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5536977A (en) * | 1978-09-07 | 1980-03-14 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS60124941A (en) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Toshiba Corp | Manufacture of integrated circuit |
| EP0219100A2 (en) * | 1985-10-16 | 1987-04-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a fine pattern |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 4, no. 067 (E-011)14 Mars 1980 & JP-A-55 036 977 ( FUJITSU LTD ) 14 Mars 1980 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 9, no. 284 (E-357)12 Novembre 1985 & JP-A-60 124 941 ( TOSHIBA KK ) 4 Juillet 1985 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624782A (en) * | 1994-04-14 | 1997-04-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing thick-film resistor elements |
| EP0747911A1 (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing thick-film resistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0002999B1 (en) | Process for the formation of a masking layer on a substrate so as to obtain a mask | |
| EP0001030B1 (en) | Process for manufacturing a mask according to a given pattern on a support | |
| FR2666449A1 (en) | PROCESS FOR MAKING A FINE DRAWING ON A SEMICONDUCTOR COMPRISING A DIFFERENCE. | |
| KR20020033041A (en) | Method for manufacturing photo mask and photo mask | |
| EP3508916B1 (en) | Method for manufacturing a multi-level electroforming micromould | |
| KR19990044937A (en) | Method for manufacturing semiconductor device using scattering angle limited projection electron lithography mask and mask thereof | |
| WO2007068617A1 (en) | Method for making a reflection lithographic mask and mask obtained by said method | |
| CH632854A5 (en) | BLANK PRINTER FORM FOR HELIOGRAVURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME. | |
| FR2681958A1 (en) | Device which includes a pattern configured by photogravure, especially an electrical circuit | |
| US6420101B1 (en) | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of non-patterned exposure | |
| EP1960835B1 (en) | Reflection lithography mask and method for making same | |
| US6720116B1 (en) | Process flow and pellicle type for 157 nm mask making | |
| JPH0249416A (en) | Formation of fine pattern | |
| FR2960658A1 (en) | NANOMETRIC PRINTING LITHOGRAPHY | |
| KR101080008B1 (en) | Glass substrate for hardmask and method for fabricatiing hardmask using the same | |
| FR2662518A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING A MASK | |
| EP0021095B1 (en) | Direct process for the production of chrome masks with a pattern generator | |
| JP2003121978A (en) | Method for fabricating halftone phase shifting mask | |
| FR2545949A1 (en) | MASK STRUCTURE FOR ULTRAVIOLET RADIATION LITHOGRAPHY | |
| JPH06282064A (en) | Production of phase shift mask with auxiliary pattern | |
| EP0378033A1 (en) | Process for setting up a photolithographic exposure machine | |
| JP2633088B2 (en) | Manufacturing method of stamper | |
| JP4661146B2 (en) | Method for manufacturing halftone phase shift mask | |
| FR2531011A1 (en) | Graphic representation on a transparent substrate and its application to the manufacture of printed circuits | |
| KR960014966B1 (en) | Manufacturing method of mask |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TP | Transmission of property | ||
| ST | Notification of lapse |