FR2663161A1 - Optical waveguide with integrated transistor structure and applications to the production of laser modulators and optical couplers - Google Patents
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Abstract
Description
GUIDE D'ONDE OPTIQUE A STRUCTURE DE
TRANSISTOR INTEGRE E17 APPLICATIONS A LA
REALISATION DE MODULATEURS DE LASERS
ET DE COUPLEURS OPTIQUE
L'invention concerne un guide d'onde optique à structure de transistor intégré c'est-à-direune structure de guide d'onde intégrant un transistor permettant de commander la transmission optique dans le guide d'onde. Elle est applicable à la réalisation de modulateurs, de lasers et de coupleurs optiques.OPTICAL WAVEGUIDE WITH STRUCTURE OF
E17 INTEGRATED TRANSISTOR APPLICATIONS TO
REALIZATION OF LASER MODULATORS
AND OPTICAL COUPLERS
The invention relates to an optical waveguide with an integrated transistor structure, that is to say a waveguide structure incorporating a transistor for controlling the optical transmission in the waveguide. It is applicable to the production of modulators, lasers and optical couplers.
Les semiconducteurs présentent actuellement un grand potentiel comme matériaux de base pour la réalisation de composants optoélectroniques. Les techniques de croissance (MOCVD) ou (MBE) permettent le contrôle des épaisseurs des couches à quelques dixièmes de nanomètres près et la croissance de différents types de semiconducteurs sur le même substrat. Semiconductors currently have great potential as basic materials for the production of optoelectronic components. The growth techniques (MOCVD) or (MBE) allow the control of the thicknesses of the layers to within a few tenths of a nanometer and the growth of different types of semiconductors on the same substrate.
Les interfaces entre deux couches de semiconducteurs différents peuvent être abruptes et de très bonne qualité cristallographique induisant de très faibles pertes optiques (actuellement les pertes à la propagation sont inférieures à 0.2 dB/cm) et une concentration d'impuretés aux interfaces très faible (pour éviter les recombinaisons de charges).The interfaces between two layers of different semiconductors can be steep and of very good crystallographic quality inducing very low optical losses (currently the propagation losses are less than 0.2 dB / cm) and a very low concentration of impurities at the interfaces (for avoid charge recombination).
D'autre part les techniques de microlithographie et les procédés d'attaque chimique sélective peuvent, à l'heure actuelle, permettre la réalisation de motifs de la taille du micron. L'attaque chimique sélective est contrôlée grâce à une couche d'arrêt et il est couramment réalisé des rubans d'épaisseur de quelques nanomètres et de largeur de l'ordre d'un micron sur une longueur de plusieurs centimètres. On the other hand, microlithography techniques and methods of selective chemical attack can, at present, allow the production of patterns the size of a micron. The selective chemical attack is controlled by a barrier layer and ribbons with a thickness of a few nanometers and a width of the order of a micron over a length of several centimeters are commonly produced.
Ainsi, par ces deux techniques, on peut réaliser des composants ayant des applications soit pour ltélectronique, soit pour l'optique. Si les matériaux utilisés sont différents, il est possible de faire croître des cristaux de tailles de mailles légèrement différentes les uns sur les autres ce qui permet d'utiliser par exemple des transistors d'AsGa sur des substrats d'InP. Dans ce cas, les deux fonctions transistors et guide, laser ou modulateur sont intégrés sur le même substrat mais il faut les relier par des électrodes ce qui rend l'intégration moins aisée. La présence de connexions introduit des capacités parasites réduisant les performances de l'ensemble. Thus, by these two techniques, it is possible to produce components having applications either for electronics or for optics. If the materials used are different, it is possible to grow crystals of slightly different mesh sizes on each other, which makes it possible, for example, to use AsGa transistors on InP substrates. In this case, the two transistor and guide, laser or modulator functions are integrated on the same substrate, but they must be connected by electrodes, which makes integration less easy. The presence of connections introduces parasitic capacities reducing the performance of the assembly.
Si les matériaux sont identiques, il est donc possible de regrouper dans la même structure un guide optique et un transistor bipolaire. L'intérêt d'une telle structure est d'éviter les connexions qui limitent en général la bande passante, et de permettre une intégration beaucoup plus dense. If the materials are identical, it is therefore possible to group in the same structure an optical guide and a bipolar transistor. The advantage of such a structure is to avoid connections which generally limit bandwidth, and to allow much denser integration.
Dans le cas présent les fonctions amplification de courant et confinement de lumière ainsi que gain de lumière dans le cas d'une cavité laser sont intimement liée car le flux de courant de l'émetteur vers le collecteur passent à travers le flux de photons. In the present case, the functions current amplification and light confinement as well as light gain in the case of a laser cavity are intimately linked because the current flow from the emitter to the collector pass through the photon flow.
L'optimisation de la fonction transistor et de la fonction guide optique peut être antinomique si l'utilisation de la base sert aussi de guide comme cela est représenté en figure 1, car les caractéristiques d'une bonne base de transistor bipolaire est la finesse de la couche associée à un fort dopage. Optimizing the transistor function and the optical guide function can be contradictory if the use of the base also serves as a guide as shown in Figure 1, because the characteristics of a good bipolar transistor base is the smoothness of the layer associated with strong doping.
Donc une couche avec ces caractéristiques va créer un faible confinement du mode optique et des pertes en propagation très importante. Une structure de ce type est aussi très peu symétrique et donc provoque une différence entre le mode TE et
TM conduisant à un fonctionnement de ce composant dépendant de la polarisation ce qui n'est pas, en général, souhaitable. En plus, l'épaisseur de la base ne peut pas être réduite sinon la couche ne peut plus guider, le mode est à la coupure.So a layer with these characteristics will create low confinement of the optical mode and very significant propagation losses. A structure of this type is also very asymmetrical and therefore causes a difference between the TE mode and
TM leading to an operation of this component depending on the polarization which is not, in general, desirable. In addition, the thickness of the base cannot be reduced, otherwise the layer can no longer guide, the mode is switched off.
L'invention fournit une structure dans laquelle ces inconvénients sont résolus tout en conservant un bon recouvrement du mode optique et du courant amplifié par l'effet transistor. The invention provides a structure in which these drawbacks are resolved while retaining good recovery of the optical mode and of the current amplified by the transistor effect.
L'invention concerne donc un guide d'onde optique à structure de transistor intégrée, caractérisé en ce qu'il comprend sur un substrat (S)
- une première couche d'un matériau semiconducteur dopé d'un premier type (n par exemple) servant de collecteur de transistor
- une deuxième couche d'un matériau dopé d'un deuxième type (p par exemple) et servant de base du transistor
- au moins un premier élément en forme de nervure, dopé du premier type (n par exemple), situé sur la deuxième couche, permettant le confinement bi-dimensionnel d'un mode optique dans la structure et servant également d'émetteur de transistor
- la première couche étant en matériau transparent à au moins une longueur d'onde optique ayant un indice de réfraction optique supérieur à l'indice de réfraction du matériau de substrat S, de telle façon qu'un guidage optique puisse se faire dans cette première couche.The invention therefore relates to an optical waveguide with integrated transistor structure, characterized in that it comprises on a substrate (S)
a first layer of a doped semiconductor material of a first type (n for example) serving as a transistor collector
- a second layer of a doped material of a second type (p for example) and serving as the base of the transistor
- at least a first rib-shaped element, doped of the first type (n for example), located on the second layer, allowing two-dimensional confinement of an optical mode in the structure and also serving as a transistor emitter
the first layer being made of transparent material with at least one optical wavelength having an optical refractive index greater than the refractive index of the substrate material S, so that optical guidance can take place in this first layer.
Dans la structure selon l'invention, le guide optique est intégré intimement au transistor ce qui permet un très bon recouvrement des deux fonctions amplification électrique et guidage de la lumière. Et il est aussi possible d'optimiser les caractéristiques du transistor sans trop nuire à la qualité du guide optique car la structure possède une couche guidante séparée et distincte de la base du transistor. In the structure according to the invention, the optical guide is intimately integrated into the transistor, which allows very good overlapping of the two electrical amplification and light guiding functions. And it is also possible to optimize the characteristics of the transistor without detracting too much from the quality of the optical guide because the structure has a guiding layer separate and distinct from the base of the transistor.
D'autres avantages découlent de la combinaison de ces deux fonctions dans la même structure
- la compacité,
- la possibilité de réaliser un modulateur, ou un commutateur de lumière, rapide, indépendant de la polarisation et avec une tension de commande très faible,
- la possibilité de réaliser un laser avec une tension de commande faible sur la base permettant dans la zone active d'injecter un courant avec gain. Other advantages arise from the combination of these two functions in the same structure
- compactness,
- the possibility of making a modulator, or a light switch, fast, independent of polarization and with a very low control voltage,
- the possibility of producing a laser with a low control voltage on the base allowing in the active area to inject a current with gain.
L'invention concerne donc également un modulateur optique caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'alimentation en courant connectés aux premier et troisième contacts ohmiques et une source de tension commutable de commande connectée au deuxième contact ohmique. The invention therefore also relates to an optical modulator characterized in that it comprises current supply means connected to the first and third ohmic contacts and a switchable control voltage source connected to the second ohmic contact.
L'invention concerne également un laser caractérisé en ce que la première couche sert de couche active du laser. The invention also relates to a laser characterized in that the first layer serves as the active layer of the laser.
Enfin, l'invention concerne un coupleur optique caractérisé en ce qu'il comporte un deuxième élément définissant la forme d'un deuxième guide d'onde et situé sur la deuxième couche, dopé également du premier type (n par exemple), ledit deuxième élément ayant au moins une portion proche du premier élément de telle façon qu'il puisse y avoir un couplage optique entre le premier guide d'onde et le deuxième guide d'onde. Finally, the invention relates to an optical coupler characterized in that it comprises a second element defining the shape of a second waveguide and located on the second layer, also doped of the first type (n for example), said second element having at least a portion close to the first element so that there can be optical coupling between the first waveguide and the second waveguide.
Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent:
- la figure 1, un dispositif connu dans la technique et décrit précédemment
- les figures 2a et 2b, un exemple de réalisation simplifié d'un dispositif guide d'onde selon l'invention;
- la figure 3, un exemple de réalisation détaillée d'un dispositif guide selon l'invention;
- la figure 4, un exemple de fonctionnement du dispositif de la figure 3
- la figure 5, une variante de réalisation du dispositif de la figure 3
- les figures 6 et 7, un dispositif de couplage optique selon l'invention;
- la figure 8, un dispositif laser à semiconducteur selon l'invention.The various objects and characteristics of the invention will appear in the description which follows and in the appended figures which represent:
- Figure 1, a device known in the art and described above
- Figures 2a and 2b, a simplified embodiment of a waveguide device according to the invention;
- Figure 3, a detailed embodiment of a guide device according to the invention;
- Figure 4, an example of operation of the device of Figure 3
- Figure 5, an alternative embodiment of the device of Figure 3
- Figures 6 and 7, an optical coupling device according to the invention;
- Figure 8, a semiconductor laser device according to the invention.
En se reportant aux figures 2a et 2b, on va tout d'abord décrire un exemple de réalisation simplifié d'un guide d'onde optique selon l'invention. Ce dispositif comporte, sur un substrat S, une couche 2 d'un matériau d#pé de type n et une couche 4 d'un matériau dopé de type p. Sur la couche 4, se trouve un élément constitué de deux couches 5 et 6. Cet élément a une forme déterminée, linéaire par exemple comme cela est représenté en figure 2b. La couche 5 est fortement dopée de type n. Referring to Figures 2a and 2b, we will first describe a simplified embodiment of an optical waveguide according to the invention. This device comprises, on a substrate S, a layer 2 of an n-type d # material and a layer 4 of a p-type doped material. On layer 4, there is an element consisting of two layers 5 and 6. This element has a determined shape, linear for example as shown in FIG. 2b. Layer 5 is heavily n-type doped.
Par ailleurs, le substrat S permet également un contact électrique à la couche 2. Par exemple il est fortement dopé de type n+ et possède une plage de connexion électrique 8. Furthermore, the substrate S also allows electrical contact to the layer 2. For example, it is heavily n + type doped and has an electrical connection pad 8.
La couche 6 constitue une connexion électrique et la couche 4 possède une plage de connexion électrique. Layer 6 constitutes an electrical connection and layer 4 has an electrical connection area.
La structure de la figure 2a constitue donc une structure de transistor dans laquelle la couche 5 est l'émetteur, la couche 4 est la base et la couche 2 est le collecteur. The structure of FIG. 2a therefore constitutes a transistor structure in which layer 5 is the emitter, layer 4 is the base and layer 2 is the collector.
La couche 2 au moins est en matériau transparent à la longueur d'onde à guider dans le guide d'onde. Layer 2 at least is made of material transparent to the wavelength to be guided in the waveguide.
L'indice de réfraction de la couche 2 est supérieur aux indices de réfraction du substrat S et de la couche 4. La couche 2 sert donc de couche guidante. On voit donc que c'est la couche servant de collecteur qui sert de couche guidante. The refractive index of the layer 2 is higher than the refractive indices of the substrate S and of the layer 4. The layer 2 therefore serves as a guiding layer. It can therefore be seen that it is the layer serving as a collector which serves as the guiding layer.
Pour faire fonctionner une telle structure on connecte une source de courant aux contacts 6 et 8. Une tension appropriée appliquée au contact 7 permet de rendre le transistor passant. Un courant circule entre le contact 6, l'émetteur (couche 5) et le collecteur (couche 2) vers le contact 8. To operate such a structure, a current source is connected to the contacts 6 and 8. An appropriate voltage applied to the contact 7 enables the transistor to pass. A current flows between contact 6, the emitter (layer 5) and the collector (layer 2) towards contact 8.
L'indice de réfraction de la couche 2 est modifié en fonction de l'intensité du courant et la circulation d'une onde optique dans la couche 2 en-dessous de l'élément 5-6 est modifié en conséquence.The refractive index of layer 2 is modified according to the intensity of the current and the circulation of an optical wave in layer 2 below the element 5-6 is modified accordingly.
La figure 3 représente un exemple de réalisation détaille du guide d'onde selon l'invention. FIG. 3 represents a detailed embodiment of the waveguide according to the invention.
A partir du substrat S semiconducteur dopé (par exemple InP), on dépose par les techniques de dépôt (MOCVD) ou (MBE), une couche tampon 1 faiblement dopée, puis une deuxième couche 2 d'un matériau différent et d'indice supérieur à la couche 1 cette couche constitue principalement la zone guidante de la structure. From the doped semiconductor substrate S (for example InP), a lightly doped buffer layer 1 is deposited by deposition techniques (MOCVD) or (MBE), then a second layer 2 of a different material and of higher index at layer 1 this layer mainly constitutes the guiding zone of the structure.
Ensuite, on peut placer une couche tampon 3, dopée, d'indice optique plus faible que la couche 2. Puis on met une couche servant de base au transistor dopé d'un type différent des autres couches. Puis une couche 5 dopée du même type que le substrat et les couches 1,2 et 3. Then, it is possible to place a doped buffer layer 3, with a lower optical index than layer 2. Then a layer serving as a base for the doped transistor of a type different from the other layers is put. Then a doped layer 5 of the same type as the substrate and layers 1,2 and 3.
La couche qui permet le guidage a une épaisseur calculée pour obtenir un bon confinement du mode optique dans les couches faiblement dopées 1,2 > 3. La couche 4 est choisie pour obtenir une base d'un transistor bipolaire performant (dopage important et épaisseur réduite). La couche 5 est réduite soit pendant la croissance soit par diffusion après la croissance. The layer which allows guidance has a thickness calculated to obtain good confinement of the optical mode in the lightly doped layers 1.2> 3. The layer 4 is chosen to obtain a base of an efficient bipolar transistor (large doping and reduced thickness ). Layer 5 is reduced either during growth or by diffusion after growth.
La couche 5 a une forme et des dimensions qui définissent la forme et les dimensions (longueur et largeur) du guide d'onde à réaliser. Elle a, par exemple, une forme analogue à celle représentée en figure 2a. The layer 5 has a shape and dimensions which define the shape and the dimensions (length and width) of the waveguide to be produced. It has, for example, a shape similar to that shown in Figure 2a.
Les contacts ohmiques 6, 7, 8 sont réalisés sur les couches dopées en utilisant les techniques classiques de déposition de métal ou d'alliage de métaux. The ohmic contacts 6, 7, 8 are made on the doped layers using the conventional techniques of deposition of metal or metal alloy.
L'accès à la base (couche 4) est réalisé par attaque chimique sélective à travers un masque de résine avec formation de l'élément pour obtenir à la fois le confinement bi-directionnel du mode optique en-dessous de cet élément. A côté de cet élément le contact ohmique 7 est réalisé sur la couche 4. Les trois points de contacts électriques 6,7,8 nécessaires au fonctionnement du transistor sont donc le haut de l'élément 5 avec éventuellement un plot de report pour faciliter la prise de contact, la couche 4 à côté de l'élément 5 et la face arrière du substrat S. Access to the base (layer 4) is achieved by selective chemical attack through a resin mask with formation of the element to obtain both bi-directional confinement of the optical mode below this element. Next to this element the ohmic contact 7 is made on the layer 4. The three electrical contact points 6,7,8 necessary for the operation of the transistor are therefore the top of the element 5 with possibly a transfer pad to facilitate the making contact, layer 4 next to element 5 and the rear face of substrate S.
La structure décrite précédemment fonctionne de manière privilégiée en mode amplification de courant pour réaliser un modulateur par injection de charges. La tension de commande sur la base (couche 4), permet par de petites variations d'injecter un courant avec un gain important entre l'émetteur (couche 5) et le collecteur (couche 1,2,3) et donc de moduler la lumière guidée entre la base et le collecteur. The structure described above operates in a privileged manner in current amplification mode to produce a modulator by injection of charges. The control voltage on the base (layer 4), allows by small variations to inject a current with a significant gain between the emitter (layer 5) and the collector (layer 1,2,3) and therefore to modulate the guided light between the base and the collector.
Sur la figure 4, on voit les lignes du courant injecté entre l'émetteur et le collecteur et, schématisée par un ovale
G, la zone de guidage.In Figure 4, we see the lines of the current injected between the emitter and the collector and, shown diagrammatically by an oval
G, the guide area.
Selon l'exemple de matériaux et de dopages de la figure 3, la structure présente les caractéristiques suivantes
+ 18 - Substrat : InP dopé n à 1018 - Couche 1 : InP dopé n à 1015 et épaisseur 500 nm - Couche 2 : InGaAsp dopé n à 1015 et épaisseur 500 nm - Couche 3 : InP dopé n à 1015 et épaisseur 500 nm - Couche 4 : InGaAsp dopé p à 1018 et épaisseur 100 nm + 17 - Couche 5 : InP dopé n à 10 et épaisseur 500 nm. According to the example of materials and doping in FIG. 3, the structure has the following characteristics
+ 18 - Substrate: InP doped n at 1018 - Layer 1: InP doped n at 1015 and thickness 500 nm - Layer 2: InGaAsp doped n at 1015 and thickness 500 nm - Layer 3: InP doped n at 1015 and thickness 500 nm - Layer 4: InGaAsp doped p at 1018 and thickness 100 nm + 17 - Layer 5: InP doped n at 10 and thickness 500 nm.
Cette structure fonctionne par exemple avec une tension émetteur-collecteur de 3 Volts et la commutation peut se faire avec une tension de base-collecteur variante entre 0,5 et 0,8 Volts. This structure works for example with an emitter-collector voltage of 3 Volts and switching can be done with a base-collector voltage variant between 0.5 and 0.8 Volts.
La tension de commande de base peut donc être très faible par contre la puissance d'alimentation émetteur collecteur pourra être très forte ce qui permettra de faire fonctionner cette structure à très haute fréquence. The basic control voltage can therefore be very low, on the other hand, the power supply to the emitter collector may be very high, which will make it possible to operate this structure at very high frequency.
Notamment, en utilisant cette structure en modulateur optique, l'onde optique transmise dans le guide optique pourra être modulée par le courant injecté et le modulateur selon la fréquence alternative de la tension de commande de la base (couche 4) on pourra obtenir une modulation haute fréquence. In particular, by using this structure as an optical modulator, the optical wave transmitted in the optical guide can be modulated by the injected current and the modulator according to the alternating frequency of the control voltage of the base (layer 4) one can obtain a modulation high frequency.
La figure 5 représente un dispositif comportant un perfectionnement par rapport à celui de la figure 3. En effet, dans ce dispositif la base du transistor (couche 4) est limitée de part et d'autre de l'élément 5. On réduit ainsi la jonction p-n base-émetteur à la zone strictement nécessaire au fonctionnement du dispositif. On élimine ainsi des capacités parasites et on augmente les performances en fréquences élevées. FIG. 5 represents a device comprising an improvement with respect to that of FIG. 3. In fact, in this device the base of the transistor (layer 4) is limited on either side of the element 5. This reduces the pn base-emitter junction to the area strictly necessary for the device to operate. This eliminates stray capacitances and increases the performance at high frequencies.
La figure 6 représente un coupleur optique appliquant l'invention. Il comporte, sur un substrat S recouvert des couches 1,2,3 et 4, un élément 5-6 formant un premier transistor et un premier guide d'onde avec les couches 1,2,3. En supplément, à proximité de l'élément 5-6 est localisé un autre élément 15-16 similaire à l'élément 5-6. Cet élément 15-16 forme un deuxième transistor avec les couches 1,2,3 et un deuxième guide d'onde. FIG. 6 represents an optical coupler applying the invention. It comprises, on a substrate S covered with layers 1,2,3 and 4, an element 5-6 forming a first transistor and a first waveguide with the layers 1,2,3. In addition, near element 5-6 is located another element 15-16 similar to element 5-6. This element 15-16 forms a second transistor with the layers 1,2,3 and a second waveguide.
Associé à chaque transistor, c'est-à-dire sur la figure 6 associé à chaque élément 5-6 et 15-16 est associé un contact ohmique de base 7 pour la base du transistor comportant l'élément 5-6 et 17 pour la base du transistor comportant l'élément 15-16. Ces contacts ohmiques 7 et 17 sont disposés à des extrémités opposées de la structure par rapport aux éléments 5-6 et 15-16. Associated with each transistor, that is to say in FIG. 6 associated with each element 5-6 and 15-16 is associated a basic ohmic contact 7 for the base of the transistor comprising the element 5-6 and 17 for the base of the transistor comprising the element 15-16. These ohmic contacts 7 and 17 are arranged at opposite ends of the structure with respect to elements 5-6 and 15-16.
Cette structure peut fonctionner comme un commutateur de lumière avec cote à cote deux guides formant un coupleur directionnel. Dans ce cas, les transistors sont couplés ainsi que les guides, les bases sont reliées par la résistance R que crée la couche entre les deux éléments 5-6 et 15-16. Avec une tension différentielle très faible entre les deux bases des transistors, le flux de charges ira dans un seul des deux guides créant une différence d'indice permettant la commutation de la lumière ddlun guide à l'autre. Dans ce cas, on utilisera les propriétés du coupleur directionnel en jouant sur le déphasage induit par l'injection de porteurs et les propriétés d'une paire de transistors liée par un collecteur unique ayant une résistance entre les deux bases. This structure can function as a light switch with side by side two guides forming a directional coupler. In this case, the transistors are coupled as well as the guides, the bases are connected by the resistance R which the layer creates between the two elements 5-6 and 15-16. With a very low differential voltage between the two bases of the transistors, the charge flow will go in only one of the two guides creating a difference in index allowing the switching of light from one guide to the other. In this case, the properties of the directional coupler will be used by playing on the phase shift induced by the injection of carriers and the properties of a pair of transistors linked by a single collector having a resistance between the two bases.
Il est aussi possible de séparer les deux bases des transistors, tout en conservant le couplage optique des deux guides. Pour cela, on peut, par exemple, comme cela est représenté en figure 7, prévoir une interruption dans la couche 4 entre les deux éléments 5-6 et 15-16. It is also possible to separate the two bases of the transistors, while retaining the optical coupling of the two guides. For this, it is possible, for example, as shown in FIG. 7, to provide an interruption in layer 4 between the two elements 5-6 and 15-16.
Grâce au gain important de courant électrique que produit la fonction transistor, la longueur du composant des figures 6 et 7 peut être réduite d'autant, permettant un fonctionnement en haute fréquence et une plus grande intégration. Thanks to the significant gain in electric current produced by the transistor function, the length of the component in FIGS. 6 and 7 can be reduced by the same amount, allowing operation at high frequency and greater integration.
Il faut aussi isoler les zones où la jonction p/n en dehors du composant pourraient introduire une capacité parasite en diffusant des zones de diffusion, ou par une attaque de la base (couche 4) autour des éléments 5-6 et 15-16, tout en conservant une petite zone pour prendre les contacts 7 et 17 latéralement. It is also necessary to isolate the zones where the junction p / n outside the component could introduce a parasitic capacity by diffusing diffusion zones, or by an attack of the base (layer 4) around elements 5-6 and 15-16, while keeping a small area to take contacts 7 and 17 laterally.
Egalement, la structure décrite dans l'invention, peut s'appliquer à des lasers fonctionnant à haute fréquence. Les étapes technologiques pour permettre le fonctionnement en haute fréquence seront les mêmes que pour une structure classique avec un contact supplémentaire qui est celui de l'émetteur. Also, the structure described in the invention can be applied to lasers operating at high frequency. The technological steps to allow operation at high frequency will be the same as for a conventional structure with an additional contact which is that of the transmitter.
La figure 8 représente une telle structure laser. FIG. 8 represents such a laser structure.
Cette structure est similaire à celle de la figure 3 avec la couche 4 servant de zone active. La zone active Q est comprise entre des zones dopées p et n. Une injection de courant sera réalisée dans la zone active Q. Ce courant va peupler en électrons la zone active Q et on aura une émission laser comme cela est représenté en figure 8. This structure is similar to that of FIG. 3 with the layer 4 serving as the active zone. The active area Q is between p and n doped areas. A current injection will be carried out in the active zone Q. This current will populate the active zone Q with electrons and there will be a laser emission as shown in FIG. 8.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9007167A FR2663161A1 (en) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | Optical waveguide with integrated transistor structure and applications to the production of laser modulators and optical couplers |
Applications Claiming Priority (1)
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| FR9007167A FR2663161A1 (en) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | Optical waveguide with integrated transistor structure and applications to the production of laser modulators and optical couplers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2663161A1 true FR2663161A1 (en) | 1991-12-13 |
Family
ID=9397425
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| FR9007167A Withdrawn FR2663161A1 (en) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | Optical waveguide with integrated transistor structure and applications to the production of laser modulators and optical couplers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2663161A1 (en) |
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1990
- 1990-06-08 FR FR9007167A patent/FR2663161A1/en not_active Withdrawn
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