FI123666B - Process for the preparation of highly conformal coatings - Google Patents
Process for the preparation of highly conformal coatings Download PDFInfo
- Publication number
- FI123666B FI123666B FI20115325A FI20115325A FI123666B FI 123666 B FI123666 B FI 123666B FI 20115325 A FI20115325 A FI 20115325A FI 20115325 A FI20115325 A FI 20115325A FI 123666 B FI123666 B FI 123666B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- solvent
- siloxane polymer
- ketone
- boiling
- mixture
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
MENETELMÄ KORKEAN KONFORMAALISUU S ASTEEN OMAAVIEN PINNOTTEIDEN VALMISTAMISEKSIMETHOD FOR PREPARING HIGH CONFORMITY SURFACE COATINGS
Esillä oleva keksintö koskee sellaisten konformaalisten pinnoitteiden eli päällysteiden ja 5 kalvojen valmistamista, joita voidaan käyttää esimerkiksi elektroniikan alalla ja optisissa kojeissa. Tällaiset päällysteet ja kalvot valmistetaan asetusmenetelmillä, joiden mukaan polymeerimateriaalin nestemäinen formulaatio, esimerkiksi siloksaanipolymeeri, levitetään substraatille.The present invention relates to the manufacture of conformal coatings, i.e. coatings and films, which can be used, for example, in the field of electronics and optical instruments. Such coatings and films are prepared by application methods whereby a liquid formulation of the polymeric material, for example a siloxane polymer, is applied to the substrate.
10 Konformaaliset päällysteet ovat tärkeitä elektroniikkateollisuudessa ja optisessa teollisuudessa. Monissa tämänhetkisissä CMOS kuvasensoreisssa käytetään konformaalisia antireflektiivisiä (AR) päällysteitä mikrolinssijärjestelmien päällä transmittanssin parantamiseksi. Ilman AR-päällystettä yli 5 % valosta menetetään mikrolinssin pinnalla tapahtuvan heijastumisen vuoksi, mikä johtaa vähentyneeseen herkkyyteen ja lisääntyneeseen 15 häiriöön alhaisen valon olosuhteissa. Heijastuneella valolla on myös negatiivinen vaikutus kirkkauteen ja kontrastiin.10 Conformal coatings are important in the electronics and optical industries. Many current CMOS image sensors use conformal anti-reflective (AR) coatings on microlens systems to improve transmittance. Without the AR coating, more than 5% of the light is lost due to reflection on the surface of the microlens, resulting in reduced sensitivity and increased interference under low light conditions. The reflected light also has a negative effect on brightness and contrast.
Kun planaarisuus yleensä ottaen on usein haluttu ominaisuus ja sitä käytetään aukkojen ja urien täyttämiseksi puolijohdeteollisuudessa valmistetuissa kojeissa, konformaalisuutta 20 puolestaan tarvitaan yleensä, kun halutaan hyviä antireflektiivisiä päällysteitä. Liian planaariset AR-päällysteet lisäävät sekä kokonaisreflektanssia että keskinäishäiriötä vierekkäisten fotopintojen välillä. Tällöin myös vaarannetaan pienen kulman suorituskyky - eräs syy miksi mikrolinssejä ylipäänsä käytetään. Tämä johtaa vinjetointiin, joka voimistuu co o käytettäessä laajakulmalinssejä.While planarity in general is often a desirable property and is used to fill gaps and grooves in instruments manufactured by the semiconductor industry, conformality is generally required when good anti-reflective coatings are desired. Too planar AR coatings increase both total reflection and mutual interference between adjacent photographic surfaces. This also compromises low-angle performance - one of the reasons why microlenses are used at all. This results in vignetting, which is intensified by the use of wide-angle lenses.
cd 25 cp 0 Ihanteellisella antireflektiivisella päällysteellä on yhtenäinen paksuus mikrolinssien päällä.cd 25 cp 0 The ideal anti-reflective coating has a uniform thickness on the microlenses.
x Sopivan AR-päällysteen vaikutusta mikrolinssien reflektanssiin kuvataan kuvioissa 1 - 3:x The effect of a suitable AR coating on the reflectance of the microlenses is illustrated in Figures 1-3:
IXIX
Q_Q_
LOLO
Kuvio 1 esittää valkoiselle valolle optimoidun AR-päällysteen, (joka on paksuudeltaan Rl = tn ^ 30 1,25, Tx = 109,5 nm) simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaalilla (Rl = 1,57) 90° o ^ kulmassa.Figure 1 shows a simulated reflectance of a white light optimized AR coating (R 1 = t 1 → 1.25, T x = 109.5 nm) with a microlens material (R 1 = 1.57) at 90 °.
22
Kuvio 2 kuvaa siniselle valolle optimoidun AR-päällysteen, (joka on paksuudeltaan Rl = 1,25, Tx = 87,5 nm) simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaalilla (Rl = 1,57) 90° kulmassa.Figure 2 depicts the simulated reflectance of a blue light optimized AR coating (R 1 = 1.25, Tx = 87.5 nm) with a microlens material (R 1 = 1.57) at 90 °.
5 Kuvio 3 kuvaa simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaaleilla (Rl = 1,57) ilman AR-päällystettä.Figure 3 depicts simulated reflectance with microlens materials (R1 = 1.57) without AR coating.
Peukalosääntö on, että maksimaalinen reflektanssin väheneminen saavutetaan, kun antireflektiivisen päällysteen taitekerroin (lyhennetään myös Rl) on noin sama kuin käytetyn 10 mikrolinssimateriaalin Rl:n neliöjuuri. Esimerkiksi novolakkaperustainen mikrolinssimateriaali, jonka Rl = 1,57, tarvitsee optimaalista toimintaa varten ilmassa antireflektiivisen päällysteen, jonka Rl = Vl,55 = 1,25. Tällaisen päällysteen optimoitu paksuus voidaan toisaalta laskea Fresnell-yhtälöiden avulla. Siinä tapauksessa konformaalisen AR-päällysteen paras paksuus on 80. .. 120 nm, aallonpituudesta riippuen, ja se voidaan 15 optimoida sinänsä tunnetuilla menetelmillä.As a rule of thumb, the maximum reduction in reflectance is achieved when the refractive index of the antireflective coating (also abbreviated as R1) is about the same as the square root of R1 of the 10 microlens material used. For example, a novolac-based microlens material having R1 = 1.57 requires an antireflective coating having R1 = V1, 55 = 1.25 in air for optimal function. On the other hand, the optimized thickness of such a coating can be calculated using the Fresnell equations. In this case, the conformal AR coating preferably has a thickness of 80 to 120 nm, depending on the wavelength, and can be optimized by methods known per se.
Konformaaliset päällysteet saadaan tyypillisesti CVD:n (chemical vapor deposition) avulla. CVD-mentelmä on kuitenkin suhteellisen kallis ja hidas menetelmä. Siihen tarvitaan kallista laitteistoa. Menetelmällä voidaan saada erittäin konformaalinen päällyste, jonka tyypillinen 20 minimi-RI on yli 1,4. Tämä arvo on pienempi kuin mikrolinssimateriaaleilla, mutta kuitenkin monessa tapauksessa edelleen liian suuri minimireflektanssia silmälläpitäen. CVD-kalvon RI:n säätäminen ei ole aina helppoa.Conformal coatings are typically obtained by chemical vapor deposition (CVD). However, the CVD method is a relatively expensive and slow method. It requires expensive hardware. The process can provide a highly conformal coating with a typical 20 minimum RI of greater than 1.4. This value is lower than that of microlens materials, but in many cases still too high for minimum reflection. Adjusting the RI of a CVD film is not always easy.
co o Polymeeriliuosten käyttö kalvoja päällystettäessä tarjoaa laajat mahdollisuudet materiaalinco o The use of polymer solutions in film coating offers a wide range of potentials for the material
CNJCNJ
cd 25 valinnassa. Tällaiset kalvot voidaan saostaa esimerkiksi upotuspäällystämällä, cp o rakopäällystamällä, ruiskupäällystämällä tai rotaatiopäällystämällä.cd 25 in the selection. Such films may be precipitated, for example, by immersion coating, cp o slit coating, spray coating or rotary coating.
XX
cccc
Upotus-, rako-ja ruiskupäällystysmenetelmiä käytetään yleensä, kun kyseessä on suuremmat m esineet kuten LCD:t ja aurinkopaneelit, kun sen sijaan piikiekkojen kohdalla käytetään yleensä m ^ 30 rotaatiopäällystystä. Rotaatiopäällystysmateriaalit saostetaan tyypillisesti piikiekolle o 00 annostelemalla tunnettu määrä polymeeriliuosta pyörivälle kiekolle, haihduttamalla liuottimet 3 matalassa lämmössä ja kovettamalla kalvo lopuksi kuumentamalla kuumalla levyllä tai uunissa, tai UV-valolla. Rotaatiopäällystysmenetelmässä käytetään halpoja varusteita ja se on suhteellisen nopea, erityisesti jos kovetus suoritetaan uunissa, johon mahtuu useita kiekkoja samanaikaisesti.Immersion, slit, and spray coating methods are generally used for larger objects such as LCDs and solar panels, whereas silicon wafers generally use m ^ 30 rotary coating. Rotary coating materials are typically precipitated on a silicon wafer 00 by dispensing a known amount of a polymer solution onto a rotating disk, evaporating the solvents 3 at low heat, and finally curing the film by heating in a hot plate or oven, or under UV light. The rotary coating process uses inexpensive equipment and is relatively fast, especially if the curing is carried out in a furnace that holds several discs at a time.
55
Yleensä ottaen rotaatiopäällystysmateriaalien parhaita ominaisuuksia on niiden hyvä planarisoiva ominaisuus, mikä on kuitenkin konformaalisuuden vastakohta. Tämä johtuu osittain sellaisten liuottimien käytöstä, joiden vaikutuksesta materiaali valuu tasaisesti kiekon päälle saostuksen aikana, ja myös polymeerin takaisinvalumasta, joka tapahtuu usein 10 lopullisen kovetuksen aikana ennen polymeerin täydellistä kovettumista.Generally speaking, the best properties of rotary coating materials are their good planarizing properties, which is, however, the opposite of conformality. This is due in part to the use of solvents that cause the material to flow uniformly onto the wafer during deposition, and also due to the backflow of the polymer, which often occurs during the final curing of the polymer prior to complete curing of the polymer.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on saada aikaan parempi menetelmä, jolla valmistetaan elektronisissa ja optisissa sovelluksissa käytettäviä konformaalisia kalvoja, ja jolla käsiteltävälle pinnalle levitetään polymeeriliuoksia.It is an object of the present invention to provide an improved process for making conformal films for electronic and optical applications and for applying polymer solutions to the surface to be treated.
1515
Yllättäen on todettu, että poikkeuksellisen konformaalisia päällysteitä voidaan saada aikaan myös rotaatiomateriaaleilla. Laajan tutkimustyön avulla on keksitty, että tämä on mahdollista käyttämällä polymeeriä tai polymeeriseosta, joka ei valu takaisin kovetuksen aikana.Surprisingly, it has been found that exceptionally conformal coatings can also be obtained with rotational materials. Extensive research has found that this is possible by using a polymer or polymer blend that does not flow back during curing.
20 Ennestään tunnetaan silksaanipolymeeriä liuotinseoksessa sisältäviä pinnoitusnesteitä (JP20022882785). Tunnetaan myös pinnoitusneste, joka sisältää siloksaanihartsia ja jossa liuottimena käytetään PGMEA:n ja etyyliasetyyliasetonaatin seosta (WO 2008102060).Coating fluids containing a silicane polymer in a solvent mixture are known in the art (JP20022882785). Also known is a coating liquid containing a siloxane resin using a mixture of PGMEA and ethylacetylacetonate as a solvent (WO 2008102060).
co δ Keksintö perustuu ajatukseen, että siloksaanimateriaali muodostetaan asetuskoostumukseen,co δ The invention is based on the idea that the siloxane material is formed into a setting composition,
CNJCNJ
δ 25 joka käsittää liuotinseoksen, jossa alhaisessa lämpötilassa kiehuva hyvä liuotin sekoitetaan cp o korkeammalla kiehuvaan ei-liuottimeen.δ 25 comprising a solvent mixture in which a low boiling good solvent is mixed with cp 0 a higher boiling non-solvent.
XX
cccc
Erityisesti tarkoituksena on formuloida sellaisten komponenttien koostumus, jossa polymeeri mIn particular, it is intended to formulate a composition of components wherein the polymer m
Pj ei täysin saostu korkeammalla kiehuvasta ei-liuottimesta, vaan pikemminkin muodostaa m 30 läpinäkyvän ja kirkkaan geelin asetuksen aikana. Alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa hyvää oPj does not completely precipitate from the higher boiling non-solvent, but rather forms a transparent and clear gel during setting. Low boiling good o
CVJCVJ
4 liuotinta tarvitaan sopivan kalvolaadun aikansaamiseksi sekä tuotteen lopulliseksi suodattamiseksi vieraista hiukkasista valmistuksen aikana.4 solvents are needed to provide the appropriate film quality and to finally filter the product from foreign particles during manufacture.
Täsmällisemmin sanottuna esillä olevan keksinnön mukaiselle menetelmälle on pääasiallisesti 5 tunnusomaista se, mikä esitetään patenttivaatimuksen 1 mukaisessa tunnusmerkkiosassa.More specifically, the method of the present invention is essentially characterized by what is disclosed in the characterizing part of claim 1.
Esillä olevan keksinnön avulla saadaan aikaan huomattavia etuja. Kun käytetään etukäteen määrättyä sekä emäs-ja/tai happokatalysoitujen polymeerien suhdetta, voidaan valmistaa erittäin konformaalinen AR-päällyste, jolla on säädettävä Rl ja optimaalinen suorituskyky 10 mikrolinssi- tai muita optisia materiaaleja silmälläpitäen.The present invention provides considerable advantages. Using a predetermined ratio of both base and / or acid catalyzed polymers, a highly conformal AR coating having adjustable R1 and optimum performance for 10 microlens or other optical materials can be prepared.
Seuraavassa keksintöä tarkastellaan lähemmin yksityiskohtaisen selityksen avulla ei-rajoittaviin sovellutusesimerkkeihin viitaten.In the following, the invention will be further explored by means of a detailed description with reference to non-limiting examples.
15 Kuvio 1 esittää diagrammia, josta ilmenee reflektanssi suhteessa aallonpituuteen ja se kuvaa AR-päällysteen simuloitua reflektanssia, jolloin päällysteen paksuus on optimoitu valkoiselle valolle (RI=1,25, Tx=109,5 nm) mikrolinssimateriaalilla (RI=1,57) 90° kulmassa, kuvio 2 esittää vastaavaa diagrammia, josta ilmenee reflektanssi suhteessa aallonpituuteen, ja joka kuvaa AR-päällysteen simuloitua reflektanssia, jonka paksuus on optimoitu siniselle 20 valolle (RI=1,25, Tx=87,5 nm) mikrolinssimateriaalilla (RI=1,57) 90° kulmassa, kuvio 3 esittää simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaalilla (RI=1,57), jossa ei ole AR-päällystettä, kuvio 4A on esimerkin 4 mukaisen rotaatiopäällystetyn urakuvion SEM-kuva, co o kuvio 4B on esimerkin 4 mukaisen rotaatiopäällystetyn urakuvion toinen SEM-kuva,Figure 1 is a graph showing reflectance relative to wavelength and depicting simulated reflectance of an AR coating, optimized for white light (RI = 1.25, Tx = 109.5 nm) with microlens material (RI = 1.57) 90 °, Fig. 2 shows a corresponding diagram showing the reflectance relative to the wavelength, illustrating the simulated reflectance of the AR coating optimized for blue light (RI = 1.25, Tx = 87.5 nm) with microlens material (RI = 1). , 57) at 90 °, Fig. 3 shows simulated reflectance with microlens material (RI = 1.57) without AR coating, Fig. 4A is a SEM image of a rotary coated groove pattern according to Example 4, another SEM image,
(M(M
cö 25 kuvio 5 kuvaa kalvon RI:n muutosta esimerkeissä IA ja IB tuotettujen materiaalien cp 0 sekoitussuhteen funktiona, x kuvio 6A on vertailuesimerkissä 2 saadun liuoksen rotaatiopäällystetyn urakuvion SEM-kuva, crc0 25 Fig. 5 illustrates the change in film RI as a function of the mixing ratio cp 0 of the materials produced in Examples IA and IB, x Fig. 6A is a SEM image of the rotary coated groove pattern of the solution obtained in Comparative Example 2
CLCL
jaand
LOLO
kuvio 6B on toinen vertailuesimerkissä 2 saadun liuoksen rotaatiopäällystetyn urakuvion ^ 30 SEM-kuva.Fig. 6B is another SEM image of a rotationally coated groove pattern of the solution obtained in Comparative Example 2.
o c\j 5o c \ j 5
Esillä olevan keksinnön edullisen sovellutusmuodon mukaan korkean konformaalisuusasteen omaava päällyste tai kalvo valmistetaan siloksaanipolymeerikoostumuksesta, joka käsittää siloksaanipolymeerin orgaanisten yhdisteiden seoksessa (jota kutsutaan seuraavassa myös “liuotinseokseksi”) Joka sisältää ainakin yhden alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen, 5 jonka kiehumispiste on korkeintaan 145 °C, ja ainakin yhden korkeassa lämpötilassa kiehuvan yhdisteen (jota kutsutaan seuraavassa myös “ei-liuottimeksi”), jonka kiehumispiste on ainakin 120 °C. Korkeassa lämpötilassa kiehuvan ja alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispisteiden ero on ainakin 10 °C, edullisesti yli 15 °C, erityisesti yli 20 °C, tyypillisesti noin 25 °C tai korkeampi.According to a preferred embodiment of the present invention, a high conformation coating or film is prepared from a siloxane polymer composition comprising a siloxane polymer in a mixture of organic compounds (also referred to as a "solvent mixture") containing at least one low boiling solvent, one high boiling point compound (hereinafter also referred to as "non-solvent") having a boiling point of at least 120 ° C. The difference between the high boiling point and the low boiling point of the solvent is at least 10 ° C, preferably above 15 ° C, especially above 20 ° C, typically about 25 ° C or higher.
10 “Alhaisessa lämpötilassa kiehuva liuotin” voi olla mikä tahansa yhdiste, tyypillisesti mikä tahansa yhdiste, joka on nestemäinen huoneenlämpötilassa ja joka pystyy toimimaan hyvänä polymeerin liuottimena lämpötilavälillä, joka kattaa siloksaanipolymeerikoostumusten valmistuksen. Alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen tulisi edullisesti olla nestemäinen 15 myös siloksaanipolymeerikoostumuksen levityksen alkuvaiheissa sitä levitettäessä rotaatiopäällystyksellä sopivalle substraatille.The "low boiling solvent" may be any compound, typically any compound, which is liquid at room temperature and capable of serving as a good solvent for the polymer at a temperature range covering the preparation of siloxane polymer compositions. Preferably, the low boiling solvent should also be liquid, even during the initial stages of application of the siloxane polymer composition, when applied by rotary coating to a suitable substrate.
Yleensä alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispiste ympäristön paineessa on noin 30 - 145 °C, erityisesti noin 40 - 145 °C, edullisesti noin 50 - 145 °C.Generally, the boiling point of a low boiling solvent at ambient pressure is about 30-145 ° C, particularly about 40-145 ° C, preferably about 50-145 ° C.
2020
Edullisesti käytetään alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa liuotinta, joka voidaan täysin tai oleellisesti täysin haihduttaa etukäteen määritellyssä vaiheessa siloksaanipolymeeri- koostumuksen levityksen aikana tai edullisesti ensimmäisen vaiheen eli levityksen jälkeen, co o jolloin jäljelle jää märkä geeli, joka on muodostunut polymeerimateriaalista ja liuotinseoksenPreferably, a low-boiling solvent is used which can be completely or substantially completely evaporated at a predetermined stage during the application of the siloxane polymer composition, or preferably after the first step, i.e. application, leaving a wet gel formed of the polymeric material and solvent mixture.
(M(M
cö 25 toisesta pääkomponentista, korkeassa lämpötilassa kiehuvasta yhdisteestä, cp o x Edullisen sovellutusmuodon mukaan alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimenc 25 of another main component, high temperature boiling compound, cp o x In a preferred embodiment, a low temperature boiling solvent
DCDC
kiehumispiste on niin paljon alhaisempi kuin korkeassa lämpötilassa kiehuvan liuottimenthe boiling point is so much lower than that of the high boiling solvent
LOLO
kiehumispiste, että kalvoilla on mahdollisuus muodostaa märkä geeli sitä seuraavanthe boiling point that the membranes have the ability to form a wet gel following it
LOLO
30 kuivausprosessin aikana, o30 during the drying process, p
(M(M
66
Edullisesti käytetään myös alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa liuotinta, jolla on suhteellisen alhainen myrkyllisyys, ja joka ei ylen määrin kiihdytä polymeerin vanhenemista.Preferably, a low-boiling solvent of relatively low toxicity which does not excessively accelerate the aging of the polymer is also used.
Alhaisessa lämpötilassa kiehuva liuotin voi olla esimerkiksi orgaaninen yhdiste valittuna 5 joukosta alifaattisiset ja aromaattiset ketonit, alkoholit, esterit ja eetterit. Erityisiä esimerkkejä edullisista liuottimista ovat asetoni (kp. 56,5 °C), metyylietyyliketoni (kp. 79,6 °C), isopropanoli (kp. 82,5 °C), dietyyliketoni (kp. 100 °C), isobutanoli (kp. 108 °C), propyleeniglykolimetyylieetteri (kp. 118 °C) ja propyleeniglykolietyylieetteri (kp. 133 °C). Ilmoitetut kiehumispisteet viittaavat normaaliin, so. ympäristön paineeseen, ja ne ovat 10 indikatiivisia ainoastaan puhtailla yhdisteillä. Vaikka puhtaat yhdisteet ovat edullisia, ei ole poissuljettua, että “alhaisessa lämpötilassa kiehuvana liuottimena” käytetyssä orgaanisessa yhdisteessä on läsnä muita komponentteja, jotka pystyvät modifioimaan orgaanisen yhdisteen kiehumispistettä tai viskositeettia tai muita ominaisuuksia.The low boiling solvent may be, for example, an organic compound selected from the group consisting of aliphatic and aromatic ketones, alcohols, esters, and ethers. Specific examples of preferred solvents include acetone (bp 56.5 ° C), methyl ethyl ketone (bp 79.6 ° C), isopropanol (bp 82.5 ° C), diethyl ketone (bp 100 ° C), isobutanol (bp) 108 ° C), propylene glycol methyl ether (bp 118 ° C) and propylene glycol ethyl ether (bp 133 ° C). The stated boiling points refer to normal, i.e.. ambient pressure, and are indicative of pure compounds only. While pure compounds are preferred, it is not excluded that other components capable of modifying the boiling point or viscosity or other properties of the organic compound are present in the organic compound used as the "low boiling solvent".
15 Liuotinseoksen korkeassa lämpötilassa kiehuva komponentti voi olla mikä tahansa liuotinyhdiste, joka pystyy muodostamaan geelin polymeerin kanssa alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen haihdutuksen jälkeen. Myös korkeassa lämpötilassa kiehuva yhdiste on edullisesti neste lämpötilavälillä huoneenlämpötilasta levityslämpötilaan. Edullisen sovellutusmuodon mukaan korkeassa lämpötilassa kiehuva liuotin on sellainen, joka 20 käyttäytyy polymeerin ei-liuottimena.The high boiling component of the solvent mixture may be any solvent compound capable of forming a gel with the polymer after evaporation of the low boiling solvent. Also, the high-boiling compound is preferably a liquid at a temperature ranging from room temperature to application temperature. According to a preferred embodiment, the high boiling solvent is one which behaves as a non-solvent of the polymer.
Korkeassa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispiste on tyypillisesti niin paljon korkeammalla kuin alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispiste, että alhaisessa co o lämpötilassa kiehuvan liuottimen haihdutuksen jälkeen saostunut kalvo pystyy muodostamaanThe boiling point of a high boiling solvent is typically so much higher than the boiling point of a low boiling solvent that after evaporation of the low boiling solvent, the precipitated film can form
CNJCNJ
cd 25 märän geelin kuivausprosessin aikana. Edullisesti käytetään korkeassa lämpötilassa kiehuvaa cp o liuotinta, jolla on suhteellisen alhainen myrkyllisyys, ja joka ei ylen määrin kiihdytä x polymeerin vanhenemista, cccd 25 during the wet gel drying process. Preferably, a high temperature boiling cp o solvent is used which has a relatively low toxicity and does not excessively accelerate x polymer aging,
CLCL
LOLO
Pj Korkeassa lämpötilassa kiehuva ei-liuotin voi olla esimerkiksi, näihin kuitenkaanThe high temperature boiling non-solvent may be, for example, but not limited to
LOLO
30 rajoittumatta, di-iso-propyyliketoni (kp. 124 °C), di-n-propyyliketoni (kp. 145 °C), etyyli- o c\j 7 isoamyyliketoni (kp. 160 °C), di-isobutyyliketoni (kp. 169.4 °C), di-n-butyyliketoni (kp. 186 °C) tai dipentyyliketoni (kp. 186 °C). Kiehumispisteet ovat ainoastaan indikatiivisia.But not limited to, di-iso-propyl ketone (b.p. 124 ° C), di-n-propyl ketone (b.p. 145 ° C), ethyl-α, β-isoamyl ketone (b.p. 160 ° C), diisobutyl ketone (b.p. 169.4 ° C), di-n-butyl ketone (bp 186 ° C) or dipentyl ketone (bp 186 ° C). The boiling points are only indicative.
Liuotinseos sisältää tyypillisesti 1-100 paino-osaa alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa liuotinta 5 ja noin 1-100 paino-osaa korkeassa lämpötilassa kiehuvaa yhdistettä, erityisesti näiden kahden yhdisteen painosuhde on noin 1:20 - 20:1. Molaarinen suhde on edullisesti noin 1:50 -50:1, erityisesti noin 1:20 - 20:1 Jolloin alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen ekvimolaarinen määrä tai pieni stökiometrinen ylimäärä on erityisen edullinen.The solvent mixture typically contains from 1 to 100 parts by weight of the low-boiling solvent 5 and from about 1 to 100 parts by weight of the high-temperature boiling compound, in particular the weight ratio of the two compounds is about 1:20 to 20: 1. The molar ratio is preferably from about 1:50 to about 50: 1, especially from about 1:20 to about 20: 1 Whereby an equimolar amount or a small stoichiometric excess of low boiling solvent is particularly preferred.
10 Kun edellä mainittu polymeeriliuos rotaatiopäällystetään kiekolle, liuos käyttäytyy ensin normaalin rotaatiopäällystysmateriaalin tavoin. Se tarkoittaa, että se leviää tasaisesti koko kiekolle. Mutta kun alhaisessa lämpötilassa kiehuva hyvä liuotin haihdutetaan, kalvo muuttuu kosteaksi geeliksi, jolla on dramaattisesti vähentyneet valumaominaisuudet. Kun korkeassa lämpötilassa kiehuva ei-liuotin sitten kuivuu, geeli kutistuu rakenteiden päällä ja muodostaa 15 erittäin konformaalisen päällysteen.When the above-mentioned polymer solution is rotationally coated on a disk, the solution first behaves like a normal rotary coating material. This means that it spreads evenly over the entire disc. But when the low-boiling good solvent is evaporated, the film becomes a moist gel with dramatically reduced flow properties. When the high temperature boiling non-solvent then dries, the gel shrinks onto the structures and forms a highly conformal coating.
Näin saadun kalvon paksuus on tyypillisesti välillä noin 5 nm - 100 pm, tiettyjä sovelluksia kuten mikro linssejä varten edullinen paksuus on edullisesti noin 10 - 500 nm, erityisesti noin 50 - 200 nm. Edellä mainitut paksuusarvot soveltuvat erityisesti siloksaanikalvoille.The film thus obtained typically has a thickness in the range of about 5 nm to 100 µm, for certain applications such as micro lenses the preferred thickness is preferably about 10 to 500 nm, in particular about 50 to 200 nm. The thickness values mentioned above are particularly applicable to siloxane films.
2020
Koostumuksen polymeerinä voi olla yksi siloksaanipolymeeri tai kahden tai useamman siloksaanipolymeerin seos.The polymer of the composition may be a single siloxane polymer or a mixture of two or more siloxane polymers.
co o Sopivat siloksaanipolymeerit valmistetaan erään sovellutusmuodon mukaan emäs- tai c\i cd 25 happokatalysoidulla hydrolyysillä ja alkyyli- tai alkoksisilaanimonomeerien kondensaatiolla, cp o mahdollisesti yhdessä tarttuvuutta parantavan/parantavien silaanin/silaanien kanssa. Alkyyli- x tai alkoksisilaanimonomeereistä alempia alkyyli- tai alempia alkoksitähteitä sisältävätSuitable siloxane polymers are, according to one embodiment, prepared by base or acid catalysed hydrolysis and condensation of alkyl or alkoxysilane monomers, optionally in combination with adhesion enhancing silane (s). Containing lower alkyl or lower alkoxy residues of alkyl x or alkoxysilane monomers
DCDC
monomeerit ovat erityisen edullisia. Alkyylitähteet valitaan siten tyypillisesti Ci-6monomers are particularly preferred. Thus, alkyl radicals are typically selected from C 1-6
LOLO
£} alkyyliryhmistä kuten metyyli, etyyli, n- ja i-propyyli, n-, t- ja i-butyyli ja n-amyyli.E} alkyl groups such as methyl, ethyl, n- and i-propyl, n-, t- and i-butyl and n-amyl.
LOLO
30 Alkoksiryhmät sisältävät samoin edullisesti, 1-6 hiiliatomia (Ci-6 alkoksiryhmät), o ^ esimerkkejä ovat metoksi-, etoksi-, n- ja i-propoksi-, n-, t- ja i-butoksi- ja n-amyylioksiryhmät.Alkoxy groups likewise preferably contain 1-6 carbon atoms (C1-6 alkoxy groups), examples being methoxy, ethoxy, n- and i-propoxy, n-, t- and i-butoxy and n-amyloxy groups.
88
Silaanimonomeerit voivat käsittää 1-4 alkyyliryhmää ja 1-4 alkoksiryhmää ja näiden kombinaatiot, esimerkiksi 4 alkoksiryhmää tai 3 alkoksiryhmää ja 1 alkyyliryhmän.The silane monomers may comprise from 1 to 4 alkyl groups and from 1 to 4 alkoxy groups and combinations thereof, for example 4 alkoxy groups or 3 alkoxy groups and 1 alkyl group.
Erityisiä esimerkkejä sopivista monomeereistä ovat metyylitrialkoksisilaani ja tetra-5 alkoksisilaani. Erityisesti seuraavat monomeerit ovat erityisen edullisia: - metyylitrialkoksisilaanit valittuina joukosta metyylitrimetoksisilaani ja metyylitrietoksisilaani, ja - tetra-alkoksisilaanit valittuina joukosta tetraetoksisilaani ja tetrametoksisilaani.Particular examples of suitable monomers are methyltrialkoxysilane and tetra-5 alkoxysilane. In particular, the following monomers are particularly preferred: - methyltrialkoxysilanes selected from methyltrimethoxysilane and methyltriethoxysilane, and - tetraalkoxysilanes selected from tetraethoxysilane and tetramethoxysilane.
1010
Valmistettaessa erittäin konformaalisia päällysteitä ja kalvoja esillä olevan keksinnön mukaisia koostumuksia käyttäen syntyneen siloksaanipolymeerin taitekerroin säädetään erään edullisen sovellutusmuodon mukaan ennalta määrättyyn arvoon kontrolloimalla tai muuttamalla siloksaanipolymeerien sekoitussuhteita seoksessa.According to one preferred embodiment, the refractive index of the siloxane polymer formed using highly conformal coatings and films is adjusted to a predetermined value by controlling or changing the blending ratios of the siloxane polymers in the blend.
1515
Erään edullisen sovellutusmuodon mukaan tarttuvuutta parantava silaani voidaan valita joukosta trimetyylimetoksisilaani, trimetyylietoksisilaani, dimetyylidimetoksisilaani, dimetyylidietoksisilaani, trifluoripropyylitrimetoksisilaani, trifluoripropyylitrietoksisilaani, glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaani, glysidyylioksipropyylitrietoksisilaani, 20 vinyylitrimetoksisilaani, vinyylitrietoksisilaani, metakryylioksipropyylitrimetoksisilaani, metakryylioksipropyylitrietoksisilaani, akryylioksipropyylitrimetoksisilaani, akryylioksipropyylitrietoksisilaani, fenyylitrimetoksisilaani, fenyylitrietoksisilaani, fenyylimetyylidimetoksisilaani ja fenyylimetyylidietoksisilaani. co δ c\j cc, 25 Yleensä trialkoksi- tai tetralkoksisilaanin tai näiden seoksen molaarinen suhde tarttuvuutta cp ό parantavaan silaaniin on 1000:1 - 1:1000, erityisesti noin 100:1 - 1:100, edullisesti noin 100:1 x - 1:1, ja erityisesti noin 75:1 - 5:1.According to a preferred embodiment, the silane improves the adhesion may be selected from the group consisting of trimetyylimetoksisilaani, trimethylethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, trifluorpropyltrimethoxysilane, trifluoripropyylitrietoksisilaani, glycidyloxypropyltrimethoxysilane, glycidyloxypropyltriethoxysilane, 20 vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltriethoxysilane, acryloxypropyltrimethoxysilane, acryloxypropyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, fenyylimetyylidimetoksisilaani and fenyylimetyylidietoksisilaani. In general, the molar ratio of trialkoxy or tetralkoxysilane or a mixture thereof to an adhesion enhancing cp ό is 1000: 1 to 1: 1000, particularly about 100: 1 to 1: 100, preferably about 100: 1 x to 1. : 1, and in particular about 75: 1 to 5: 1.
cccc
CLCL
LOLO
^ Tyypillisesti silaanimonomeerit hydrolysoidaan ja esipolymerisoidaan edellä mainitulla tavallaTypically, silane monomers are hydrolyzed and prepolymerized in the above manner
LOLO
30 sellaisinaan tunnetuilla menetelmillä, jolloin syntyy esipolymeeri, jonka molekyylipaino Mw o 00 on noin 500 - 100,000 mol/g, erityisesti noin 5000 - 50,000 mol/g, ja mahdollisen 9 liuotinvaihdon jälkeen formuloidaan levityskoostumus. Koostumus sisältää noin 0,1 - 25 paino-%, edullisesti noin 1 - 20 paino-% polymeerimateriaalia.30, which produces a prepolymer having a molecular weight Mw 0 00 of about 500 to 100,000 mol / g, in particular about 5,000 to 50,000 mol / g, and after any 9 solvent changes, a spreading composition is formulated. The composition contains from about 0.1 to about 25% by weight, preferably from about 1 to about 20% by weight, of polymeric material.
Edellä kuvatunlaisia erittäin konformaalisia päällysteitä ja kalvoja voidaan valmistaa 5 rotaatiopäällystämällä, upotuspäällystämällä, rakopäällystämällä tai ruiskupäällystämällä. Päällysteet tai kalvot voidaan saattaa sopivalle substraatille, edullisesti planaariselle substraatille. Esimerkkejä substraateista ovat piimateriaalit, esimerkiksi piikiekot, piidioksidimateriaalit, kuten lasisubstraatit, metalli ja metallilejeeringit. Seuraavat ei-rajoittavat esimerkit kuvaavat keksintöä: 10The highly conformal coatings and films described above may be manufactured by rotary coating, submerged coating, slit coating, or spray coating. The coatings or films may be applied to a suitable substrate, preferably a planar substrate. Examples of substrates are silicon materials, for example silicon wafers, silica materials such as glass substrates, metal and metal alloys. The following non-limiting examples illustrate the invention: 10
Esimerkki IAExample IA
2 l:n kvartsikolviin laitettiin DIW:tä (308 g) ja metanolia (750 g), ja seos kuumennettiin 60 °C:seen öljyhauteessa. Lisättiin tetrametyyliammoniumhydroksidia (TMAH:ta, 30 g, 15 25-%:ista vesiliuosta). Metyylitrimetoksisilaania (90 g) ja tetraetoksisilaania (125 g) sekoitettiin 500 ml: n kolvissa ja seos lisättiin hyvin sekoitettuun kolviin 10 minuutissa. Liuos alkoi kiehua.A 2 L quartz flask was charged with DIW (308 g) and methanol (750 g) and heated to 60 ° C in an oil bath. Tetramethylammonium hydroxide (TMAH, 30 g, 25% aqueous solution) was added. Methyltrimethoxysilane (90g) and tetraethoxysilane (125g) were mixed in a 500ml flask and the mixture added to a well-stirred flask for 10 minutes. The solution began to boil.
Kun kaikki monomeerit oli lisätty, liuoksen annettiin refluksoitua vielä 10 minuuttia, minkä 20 jälkeen sen annettiin jäähtyä kaksi tuntia. Maleiinihapon vesiliuosta (33-%:ista, 35 g) lisättiin sitten TMAH:n neutraloimiseksi. Glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaania (GPTMOS, 5 g) lisättiin ja sen annettiin reagoida 5 minuuttia. Metanoliylimäärä tislattiin pois rotavaporilla.After all the monomers had been added, the solution was allowed to reflux for an additional 10 minutes, after which it was allowed to cool for two hours. Aqueous maleic acid (33%, 35 g) was then added to neutralize TMAH. Glycidyloxypropyltrimethoxysilane (GPTMOS, 5g) was added and reacted for 5 minutes. Excess methanol was distilled off with a rotary evaporator.
Jäljellejäänyt polymeeriliuos kaadettiin 4 l:n kolviin, joka täytettiin DIW:llä (800 g) ja co o metyyli-t-butyylieetterillä (MTBE, 600 g). Kun liuosta oli sekoitettu viisi minuuttia, kerrostenThe remaining polymer solution was poured into a 4 L flask which was filled with DIW (800 g) and co-methyl t-butyl ether (MTBE, 600 g). After stirring the solution for five minutes, lay the layers
CMCM
cc, 25 annettiin erottua, ja alempi vesifaasi poistettiin. Lisää DIW:tä (500 g) lisättiin ja kun seosta oli o o sekoitettu 5 minuuttia, kerrosten annettiin uudelleen erottua. Ylempi MTBE-faasi otettiin x talteen ja sitä säilytettiin pakastimessa. Polymeerin molekyylipainoksi mitattiin Mw/Mn = cc °· 25563/17052 GPC:llä tetrahydrofuraanissa kapeiden polystyreenistandardien avulla.cc, 25 were allowed to separate and the lower aqueous phase was removed. More DIW (500 g) was added and after stirring for 5 minutes the layers were allowed to separate again. The upper MTBE phase was recovered x and stored in a freezer. The molecular weight of the polymer was measured by Mw / Mn = cc · 25563/17052 in GPC in tetrahydrofuran using narrow polystyrene standards.
m c\j co mm c \ j co m
ζΐ 30 Esimerkki IBζΐ 30 Example IB
o C\l 10 2 l:n kvartsikolvi täytettiin asetonilla (750 g). Lisättiin metyylitrimetoksisilaania (90 g), tetraetoksisilaania (125 g) ja glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaania (5 g). Laimeata kloorivetyhappoa (dHCl, Ο,ΟΙΜ, 215 g) lisättiin hitaasti tipoittain, minkä jälkeen seosta sekoitettiin 30 minuuttia. Liuos kuumennettiin sitten refluksointilämpötilaan, ja sen annettiin 5 reagoida 5 tuntia. Seuraavaksi kolvi jäähdytettiin, ja haihtuvat aineet haihdutettiin rotavaporissa, kunnes saatiin paksu siirappi. Se liuotettiin MTBE:hen (500 g) ja trietyyliamiinia (TEA, 2 g) lisättiin. Liuosta refluksoitiin kaksi tuntia, minkä jälkeen se jäähdytettiin, ja se pestiin kaksi kertaa dHCkllä (0,5M, 200 g) ja kolme kertaa DIW:llä. MTBE-liuos otettiin talteen ja sitä säilytettiin pakastimessa. Polymeerin molekyylipainoksi 10 mitattiin Mw/Mn = 15332/5266 GPC:llä.A C11102L quartz flask was charged with acetone (750g). Methyltrimethoxysilane (90g), tetraethoxysilane (125g) and glycidyloxypropyltrimethoxysilane (5g) were added. Dilute hydrochloric acid (dHCl, Ο, ΟΙΜ, 215 g) was added slowly dropwise, followed by stirring for 30 minutes. The solution was then heated to reflux and allowed to react for 5 hours. Next, the flask was cooled and the volatiles were evaporated in a rotary evaporator until a thick syrup was obtained. It was dissolved in MTBE (500 g) and triethylamine (TEA, 2 g) was added. The solution was refluxed for 2 hours then cooled and washed twice with dHC (0.5M, 200g) and three times with DIW. The MTBE solution was collected and stored in a freezer. The molecular weight of the polymer 10 was measured with Mw / Mn = 15332/5266 GPC.
Esimerkki 2Example 2
Esimerkin IA mukaisen MTBE-faasin liuotin vaihdettiin metyylietyyliketoniksi (MEK) 15 rotavaporissa. Saatiin liuos, jossa oli 8 paino-% polymeeriä.The solvent for the MTBE phase of Example IA was changed to methyl ethyl ketone (MEK) in a rotary evaporator. A solution containing 8% by weight of polymer was obtained.
Esimerkki 3Example 3
Esimerkin 2 mukainen MEK-liuos otettiin talteen (20,8 g), ja lisää MEK:ta (12,5 g) ja etyyli - 20 isoamyyliketonia (EiAK, 16,7 g) lisättiin. Syntynyt liuos suodatettiin käsin 0,2 μιη:η PTFE- suodattimen läpi. Liuos rotaatiovalettiin 2000 rpm:llä, minkä jälkeen sitä kypsytettiin matalassa lämmössä kuumalla levyllä lämpötilassa 150 °C/5 min ja kovetettiin lämpötilassa 200 °C/5 min. Kalvonpaksuudeksi saatiin 168 nm ja Rl = 1,287. Tämä liuotinseos muodosti co o erittäin konformaalisen kalvon.The MEK solution of Example 2 was recovered (20.8 g) and additional MEK (12.5 g) and ethyl 20 isoamyl ketone (EiAK, 16.7 g) were added. The resulting solution was filtered by hand through a 0.2 μιη: η PTFE filter. The solution was rotationally cast at 2000 rpm, after which it was cooked under low heat on a hot plate at 150 ° C / 5 min and cured at 200 ° C / 5 min. The film thickness was 168 nm and R1 = 1.287. This solvent mixture formed a co-highly conformal film.
(M(M
cd 25 o o Esimerkki 4 xcd 25 o o Example 4 x
IXIX
“ Esimerkki 4 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin di-isobutyyliketonia tn (DIBK) EiAK:n asemesta. Myös tämä liuotinseos muodosti erittäin konformaalisen kalvon.“Example 4 was analogous to Example 3 except that diisobutyl ketone tn (DIBK) was used instead of EiAK. This solvent mixture also formed a highly conformal film.
iDiD
^ 30 o c\j 11^ 30 o c \ j 11
Kuvio 4A on SEM-kuva urarakenteesta, jolle tässä esimerkissä saatu liuos on levitetty rotaatiopääällystämällä. Kuten kuvasta käy ilmi, uran päällä, sivuilla ja pohjalla on melkein samat määrät materiaalia, mikä viittaa hyvään konformaalisuuteen.Figure 4A is a SEM view of the groove structure to which the solution obtained in this example is applied by rotary coating. As the picture shows, the groove, sides and bottom have almost the same amount of material, suggesting good conformality.
5 Kuvio 4B on toinen SEM-kuva urarakenteesta, jolle tässä esimerkissä saatu liuos on asetettu rotaatiopääällystämällä. SEM-kuvasta käy selvästi ilmi, että polymeerimateriaali on läsnä melkein samanlaisina määrinä uran päällä, sivuilla ja pohjalla, mikä viittaa hyvään konformaalisuuteen. Tärkeää on, että säröjä ei havaita.Figure 4B is another SEM view of the groove structure on which the solution obtained in this example is rotationally applied. It is clear from the SEM that the polymer material is present in almost equal amounts on the groove, sides and bottom, which indicates good conformality. It is important that no cracks are detected.
10 Kuvio 5 esittää kalvon RI:n muutosta esimerkkien IA ja IB materiaalien seoksen funktiona.Figure 5 shows the change in film RI as a function of the mixture of materials of Examples IA and IB.
Esimerkki 5Example 5
Esimerkki 5 oli analoginen esimerkin 3 kanssa, paitsi että käytettiin di-n-butyyliketonia 15 (DNBK) EiAK:n asemesta. Myös tämä liuotinseos muodosti erittäin konformaalisen kalvon.Example 5 was analogous to Example 3 except that di-n-butyl ketone (DNBK) was used instead of EiAK. This solvent mixture also formed a highly conformal film.
Esimerkki 6Example 6
Esimerkki 6 oh analoginen esimerkin 3 kanssa, paitsi että käytettiin di-n-propyyliketonia 20 (DNPK) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos muodosti konformaalisen kalvon.Example 6 oh analogous to Example 3 except that di-n-propyl ketone 20 (DNPK) was used in place of EiAK. This solvent mixture formed a conformal film.
Konformaalisuus ei kuitenkaan ollut yhtä hyvä kuin esimerkissä 3, 4 tai 5. Tämä viittaa siihen, että esimerkin 2 mukainen polymeeri liukenee melkein täydellisesti DNPK:hon, mikä tarkoittaa, että DNPK käyttäytyy melkein kuin hyvä liuotin, co δ c\j cd 25 Esimerkki 7 o o x Esimerkkien IA ja IB polymeerit sekoitettiin eri suhteissa, liuotin vaihdettiin MEK/EiAK- cc liuokseksi esimerkin 3 mukaisesti, ja rotaatiovalettiin piikiekolle. Saatiin virheettömiä, mHowever, the conformality was not as good as in Example 3, 4 or 5. This suggests that the polymer of Example 2 is almost completely soluble in DNPK, which means that DNPK behaves almost like a good solvent, co δ c \ cd. The polymers of Examples IA and IB were mixed in different ratios, the solvent changed to a MEK / EiAKcc solution according to Example 3, and rotated on a silicon wafer. Obtained without errors, m
Pj homogeeneja ja erittäin konformaalisia kalvoja eri Rl-välillä (kuvio). Tämä esimerkki osoittaa, m 30 että systeemin Rl voidaan helposti optimoida erilaisten alla olevien optisten materiaalien o 00 mukaan heijastuksen minimoimiseksi kussakin tapauksessa.P1 homogeneous and highly conformal membranes in different RI ranges (Figure). This example shows that the system R1 can be easily optimized according to the different optical materials o 00 below to minimize reflection in each case.
Esimerkki 8 12Example 8 12
Esimerkin IA mukainen MTBE-liuos otettiin talteen Ja lisättiin EiAK:ta. MTBE poistettiin 5 liuottimen vaihdolla rotavaporissa. Saatiin kirkas läpinäkyvä geeli Jota ei voitu suodattaa 1 gm:n PTFE-suodattimen läpi. Tämä viittasi siihen, että EiAK oli siloksaanipolymeerin ei-liuotin. Mutta kun kaksi osaa MEK:ta lisättiin yhteen osaan EiAK-liuosta, jossa oli ~8 % siloksaanipolymeeria, liuos oli helppo suodattaa 0,2 μηι:η PTFE-suodattimen läpi. Tämä osoittaa, että liuotinkombinaatio 1:2=EiAK:MEK liuottaa siloksaanipolymeerin.The MTBE solution of Example IA was recovered and EiAK was added. MTBE was removed by 5 solvent exchanges in the rotary evaporator. A clear transparent gel was obtained which could not be filtered through a 1 µm PTFE filter. This suggested that EiAK was a non-solvent for the siloxane polymer. But when two parts of MEK were added to one part of the EiAK solution containing ~ 8% siloxane polymer, the solution was easily filtered through a 0.2 μηι: η PTFE filter. This indicates that the solvent combination 1: 2 = EiAK: MEK dissolves the siloxane polymer.
1010
Esimerkki 9Example 9
Esimerkin IA mukainen MTBE-liuos otettiin talteen Ja lisättiin DIBK:ta. MTBE poistettiin liuottimen vaihdolla rotavaporissa. Saatiin kirkas läpinäkyvä geeli Jota ei voitu suodattaa 0,2 15 gm:n eikä 1 gm:n PTFE-suodattimen läpi. Tämä viittasi siihen, että DIBK oli siloksaanipolymeerin ei-liuotin. Mutta kun kaksi osaa MEK:ta lisättiin yhteen osaan DIBK-liuosta, jossa oli ~8 % siloksaanipolymeeria, liuos oli helppo suodattaa 0,2 μητη PTFE-suodattimen läpi. Tämä osoittaa, että liuotinkombinaatio 1:2=DIBK:MEK liuottaa siloksaanipolymeerin.The MTBE solution of Example IA was recovered and DIBK was added. MTBE was removed by solvent exchange in a rotary evaporator. A clear transparent gel was obtained which could not be filtered through a 0.2 15 µm or 1 µm PTFE filter. This suggested that DIBK was a non-solvent for the siloxane polymer. But when two parts of MEK were added to one part of a DIBK solution containing ~ 8% siloxane polymer, the solution was easily filtered through a 0.2 μητη PTFE filter. This indicates that the solvent combination 1: 2 = DIBK: MEK dissolves the siloxane polymer.
2020
Vertailuesimerkki 1 co Vertailuesimerkki 1 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin oj 25 metyyliamyyliketonia (MAK) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos ei muodostanut hyvää i o konformaalista kalvoa. Kun osa liuoksesta poistettiin, ja MEK haihdutettiin rotavaporissa, i 5 jäljellä oleva MAK-polymeeriliuos voitiin edelleen suodattaa 0,2 μ:η suodattimen läpi, mikäComparative Example 1c Comparative Example 1 was analogous to Example 3 except that δ 25 methylamyl ketone (MAK) was used in place of EiAK. This solvent mixture did not form a good conformal film. When part of the solution was removed and the MEK was evaporated in a rotary evaporator, the remaining 5 MAK polymer solution could be further filtered through a 0.2 μ η
Er viittaa siihen, että MAK oli polymeerin hyvä liuotin eikä siten pystynyt muodostamaan erittäin Q_ ^ konformaalista päällystettä.Er indicates that MAK was a good solvent for the polymer and thus was unable to form a highly conformal coating.
c\j 00 30 m δ c\jc \ j 00 30 m δ c \ j
Vertailuesimerkki 2 13Comparative Example 2 13
Vertailuesimerkki 2 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin propyleeniglykoli-n-propyylieetteriä (PnP) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos ei muodostanut hyvää 5 konformaalista kalvoa.Comparative Example 2 was analogous to Example 3 except that propylene glycol-n-propyl ether (PnP) was used in place of EIA. This solvent mixture did not form a good conformal film.
Kuvio 6A, joka on SEM-kuva urarakenteesta, jolle vertailuesimerkissä 2 valmistettu liuos on asetettu rotaatiopääällystämällä, osoittaa, että uran pohjaan on kerääntynyt suuri määrä materiaalia, mikä viittaa heikkoon konformaalisuuteen.Figure 6A, which is a SEM view of the groove structure on which the solution prepared in Comparative Example 2 is rotationally coated, indicates that a large amount of material has accumulated at the bottom of the groove, indicating poor conformation.
1010
Kuvio 6B Joka on toinen SEM-kuva urarakenteesta, jolle vertailuesimerkissä 2 valmistettu liuos on asetettu rotaatiopääällystämällä, osoittaa myös, että uran pohjaan on kerääntynyt suuri määrä materiaalia, mikä viittaa heikkoon konformaalisuuteen. Myös säröjä havaitaan. Kun osa liuoksesta poistettiin, ja MEK haihdutettiin rotavaporissa, jäljellä oleva PnP-polymeeriliuos 15 voitiin edelleen suodattaa 0,2 μ:η suodattimen läpi, mikä viittaa siihen, että PnP oli polymeerin hyvä liuotin eikä siten pystynyt muodostamaan erittäin konformaalista päällystettä.Figure 6B, which is another SEM view of the groove structure on which the solution prepared in Comparative Example 2 is rotationally coated, also indicates that a large amount of material has accumulated at the bottom of the groove, indicating a weak conformation. Cracks are also detected. When part of the solution was removed and the MEK was evaporated in a rotary evaporator, the remaining PnP polymer solution 15 could be further filtered through a 0.2 μ η filter, suggesting that PnP was a good solvent for the polymer and thus was unable to form a highly conformal coating.
Vertailuesimerkki 3 20Comparative Example 3 20
Vertailuesimerkki 3 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että MEK:ta käytettiin ainoana liuottimena liuoksen laimentamiseksi kiintoainepitoisuuteen 3,3 %. Tämä liuotin ei muodostanut hyvää konformaalista kalvoa, co δComparative Example 3 was analogous to Example 3 except that MEK was used as the sole solvent to dilute the solution to a solids concentration of 3.3%. This solvent did not form a good conformal film, co δ
, 25 Vertailuesimerkki 4A, 25 Comparative Example 4A
CDCD
cpcp
OO
Esimerkin IA mukainen MTBE-liuos otettiin talteen, ja lisättiin MAK:ta. MTBE poistettiin x £ liuottimen vaihdolla rotavaporissa. Saatiin kirkas läpinäkyvä liuos, jokavoitiin suodattaa 2 ^3 pm:n PTFE-suodattimen läpi. Tämä viittasi siihen, että MAK ei ollut ei-liuotin vaan hyvä co !£ 30 siloksaanipolymeerin liuotin. Se ei muodostanut hyvää konformaalista kalvoa.The MTBE solution of Example IA was recovered and MAK was added. MTBE was removed by x £ solvent exchange in rotary evaporator. A clear clear solution was obtained, which could be filtered through a 2 µm 3 PTFE filter. This suggested that MAK was not a non-solvent but a good solvent for the co-£ 30 siloxane polymer. It did not form a good conformal film.
δ c\jδ c \ j
Vertailuesimerkki 5 14Comparative Example 5 14
Vertailuesimerkki 5 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin propyleeniglykolimetyylieetteriasetaattia (PGMEA) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos ei 5 muodostanut hyvää konformaalista kalvoa. Kun osa liuoksesta poistettiin, ja MEKComparative Example 5 was analogous to Example 3 except that propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) was used in place of EiAK. This solvent mixture did not form a good conformal film. When part of the solution was removed, and MEK
haihdutettiin rotavaporissa, jäljellä oleva PGMEA-polymeeriliuos voitiin edelleen suodattaa 0,2 μ:η suodattimen läpi, mikä viittaa siihen, että PGMEA oli polymeerin hyvä liuotin, mikä selittää heikon konformaalisuuden. Lisäksi PGMEA-polymeeriliuos vanheni suhteellisen nopeasti, GPC:n perusteella, mikä viittaa stabiilisuusongelmiin.After evaporation in a rotary evaporator, the remaining PGMEA polymer solution could be further filtered through a 0.2 μ η filter, indicating that PGMEA was a good solvent for the polymer, which explains its poor conformation. In addition, the PGMEA polymer solution aged relatively quickly based on GPC, indicating stability problems.
1010
Vertailuesimerkki 6Comparative Example 6
Vertailuesimerkki 6 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin isopropanolia (IPA) EiAK:n asemesta. Rotaatiopäällystetty kalvo oh täynnä juovia, minkä vuoksi puhdas 15 IPA on sopimaton rotaatiopäällystykseen. Sitä voitiin kuitenkin käyttää upotuspäällystykseen. Koska formulaatiossa ei käytetty ei-liuotinta, saadulla kalvolla ei ollut hyvää konformaalisuutta.Comparative Example 6 was analogous to Example 3 except that isopropanol (IPA) was used in place of EiAK. The rotary coated film oh filled with lines, which makes pure 15 IPA unsuitable for rotary coating. However, it could be used for dip coating. Since the formulation did not use a non-solvent, the resulting film did not have good conformation.
co δ c\j ico δ c \ j i
COC/O
o oo o
XX
cccc
CLCL
m c\j co m δ c\jm c \ j co m δ c \ j
Claims (9)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20115325A FI123666B (en) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Process for the preparation of highly conformal coatings |
TW101111856A TWI545162B (en) | 2011-04-05 | 2012-04-03 | Method of producing highly conformal coatings |
PCT/FI2012/050342 WO2012136892A1 (en) | 2011-04-05 | 2012-04-04 | Method of producing highly conformal coatings |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20115325 | 2011-04-05 | ||
FI20115325A FI123666B (en) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Process for the preparation of highly conformal coatings |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20115325A0 FI20115325A0 (en) | 2011-04-05 |
FI20115325L FI20115325L (en) | 2012-10-06 |
FI20115325A FI20115325A (en) | 2012-10-06 |
FI123666B true FI123666B (en) | 2013-09-13 |
Family
ID=43919648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20115325A FI123666B (en) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Process for the preparation of highly conformal coatings |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
FI (1) | FI123666B (en) |
TW (1) | TWI545162B (en) |
WO (1) | WO2012136892A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6263310B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-01-17 | リンテック株式会社 | Method for producing antifouling sheet |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5152834A (en) * | 1990-09-14 | 1992-10-06 | Ncr Corporation | Spin-on glass composition |
US7855043B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
US20080185041A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Guardian Industries Corp. | Method of making a photovoltaic device with antireflective coating containing porous silica and resulting product |
TWI416262B (en) * | 2009-03-13 | 2013-11-21 | Jsr Corp | A silicon film-forming composition, a silicon-containing film, and a pattern-forming method |
-
2011
- 2011-04-05 FI FI20115325A patent/FI123666B/en active IP Right Grant
-
2012
- 2012-04-03 TW TW101111856A patent/TWI545162B/en active
- 2012-04-04 WO PCT/FI2012/050342 patent/WO2012136892A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI545162B (en) | 2016-08-11 |
FI20115325L (en) | 2012-10-06 |
FI20115325A (en) | 2012-10-06 |
WO2012136892A1 (en) | 2012-10-11 |
FI20115325A0 (en) | 2011-04-05 |
TW201245353A (en) | 2012-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105694005B (en) | Silanization poly (arylene ether) | |
US20080079894A1 (en) | Method of Producing a Substrate Which is Coated With a Mesoporous Layer and Use Thereof in Ophthalmic Optics | |
US20140051804A1 (en) | Polysilanesiloxane resins for use in an antireflective coating | |
US20190023942A1 (en) | Polysilsesquioxane resin composition for flexible substrate | |
TW201114838A (en) | Composition for forming pattern reversed film and method for forming reversed pattern | |
US9051491B2 (en) | Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings | |
US20090243018A1 (en) | Hybrid inorganic-organic polymer compositions for anti-reflective coatings | |
JP2011173738A (en) | Transparent fired body | |
JPWO2019208141A1 (en) | Release film for silicone adhesive and its manufacturing method | |
FI123666B (en) | Process for the preparation of highly conformal coatings | |
KR101492251B1 (en) | Modified polysiloxane-based copolymer, coating composition comprising the same, coated plastic substrate obtainable using the same and its preparing method, and method of preparing the modified polysiloxane-based copolymer | |
EP3597710B1 (en) | Novel polysiloxane compositions and uses thereof | |
TW201923015A (en) | Light absorbing composition and optical filter | |
WO2007130014A1 (en) | Organosilicon polymers | |
JP6949413B2 (en) | Silica film manufacturing method | |
TW200813150A (en) | Flattened film-forming composition | |
KR20180087466A (en) | Application solution for formation of coating film for spray application and coating film | |
TWI736521B (en) | Resin composition for planarization film or microlens | |
JPWO2011099505A1 (en) | Outdoor installation device and antireflection layer for outdoor installation device | |
JP6989188B1 (en) | Method for manufacturing resin composition, cured product, electronic component, two-component kit and cured product | |
TWI653304B (en) | Composition for forming a silicon oxide layer, method for producing a silicon oxide layer, and electronic device | |
CN114127197A (en) | Curable resin composition, cured film formed therefrom, and electronic device having cured film | |
JP6358416B2 (en) | High refractive index film forming composition for solid-state imaging device containing alkoxysilyl group | |
KR101334496B1 (en) | Coating liquid for coating film formation, production method thereof, coating film thereof, and antireflection member | |
KR20180097524A (en) | Resin composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG | Patent granted |
Ref document number: 123666 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |