FI115487B - Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi - Google Patents
Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi Download PDFInfo
- Publication number
- FI115487B FI115487B FI20040629A FI20040629A FI115487B FI 115487 B FI115487 B FI 115487B FI 20040629 A FI20040629 A FI 20040629A FI 20040629 A FI20040629 A FI 20040629A FI 115487 B FI115487 B FI 115487B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- pressure sensor
- etching mask
- etching
- silicon wafer
- etched
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- PFTAWBLQPZVEMU-DZGCQCFKSA-N (+)-catechin Chemical compound C1([C@H]2OC3=CC(O)=CC(O)=C3C[C@@H]2O)=CC=C(O)C(O)=C1 PFTAWBLQPZVEMU-DZGCQCFKSA-N 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- ADRVNXBAWSRFAJ-UHFFFAOYSA-N catechin Natural products OC1Cc2cc(O)cc(O)c2OC1c3ccc(O)c(O)c3 ADRVNXBAWSRFAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000005487 catechin Nutrition 0.000 claims 1
- 229950001002 cianidanol Drugs 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- -1 tetramethyl ammonium ammonium ammonium ammonium ammonium ammonium Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCN.OC1=CC=CC=C1O ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- ADMWVBXCJSMQLF-UHFFFAOYSA-N C(C)O.[Si] Chemical compound C(C)O.[Si] ADMWVBXCJSMQLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
115487
MENETELMÄ KAPASITIIVISEN PAINEANTURIN VALMISTAMISEKSI JA KAPASITIIVINEN PAINEANTURI
5 Keksinnön ala
Keksintö liittyy paineen mittauksessa käytettäviin mittalaitteisiin, ja tarkemmin sanottuna kapasitiivisiin paine-antureihin. Keksinnön avulla pyritään tarjoamaan parannettu 10 menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi sekä kapasitiivinen paineanturi, joka soveltuu käytettäväksi erityisesti pienikokoisissa kapasitiivisissa paineanturi-ratkaisuissa.
| 15 Keksinnön taustaa j Kapasitiiviseen paineanturiin perustuva mittaus on osoit tautunut periaatteeltaan yksinkertaiseksi ja luotettavaksi tavaksi paineen mittauksessa. Kapasitanssimittaus perustuu 20 anturin elektrodiparin kahden pinnan väliseen raon muutokseen. Pintojen välinen kapasitanssi eli sähkövarauksen säilytyskapasiteetti riippuu pintojen pinta-alasta sekä * · pintojen välisestä etäisyydestä. Kapasitanssimittausta I · voidaan käyttää jo varsin pienen paineen mittausalueilla.
» · 25 i ;;) Pienikokoiset kapasitiiviset paineanturirakenteet perustu- » · vat piille valmistettuun ohutkalvorakenteeseen. Toisen elektrodin muodostava ohut kalvo taipuu paineen vaikutuk-
> I
;· sesta ja muuttaa näin mitattavaa kapasitanssia.
30
Piin anisotrooppinen märkäetsaaminen on halpa ja suhteel-lisen tarkka tapa valmistaa ohutkalvorakenteita piihin.
• t
Sen suurin haitta on erittäin hitaasti etsaantuvien kalte-vien {111}-kidetasojen määräämien rakenteiden viemä pinta-35 ala.
115487 2
Anisotrooppisessa syövytyksessä syöpymisnopeus riippuu kidesuunnasta. Erittäin hitaasti syöpyvät kidetasot ovat niin sanottuja syöpymisen pysäyttäjätasoja ja ne määräävät syntyvän rakenteen. Toisaalta kiderakenne rajoittaa raken-5 teiden geometriaa ja perusrakenteita on rajoitettu määrä. Anisotrooppisia syövytteenä piille voidaan käyttää esimerkiksi kaliumhydroksidin vesiliuosta, KOH.
Piillä pysäyttäjätasoina ovat {lll}-kidetasot. Syövyttävä 10 liuos syövyttää piitä kunnes se kohtaa {lll}-kidetason.
Mikäli syöpymisen halutaan pysähtyvän näihin tasoihin, on rakenteet suunniteltava niin, etteivät ne sisällä ulkonevia kulmia, koska tällöin kulma allesyöpyy. Ainoastaan sisenevät kulmat pysäyttävät syöpymisen.
15
Tunnettua tekniikkaa selostetaan seuraavassa viitaten esimerkinomaisesti oheisiin kuviin, joista: ! kuva 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista märkäetsauk-sen etenemistä ajan funktiona kahdella erilaisel-20 la etsausmaskilla, kuva 2 esittää tunnetun tekniikan mukaista ideaalista '· paineanturin kaivorakennetta, < kuva 3 esittää tunnetun tekniikan mukaista anisotrooppi- • ! sella märkäetsillä saatavaa paineanturin kalvo- t 25 rakennetta, ja kuva 4 esittää tunnetun tekniikan mukaista (100)-pii- kiekkoa, johon on anisotrooppisella märkäetsillä ·· valmistettu paineanturin kaivorakenteita.
» - » : 30 Kuvassa 1 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen märkä- etsauksen eteneminen ajan funktiona kahdella erilaisella * t ‘ · etsausmaskilla. Kuvassa on lähtötilanteena esitetty sekä (100)-piikiekolle tehty rakenne neliön muotoisella etsaus-maskilla 1 että (100)-piikiekolle tehty rakenne vinoneliön 35 muotoisella etsausmaskilla 2. Kuvassa aika kulkee vasem- 115487 3 malta oikealle. Käytettäessä neliön muotoista, <110>-suun-taista etsausmaskia etsaus etenee tasaisesti ilman alle-syöpymistä 3, 4. Vastaavasti käytettäessä vinoneliön muotoista, <010>-suuntaista etsausmaskia etsaus syöpyy maskin 5 alle 5, 6.
Kuvassa 1 etsaus keskeytetään, ennen kuin kuviot etsaantu-vat käännetyiksi pyramideiksi. Etsauksen lopputuloksena saadaan samanlaiset rakenteet 7, 8. Kuvassa alimpana on 10 poikkileikkauskuva syntyneistä rakenteista. Lopullisen kuvion muodon määräävät {111}-kidetasot. {111}-tasot muodostavat arctan(1/) =54,74 2 kulman (100)-kidetason kanssa 9. Kuvasta näkyy myös hyvin, kuinka kaltevat tasot pienentävät keskelle jäävää pinta-alaa.
! 15
Kuvassa 2 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen ideaali-! nen paineanturin kaivorakenne. Kuvassa esitettyä ideaalis ta rakennetta 10 ei kuitenkaan voida valmistaa märkä-etsauksella (100)-piihin.
20
Kuvassa 3 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen aniso- '· trooppisella märkäetsillä saatava paineanturin kalvoraken- • · *- ' ne. Kuvassa esitetty anisotrooppisella märkäetsillä saata- * ; vassa rakenteessa 11 kaltevat pinnat kuluttavat y[2 d sivun i 25 pituudesta, jossa d on etsaussyvyys.
Anisotrooppisen märkäetsauksen suurin haitta on erittäin - hitaasti etsaantuvien kaltevien {lll}-kidetasojen määrää- » mien rakenteiden viemä pinta-ala. Usein pinta-alan hukka-: 30 ongelma ratkaistaan käyttämällä DRIE-kuivaetsausta (Deep *: Reactive Ion Etching), mutta etsauksen syvyystasaisuus ei ,·, ole läheskään yhtä hyvin hallittu kuin märkäetsauksessa.
Lisäksi kuivaetsaus voidaan tehdä vain kiekko kerrallaan, kun taas märkäetsaus voidaan tehdä kiekkoerälle kerral-35 laan. Märkäetsauksessa paineanturin kaivorakenne usein 4 1 1 5487 viimeistellään kuvioimalla taipuvan kalvo-osan pinta-ala piirakenteen takapinnalle.
Kuvassa 4 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen (100)-5 piikiekko, johon on anisotrooppisella märkäetsillä valmistettu paineanturin kaivorakenteita. Tunnetun tekniikan mukaisessa piikiekossa 12 on kuvattu kuusitoista ' neliömuotoista etsattua pinta alaa 13. Kuvassa ympyrällä merkitään paineanturin taipuvan kalvo-osan pinta-alaa 14, 10 joka on kuvioitu kalvon takapinnalle. Paineantureiden sahausurat on piirretty paksuilla mustilla viivoilla.
Tunnetun tekniikan mukaisessa paineanturirakenteessa ongelmana on piin anisotrooppisessa märkäetsauksessa erit-15 täin hitaasti etsaantuvien kaltevien {111}-kidetasojen määräämien rakenteiden viemä pinta-ala. Kaltevat tasot myös pienentävät paineanturin keskelle jäävän kalvo-osan pinta-alaa.
20 Keksinnön yhteenveto : ·* Keksinnön päämääränä on parannettu menetelmä kapasitiivisen • /· paineanturin valmistamiseksi sekä parannettu kapasitiivinen !fi>: paineanturi. Tämän keksinnön avulla säästetään piikiekon * /I" 25 pinta-alaa, ja se soveltuu käytettäväksi erityisesti pieni- : : kokoisissa kapasitiivisissa paineanturiratkaisuissa.
·· Keksinnön ensimmäisen piirteen mukaan tarjotaan menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi piikiekkoele-> 30 mentistä, jossa menetelmässä - piikiekko maskataan märkäetsausta varten, - piikiekko etsataan, : - etsausmaski poistetaan piikiekosta, ' ...· - piikiekko liitetään tukirakenteeseen, ja 35 - piikiekko sahataan erillisiksi paineanturielementeiksi, 115487 5 siten, että etsausmaski liitetään (100)-suunnatun piikie-kon anisotrooppisesti märkäetsattavien, oleellisesti <110>-suuntaan nähden vinoneliön muotoisten paineanturira-kenteiden päälle siten, että etsausmaskin käsittämien 5 avausten päät asettuvat etsattavien paineanturirakenteiden nurkkiin.
Edullisesti, etsausmaski voi käsittää <110>-suuntaisia avauksia. Edullisesti, etsausmaski voi käsittää allesyöpy-10 mistä viivästäviä rakenteita. Edullisesti, etsatun kiekon vastakkaiselle puolelle tai tukirakenteeseen kalvoa vasten muotoillaan paineherkät kalvoalueet.
Edullisesti, etsatun kiekon vastakkaiselle puolelle muo-15 toiltujen kalvoalueiden muoto on oleellisesti kulmistaan pyöristetty. Edullisesti, etsatun kiekon vastakkaiselle ' puolelle muotoiltujen kalvoalueiden muoto on oleellisesti kulmistaan pyöristetty ja kalvo on keskeltä tuettu.
20 Edullisesti, kalvoalueet muotoillaan ainetta poistaen esimerkiksi etsaamalla tai oksidoimalla. Edullisesti, etsaus-liuoksena käytetään anisotrooppista alkalia, esimerkiksi .* kaliumhydroksidiliuosta (KOH) , etyleenidiamiini-pyrokate- : koliliuosta (EDP) , natriumhydroksidiliuosta (NaOH) tai ;· 25 tetrametyyliammoniumhydroksidiliuosta (TMAH).
• I
I · , I ·
Keksinnön toisen piirteen mukaan tarjotaan kapasitiivinen ·· paineanturi siten, että paineanturielementin märkäetsatun * · » kalvoaltaan nurkissa sijaitsevat piin {lll}-kidetasot.
: /. 30 ' !.* Edullisesti, etsatun kiekon vastakkaiselle puolelle tai > · tukirakenteeseen kalvoa vasten on muotoiltu paineherkät % ; .* kalvoalueet. Edullisesti, etsatun kiekon vastakkaiselle ;1: puolelle muotoiltujen kalvoalueiden muoto on oleellisesti 6 115487 kulmistaan pyöristetty. Edullisesti, kalvo on keskeltä tuettu.
Piirustusten lyhyt selitys 5
Seuraavassa keksintöä ja sen edullisia toteutustapoja selostetaan yksityiskohtaisesti viitaten esimerkinomaisesti oheisiin kuviin, joista: kuva 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista märkäetsauk-10 sen etenemistä ajan funktiona kahdella erilaisel la etsausmaskilla, kuva 2 esittää ideaalista paineanturin kaivorakennetta, kuva 3 esittää tunnetun tekniikan mukaista anisotrooppi-sella märkäetsillä saatavaa paineanturin kalvo-15 rakennetta, kuva 4 esittää tunnetun tekniikan mukaista (100)-pii- kiekkoa, johon on anisotrooppisella märkäetsillä valmistettu paineanturin kaivorakenteita, kuva 5 esittää keksinnön mukaista (100)-piikiekkoa, 20 johon on anisotrooppisella märkäetsillä valmis tettu paineanturin kaivorakenteita, j kuva 6 esittää keksinnön mukaista kulmakompensaatioilla : varustettua etsausmaskia, ja : : kuva 7 esittää keksinnön mukaista kulmakompensaatioilla :* 25 varustetulla etsausmaskilla valmistettua etsattua paineanturirakennetta.
·· Kuvat 1-4 on esitetty edellä. Seuraavassa keksintöä ja sen edullisia toteutustapoja selostetaan viitaten kuviin 5-7.
: !·. 30
Keksinnön yksityiskohtainen selitys i » ; ·* Kuvassa 5 on esitetty keksinnön mukainen (100)-piikiekko, johon on anisotrooppisella märkäetsillä valmistettu paine-35 anturin kaivorakenteita. Keksinnön mukaisessa piikiekossa 7 1 15487 15 on kuvattu kuusitoista vinoneliön muotoista etsattua pinta-alaa 16. Kuvassa ympyrällä merkitään paineanturin taipuvan kalvo-osan pinta-alaa 17, joka on kuvioitu kalvon takapinnalle. Paineantureiden sahausurat on piirretty pak-5 suilla mustilla viivoilla. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa sahauksen suuntaa on käännetty 45 astetta <110>-suuntaan nähden.
Keksinnön mukaisessa ratkaisussa (100)-suunnattuun pii-! 10 kiekkoon on märkäetsaamalla valmistettu vinoneliön muotoi set kalvopinta-alat 17, jossa piin {lll}-kidetasot sijoit-j tuvat märkäetsatun kalvoaltaan nurkkiin. Keksinnön avulla anturin mitoissa voitetaan suuri osa kaltevista tasoista aiheutuvasta pinta-alahukasta.
15
Kuvassa 6 on esitetty keksinnön mukaisen rakenteen mahdollistava etsausmaski. Etsausmaskissa 18 on vinoneliön muotoinen avaus ja se voi käsittää myös kalvon nurkkien {111}-tasojen paikat määrääviä avauksia 19, sekä allesyö-20 pymistä viivästäviä rakenteita 20. Etsausmaski 18 liitetään (100)-suunnatun piikiekon etsattavien oleellisesti : vinoneliön muotoisten paineanturirakenteiden päälle siten, ; : että etsausmaskin 18 käsittämien avausten 19 päät asettu- ; : vat etsattavien paineanturirakenteiden nurkkiin.
;:· 25
Etsausliuoksena voidaan käyttää piitä anisotrooppisesti i » » syövyttävää alkalia, esimerkiksi kaliumhydroksidiliuosta '1· (KOH) , etyleenidiamiini-pyrokatekoliliuosta (EDP) , nat- ; riumhydroksidiliuosta (NaOH), tai tetrametyyliammoniumhyd- . 30 roksidiliuosta (TMAH) .
» » '!1 Kuvassa 7 on esitetty keksinnön mukainen kulmakompensaa- tioilla varustetulla etsausmaskilla 18 valmistettu etsattu paineanturirakenne. Keksinnön mukaisessa etsauksessa mas-35 kikuvio allesyöpyy, mutta silti paineanturirakenteen 21 115487 8 sivuille jää pystysuoraseinäisiä (OlO)-kidetasoja. Keksinnön mukaisella etsausmaskilla 18 valmistetulla etsatulla paineanturirakenteella 21 saadaan suurempi kalvo-osan pinta-ala 22. Keksinnön mukaisella etsausmaskilla valmiste-5 tussa etsatussa paineanturirakenteessa 21 piin {lll}-kide-tasot sijoittuvat märkäetsatun kalvoaltaan nurkkiin 23, 24. Etsauksen jälkeen etsausmaski 18 poistetaan.
Paineherkät kalvopinta-alat voidaan muotoilla etsatun kielo kon vastakkaiselta puolelta. Kun kalvon muoto on pyöreä, paineanturirakenteen 21 kulmiin jäävät <lll>-tasot eivät määrittele taipuvan kalvon muotoa. Lisäksi paineanturin kulmiin voidaan etsata kaasutaskuja referenssipaineen pitkänajan stabiilisuutta parantamaan. Paineanturin kalvon 15 valmistuksen jälkeen paineanturirakenne 21 liitetään tukirakenteeseen ja sahataan erillisiksi paineanturielemen-teiksi.
Keksinnön mukaisella etsausmaskilla valmistetun etsatun 20 paineanturirakenteen 21 pinnalle ei jää kompensaatiojäämiä, jotka voisivat muuttaa kalvon taipuman muotoa. Näin j ollen keksinnön mukaisella paineanturirakenteella 21 saa- *' .* daan aikaan haluttu taipuvan kalvon muoto, joka on verran- : nollinen kapasitanssi-paine-käyrän laskennalliseen vastee- ;· 25 seen.
Keksinnön mukaisessa paineanturirakenteen valmistuksessa :· paineanturin kalvon takapinnalle tai tukirakenteeseen ; kalvoa vasten kuvioidaan esimerkiksi ympyrän muotoinen . 30 alue, joka määrittelee taipuvan kalvon.
Claims (12)
1. Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi piikiekkoelementistä, jossa menetelmässä 5. piikiekko maskataan märkäetsausta varten, piikiekko etsataan, etsausmaski poistetaan piikiekosta, piikiekko liitetään tukirakenteeseen, ja piikiekko sahataan erillisiksi paineanturielementeiksi, 10 tunnettu siitä, että etsausmaski (18) liitetään (100)-suunnatun piikiekon anisotrooppisesti märkäetsatta-vien, oleellisesti <110>-suuntaan nähden vinoneliön muotoisten paineanturirakenteiden päälle siten, että etsaus-maskin (18) käsittämien avausten (19) päät asettuvat 15 etsattavien paineanturirakenteiden nurkkiin.
1 1 5487 Patent t ivaat imukset
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että etsausmaski (18) voi käsittää <110>-suuntaisia avauksia (19). 20
, ·' 3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, /I tunnettu siitä, että etsausmaski (18) voi käsittää allesyöpymistä viivästäviä rakenteita (20) . *:· 25
4. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-3 mukainen : : menetelmä tunnettu siitä, että etsatun kiekon i t · vastakkaiselle puolelle tai tukirakenteeseen kalvoa vasten :· muotoillaan paineherkät kalvoalueet. « s · * ·
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, t u n - n e t t u siitä, että etsatun kiekon vastakkaiselle puo-lelle muotoiltujen kalvoalueiden muoto on oleellisesti » kulmistaan pyöristetty. j 115487
6. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että etsatun kiekon vastakkaiselle puolelle muotoiltujen kalvoalueiden muoto on oleellisesti kulmistaan pyöristetty ja kalvo on keskeltä tuettu. 5
7. Patenttivaatimuksen 4, 5 tai 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kalvoalueet muotoillaan ainetta poistaen esimerkiksi etsaamalla tai oksidoimalla.
8. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että etsausliuoksena käytetään anisotrooppista alkalia, esimerkiksi kaliumhyd-roksidiliuosta (KOH), etyleenidiamiini-pyrokatekoliliuosta (EDP), natriumhydroksidiliuosta (NaOH) tai tetrametyyli-15 ammoniumhydroksidiliuosta (TMAH).
9. Kapasitiivinen paineanturi, tunnettu siitä, että paineanturielementin märkäetsatun kalvoaltaan nurkissa sijaitsevat piin {111}-kidetasot. 20
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen paineanturi, t u n - | n e t t u siitä, että etsatun kiekon vastakkaiselle ί : : puolelle tai tukirakenteeseen kalvoa vasten on muotoiltu paineherkät kalvoalueet. i* 25
* * » · : 11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen paineanturi, tun nettu siitä, että etsatun kiekon vastakkaiselle puo-· lelle muotoiltujen kalvoalueiden muoto on oleellisesti ; kulmistaan pyöristetty. . '.t 30
,* 12. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen paineanturi, t tunnettu siitä, että kalvo on keskeltä tuettu. t li 11 £487
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20040629A FI115487B (fi) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi |
| US11/114,215 US7252007B2 (en) | 2004-05-03 | 2005-04-26 | Method for the manufacturing of a capacitive pressure sensor, and a capacitive pressure sensor |
| EP05103506.1A EP1593949B1 (en) | 2004-05-03 | 2005-04-28 | Method of manufacturing a capacitive pressure sensor and a capacitive pressure sensor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20040629A FI115487B (fi) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi |
| FI20040629 | 2004-05-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20040629A0 FI20040629A0 (fi) | 2004-05-03 |
| FI115487B true FI115487B (fi) | 2005-05-13 |
Family
ID=32338350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20040629A FI115487B (fi) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7252007B2 (fi) |
| EP (1) | EP1593949B1 (fi) |
| FI (1) | FI115487B (fi) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080124528A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-05-29 | Motorola, Inc. | Printed electronic device and methods of determining the electrical value thereof |
| US8297125B2 (en) * | 2008-05-23 | 2012-10-30 | Honeywell International Inc. | Media isolated differential pressure sensor with cap |
| US8230745B2 (en) * | 2008-11-19 | 2012-07-31 | Honeywell International Inc. | Wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process |
| RU2465681C2 (ru) * | 2009-02-19 | 2012-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ изготовления чувствительного элемента датчика давления жидких и газообразных сред |
| US8322225B2 (en) * | 2009-07-10 | 2012-12-04 | Honeywell International Inc. | Sensor package assembly having an unconstrained sense die |
| US8230743B2 (en) | 2010-08-23 | 2012-07-31 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
| US8754504B2 (en) * | 2012-05-23 | 2014-06-17 | United Microelectronics Corporation | Thinned wafer and fabricating method thereof |
| WO2019043570A1 (en) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | MONOCRYSTALIN DIAMOND DIFFRACTION OPTICAL ELEMENTS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE272737C (fi) | ||||
| US3986200A (en) | 1974-01-02 | 1976-10-12 | Signetics Corporation | Semiconductor structure and method |
| JPS5524423A (en) * | 1978-08-10 | 1980-02-21 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| JPS60138977A (ja) | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体形静電容量式圧力センサ |
| JPH07101743B2 (ja) | 1988-04-05 | 1995-11-01 | 横河電機株式会社 | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH01261872A (ja) | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Yokogawa Electric Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH06232423A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| JPH11135806A (ja) | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Denso Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| US6156585A (en) * | 1998-02-02 | 2000-12-05 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method of manufacture |
| US6089099A (en) | 1998-09-08 | 2000-07-18 | Smi Corporation | Method for forming a bonded silicon-glass pressure sensor with strengthened corners |
| EP1223420A3 (en) * | 2001-01-16 | 2003-07-09 | Fujikura Ltd. | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
| DE102004018408A1 (de) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Robert Bosch Gmbh | Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zur Herstellung |
-
2004
- 2004-05-03 FI FI20040629A patent/FI115487B/fi not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-26 US US11/114,215 patent/US7252007B2/en active Active
- 2005-04-28 EP EP05103506.1A patent/EP1593949B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20040629A0 (fi) | 2004-05-03 |
| EP1593949A1 (en) | 2005-11-09 |
| EP1593949B1 (en) | 2015-01-21 |
| US7252007B2 (en) | 2007-08-07 |
| US20050248905A1 (en) | 2005-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4288914B2 (ja) | 共振デバイスの製造方法 | |
| FI115487B (fi) | Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi | |
| CN110057479B (zh) | 用于fp腔光纤压力传感器的镀层式双层敏感膜及制备方法 | |
| WO2000029770A2 (en) | Parylene micro check valve and fabrication method thereof | |
| CN102009945B (zh) | 一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法 | |
| EP0322093B1 (en) | Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer | |
| CN108931321A (zh) | 梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法 | |
| JP4815857B2 (ja) | 力学量検出センサの製造方法 | |
| WO2019019783A1 (zh) | 一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法 | |
| EP1522883B1 (en) | Miniature movable device | |
| CN102508203A (zh) | 一种新型mems仿生声矢量传感器及其加工方法 | |
| CN104181331B (zh) | 一种压阻式加速度传感器及其制造方法 | |
| FI113704B (fi) | Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi | |
| EP2145696A1 (en) | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and its fabrication method | |
| CN110531114B (zh) | 一种纯轴向变形的mems三轴压阻式加速度计芯片及其制备方法 | |
| JP2005195423A (ja) | 圧力センサ | |
| JP2003332586A (ja) | 外力センサ及びその製造方法 | |
| US6308575B1 (en) | Manufacturing method for the miniaturization of silicon bulk-machined pressure sensors | |
| CN105258788A (zh) | 一种用于高温条件下振动传感器起振元件及其制备方法 | |
| JPH049770A (ja) | 半導体感歪センサ | |
| RU2582903C1 (ru) | Способ защиты углов трёхмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении | |
| JP2004226085A (ja) | 力学量検出センサ用構造体の製造方法 | |
| KR102237680B1 (ko) | 브릿지형 구조물의 제조 방법 및 이를 이용한 브릿지형 압저항체를 가지는 압저항 가속도 센서의 제조 방법 | |
| Zhang et al. | Fabrication of micro-mirror in(110) silicon. | |
| JPS6199382A (ja) | 圧力センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 115487 Country of ref document: FI |
|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: MURATA ELECTRONICS OY |
|
| MM | Patent lapsed |