FI113704B - Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi - Google Patents
Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi Download PDFInfo
- Publication number
- FI113704B FI113704B FI20010582A FI20010582A FI113704B FI 113704 B FI113704 B FI 113704B FI 20010582 A FI20010582 A FI 20010582A FI 20010582 A FI20010582 A FI 20010582A FI 113704 B FI113704 B FI 113704B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- spring
- etching
- crystal
- silicon
- plane
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00182—Arrangements of deformable or non-deformable structures, e.g. membrane and cavity for use in a transducer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0133—Wet etching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0817—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for pivoting movement of the mass, e.g. in-plane pendulum
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
113704
Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi 5 Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä piianturin valmistamiseksi.
Keksinnön kohteena on myös patenttivaatimuksen 7 mukainen piianturi.
10 Keksintöä käytetään erityisesti piipohjaisten kiihtyvyys- ja kulmanopeusantureiden valmistuksessa.
Piin mikromekaniikka perustuu keskeisiltä osiltaan ns. plaanaari- eli ohutkalvotekniik-kaan ja niiden pohjalta edelleen kehitettyihin valmistustekniikoihin. Valmistusprosesse-15 ja muodostetaan yhdistämällä perusprosesseja eri tavoin, säätämällä niiden parametreja tarkoitukseen sopiviksi ja suunnittelemalla halutunkaltaiset rakenteet, jotka aikaansaadaan siirtämällä kuviota yleensä useassa eri vaiheessa substraateille. Perusprosesseja ovat muiden muassa erilaisten ohuiden kalvojen kasvattaminen, niiden syövytys ja ominaisuuksien muuttaminen esimerkiksi hallituilla lämpökäsittelyillä.
20 : ‘;; Ohutkalvotekniikan perusprosesseja on kalvojen kuviointi ja yleisemmin kuvioiden siir- • ; ’; to rakenteisiin prosesseilla, joissa on yhdistelty kuviointi- ja syövytysprosesseja. Ylei- sesti käytetty kuviointitekniikka on käyttää valoherkkää resistiä, joka levitetään kiekon *:·*: tai muun substraatin pinnalle sumuttamalla tai kiekkoa pyörittämällä (spinnaamalla).
: 25 Resistin kuivatuspaistojen, kuviot valotusmaskilta substraatille siirtävän ultraviolettiva- lotuksen ja positiivisen resistin tapauksessa valotetun osan poisliuotuksen jälkeen kas-‘: vatettuun maskikerrokseen muodostetut kuviot voidaan edelleen siirtää kiekolla oleviin alempiin kerroksiin. Tämä tehdään etsaus- eli syövytysprosesseilla, jotka mekanismien- •" *"; sa mukaan jaetaan märkä- ja kuivaetsauksiin.
• · 30 ,; Märkäetsaus tapahtuu syövyttävässä nesteessä, jolloin syöpyvä materiaali liukenee : usein erilaisten väliyhdisteiden kautta nestemäiseen etsiin. Useimmat etsaukset ovat • * isotrooppisia eli eri suuntiin samalla nopeudella eteneviä. Yksikiteinen pii voidaan kuitenkin etsata myös anisotrooppisella etsillä, jolloin etsausnopeudet substraatin eri ki- 2 113704 desuuntien välillä voivat poiketa suurestikin toisistaan. Tätä ominaisuutta hyödynnetään perinteisessä pii-mikromekaniikassa tarkkojen, kidesuunnasta riippuvien rakenteiden muodostamiseksi. Piin anisotrooppiselle etsaukselle on myös ominaista saavutettava hyvin tasainen etsaussyvyys ja sileä etsattu pinta. Tyypillinen etsaussyvyyden tasaisuus 5 on prosentin kymmenesosa.
Kuivaetsauksessa kaasufaasin reaktiiviset ainesosat reagoivat kiekon pinnalla muodostaen haihtuvia yhdisteitä, jolloin kiinteä materiaali muuttuu kaasumaiseksi. Kaasu pumpataan pois tyypillisesti alennetussa paineessa olevasta reaktorikammiosta.
10 Märkäetsauksissa kuvioiden siirtoon käytetään resistimaskien lisäksi epäorgaanisia ohutkalvomaskeja. Tämä on tyypillistä esimerkiksi piin anisotrooppiselle etsaukselle, joka tehdään vahvassa alkaliliuoksessa. Fotoresisti ei kestä tätä ympäristöä vioittumat-tomana, jolloin varsinaisina etsausmaskeina käytetään tyypillisesti oksidi- tai nitridi-15 maskeja. Nämä epäorgaaniset maskit puolestaan on kuvioitu fotoresistillä joko kuiva-tai märkäetsausprosessien avulla.
Mikromekaanisia kolmiulotteisia rakenteita voidaan aikaansaada käyttäen joko koko substraatin paksuutta hyväksi, jolloin puhutaan bulk-mikromekaniikasta, tai muodostaen . . · 20 vapautettavat rakenteet oleellisesti substaatin pintakerrokseen tai substraatin pinnalle • Y; kasvatettuun ohutkalvokerrokseen. Jälkimmäistä tekniikkaa kutsutaan pintamikromeka- • nilkaksi. Bulk-mikromekaaniset rakenteet muodostetaan kuvioimalla ohutkalvoteknii- :"": kalla syövytysmaskit kiekon pinnoille ja siirtämällä kuviot eri syövytysprosesseilla itse ‘: ’1: substraattiin.
C; 25
Kuivaetsaus on yleisnimitys kaasufaasisyövytyksille, erotuksena nestekylvyssä tehtävis-:" * tä märkäetsauksista. Normaali kuivaetsaustapa on aikaansaada plasmapurkaus, tyypilli- ’...: sesti hohtopurkaus ilmanpaineesta alennetussa kaasunpaineesta vaihtosähkö- tai har- vemmin tasasähkökentän avulla. Pääasialliset tavat kontrolloida etsausprosessia ovat : : 30 kaasun kompositio, sen paine, plasman eksitointiin käytettävä teho ja etsauskammion ....: geometria. Etsauksen lopetus tehdään joko pelkän etsausajan, plasmaimpedanssin tai . \ : plasman optiseen emissioon perustuvalla loppukohtadetektorilla. Myös näytteeltä pal jastuvien rakenteiden optisella detektoinnilla voidaan päätellä riittävän syövytyksen määrä.
3 113704
Kaasuina käytetään etsattavan materiaalin kanssa reagoivia ja kaasumaisia reaktiotuotteita muodostavia lähtökaasuja. Tällaisia ovat esimerkiksi rikkiheksafluoridi (SFö), tet-rafluorimetaani (CF4) ja kloori (CI2). Plasmassa kaasu hajoaa osittain ja reaktiiviset fluori-, kloori- tai muut radikaalit pääsevät reagoimaan etsattavan substraatin kanssa.
5 Plasmakemiaa voidaan modifioida syöttämällä reaktiivisen kaasun lisäksi reaktiokam-mioon inerttejä kaasuja kuten argonia (Ar) tai heliumia (He). Näillä kaasuilla stabiloidaan etsausreaktioa tai parannetaan lämmönjohtavuutta. Plasman ominaisuuksia voidaan edelleen säädellä lisäämällä reaktiotasapainoa muuttavia kaasuja kuten happea (02). Sillä voidaan esimerkiksi nostaa vapaan fluorin määrää eräissä reaktioissa ja näin 10 kasvattaa etsattavan materiaalin syöpymisnopeutta, tai säätää etsaantuvan reunan profiilia fotoresistimaskia käytettäessä. Kolmas plasmakemiaan vaikuttavien aineiden luokka on passivoivat tai polymerisoivat kaasut, kuten formaliini (CHF3) tai oktafluorisyklobu-taani (C4F8).
15 Syvien urien etsaamiseksi piihin käytetään erityisenä kuivaetsausmenetelmänä passitettua tai vuorottaista etsaustapaa. Siinä vuoronperään etsataan nopeasti lähes isotrooppisella etsillä piihin jopa 1 pm syvyisiä kuvioita. Tämän jälkeen on vuorossa passivoiva vaihe, jolloin kaikki etsatutkin pinnat peittyvät kaasuplasmasta kasvatetulla polymeerillä. Jälleen vuoroon tuleva lähes isotrooppinen nopea etsausaskel puhkaisee kuvioiden 20 pohjalta polymeeripinnoitteen ja syventää kuvioita edelleen. Sivuseinämille kasvanut : ' polymeeri sen sijaan suojaa jo muodostuneet sivuseinämät lisäetsaukselta. Etsauskaa- • ; ‘; suina käytetään tyypillisesti rikkiheksafluoridia ja passivoivana kaasuna oktafluorisyk- :' ”: lobutaania. Tätä vuorottaista etsaus- ja passivointivaihetta jatketaan haluttuun etsaussy- 1 * · ’: ’! vyyteen saakka. Menetelmällä pystytään etsaamaan koko piikiekon läpi kapeita uria : '; 25 siten, että aspektisuhde eli etsaussyvyyden suhde viivanleveyteen voi saavuttaa arvoja aina välillä 10-40. Tällainen kuivaetsausprosessi on hyvin anisotrooppinen nimenomaan ':" ·’ etsattavan pinnan suhteen. Etsausmaskien suhteen menetelmällä saadaan rutiininomai- sesti erinomaisia selektiivisyyksiä eli etsattavan ja etsausmaskimateriaalin etsausno-peussuhteita. Oksidimaskilla päästään aina 200-300:n saakka, resistimaskinkin avulla 30 saavutetaan välillä 50-100 olevia selektiivisyyksiä. Perinteisellä, pulssittamattomalla plasmaetsauksella päästään tyypillisesti kymmenesosaan edellämainituista arvoista.
» » : Etsausten tasaisuudet ovat tyypillisesti muutamia prosentteja.
» * » 4 113704
Etsattavan pinnan tasoon nähden anisotrooppiset syövytysprosessit kuten anisotrooppi-set kuivaetsausprosessit (pintaa vasten kohtisuora syövytysnopeus on paljon suurempi kuin syövytysnopeus pinnan tasossa) mahdollistavat jopa piikiekon läpi ulottuvat lähes mielivaltaisen muotoiset aukot, joiden sivuseinät ovat lähes pystysuorat. Menetelmästä 5 johtuen hetkellinen syövytysnopeus kuitenkin riippuu aukon geometriasta (ARDE, Aspect Ratio Dependent Etching). Halutunsyvyisten kapeiden kolojen ja esimerkiksi kiekon keskitasossa sijaitsevien ohuiden jousielementtien tekeminen on epätarkkaa tai mahdotonta.
10 Etsattavan pinnan tasoon nähden anisotrooppiset ja isotrooppiset syövytysprosessit (syövytysnopeus kaikissa suunnissa sama) on mahdollista yhdistää kiekon keskitasossa sijaitsevien jousien valmistamiseksi. Piille ei kuitenkaan ole käytettävissä hyvää isotrooppista syövytysprosessia. Kaasumaisen XeF2 käyttö on raportoitu. [Esashi et. AI.] 15 Yksikiteisillä piikiekoilla, joiden pinnat ovat oleellisesti {100}-kidetasoja, on mahdollista valmistaa kiekon keskitasossa sijaitsevia jousielementtejä käyttämällä piin ki-desuuntien suhteen anisotrooppisesti toimivaa märkäsyövytystä (tyypillisesti kalium-hydroksidi). Menetelmällä saavutetaan hyvä jousen pinnanlaatu ja syövytyksen tasaisuus.
. : 20 • * · • ·
Tunnetun tekniikan haittana on ollut se, että kuivaetsaus ei mahdollista sellaisenaan • ; ‘: mittatarkkojen jousirakenteiden valmistusta piikiekon keskitasossa. Märkäetsaus taas t « I t vaatii suuren kiekkopinta-alan syvien rakenteiden etsauksen tapauksessa. Erityisesti
t t I
·;·*: pitkänomaisten jousielementtien valmistaminen tunnetuilla märkäetsausmenetelmällä : ’' ’: 25 johtaa jousia ympäröiviin isopinta-alaisiin aukkoihin, joiden etsattu pinta käsittää {111} kidetasoja. Samalla jousien mittatarkkuuden tarkka kontrollointi on vaikeaa erityisesti ': jousen leveyden osalta, joka konventionaalisessa valmistusprosessissa kapenee nopeasti jousta loppupaksuuteen syövytettäessä. Pienet muutokset valmistusprosessissa tai kie- ’ · ‘: kon alkupaksuudessa voivat aiheuttaa suuren muutoksen jousen leveyteen. Haluttujen 30 jousiominaisuuksien saavuttaminen tämäntyyppisellä jousipoikkileikkauksella voi olla ,,,.: mahdotonta.
* f I
Kiihtyvyysantureita voidaan valmistaa myös SOI-tyyppisistä monikerrosrakenteista, jotka muodostuvat rakenteesta, joka käsittävät seuraavat kerrokset: paksu pii - eristeker- 5 113704 ros - ohut pii - eristekerros - paksu pii. Tämä tekniikka edellyttää monimutkaista ja kallista valmistusprosessia.
Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnetun tekniikan ongelmat ja aikaansaada 5 aivan uudentyyppinen valmistusmenetelmä sekä piianturi.
Keksintö perustuu siihen, että anturin valmistuksessa käytetään kuivaetsausta kiekon läpietsauksiin ja anturin keskitasoon sijoittuvat, tarkkaa mitoitusta vaativat rakenteet muodostetaan märkäetsauksen avulla. Edullisesti märkäetsausvaiheessa anturielementin 10 jousielementtien suorat sivut, murtoviivaisten sivujen suorat osat tai kaarevien osien tangentit on suunnattu pois piin <110> kidesuunnasta, edullisesti ainakin 15°, mieluiten 45 ° eli <100> kidesuuntaan tai, jos jousen muoto on suorakaiteesta poikkeava, osien sivut tai tangentit ovat keskimäärin 45 ° <110>-suunnasta kierretyt. Toisiin suuntiin leikatuilla piikiekoilla toimitaan vastaavilla tavoilla kiekon tasoon nähden kaltevien, 15 {111} -kidetasoa vastaavien pintojen minimoimiseksi jousielementtien alueella.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle menetelmälle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
/. j 20 Keksinnön mukaiselle anturille puolestaan on tunnusomaista se, mikä on esitetty patent-tivaatimuksen 7 tunnusmerkkiosassa.
* « · t * * t • * · * * · f ί i | ; ‘; Keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja.
:' ”: 25 Keksinnöllä saadaan yhdistettyä kahden erityyppisen syövytysprosessin hyvät puolet.
;": Kidesuuntien mukaan anisotrooppisella märkäetsauksella alkalietseissä saadaan erittäin I 1 * ‘i(i' tasainen etsausnopeus yli koko pinnan ja erittäin sileä ja virheetön pinnan laatu. Perin- i teisesti tämän syövytysmenetelmän suurin heikkous on ollut rajoittuneisuus jousen ;' ‘ *; 30 geometrian suunnittelussa. Suorakaiteen muotoiset jouset vaativat moninkertaisesti tilaa ,, *,,; ympärilleen: niiden sijaintia ei voi valita vapaasti.
* *
I I I
6 113704
Piin nykyiset anisotrooppiset kuivaetsausprosessit mahdollistavat jousen vapaan muotoilun ja sijainnin. Nämä etsausmenetelmät johtavat kuitenkin kertaluokkia huonompaan tasaisuuteen ja pinnanlaatuun kuin anisotrooppinen märkäetsaus.
5 Esitetyllä keksinnöllä yhdistetään anisotrooppisilla kuivaetsausprosesseilla saatava jousien vapaa sijainti ja muotoilu sekä alkalisyövytteillä saatava tasaisuus ja pinnan laatu ennen näkemättömällä tavalla.
Edellä kuvatulla menetelmällä voidaan valmistaa jousia paitsi kiekon keskitasoon myös 10 kiekon toiselle pinnalle. Tällöin anisotroppinen märkäetsaus tehdään vain yhdeltä puolelta lähes koko kiekon läpi.
Menetelmällä voidaan toteuttaa paitsi oleellisesti kiekon keskitasossa sijaitsevia, kiekon tasosta taipuvia jousia, myös kiekon tasossa taipuvia jousia, joiden paksuus määräytyy 15 anisotrooppisella syövytysprosessilla ja joiden leveys oleellisesti määrää taivutusjäykkyyden.
Menetelmällä voidaan toteuttaa myös pystysuorasta ja vaakasuorasta osasta koostuvia vääntöjäykkiä torsiojousia tai pelkästään pystysuorasta osasta koostuvia kiekon tasossa 20 liikkuvia taivutus- tai vääntöjousia. Näitä voidaan myös yhdistellä kiekon keskitasossa ; 1· sijaitsevien jousien kanssa.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten suori- • · tusesimerkkien avulla.
• · 25
Kuvio 1 esittää perspektiivikuvantona yhtä keksinnön mukaista piianturia.
... Kuvio 2 esittää yläkuvantona oleellisesti kuvion 1 mukaista piianturia.
• · · *,,;' 30 Kuviot 3a-3d esittävät kuvion 3 mukaisen anturin valmistusvaiheita.
• 1 Kuvio 4 esittää piikiekon kidesuuntia.
7 113704
Kuviot 5a-5g esittävät anturimassan kohdalta halkileikkauksena yhden keksinnön mukaisen anturin valmistusvaiheita.
Kuvio 6 esittää valokuvaa yhdestä valmisteilla olevasta keksinnön mukaisesta 5 anturirakenteesta.
Kuvio 7 esittää valokuvaa kuivaetsauksella tehdyistä syövytyksistä ja anturin kapeasta jousesta ennen sivumaskien poistoa.
10 Kuvio 8 esittää valokuvaa toisesta keksinnön mukaisesta kiihtyvyysanturirakenteesta.
Kuvio 9 esittää valokuvaa kolmannesta keksinnön mukaisesta kiihtyvyysanturirakenteesta.
15 Kuvio 10 esittää yksityiskohtaa kuvion 8 anturista.
Kuvio 11 esittää valokuvana yhden keksinnön mukaisen torsiojousen.
Kuvioissa ja tekstiosuuksissa käytetään sulkumerkkejä piin geometrian kuvaamiseen 20 seuraavasti: • · f * • · , · ; <.. .> ekvivalentti kidesuunta, ';;,' {...} ekvivalentti kidetaso, [... ] yksittäinen kidesuunta ja * · 25 (...) yksittäinen kidetaso.
. Keksintö siis liittyy tyypillisesti seuraavaan tekniseen ympäristöön.
» · • ·
Jousielementit on valmistettu piikiekosta ohentamalla sitä syövyttämällä kiekkoa '30 toiselta tai molemmilta puolilta. Piikiekon pinnat ovat oleellisesti {100}-kidetasoja. ; Jousielementit sijaitsevat oleellisesti piikiekon keskitasossa. Jousten ohentamiseen on ‘ * käytetty piitä kidesuuntien mukaan anisotrooppisesti syövyttäviä kemikaaleja kuten • ’: alkalihydroksideja tai orgaanisia emäksiä. Jousien muoto piikiekon tasossa on määrätty pinnan tasoa vastaan kohtisuoraan anisotrooppisesti toimivalla syövytysprosessilla. Em.
8 113704 tavalla valmistettuihin jousiin voidaan yhdistää myös sekä pysty- että vaakasuorasta osasta koostuvia vääntöjousia että pelkästään kapeasta, oleellisesti kiekon korkuisesta osasta koostuvia kiekon tasossa toimivia taivutus- tai vääntöjousia.
5 Keksinnön mukaiselle ratkaisulle uusia piirteitä taas ovat mm. seuraavat seikat. Jousielementtien suorat sivut, murtoviivaisten sivujen suorat osat tai kaarevien osien tangentit on suunnattu ainakin 15 ° pois piin <110> kidesuunnasta, mieluiten 45 0 eli <100> kidesuuntaan tai, jos jousen muoto on suorakaiteesta poikkeava, osien sivut tai tangentit ovat keskimäärin 45 0 <110>-suunnasta kierretyt. Jousielementtien päät on 10 ainakin osittain rajoitettu kahdella toisiaan leikkaavalla {111} kidetasolla
Yllättäväksi keksinnön tekee, että mainittuja alkalihydroksidi- tai muita anisotrooppisia emäksisiä märkäetsejä käytettäessä on alalla perinteisesti yritetty kohdistaa kuvioiden suorat sivut mahdollisimman tarkasti <110>-suuntiin. Keksinnössä on kysymys 15 oivalluksesta, että melko vähäinen kohdistuksen poikkeama alalla totutusta saa anisotrooppisen syövytteen toimimaan siten, että piin {lll}-kidetasot eivät tule esiin rajoittamaan syöpymistä. Syöpymisen rajoittamiseen kriittisissä suunnissa käytetään piissä olevia, tavanomaisesta <110> suunnasta pois suunnattuja, esimerkiksi keskimäärin <100> suunnassa olevia pystysuoria uria, jotka on sivupinnoilta suojattu 20 syöpymiseltä.
; Kuvion 1 mukaisesti tyypillinen kiihtyvyysanturirakenne käsittää rungon 10, johon massa 6 on yhdistetty jousen 7 avulla. Massa 6 on irrotettu substraatista 10 • · kuivaetsaamalla tehtyjen urien 8 avulla. Jouset 7 on tehty märkäetsaamalla, jolloin 25 jousien päihin on muodostunut kaltevat, {111} -kidesuuntaiset tasot.
. Urien 8 kuivaetsaus tehdään yleensä plasma-avusteisesti, jolloin kaasufaasin reaktiiviset I » ainesosat reagoivat kiekon pinnalla muodostaen haihtuvia yhdisteitä. Näin urien 8 paikalla ollut kiinteä materiaali muuttuu kaasumaiseksi ja se tulee pumpatuksi pois » » ♦ ‘,.; 30 tyypillisesti alennetussa paineessa olevasta reaktorikammiosta. Jatkuvalla reaktiivisten » · ‘ I * kaasujen syötöllä, tyhjöpumppauksella ja niihin liitetyllä kammion paineen säädöllä ' ' sekä rf-taajuisella vaihtosähkökentällä aikaansaadulla plasmalla reaktio pidetään • » *· ’: käynnissä. Syövytyssyvyys säädetään tyypillisesti etsausajalla tai plasman optiseen emissioon perustuvalla loppukohtamäärityksellä. Kuivaetsauksessa prosessiparametreja 9 113704 muuttamalla ja etsaustapa sopivasti valitsemalla voidaan säätää etsausta lähes isotrooppisesta vahvasti anisotrooppiseksi. Tässä menetelmässä anisotropia tarkoittaa substraatin pintaa vastaan kohtisuoran ja pinnan tasossa tapahtuvien etsausnopeuksien suhdetta. Myös reunan profiilia voidaan säätää etsauskemiaa ja prosessin parametreja 5 muuttamalla. Kuivaetsauksen nopeus ei riipu yleensä lainkaan materiaalin kidesuunnista.
Kuvion 2 mukaisesti esimerkkijousen 7 pinta muodostuu kidetasosta {100} lähes koko matkaltaan. Keksinnön mukainen syövytyssuuntien valinta aiheuttaa sen, että {111}-10 kidetasot muodostuvat ainoastaan jousen 7 päihin. Lisäksi tämä on edullista lujuusteknisesti, sillä {lll}-kidetasot muodostavat näin paksunnokset jousen 7 molempiin kiinnityskohtiin siis sekä massan 6 että substraatin 10 suuntaan. Kidetasot {111} leikkaavat toisensa leikkausviivalla 11 jousen 7 päissä tai niiden lähistöllä.
15 Kuviossa 3a on esitetty koko piikiekon läpi ulottuvan uran 8 määräävä alue 1, joka on myöhemmin nähtävissä myös prosessikuvasta 5c. Kuviossa 3b on puolestaan esitetty märkäetsaamalla muodostettavan jousen määräävä alue 2. Myös tämä alue on nähtävissä prosessikuvista 5a ja 5e. Kuvio 3c puolestaan kuvaa kuvitteellista märkäetsattavaa aluetta 3 suhteessa alueisiin 1 ja 2 sekä kidesuuntaan {110}. Kuten 20 kuviosta käy ilmi, on kuvitteellisen märkäetsattavan alueen 3 sivut suuntautuvat {110} ; , · kidesuunnan mukaisesti. Kuvitteellisesta alueesta 3 pääsee todellisuudessa etsautumaan ,' ; vain kuvion 2 sallimat kohdat mukaanlukien pienet etsausmaskin alle etsautuvat kohdat 4, joiden laajentumista rajoittavat hitaasti etsautuvat {lll}-kidetasot. Jousimassa 6 * · ' ‘. muodostuu alueen keskelle ja katkoviivoitetulle alueelle on merkitty ne alueet, joille ... 25 muodostuu kidetasojen {111} rajaamat jousien päät sekä kiekon pinnan kidetason (100) mukaiset jouset.
.···. Kuvion 3d mukaisesti valmiin jousen 7 päissä on {lll}-kidetasojen rajaamat alueet, jotka leikkaavat linjalla 11. Tässä tapauksessa kuvioon piirretyn kidesuunnan [011], • · · ‘; 30 joka vastaa ekvivalenttia kidesuuntaa <110> ja jousen pituusakselin 15 välinen kulma a
• I
on 45°, joten pintojen {111} leikkauslinjan 11 pinnan projektiokin on jousen 7 pituusakselin suuntainen. Koska keksinnön yhtenä tavoitteena on saada '· ’· mahdollisimman suuri tasainen osuus, siis mahdollisimman pitkä kidetasosta (100) 10 113704 muodostuva alue jousen 7 pinnalle, tulee kulman a olla riittävän lähellä 45°:tta tämän tavoitteen saavuttamiseksi.
Asiaa voidaan tarkastella myös jousen 7 pituuden L ja {lll}-tason jousen 7 5 pituussuuntaisen ulottuvuuden LI avulla. Ll:n suuruus riippuu suoraan etsaussyvyydestä ja kulmasta a. Anturin suunnittelu on epäherkkä valmistusteknisille hajonnoille, kun suhde Ll/L on pieni, esimerkiksi alle 0,2. Näin suhteellisen suuri osa taivutusjouselle käytettävissä olevasta alueesta on jousta, eikä jousen muita dimensioita tarvitse minimoida valmistustoleranssien rajoille. Mikäli kulma a poikkeaa 45°:sta, 10 kasvaa suhde Ll/L. Keksinnön mukaisesti sopiva arvo suhteelle Ll/L on pienempi kuin 0,45, jolloin kohtuullinen alue jousesta 7 saadaan tasomaiseksi. Keksinnön mukaisesti jousen 7 pituusakselin ja piikiekon tasossa olevan ekvivalentin <110> kidesuunnan välinen kulma a on tyypillisesti välillä 25-65°, edullisesti n. 45°.
15 Kuviossa 4 on esitetty tyypillisen (100) yksikiteisen piikiekon kidesuuntia. <100> tarkoittaa kaikkia kidesuunnan [100] kanssa samanarvoisia suuntia, joita on 6 kpl. {100} tarkoittaa kaikkia (100) tason kanssa samanarvoisia tasoja. <100> suunnat ovat {100} tasojen normaaleja. Kun kiekkoa tarkastellaan kuvion mukaisesti kohtisuorasti kiekon tasoa vastaan, on kiekon taso (100) eli pinnan normaali on [100]. Kiekon viiste 20 (flat) on puolestaan <110>:aa vastaavan ekvivalentin kidesuunnan [011] suuntainen.
; . ‘ Sen suhteen 45 ° kulmassa ja kiekon tasossa on kaksi <100> ekvivalenttia kidesuuntaa, i kaavioon 4 piirretyt [010] ja [001] summat. Kiekon tasossa on vielä toinen <110> ekvivalentti suunta, flattia vastaan kohtisuora [0-1 1]. Kiekon tasossa olevat <110> . ekvivalentit kidesuunnat, eli [011] ja [0-11] muodostavat 45°:n kulman kiekon tasossa • ·. _ 25 olevien ekvivalenttien <100> suuntien, eli [010] ja [001] kanssa mutta ne ovat samalla 90°:n kulmassa kiekon tasoa vastaan kohtisuoran <100>-ekvivalenttisuunnan eli [100]:n kanssa. Ekvivalentteja <110> kidesuuntia on kaikkiaan 12 kpl, joista neljä on (100)- • · . · *. kiekon tasossa. Kuvioon 4 niitä on siis piirretty kaksi, yksittäiset kidesuunnat [011 ] ja [0 :·λ -Π].
30
Kuvioiden 5a-5g mukaisesti tyypillinen anturinvalmistusprosessi etenee seuraavasti: . ·. : Kuvio 5a: » » 20. Oksidikerroksen 12 kasvatus.
113704 11 21. Määritetään jousiaukot 2.
22. Nitridin 13 kasvatus.
Kuvio 5b: 23. Määritetään läpietsattavat alueet 1 fotoresistillä 14.
5 Kuvio 5c 24. Syövytetään nitridi 13 ja (ja oksidi 12) alueelta 1.
25. Syövytetään kuivaetsaamalla kiekon läpi yhdeltä tai molemmilta puolilta alueelta 1.
Kuvio 5d: 10 26. Poistetaan fotoresisti 14.
27. Oksidoidaan aukkojen 8 sivuseinät.
Kuvio 5e: 28. Poistetaan nitridikerros 13 ja paljastetaan jousiaukot 2.
Kuvio 5f 15 29. Syövytetään jouset 7 märkäetsaamalla.
Kuvio 5g 30. Poistetaan maskit.
Kuviossa 6 on kuvattu kiihtyvyysanturin jousen 7 rakennetta tarkemmin. Kuviosta käy 20 ilmi jousielementin 7 ja ekvivalentin kidesuunnan <110> välinen kulma, joka on n. 45°.
.' ; Kuviosta 7 käy ilmi kuivaetsauksen suoma mahdollisuus tehdä tarkkoja läpietsauksia kidesuunnista riippumatta j a mahdollisuus tehdä hyvin kapeita j ousia.
... 25 Kuvio 8 puolestaan kuva monimutkaisempaa anturirakennetta, jossa kaikki neljä jousta 7 on muodostettu 45°:n kulmaan ekvivalenttiin kidesuuntaan <110> nähden.
. · · ·. Kuviossa 9 on esitetty myös yksi anturirakenne, jossa jousi 7 ulottuu massan 6 sisälle.
Jousen 7 päissä on nähtävissä {lll}-kidetasot, joiden leikkausviivan kiekon pinnan 30 projektio on olennaisesti jousen 7 pituusakselin suuntainen.
» > * 9 »
Kuviossa 10 on esitetty yksityiskohta kuvion 8 jousen päästä.
• I « 12 113704
Kuviossa 11 on puolestaan esitetty keksinnön mukaisesti valmistettu vääntöjousi. {111 }-kidetasot ovat hyvin esillä.
Keksintöä voidaan soveltaa esimerkiksi kiihtyvyysantureihin ja värähteleviin 5 kulmanopeusantureihin.
Keksintöä voidaan soveltaa myös muiden kuin erilliskiteisten (yksikiteisten) (100) piikiekkojen yhteydessä.
Claims (9)
1. Menetelmä piianturirakenteen valmistamiseksi, jossa menetelmässä yksikiteiseen piikiekkoon (10) muodostetaan etsaamalla ainakin yksi jousirakenne (7) sekä ai- 5 nakin yksi jousirakenteeseen (7) kytkeytyvä massa (8), tunnettu siitä, että - läpi piikiekon ulottuvat aukot ja kanavat (8) muodostetaan kuivaetsausmene-telmin ja - jousirakenteen (7) joustavuuden määrittävään syövytysprosessiin käytetään 10 märkäetsausmenetelmiä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että jousen (7) pituusakselin ja piikiekon ekvivalentin <110> kidesuunnan välinen kulma a valitaan nollasta poikkeavaksi, edullisesti suuremmaksi kuin 15 ° ja tyypillisesti sellaiseksi, että se on välillä 25-65°, edullisesti n. 45°. . 15
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että jousen (7) > · pituuden L ja {lll}-tason vastaavan pituuden LI suhde Ll/L valitaan pienem- » · mäksi kuin 0,45. t i · • «
4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että . · . märkäetsaus tehdään kidesuuntien mukaan anisotrooppisella alkalietseillä. > · * » ·
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ,··. rakenteen syöpymisen rajoittamiseen muissa kuin kiekon tasoa vastaan koh- tisuorissa suunnissa käytetään piissä olevia oleellisesti <110> suunnasta pois-käännettyjä pystysuoria uria (8), jotka on sivupinnoilta suojattu syöpymiseltä.
: 6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ' ' 25 sekä kuiva- että märkäetsausmenetelmät ovat anisotrooppisia. 113704
7. Yksikiteisestä piikiekosta (10) muodostettu piianturirakenne, joka käsittää - rungon (10), - ainakin yhden runkoon (10) yhdistyvän pitkänomaisen jousen (7), ja - ainakin yhden jousen (7) toiseen päähän yhdistyvän massan (6), 5 tunnettu siitä, että - jousen (7) päissä tai ainakin niiden läheisyydessä on kaltevien kidetasojen {111} leikkausviiva (11).
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että se on valmistettu yksikiteisestä (100) piikiekosta, jolloin kaltevat kidetasot ovat {111}- 10 kidetasoja.
9. Patenttivaatimuksen 7 tai 8 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että {111}-kidetasojen leikkausviiva (11) on ainakin olennaisesti jousen (7) pituusakselin suuntainen. /Y 15 15 1 13704
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20010582A FI113704B (fi) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi |
| US10/472,465 US6998059B2 (en) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | Method for manufacturing a silicon sensor and a silicon sensor |
| CNA028104455A CN1511259A (zh) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | 制造硅传感器的方法以及硅传感器 |
| JP2002579819A JP2004531884A (ja) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | シリコンセンサの製造方法及びシリコンセンサ |
| EP02704788A EP1390765A1 (en) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | Method for manufacturing a silicon sensor and a silicon sensor |
| PCT/FI2002/000241 WO2002082100A1 (en) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | Method for manufacturing a silicon sensor and a silicon sensor |
| KR10-2003-7012232A KR20040008143A (ko) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | 실리콘 센서 및 그의 제조 방법 |
| US11/225,210 US20060046329A1 (en) | 2001-03-21 | 2005-09-14 | Method for manufacturing a silicon sensor and a silicon sensor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20010582 | 2001-03-21 | ||
| FI20010582A FI113704B (fi) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20010582A0 FI20010582A0 (fi) | 2001-03-21 |
| FI20010582A FI20010582A (fi) | 2002-09-22 |
| FI113704B true FI113704B (fi) | 2004-05-31 |
Family
ID=8560806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20010582A FI113704B (fi) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Menetelmä piianturin valmistamiseksi sekä piianturi |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6998059B2 (fi) |
| EP (1) | EP1390765A1 (fi) |
| JP (1) | JP2004531884A (fi) |
| KR (1) | KR20040008143A (fi) |
| CN (1) | CN1511259A (fi) |
| FI (1) | FI113704B (fi) |
| WO (1) | WO2002082100A1 (fi) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939475B2 (en) * | 2001-08-31 | 2005-09-06 | Daishinku Corporation | Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same |
| JP2005033173A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP4540467B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-09-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサの構造及びその製造方法 |
| FI116544B (fi) * | 2004-12-31 | 2005-12-15 | Vti Technologies Oy | Värähtelevä mikromekaaninen kulmanopeusanturi |
| EP1783094A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Infineon Technologies SensoNor AS | Excitation in micromechanical devices |
| US7279114B1 (en) * | 2006-05-08 | 2007-10-09 | Macronix International Co., Ltd. | Method for stabilizing etching performance |
| DE102006052630A1 (de) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit monolithisch integrierter Schaltung und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
| DE102008041757B4 (de) * | 2008-09-02 | 2019-01-03 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für eine Rotationssensorvorrichtung und Rotationssensorvorrichtung |
| DE102014200380A1 (de) * | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil und mikromechanisches Bauteil |
| US10777839B2 (en) * | 2014-03-28 | 2020-09-15 | Infineon Technologies Ag | Method for forming a battery element, a battery element and a battery |
| CN106871885A (zh) * | 2015-12-10 | 2017-06-20 | 上海矽睿科技有限公司 | 用于mems传感器的折叠弹簧组以及mems传感器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922756A (en) * | 1988-06-20 | 1990-05-08 | Triton Technologies, Inc. | Micro-machined accelerometer |
| US4975390A (en) * | 1986-12-18 | 1990-12-04 | Nippondenso Co. Ltd. | Method of fabricating a semiconductor pressure sensor |
| US5484073A (en) | 1994-03-28 | 1996-01-16 | I/O Sensors, Inc. | Method for fabricating suspension members for micromachined sensors |
| US5834864A (en) | 1995-09-13 | 1998-11-10 | Hewlett Packard Company | Magnetic micro-mover |
| DE19603829A1 (de) * | 1996-02-02 | 1997-08-07 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen aus Silizium |
| JP3301334B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2002-07-15 | 三菱電機株式会社 | センサ素子及びその製造方法 |
| FR2763694B1 (fr) * | 1997-05-23 | 1999-07-30 | Sextant Avionique | Micro-accelerometre a resonateur capacitif |
| EP1312943A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-21 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for the manufacture of electromagnetic radiation reflecting devices |
-
2001
- 2001-03-21 FI FI20010582A patent/FI113704B/fi not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-03-21 WO PCT/FI2002/000241 patent/WO2002082100A1/en active Application Filing
- 2002-03-21 US US10/472,465 patent/US6998059B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-21 EP EP02704788A patent/EP1390765A1/en not_active Withdrawn
- 2002-03-21 KR KR10-2003-7012232A patent/KR20040008143A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-21 CN CNA028104455A patent/CN1511259A/zh active Pending
- 2002-03-21 JP JP2002579819A patent/JP2004531884A/ja active Pending
-
2005
- 2005-09-14 US US11/225,210 patent/US20060046329A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002082100A1 (en) | 2002-10-17 |
| FI20010582A (fi) | 2002-09-22 |
| FI20010582A0 (fi) | 2001-03-21 |
| JP2004531884A (ja) | 2004-10-14 |
| US20060046329A1 (en) | 2006-03-02 |
| US6998059B2 (en) | 2006-02-14 |
| EP1390765A1 (en) | 2004-02-25 |
| US20040074301A1 (en) | 2004-04-22 |
| KR20040008143A (ko) | 2004-01-28 |
| CN1511259A (zh) | 2004-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060046329A1 (en) | Method for manufacturing a silicon sensor and a silicon sensor | |
| JP5362060B2 (ja) | エピタキシャルリアクタにおける表面マイクロマシニングされた構造のためのギャップチューニング | |
| Bhardwaj et al. | Dry silicon etching for MEMS | |
| EP1382565B1 (en) | A method of forming a hollow structure from a silicon structure | |
| KR101591114B1 (ko) | 미세 전자기계 시스템의 제조 방법 | |
| Akashi et al. | Deep reactive ion etching of borosilicate glass using an anodically bonded silicon wafer as an etching mask | |
| JP2002500574A (ja) | ミクロメカニカルデバイスを製造する方法と装置 | |
| WO1996008036A1 (en) | Process for producing micromechanical structures by means of reactive ion etching | |
| KR100300002B1 (ko) | (111)단결정실리콘을이용한마이크로머시닝제조방법 | |
| FI114755B (fi) | Menetelmä ontelorakenteen muodostamiseksi SOI-kiekolle sekä SOI-kiekon ontelorakenne | |
| JP5353101B2 (ja) | 微細構造体形成方法 | |
| EP2019081B1 (en) | Boron doped shell for MEMS device | |
| EP0597302B1 (en) | Etching method for silicon substrate | |
| JP2003019700A (ja) | マイクロ構造体、およびその作製方法 | |
| Steingoetter et al. | Deep fused silica wet etching using an Au-free and stress-reduced sputter-deposited Cr hard mask | |
| US5439552A (en) | Process of fabricating an enlongated microstructure element on a substrate | |
| JPH06302834A (ja) | 薄膜構造の製造方法 | |
| EP1241703B1 (en) | Method for masking silicon during anisotropic wet etching | |
| US20100129610A1 (en) | Prismatic silicon and method of producing same | |
| JP2578092B2 (ja) | エツチング方法 | |
| US6936141B2 (en) | Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer | |
| JP2011526841A (ja) | 改善された均一性を有する微小ポストおよびそれを製作する方法 | |
| Elwenspoek et al. | Silicon micromachining | |
| Chung | Modelling and fabrication of step height control of a multilevel Si (100) structure in KOH solution | |
| KR19990034822A (ko) | 각속도센서의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: MURATA ELECTRONICS OY |
|
| MM | Patent lapsed |