ES2336453T3 - Procedimiento para fabricar un producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila, y producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila. - Google Patents
Procedimiento para fabricar un producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila, y producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2336453T3 ES2336453T3 ES04800055T ES04800055T ES2336453T3 ES 2336453 T3 ES2336453 T3 ES 2336453T3 ES 04800055 T ES04800055 T ES 04800055T ES 04800055 T ES04800055 T ES 04800055T ES 2336453 T3 ES2336453 T3 ES 2336453T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- thin film
- film
- thin
- gas
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F2245/00—Coatings; Surface treatments
- F28F2245/02—Coatings; Surface treatments hydrophilic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/1266—O, S, or organic compound in metal component
- Y10T428/12667—Oxide of transition metal or Al
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12986—Adjacent functionally defined components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
Abstract
Procedimiento para fabricar un producto metálico revestido con una película delgada ultrahidrófila, que reviste de forma continuada una película delgada ultrahidrófila compuesta de Ti-O-C-(H), que contiene un porcentaje atómico de Ti comprendido entre 15 y 22, un porcentaje atómico de O comprendido entre 45 y 65 y un porcentaje atómico de C comprendido entre 20 y 25, a ambas superficies de un sustrato metálico en forma de lámina que se suministra de forma continuada a una cámara de vacío, utilizando plasma, y se procesa mecánicamente la lámina revestida con la película delgada hasta obtener la forma deseada.
Description
Procedimiento para fabricar un producto metálico
revestido con una película delgada ultrahidrófila, y producto
metálico revestido con una película delgada ultrahidrófila.
La presente invención se refiere a un
procedimiento para fabricar un producto metálico revestido con una
película delgada ultrahidrófila, y a un producto metálico revestido
con una película delgada ultrahidrófila.
En todos los campos industriales, se han
utilizado con eficacia materiales metálicos que presentan unas capas
superficiales hidrófilas sobre sus superficies, tales como los
intercambiadores de calor descritos en la presente memoria a título
de ejemplo.
Los intercambiadores de calor que intercambian
calor haciendo que dos fluidos que presentan diferentes temperaturas
entren en contacto uno con el otro, ya sea directamente o bien
indirectamente, se han utilizado ampliamente en diversos campos
industriales, especialmente en procedimientos de calefacción, aire
acondicionado, generación de energía, recuperación de calor
residual y en procedimientos químicos.
Los intercambiadores de calor de los aparatos de
aire acondicionado adoptan, por el lado del aire, la forma de una
aleta que es una superficie ampliada para mejorar la transmisión del
calor. Cuando el aire que contiene humedad pasa a través de la
aleta en la operación de intercambio de calor, la transmisión de
calor se produce gracias a unos refrigerantes de baja temperatura
suministrados por un tubo. Cuando la temperatura de la superficie
de la aleta es igual o menor a la temperatura del punto de rocío del
aire que contiene humedad, se forman unas gotitas sobre la
superficie del intercambiador de calor para interceptar el flujo del
aire, hecho que incrementa el descenso de presión que es la
diferencia de presión entre la entrada y la salida del
intercambiador de calor. En consecuencia, la potencia del
ventilador debe incrementarse para suministrar el mismo flujo,
hecho que da como resultado un mayor consumo de energía.
Para resolver el problema anterior, tal como se
expone en la solicitud de patente japonesa abierta al público nº
61-8598, el flujo de agua condensada formada sobre
la superficie de la aleta de un intercambiador de calor aumenta si
se aplica un procedimiento anticorrosivo a la lámina de aluminio de
la aleta utilizando Cr^{+6} para aumentar la resistencia a la
corrosión, y aplicando a esta un procedimiento de revestimiento con
minerales del grupo de los silicatos para conferirle propiedades
hidrófilas, obteniéndose lo que se denomina un material
prerrevestido (PCM).
Los PCM necesitan básicamente Cr^{+6} para
adquirir resistencia a la corrosión. No obstante, debido a los
problemas ambientales que conlleva el Cr^{+6}, a partir de 2006
será prohibido utilizar este ión. Existe pues una creciente demanda
de materiales sustitutos del Cr^{+6}. Las propuestas hechas hasta
ahora comprenden el Cr^{+3} o los materiales tipo resina. En la
preparación del PCM, el tetracloroetano (TCE) utilizado
ineludiblemente para lavar el aluminio también provoca
contaminación ambiental. Además, el PCM, que en una etapa inicial
presenta excelentes características hidrófilas, pierde gradualmente
dichas características, es decir, experimenta un proceso de
envejecimiento. Recientemente, se están utilizando de una manera muy
común productos químicos como materiales para papel pintado. Sin
embargo, el material de silicato para conferir hidrofilicidad se
volatiliza y acopla químicamente con el papel pintado, provocando
la decoloración del papel pintado. Además, los materiales
volatilizados resultan desagradables para las personas.
Se han realizado numerosos intentos de
satisfacer diversas demandas formando una capa superficial funcional
(por ejemplo, para conferir hidrofilicidad o hidrofobicidad) sobre
el material existente. Los ejemplos de procedimientos para formar
la capa superficial funcional comprenden 1) la aplicación de la capa
superficial funcional sobre el material existente y 2) la provisión
de nuevas propiedades físicas y químicas perfeccionando la película
superficial del material existente.
Sin embargo, con el transcurso del tiempo, las
propiedades superficiales de la capa superficial funcional cambian
y vuelven a ser como las iniciales. Por ejemplo, en caso de que un
metal como el aluminio se procese de conformidad con un
procedimiento de reacción asistida por haz de iones, la
hidrofilicidad de la superficie del metal aumentará. Esto es debido
a que la película de óxido natural situada sobre la superficie del
aluminio es atacada, formándose encima de esta la película
funcional. A medida que pasa el tiempo, va creándose de forma
natural una película de óxido sobre la superficie del aluminio. Por
consiguiente, los efectos del aumento de la hidrofilicidad
obtenidos por el ataque de la película de óxido natural se
deterioran. La película funcional formada sobre la superficie de
aluminio es una capa sumamente delgada (del orden de muy pocos nm)
que presenta una resistencia mecánica muy baja a las variaciones
ambientales (agua, temperatura, etc.) a lo largo del tiempo. En
consecuencia, las propiedades hidrófilas se reducen y vuelven a ser
iguales a las propiedades superficiales originales.
Para resolver el problema anterior, se han
dedicado continuos esfuerzos a la formación, sobre un material
metálico, de una capa superficial funcional hidrófila o hidrófoba
que pueda mantener un estado química y físicamente estable.
\newpage
Por ejemplo, como se propone en la solicitud de
patente japonesa abierta al público nº 2001-280879,
en un montaje de intercambiador de calor una aleta fabricada en un
material metálico conductor sobre un tubo metálico que es un
conducto refrigerante, se suministra un vapor compuesto que contiene
titanio que es un gas crudo para que fluya paralelamente a la
superficie de la aleta del intercambiador de calor en el lado del
aire. Por consiguiente, el intercambiador de calor que deposita la
película delgada de dióxido de titanio sobre la superficie de la
aleta se fabrica según una tecnología CVD asistida por plasma. En
esta solicitud de patente, se indica que el intercambiador de calor
puede obtener excelentes propiedades hidrófilas, antibacterianas y
desodorizantes.
El documento CN 1 420 207 da a conocer un
procedimiento para depositar una película hidrófila de polímeros
superiores que aporta protección contra la corrosión en ambos lados
de una lámina de aluminio mediante CVD asistida por plasma. La
lámina de aluminio puede utilizarse como aleta en un intercambiador
de calor.
No obstante, en caso de que la aleta esté
montada sobre el tubo para componer el intercambiador de calor, la
película delgada de dióxido de titanio se deposita sobre la aleta
del intercambiador de calor. De esta manera, la película delgada de
dióxido de titanio no puede depositarse uniformemente sobre toda la
superficie de la aleta, hecho que provoca el deterioro de las
propiedades hidrófilas y de envejecimiento. Además, sus
características de productividad no permiten la aplicación directa a
la producción industrial.
\vskip1.000000\baselineskip
La presente invención se ha concebido para
resolver los problemas anteriores. Uno de los objetivos de la
presente invención consiste en proporcionar un procedimiento para
fabricar un producto metálico revestido con una película delgada
ultrahidrófila dotado de excelentes propiedades hidrófilas y de
envejecimiento, y un producto metálico revestido con una película
delgada ultrahidrófila.
Otro de los objetivos de la presente invención
consiste en producir con facilidad una película delgada
ultrahidrófila a escala industrial, formando la película delgada
ultrahidrófila sobre un sustrato metálico en forma de lámina y
procesando mecánicamente el sustrato metálico hasta obtener la forma
deseada.
Otro de los objetivos de la presente invención
consiste en formar uniformemente una película delgada ultrahidrófila
en ambas superficies de un sustrato metálico en forma de lámina.
Para alcanzar los objetivos descritos de la
presente invención, se provee un procedimiento para fabricar un
producto metálico revestido con una película delgada ultrahidrófila,
en el que se utiliza plasma para aplicar de forma continuada una
película delgada ultrahidrófila compuesta de titanio a ambas
superficies de un sustrato metálico en forma de lámina, que se
suministra de forma continuada a una cámara de vacío, y se procesa
mecánicamente la lámina revestida con la película delgada hasta
obtener la forma deseada. En este caso, la película delgada es una
película delgada compuesta por elementos del grupo
Ti-O. Preferentemente, la película delgada es una
película delgada compuesta por elementos del grupo
Ti-O que contiene un porcentaje atómico de Ti
comprendido entre 15 y 22 y un porcentaje atómico de O comprendido
entre 45 y 65. Además, la película delgada contiene también un
porcentaje atómico comprendido entre 20 y 25 de C. Preferentemente,
la película delgada contiene además un porcentaje atómico de H igual
a 20. En este caso, la película delgada tiene un espesor comprendido
entre 1 y 100 nm.
El sustrato metálico puede ser un sustrato de
aluminio, y el producto metálico puede ser una aleta para un
intercambiador de calor.
El procedimiento de revestimiento se realiza
inyectando un gas reactivo, un precursor de titanio en fase gaseosa
y un gas portador en la cámara de vacío. Preferentemente, la
inyección de gas se realiza de conformidad con las relaciones gas
portador:gas reactivo = 1:3 y precursor de titanio en fase
gaseosa:gas portador = 3:1.
Preferentemente, el gas reactivo es aire u
O_{2}, el gas portador se selecciona de entre el grupo constituido
por He, N_{2} y Ar, y el precursor de titanio en fase gaseosa se
prepara haciendo pasar tetraisopropóxido de titanio en fase líquida
a través de un burbujeador. Además, la cantidad inyectada de
precursor de titanio en fase gaseosa en la cámara de vacío se
controla ajustando la cantidad de tetraisopropóxido de titanio en
fase líquida suministrada al burbujeador. El gas portador se inyecta
antes de que el tetraisopropóxido de titanio en fase líquida se
inyecte en el burbujeador, para transferir el tetraisopropóxido de
titanio en fase líquida al burbujeador.
También, se proporciona un producto metálico
revestido con una película delgada ultrahidrófila, que se reviste
utilizando plasma con una película delgada ultrahidrófila compuesta
por elementos del grupo Ti-O, que contiene un
porcentaje atómico de Ti comprendido entre 15 y 22, un porcentaje
atómico de O comprendido entre 45 y 65 y un porcentaje atómico de C
comprendido entre 20 y 25, y un espesor de 1 a 100 nm.
Preferentemente, la película delgada contiene además un porcentaje
atómico de H igual a 20. La película delgada presenta una estructura
amorfa y la lámina metálica es una lámina de aluminio. La lámina de
aluminio revestida con una película delgada es una lámina metálica
que puede procesarse mecánicamente hasta adquirir la forma de una
aleta para un intercambiador de calor.
Para facilitar la comprensión de la presente
invención, la misma se describe haciendo referencia a los dibujos
adjuntos, que no pretenden ser limitativos sino simplemente
ilustrativos de la presente invención, en los que:
la figura 1 es una vista conceptual que ilustra
un dispositivo para aplicar de forma continuada un revestimiento
formado por una película delgada ultrahidrófila compuesta de titanio
a un sustrato metálico en forma de lámina utilizando plasma según la
presente invención;
la figura 2 es un gráfico que representa unos
datos de espectroscopia XPS para analizar la composición de la
superficie de la lámina metálica revestida con una película delgada
hidrófila y anticorrosiva según la presente invención;
la figura 3 es un gráfico que representa los
datos de espectroscopia AES para analizar el espesor de la lámina
metálica aplicada según la presente invención;
la figura 4 es una fotografía SEM (microscopio
electrónico de barrido) que muestra la microestructura de la
película delgada compuesta de titanio aplicada según la presente
invención;
las figuras 5a y 5b son unas fotografías que
muestran, respectivamente, la dispersión de las gotitas cuando la
superficie es hidrófila (figura 5a) y cuando la superficie es
hidrófoba (figura 5b) en una prueba de
hidrofilicidad/
hidrofobicidad superficial según la presente invención;
hidrofobicidad superficial según la presente invención;
la figura 6 es un gráfico que representa las
propiedades de envejecimiento de la lámina de aluminio sin
revestimiento, la lámina de PCM convencional y la lámina revestida
con una película delgada compuesta de titanio según la presente
invención;
la figura 7 es un gráfico que representa las
propiedades de envejecimiento de la lámina revestida con una
película delgada compuesta de titanio según la presente invención y
la lámina de PCM convencional; y
la figura 8 es un gráfico que representa
resultados de pruebas variables de revestimientos con película
delgada compuesta de titanio según la presente invención.
A continuación, se describe en detalle haciendo
referencia a los dibujos adjuntos un procedimiento para fabricar un
producto metálico revestido con una película delgada ultrahidrófila,
y un producto metálico revestido con una película delgada
ultrahidrófila según la presente invención.
La figura 1 es una vista conceptual que ilustra
un dispositivo de polimerización por plasma para revestir, con una
película delgada ultrahidrófila compuesta por elementos del grupo
Ti-O-C, un sustrato metálico en
forma de lámina según la presente invención. El dispositivo de
polimerización comprende una cámara de revestimiento mantenida al
vacío, un plasma que se crea dentro de la cámara de revestimiento,
unos medios de inyección de gas reactivo para inyectar gas reactivo
en la cámara de revestimiento, unos medios de inyección de precursor
en fase gaseosa para inyectar un precursor en fase gaseosa en la
cámara de revestimiento y unos medios de inyección de gas portador
para inyectar un gas portador que permite transferir el precursor en
fase gaseosa a la cámara de revestimiento.
Conectada a la cámara de revestimiento 2, se
halla una bomba de vacío 4 para crear el vacío dentro de la cámara
de revestimiento 2, y se suministra de manera continuada una lámina
metálica 8 entre los electrodos 6 instalados en las partes superior
y derecha o los lados derecho e izquierdo. En la figura 1, los
electrodos 6 están instalados en las partes superior e inferior de
la lámina metálica 8, y la lámina metálica 8 se suministra en
dirección horizontal. Una vez que se han revestido ambas
superficies de la lámina metálica 8 con una película delgada
ultrahidrófila compuesta de titanio mediante el plasma generado
entre los electrodos 6, la lámina metálica 8 se retira de la cámara
de revestimiento 2. A continuación, se aplica energía 10 a los
electrodos 6.
Preferentemente, un cilindro de gas reactivo 20
que contiene gas reactivo capaz de formar aire u oxígeno inyecta el
gas reactivo en la cámara de revestimiento 2 a través de una válvula
22.
Además, se inyecta un precursor de titanio en
fase líquida constituido por tetraisopropóxido de titanio en fase
líquida [Ti(OC_{3}H_{7})_{4}] y contenido en un
recipiente 30 presurizado por un presurizador 32, en un burbujeador
40, a través de un controlador de flujo másico (MFC) en fase líquida
38, gracias a las diferencias de presión. El precursor de titanio
en fase gaseosa que el burbujeador 40 ha hecho burbujear se inyecta
en el elemento de revestimiento 2. Preferentemente, se inyecta un
gas portador que puede generar He, Ar o N_{2} a través de un tubo
dispuesto entre el MFC de fase líquida 38 y el burbujeador 40, para
facilitar la inyección del precursor de titanio en fase gaseosa en
la cámara de revestimiento 2. El gas portador está contenido en un
cilindro de gas portador 50 y se inyecta en el tubo a través de una
válvula 52. Alrededor del burbujeador 40, se enrolla un serpentín
de calentamiento 42 para calentar el precursor de titanio en fase
líquida y hacer que este burbujee. Como se ha descrito
anteriormente, el procedimiento de revestimiento mediante nanoplasma
se ejecuta inyectando el gas reactivo que puede formar aire u
O_{2}, el precursor de titanio en fase gaseosa y el gas portador
en la cámara de revestimiento 2. La cantidad de precursor de titanio
en fase gaseosa inyectada en la cámara de revestimiento 2 se
controla ajustando la cantidad de precursor en fase líquida
suministrada al burbujeador 40, es decir, la cantidad de
tetraisopropóxido de titanio en fase líquida.
En este caso, el gas reactivo, el precursor de
titanio en fase gaseosa y el gas portador pueden combinarse fuera
de la cámara de revestimiento 2 e inyectarse en la cámara de
revestimiento 2 a través de un tubo 60, tal como se representa en
la figura 1, o pueden inyectarse en la cámara de revestimiento 2 a
través de tubos diferentes y combinarse dentro de la cámara de
revestimiento 2 a través de un tubo. Todavía con referencia a la
figura 1, el tubo de combinación 60 se conecta a través de un
orificio lateral provisto en la cámara de revestimiento 2.
Preferentemente, la salida del tubo 60 es adyacente a las
superficies superior e inferior de la lámina metálica revestida 8
para extraer el gas mezclado que se ha inyectado a través del tubo
60 por arriba o por debajo de la lámina metálica 8.
El precursor de titanio en fase gaseosa se
condensa a baja temperatura. Cuando se mantiene el tubo 60 a una
temperatura normal, el precursor de titanio en fase gaseosa se
condensa en la pared interna del tubo 60. Para impedir la
condensación del precursor de titanio en fase gaseosa, se enrolla un
hilo caliente 64 alrededor de la pared externa del tubo 60 a través
del cual fluye el precursor de titanio en fase gaseosa, para
mantener una temperatura predeterminada. El tubo 66 a través del
cual fluye el precursor de titanio en fase líquida también se
estructura de la misma manera. Es decir, alrededor de la pared
externa del tubo 66, se enrolla un hilo caliente 68 para mantener
una temperatura predeterminada e impedir de ese modo que el
precursor de titanio se condense en la pared interna del tubo
66.
Según la presente invención, la película delgada
ultrahidrófila compuesta de titanio se aplica de forma continuada
sobre la lámina metálica 8 suministrada de forma continuada a la
cámara de revestimiento 2 utilizando el plasma, y la lámina
metálica revestida con la película delgada 8 se procesa
mecánicamente hasta obtener la forma deseada, por ejemplo, una
aleta de intercambiador de calor de un aparato de aire
acondicionado.
Tal como se ilustra en la figura 1, la bomba de
vacío 4 para crear el vacío dentro de la cámara de revestimiento 2
está conectada a la cámara de revestimiento 2, y la lámina metálica
8 se suministra de manera continuada entre los electrodos 6
instalados en los lados superior e inferior. Una vez que se ha
aplicado de manera continuada la película delgada ultrahidrófila
compuesta de titanio a ambas superficies de la lámina metálica 8
mediante el plasma generado entre los electrodos 6, la lámina
metálica 8 se retira de la cámara de revestimiento 2. Se suministra
energía 10 a los electrodos 6.
Preferentemente, el cilindro de gas reactivo 20
que contiene el gas reactivo que puede formar aire u oxígeno inyecta
el gas reactivo en la cámara de revestimiento 2 a través de la
válvula 22.
Además, el precursor de titanio en fase líquida,
constituido por tetraisopropóxido de titanio en fase líquida
[Ti(OC_{3}H_{7})_{4}] y contenido en el
recipiente 30 presurizado por el presurizador 32, se inyecta en el
burbujeador 40 a través del MFC en fase líquida 38 gracias a las
diferencias de presión. El precursor de titanio en fase gaseosa que
el burbujeador 40 ha hecho burbujear se inyecta en el elemento de
revestimiento 2. Preferentemente, el gas portador que puede formar
He o Ar se inyecta a través del tubo dispuesto entre el MFC en fase
líquida 38 y el burbujeador 40, para facilitar la inyección del
precursor de titanio en fase gaseosa y el precursor de silicio en
fase gaseosa en la cámara de revestimiento 2. El gas portador está
contenido en el cilindro de gas portador 50 y se inyecta en el tubo
a través de la válvula 52. El serpentín de calentamiento 42 está
enrollado alrededor del burbujeador 40 para calentar el precursor de
titanio en fase líquida y hacer que este burbujee.
En este caso, el gas reactivo, el precursor de
titanio o de silicio en fase gaseosa pueden combinarse fuera de la
cámara de revestimiento 2 e inyectarse en la cámara de revestimiento
2 a través de un tubo 60 como el representado en la figura 1, o
pueden inyectarse en la cámara de revestimiento 2 a través de tubos
diferentes y combinarse dentro de la cámara de revestimiento 2 a
través de un tubo. Todavía haciendo referencia a la figura 1, el
tubo de combinación 60 está conectado a través de un orificio
lateral de la cámara de revestimiento 2. Preferentemente, el gas
mezclado inyectado a través del tubo 60 se extrae por arriba o por
debajo de la lámina metálica revestida 8. Es decir, el gas mezclado
se suministra por arriba o por debajo de la lámina metálica 8, para
generar el plasma entre los electrodos superior e inferior 6 y
formar de ese modo la película delgada compuesta de titanio en
ambas superficies de la lámina metálica 8.
El precursor de titanio o silicio en fase
gaseosa se condensa a baja temperatura. Cuando el tubo 60 se
mantiene a una temperatura normal, el precursor de titanio en fase
gaseosa se condensa en la pared interna del tubo 60. Para evitar la
condensación del precursor de titanio en fase gaseosa, el hilo
caliente 64 se enrolla alrededor de la pared externa del tubo 60 a
través del cual fluye el precursor de titanio en fase gaseosa, para
mantener una temperatura predeterminada. El tubo 66 a través del
cual fluye el precursor de titanio en fase gaseosa también se
estructura de la misma manera. Es decir, el hilo caliente 68 se
enrolla alrededor de la pared externa del tubo 66, para mantener
una temperatura predeterminada e impedir de ese modo que el
precursor de titanio o silicio se condensen en la pared interna del
tubo 66.
Los números de referencia 34 y 36 denotan una
válvula del presurizador 32 y una válvula del recipiente 30,
respectivamente.
Según la presente invención, la película delgada
ultrahidrófila compuesta por elementos del grupo
Ti-O-C se aplica de forma
continuada sobre la lámina metálica 8 que se suministra de forma
continuada a la cámara de revestimiento 2 utilizando plasma, y la
lámina metálica revestida con la capa delgada 8 se procesa
mecánicamente hasta obtener la forma deseada, por ejemplo, la aleta
del intercambiador de calor de un aparato de aire acondicionado.
La lámina metálica ultrahidrófila puede
fabricarse utilizando el dispositivo de polimerización por plasma.
Como se ha indicado anteriormente, la lámina metálica ultrahidrófila
se procesa mecánicamente hasta formar la aleta del intercambiador
de calor, y a continuación se miden las características físicas y
superficiales de ésta, que se describen en los ejemplos siguientes.
Debe tenerse en cuenta que el alcance de la presente invención no
es limitado por los ejemplos siguientes sino por las
reivindicaciones adjuntas.
Una vez que se crea un vacío de 0,133 Pa
(10^{-3} Torr) en la cámara de revestimiento 2 utilizando la bomba
de vacío 4, la lámina metálica 8 se conecta a un ánodo y se
mantiene a una distancia predeterminada (de 30 a 150 nm) de los
electrodos 6, y el serpentín de calentamiento 42 del burbujeador 40
se calienta eléctricamente (hasta una temperatura de 80 a 120ºC)
para hacer burbujear el precursor en fase líquida. Los hilos
calientes 64 y 68 enrollados alrededor de las paredes externas de
los tubos 60 y 66 se calientan eléctricamente (hasta una
temperatura de 80 a 120ºC) para impedir que el precursor de titanio
se condense en las paredes internas de los tubos 60 y 66. El gas
del precursor en fase gaseosa, el gas portador y el gas reactivo se
inyectan en la cámara de revestimiento 2 a través del tubo, y se
extrae por arriba o por debajo de la lámina metálica 8.
Preferentemente, el gas del precursor en fase
gaseosa y el gas portador se inyectan en la cámara de revestimiento
2 en una proporción 3:1, y el gas portador y el gas reactivo se
inyectan en la cámara de revestimiento 2 en una proporción 1:3.
Cuando se obtiene el grado de vacío de
funcionamiento deseado mediante el gas inyectado, se conecta la
energía, la lámina metálica 8 se transfiere con respecto al tubo 60
y se crea un plasma de manera continuada entre los electrodos 6
mediante el gas mezclado. En consecuencia, la película delgada
ultrahidrófila compuesta por los elementos del grupo
Ti-O-C se aplica a ambas superficies
de la lámina metálica 6.
En el tratamiento del plasma, la corriente es de
1,2 A, 900 V, el flujo del gas portador constituido por gas de He o
de Ar es de 800 sccm, el flujo del gas reactivo constituido por
oxígeno u aire es de 1.500 sccm, el flujo del gas del precursor en
fase gaseosa es de 1.000 sccm y el grado de vacío dentro de la
cámara 2 está comprendido entre 26,66 y 46,66 Pa (0,2 a 0,35
Torr).
La composición de la muestra de película delgada
procesada se analiza según el procedimiento de espectroscopia de
fotoelectrones de rayos X (XPS) para analizar la composición
superficial midiendo las longitudes de onda de absorción y emisión
molecular específica mediante rayos X, y el espesor de la película
se analiza según el procedimiento de espectrometría de emisión
atómica (AES) para analizar la composición en profundidad realizando
una pulverización catódica a una velocidad fija. Las figuras 2 y 3
muestran los resultados de los análisis.
La figura 2 es un gráfico que representa datos
XPS cuando se forma una película delgada compuesta de titanio
después de una película delgada anticorrosiva de HMDSO. Las
cantidades analizadas corresponden a un porcentaje atómico de C de
19,4, un porcentaje atómico de O de 58,3 y un porcentaje atómico de
Ti de 19,8. Es decir, la película delgada compuesta es una película
delgada compuesta por elementos del grupo
Ti-O-C.
Aunque no se ilustra, cuando solo se aplica la
película delgada ultrahidrófila compuesta, la película preparada es
una película delgada compuesta por elementos del grupo
Ti-O-C.
Según los resultados de los análisis, que varían
ligeramente en función de las condiciones, la película delgada
compuesta de titanio comúnmente contiene un porcentaje atómico de Ti
comprendido entre 15 y 22, un porcentaje atómico de O comprendido
entre 45 y 65 y un porcentaje atómico de C comprendido entre 20 y
25, y opcionalmente un porcentaje atómico de H igual a 20.
La figura 3 es un gráfico que muestra datos AES
representativos. Tal como se ha indicado anteriormente, la AES, que
analiza la composición en profundidad realizando pulverización
catódica a una velocidad fija, puede analizar el espesor de la
película delgada. En los datos AES de la figura 3, el espesor de la
película delgada es de 23,3 nm (233 \ring{A}). El espesor de la
película delgada compuesta por elementos del grupo
Ti-O-C-(H) se restringe a los
valores comprendidos entre 10 nm y 150 nm (100 \ring{A} y 1500
\ring{A}). Por consiguiente, el espesor preferido de la película
delgada compuesta por unos elementos del grupo
Ti-O-C-(H) está comprendido entre 1
y 100 nm.
La figura 4 es una fotografía SEM que representa
la película delgada compuesta por elementos del grupo
Ti-O-C según la presente invención.
Como se representa en la figura 4, se obtiene una película delgada
compacta de estructura amorfa.
La comprobación de las propiedades hidrófilas se
ejecuta depositando una cantidad fija de gotitas (0,1 cc) desde una
altura de 10 mm y midiendo el tamaño de las gotitas en la superficie
de la muestra. Cuando la superficie de la película es hidrófila, el
tamaño de las gotitas se incrementa debido a la alta dispersión, y
cuando la superficie de la película es hidrófoba, el tamaño de las
gotitas se reduce debido a la baja dispersión. En la figura 5a, se
representa una gotita formada sobre la superficie hidrófila. El
tamaño de la gotita varía entre 9 y 11 nm. En la figura 5b, se
representa una gotita formada sobre la superficie hidrófoba. El
tamaño de la gotita varía entre 2 y 3 mm.
Para evaluar las propiedades de envejecimiento
hidrófilo, las muestras se colocan cíclicamente dentro de agua
destilada durante 10 minutos y a continuación se secan durante 10
minutos. Las características hidrófilas de las muestras iniciales
se comparan con las de las muestras obtenidas después de 300
ciclos.
La figura 6 es un gráfico que representa los
resultados de las pruebas. Las propiedades hidrófilas de la película
delgada de la presente invención procesada mediante el plasma no
cambian después de 300 aceleraciones de ciclo. Por otra parte, el
PCM convencional presenta excelentes características hidrófilas
iniciales. Cuando se disuelve en agua un agente tensoactivo
constituido por un agente hidrófilo, las características hidrófilas
del PCM convencional se deterioran. Es decir, el PCM convencional
experimenta envejecimiento. El aluminio no revestido presenta
propiedades hidrófobas en la etapa inicial. Tras las aceleraciones,
se forma una capa de Al_{2}O_{3} sobre la superficie del
aluminio, incrementándose de ese modo ligeramente las
características hidrófilas.
La figura 7 es un gráfico que representa los
resultados de una prueba de envejecimiento de 1000 ciclos de la
película delgada compuesta de titanio según la presente invención y
la película delgada de PCM convencional. La película delgada de la
presente invención conserva las propiedades hidrófilas (por lo menos
9 mm de gotitas). Por otro lado, las características hidrófilas de
la película delgada de PCM convencional se deterioran bruscamente
de conformidad con el incremento de los ciclos.
La figura 8 es un gráfico que representa los
resultados de las comprobaciones de las características hidrófilas
de una muestra de lámina de Al cuando se varía la temperatura del
burbujeador, el gas reactivo, el gas portador y el tiempo de
deposición. Es decir, la figura 8 representa las variaciones del
tamaño de las gotitas en función de las variaciones de cada
elemento.
La temperatura de calentamiento del burbujeador
40 para el burbujeo del precursor en fase líquida se establece en
60ºC, 100ºC y 120ºC. El precursor en fase líquida calentado y
sometido a burbujeo a 100ºC es el que presenta las características
hidrófilas más elevadas (8,7 mm).
El gas reactivo se cambia por O_{2}, N_{2} y
aire. La muestra en la que se utiliza aire como gas reactivo es la
que manifiesta características hidrófilas más acentuadas
(9,3 mm).
El gas portador se cambia por He y Ar. La
muestra en la que el gas portador es He es la que manifiesta
características hidrófilas más acentuadas (9,9 mm).
El tiempo de deposición del gas precursor se
cambia por valores del intervalo comprendido entre 30 s y 120 s. La
muestra sometida a un revestimiento de 90 s manifiesta unas
características hidrófilas similares a las de la muestra sometida a
un revestimiento de 120 s (9,9 mm). En consecuencia, el
procedimiento de revestimiento se realiza durante un intervalo de
90 s, para mantener las características hidrófilas y reducir el
tiempo de producción.
En este caso, la corriente de los electrodos 6
instalados en ambas superficies de la muestra para generar el plasma
es de 0,13 A, y el vacío creado dentro de la cámara de revestimiento
2 que contiene la muestra se mantiene a 39,99 Pa (0,3 Torr).
Para fabricar con eficacia el producto metálico
revestido con una película delgada ultrahidrófila, el precursor en
fase líquida se calienta y hace burbujear a 100ºC en el burbujeador
40, se utiliza aire como gas reactivo, se utiliza He como gas
portador y el procedimiento de revestimiento se ejecuta en la cámara
2 durante 90 s.
En la prueba anterior, el procedimiento de
revestimiento se ejecuta en la muestra adecuada. En la producción
en serie de los productos, la temperatura de calentamiento del
burbujeador, el gas reactivo, el gas portador y el tiempo de
deposición pueden variarse dentro de límites aproximados de
conformidad con los entornos de producción y factores variables
dependientes de la producción en serie continua.
Tal como se ha indicado anteriormente, según la
presente invención, se dispone de un procedimiento sencillo para
producir a escala industrial el material metálico para aparatos de
aire acondicionado revestido con una película delgada dotada de
excelentes propiedades hidrófilas y de envejecimiento.
Además, la película delgada ultrahidrófila puede
formarse uniformemente en ambas superficies del sustrato metálico
en forma de lámina.
Aunque se han descrito las formas de realización
preferidas de la presente invención, se comprende que la presente
invención no debería limitarse a dichas formas de realización
preferidas.
Claims (19)
1. Procedimiento para fabricar un producto
metálico revestido con una película delgada ultrahidrófila, que
reviste de forma continuada una película delgada ultrahidrófila
compuesta de Ti-O-C-(H), que
contiene un porcentaje atómico de Ti comprendido entre 15 y 22, un
porcentaje atómico de O comprendido entre 45 y 65 y un porcentaje
atómico de C comprendido entre 20 y 25, a ambas superficies de un
sustrato metálico en forma de lámina que se suministra de forma
continuada a una cámara de vacío, utilizando plasma, y se procesa
mecánicamente la lámina revestida con la película delgada hasta
obtener la forma deseada.
2. Procedimiento según la reivindicación 1, en
el que la película delgada contiene además H.
3. Procedimiento según la reivindicación 2, en
el que la película delgada contiene un porcentaje atómico de H
igual a 20.
4. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 1 a 3, en el que la película delgada tiene un
espesor comprendido entre 1 y 100 nm.
5. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 1 a 4, en el que el sustrato metálico es un
sustrato de aluminio.
6. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 1 a 4, en el que el producto metálico es una aleta
para un intercambiador de calor.
7. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 1 a 4, en el que el procedimiento de revestimiento
se realiza inyectando un gas reactivo, un precursor de titanio en
fase gaseosa y un gas portador en la cámara de vacío.
8. Procedimiento según la reivindicación 7, en
el que la inyección de gases se realiza de conformidad con la
relación gas portador:gas reactivo = 1:3.
9. Procedimiento según la reivindicación 7, en
el que la inyección de gases se realiza de conformidad con la
relación precursor de titanio en fase gaseosa:gas portador =
3:1.
10. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 7 a 9, en el que el gas reactivo es aire u
O_{2}.
11. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 7 a 9, en el que el gas portador se selecciona de
entre el grupo constituido por He, N_{2} y Ar.
12. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 7 a 9, en el que el precursor de titanio en fase
gaseosa se prepara haciendo pasar tetraisopropóxido de titanio en
fase líquida a través de un burbujeador.
13. Procedimiento según la reivindicación 12, en
el que la cantidad de inyección del precursor de titanio en fase
gaseosa en la cámara de vacío se controla ajustando la cantidad de
tetraisopropóxido de titanio en fase líquida suministrada al
burbujeador.
14. Procedimiento según cualquiera de las
reivindicaciones 7 a 9, en el que el gas portador se inyecta antes
de que el tetraisopropóxido de titanio en fase líquida se inyecte en
el burbujeador, para transferir el tetraisopropóxido de titanio en
fase líquida al burbujeador.
15. Producto metálico revestido con una película
delgada ultrahidrófila, que se reviste con una película delgada
ultrahidrófila compuesta de
Ti-O-C-(H), que contiene un
porcentaje atómico de Ti comprendido entre 15 y 22, un porcentaje
atómico de O comprendido entre 45 y 65 y un porcentaje atómico de C
comprendido entre 20 y 25 y presenta un espesor de 1 a 100 nm,
utilizando plasma.
16. Producto metálico según la reivindicación
15, en el que la película delgada contiene además un porcentaje
atómico de H igual a 20.
17. Producto metálico según cualquiera de las
reivindicaciones 15 ó 16, en el que la película delgada presenta
una estructura amorfa.
18. Producto metálico según la reivindicación
17, en el que la lámina metálica es una lámina de aluminio.
19. Producto metálico según la reivindicación
18, en el que la lámina de aluminio revestida con la película
delgada se procesa mecánicamente para formar una aleta de
intercambiador de calor.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20040023446 | 2004-04-06 | ||
| KR10-2004-0023446 | 2004-04-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2336453T3 true ES2336453T3 (es) | 2010-04-13 |
Family
ID=35125104
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES04800056T Active ES2308276T3 (es) | 2004-04-06 | 2004-11-06 | Procedimiento para la fabricacion de producto de metal recubierto con pelicula delgada ultrahidrofila, y producto de metal recubierto con pelicula delgada ultrahidrofila. |
| ES04800055T Active ES2336453T3 (es) | 2004-04-06 | 2004-11-06 | Procedimiento para fabricar un producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila, y producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila. |
| ES04800057T Active ES2315723T3 (es) | 2004-04-06 | 2004-11-06 | Producto de metal recubierto con una pelicula delgada ultrahidrofila y antibacteriana, y su procedimiento de fabricacion. |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES04800056T Active ES2308276T3 (es) | 2004-04-06 | 2004-11-06 | Procedimiento para la fabricacion de producto de metal recubierto con pelicula delgada ultrahidrofila, y producto de metal recubierto con pelicula delgada ultrahidrofila. |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES04800057T Active ES2315723T3 (es) | 2004-04-06 | 2004-11-06 | Producto de metal recubierto con una pelicula delgada ultrahidrofila y antibacteriana, y su procedimiento de fabricacion. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US8043710B2 (es) |
| EP (3) | EP1761655B1 (es) |
| KR (4) | KR100783214B1 (es) |
| CN (3) | CN100537824C (es) |
| AT (3) | ATE450629T1 (es) |
| DE (3) | DE602004017518D1 (es) |
| ES (3) | ES2308276T3 (es) |
| WO (4) | WO2005098076A1 (es) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE450629T1 (de) * | 2004-04-06 | 2009-12-15 | Lg Electronics Inc | Verfahren zur herstellung eines mit einem ultrahydrophilen dünnen film überzogenen metallprodukts und mit einem ultrahydrophilen dünnen film überzogenes metallprodukt |
| ITRM20040430A1 (it) * | 2004-09-10 | 2004-12-10 | Consiglio Nazionale Ricerche | Materiale ibrido a base di ossido di tatanio, relativo processo di preparazione e usi. |
| DE602004020526D1 (de) | 2004-12-30 | 2009-05-20 | Lg Electronics Inc | Verfahren zur herstellung eines ultrahydrophilen nanofilms auf basis von ti-o-c |
| KR101226287B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2013-01-24 | 파나소닉 주식회사 | 박막 형성 장치 및 박막의 형성 방법 |
| KR101319900B1 (ko) | 2010-12-10 | 2013-10-18 | 엘지전자 주식회사 | 기능성 막을 가지는 제품 및 그 제조방법 |
| US8920361B2 (en) * | 2011-04-05 | 2014-12-30 | The Texas A&M University System | Plasma treatment and plasma enhanced chemical vapor deposition onto temperature sensitive biological materials |
| US9724440B2 (en) | 2013-11-15 | 2017-08-08 | GE Lighting Solutions, LLC | Environmental cleaning and antimicrobial lighting component and fixture |
| US9642358B2 (en) | 2013-12-12 | 2017-05-09 | Ge Lighting Solutions Llc | Antimicrobial lighting system |
| KR101650367B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2016-08-23 | 성균관대학교산학협력단 | 안티 박테리아성 박막의 제조 방법 |
| US10064273B2 (en) | 2015-10-20 | 2018-08-28 | MR Label Company | Antimicrobial copper sheet overlays and related methods for making and using |
| KR20190067977A (ko) | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 동국대학교 산학협력단 | 과일 맥주의 제조 방법 및 이로부터 제조된 과일 맥주 |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0182367B1 (en) | 1984-11-20 | 1990-04-18 | Hitachi Maxell Ltd. | Magnetic recording medium and production of the same |
| US5190807A (en) | 1990-10-18 | 1993-03-02 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant polymeric substrate product |
| JPH0849085A (ja) | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Nisshin Steel Co Ltd | 抗菌性ステンレス鋼板及びその製造方法 |
| US5702770A (en) * | 1996-01-30 | 1997-12-30 | Becton, Dickinson And Company | Method for plasma processing |
| US6074981A (en) * | 1996-08-05 | 2000-06-13 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photocatalyst and process for the preparation thereof |
| DE19736925A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Central Glass Co Ltd | Hydrophiler Film und Verfahren zur Erzeugung desselben auf einem Substrat |
| DE19704947A1 (de) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Schutzbeschichtung von Verspiegelungsschichten |
| US20020155299A1 (en) | 1997-03-14 | 2002-10-24 | Harris Caroline S. | Photo-induced hydrophilic article and method of making same |
| US6027766A (en) | 1997-03-14 | 2000-02-22 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Photocatalytically-activated self-cleaning article and method of making same |
| US6551665B1 (en) * | 1997-04-17 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Method for improving thickness uniformity of deposited ozone-TEOS silicate glass layers |
| JP3800567B2 (ja) | 1997-05-15 | 2006-07-26 | 大日本塗料株式会社 | 鋼材の防食方法 |
| KR19990047370A (ko) * | 1997-12-04 | 1999-07-05 | 구자홍 | 표면의 친수성 또는 소수성이 향상된 냉동, 공조용 금속재료 및 그 향상 방법 |
| KR100256669B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2000-05-15 | 정선종 | 화학기상증착 장치 및 그를 이용한 구리 박막 형성 방법 |
| TWI221861B (en) * | 1998-04-22 | 2004-10-11 | Toyo Boseki | Agent for treating metallic surface, surface-treated metal material and coated metal material |
| US6027466A (en) * | 1998-09-04 | 2000-02-22 | Diefenbacher; Beat | Adjustable orthopedic device joint |
| EP1136527A4 (en) * | 1998-10-19 | 2003-07-09 | Toto Ltd | Stain-resistant material and method for producing the same, coating composition and device therefor |
| GB2350841B (en) | 1999-06-08 | 2001-12-19 | Kansai Paint Co Ltd | Inorganic film-forming coating composition, preparation method therof and inorganic film-forming method |
| JP3498739B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2004-02-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 光触媒体の形成方法および光触媒物質の製造方法 |
| US6984415B2 (en) * | 1999-08-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Delivery systems for gases for gases via the sublimation of solid precursors |
| US20010026859A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-10-04 | Toru Nakamura | Functional films, their use, articles having the films and processes for producing these |
| JP2001280879A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光触媒熱交換器およびその製造方法 |
| US6749813B1 (en) * | 2000-03-05 | 2004-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Fluid handling devices with diamond-like films |
| JP2002105641A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Murakami Corp | 複合材およびその製造方法 |
| KR20020069256A (ko) * | 2000-11-17 | 2002-08-29 | 유겐가이샤 칸코우 데바이스 켄큐쇼 | 가시광 응답성 도료, 도막 및 물품 |
| US6454912B1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for the fabrication of ferroelectric films |
| US6613385B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-09-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Highly spin-polarized chromium dioxide thin films prepared by CVD using chromyl chloride precursor |
| KR100400398B1 (ko) | 2001-04-26 | 2003-10-01 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 방열핀 제조용 항균판재 및 그 제조방법 |
| KR20020088029A (ko) | 2001-05-16 | 2002-11-25 | 한라공조주식회사 | 친수, 탈취 및 항균성 피막을 가지는 열교환기 및 이열교환기의 피막 형성방법 |
| AU2002329681A1 (en) * | 2001-08-03 | 2003-03-18 | Elisha Holding Llc | Process for treating a conductive surface and products formed thereby |
| US20030042630A1 (en) * | 2001-09-05 | 2003-03-06 | Babcoke Jason E. | Bubbler for gas delivery |
| KR100727372B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2007-06-12 | 토소가부시키가이샤 | 루테늄착체, 그 제조방법 및 박막의 제조방법 |
| KR100438941B1 (ko) | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 내식성 및 친수성을 가지는 다층막형성방법 |
| CN1256463C (zh) | 2001-11-19 | 2006-05-17 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 利用等离子体形成具有耐腐蚀性和亲水性的多层膜的方法 |
| FI115393B (fi) | 2002-03-28 | 2005-04-29 | Abb Oy | Järjestelmä ja menetelmä propulsioyksikön moottorin jarruttamiseksi |
| JPWO2003095193A1 (ja) | 2002-05-09 | 2005-09-08 | 独立行政法人理化学研究所 | 薄膜材料およびその製造方法 |
| AU2003253431A1 (en) | 2002-08-07 | 2004-02-25 | Showa Denko K. K. | Metal alkoxide hydrolytic polycondensation solution and transparent films manufactured therefrom |
| US7211513B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-05-01 | Pilkington North America, Inc. | Process for chemical vapor desposition of a nitrogen-doped titanium oxide coating |
| JP3948739B2 (ja) | 2003-12-09 | 2007-07-25 | 財団法人電力中央研究所 | 炭素ドープ酸化チタン層を有する多機能材 |
| ATE450629T1 (de) | 2004-04-06 | 2009-12-15 | Lg Electronics Inc | Verfahren zur herstellung eines mit einem ultrahydrophilen dünnen film überzogenen metallprodukts und mit einem ultrahydrophilen dünnen film überzogenes metallprodukt |
| US7354624B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-04-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Multi-layer coatings and related methods |
| US8490863B1 (en) * | 2005-10-17 | 2013-07-23 | Dollar Bank, Federal Savings Bank | Secure financial report and method of processing and displaying the same |
| US7892488B2 (en) * | 2006-02-10 | 2011-02-22 | Honeywell International, Inc. | Thermal liquid flow sensor and method of forming same |
-
2004
- 2004-11-06 AT AT04800055T patent/ATE450629T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 US US11/547,631 patent/US8043710B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-06 WO PCT/KR2004/002870 patent/WO2005098076A1/en active Application Filing
- 2004-11-06 DE DE200460017518 patent/DE602004017518D1/de active Active
- 2004-11-06 DE DE200460024454 patent/DE602004024454D1/de active Active
- 2004-11-06 CN CNB2004800427016A patent/CN100537824C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-06 EP EP04800055A patent/EP1761655B1/en not_active Not-in-force
- 2004-11-06 AT AT04800057T patent/ATE412788T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 KR KR1020047020039A patent/KR100783214B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 WO PCT/KR2004/002871 patent/WO2005098078A1/en active Application Filing
- 2004-11-06 AT AT04800056T patent/ATE398192T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 WO PCT/KR2004/002869 patent/WO2005098075A1/en active Application Filing
- 2004-11-06 WO PCT/KR2004/002868 patent/WO2005098074A1/en active Application Filing
- 2004-11-06 KR KR1020047020040A patent/KR100746419B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 ES ES04800056T patent/ES2308276T3/es active Active
- 2004-11-06 DE DE200460014421 patent/DE602004014421D1/de active Active
- 2004-11-06 EP EP20040800057 patent/EP1759034B1/en not_active Not-in-force
- 2004-11-06 US US11/547,565 patent/US20080118770A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-06 CN CN2004800426935A patent/CN1938444B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-06 KR KR1020047020037A patent/KR100735950B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 US US11/547,467 patent/US20070287026A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-06 KR KR1020047020038A patent/KR100783213B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-06 CN CNB200480042694XA patent/CN100549217C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-06 EP EP20040800056 patent/EP1759033B1/en not_active Not-in-force
- 2004-11-06 ES ES04800055T patent/ES2336453T3/es active Active
- 2004-11-06 ES ES04800057T patent/ES2315723T3/es active Active
-
2009
- 2009-06-30 US US12/494,699 patent/US20090263649A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-18 US US12/543,377 patent/US7901786B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2336453T3 (es) | Procedimiento para fabricar un producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila, y producto metalico revestido con una pelicula delgada ultrahidrofila. | |
| Köroğlu et al. | Nano/micro-scale surface modifications using copper oxidation for enhancement of surface wetting and falling-film heat transfer | |
| TW202028518A (zh) | 用於自我組裝單層製程的化學輸送腔室 | |
| KR101844956B1 (ko) | 친수성이 향상된 알루미늄 표면의 제조방법 및 친수성 알루미늄 표면체 | |
| ES2322156T3 (es) | Procedimiento de fabricacion de una nanopelicula basada en ti-o-c ultrahidrofila. | |
| Nouicer et al. | Superhydrophobic surface produced on polyimide and silicon by plasma enhanced chemical vapour deposition from hexamethyldisiloxane precursor | |
| KR101736483B1 (ko) | 배리어 필름을 제조하기 위한 방법 및 장치 | |
| JP2006348376A (ja) | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 | |
| KR100892455B1 (ko) | 내식성, 초친수성 및 살/항균성 금속 제품 | |
| CN109841510A (zh) | 蚀刻方法和蚀刻装置 | |
| KR20120118298A (ko) | 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법 | |
| Jeong et al. | Preparation of super-hydrophilic amorphous titanium dioxide thin film via PECVD process and its application to dehumidifying heat exchangers | |
| KR100631719B1 (ko) | 플라즈마 중합장치의 가스 공급 구조 | |
| KR20220114924A (ko) | 양친성 표면의 제조 방법 | |
| Cavallin et al. | Metal PVD honey-combs coated with TIO2 and Al2O3 via PECVD suitable for sensoring applications | |
| JPH03238880A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |