EP1145292A1 - Substrathalter - Google Patents
SubstrathalterInfo
- Publication number
- EP1145292A1 EP1145292A1 EP99963537A EP99963537A EP1145292A1 EP 1145292 A1 EP1145292 A1 EP 1145292A1 EP 99963537 A EP99963537 A EP 99963537A EP 99963537 A EP99963537 A EP 99963537A EP 1145292 A1 EP1145292 A1 EP 1145292A1
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- substrate holder
- substrate
- sealing
- chamber
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Definitions
- the invention relates to a substrate holder for holding a substrate, in particular a semiconductor wafer.
- Substrate holders for holding semiconductor wafers are known in the art.
- the wafer is held, for example, by means of a vacuum, which is applied to one side of the wafer via vacuum fingers.
- a substrate holder holding elements lying against an edge of the wafer are provided.
- Such an application is e.g. B. a metal plating, especially a copper plating of one of the two wafer surfaces. With such a metal plating, a treatment fluid containing the respective metal is passed over a wafer surface to be plated, while a voltage is applied between an anode opposite the wafer and the wafer surface to be plated.
- the front side of the wafer to be plated is electrically contacted. Electrical contacting of the rear side of the wafer is not possible, since the high current density required for the plating on the front side to be plated cannot be achieved by contacting the rear side without electronic structures formed in the wafer, such as, for. B. transistors to destroy.
- the electrical contacts for the electrical contacting of the front of the wafer must also be protected from the electrolyte, since they would otherwise also build up an undesired metal layer.
- the substrate holders described above do not provide for electrical contacting of a wafer surface to be treated or for sealing the wafer surface not to be treated against a treatment fluid.
- a device for plating a wafer in which the wafer is placed on a base part with a central opening corresponding to the substrate shape or on a seal located on the base part.
- the wafer In order to hold the wafer firmly, it is pressed with an inflatable balloon against the base part or the seal, which extend perpendicular to the wafer surface.
- the seal has several undercuts in order to enable electrical contacting of the surface of the wafer facing the seal.
- the overlap between the seal and the wafer is relatively large, which leads to a high margin scrap, since this area is sealed off from treatment.
- areas with a relative calm flow form at the interface between the seal and the wafer when a fluid flows against the wafer, which leads to inhomogeneous treatment of the wafer in this area.
- US-A-5,447,615 also shows a device in which a wafer is clamped between a circumferential seal located on a base part and an inflatable balloon.
- the wafer is electrically contacted through an opening in a sealing part which projects radially inwards relative to the rest of the seal.
- JP-A-7-211724 a device for plating a wafer is known, in which the wafer is pressed with a substrate holder against a seal resting on an upper edge of a treatment basin.
- the present invention has for its object to provide a substrate holder that a sealing of a wafer surface to be treated can be sealed in a simple and reliable manner with respect to the other with simultaneous electrical contacting of the surface to be treated, has a slight overlap between the wafer and the seal and enables a good flow of a treatment fluid in the region of the interface between the wafer and the seal.
- a substrate holder for holding a substrate, in particular a semiconductor wafer, with a first part and a second part which has a central opening corresponding to the shape of the substrate, the substrate being able to be received between the first and second parts, solved in that a circumferential seal is provided on the inner circumference of the second part, which forms an inner circumference widening away from the substrate and at least has an undercut.
- the circumferential seal on the inner circumference of the part having the central opening forms a radially inner boundary of the substrate holder. Due to the inner circumference widening away from the substrate, there is good flow behavior in the area of the interface between the wafer and substrate when the substrate is treated with treatment fluid.
- the at least one undercut in the seal furthermore makes it possible to make electrical contact with the top side of the wafer to be treated that points toward the central opening outside a treatment fluid contact surface of the wafer.
- the seal is advantageously formed by a sealing material attached to the inner circumference of the second part of the substrate holder, which is preferably welded on, in order to form a simple and inexpensive seal.
- the sealing material preferably overlaps an edge region of the substrate in order to provide a secure seal.
- electrical contacting of the substrate surface to be treated is made possible in this edge region.
- the seal has a sealing lip, which preferably forms a tip.
- the sealing lip in particular with a tip, has the advantage of a good and defined seal and a defined transition between the wafer and the sealing lip, in order to provide a uniform seal over time.
- the sealing lip closes the sealing material with an inner circumference, i.e. that the sealing lip defines the innermost area of the sealing material in order to ensure a uniform flow of a treatment fluid along the inner circumference of the sealing material.
- the sealing lip is formed by milling out the sealing material.
- a sealing material to an inner circumference of the second part of the substrate holder, in particular by welding the material, it is difficult to provide the required accuracies with regard to the shape and position of the sealing lip.
- the sealing material is advantageously made of plastic and is elastic. The elasticity must not be too high so that the seal provides sufficient pressure and a good seal against the wafer.
- an elastic element opposite the seal is provided on the first part of the substrate holder in order to generate the required contact pressure and to compensate for the low elasticity of the sealing material.
- the elastic element makes the substrate elastic against the relatively rigid one Seal pressed to prevent the wafer from being damaged by the seal.
- the elastic element advantageously lies opposite the sealing lip in order to elastically press the substrate precisely in this area against the tip of the sealing lip in order to provide a good seal.
- the elastic element is an O-ring.
- the elastic element is advantageously held in a groove, in particular a dovetail groove of the first part of the substrate holder, in order to fix the position of the elastic element.
- the dovetail groove is particularly advantageous because on the one hand it offers a good fixation of the O-ring and on the other hand it allows the O-ring to expand laterally.
- At least one centering element is provided on the second part of the substrate holder.
- the at least one centering element ensures the position of the substrate with respect to the seal and the position of the first and second parts of the substrate holder relative to one another in order to provide a uniform sealing effect.
- the at least one centering element advantageously has a slope, along which a sliding centering can take place.
- a plurality of centering elements define an inner circumference which essentially corresponds to the outer circumference of the substrate in order to prevent lateral movement of the substrate during a treatment and in order to be able to apply the seal precisely at the same time.
- the centering element is formed in one piece with the sealing material and milled out of the latter, which enables the centering element to be manufactured cost-effectively.
- milling out the sealing material again has the advantage that high accuracies can be maintained.
- At least one centering element is provided in the first part of the substrate holder in order to Ensure tration of the first and second parts of the substrate holder.
- the centering element on the first part of the substrate preferably has a bevel which is opposite the bevel of the centering element on the second part of the substrate holder and is complementary to it in order to enable centering of the two parts in a simple manner.
- the groove receiving the elastic element advantageously adjoins the centering element.
- the substrate holder has a contact arrangement.
- the contact arrangement is advantageously arranged on the second part of the substrate holder.
- the contact arrangement extends into the area of the undercut of the seal.
- the contact arrangement has at least one contact spring which is biased in the direction of the substrate and thus ensures good contacting even in the event of vibrations or slight movements of the substrate.
- a plurality of contact springs are formed by cutouts in an annular contact member in order to provide uniform electrical contacting in a simple and inexpensive manner over an outer circumference of the substrate.
- At least one first chamber is formed between the first and second parts of the substrate holder, which chamber advantageously serves to accommodate the contact arrangement.
- the first chamber advantageously extends around the central opening of the substrate holder, so that it would be annular in the case of a round substrate and angular in the case of an angular substrate.
- an inner circumference of the first chamber is through the elastic Sealed element on the first part of the substrate holder, the substrate and the seal on the second part of the substrate holder.
- An outer periphery of the first chamber is sealed by at least one sealing element on the first and / or second part of the substrate holder.
- the sealing element is an O-ring for a good and inexpensive seal.
- At least one second chamber formed between the first and second parts of the substrate holder is provided.
- the second chamber advantageously extends around the first chamber and has at least one sealing element on the first and / or second part of the substrate holder for sealing the second chamber.
- Two sealing elements which are preferably O-rings, are advantageously provided for sealing the second chamber.
- a device for applying a vacuum to the first and / or second chamber is preferably provided to hold the first and second parts of the substrate holder together.
- the first and second parts can be held together in a simple manner by means of a vacuum and can be easily separated from one another by releasing the vacuum, for example in order to allow access to a substrate accommodated between the two parts.
- a fluid such as N 2
- N 2 can advantageously be applied to the first chamber in order to generate a counterpressure for the pressure acting on the sealing lip by the treatment fluid.
- a substrate contact surface is provided on the first part of the substrate holder, for the side of the substrate that is not to be treated, which is essentially adapted to the shape of the substrate.
- the first and second part of the substrate holder each advantageously have a metal body in order to provide the rigidity and strength required for the substrate holder.
- the metal bodies are coated with plastic.
- the coatings advantageously have areas with different thicknesses in order to allow the above-mentioned grooves, chambers and the like to be formed.
- Fig. 1 is a schematic sectional view of an inventive
- Substrate holder disposed over a treatment device 2 shows a detailed view of a sealing arrangement according to the invention of the substrate holder of the present invention
- FIG. 3 shows an enlarged partial view of a region of the substrate holder according to FIG. 1
- FIG. 4 is an enlarged partial view similar to the view in FIG. 3, which shows a substrate holder according to the invention according to a second exemplary embodiment of the invention.
- the treatment device 3 is a metal plating device, such as a copper plating device, which conducts treatment fluid containing a metal, such as copper, onto the wafer 2 from below.
- a metal plating device such as a copper plating device, which conducts treatment fluid containing a metal, such as copper, onto the wafer 2 from below.
- the loading between action device 3 and a voltage facing the top of the substrate facing the treatment device is a metal plating device, such as a copper plating device, which conducts treatment fluid containing a metal, such as copper, onto the wafer 2 from below.
- the substrate holder 1 consists of an upper cover 5 and a lower ring 6, and the substrate 2 is clamped between the cover 5 and the ring element 6 - as will be described in more detail below.
- the cover 5 has a metal body 8 which is coated with a plastic coating 9.
- the top 10 of the metal body 8 is flat, and an underside 11 is stepped such that the metal body 8 has a greater thickness in a central region, which essentially corresponds to the shape of the wafer 2, than in an edge region of the metal body 8.
- the coating 9 has a substantially uniform thickness on the top and on the sides of the metal body 8.
- the coating in the edge area ie in the area where the metal body 8 has a smaller thickness, is at least partially thicker, as can be seen in the figures.
- the coating 9 could have a uniform thickness around the entire metal body 8, and additional material could be attached to this coating in the edge region of the metal body 8, e.g. B. be welded on.
- a first region, in which the coating 9 is made thicker, is where the metal body 8 changes from a first thickness to a second thickness, as can best be seen in FIG. 2.
- a dovetail groove 13 is formed in the coating 9, in which an O-ring 15 is received.
- the dovetail groove 13 can be milled out of the material forming the coating 9. Alternatively, the dovetail groove could also be formed in this form during the coating of the metal body 8. Adjacent to the dovetail groove 13, the material of the coating 9 forms a web 17 with a bevel 19 which is inclined inwards, as can be seen in FIG. 2. A second area, in which the coating 9 is thicker, is located at the edge of the cover 5, as can best be seen in FIG. 3. In this area, a dovetail groove 20 is formed, in which an O-ring 21 is arranged. A downwardly open space 23 is formed between the first and second thickened regions of the coating 9 and extends around the entire circumference of the cover.
- the lower ring 6 of the substrate holder 1 has an annular metal body 25 with an essentially rectangular cross section with rounded edges.
- An inner side 26 of the metal body 25 is slightly chamfered, in such a way that the inner circumference tapers upwards.
- a small projection 27 is provided, which forms a rounded edge of the metal body 25.
- the metal body 25 has threaded bores 28 in an upper side for receiving screws 29 in order to fasten a contact arrangement to the ring 6, as will be described below.
- the metal body has a raised projection 30.
- the metal body 25 is almost completely, with the exception of the projection 30, surrounded by a coating 32.
- the coating 32 is made of the same material as the coating 9, although this is not mandatory.
- the coating 32 is thicker on an outer upper edge of the ring 6 in order to form an elevated support 34 for the cover 5.
- a recess 36 is formed in the raised support 34, into which the O-ring 21 located on the cover 5 extends when the cover 5 and the ring 6 are in contact.
- a sealing material 38 is attached that z. B. is welded to the coating 32.
- the sealing material 38 could consist of the same material as the coating 32 and be formed in one piece with it.
- the sealing material 38 extends radially inward from the ring 6.
- a surface 40 of the sealing material 38 is formed in alignment with an upper side of the coating 32, as can best be seen in FIG. 2.
- the sealing material 38 extends around the entire inner circumference of the ring 6 and overlaps an edge region of the wafer 2 in the lateral direction, as can best be seen in FIG. 2.
- a sealing lip 42 is formed which extends perpendicular to the surface 40 and ends in a tip 43.
- the sealing lip closes with an inner circumference of the sealing material, that is to say that the sealing lip 42 overlaps the wafer 2 as far as possible.
- the sealing material 38 is cut out to form the surface 40 in order to form a free space 45 between it and the edge region of the wafer 2.
- the lateral overlap of the sealing material 38 with the wafer 2 is 3 mm, that is to say that an edge region of 3 mm of the wafer is sealed off from a treatment fluid directed from the treatment device 3 onto the wafer.
- this distance can also be changed to two or one millimeter or another value, it being necessary to ensure that an essentially free space 45 remains between the wafer 2 to be treated and the sealing material 38, in which - as will be described below - Electrical contact is made to a top of the wafer to be treated.
- This so-called marginal exclusion is necessary in order to prevent the copper from coming onto the back of the wafer 2 when one of the upper sides of the wafer is being plated, while at the same time making electrical contact with the surface of the wafer to be plated is possible.
- Electrical contacting on the rear side of the wafer is not possible, since the high current density for the plating cannot be achieved from the rear side, without electronic components, such as, for example, formed on the wafer.
- B. transistors to destroy It should be mentioned here that a thin layer of a suitable metal can be applied, for example sputtered, to the upper side of the wafer to be plated in order to enable the current flow required for the plating or the high current density.
- the sealing lip lies concentrically around a center point of the wafer in order to produce a uniform edge exclusion.
- the sealing lip 42 lies opposite the O-ring 15 arranged on the cover 5 in such a way that the O-ring force is directed precisely at the tip of the sealing lip when the wafer 2 is clamped between the O-ring 15 and the sealing lip 42.
- the sealing material 38 furthermore forms a multiplicity of projections 28 which are arranged radially outward with respect to the sealing lip 42 and which are higher than the sealing lip 42.
- the projections 48 have in an upper region of a side 49 pointing towards a center of the device each have a slope 50 which tapers towards the bottom.
- the inward-facing side 49 of the projection 48 is straight in a lower region.
- the straight regions of the side 49 of the projections 48 define an inner circumference that corresponds to an outer circumference of a wafer 2. Wafers 2 deposited on the ring can thus be exactly centered with respect to the ring by means of the bevel 50 and held against lateral sliding by the straight sections of the sides 49.
- the bevels 50 of the projections 48 are also complementary to the bevels 19 of the cover 5 in order to also center the cover 5 with respect to the ring 6.
- a metal ring 54 is screwed onto the lower ring 6 via the screws 29.
- a reinforcing ring 55 is provided between the metal ring 54 and a head of the screw 29.
- the metal ring 54 is connected directly or via the metal body 45 to a device for applying a voltage (not shown in more detail).
- the metal ring 54 has cutouts for forming spring elements 58, one of which is shown in FIG. 2. As can be seen in FIG. 2, the spring element 58 extends into the space 45 formed by the cutout in the sealing material 38 between the sealing material 38 and the wafer 2.
- the spring elements 58 are opposite an outer region in which the fastening to the metal body 25 takes place, bent upwards, and in such a way that they protrude over the tip 43 of the sealing lip 42 in an unloaded state.
- the underside of the wafer 2 comes into contact with the spring element 58, which springs downward, thereby ensuring good contacting of the underside of the wafer 2.
- a round contact tip can be formed on the spring element 58 in the region in which the wafer 2 is contacted in order to prevent damage to the contacted wafer surface.
- a chamber 60 is formed in between, to which a vacuum can be applied by means of a device, not shown, around the ring 6 to hold the lid 5.
- the chamber 60 is sealed on the outer circumference by the O-ring 21 and on the inner circumference by the sealing lip 42, the O-ring 15 and the wafer 2 clamped between them.
- the ring 6 can also be held on the lid 5 in any other suitable manner.
- the ring 6 is placed on a support, not shown, the vacuum in the chamber 60 is released and the Cover 5 is raised with respect to ring 6.
- a wafer handling robot can retract from one side through the gap formed between the cover 5 and the ring 6 and can grip a wafer 2 located between the cover 5 and the ring 6 and lift it above the projection 48 and move it sideways out of the substrate holder.
- the wafer handling robot moves with a wafer 2 held thereon from one side into the gap formed between the lid 5 and the ring 6 and deposits the wafer 2 on the ring 6. If the wafer 2 is not exactly centered with respect to the ring 6 when it is placed down, centering takes place via the bevels 50 on the projections 48.
- the wafer 2 comes into contact with the spring elements 58.
- the wafer handling robot is then moved out of the area between the lid 5 and the ring 6, and the lid 5 is lowered.
- the cover 5 is centered with respect to the ring 6 via the slopes 15 and 19.
- the O-ring 15 presses the wafer 2 firmly against the tip 43 of the sealing lip 42 in order to provide a good seal there.
- the O-ring 21 comes into engagement with the recess 36 in order to provide a good seal at this point.
- a vacuum is then again applied to the chamber 60 so that the ring 6 is held firmly on the cover 5 and can be transported together with the cover 5 over the treatment device 3.
- FIG. 4 shows an alternative embodiment of a substrate holder 1.
- 4 has a lid 5 and a lower ring 6, each of which is a metal body
- the metal body 8 and the metal body 25 are coated
- the main difference between the substrate holder according to FIGS. 1-3 and the substrate holder according to FIG. 4 is that the cover 5 and the ring 6 according to FIG. 4 have larger external dimensions and that a further chamber 62 radially outside with respect to the chamber 60 is formed between the upper cover 5 and the lower ring 6.
- the chambers are sealed off from one another by an O-ring 64, which is arranged in a dovetail groove 66 formed in the coating 9.
- the O-ring 64 presses against an elevated part 68 of the coating 32 in order to seal the chambers 60 and 62 against one another.
- An inner circumference of the chamber 60 is sealed by the O-ring 15, the wafer 2 and the sealing lip 42 in the same way as previously with reference to the first exemplary embodiment.
- An outer circumference of the chamber 62 is sealed by an O-ring 70, which is arranged in a dovetail groove 72 of the coating 9 and, when the substrate holder 1 is closed, presses against an elevated part 74 of the coating 32.
- a vacuum can be applied to the chamber 62 via a device, not shown, in order to secure the lower ring 6 to the upper cover 5.
- the advantage of using a second chamber 62 to which a vacuum can be applied is that the vacuum applied to the chamber 62 does not act on the sealing lip 42, in contrast to a vacuum applied to the chamber 60. Impairment of the sealing effect of the sealing lip 42 on the wafer 2 can thus be excluded.
- the substrate holder is not restricted to the specifically illustrated embodiments. So z. B. instead of the device for applying a vacuum for holding the lower ring 6 on the lid 5 a Magnet arrangement, in particular an electromagnet arrangement, can be provided for releasably holding the lower ring 6 on the upper cover 5. It is also possible to use a mechanical holding device, such as. B. a clamping device to provide to hold the lid 5 and the lower ring 6 together.
- the lid 5 has been referred to as the upper lid and the ring 6 has been referred to as the lower ring 6, the substrate holder can be in any orientation, e.g. B. vertically or in an orientation rotated by 180 °.
- the substrate head can be used for both round and square substrates or substrates with any shape, both the shape of the lower ring and the shape of the cover being adapted to the shape of the substrate.
- the lower ring can thus also have an angular shape with an angular central opening. In the same way, they can also have different shapes between the cover and the lower ring formed chambers.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Gasket Seals (AREA)
Abstract
Bei einem Substrathalter zum Halten von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, wird eine gute Abdichtung der Waferoberflächen, sowie eine elektrische Kontaktierung in der einen Waferoberfläche ermöglicht, indem der Substrathalter einen ersten Teil und einen zweiten Teil, das eine der Substratform entsprechende Mittelöffnung besitzt, aufweist, wobei das Substrat zwischen dem ersten und zweiten Teil aufnehmbar ist und wobei am Innenumfang des zweiten Teils eine umlaufende Dichtung mit wenigstens einer Hinterschneidung vorgesehen ist.
Description
Substrathalter
Die Erfindung betrifft einen Substrathalter zum Halten eines Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers.
Substrathalter zum Halten von Halbleiterwafern sind in der Technik bekannt. Bei einer Art eines Substrathalters wird der Wafer beispielsweise über ein Vakuum, das über Vakuumfinger an eine Seite des Wafers angelegt wird, gehalten. Bei einer anderen Form eines Substrathalters sind an einem Rand des Wafers anliegende Halteelemente vorgesehen. Obwohl diese Substrathalter bei vielen Anwendungen eingesetzt werden können, gibt es spezieile Anwendungen, für die sie nicht geeignet sind. Eine derartige Anwendung ist z. B. eine Metallplattierung, speziell eine Kupferplattierung einer der beiden Waferoberflachen. Bei einer derartigen Metallplattierung wird ein das jeweili- ge Metall enthaltende Behandlungsfluid über eine zu plattierende Waferoberflache geleitet, während zwischen einer dem Wafer gegenüberliegenden Anode und der zu plattierenden Waferoberflache eine Spannung angelegt wird. Zum Erzeugen dieser Spannung ist es notwendig, daß die zu plattierende Vorderseite des Wafers elektrisch kontaktiert wird. Eine elektrische Kontak- tierung der Rückseite des Wafers ist dabei nicht möglich, da die für die Plattierung erforderliche hohe Stromdichte auf der zu plattierenden Vorderseite nicht durch eine Kontaktierung der Rückseite zu erreichen ist, ohne in dem Wafer ausgebildete elektronische Strukturen, wie z. B. Transistoren, zu zerstören. Darüber hinaus ist es notwendig, die nicht zu behandelnde Oberseite des Wafers gegenüber dem das Kupfer enthaltenden Behandlungsfluid abzudichten, da Metall in dem Bereich der elektronischen Strukturen eine unerwünschte Verunreinigung darstellt. Insbesondere müssen auch die elektrischen Kontakte zur elektrischen Kontaktierung der Vorderseite des Wafers vor dem Elektrolyten geschützt werden, Da sie sonst ebenfalls eine uner- wünschte Metallschicht aufbauen würden.
Die zuvor beschriebenen Substrathalter sehen weder eine elektrische Kontaktierung einer zu behandelnden Waferoberflache noch eine Abdichtung der nicht zu behandelnden Waferoberflache gegenüber einem Behandlungsfluid vor.
Aus der US-A-5,429,733 ist eine Vorrichtung zum Plattieren eines Wafer bekannt, bei der der Wafer auf einem Basisteil mit einer der Substratform entsprechenden Mittelöffnung bzw. auf einer auf dem Basisteil befindlichen Dichtung abgelegt wird. Um den Wafer fest zu halten, wird er mit einem auf- blasbaren Ballon gegen den Basisteil bzw. die Dichtung gedrückt, die sich senkrecht zu der Waferoberflache erstrecken. Die Dichtung weist mehrere Hinterschneidungen auf, um eine elektrische Kontaktierung der zur Dichtung weisenden Oberfläche des Wafers zu ermöglichen. Dabei ist die Überschneidung zwischen Dichtung und Wafer relativ groß, was zu einem hohen Randausschuß führt, da dieser Bereich gegenüber einer Behandlung abgedichtet ist. Ferner bilden sich an der Schnittstelle zwischen Dichtung und Wafer Bereiche mit einer relativen Strömungsruhe, wenn der Wafer mit einem Fluid angeströmt wird, was zu einer inhomogenen Behandlung des Wafers in diesem Bereich führt.
Die US-A-5,447,615 zeigt ebenfalls eine Vorrichtung, bei der ein Wafer zwischen einer auf einem Basisteil befindlichen umlaufenden Dichtung und einem aufblasbaren Ballon eingeklemmt wird. Eine elektrische Kontaktierung des Wafers erfolgt durch eine Öffnung in einem Dichtungsteil, der gegenüber der restlichen Dichtung radial nach innen vorsteht.
Aus der JP-A-7-211724 ist eine Vorrichtung zum Plattieren eines Wafers bekannt, bei der der Wafer mit einem Substrathalter gegen eine auf einer Oberkante eines Behandlungsbeckens aufliegenden Dichtung gedrückt wird.
Ausgehend von dem oben genannten Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Substrathalter zu schaffen, der
auf einfache und verläßliche Weise eine Abdichtung einer zu behandelnden Waferoberflache gegenüber der anderen bei gleichzeitiger elektrischer Kontaktierung der zu behandelnden Oberfläche erlaubt, eine geringe Überschneidung zwischen Wafer und Dichtung aufweist und eine gute Strömung eines Behandlungsfluids im Bereich der Schnittstelle zwischen Wafer und Dichtung ermöglicht.
Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Substrathalter zum Halten eines Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers, mit einem er- sten Teil und einen zweiten Teil, das eine der Substratform entsprechende Mittelöffnung aufweist, gelöst, wobei das Substrat zwischen dem ersten und zweiten Teil aufnehmbar ist, dadurch gelöst, daß am Innenumfang des zweiten Teils eine umlaufende Dichtung vorgesehen ist, die einen sich vom Substrat weg erweiternden Innenumfang bildet und wenigsten eine Hinter- schneidung aufweist.Die umlaufende Dichtung am Innenumfang des die Mittelöffnung aufweisenden Teils bildet eine radial innere Begrenzung des Substrathalters. Aufgrund des sich vom Substrat weg erweiternden Innen- umfangs ergibt sich ein gutes Strömungsverhalten im Bereich der Schnittstelle zwischen Wafer und Substrat, wenn das Substrat mit Behandlungsfluid angeströmt wird. Durch die wenigstens eine Hinterschneidung in der Dichtung ist darüber hinaus eine elektrische Kontaktierung der zur Mittelöffnung weisenden Oberseite des zu behandelnden Wafers außerhalb einer Be- handlungsfluid-Kontaktoberfläche des Wafers möglich.
Vorteilhafterweise wird die Dichtung durch ein am Innenumfang des zweiten Teils des Substrathalters angebrachtes Dichtungsmaterial, welches vorzugsweise angeschweißt ist, gebildet, um eine einfache und kostengünstige Dichtung zu bilden. Dabei überlappt das Dichtungsmaterial vorzugsweise einen Randbereich des Substrats, um eine sichere Abdichtung vorzusehen. Darüber hinaus wird in diesem Randbereich eine elektrische Kontaktierung der zu behandelnden Substratoberfläche ermöglicht.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Dichtung eine Dichtlippe auf, die vorzugsweise eine Spitze bildet. Die Dichtlippe, insbesondere mit einer Spitze, besitzt den Vorteil einer guten und definierten Dichtung und einem definierten Übergang zwischen dem Wafer und der Dichtlippe, um über die Zeit hinweg eine gleichmäßige Dichtung vorzusehen.
Vorteilhafterweise schließt die Dichtlippe mit einem inneren Umfang das Dichtungsmaterial ab, d.h. daß die Dichtlippe den innersten Bereich des Dichtungsmaterials definiert, um eine gleichmäßige Strömung eines Be- handlungsfluids entlang des Innenumfangs des Dichtungsmaterials zu gewährleisten.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Dichtlippe durch Ausfräsen des Dichtungsmaterials gebildet. Bei der Anbrin- gung eines Dichtungsmaterials an einem Innenumfang des zweiten Teils des Substrathalters, insbesondere durch Anschweißen des Materials, ist es schwierig, die erforderlichen Genauigkeiten hinsichtlich der Form und Lage der Dichtlippe vorzusehen. Aus diesem Grund ist es vorteilhaft, die Dichtlippe bzw. die gesamte Form der Dichtung erst nach der Anbringung des Dich- tungsmaterials an dem Innenumfang des zweiten Teils des Substrathalters auszufräsen, da hierdurch eine hohe Genauigkeit der Form und Anordnung der Dichtung, insbesondere der Dichtlippe, erreicht werden kann.
Vorteilhafterweise besteht das Dichtungsmaterial aus Kunststoff und ist ela- stisch. Dabei darf die Elastizität nicht zu hoch sein, damit die Dichtung einen ausreichenden Druck und eine gute Abdichtung gegen den Wafer vorsieht.
Bei einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist ein der Dichtung gegenüberliegendes elastisches Element am ersten Teil des Sub- strathalters vorgesehen, um den erforderlichen Anpreßdruck zu erzeugen, und um die geringe Elastizität des Dichtungsmaterials auszugleichen. Durch das elastische Element wird das Substrat elastisch gegen die relativ starre
Dichtung gedrückt, um zu verhindern, daß der Wafer durch die Dichtung beschädigt wird. Dabei liegt das elastische Element vorteilhafterweise der Dichtlippe gegenüber, um das Substrat genau in diesem Bereich elastisch gegen die Spitze der Dichtlippe zu drücken, um eine gute Abdichtung vorzu- sehen. Für eine einfache und kostengünstige Lösung ist das elastische Element ein O-Ring. Vorteilhafterweise wird das elastische Element in einer Nut, insbesondere einer Schwalbenschwanznut des ersten Teils des Substrathalters gehalten, um die Lage des elastischen Elements zu fixieren. Die Schwalbenschwanznut ist besonders vorteilhaft, da sie einerseits eine gute Fixierung des O-Ring bietet und andererseits eine seitliche Ausdehnung des O-Rings erlaubt.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist am zweiten Teil des Substrathalters wenigstens ein Zentrierungselement vorge- sehen. Das wenigstens eine Zentrierungselement stellt die Lage des Substrats bezüglich der Dichtung, sowie die Lage der erstens und zweiten Teile des Substrathalters zueinander sicher, um eine gleichmäßige Dichtwirkung vorzusehen. Vorteilhafterweise weist das wenigstens eine Zentrierungselement eine Schräge auf, entlang der eine gleitende Zentrierung erfolgen kann. Vorteiihafterweise definieren mehrere Zentrierungselemente einen Innenumfang, der im wesentlichen dem Außenumfang des Substrats entspricht, um eine seitliche Bewegung des Substrats während einer Behandlung zu verhindern, und um gleichzeitig die Dichtung Punktgenau ansetzen zu können. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Zen- trierungselement einstückig mit dem Dichtungsmaterial ausgebildet und aus diesem ausgefräst, wodurch eine kostengünstige Herstellung des Zentrierungselements möglich ist. Darüber hinaus ergibt sich durch das Ausfräsen des Dichtungsmaterials wieder der Vorteil, daß hohe Genauigkeiten eingehalten werden können.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist wenigstens ein Zentrierungselement im ersten Teil des Substrathalters vorgesehen, um eine Zen-
trierung der ersten und zweiten Teile des Substrathalters sicherzustellen. Dabei weist das Zentrierungselement am ersten Teil des Substrats vorzugsweise eine Schräge auf, die der Schräge des Zentrierungselements am zweiten Teil des Substrathalters gegenüberliegt und dazu komplementär ist, um auf einfache Weise eine Zentrierung der beiden Teile zu ermöglichen. Vorteilhafterweise grenzt die das elastische Element aufnehmende Nut an das Zentrierungselement an.
Um eine elektrische Kontaktierung einer Oberfläche des Substrats zu ge- währleisten, weist der Substrathalter eine Kontaktanordnung auf. Für eine
Kontaktierung der Vorderseite des Substrats, an dem die Dichtung anliegt, ist die Kontaktanordnung vorteilhafterweise am zweiten Teil des Substrathalters angeordnet. Dabei erstreckt sich die Kontaktanordnung bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung in den Bereich der Hinter- schneidung der Dichtung.
Für eine gute und sichere elektrische Kontaktierung der einen Substratoberfläche weist die Kontaktanordnung wenigstens eine Kontaktfeder auf, die in Richtung des Substrats vorgespannt ist, und somit auch bei Vibrationen oder geringen Bewegungen des Substrats eine gute Kontaktierung sicherstellt.
Vorteilhafterweise wird eine Vielzahl von Kontaktfedern durch Ausschnitte in einem ringförmigen Kontaktglied ausgebildet, um auf einfache und kostengünstige Weise über einen Außenumfang des Substrats hinweg eine gleichmäßige elektrische Kontaktierung vorzusehen.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird zwischen den ersten und zweiten Teilen des Substrathalters wenigstens eine erste Kammer gebildet, die vorteilhafterweise zur Aufnahme der Kontaktanordnung dient. Vorteilhafterweise erstreckt sich die erste Kammer um die Mittelöffnung des Substrathalters herum, sodaß sie bei einem runden Substrat ringförmig und einem eckigen Substrat eckig wäre. Bei einer Ausführungsform ist ein Innenumfang der ersten Kammer durch das elastische
Element am ersten Teil des Substrathalters, das Substrat und die Dichtung am zweiten Teil des Substrathaiters abgedichtet. Ein Außenumfang der ersten Kammer ist durch wenigstens ein Dichtelement am ersten und/oder zweiten Teil des Substrathalters abgedichtet. Dabei ist das Dichtelement für eine gute und kostengünstige Abdichtung ein O-Ring.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist wenigstens eine zweite, zwischen den ersten und zweiten Teilen des Substrathalters gebildete Kammer vorgesehen. Die zweite Kammer erstreckt sich vorteilhafterweise um die erste Kammer herum, und weist wenigstens ein Dichtelement am ersten und/oder zweiten Teil des Substrathalters zum Abdichten der zweiten Kammer auf. Vorteilhafterweise sind zwei Dichtelemente zum Abdichten der zweiten Kammer vorgesehen, die vorzugsweise O-Ringe sind.
Zum Zusammenhalten der ersten und zweiten Teile des Substrathalters ist vorzugsweise eine Vorrichtung zum Anlegen eines Vakuums an die erste und/oder zweite Kammer vorgesehen. Über ein Vakuum können die ersten und zweiten Teile auf einfache Weise aneinander gehalten werden und durch Lösen des Vakuums leicht voneinander getrennt werden, um beispielsweise einen Zugriff auf ein zwischen den beiden Teilen aufgenommenes Substrat zu erlauben.
Zur Stabilisierung der Dichtlippe kann die erste Kammer vorteilhafterweise mit einem Fluid, wie beispielsweise N2, beaufschlagt werden, um einen Gegendruck für den vom Behandlungsfluid auf die Dichtlippe wirkenden Druck zu erzeugen.
Um ein Verbiegen oder eine Verformung des Substrats während einer Sub- stratbehandlung zu verhindern, ist am ersten Teil des Substrathalters, für die nicht zu behandelnde Seite des Substrats, eine Substrat-Anlagefläche vorgesehen, die im wesentlichen der Form des Substrats angepaßt ist.
Der erste und zweite Teil des Substrathaiters weisen vorteilhafterweise jeweils einen Metallkörper auf, um die für den Substrathalter erforderliche Stei- figkeit und Festigkeit vorzusehen. Um zu verhindern, daß von dem Metall- körper stammende Verunreinigungen mit dem Substrat in Kontakt kommen bzw. um zu verhindern, daß eine das Metall angreifende Behandlungsfiüs- sigkeit mit dem Metallkörpern in Kontakt kommt, sind die Metallkörper mit Kunststoff beschichtet. Vorteilhafterweise weisen die Beschichtungen Bereiche mit unterschiedlichen Dicken auf, um das Ausformen der oben genann- ten Nuten, Kammern und ähnliches zu erlauben.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäßen
Substrathalters, der über einer Behandlungsvorrichtung angeordnet ist; Fig. 2 eine Detailansicht einer erfindungsgemäßen Dichtanordnung des Substrathalters der vorliegenden Erfindung; Fig. 3 eine vergrößerte Teilansicht eines Bereichs des Substrathalters gemäß Fig. 1 ; und Fig. 4 eine vergrößerte Teilansicht ähnlich zu der Ansicht in Fig. 3, die einen erfindungsgemäßen Substrathalters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
Fig. 1 zeigt schematisch im Querschnitt einen Substrathalter 1 , der einen Wafer 2 trägt und oberhalb einer Behandlungsvorrichtung 3 angeordnet ist. Die Behandlungsvorrichtung 3 ist eine Metaliplattierungsvorrichtung, wie beispielsweise eine Kupferplattierungsvorrichtung, die von unten ein Metall, wie beispielsweise Kupfer, enthaltendes Behandlungsfluid auf den Wafer 2 leitet. Dabei wird zwischen einer nicht dargestellten Anodenanordnung der Be-
handlungsvorrichtung 3 und einer zu der Behandlungsvorrichtung weisenden Oberseite des Substrats eine Spannung angelegt.
Um Wiederholungen zu vermeiden, wird bezüglich des weiteren Aufbaus der Metallplattierungsvorrichtung 3 auf die von der Anmelderin der vorliegenden Anmeldung angemeldete Patentanmeldung mit der Anmeldenummer und dem Titel "Vorrichtung und Vorrichtung zum Behandeln von
Substraten", die am selben Tag wie die vorliegenden Anmeldung eingereicht wurde, Bezug genommen, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden Anmeldung gemacht wird.
Der Substrathalter 1 besteht aus einem oberen Deckel 5 und einem unteren Ring 6, und das Substrat 2 ist zwischen dem Deckel 5 und dem Ringelement 6 - wie nachfolgend in größerer Einzelheit beschrieben wird - eingeklemmt.
Der Deckel 5 besitzt einen Metallkörper 8, der mit einer Kunststoffbeschich- tung 9 beschichtet ist. Die Oberseite 10 des Metallkörpers 8 ist eben ausgebildet, und eine Unterseite 11 ist derart gestuft, daß der Metallkörper 8 in einem Mittelbereich, der im wesentlichen der Form des Wafers 2 entspricht, eine größere Dicke aufweist als in einem Randbereich des Metallkörpers 8.
Die Beschichtung 9 weist auf der Oberseite und an den Seiten des Metallkörpers 8 eine im wesentlichen gleichmäßige Dicke auf. Auf der Unterseite des Metallkörpers 8 ist die Beschichtung in dem Randbereich, d. h. in dem Bereich, wo der Metallkörper 8 eine geringere Dicke besitzt, zumindest teilweise dicker ausgebildet, wie in den Figuren zu sehen ist. Alternativ könnte die Beschichtung 9 um den gesamten Metallkörper 8 herum eine gleichmäßige Dicke aufweisen, und es könnte an diese Beschichtung in dem Randbereich des Metallkörpers 8 zusätzliches Material befestigt, wie z. B. ange- schweißt sein.
Ein erster Bereich, in dem die Beschichtung 9 dicker ausgeführt ist, liegt dort, wo der Metallkörper 8 von einer ersten Dicke zu einer zweiten Dicke übergeht, wie am besten in Fig. 2 zu erkennen ist. In der Beschichtung 9 ist in diesem Bereich eine Schwalbenschwanznut 13 ausgebildet, in der ein O- Ring 15 aufgenommen ist. Die Schwalbenschwanznut 13 kann nach dem Beschichten des Metallkörpers 8 aus dem die Beschichtung 9 bildenden Material ausgefräst sein. Alternativ könnte die Schwalbenschwanznut auch während der Beschichtung des Metallkörpers 8 in dieser Form ausgebildet werden. Benachbart zu der Schwalbenschwanznut 13 bildet das Material der Beschichtung 9 einen Steg 17 mit einer Schräge 19, die schräg nach innen geneigt ist, wie in Fig. 2 zu sehen ist. Ein zweiter Bereich, in dem die Beschichtung 9 dicker ausgebildet ist, befindet sich am Rand des Deckels 5, wie am besten in Fig. 3 zu sehen ist. In diesem Bereich ist eine Schwalbenschwanznut 20 ausgebildet, in der ein O-Ring 21 angeordnet ist. Zwischen den ersten und zweiten verdickten Bereichen der Beschichtung 9 wird ein nach unten geöffneter Raum 23 gebildet, der sich um den gesamten Umfang des Deckels erstreckt.
Der untere Ring 6 des Substrathalters 1 besitzt einen ringförmigen Metallkör- per 25 mit einem im wesentlichen rechteckigen Querschnitt mit abgerundeten Kanten. Eine Innenseite 26 des Metallkörpers 25 ist etwas abgeschrägt, und zwar derart, daß sich der Innenumfang nach oben verjüngt. Im oberen Bereich der Innenseite 26 ist ein kleiner Vorsprung 27 vorgesehen, der eine abgerundete Kante des Metallkörpers 25 bildet. Der Metallkörper 25 weist in einer Oberseite Gewindebohrungen 28 zur Aufnahme von Schrauben 29 auf, um - wie nachfolgend noch beschrieben wird - eine Kontaktanordnung an dem Ring 6 zu befestigen. Im Bereich der Gewindebohrungen 28 weist der Metallkörper einen erhöhten Vorsprung 30 auf.
Der Metallkörper 25 ist fast vollständig, mit Ausnahme des Vorsprungs 30, von einer Beschichtung 32 umgeben. Die Beschichtung 32 ist aus demselben Material wie die Beschichtung 9, obwohl dies nicht zwingend ist.
Die Beschichtung 32 ist an einer äußeren oberen Kante des Rings 6 dicker ausgebildet, um eine erhöhte Auflage 34 für den Deckel 5 zu bilden. In der erhöhten Auflage 34 ist eine Ausnehmung 36 ausgebildet, in die sich der an dem Deckel 5 befindliche O-Ring 21 erstreckt, wenn der Deckel 5 und der Ring 6 in Kontakt stehen.
An einer inneren oberen Kante des Rings ist ein Dichtmaterial 38 angebracht, daß z. B. an die Beschichtung 32 angeschweißt ist. Alternativ könnte das Dichtmaterial 38 aus demselben Material wie die Beschichtung 32 bestehen und einstückig mit diesem ausgebildet sein. Das Dichtmaterial 38 erstreckt sich von dem Ring 6 radial nach innen. Eine Oberfläche 40 des Dichtmaterials 38 ist fluchtend mit einer Oberseite der Beschichtung 32 ausgebildet, wie am besten in Fig. 2 zu sehen ist. Das Dichtmaterial 38 erstreckt sich um den gesamten Innenumfang des Ringes 6 und überlappt dabei einen Randbereich des Wafers 2 in seitlicher Richtung, wie am besten in Fig. 2 zu sehen ist. In dem Dichtmaterial 38 ist eine sich senkrecht zu der Oberfläche 40 erstreckende Dichtlippe 42 ausgebildet, die in einer Spitze 43 endet. Dabei schließt die Dichtlippe mit einem Innenumfang des Dichtmaterials ab, d. h. daß die Dichtlippe 42 den Wafer 2 am weitesten überlappt. In einem Bereich, der radial außerhalb der Dichtlippe 42 liegt, ist das Dichtmaterial 38 zur Bildung der Oberfläche 40 ausgeschnitten, um zwischen ihr und dem Randbereich des Wafers 2 einen freien Raum 45 zu bilden. Die seitliche Überlappung des Dichtungsmaterials 38 mit dem Wafer 2 beträgt 3mm, d. h. daß ein Randbereich von 3mm des Wafers gegenüber einem aus der Behandlungsvorrichtung 3 auf den Wafer gerichtetes Behandlungsfluid abgedichtet ist. Dieser Abstand kann aber auch auf zwei bzw. einen Millimeter oder einen anderen Wert verändert werden, wobei gewährleistet sein muß, daß zwischen dem zu behandelnden Wafer 2 und dem Dichtungsmaterial 38 ein im wesentlichen freier Raum 45 bestehen bleibt, in dem - wie nachfolgend beschrieben wird - eine elektrische Kontaktierung einer zu behandelnden Wa- feroberseite erfolgt. Dieser sogenannte Randausschluß ist notwendig, um zu
verhindern, daß beim Plattieren der einen Waferoberseite Kupfer auf die Rückseite des Wafers 2 kommt, während gleichzeitig eine elektrische Kontaktierung der zu plattierenden Waferoberflache möglich ist. Eine elektrische Kontaktierung auf der Rückseite des Wafers ist nicht möglich, da die für die Plattierung hohe Stromdichte nicht von der Rückseite aus zu erreichen ist, ohne auf dem Wafer ausgebildete elektronische Bauelemente, wie z. B. Transistoren, zu zerstören. Dabei ist zu erwähnen, daß auf der zu plattierenden Oberseite des Wafers eine dünne Schicht eines geeigneten Metalls aufgebracht, beispielsweise aufgesputtert sein kann, um den für die Plattierung benötigten Stromfluß bzw. die hohe Stromdichte zu ermöglichen.
Die Dichtlippe liegt konzentrisch um einen Mittelpunkt des Wafers an diesem an, um einen gleichmäßigen Randausschluß zu erzeugen. Dabei liegt die Dichtlippe 42 dem am Deckel 5 angeordneten O-Ring 15 derart gegenüber, daß die O-Ringkraft genau auf die Spitze der Dichtlippe gerichtet ist, wenn der Wafer 2 zwischen dem O-Ring 15 und der Dichtlippe 42 eingeklemmt wird.
Das Dichtmaterial 38 bildet ferner eine Vielzahl von Vorsprüngen 28, die be- züglich der Dichtlippe 42 radial nach außen angeordnet sind, und die höher sind als die Dichtlippe 42. Die Vorsprünge 48 weisen in einem oberen Bereich einer zu einem Mittelpunkt der Vorrichtung weisenden Seite 49 jeweils eine Schräge 50 auf, die sich nach unten hin verjüngt. In einem unteren Bereich ist die nach innen weisende Seite 49 des Vorsprungs 48 gerade aus- gebildet. Die geraden Bereiche der Seite 49 der Vorsprünge 48 definieren einen Innenumfang, der einem Außenumfang eines Wafers 2 entspricht. Über die Schräge 50 können somit auf dem Ring abgelegte Wafer 2 bezüglich des Rings genau zentriert werden und durch die geraden Abschnitte der Seiten 49 gegenüber einem seitlichen Verrutschen gehalten werden. Die Schrägen 50 der Vorsprünge 48 sind darüber hinaus komplementär zu den Schrägen 19 des Deckels 5, um auch eine Zentrierung des Deckels 5 bezüglich des Rings 6 zu erreichen.
Am unteren Ring 6 ist über die Schrauben 29 ein Metallring 54 angeschraubt. Zwischen dem Metallring 54 und einem Kopf der Schraube 29 ist ein Verstärkungsring 55 vorgesehen. Der Metallring 54 ist direkt oder über den Me- tallkörper 45 mit einer nicht näher dargestellten Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung verbunden. Der Metallring 54 weist in einem Mittelbereich Ausschnitte zur Bildung von Federelementen 58 auf, von denen eines in Fig. 2 dargestellt ist. Wie in Fig. 2 zu sehen ist, erstreckt sich das Federelement 58 in den durch den Ausschnitt in dem Dichtmaterial 38 gebildeten Raum 45 zwischen dem Dichtmaterial 38 und dem Wafer 2. Die Federelemente 58 sind gegenüber einem Außenbereich, in dem die Befestigung an dem Metallkörper 25 erfolgt, nach oben gebogen, und zwar derart, daß sie in einem unbelasteten Zustand über die Spitze 43 der Dichtlippe 42 hinweg ragen. Wenn ein Wafer 2 von oben auf den Ring 6 abgelegt wird, kommt die Unterseite des Wafers 2 mit dem Federelement 58 in Kontakt, welches nach unten federt, und dabei eine gute Kontaktierung der Unterseite des Wafers 2 sicherstellt. Obwohl dies in den Figuren nicht dargestellt ist, kann an dem Federelement 58 in dem Bereich, in dem eine Kontaktierung des Wafers 2 erfolgt, eine runde Kontaktkuppe ausgebildet sein, um eine Beschädigung der kontaktierten Waferoberflache zu verhindern.
Wenn der Deckel 5, wie in Fig. 3 gezeigt ist, mit einem dazwischen liegenden Wafer 2 auf dem unteren Ring 6 aufliegt, wird dazwischen eine Kammer 60 gebildet, an die über eine nicht näher dargestellte Vorrichtung ein Vakuum angelegt werden kann, um den Ring 6 an dem Deckel 5 zu halten. Die Kammer 60 wird dabei am Außenumfang durch den O-Ring 21 und am Innenumfang durch die Dichtlippe 42, den O-Ring 15 sowie den dazwischen festgeklemmten Wafer 2 abgedichtet. Der Ring 6 kann aber auch auf jede andere geeignete Art und Weise an dem Deckel 5 gehalten werden.
Zum Be- und Entladen wird der Ring 6 auf einer nicht näher dargestellten Auflage abgelegt, das Vakuum in der Kammer 60 wird abgelassen und der
Deckel 5 wird bezüglich des Rings 6 angehoben. In dieser Position kann ein Wafer-Handhabungs-Roboter durch den dabei gebildeten Spalt zwischen dem Deckel 5 und dem Ring 6 von einer Seite einfahren und einen zwischen dem Deckel 5 und dem Ring 6 befindlichen Wafer 2 ergreifen, über den Vor- sprung 48 hinweg anheben und seitlich aus dem Substrathalter herausbewegen. Beim Beladen fährt der Wafer-Handhabungs-Roboter mit einem daran gehaltenen Wafer 2 von einer Seite in den zwischen dem Deckel 5 und dem Ring 6 gebildeten Spalt und legt den Wafer 2 auf dem Ring 6 ab. Sollte der Wafer 2 bezüglich des Rings 6 beim Ablegen nicht genau zentriert sein, so erfolgt eine Zentrierung über die Schrägen 50 an den Vorsprüngen 48. Der Wafer 2 kommt mit den Federelementen 58 in Kontakt. Anschließend wird der Wafer-Handhabungs-Roboter aus dem Bereich zwischen dem Deckel 5 und dem Ring 6 herausbewegt, und der Deckel 5 wird abgesenkt. Dabei wird der Deckel 5 bezüglich des Rings 6 über die Schrägen 15 und 19 zentriert. Dabei drückt der O-Ring 15 den Wafer 2 fest gegen die Spitze 43 der Dichtlippe 42, um dort eine gute Abdichtung vorzusehen. Der O-Ring 21 kommt mit der Ausnehmung 36 in Eingriff, um an dieser Stelle eine gute Abdichtung vorzusehen. Anschließend wird wiederum ein Vakuum an die Kammer 60 angelegt, so daß der Ring 6 fest an dem Deckel 5 gehalten wird und gemein- sam mit diesem über die Behandlungsvorrichtung 3 transportiert werden kann.
Fig. 4 zeigt einen alternative Ausführungsform eines Substrathalters 1.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 werden dieselben Bezugszeichen wie bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel verwendet, wo gleiche Teile verwendet werden. Der Substrathalter 1 gemäß Fig. 4 weist einen Deckel 5 und einen unteren Ring 6 auf, die jeweils einen Metallkörper
8 bzw. einen Metallkörper 25 aufweisen. Wie beim ersten Ausführungsbei- spiel sind der Metallkörper 8 und der Metallkörper 25 mit einer Beschichtung
9 bzw. 32 beschichtet.
Der Hauptunterschied zwischen dem Substrathalter gemäß den Fig. 1-3 und dem Substrathalter gemäß Fig. 4 besteht darin, daß der Deckel 5 und der Ring 6 gemäß Fig. 4 größere Außenabmessungen besitzen, und daß radial außerhalb bezüglich der Kammer 60 eine weitere Kammer 62 zwischen dem oberen Deckel 5 und dem unteren Ring 6 gebildet wird. Die Kammern werden dabei durch einen O-Ring 64 gegeneinander abgedichtet, der in einer in der Beschichtung 9 ausgebildeten Schwalbenschwanznut 66 angeordnet ist. Wenn das Oberteil 5 auf dem unteren Ring 6 aufliegt, drückt der O-Ring 64 gegen einen erhöhten Teil 68 der Beschichtung 32, um die Kammern 60 und 62 gegeneinander abzudichten. Ein Innenumfang der Kammer 60 ist in gleicher Weise wie zuvor unter Bezugnahme auf das erste Ausführungsbeispiel durch den O-Ring 15, den Wafer 2 und die Dichtlippe 42 abgedichtet.
Ein Außenumfang der Kammer 62 wird durch einen O-Ring 70 abgedichtet, der in einer Schwalbenschwanznut 72 der Beschichtung 9 angeordnet ist und im geschlossenen Zustand des Substrathalters 1 gegen einen erhöhten Teil 74 der Beschichtung 32 drückt.
Über eine nicht näher dargestellte Vorrichtung kann ein Vakuum an die Kammer 62 angelegt werden, um den unteren Ring 6 an dem oberen Deckel 5 zu befestigen.
Der Vorteil der Verwendung einer zweiten Kammer 62, an die ein Vakuum angelegt werden kann, liegt darin, daß das an die Kammer 62 angelegte Va- kuum im Gegensatz zu einem an die Kammer 60 angelegten Vakuum nicht auf die Dichtlippe 42 wirkt. Somit kann eine Beeinträchtigung der Dichtwirkung der Dichtlippe 42 an dem Wafer 2 ausgeschlossen werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist der Substrathalter nicht auf die speziell dargestellten Ausführungsformen beschränkt. So kann z. B. statt der Vorrichtung zum Anlegen eines Vakuums zum Halten des unteren Rings 6 an dem Deckel 5 eine
Magnetanordnung, insbesondere eine Elektromagnetanordnung, zum lösbaren Halten des unteren Rings 6 am oberen Deckel 5 vorgesehen sein. Es ist auch möglich, eine mechanische Haltevorrichtung, wie z. B. eine Klemmvorrichtung, vorzusehen, um den Deckel 5 und den unteren Ring 6 zusammen- zuhalten. Obwohl der Deckel 5 als oberer Deckel bezeichnet wurde und der Ring 6 als unterer Ring 6 bezeichnet wurde, kann der Substrathalter in jede Ausrichtung, z. B. vertikal oder auch in einer um 180° gedrehten Ausrichtung, verwendet werden. Der Substrathaiter ist sowohl für runde als auch eckige Substrate bzw. Substrate mit einer beliebigen Form verwendbar, wobei so- wohl die Form des unteren Rings als auch die Form des Deckels an die Form des Substrats angepaßt sind. Der untere Ring kann somit auch eine eckige Form mit einer eckigen Mittelöffnung aufweisen. In gleicher weise können auch sie zwischen dem Deckel und dem unteren Ring gebildeten Kammern unterschiedliche Formen aufweisen.
Claims
1. Substrathalter (1) zum Halten eines Substrats (2), insbesondere eines Halbleiterwafers, mit einem ersten Teil (5) und einem zweiten Teil (6), das eine der Substratform entsprechende Mittelöffnung aufweist, wobei das Substrat (2) zwischen dem ersten und zweiten Teil aufnehmbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß am Innenumfang des zweiten Teils (6) eine umlaufende Dichtung (42) vorgesehen ist, die einen sich vom Substrat weg erweiternden Innenumfang bildet und wenigstens eine Hinterschneidung aufweist.
2. Substrathaiter (1) nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtung (42) durch ein am innenumfang des zweiten Teils (6) des Substrathalters (1) angebrachtes Dichtungsmaterial (38) gebildet ist.
3. Substrathalter (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichtungsmaterial (38) einen Randbereich des Substrats (2) überlappt.
4. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtung (42) eine Dichtlippe (42) aufweist.
5. Substrathalter (1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtlippe (42) eine Spitze (43) bildet.
6. Substrathalter (1) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtlippe (42) mit einem Innenumfang des Dichtungsmaterials (38) abschließt.
7. Substrathalter (1 ) nach einem der Ansprüche 2 und 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtlippe (42) durch Ausfräsen des Dichtungsmaterials (38) gebildet ist.
8. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichtungsmaterial (38) aus Kunststoff besteht.
9. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da- durch gekennzeichnet, daß das Dichtungsmaterial (38) elastisch ist.
10. Substrathalter (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ein der Dichtung (42) gegenüberliegendes elastisches Element (15) am ersten Teil (5) des Substrathalters (1).
11. Substrathalter (1) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elastische Element (15) der Dichtlippe (42) gegenüberliegt.
12. Substrathalter (1 ) nach Anspruch 10 oder 11 , dadurch gekennzeich- net, daß das elastische Element (15) ein O-Ring (15) ist.
13. Substrathalter (1) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das elastische Element (15) in einer Nut (13) des ersten Teils (5) des Substrathalters (1) gehalten ist.
14. Substrathalter (1) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Nut (13) eine Schwalbenschwanznut ist.
15. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ge- kennzeichnet durch wenigstens ein Zentrierungselement (48) am zweiten Teil (6) des Substrathalters (1) .
16. Substrathalter (1) nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentrierungselement (48) eine Schräge (50) aufweist.
17. Substrathalter (1) nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeich- net, daß mehrere Zentrierungselemente (48) einen Innenumfang definieren, der im wesentlichen dem Außenumfang des Substrats (2) entspricht.
18. Substrathalter (1)nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch ge- kennzeichnet, daß das Zentrierungselement (48) einstückig mit dem
Dichtungsmaterial (38) ist.
19. Substrathalter (1) nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentrierungselement (48) aus dem Dichtungsmaterial (38) ausge- fräst ist.
20. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens ein Zentrierungselement (17) am ersten Teil (5) des Substrathalters (1).
21. Substrathaiter (1) nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentrierungselement (17) am ersten Teil (5) des Substrathalters (1) eine Schräge (19) aufweist.
22. Substrathalter (1) nach Anspruch 21 , dadurch gekennzeichnet, daß die Schrägen (19, 50)der Zentrierungselemente (17, 48) der ersten und zweiten Teile (5, 6) einander gegenüberliegen und zueinander komplementär sind.
23. Substrathalter (1) nach einem der Ansprüche 20 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die das elastische Element (15) aufnehmende Nut (13) an das Zentrierungselement (17) angrenzt.
24. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens eine Kontaktanordnung (54, 58) am Substrathalter (1) zum elektrischen Kontaktieren einer Oberfläche des Substrats (1).
25. Substrathalter (1) nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktanordnung (54, 58) am zweiten Teil (6) des Substrathalters (1) angeordnet ist.
26. Substrathalter (1) nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Kontaktanordnung (54, 58) wenigstens teilweise in den Bereich der Hinterschneidung der Dichtung (42) erstreckt.
27. Substrathalter (1) nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktanordnung (54, 58) wenigstens eine Kontaktfeder (58) aufweist.
28. Substrathalter (1) nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfeder (58) in Richtung des Substrats (2) vorgespannt ist.
29. Substrathalter (1) nach Anspruch 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vielzahl von Kontaktfedern (58) durch Ausschnitte in einem ringförmigen Kontaktglied (54) ausgebildet sind.
30. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens eine erste, zwischen den ersten und zweiten Teilen (5, 6) des Substrathalters (1) gebildete Kammer (60).
31. Substrathalter (1) nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß sich die erste Kammer (60) um die Mittelöffnung des zweiten Teils herum erstreckt.
32. Substrathalter (1 ) nach Anspruch 30 oder 31 , dadurch gekennzeichnet, daß ein Innenumfang der ersten Kammer (60) durch das elastische Element (15) am ersten Teil (5) des Substrathalters (1), das Substrat (2) und die Dichtung (42) am zweiten Teil (6) des Substrathalters (1) abgedichtet ist.
33. Substrathalter (1) nach einem der Ansprüche 30 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß ein Außenumfang der ersten Kammer (60) durch wenigstens ein Dichtelement (21 ; 64) am ersten und/oder zweiten Teil des Substrathalters abgedichtet ist.
34. Substrathalter (1) nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichtelement (21 ; 64) ein O-Ring ist.
35. Substrathalter (1) nach einem der Ansprüche 30 bis 34, gekennzeichnet durch wenigstens eine zweite zwischen den ersten und zweiten Teilen (5, 6) des Substrathalters (1) gebildete Kammer (62).
36. Substrathalter (1) nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß sich die zweite Kammer (62) um die erste Kammer herum erstreckt.
37. Substrathalter (1) nach Anspruch 35 oder 36, gekennzeichnet durch wenigstens ein Dichtelement (64, 70) am ersten und/oder zweiten Teil des Substrathalters zum Abdichten der zweiten Kammer (62).
38. Substrathalter (1) Anspruch 37, gekennzeichnet durch zwei Dichtelemente (64, 70) zum Abdichten der zweiten Kammer (62).
39. Substrathalter (1) nach Anspruch 37 oder 38, dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtelemente (64, 70) O-Ringe sind.
40. Substrathalter (1 ) nach einem der Ansprüche 30 bis 39, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zum Anlegen eines Vakuums an die erste und/oder zweite Kammer (60, 62).
41. Substrathalter (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Substrat-Anlagefläche (11) am ersten Teil (5) des Substrathalters (1).
42. Substrathalter (1) nach Anspruch 41 , dadurch gekennzeichnet, daß die Substrat-Anlagefläche (11) im wesentlichen der Form des Substrats (2) angepaßt ist.
43. Substrathalter (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Teil (5) des Substrathalters (1) einen Metallkörper (8) aufweist.
44. Substrathalter (1) nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallkörper (8) mit einer Beschichtung (9) beschichtet ist.
45. Substrathalter (1) nach Anspruch 44, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (9) in Teilbereichen unterschiedliche Dicken aufweist.
46. Substrathalter (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da- durch gekennzeichnet, daß der zweite Teil (6) des Substrathalters (1) einen Metallkörper (25) aufweist.
47. Substrathalter (1) nach Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallkörper (25) mit einer Beschichtung (32) beschichtet ist.
48. Substrathalter (1) nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (32) in Teilbereichen unterschiedliche Dicken aufweist.
49. Substrathaiter (1 ) nach einem der Ansprüche 44 oder 42, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (9, 32) aus Kunststoff besteht.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19859467A DE19859467C2 (de) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | Substrathalter |
DE19859467 | 1998-12-22 | ||
PCT/EP1999/009942 WO2000038222A1 (de) | 1998-12-22 | 1999-12-15 | Substrathalter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP1145292A1 true EP1145292A1 (de) | 2001-10-17 |
Family
ID=7892263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP99963537A Withdrawn EP1145292A1 (de) | 1998-12-22 | 1999-12-15 | Substrathalter |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6569302B1 (de) |
EP (1) | EP1145292A1 (de) |
JP (1) | JP2002540011A (de) |
KR (1) | KR20010086153A (de) |
DE (1) | DE19859467C2 (de) |
WO (1) | WO2000038222A1 (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10059451C1 (de) * | 2000-11-30 | 2002-08-14 | Maerzhaeuser Senso Tech Gmbh | Werkstückaufnahme für galvanische Beschichtungen |
JP3588777B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2004-11-17 | 株式会社山本鍍金試験器 | 電気めっき試験器の陰極カートリッジ |
KR100980051B1 (ko) | 2002-06-21 | 2010-09-06 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판홀더 및 도금장치 |
US9624596B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-04-18 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
US6814808B1 (en) | 2002-10-08 | 2004-11-09 | Sci-Tech Glassblowing, Inc. | Carrier for semiconductor wafers |
US20050125036A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-06-09 | Mark Roby | Heterogeneous yarns for surgical articles |
KR100600584B1 (ko) * | 2004-10-25 | 2006-07-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 공정챔버 |
CA2601380A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-27 | Array Biopharma Inc. | Macrocyclic analogs for the treatment of immunoregulatory disorders and respiratory diseases |
US20070145231A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-28 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd | Substrate buffer clamp |
US7823452B2 (en) * | 2007-09-27 | 2010-11-02 | International Business Machines Corporation | Slip ring positive Z force liquid isolation fixture permitting zero net force on workpiece |
US7905994B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
US8172992B2 (en) * | 2008-12-10 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Wafer electroplating apparatus for reducing edge defects |
US9512538B2 (en) | 2008-12-10 | 2016-12-06 | Novellus Systems, Inc. | Plating cup with contoured cup bottom |
US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
US9653339B2 (en) * | 2010-02-16 | 2017-05-16 | Deca Technologies Inc. | Integrated shielding for wafer plating |
CN106073843B (zh) | 2010-10-11 | 2019-05-17 | 库克医学技术有限责任公司 | 具有可脱离可枢转钳口的医疗设备 |
JP2011080607A (ja) * | 2011-01-26 | 2011-04-21 | Daikin Industries Ltd | 弾性シール部材 |
US9221081B1 (en) | 2011-08-01 | 2015-12-29 | Novellus Systems, Inc. | Automated cleaning of wafer plating assembly |
US9228270B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-01-05 | Novellus Systems, Inc. | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US10066311B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-09-04 | Lam Research Corporation | Multi-contact lipseals and associated electroplating methods |
US9988734B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
SG10201608038VA (en) | 2012-03-28 | 2016-11-29 | Novellus Systems Inc | Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders |
US9476139B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating |
WO2014064860A1 (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
US10416092B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-09-17 | Lam Research Corporation | Remote detection of plating on wafer holding apparatus |
US9746427B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-08-29 | Novellus Systems, Inc. | Detection of plating on wafer holding apparatus |
NL2014625B1 (en) * | 2015-04-13 | 2017-01-06 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device. |
US10053793B2 (en) | 2015-07-09 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking |
CN112864084A (zh) * | 2021-03-10 | 2021-05-28 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 晶圆夹具 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3200468B2 (ja) * | 1992-05-21 | 2001-08-20 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用めっき装置 |
US5227041A (en) * | 1992-06-12 | 1993-07-13 | Digital Equipment Corporation | Dry contact electroplating apparatus |
US5421401A (en) * | 1994-01-25 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Compound clamp ring for semiconductor wafers |
JPH07211724A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Casio Comput Co Ltd | メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板 |
JP3377849B2 (ja) * | 1994-02-02 | 2003-02-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用メッキ装置 |
US5660699A (en) * | 1995-02-20 | 1997-08-26 | Kao Corporation | Electroplating apparatus |
DE19781631T1 (de) * | 1997-01-02 | 1999-04-01 | Cvc Products Inc | Wärmeleitendes Spannfutter für Vakuumbearbeitungsvorrichtung |
JP3490238B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2004-01-26 | 三菱電機株式会社 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
US6248222B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-06-19 | Acm Research, Inc. | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces |
-
1998
- 1998-12-22 DE DE19859467A patent/DE19859467C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-15 JP JP2000590201A patent/JP2002540011A/ja active Pending
- 1999-12-15 KR KR1020017008055A patent/KR20010086153A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-12-15 EP EP99963537A patent/EP1145292A1/de not_active Withdrawn
- 1999-12-15 US US09/869,219 patent/US6569302B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-15 WO PCT/EP1999/009942 patent/WO2000038222A1/de not_active Application Discontinuation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See references of WO0038222A1 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19859467C2 (de) | 2002-11-28 |
US6569302B1 (en) | 2003-05-27 |
KR20010086153A (ko) | 2001-09-08 |
JP2002540011A (ja) | 2002-11-26 |
WO2000038222A1 (de) | 2000-06-29 |
DE19859467A1 (de) | 2000-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2000038222A1 (de) | Substrathalter | |
DE3789069T2 (de) | Verarbeitung einer Halbleiterscheibe. | |
DE69123995T2 (de) | Elektrostatischer Substrathalter | |
DE69530801T2 (de) | Montageelement und methode zum klemmen eines flachen, dünnen und leitfähigen werkstückes | |
DE102012019389B4 (de) | Haltevorrichtung für eine Ware und Behandlungsverfahren | |
DE3317967C2 (de) | Vorrichtung zum Erzielen von Wärmeübergang zwischen einem Halbleiterplättchen und einer Aufspannplatte | |
EP0611273B1 (de) | Träger für scheibenförmige Gegenstände | |
DE3889649T2 (de) | Ätzverfahren und -gerät. | |
DE69426679T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Sicherstellung der Hitzeübertragung auf BZW von einem ganzen Substrat während der Bearbeitung eines Halbleiterbauteils | |
EP1910590B1 (de) | Einrichtung zur behandlung von substraten, insbesondere zur galvanisierung von substraten | |
AT517748B1 (de) | Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat | |
DE102005021048A1 (de) | Vorrichtung zum Stabilisieren eines Werkstücks bei einer Bearbeitung | |
WO2004064122A1 (de) | Anlage zur bearbeitung eines substrats | |
DE102005032547B4 (de) | Wafer-Klemmanordnung zur Aufnahme eines Wafers während eines Abscheidungsverfahrens | |
DE3435019A1 (de) | Maskenringanordnung fuer roentgenstrahlenlithographie | |
DE10232080A1 (de) | Elektrostatischer Greifer und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19962170A1 (de) | Substrahthalter | |
DE10203146A1 (de) | Einspannfutteranordnung eines Ätzgerätes zum Verhindern von Nebenprodukten | |
DE20311625U1 (de) | Mobile transportable elektrostatische Substrathalter | |
DE10132348A1 (de) | Masken- und Substrathalteranordnung | |
DE19728962A1 (de) | Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe | |
DE10059451C1 (de) | Werkstückaufnahme für galvanische Beschichtungen | |
EP1510601B1 (de) | Scheibengalvanisiervorrichtung | |
EP1161765A1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
DE19811081C1 (de) | Haltevorrichtung für Photoblanks |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 20010602 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN WITHDRAWN |
|
18W | Application withdrawn |
Effective date: 20030930 |
|
RBV | Designated contracting states (corrected) |
Designated state(s): AT BE DE FR GB IT |