DE3317967C2 - Vorrichtung zum Erzielen von Wärmeübergang zwischen einem Halbleiterplättchen und einer Aufspannplatte - Google Patents
Vorrichtung zum Erzielen von Wärmeübergang zwischen einem Halbleiterplättchen und einer AufspannplatteInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Erzielen von
Wärmeübergang zwischen einem Halbleiterplättchen und einer
Aufspannplatte, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei der Weiterverarbeitung von Halbleiterplättchen, beispielsweise
für die Herstellung integrierter Schaltungen, kommt es manchmal
vor, daß die Halbleiterplättchen erhöhten Temperaturen ausgesetzt
werden. Diese erhöhten Temperaturen sind wünschenswert für die
Diffusion von Verunreinigungen, das Wachstum epitaxialer
Schichten, das Auftragen von Metallfilmen hoher Qualität oder das
Glühen von metallischen Halbleiterkontakten und dgl. Hierbei ist
es erwünscht, Wärmeenergie in gesteuerter und gleichmäßiger Weise
aufzubringen. Bei anderen Anwendungsfällen, beispielsweise der
Ionenimplantation und dem Ätzen, ist Wärmeenergie ein
unerwünschtes Nebenprodukt. In diesen zuletzt genannten Fällen
kann es unerwünscht sein, die Halbleiterplättchen auf erhöhten
Temperaturen zu lassen, da beispielsweise die zusätzliche
Diffusion über vorgeschriebene Grenzwerte oder das Abscheiden von
Verunreinigungen an epitaxialen Grenzflächen unerwünscht sind.
Außerdem können bei diesen erhöhten Temperaturen
Photoresistschichten beeinträchtigt werden. Diese Schwierigkeit
wird bei der Herstellung von hochintegrierten und sehr hoch
integrierten Vorrichtungen (LSI bzw. VLSI) noch verschärft, da
eine große Anzahl von Verarbeitungsschritten nacheinander
durchgeführt werden muß. Dabei ist insbesondere gegen Ende der
Verarbeitungsfolge eine große Anzahl von dotierten Bereichen,
leitfähigen Schichten oder Isolierschichten an der jeweils
vorgesehenen Stelle vorhanden, und es ist unerwünscht, diese
physikalischen Merkmale durch Wärmebehandlung zu stören. In diesen
Fällen sollten die Halbleiterplättchen auf gesteuerte,
gleichmäßige Weise gekühlt werden. Es ist also wünschenswert, die
Halbleiterplättchen auf erhöhte Temperaturen zu bringen, wenn ein
Verfahrensschritt dieses gerade erfordert, und sie im Gegensatz
abzukühlen, um zu verhindern, daß hohe Temperaturen erreicht
werden, wenn unerwünschte Wärme entsteht.
Bei früheren Lösungsansätzen zum Erzielen von Wärmeübergang von
bzw. zu einem Halbleiterplättchen sind auf Strahlung, Konvektion
und Konduktion beruhende Einrichtungen vorhanden gewesen.
Halbleiterplättchen sind durch Infrarotbestrahlung der
freiliegenden Oberseite erwärmt worden, und man hat
Halbleiterplättchen durch eigene Strahlung sich abkühlen lassen.
Halbleiterplättchen sind durch Ströme von erwärmtem Gas auf
erhöhte Temperaturen gebracht worden. Halbleiterplättchen sind
auch induktiv erwärmt worden, während sie auf Probeaufnehmern
ruhen. Auch sind Halbleiterplättchen dadurch kühl gehalten worden,
daß der Ionenstrahl mit Unterbrechungen geführt und/oder das
Halbleiterplättchen zwischenzeitlich auf eine aktiv gekühlte
Metallplatte bewegt wurde, was den Durchsatz begrenzt. Die
Metallplatte war mit Schmierfett oder Öl beschichtet, auf der das
Halbleiterplättchen ruhte, oder es wurde eine elektrostatische
Kraft angelegt, die das Halbleiterplättchen gegen eine leicht
zusammenpreßbare Oberfläche an der aktiv gekühlten Platte hielt.
Hierzu sei z. B. auf die Veröffentlichung von L. D. Bollinger "Ion
Milling for Semiconductor Production Processes", Solid State
Technology, November 1977 hingewiesen. Diese bekannten Verfahren
und Vorrichtungen haben sich beim Kühlen von Halbleiterplättchen
nicht als sehr wirksam erwiesen, wenn hohe Ionenflüsse oder hohe
Energiepegel auftreten.
Eine konvex gekrümmte Aufspannplatte, an der ein
Halbleiterplättchen festgeklemmt wird, geht aus US-A-4 282 924
hervor, die den Ausgangspunkt bei der Bildung des Oberbegriffs des
Anspruchs 1 bildet. Die Kühlleistung dieser Vorrichtung ist durch
das Ausmaß der tatsächlichen Berührung der Rückseite des
Plättchens mit der wärmeleitenden Oberfläche begrenzt, da auf
mikroskopischem Niveau nur kleine Bereiche der beiden Oberflächen
(typischerweise weniger als 5%) tatsächlich miteinander in
Berührung gelangen.
In US-A-3 566 960 wird die Schwierigkeit einer unzureichenden
Berührung zwischen Festkörperoberflächen erwähnt (siehe Spalte 3,
Zeile 2 ff.), und es wird ein zirkulierendes gasförmiges oder
flüssiges Medium zum Kühlen des Werkstücks in der Vakuumkammer
offenbart. Auf der gleichen Linie liegt die Kühlung eines
Werkstücks, vorzugsweise eines Halbleiterplättchens durch
Gaswärmeleitung in einem Vakuum, wie von M. King und P.H. Rose
beschrieben, und zwar in einem Aufsatz "Experiments on Gas Cooling
of Wafers", in: Nuclear Instruments and Methods, Bd. 189, 1981, S. 169 bis 173
sowie in US-A-4 261 762.
Bei dieser Vorrichtung wird Gas in die Mitte eines Hohlraums
hinter ein Halbleiterplättchen eingeführt. Durch das Gas wird eine
Wärmekopplung zwischen einer Stützplatte und dem
Halbleiterplättchen erreicht, wie das typischerweise bei der
Technik der Gaswärmeleitung erfolgt. In der Praxis kommt es jedoch
zu endlichen Leckverlusten aufgrund unvollkommener Dichtungen, so
daß ein Druckgefälle zwischen der Mitte des Hohlraums und dem
Umfang besteht. Da die Wärmeleitfähigkeit in einem Gas
proportional zum Druck ist, wird mehr Wärme in der Mitte
übertragen, wo höherer Druck besteht, und es ergibt sich ein
Temperaturgefälle über das Halbleiterplättchen. Bei gewissen
Verfahren, beispielsweise der Metallbeschichtung, führt dies
Temperaturgefälle zu einer ungleichmäßigen Verarbeitung, die unter
Umständen unerwünscht ist. Da außerdem das Halbleiterplättchen
nicht gegen eine Aufspannplatte gepreßt wird, kann es sich wie
eine Membran frei bewegen, sobald nennenswerter Druck in den Spalt
zwischen der Stützplatte und dem Halbleiterplättchen eingeführt
wird. Durch die Bewegung des als Membran wirkenden
Halbleiterplättchens nach außen wird der Spalt vergrößert, so daß
die Wärmeübertragung abnimmt, was jeglichen Gewinn bei der
Übertragung aufgrund erhöhten Gasdrucks wieder aufhebt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der
eingangs angegebenen Art mit verbesserter Wirkungsweise zu
schaffen.
Die gestellte Aufgabe wird durch die Kombination der Merkmale des
Anspruchs 1 gelöst und durch die weiteren Merkmale der
Unteransprüche ausgestaltet und weiterentwickelt.
Bei der Erfindung wird der Wärmeübergang von Festkörper
(Halbleiterplättchen) zu Festkörper (Aufspannplatte) mit
Gaswärmeleitung unterstützt.
Um den Anteil der Gaswärmeleitung zu optimieren, wird der Gasdruck
möglichst hoch gemacht, jedoch ohne das Halbleiterplättchen zu
verwölben. Dies gelingt durch Einspannen des Halbleiterplättchens
an einer Formplatte mit konvexer Oberfläche.
Mit der Erfindung wird also ein Wärmeübergang von bzw. zu einem
Halbleiterplättchen durch Gasunterstützung bei Festkörperberührung
erreicht. Hierzu wird das Halbleiterplättchen längs eines Umfangs
gegen die Form- oder Aufspannplatte gepreßt. Durch dieses
Anpressen wird ein ausreichend starker Anlagedruck über die
gesamte Unterseite des Halbleiterplättchens erzeugt, so daß der
Gasdruck bis zur Größe dieses Anlagedrucks auf die Unterseite des
Halbleiterplättchens aufgebracht werden kann, ohne daß sich das
Halbleiterplättchen von der Aufspannplatte abhebt. Gas unter
beträchtlichem Druck wird in die mikroskopischen Hohlräume
zwischen dem Halbleiterplättchen und der Aufspannplatte
eingeführt, während der Spalt nahezu unverändert bleibt. Da der
Spalt selbst bei hohen Gasdrücken bis zum Niveau der Vorbelastung
infolge des Aufspannens schmal bleibt, wird der Wärmewiderstand
reduziert und der Wärmeübergang gefördert.
Im Folgenden wird die Erfindung mit weiteren vorteilhaften
Einzelheiten anhand schematisch dargestellter Ausführungsbeispiele
näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 eine Darstellung aus der eingangs erwähnten US-A-4 282
924, die eine Vorrichtung für den Wärmeübergang durch
Festkörperberührung bei Halbleiterplättchen zeigt;
Fig. 2 eine Darstellung aus der eingangs erwähnten US-A-4 261
762, die eine Vorrichtung zum Abkühlen infolge
Gaswärmeleitung zeigt;
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine Vorrichtung gemäß der
Erfindung;
Fig. 4 eine Draufsicht auf die Vorrichtung gemäß Fig. 3;
Fig. 5 eine graphische Darstellung des Wärmeübergangs in
verschiedenen Gasdruckbereichen;
Fig. 6 ein Diagramm des Abhebens eines Siliziumplättchens an
dessen Mittelpunkt als Funktion des Gasdrucks;
Fig. 7 ein Diagramm des Wärmeübergangs von Stickstoffgas als
Funktion des Gasdrucks bei einem typischen
Halbleiterplättchen, das sich unter dem Einfluß des
Gasdrucks abheben kann;
Fig. 8 ein Diagramin zur Erläuterung des Wärmeübergangs bei der
erfindungsgemäßen Vorrichtung als Funktion des Gasdrucks;
Fig. 9 ein Diagramm des Gesamtwärmeübergangs bei einem
Halbleiterplättchen mit einem Beitrag durch
Festkörperkontakt und einem Beitrag durch
Gaswärmeleitung.
Die Übertragung von Wärme von einem Festkörper an einen anderen
ist eine grundlegende Erscheinung beim Wärmeübergang. Die
angewandte Terminologie hängt vom jeweiligen Gebrauch ab; aber zur
Übertragung gehört immer der Übergang in der einen oder anderen
Richtung, d. h. sowohl Erwärmen als auch Abkühlen, siehe z. B. H.
Grober et al. "Fundamentals of Heat Transfer", Teil 1 "Conduction
of Heat in Solids", 1961. Idealerweise stehen die beiden
Oberflächen der jeweiligen sich berührenden Festkörper lückenlos
in vollständigem Kontakt. In der Praxis jedoch, beispielsweise bei
einem gegen die Oberfläche einer Aufspannplatte gepreßten
Halbleiterplättchen, bestehen Unregelmäßigkeiten an den beiden
Oberflächen in mikroskopischem Ausmaß. Selbst wenn ein
Halbleiterplättchen fest gegen die Aufspannplatte gepreßt wird,
ist folglich der tatsächliche Berührungsbereich in mikroskopischem
Maßstab deutlich weniger als 10% des Gesamtoberflächenbereichs
auf dem Gebiet der Halbleiterproduktion. Das macht den
Wärmeübergang von Festkörper zu Festkörper alles andere als den
größtmöglichen, insbesondere bei Halbleiterplättchen, die
typischerweise im Vakuum weiterverarbeitet werden, wo es keine
Beiträge durch Konvektion oder Konduktion zum Wärmeübergang gibt.
Die Faktoren, die die Wirksamkeit des Wärmeübergangs von
Festkörper zu Festkörper im Vakuum bestimmen, sind von M. G.
Cooper et al. in "Thermal Contact Conductance", Int. J. Heat Mass
Transfer, Band 12, Seite 279, 1969, beschrieben.
Die Fig. 1A bis 1C zeigen eine Halbleiterkühlvorrichtung 10, die
innerhalb einer Ionenimplantationskammer angeordnet ist. In der
nicht arretierten Stellung befindet sich die Halbleiterplättchen-
Kühlvorrichtung 10 in einer Stellung, um ein Halbleiterplättchen
13 aufzunehmen, wie Fig. 1 zeigt, das durch Schwerkraft in einen
Schlitz 11 eingeführt wird. Die Vorrichtung 10 wird dann, wie
durch einen Pfeil gezeigt, um eine Lagerachse 10 in die senkrechte
Stellung nach Fig. 1B gedreht, und zwar senkrecht zur Bahn eines
Ionenstrahls. Während des Positionierungsvorganges wird das
Plättchen in seiner Stellung durch einen Klemmring gehalten und
unter Spannung gegen eine konvex gewölbte Aufspannplatte gebogen.
Nachdem die Implantation abgeschlossen ist, wird die
Halbleiterplättchen-Kühlvorrichtung, wie es der Pfeil zeigt, um
die Lagerachse 12 in die in Fig. 1C dargestellte Position gedreht,
um das Halbleiterplättchen 13 entweder durch Schwerkraft oder
durch einen Auswerferstift auszustoßen.
Als Beispiel für die Technik der Gaswärmeleitung in Anwendung bei
Halbleiterplättchen sei noch einmal auf die schon erwähnte
Veröffentlichung von M. King und P. H. Rose sowie auf US-PS 4 261
762 verwiesen. Wie Fig. 2 zeigt, wird ein Halbleiterplättchen 21
oberhalb einer Stützplatte 23 angeordnet, wobei zwischen diesen
ein Spalt besteht, in dem ein Gas durch einen Gaskanal 22 mit
Hilfe der Einrichtungen 25, 26 und 27 eingeführt wird. Wärme wird
durch das Gas zwischen dem Halbleiterplättchen 21 und der
Stützplatte 23 übertragen. Der Druck des Gases liegt
notwendigerweise unterhalb desjenigen Drucks, der das
Halbleiterplättchen 21 von der Stützplatte 23 abheben würde, was
den grundlegenden Zweck des Wärmeübergangs aufheben würde. Selbst
wenn das Halbleiterplättchen 21 fest gegen die Stützplatte 23
geklemmt wird, ist der maximal erlaubte Gasdruck derjenige Druck,
bei dem das Halbleiterplättchen 21, das einer dünnen Membrane
gleicht, sich im wesentlichen von der Stützplatte 23 weg zu
verformen beginnen würde.
Wie Fig. 6 zeigt, wird die Verformung eines 100 mm Halbleiter
plättchens bei einem Druck von 1 Torr beträchtlich. Eine sol
che Verformung wäre also nicht hinnehmbar, da der Wärmeüber
gang stark verschlechtert würde, wenn sich der Spalt zwischen
der Stützplatte und dem Halbleiterplättchen vergrößert. Das
ist erkennbar anhand der Kurve a in Fig. 7, wo der Wärmeüber
gang als Funktion des Drucks für das verformte Halbleiterplätt
chen gemäß Fig. 6 eingetragen ist. Wenn das Halbleiterplätt
chen sich in der Mitte zu verformen beginnt, wird die Wärme
leitfähigkeit für das Halbleiterplättchen rasch verschlechtert.
Das Wärmeübergangsvermögen einer reinen Gaswärmeleitungstech
nik ist also auf dasjenige beschränkt, welches bei Drücken
unterhalb ca. 2 Torr erreichbar ist.
Bei dem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
welches im Querschnitt in Fig. 3 und in Draufsicht in Fig. 4
gezeigt ist, wird Gas durch eine Leitung 44 in eine ringförmige
Vertiefung oder einen Ringkanal 37 eingeführt, der die Ober
fläche einer Formplatte 36 umschreibt. Durch den Ringkanal 37
wird Gas um den Umfang des Halbleiterplättchens herum in der
Nähe derjenigen Stelle eingeführt, an der das Halbleiterplätt
chen an der Oberseite festgeklemmt und von unten abgedichtet
(mit 45) ist. Der Kontaktdruck zwischen der Oberfläche der
Formplatte 36 und der Rückseite eines Halbleiterplättchens 41
wird durch das Aufbringen einer Spannkraft von Seiten einer
Klemmeinrichtung 42 erzeugt. Dieser Druck ist so gewählt, daß
er unterhalb desjenigen Drucks liegt, bei dem das Halbleiter
plättchen 41 brechen würde, ist jedoch stark genug, um hinter
dem Halbleiterplättchen einen bedeutenden Gasdruck aufnehmen
zu können. Wenn Gas unter Druck von einer Quelle 43 durch ein
Ventil 40 und die Leitung 44 in den Ringkanal 37 eingeführt
wird, füllt es die mikroskopischen Hohlräume in der Grenzflä
che zwischen der Unterseite des Halbleiterplättchens 41 und
der Oberseite der Formplatte 36. Wenn Gas eingeführt wird, wird
ein Teil des Drucks, der das Halbleiterplättchen in gekrümmter
Gestalt hält, nunmehr von dem Gas geliefert. Wenn der Druck
steigt, wird noch mehr der auf das Halbleiterplättchen wirken
den Kraft von dem Gas innerhalb der mikroskopischen Hohlräume
beigetragen, während ein geringerer Teil der Kraft von der
Festkörperberührung des Halbleiterplättchens mit der Ober
fläche der Formplatte beigetragen wird. Selbst bei erhöhtem
Gasdruck bleibt das Halbleiterplättchen an Ort und Stelle,
und zwar so lange, bis der Gasdruck dem Vorbelastungsdruck
gleicht. Dann ist das Halbleiterplättchen nicht mehr vollkom
men von der Formplatte abgestützt, sondern hebt sich von den
Spitzen der Festkörperoberfläche ab. Das Halbleiterplättchen
beginnt also sich wie eine Membran zu verhalten, die unter
dem aufgebrachten Gas Biegungen unterliegt. Grundsätzlich
gleicht der Gasdruck die von der Klemmeinrichtung 42 aufge
brachte Kraft aus, und das Halbleiterplättchen schwebt ober
halb der Oberfläche der Formplatte. Jede Drucksteigerung über
dieses Niveau hinaus ist vergleichbar mit dem Aufbringen gleicher
Drucksteigerungen auf ein Halbleiterplättchen, welches nicht
unter Vorbelastung steht. Wie Fig. 6 zeigt, beginnt sich also
unter dem Aufbringen von nur 1 bis 2 Torr Überdruck das Halb
leiterplättchen zu verformen, und die Wärmeleitfähigkeit wird
stark verschlechtert. Dies ist durch den Teil c in Fig. 8
kenntlich gemacht, wo die Nettowärmeübertragung bei der Vor
richtung gemäß der Erfindung rapid absinkt, wenn der Druck den
Kontaktdruck der Vorbelastung übersteigt.
Letztendlich beruht die Bestimmung des Wärmeübergangsvermö
gens einer Aufspannplatte 35 auf der Wärmekapazität des er
wärmten oder abgekühlten Fluids, welches in Rinnen 38 zirku
liert. Die Wärmemasse der Aufspannplatte 35 ist ausreichend
groß, damit die Aufspannplatte 35 als große Wärmequelle oder
-senke für das Halbleiterplättchen 41 erscheint (typischerweise
hat das Halbleiterplättchen eine Masse von ca. 4 g).
In der Vorrichtung und dem Verfahren gemäß der Erfindung sind
die Vorteile des Wärmeübergangs von Festkörper zu Festkörper
mit der Unterstützung des Wärmeübergangs durch Gaswärmeleitung
vereinigt. Die Unterstützung durch Gaswärmeleitung kann beträchtlich
sein, da sehr bedeutende Gasdrücke erzielt werden können.
Wie Fig. 8 zeigt, kann bei einem Vorbelasttungsdruck von
35 Torr der Druck hinter dem Halbleiterplättchen nahezu
35 Torr erreichen, ohne daß das Halbleiterplättchen abgeho
ben wird. Mit der Vorrichtung gemäß der Erfindung wird eine
Berührung von Festkörper zu Festkörper zwischen dem Halblei
terplättchen und einer Aufspannplatte durch Vorbelastung des
Halbleiterplättchens gegen die Aufspannplatte erreicht, um
einen großen, vorzugsweise gleichmäßigen Berührungsdruck über
das Halbleiterplättchen hinweg zu erzielen. Dieser liegt ty
pischerweise im Größenordnungsbereich von 30 bis 50 Torr,
kann aber auch niedriger oder höher sein. Die Obergrenze für
die Vorbelastung stellt derjenige Druck dar, bei dem einige
Halbleiterplättchen brechen würden. Bei äußerer visueller In
spektion wäre das Halbleiterplättchen eng an die Aufspann
platte geklemmt zu sehen. Allerdings ist in mikroskopischem
Maßstab der in Berührung stehende Bereich immer noch deutlich
weniger als 10% des gesamten zur Verfügung stehenden Oberflä
chenbereichs. Dies ist der Fall, gleichgültig ob die Aufspann
platte eine metallische oder eine federnd nachgiebige polymere
Oberfläche hat. In diese mikroskopischen Hohlräume wird Gas
unter Druck eingeführt. Der Druck kann bis zum Niveau der
Vorbelastung erhöht werden, da der Druck des Gases in den
Hohlräumen die von den Spitzen an der Oberfläche der Aufspann
platte gelieferte Abhebekraft ersetzt. Im wesentlichen wird
der Gasdruck erhöht, während der Spalt zwischen Aufspannplatte
und Halbleiterplättchen nahezu unverändert bleibt, so daß
ein bedeutender Gasdruck angewandt werden kann, ohne daß sich
das Halbleiterplättchen biegt oder abhebt.
Um den Charakter der Erfindung (Festkörper-zu-Fest
körper-Wärmeübergang im Zusammenhang mit Gaswärmeleitung) voll
ständig einschätzen zu können, ist es nützlich, den Mechanis
mus des Wärmeüberganngs durch die Gaswärmeleitung näher zu be
trachten. Wie Fig. 5 zeigt, steigt bei niedrigen Drücken die
Rate des Wärmeübergangs durch Gasübertragung linear mit dem
Druck. Hier nimmt die Dichte des Gases mit zunehmendem Druck
zu, und der mittlere freie Weg bleibt lang genug, so daß die
Gaskollisionen überwiegend entweder mit dem Halbleiterplätt
chen oder mit der Aufspannplatte erfolgen. Im wesentlichen
wandern die Gasmoleküle zwischen dem Halbleiterplättchen
und der Aufspannplatte hin und her. Diese Druckbedingung wird
als molekulare Strömung bezeichnet. Je höher der Druck in
diesem Bereich ist, umso höher ist der Wärmeübergang zwischen
dem Halbleiterplättchen und der Aufspannplatte. Bei den mei
sten für die Halbleiterproduktion interessierenden Gasen
liegt der Bereich molekularer Strömung unterhalb ca. 1 Torr.
Bei ausreichend hohen Drücken oder ausreichend großen Zwischen
räumen zwischen dem Halbleiterplättchen und der Aufspannplatte
beginnen die Gaskollisionen überwiegend unter Gasmolekülen auf
zutreten statt mit dem Halbleiterplättchen oder mit der Auf
spannplatte. Dies wird als Bereich laminarer Strömung bezeich
net. Zwischen den Bereichen der molekularen und der laminaren
Strömung gibt es einen Übergangsbereich, in dem Eigen
schaften beider Bereiche vorhanden sind. Dieser Bereich, in
dem einige laminare Strömungscharakteristiken gegeben sind,
liegt für die meisten bei der Halbleiterproduktion interessie
renden Gase oberhalb ca. 5 Torr. In diesem Bereich beginnt das
Gas sich mindestens teilweise wie ein Fluid zu verhalten, bei
dem die Wärmeleitfähigkeit vom Druck unabhängig ist. Sobald
also dieser Zustand erreicht ist, bringt eine Druckerhöhung
bei einem gegebenen Spalt keinen Vorteil mehr. Der Wärme
widerstand wird nur durch Reduzieren des Spaltes zwischen dem
Halbleiterplättchen und der Aufspannplatte reduziert. Der Über
gang von molekularer zu laminarer Strömung ist allmählich und
erfolgt bei verschiedenen Werten, je nach dem Spalt zwischen
Aufspannplatte und Halbleiterplättchen in der Anordnung.
Im laminaren Strömungsbereich ist der Widerstand gegen Wärme
leitfähigkeit druckunabhängig und spaltabhängig. Diese Ab
hängigkeit ist in Fig. 7 gezeigt. Der laminare Strömungsbe
reich oder der Übergangsbereich mit Komponenten laminarer Strö
mung erzeugt die horizontalen Kurven, wo das Wärmeübergangs
vermögen vom Druck unabhängig ist. Hier ist der Übergangsbe
reich (siehe Fig. 5) in den reinen laminaren Strömungsbereich
gefaltet. Wenn der Übergangsbereich oder der Bereich reiner
laminarer Strömung erreicht ist, wird das Wärmeübergangsver
mögen bei gegebenem Abstand zwischen dem Halbleiterplättchen
und der Aufspannplatte konstant. Dies Verhältnis ist auf dem
Gebiet des Wärmeübergangs allgemein anerkannt, siehe z. B.
H. Grober et al. "Fundamentals of Heat Transfer", Kapitel 7,
"Conduction in Rarefied Gases", S. 150 ff., 1961 und
S. Dushman "Scientific Foundations of Vacuum Technique",
2. Auflage, S. 43, 1962. Die Vorrichtung
gemäß der Erfindung arbeitet unter dieser Druckbedingung, bei
der laminare Strömung vorhanden ist. Um unter dieser Bedin
gung arbeiten zu können, wird das Halbleiterplättchen längs
seines Umfangs mit einer Umfangsklemmkraft festgespannt, wie
schematisch in Fig. 3 gezeigt. Dies Festklemmen ist ähnlich
wie mit der bekannten Klemmvorrichtung 10 gemäß Fig. 1, hat
jedoch einen zusätzlichen Zweck. Beim Stand der Technik wird
ein Halbleiterplättchen 13 durch einen Umfangsklemmring ge
gen eine konvex gekrümmte Aufspannplatte gehalten, um über die ganze
Fläche des Halbleiterplättchens eine gute Berührung
von Festkörper zu Festkörper zu erreichen. Im Fall der Erfin
dung wird die Berührung von Festkörper zu Festkörper erzielt
und zusätzlich durch die Belastung ein im Durchschnitt enger
Spalt zwischen Aufspannplatte und Halbleiterplättchen erzeugt,
so daß die optimale Unterstützung durch die Gasübertragung ge
wonnen wird. Es ist also nicht nur die Wärmeübergangskomponente
von Festkörper zu Festkörper vorhanden, sondern auch die
Komponente durch Gasunterstützung. Die Vereinigung dieser
beiden Komponenten geht aus Fig. 9 hervor, in der die Kurve a
die Übertragungskomponente aufgrund des Kontaktes zwischen Auf
spannplatte und Halbleiterplättchen wiedergibt, während die
Kurve b den Beitrag der Gaswärmeleitung und die Kurve c die
Nettoübertragung wiedergibt. Wenn der Druck bis zum Vorbela
stungsdruck angehoben wird, wird die Festkörperkontaktkomponente
verringert, bis sich das Halbleiterplättchen abhebt oder der
Kontakt mit dem Halbleiterplättchen verlorengeht. Die Gaswärme
leitungskomponente gemäß Kurve b nimmt mit steigendem Druck zu,
bis der Bereich reiner laminarer Strömung erreicht ist, und
bleibt dann im wesentlichen konstant mit dem Druck.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung hat sich erwiesen, daß
Berührungsdrücke durch Vorbelastung von 35 Torr oder mehr ohne
weiteres erreichbar sind, so daß entsprechende Gasdrücke er
zielbar sind, während der enge Spalt erhalten bleibt. Diese
Drücke sind ohne weiteres hoch genug, um so etwas wie laminare
Strömungscharakteristiken zu bieten (siehe Fig. 5). Die Be
lastung ermöglicht nicht nur ausreichend hohe Gasdrücke son
dern reduziert gleichzeitig den Abstand zwischen dem Halblei
terplättchen und der Aufspannplatte auf ein Minimum, wodurch
das Wärmeübergangsvermögen des Gases innerhalb der mikroskopi
schen Hohlräume zwischen der Aufspannplatte und dem Halblei
terplättchen erhöht wird. Insgesamt hat die Aufspannplatte
konvexe Gestalt. Vorzugsweise hat sie eine glatt feingeschlich
tete Metalloberfläche, z. B. aus weichem Aluminium. Es hat
sich gezeigt, daß eine solche feste Metalloberfläche den be
vorzugten Wärmekontakt von Festkörper zu Festkörper liefert,
d. h. besser geeignet ist als eine federnd nachgiebige polymere
Beschichtung. Die Qualität des Wärmekontaktes ist direkt
proportional zur Leitfähigkeit des Metalls, umgekehrt propor
tional zur Härte und proportional zur Häufigkeit der Spitzen,
die über die Rauheiten in der Oberfläche hinausstehen, siehe
M. G. Cooper, o. a. O. Es können biegsame, wärmeleitfähige Poly
merisate benutzt werden; aber sie sind insgesamt nicht so
hoch zu bewerten. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist die Krümmung der Aufspannplatte so gewählt, daß sich
über das Halbleiterplättchen hinweg bei seiner Vorbelastung
ein gleichförmiger Berührungsdruck ergibt.
Die Betriebsweise der Vorrichtung gemäß der Erfindung im Ge
gensatz zur reinen Gasübertragung für den Wärmeübergang gemäß
dem Stand der Technik ist aus Fig. 8 zu entnehmen. Wie Fig. 2
zeigt, hat die bekannte Kühlvorrichtung durch Gaslei
tung einen endlichen Spalt 21 zwischen einem Halbleiter
plättchen 20 und einer Stützplatte 23. Da es keine Vorspan
nung gegen eine Formplatte gibt, beginnt bei einigen Torr
das Halbleiterplättchen sich zu verformen, was den Spalt
vergrößert. Die Wärmeleitfähigkeit fällt dann früh ab, wie
Kurve b zeigt. Im Gegensatz dazu steigt die Wärmeleitfähig
keit für die erfindungsgemäße Vorrichtung noch an, wie Kurve a
zeigt, bis der Bereich laminarer Strömung erreicht ist. Wird
der Vorbelastungsdruck von 35 Torr überschritten, beginnt
sich das Halbleiterplättchen zu verformen, und auch hier
nimmt die Wärmeleitfähigkeit abrupt ab, wie die Kurve c
zeigt.
Die mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung erzielbare Leistung
zeigte sich beim Implantieren eines 3-Zoll-Siliziumhalblei
terplättchens mit Beschichtung aus Photoresistmaterial mit
einem 2 mA As + Ionenstrahl bei 180 keV. Das Siliziumhalblei
terplättchen war an die Vorrichtung gemäß der Erfindung ange
klemmt. Luft mit einem Druck von weniger als 30 Torr wurde
zwischen die Aufspannplatte und das Halbleiterplättchen ein
geführt. Es wurde ein Oberflächenbereich von 51 cm² implan
tiert. Die auftretende Energiedichte lag höher als
6 Watt/cm². Es wurde auf der ganzen Oberfläche des Halblei
terplättchens keine Verschlechterung des Photoresistmaterials
festgehalten.
Claims (8)
1. Vorrichtung zum Erzielen von Wärmeübergang zwischen einem
Halbleiterplättchen (41) und einer Aufspannplatte (35) in
einer Vakuumbearbeitungskammer mit folgenden Merkmalen:
- a) die Aufspannplatte (35) ist mit einer konvexen Oberfläche zur Aufnahme des Halbleiterplättchens (41) unter Bildung eines Festkörperkontaktes mit der Rückseite des Halbleiterplättchens versehen;
- b) eine Festspanneinrichtung (42) ist zum Festklemmen des
Halbleiterplättchens (41) an seinem Umfang gegen die
Aufspannplatte (35) vorgesehen, um einen Vorspannungs-Anlagedruck
zwischen Aufspannplatte (35) und Halbleiterplättchen (41)
zu erzeugen,
gekennzeichnet durch folgende Merkmale: - c) eine Gaszufuhreinrichtung (37, 40, 43, 44) ist zur Einführung von Gas in mikroskopische Hohlräume zwischen der Oberfläche der Aufspannplatte (35) und dem Halbleiterplättchen (41) vorgesehen, wobei der Gasdruck einerseits in einem solchen Bereich liegt, in dem die Wärmeleitfähigkeit unabhängig vom Gasdruck ist, und andererseits geringer ist als der Vor spannungs-Anlagedruck zwischen der Aufspannplatte (35) und dem Halbleiterplättchen (41), so daß der Festkörperkontakt des Halbleiterplättchens (41) an der Aufspannplatte (35) im wesentlichen aufrechterhalten bleibt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die konvexe Oberfläche der Aufspannplatte (35) eine
Kontur aufweist, die einen gleichförmigen Anlagedruck über
dem Oberflächenbereich des Halbleiterplättchens (41)
erzeugt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Festspanneinrichtung (42) auf das
Halbleiterplättchen (41) eine Vorspannungskraft aufbringt
und damit einen solchen Anlagedruck erzeugt, daß der
Gasdruck im Bereich von 0,0066 bis 0,133 bar (5 bis 100
Torr) liegen kann, ohne daß das Halbleiterplättchen
abgehoben oder verbogen wird.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gaszuführeinrichtung (37, 40, 43, 44) einen
Kanal (44) innerhalb der Aufspannplatte (35) umfaßt, der
außen mit einer Gasquelle (43) verbunden ist und in einen
offenen, ringförmigen Kanal (37) in der Oberfläche der
Aufspannplatte (35) bei einem Radius mündet, der kleiner
ist als der des eingespannten Halbleiterplättchens.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Oberfläche der Aufspannplatte (35) außerhalb
des offenen, ringförmigen Kanals (37) in eine
Dichtungseinrichtung (45) eingebettet ist, die Gas
gegenüber der Vakuumbearbeitungskammer abdichtet.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Aufspannplatte (35) in ihrem Inneren Kanäle (38) zur Zirkulation
eines Wärmeübertragungsmediums aufweist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die konvexe Oberfläche der Aufspannplatte (35)
metallisch und fein geschlichtet ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die
Oberfläche aus Aluminium besteht.
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Families Citing this family (115)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4537244A (en) * | 1982-05-25 | 1985-08-27 | Varian Associates, Inc. | Method for optimum conductive heat transfer with a thin flexible workpiece |
JPH0693446B2 (ja) * | 1983-11-09 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
JPH0614520B2 (ja) * | 1983-12-26 | 1994-02-23 | 株式会社日立製作所 | 低圧雰囲気内の処理装置 |
US4603466A (en) * | 1984-02-17 | 1986-08-05 | Gca Corporation | Wafer chuck |
JPS60187016A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Ulvac Corp | ウエハ冷却装置 |
JPH0640541B2 (ja) * | 1984-03-19 | 1994-05-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
US4535834A (en) * | 1984-05-02 | 1985-08-20 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
US4527620A (en) * | 1984-05-02 | 1985-07-09 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
US4567938A (en) * | 1984-05-02 | 1986-02-04 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
JPS62252943A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Fujitsu Ltd | 高周波プラズマエツチング装置 |
US4671204A (en) * | 1986-05-16 | 1987-06-09 | Varian Associates, Inc. | Low compliance seal for gas-enhanced wafer cooling in vacuum |
JPH01500942A (ja) * | 1986-10-08 | 1989-03-30 | バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオンビーム装置において入射角を一定にする方法および装置 |
US4778559A (en) * | 1986-10-15 | 1988-10-18 | Advantage Production Technology | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus |
US4956046A (en) * | 1986-10-15 | 1990-09-11 | Advantage Production Technology, Inc. | Semiconductor substrate treating method |
US4891335A (en) * | 1986-10-15 | 1990-01-02 | Advantage Production Technology Inc. | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus |
US5044314A (en) * | 1986-10-15 | 1991-09-03 | Advantage Production Technology, Inc. | Semiconductor wafer processing apparatus |
US5871811A (en) * | 1986-12-19 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate |
US5228501A (en) * | 1986-12-19 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler |
US5484011A (en) * | 1986-12-19 | 1996-01-16 | Applied Materials, Inc. | Method of heating and cooling a wafer during semiconductor processing |
DE3719952A1 (de) * | 1987-06-15 | 1988-12-29 | Convac Gmbh | Einrichtung zur behandlung von wafern bei der herstellung von halbleiterelementen |
US4938992A (en) * | 1988-01-07 | 1990-07-03 | Varian Associates, Inc. | Methods for thermal transfer with a semiconductor |
US4832781A (en) * | 1988-01-07 | 1989-05-23 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum |
US4997606A (en) * | 1988-01-07 | 1991-03-05 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for fabricating a high purity thermally-conductive polymer layer |
US4949783A (en) * | 1988-05-18 | 1990-08-21 | Veeco Instruments, Inc. | Substrate transport and cooling apparatus and method for same |
JPH076057B2 (ja) * | 1988-06-07 | 1995-01-25 | 株式会社村田製作所 | マスキング用ホルダー |
DE69017258T2 (de) * | 1989-05-08 | 1995-08-03 | Applied Materials Inc | Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen und Kühlen von Plättchen in einer Halbleiterplättchenbearbeitungseinrichtung. |
US5002631A (en) * | 1990-03-09 | 1991-03-26 | At&T Bell Laboratories | Plasma etching apparatus and method |
EP0452779B1 (de) | 1990-04-20 | 1996-03-27 | Applied Materials, Inc. | Klemmechanismus für physikalische Dampfniederschlagvorrichtung |
US5447570A (en) * | 1990-04-23 | 1995-09-05 | Genus, Inc. | Purge gas in wafer coating area selection |
US5673750A (en) * | 1990-05-19 | 1997-10-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing method and apparatus |
US5452177A (en) * | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
US5198753A (en) * | 1990-06-29 | 1993-03-30 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit test fixture and method |
KR0165898B1 (ko) * | 1990-07-02 | 1999-02-01 | 미다 가쓰시게 | 진공처리방법 및 장치 |
US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
US5843233A (en) * | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
US5230741A (en) * | 1990-07-16 | 1993-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based backside protection during substrate processing |
US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
US5578532A (en) * | 1990-07-16 | 1996-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Wafer surface protection in a gas deposition process |
USH1145H (en) | 1990-09-25 | 1993-03-02 | Sematech, Inc. | Rapid temperature response wafer chuck |
KR100188454B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1999-06-01 | 이노우에 아키라 | 기판 처리 장치 |
US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
US6090303A (en) * | 1991-06-27 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus |
US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US6514376B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US6036877A (en) * | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6238588B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process |
US6024826A (en) * | 1996-05-13 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
US6074512A (en) | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
US5181556A (en) * | 1991-09-20 | 1993-01-26 | Intevac, Inc. | System for substrate cooling in an evacuated environment |
JPH05166757A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の温調装置 |
JPH06158361A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
US5509464A (en) * | 1993-07-30 | 1996-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling rectangular substrates |
US5368645A (en) * | 1993-09-24 | 1994-11-29 | Specialty Coating Systems Inc. | Vacuum chuck for coating apparatus |
US5791895A (en) * | 1994-02-17 | 1998-08-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for thermal treatment of thin film wafer |
KR970005686B1 (ko) * | 1994-04-28 | 1997-04-18 | 한국베리안 주식회사 | 박막열처리 장치 |
JP4079992B2 (ja) | 1994-10-17 | 2008-04-23 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 導電性被処理体を載置部材に締め付けるための装置及び静電クランピング方法 |
US5558717A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
US5511608A (en) * | 1995-01-04 | 1996-04-30 | Boyd; Trace L. | Clampless vacuum heat transfer station |
US5605600A (en) * | 1995-03-13 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Etch profile shaping through wafer temperature control |
US5985089A (en) * | 1995-05-25 | 1999-11-16 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
AU6962196A (en) | 1995-09-01 | 1997-03-27 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
JPH0982785A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体ウェハ温度制御装置 |
US6036878A (en) * | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
US6054013A (en) * | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
JP2951903B2 (ja) * | 1997-01-09 | 1999-09-20 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
US6183523B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for thermal control of variously sized articles in vacuum |
US6132551A (en) * | 1997-09-20 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil |
US6046116A (en) | 1997-11-19 | 2000-04-04 | Tegal Corporation | Method for minimizing the critical dimension growth of a feature on a semiconductor wafer |
JP3909944B2 (ja) | 1998-01-12 | 2007-04-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 情報記録ディスク用基板の冷却機構及びこの冷却機構を備えた基板処理装置 |
US5969934A (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-19 | Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. | Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers |
US6184157B1 (en) * | 1998-06-01 | 2001-02-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Stress-loaded film and method for same |
US6110288A (en) * | 1998-12-17 | 2000-08-29 | Eaton Corporation | Temperature probe and measurement method for low pressure process |
US6589437B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Active species control with time-modulated plasma |
US6241005B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-06-05 | Veeco Instruments, Inc. | Thermal interface member |
JP4854056B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2012-01-11 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 冷却装置及びクランピング装置 |
US6839217B1 (en) | 1999-10-01 | 2005-01-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure |
US6538873B1 (en) | 1999-11-02 | 2003-03-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump |
US6362946B1 (en) | 1999-11-02 | 2002-03-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas |
WO2001040540A1 (en) | 1999-12-02 | 2001-06-07 | Tegal Corporation | Improved reactor with heated and textured electrodes and surfaces |
US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
US20010035403A1 (en) | 2000-05-18 | 2001-11-01 | Albert Wang | Method and structure for producing flat wafer chucks |
US6686598B1 (en) | 2000-09-01 | 2004-02-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer clamping apparatus and method |
US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
US6547559B1 (en) | 2002-05-20 | 2003-04-15 | Veeco Instruments, Inc. | Clamping of a semiconductor substrate for gas-assisted heat transfer in a vacuum chamber |
US20040066601A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrode configuration for retaining cooling gas on electrostatic wafer clamp |
DE10393962B4 (de) * | 2002-12-20 | 2019-03-14 | Mattson Technology Inc. | Verfahren und Vorrichtung zum Stützen eines Werkstücks und zur Wärmebehandlung des Werkstücks |
US7033443B2 (en) * | 2003-03-28 | 2006-04-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas-cooled clamp for RTP |
US7000418B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-02-21 | Intevac, Inc. | Capacitance sensing for substrate cooling |
US7296420B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-11-20 | Hitachi Global Storage Technologies Amsterdam, B.V. | Direct cooling pallet tray for temperature stability for deep ion mill etch process |
US7481312B2 (en) * | 2004-12-02 | 2009-01-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Direct cooling pallet assembly for temperature stability for deep ion mill etch process |
US7410888B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-08-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing strained silicon |
US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
US7941039B1 (en) | 2005-07-18 | 2011-05-10 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal heat transfer and temperature control |
US20070283709A1 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Veeco Instruments Inc. | Apparatus and methods for managing the temperature of a substrate in a high vacuum processing system |
JP5967859B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2016-08-10 | マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド | 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法 |
US7960297B1 (en) | 2006-12-07 | 2011-06-14 | Novellus Systems, Inc. | Load lock design for rapid wafer heating |
US8096539B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-01-17 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | O-ring free cooling pallet for hard disk drive slider carriers |
US8052419B1 (en) | 2007-11-08 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
US8092606B2 (en) * | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
KR101610269B1 (ko) * | 2008-05-16 | 2016-04-07 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 워크피스 파손 방지 방법 및 장치 |
US8033771B1 (en) | 2008-12-11 | 2011-10-11 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
US8225527B2 (en) | 2010-07-08 | 2012-07-24 | Aventa Technologies Llc | Cooling apparatus for a web deposition system |
US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
WO2013103594A1 (en) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Novellus Systems, Inc. | Adaptive heat transfer methods and systems for uniform heat transfer |
JP6308877B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3190262A (en) * | 1961-10-20 | 1965-06-22 | Alloyd Corp | Vapor deposition |
US4282924A (en) * | 1979-03-16 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface |
US4261762A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-14 | Eaton Corporation | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum |
GB2106325A (en) * | 1981-09-14 | 1983-04-07 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck |
-
1982
- 1982-05-25 US US06/381,669 patent/US4457359A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-03-14 GB GB08306938A patent/GB2121603B/en not_active Expired
- 1983-04-28 JP JP58074207A patent/JPS58213434A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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GB2121603A (en) | 1983-12-21 |
NL8301847A (nl) | 1983-12-16 |
GB2121603B (en) | 1986-03-05 |
NL194455B (nl) | 2001-12-03 |
JPS58213434A (ja) | 1983-12-12 |
GB8306938D0 (en) | 1983-04-20 |
NL194455C (nl) | 2002-04-04 |
US4457359A (en) | 1984-07-03 |
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