EP0108375A2 - Verfahren zur Kontrolle von elektronenstrahlgravierten Druckformoberflächen - Google Patents

Verfahren zur Kontrolle von elektronenstrahlgravierten Druckformoberflächen Download PDF

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EP0108375A2 EP83110891A EP83110891A EP0108375A2 EP 0108375 A2 EP0108375 A2 EP 0108375A2 EP 83110891 A EP83110891 A EP 83110891A EP 83110891 A EP83110891 A EP 83110891A EP 0108375 A2 EP0108375 A2 EP 0108375A2
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electron
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00—Forme preparation
    • B41C1/02—Engraving; Heads therefor
    • B41C1/04—Engraving; Heads therefor using heads controlled by an electric information signal
    • B41C1/05—Heat-generating engraving heads, e.g. laser beam, electron beam

Definitions

  • the present invention relates to a method for checking printing plate surfaces engraved by means of electron beams according to the preamble of the patent claim.
  • DE-PS 1299 498 a separate control beam path is provided which is directed towards a radiation receiver 19.
  • a photoelectric converter is provided as the radiation receiver, which is followed by a display device, from the deflection of which a conclusion can be drawn directly about the state of focus of the electron beam. This signal can then be used to control the intensity of the machining beam.
  • the beam is reduced according to the invention to about 1 / um diameter compared to the operating mode engraving.
  • the beam undergoes an x and y deflection in order to scan the cell area to be displayed.
  • the secondary electrons generated in this way are detected and used as a video signal to control a monitor.
  • a great advantage of the present invention lies in the fact that no special optical control device or a separate electron beam microscope has to be provided, but that the electron beam gun, which is designed for material processing, enables the electron beam microscope operation during engraving pauses in a simple manner due to the present invention becomes.
  • Electron beam microscopes are known per se, but electron beam microscopes in turn cannot be used or modified for material processing. With regard to the known electron beam microscopes, reference is made to the book by L. Reimer and G. Pfefferkorn, scanning electron microscopy, Springer Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1977, Chapter 1 Introduction, pages 1, 2 and 3, in which, in FIG associated description of the circuitry for the detection of the secondary electrons and the connection of the monitor is given.
  • Figure 1 shows a pressure cylinder (1) with engraved cups (2), which have been produced by an electron beam (3).
  • Such printing cylinders are used as printing forms in gravure printing, the cups, which have different volumes depending on the tonal value to be printed, are filled with printing ink during the printing process and the printing ink is transferred to the printing substrate during printing.
  • FIG. 1 shows in detail the electron optics and the beam path of an electron beam generator, by means of which the invention can be carried out.
  • the electron beam (3) goes from a heated cathode (4) which is located in a heating circuit (41) which has a voltage source V k (e.g. 6 volts).
  • V k e.g. 6 volts
  • the beam passes through the Wehnelt cylinder (5) and the anode (6) and comes to a first lens system (7), which is shown in more detail in FIG. 2.
  • the Wehnelt cylinder (5) is in the circuit (51) with the voltage source V (e.g. 100 volts) and the anode (6) in a circuit (61) with a voltage source V for the anode voltage (5 to -50 KV ).
  • an aperture diaphragm (8) is provided and the beam transmitted by the diaphragm passes through a deflection unit (9) and a second lens system (10) before it hits the engraving cylinder (1).
  • the deflection unit (9) serves to move the deflection beam in a row over the wells (2) to be scanned. This scanning movement is carried out simultaneously by the electron beam (11) of a picture tube (12) by means of a second deflection unit (13).
  • the corresponding deflection currents are generated in a raster generator (14), and the two deflection units (9) and (13) are connected to one another via a unit (15) for varying the magnification.
  • FIG. 2 shows the electron beam generating system and the beam path for the various operating modes, engraving and microscope operation in more detailed form, the actual electron beam generating system comprising the cathode, Wehnelt and anode and the deflection coils being omitted for the sake of clarity.
  • the first lens system (7) which brings about a first downsizing, in practice consists of two lenses (71) and (72), and a further lens (73) is provided within the lens (71) for the engraving mode.
  • three operating cases are explained on the basis of the drawn beam paths (30), (31) and (32), namely beam path (30), engraving of a large cell, beam path (31), engraving of a small cell and beam path (32), microscope operation.
  • the lens system (71), (72) and (73) forms an approximately explained stage a variable V, wherein the radiation source schematically represented is reduced at maximum tension of the lens 12 times and not tense lens (73) 3 times.
  • the aperture diaphragm 8 is dimensioned such that there is an angle ⁇ 0 of 0.08 rd, which results in an opening error disc of 25 ⁇ m diameter.
  • the lens (10) makes a 4-fold reduction, and that Lens (101) is used to focus and defocus the beam, thereby producing cells.
  • a processing effect occurs when the beam is focused, but not when the beam is defocused.
  • the beam path (31) is used to produce small cells.
  • the beam has a diameter of about 20 / um at the point of impact and the current in the spot is 3 mA.
  • the tonal value-dependent variation of the cell size is carried out by varying the tension of the dynamic lens (73).
  • the deflection system (9) shown in FIG. 1 generates a beam entrainment for cylinder rotation so that the beam always hits the same point when the cylinder is rotating.
  • an acceleration voltage of 50 KV is used, and the beam emerging from the cathode has a current of approximately 50 mA.
  • the dynamic lens (73) is switched off.
  • the static lens (71) is more excited and the reduction in the radiation source is approximately 250 W.
  • the lens (10) remains almost unchanged and the dynamic focus lens (101) is switched off.
  • the probe diameter on the cylinder surface is 1 to 1.5 ⁇ m.
  • the deflection system (9) shown in FIG. 1 is used to generate the scanning grid in accordance with the line and image frequency of the picture tube (12).
  • the scanned field is approximately 1 mm2.
  • a secondary electron detector (16) is provided for microscope operation, which is also pivoted in like the aperture (8 ') during microscope operation.
  • the image of the well on the picture tube appears as if the wells were illuminated from the side, since the detector (16) is directed from one side towards the wells of the printing form surface and the electrons, which are on the inside of the detector opposite the Cups are reflected, give a better yield on the detector (16).

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Abstract

Die Erfindung besteht darin, daß ein für die Gravur von Druckformzylinderoberflächen ausgebildeter Elektronenstrahlerzeuger in den Gravurpausen auf Mikroskopbetrieb umgeschaltet wird, um sofort und ohne zusätzliche Hilfsmittel die gravierten Näpfchen sichtbar zu machen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontrolle von mittels elektronenstrahlgravierten Druckformoberflächen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
  • Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von Druckformen mittels Elektronenstrahl bekannt, bei denen das Material der Druckformoberfläche mittels des Elektronenstrahls entfernt wird, siehe beispielsweise DDR-Patentschrift Nr. 55 965, in der das Prinzip der Elektronenstrahlgravur beschrieben ist. Es ist aber wünschenswert, das Resultat der Gravur, d. h., die in die Druckformoberfläche eingravierten Näpfchen zu kontrollieren, d. h. sichtbar zu machen. Bei Geräten zur Materialbearbeitung, z. B. DE-PS 10 99 659, ist zu diesem Zweck ein Stereomikroskop in dem elektronischen Strahlerzeuger eingebaut.
  • Bei der DE-PS 1299 498 ist ein separater Kontrollstrahlengang vorgesehen, der auf einen Strahlungsempfänger 19 gerichtet ist. Als Strahlungsempfänger ist ein fotoelektrischer Wandler vorgesehen, dem ein Anzeigegerät nachgeschaltet ist, aus dessen Ausschlag direkt auf den Fokussierungszustand des Elektronenstrahls geschlossen werden kann. Dieses Signal kann dann zur Intensitätssteuerung des Bearbeitungsstrahls verwendet werden.
  • Diese Einrichtungen sind zur direkten optischen Kontrolle des gravierten Näpfchens ungeeignet, weshalb der Erfindung die Aufgabe zugrundeliegt, ein Verfahren zum Herstellen von Druckformen anzugeben, bei dem eine einfachere und sichere Kontrolle der erzeugten Näpfchen möglich ist.
  • Die Erfindung erreicht dies durch die im Patentanspruch angegebenen Merkmale und wird wie folgt näher erläutert.
  • Um den Elektronenstrahlerzeuger zur Materialbearbeitung auf Elektronenstrahlmikroskop-Betrieb umzuschalten, wird erfindungsgemäß der Strahl auf ca. 1 /um Durchmesser gegenüber der Betriebsartgravur verkleinert. Außerdem erfährt der Strahl eine x- und y-Ablenkung, um den darzustellenden Näpfchenbereich abzutasten. Die dabei erzeugten Sekundärelektronen werden detektiert, und als Videosignal zur Ansteuerung eines Monitors verwendet.
  • Ein großer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt darin, daß keine besondere optische Kontrolleinrichtung oder ein separates Elektronenstrahlmikroskop vorgesehen werden muß, sondern daß mit der Elektronenstrahlkanone, die für die Materialbearbeitung ausgelegt ist, aufgrund der vorliegenden Erfindung auf einfache Weise ein Elektronenstrahlmikroskop-Betrieb während der Gravurpausen ermöglicht wird. Elektronenstrahlmikroskope sind zwar an sich bekannt, aber Elektronenstrahlmikroskope wiederum können nicht zur Materialbearbeitung verwendet oder umgebaut werden. Bezüglich der bekannten Elektronenstrahlmikroskope wird auf das Buch von L. Reimer und G. Pfefferkorn, Raster-Elektronenmikroskopie, Springer Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1977, Kapitel 1 Einführung, Seiten 1, 2 und 3 verwiesen, in dem in der Figur 1.1 mit dazugehöriger Beschreibung der schaltungstechnische Aufbau für die Detektion der Sekundärelektronen sowie des Anschlusses des Monitors angegeben ist.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird von einem Elektronenstrahlerzeugungssystem ausgegangen, daß speziell für die Materialbearbeitung und Druckformherstellung entwickelt worden ist. Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren 1 und 2 näher erläutert. Es zeigen:
    • Figur 1 den Aufbau einer Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens und
    • Figur 2 den Aufbau des Elektronenstrahlerzeugungssystems für Gravur- und Mikroskopbetrieb.
  • Figur 1 zeigt einen Druckzylinder (1) mit eingravierten Näpfchen (2), welche von einem Elektronenstrahl (3) hergestellt worden sind. Solche Druckzylinder werden als Druckformen im Tiefdruck verwendet, wobei beim Druckprozeß die Näpfchen, die je nach zu druckendem Tonwert unterschiedliches Volumen haben, mit Druckfarbe gefüllt und die Druckfarbe beim Drucken auf den Bedruckstoff übertragen wird.
  • In Figur 1 sind im einzelnen die Elektronenoptik und der Strahlengang eines Elektronenstrahlerzeugers dargestellt, mittels dessen die Erfindung durchgeführt werden kann. Der Elektronenstrahl (3) geht von einer beheizten Kathode (4), welche in einem Heizstromkreis (41) liegt, der eine Spannungsquelle Vk (z. B. 6 Volt) aufweist. Der Strahl durchläuft den Wehnelt-Zylinder (5) und die Anode (6) und kommt zu einem ersten Linsensystem (7), das in Figur 2 näher dargestellt ist. Der Wehnelt-Zylinder (5) liegt im Stromkreis (51) mit der Spannungsquelle V (z. B. 100 Volt) und die Anode (6) in einem Stromkreis (61) mit einer Spannungsquelle V für die Anodenspannung (5 bis -50 KV).
  • Weiterhin ist eine Aperturblende (8) vorgesehen und der von der Blende durchgelassene Strahl durchläuft eine Ablenkeinheit (9) und ein zweites Linsensystem (10), bevor er auf den Gravurzylinder (1) auftrifft. Die Ablenkeinheit (9) dient dazu, den Ablenkstrahl zeilenförmig über die abzutastenden Näpfchen (2) zu bewegen. Diese Abtastbewegung wird gleichzeitig vom Elektronenstrahl (11) einer Bildröhre (12) mittels einer zweiten Ablenkeinheit (13) durchgeführt. Die Erzeugung der entsprechenden Ablenkströme erfolgt in einem Rastergenerator (14), und die beiden Ablenkeinheiten (9) und (13) sind über eine Einheit (15) zur Variation der Vergrößerung miteinander verbunden. Im Vakuum befindet sich seitlich der gravierten Näpfchen eine Sonde (16), welche die von der Druckformoberfläche ausgehenden Sekundärelektronen und reflektierten Elektronen auffängt und an einen Videoverstärker (17) weitergibt, von dem aus die Helligkeitssteuerung der Bildröhre (12) erfolgt. Das Abtastraster ist auf dem Bildschirm der Bildröhre (12) dargestellt.
  • Figur 2 zeigt in detaillierterer Form das Elektronenstrahlerzeugungssystem und den Strahlengang für die verschiedenen Betriebsarten, Gravur- und Mikroskopbetrieb, wobei das eigentliche Elektronenstrahlerzeugungssystem aus Kathode, Wehnelt und Anode sowie die Ablenkspulen der Übersichtlichkeit halber weggelassen wurden. Das erste Linsensystem (7), das eine erste Verkleinerung herbeiführt, besteht in der Praxis aus zwei Linsen (71) und (72), und für die Betriebsart Gravur ist eine weitere Linse (73) innerhalb der Linse (71) vorgesehen. Im folgenden werden anhand der eingezeichneten Strahlengänge (30), (31) und (32) drei Betriebsfälle erläutert nämlich, Strahlengang (30), Gravur eines großen Näpfchens, Strahlengang (31), Gravur eines kleinen Näpfchens und Strahlengang (32), Mikroskopbetrieb.
    • l. Gravurbetrieb
  • Das Linsensystem (71), (72) und (73) bildet eine variable Verkleinerungsstufe, wobei die schematisch dargestellte Strahlungsquelle bei maximaler Anspannung der Linse 12mal und bei nicht angespannter Linse (73) 3mal verkleinert wird. Die Aperturblende 8 wird so dimensioniert, daß ein Winkel α0 von 0,08 rd gegeben ist, wodurch sich ein Öffnungsfehlerscheibchen von 25 /um Durchmesser ergibt. Die Linse (10) macht eine 4fache Verkleinerung, und die Linse (101) dient zur Fokussierung und Defokussierung des Strahls, wodurch Näpfchen erzeugt werden.
  • Bei fokussiertem Strahl tritt ein Bearbeitungseffekt auf, bei defokussiertem Strahl nicht. Wie bereits erwähnt, wird zur Gravur großer Näpfchen der Strahlengang (30) eingestellt, wobei der Strahl am Auftreffpunkt einen Durchmesser von etwa 100 /um hat und einen Strahlstrom im Bearbeitungsfleck von 50 mA aufweist.
  • Der Strahlengang (31) dient zur Herstellung kleiner Näpfchen. Der Strahl hat am Auftreffpunkt einen Durchmesser von etwa 20 /um, und der Strom im Fleck beträgt 3 mA. Durch unterschiedliche Anspannung der dynamischen Linse (73) wird die tonwertabhängige Variation der Näpfchengröße vorgenommen.
  • Bei der Betriebsart Gravur erzeugt das in Figur 1 dargestellte Ablenksystem (9) eine Strahlmitführung zur Zylinderrotation, damit der Strahl bei rotierendem Zylinder immer auf die gleiche Stelle trifft.
  • Beim Gravurbetrieb und auch beim Mikroskopbetrieb wird mit einer Beschleunigungsspannung von 50 KV gearbeitet, und der aus der Kathode austretende Strahl hat eine Stromstärke von ca. 50 mA.
    • 2. Mikroskopbetrieb
  • Die dynamische Linse (73) ist abgeschaltet. Die statische Linse (71) ist stärker erregt, und die Verkleinerung der Strahlungsquelle beträgt ca. 250 W.
  • Es wird mit einer kleineren Aperturblende (81), die in der Figur gestrichelt gezeichnet ist, gearbeitet, welche zu diesem Zweck in den Strahlengang geschwenkt wird. Die Apertur dieser Blende beträgt α1 = 0,025 rd. Dies ergibt ein Öffnungsfehlerscheibchen von ca. 1 /um.
  • Die Linse (10) bleibt nahezu unverändert, und die dynamische Fokuslinse (101) ist abgeschaltet.
  • Durch diese Modifikation ergibt sich der Strahlengang (32), wobei die Linse (10) lediglich zur Scharfstellung dient. Der Sondendurchmesser auf der Zylinderoberfläche beträgt 1 bis 1,5 µm.
  • Das in Figur 1 gezeigte Ablenksystem (9) dient zur Erzeugung des Abtastrasters entsprechend der Zeilen-und Bildfrequenz der Bildröhre (12). Das abgetastete Feld beträgt etwa 1 mm2. Wie in Figur 1 beschrieben, ist für den Mikroskopbetrieb ein Sekundärelektronendetektor (16) vorgesehen, der beim Mikroskopbetrieb ebenfalls wie die Blende (8') eingeschwenkt wird. Die Abbildung des Näpfchens auf der Bildröhre erscheint so, als ob die Näpfchen von der Seite beleuchtet worden seien, da der Detektor (16) von einer Seite her auf die Näpfchen der Druckformoberfläche gerichtet ist und die Elektronen, die auf der im Detektor gegenüberliegenden Innenseite der Näpfchen reflektiert werden, am Detektor (16) eine bessere Ausbeute ergeben.
  • Bei der Durchführung des Verfahrens kann mit stillstehenden Druckformzylindern gearbeitet werden, wobei die gesamte x- und y-Ablenkung für den Scan-Vorgang durch die Ablenksysteme des Elektronenstrahlerzeugungssystems erzeugt werden. Es liegt auch im Rahmen der Erfindung, daß die Abtastung der zu untersuchenden Näpfchen bei rotierendem Druckzylinder erfolgt. Hierbei wird ebenfalls der Elektronenstrahl feinfokussiert, und die sich durch die Drehung des Druckformzylinders und den Vorschub ergebenden einzelnen Bildlinien werden zwischengespeichert und ebenfalls zur Ansteuerung des Monitors benutzt. Solche Zwischenspeicher sind als Bildwiederholspeicher oder sogenannte Refresh-Memories bekannt.

Claims (1)

  1. Verfahren zur Kontrolle von mittels elektronenstrahlgravierten Druckformoberflächen, bei dem der Elektronenstrahl näpfchenförmige Vertiefungen aus der Durckformoberfläche graviert, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kontrolle der Form der Näpfchen der Elektronenstrahlerzeuger als Rasterelektronenmikroskop betrieben wird, in dem der Elektronenstrahl bezüglich seiner Intensität und seiner Ablenkparameter auf Mikroskopbetrieb umgeschaltet und der abzubildende Näpfchenbereich gescannt wird, und daß das Videosignal zur Ansteuerung eines Monitors aus den durch den Strahl erzeugten Sekundärelektronen gewonnen wird.
EP83110891A 1982-11-04 1983-11-02 Verfahren zur Kontrolle von elektronenstrahlgravierten Druckformoberflächen Expired - Lifetime EP0108375B1 (de)

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DE (2) DE3240653A1 (de)
SU (1) SU1240347A3 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987001865A1 (en) * 1985-09-11 1987-03-26 Gerhard Stengl Ion beam apparatus and method of modifying substrates
US4958074A (en) * 1987-07-13 1990-09-18 Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft Apparatus and method for inspecting a mask

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4031547A1 (de) * 1990-10-05 1992-04-09 Hell Rudolf Dr Ing Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung von texturwalzen
US5515182A (en) * 1992-08-31 1996-05-07 Howtek, Inc. Rotary scanner
DE19840926B4 (de) * 1998-09-08 2013-07-11 Hell Gravure Systems Gmbh & Co. Kg Anordnung zur Materialbearbeitung mittels Laserstrahlen und deren Verwendung
JP4178741B2 (ja) 2000-11-02 2008-11-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置および試料作製装置
DE102006032303B4 (de) * 2006-07-11 2010-08-19 Ellcie Maintenance Gmbh Oberflächenbearbeitungsvorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2354323A1 (de) * 1972-10-30 1974-05-09 Crosfield Electronics Ltd Verfahren zur herstellung einer gravierten druckflaeche und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US3881108A (en) * 1972-10-30 1975-04-29 Hitachi Ltd Ion microprobe analyzer

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE55965C (de) * AKTIENGESELLSCHAFT „FABRIK LEIPZIGER MUSIKWERKE", VORM. PAUL EHRLICH & Co. in Gohlis bei Leipzig Antriebvorrichtung für mechanische Musikwerke
DE1119428B (de) * 1958-08-30 1961-12-14 Zeiss Carl Fa Einrichtung zur Objektbeobachtung in Geraeten zur Materialbearbeitung mittels Ladungstraegerstrahl
NL268860A (de) * 1959-04-17
DE1299498B (de) * 1964-07-24 1969-07-17 Steigerwald Strahltech Vorrichtung zur UEberwachung des Strahlauftreffbereichs in Korpuskularstrahl-Bearbeitungsgeraeten
US3404254A (en) * 1965-02-26 1968-10-01 Minnesota Mining & Mfg Method and apparatus for engraving a generally cross-sectionally circular shaped body by a corpuscular beam
US4041311A (en) * 1976-07-12 1977-08-09 Iowa State University Research Foundation, Inc. Scanning electron microscope with color image display
JPS57132657A (en) * 1981-02-06 1982-08-17 Akashi Seisakusho Co Ltd Inclined moving body tube type scanning electron microscope and its similar apparatus
JPS57135172A (en) * 1981-02-13 1982-08-20 Hell Rudolf Dr Ing Gmbh Electron beam-working method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2354323A1 (de) * 1972-10-30 1974-05-09 Crosfield Electronics Ltd Verfahren zur herstellung einer gravierten druckflaeche und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US3881108A (en) * 1972-10-30 1975-04-29 Hitachi Ltd Ion microprobe analyzer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS, Band 34, Nr. 5, 1. M{rz 1979, Seiten 310-312, American Institute of Physics, New York, US; R.L. SELIGER et al.: "A high-intensity scanning ion probe with submicrometer spot size" *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987001865A1 (en) * 1985-09-11 1987-03-26 Gerhard Stengl Ion beam apparatus and method of modifying substrates
EP0216750A1 (de) * 1985-09-11 1987-04-01 IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. Ionenstrahlgerät und Verfahren zur Ausführung von Änderungen, insbesondere Reparaturen an Substraten unter Verwendung eines Ionenstrahlgerätes
US4958074A (en) * 1987-07-13 1990-09-18 Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft Apparatus and method for inspecting a mask

Also Published As

Publication number Publication date
DE3381109D1 (de) 1990-02-22
SU1240347A3 (ru) 1986-06-23
DE3240653A1 (de) 1984-05-10
EP0108375A3 (en) 1987-04-01
JPS5998848A (ja) 1984-06-07
JPH088102Y2 (ja) 1996-03-06
ATE49534T1 (de) 1990-02-15
US4549067A (en) 1985-10-22
JPH067933U (ja) 1994-02-01
EP0108375B1 (de) 1990-01-17

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