DK176877B1 - Induktionsvarmespole og fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale. - Google Patents

Induktionsvarmespole og fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale. Download PDF

Info

Publication number
DK176877B1
DK176877B1 DKPA200900325A DKPA200900325A DK176877B1 DK 176877 B1 DK176877 B1 DK 176877B1 DK PA200900325 A DKPA200900325 A DK PA200900325A DK PA200900325 A DKPA200900325 A DK PA200900325A DK 176877 B1 DK176877 B1 DK 176877B1
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
coil
induction heating
segments
semiconductor material
heating coil
Prior art date
Application number
DKPA200900325A
Other languages
English (en)
Inventor
Ludwig Altmannshofer
Wilfried Von Ammon
Joerg Fischer
Dr Helge Riemann
Original Assignee
Siltronic Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic Ag filed Critical Siltronic Ag
Publication of DK200900325A publication Critical patent/DK200900325A/da
Application granted granted Critical
Publication of DK176877B1 publication Critical patent/DK176877B1/da

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/10Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/001Continuous growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/36Coil arrangements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

DK 176877 B1
Opfindelsen angår en induktionsvarmespole og en fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale på en tallerken med udløbsrør. Ifølge tysk offentliggørelsesskrift nr. 102 04 178 A1 er denne type induktionsvarmespole nødvendig for at kunne fremstille en énkrystal af halvledermateriale med granulat som 5 råstof.
Figur 4 viser en kendt induktionsvarmespole i en indretning under fremstillingen af en énkrystal. Granulatet, som er smeltet ved hjælp af induktionsvarmespolen, flyder gennem en åbning i midten af tallerkenen ned i en smeltemasse under dannelse af en 10 tragtformet film af halvledermateriale. Smeltemassen danner et reservoir, som, styret af en trækspole, krystalliserer på en énkrystal samtidig med en forøgelse af dennes rumfang. For at opnå et fejlfrit forløb af krystalvæksten er det blandt andet vigtigt, at filmen og den tilgrænsende smeltemasse forbliver flydende. For at undgå en ukontrolleret frysning af filmen og smeltemassen er der tilvejebragt opvarmning ved en 15 strålevarmer. En sådan strålevarmer er dog dyr og kun lidt effektiv, fordi den største del af strålingen, som rammer filmen, reflekteres og dermed bliver virkningsløs.
Derudover kan filmen og smeltemassen ikke opvarmes ensartet, fordi strålingens forskellige indfaldsvinkler varierer tydeligt.
20 Den foreliggende opfindelses opgave er på en nemmere og mere effektiv måde at opnå en regelmæssig opvarmning af filmen og den tilgrænsende smeltemasse.
Opfindelsen angår en induktionsvarmespole til smeltning af granulat af halvledermateriale på en tallerken med et udløbsrør, omfattende en med 25 strømførespalte forsynet spole med en overside og en underside og med en gennemstrømningsåbning til granulat i et område liggende uden for spolens midtpunkt og strømførende segmenter, som fremstår i midtpunktet af spolens underside og som via et forbindelsesstykke er elektrisk ledende forbundet med en nedre ende.
30 Opfindelsen angår også en fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale på en tallerken med et udløbsrør ved hjælp af en induktionsvarmespole, omfattende dannelsen af en film af smeltet halvledermateriale, som fugter udløbsrøret, og en smeltemasse af halvledermateriale med en fri overflade, som er omgivet af filmen, som er ejendommelig ved, at filmen og smeltemassen 35 opvarmes på den frie overflade ved hjælp af strømførende segmenter, som fremstår i DK 176877 B1 2 midtpunktet af induktionsvarmespolens underside og som er elektrisk ledende forbundet med en nedre ende via et forbindelsesstykke.
Induktionsvarmespolen, som anvendes til smeltning af granulatet, anvendes ifølge 5 opfindelsen også til induktivt at opvarme og holde filmen og den tilgrænsende smeltemasses øvre område flydende. Dermed opnås formålet, at tilvejebringe en kontinuerlig og styrbar strømning af smeltemasse fra tallerkenen indtil énkrystallen. Til dette formål fremviser spolen strømførende segmenter, som fremstår i midtpunktet af spolens underside, og som rager ind i kanalen, som filmen af halvledermateriale 10 begrænser i siden og smeltemassen begrænser forneden. Segmenterne er fortrinsvis udformet således, at en induktiv opvarmning af filmen og smeltemassen i området af den af filmen omgivne frie overflade af smeltemassen er særlig effektiv. Særlig foretrukket er en form af segmenterne, der gør, at kanalens rumfang fyldes næsten fuldstændigt af segmenterne. Segmenterne er derfor eksempelvis udformet som to 15 segmenter, der danner en keglestub, og som via et forbindelsesstykke på deres nedre ende er elektrisk ledende forbundet med hinanden.
Disse og yderligere kendetegn ved opfindelsen beskrives i det følgende mere udførligt ved hjælp af figurer. Figur 1 viser skematisk et længdesnit af en foretrukken 20 udførelsesform af induktionsvarmespolen ifølge opfindelsen i en indretning under driften. Figur 2 og 3 viser induktionsvarmespolen set ovenfra og i tværsnit. Figur 4 er en gengivelse svarende til Figur 1 repræsenterende det aktuelle tekniske niveau.
Ensartede kendetegn er forsynet med samme henvisningstal, 25 Induktionsvarmespolen er udformet således, at en højfrekvensstrøm i alt væsentligt strømmer igennem spolen 1 og segmenterne 2 (Figur 2 og 3). Segmenterne er elektrisk ledende forbundet med hinanden på deres nedre ender via et tyndt forbindelsesstykke 3. Spolen fremviser radialt rettede strømførespalter 4, som fremtvinger en elektrisk strømning i en mæanderformet bane gennem spolen. Banen 30 fører fra spoletilslutninger 5 på kanten af spolen 1 til segmenterne 2 i spolemidtpunktet gennem segmenterne og gennem spolen tilbage igen til spoletilslutningerne. På denne måde sikres det, at alle områder af tallerkenens overflade dækkes lige meget af det elektromagnetiske feit, som dér inducerer strømmen til at smelte granulat og til at opretholde den smelteflydende tilstand.
J
35 3 DK 176877 B1
Spolen 1 har på et ydre område i det mindste én gennemstrømningsåbning 6 til tilførslen af granulat af halvledermateriale på den drejende tallerken. Gennemstrømningsåbningen dannes fortrinsvis af en af strømførespalterne 4, som til formålet er udvidet på et stykke.
5
Induktionsvarmespolen er endvidere udstyret med et kølesystem, som omfatter kølekanaler 7 i spolen 1, hvorigennem der strømmer kølemiddel eksempelvis vand.
For også at opnå en intensiv køling af segmenterne 2, er kølekanalerne ført frem til segmenterne og forbundet med hinanden via en rørbro 8, Rørbroen når i midtpunktet 10 af spolen 1 's overside frem til segmenterne 2 og er eksempelvis loddet eller svejset på disse. Rørbroen 8 er snoet én eller flere gange, således at den har en tilstrækkelig høj induktans. Højfrekvensstrømmen strømmer derfor i alt væsentligt via et forbindelsesstykke 3, som forbinder segmenterne 2, og ikke via rørbroen 8. På grund af strømfluxet er feltlinietætheden omkring forbindelsesstykket meget høj, og den 15 induktive opvarmning af smeltemassen, som ved fremstillingen af en énkrystal ligger umiddelbart overfor forbindelsesstykket, er særlig effektiv. Der ligger fortrinsvis det samme elektriske potentiale på smeltemassen og forbindelsesstykket, især fortrinsvis masse-potentiale.
20 En foretrukken relativ indretning af induktionsvarmespolen og tallerkenen 9 under fremstillingen af en énkrystal 10 er vist i Figur 1. Segmenterne 2 danner en keglestub og når omkring forbindelsesstykket 3 næsten helt frem til smeltemassen. Den fra tallerkenen 9's udløbsrør 11 strømmende film 12 af smeltet halvledermateriale omgiver en kanal, hvis rumfang næsten er fuldstændig fyldt med de strømførende segmenter 25 2. Fortrinsvis er hældningsvinklen på segmenternes udvendige flade og hældningsvinklen for udløbsrørets indvendige flade ens. Den kontinuerlige strøm af smeltet halvledermateriale fra tallerkenen til smeltemassen kan yderligere forbedres ved, at keglestubben anbringes en anelse asymmetrisk i kanalen, og der derved fortrinsvis opvarmes én side. Derved dannes ved begyndelsen af dyrkningsprocessen, 30 når der kun er brug for lidt smeltemassestrømning, en defineret lukket smeltemassebane,
Tallerkenen 9 består fortrinsvis af det samme halvledermateriale som granulatet 13 og er fortrinsvis udført på en måde ligesom beholderen, der er beskrevet i tysk 35 offentliggørelsesskrift nr. 102 04 178 A1, hvis indhold hermed udtrykkeligt inddrages.
Den kan dog også være udført som enkelt flad plade med centralt udløbsrør, især når 4 DK 176877 B1 den anvendes til at smelte granulat til fremstillingen af énkrystaller med forholdsvis lille diameter. Henvisningstallet 14 betegner en tragt, som granulatet 13 føres ind i.
Opfindelsen anvendes fortrinsvis til fremstillingen af énkrystaller af silicium.
5 Halvlederskiverne, der skæres ud af énkrystallerne, egner sig eksempelvis til fremstilling af solceller eller elektroniske komponenter, eksempelvis effekttransistorer og tyristorer.
Eksempel: 10 Med en induktionsvarmespole ifølge opfindelsen i en indretning ifølge Figur 1 blev der fremstillet énkrystaller af silicium, uden at der blev stillet en strålevarmer til rådighed for kanalen og den tilgrænsende smeltemasse. De trukne énkrystaller var fri for forskydninger, og der opstod intet udbyttetab på grund af størkning af silicium i filmen eller i smeltemassens tilgrænsende område.
15

Claims (9)

1. Induktionsvarmespole til smeltning af granulat af halvledermateriale på en tallerken med et udløbs rør, omfattende en med strømførespalte forsynet spole med en overside 5 og en underside og med en gennemstrømningsåbning til granulat i et område liggende uden for spolens midtpunkt og strømførende segmenter, som fremstår i midtpunktet af spolens underside, og som via et forbindelsesstykke er elektrisk ledende forbundet på en nedre ende.
2. Induktionsvarmespole ifølge krav 1, kendetegnet ved, at i det mindste én af strømførespalterne er udvidet for at danne gennemstrømningsåbningen.
3. Induktionsvarmespole ifølge krav 1 eller krav 2, kendetegnet ved, at segmenterne danner en form som en keglestub. 15
4. Induktionsvarmespole ifølge et af kravene 1 til 3, kendetegnet ved, at hældningsvinklen på de strømførende segmenters udvendige flade og hældningsvinklen for udløbsrørets indvendige flade er ens.
5. Induktionsvarmespole ifølge et af kravene 1 til 4, kendetegnet ved et kølesystem til køling af spolen og segmenterne.
5 DK 176877 B1
6. Induktionsvarmespole ifølge krav 5, kendetegnet ved, at kølesystemet omfatter en rørbro, gennemstrømmet og omgivet af kølemiddel, som i midtpunktet af spolens 25 overside er i kontakt med de strømførende segmenter.
7. Fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale på en tallerken med et udløbsrør ved hjælp af en induktionsvarmespole, omfattende dannelsen af en film af smeltet halvledermateriale, som fugter udløbsrøret, og en smeltemasse af 30 halvledermateriale med en fri overflade, som er omgivet af filmen, kendetegnet ved, at filmen og smeltemassen opvarmes på den frie overflade ved hjælp af strømførende segmenter, der fremstår i midtpunktet for induktionsvarmespolens underside, og som via et forbindelsesstykke er elektrisk ledende forbundet på en nedre ende.
8. Fremgangsmåde ifølge krav 7, kendetegnet ved, at granulat af silicium smeltes på en tallerken af silicium. DK 176877 B1 6
9. Fremgangsmåde ifølge krav 7 eller krav 8, kendetegnet ved, at forbindelsesstykket og smeltemassen lægges på det samme elektriske potentiale.
DKPA200900325A 2008-03-10 2009-03-10 Induktionsvarmespole og fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale. DK176877B1 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008013326 2008-03-10
DE102008013326A DE102008013326B4 (de) 2008-03-10 2008-03-10 Induktionsheizspule und Verfahren zum Schmelzen von Granulat aus Halbleitermaterial

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DK200900325A DK200900325A (da) 2009-09-11
DK176877B1 true DK176877B1 (da) 2010-02-08

Family

ID=40952876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DKPA200900325A DK176877B1 (da) 2008-03-10 2009-03-10 Induktionsvarmespole og fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9084296B2 (da)
JP (1) JP5227854B2 (da)
KR (1) KR100999476B1 (da)
CN (1) CN101532171B (da)
DE (1) DE102008013326B4 (da)
DK (1) DK176877B1 (da)
SG (1) SG155827A1 (da)
TW (1) TWI398193B (da)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009051010B4 (de) * 2009-10-28 2012-02-23 Siltronic Ag Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat
DE102009052745A1 (de) 2009-11-11 2011-05-12 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat
DE102010006724B4 (de) 2010-02-03 2012-05-16 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium unter Verwendung von geschmolzenem Granulat
EP2558232B1 (de) * 2010-04-13 2017-07-12 Schmid Silicon Technology GmbH Herstellung von monokristallinen halbleiterwerkstoffen
JP2012046381A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 樹脂被覆粒状肥料の製造方法
DE102014207149A1 (de) * 2014-04-14 2015-10-29 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
DE102014210936B3 (de) * 2014-06-06 2015-10-22 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial
DE102014226419A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Siltronic Ag Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone
CN116288650B (zh) * 2023-05-24 2023-08-29 苏州晨晖智能设备有限公司 以颗粒硅为原料的硅单晶生长装置和生长方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4157373A (en) 1972-04-26 1979-06-05 Rca Corporation Apparatus for the production of ribbon shaped crystals
US4220839A (en) * 1978-01-05 1980-09-02 Topsil A/S Induction heating coil for float zone melting of semiconductor rods
DE3226713A1 (de) 1982-07-16 1984-01-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE3625669A1 (de) * 1986-07-29 1988-02-04 Siemens Ag Induktionsheizer zum tiegelfreien zonenschmelzen
JPS6448391A (en) 1987-04-27 1989-02-22 Shinetsu Handotai Kk Single winding induction heating coil used in floating zone melting method
JP2660225B2 (ja) 1988-08-11 1997-10-08 住友シチックス株式会社 シリコン鋳造装置
JP2759604B2 (ja) * 1993-10-21 1998-05-28 信越半導体株式会社 誘導加熱コイル
JP2754163B2 (ja) * 1994-05-31 1998-05-20 信越半導体株式会社 高周波誘導加熱コイル
JP3127981B2 (ja) * 1995-01-31 2001-01-29 信越半導体株式会社 高周波誘導加熱装置
RU2191228C1 (ru) * 2001-04-20 2002-10-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро общего машиностроения им. В.П.Бармина" Устройство для плавления и кристаллизации материалов
DE10204178B4 (de) 2002-02-01 2008-01-03 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial
KR100588425B1 (ko) 2003-03-27 2006-06-12 실트로닉 아게 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법
US7465351B2 (en) 2004-06-18 2008-12-16 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
WO2006009802A2 (en) 2004-06-18 2006-01-26 Memc Electronic Materials, Inc. A melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
US7691199B2 (en) * 2004-06-18 2010-04-06 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material

Also Published As

Publication number Publication date
CN101532171B (zh) 2012-06-27
SG155827A1 (en) 2009-10-29
DK200900325A (da) 2009-09-11
KR20090097097A (ko) 2009-09-15
US9084296B2 (en) 2015-07-14
TWI398193B (zh) 2013-06-01
KR100999476B1 (ko) 2010-12-09
DE102008013326B4 (de) 2013-03-28
JP5227854B2 (ja) 2013-07-03
DE102008013326A1 (de) 2009-09-17
CN101532171A (zh) 2009-09-16
JP2009215159A (ja) 2009-09-24
US20090223949A1 (en) 2009-09-10
TW200939891A (en) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK176877B1 (da) Induktionsvarmespole og fremgangsmåde til smeltning af granulat af halvledermateriale.
CN102051671B (zh) 通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的装置
CN101786156A (zh) 一种用于定向凝固的冷却方法及装置
CN106245113B (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
KR101323901B1 (ko) 용융 미립자를 이용하여 실리콘으로 이루어진 단결정을 제조하는 방법
CN103890242A (zh) 液体冷却热交换器
US8926751B2 (en) Gas flow guiding device for use in crystal-growing furnace
US20050188918A1 (en) Device for the production of crystal rods having a defined cross-section and column-shaped polycrystallization structure by means of floating-zone continuous crystallization
CN102061512A (zh) 通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的方法
US11326270B2 (en) Single-crystal production equipment and single-crystal production method
CN106077547B (zh) 一种降低结晶器钢液过热度的装置及方法
DK177332B1 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en énkrystal af halvledermateriale
KR101199562B1 (ko) 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
JP5568034B2 (ja) 半導体単結晶の製造装置および製造方法
CN108796611A (zh) 氮化镓单晶生长方法
CN208059649U (zh) 一种基于削减液膜厚度的热管装置
CN208485985U (zh) 一种多晶铸锭炉
CN109537050A (zh) 一种铸锭炉
CN209162251U (zh) 一种多晶硅锭浇铸装置
CN106133208A (zh) 硅熔体中控制热流的装置
CN209162252U (zh) 一种高效光电转化率的多晶硅锭浇铸装置
US20140060427A1 (en) Crystal growing device
CN208023107U (zh) 一种多晶硅铸锭炉热场
CN110184651A (zh) 一种多晶铸锭炉
CN206172985U (zh) 一种去除太阳能级多晶硅中金属杂质的设备

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed

Effective date: 20210310