DK157272B - Mosfet med hoej effekt - Google Patents

Mosfet med hoej effekt Download PDF

Info

Publication number
DK157272B
DK157272B DK350679AA DK350679A DK157272B DK 157272 B DK157272 B DK 157272B DK 350679A A DK350679A A DK 350679AA DK 350679 A DK350679 A DK 350679A DK 157272 B DK157272 B DK 157272B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
type
area
conductivity
component
areas
Prior art date
Application number
DK350679AA
Other languages
English (en)
Other versions
DK350679A (da
DK157272C (da
Inventor
Alexander Lidow
Thomas Herman
Vladimir Rumennik
Original Assignee
Int Rectifier Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26715426&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DK157272(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Int Rectifier Corp filed Critical Int Rectifier Corp
Publication of DK350679A publication Critical patent/DK350679A/da
Publication of DK157272B publication Critical patent/DK157272B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK157272C publication Critical patent/DK157272C/da

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0873—Drain regions
    • H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7809—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors having both source and drain contacts on the same surface, i.e. Up-Drain VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

DK 157272B
Den foreliggende opfindelse angâr en MOSFET-komponent af den i indledningen til krav 1 angivne art.
Ved effekt-halvlederkomponenter er det til opnâelse af smâ tabseffekter 0nskeligt med en lav modstand i ledende 5 tilstand. En sâdan lav indkoblingsmodstand kan især opnâs med bipolære transistorer, medens kendte MOSFET-halvlederef-fektafbrydere har en relativt h0j indkoblingsmodstand. Pâ andre omràder har MOSFET-komponenter talrige fordele i for-hold til bipolære transistorer, nemlig en meget h0j hastig-10 hed ved ind- og udkobling og en frihed for sekundære ned-brydningsegenskaber, som en minoritetsbærer-komponent udvi-ser. Anvendelsen af MOSFET-komponenter som effektafbrydere har dog pâ grund af den store modstand i ledende tilstand været begrænset. Ogsâ en fordring om en hoj spaerrespænding 15 er vanskeligere at opfylde med en MOSFET-komponent end med bipolære transistorer.
Ved kendte MOSFET-komponenter af den indledningsvis nævnte art (US-PS 4.072.975) er man gâet ud fra, at det fæl-les n(-)-omrâde mellem kanalomrâderne til opnâelse af en h0j 20 spaerrespænding skal hâve en hoj specifik modstand. Et sâdant n(-)-materiale med relativt hoj specifik modstand bidrager imidlertid væsentligt til modstanden i ledende tilstand, hvilket er uonsket.
Ogsâ ved andre kendte MOSFET-effektafbryderkomponen-25 ter (US-PS 4.055.884) forekommer der en hoj modstand i ledende tilstand pâ grund af et n(-)-omrâde med h0j specifik modstand mellem de kanalomrâderne dannende p-omrâder. Den h0je specifikke modstand af n(-)-omrâdet er ved dette arrangement onskelig, fordi der i dette omrâde bestâr et h0jt 30 elektrisk felt i spærretilstand. I henhold til grundtanken bag denne kendte MOSFET-komponent vil en formindskelse af den specifikke modstand at dette n(-)-omràde fore til en forringelse af spærrespændingen.
Den opgave, som ligger til grund for opfindelsen er 35 at tilvejebringe en MOSFET-komponent af den indledningsvis omtalte art, ved hvilken der er opnâet en lav modstand i ledende tilstand kombineret med en tilstrækkelig spærrespæn-ding.
DK 157272 B
2 I henholâ til opfindelsen loses denne opgave ved at MOSFET-komponenten er ejendommelig ved det i den kendeteg-nende del af krav 1 angivne.
Fordelagtige udformninger og videreudviklinger frem-5 gâr af underkravene.
MOSFET-komponenten if0lge opfindelsen har sammenlig-net med kendte komponenter en lav modsand i ledende tilstand, sâledes at den i denne henseende er sammenlignelig med bipolære transistorer. Modstandenden i ledende tilstand 10 er i forhold til kendte MOSFET-komponenter i det mindste formindsket med en faktor 2. De ovrige fordelagtige egenska-ber i forhold til bipolære halvlederafbrydere er i fuldt om-fang bibeholdt.
Ved arrangementet if0lge opfindelsen str0mvejen fra 15 kanalen til drain-elelektroden et 0vre omrâde, der danner det fælles omrâde, med lav specifik modstand og en nedre hoveddel, der strækker sig i retning mod drain-elektroden og som har en til opnâelse af en h0j spærrespænding 0nskelig h0j specifik modsand. Tykkelsen af dette nedre afsnit vælges 20 sâledes, at den svarer til den for MOSFET-komponenten 0nske-de spærrespænding. Sâledes kan dette nedre n(-)-omrâde ved en 400-V-komponent hâve en dybde pâ 34 my, :medens det ved en 90-V-komponent kan hâve en dybde pâ ca. 8 my. Alt efter den osnkede spærrespænding kan MOSFET-komponenten være udformet 25 med.andre.dybder for. at sikre det til undgâelse af et gennemslag under spændingsbetingelserne nodvendige tykkere depletion-omrâde. Den 0vre del, der danner det fælles omrâde, af den fælles kanal bliver udf0rt med dybde pâ fra ca.
3 my til 6 my med h0j ledningsevne som et n(+)-omrâde. Her-30 ved pàvirkes spændingsforholdene for MOSFET-komponenten ikke, idet genneml0bsmodstanden eller modstanden i ledende tilstand nedsættes med en faktor pâ mere end 2.
MOSFET-komponenten ifolge opfindelsen muliggor en me-get h0j pakningstæthed, og den kan fremstilles med forholds-35 vis simple masker. Endvidere har den en forholdsvis lav ka-pacitiv modstand.
I henhold til en foretrukken udforelsesform if0lge opfindelsen har de enkelte i afstand fra hinanden placerede 3
DK 157272 B
source-omrâder en firkantform. Der kan for en given MOSFET-komponent være udformet overordentligt mange sàdanne smâ sourceomrâder pâ den samme overflade af en halvlederskive, hvilket forer til en meget hoj str0mkapacitet af MOSFET-kom-5 ponenten.
Mellemrummet mellem to nabosource-omrâder kan inde-holde en polykrystallinsk silicium-gate eller en hvilken som helst anden gate-type, idet gatearrangementet kontakteres ved hjælp af gate-kontaktfingre via overfladen af halvle-10 derskiven, hvilket sikrer en god kontakt ud over den samlede overflade af MOSFET-komponenten.
De enkelte firkantede source-omrâder kontakteres ved hjælp af et ud i ét udformet lederlag, som stâr i kontakt med de enkelte firkantede source-omrâder gennem âbninger i 15 et isoleringslag, der dækker source-omrâderne. Âbningerne kan fremstilles ved hjælp af gængse D-MOS-lystryksmetoder. I tilslutning hertil indrettes der et pudeformet source-til-slutningsomrâde til source-lederlaget og et pudeformet gate-tilslutningsomrâde for den langstrakte gate-finger, og 20 yderligere et drain-tilslutningsomrâde pâ den modsatliggende overflade af halvlederskiven.
Det er muligt pâ en enkelt halvlederskive at udforme et antal sâdanne MOSFET-komponenter pâ en halvlederskive, og der enkelte komponenter kan adskilles ved en passende frem-25 gangsmâde adskilles fra hinanden langs ridselinier eller andre brudanvisningslinier.
I henhold til en udforelsesform if0lge opfindelsen har p-omrâdet, der definerer kanalomrâdet under gate-isole-ringslaget en forholdsvis dybt inddiffunderet del under 30 sourceomrâdet pâ en sâdan mâde, at p-diffussionsomrâdet i det hovedparten af halvlederskiven dannende n(-)-epitaxial-lag har en afrundet profil. Dette dybt inddiffunderede omrâ-de forer til en forbedring af spændingsgradienten ved kanten af arrangementet, sâledes at spærrespændingen forhojes.
35 Udf0relsesformer if01ge den foreliggende opfindelse beskrives nærmere i det f0lgende under henvisning til teg-ningen, hvor: _ ____ _ ____ 4 ...... ,·
DK 157272 B
Fig. 1 set fraoven viser en hojeffekt-MOSFET-blanket udformet if0lge den foreliggende opfindelse, og hvor der navnlig er vist to sources og en gates metalliseringsmonstre; 5 o
Fig. 2 viser et tværsnit langs linien 2-2 pâ Fig. 1;
Fig. 3 viser et lignende tværsnit som det pâ Fig. 2 vi-ste angivende det indledende trin ved fremstil-lingsfremgangsmâden ved fremstilling af den pâ Tq Fig. 1 og 2 viste blanket, og hvor der navnlig _ er vist kontaktimplantering- af type p(+) samt diffusionsfremgangsmâdetrinnet;
Fig. 4 viser det andet trin ved fremstfïilingsfremgangs-mâden, der vises implantering- af rtype n(+) samt 1 5 diffusionsfremgangsmâdetrinnet;
Fig. 5 viser et yderligere trin ved fremstillingsfrem-gangsmâden ved fremstilling af blanketten vist pâ Fig. 1 og 2, der vises kontaktimplantering-samt diffusionsfremgangsmâdetrinnet; 20
Fig. 6 viser et yderligere trin ved fremstillingsfrem-gangsmâden og viser source-for-udfældning-og diffusionsfremgangsmâdetrinnet . Dette gâr forud for det sidste trin, ved hvilket gate-oxid er til-25 slcâret for det metalliseringstrin, som tilveje- bringer lcomponenten vist pâ Fig. 2;
Fig. 7 viser set fraoven et metalliseringsmonster ifol-ge en anden udforelsesform ifolge den foreliggende opfindelse; 30 Fig. 8 viser et tværsnit langs linien 8-8 pâ Fig. 7;
Fig. 8a viser en modificeret source-kontaktkonfiguration vist pâ lignende mâde som pâ Fig. 2;
Fig. 9 viser formen af strom-karakteristikker i ledende 35 ” tilstand for en komponent som den pâ Fig. 2 vi ste, og hvor et omrâde 40 under neden oxidèn er af type n(-);
DK 157272 B
5
Fig. 10 viser former af karalcteristikken for en kompo-nent udformet identisk som vist pâ Fig. 2, og hvor et omrâde 40 besidder hoj ledningsevne af type n(+); 5 En f0rste udf0relsesform for den ny MOSFET-komponent if01ge den foreliggende opfindelse er vist pâ fig. 1 og 2, hvorpâ der er vist en skive af monokrystallinsk silicium 20 (el-ler af egnet andet materiale), hvor komponentens elektroder bedst vist pâ Fig. 1 er anordnet folgende en slangeformet 10 monstervej 21 tjenende til forogelse af komponentens strom-bærende areal. Der Icunne være anvendt andre geometriske ud-formninger. Den viste komponent besidder en spærrespænding pâ omkring 400 volt og en modstand i ledende tilstand pâ mindre end omkring 0,4 ohm med en Icanalbredde pâ 50 centi-15 meter. Der er blevet fremstillet komponenter besiddende spærrespændinger fra 90 til 400 volt. Komponenterne for 400 volt har bâret impulsstromme pâ 30 ampere. Komponenterne for 90 volt har besiddet modstande i ledende tilstand pâ omkring 0,1 ohm med en Icanalbredde pâ 50 centimeter og har 20 bâret impulsstromme pâ op til omkring 100 ampere. Komponenter for hojere og lavere spænding kan ogsâ fremstilles med varierende kanalbredder.
I ojeblikket Icendte MOSFET-lcomponenter besidder meget ho-* jere modstand i ledende tilstand end den ovenfor nævnte 25 komponent. Et MOSFET-organ for 400 volt f.eks., som er sam-menligneligt med det i det folgende beskrevne, men fremstillet ved hjælp af telcnikkens stade ville normalt besidde en modstand i ledende tilstand, der er meget storre end omkring 1,5 ohm sammenlignet med en modstand i ledende til-30 stand pâ mindre end omkring 0,4 ohm med en komponent fremstillet ifolge den foreliggende opfindelse. Endvidere vil en MOSFET-komponent ifolge den foreliggende opfindelse anvendt til ud- og indlcobling udvise aile de onskelige forde- le ved en MOSFET-komponent, eftersom den arbejder som en 35 ved hjælp af majoritetsbærer arbejdende komponent. Disse
DK 157272 B
6 fordele omfatter ii0j ud- og indkoblingshastighed, h0j for-stærkning samt undgâelse af sekundære breakdown-karakteri-stikker, hvilke foreligger ved komponentër arbejdende med minoritetsbærere.
5 Komponenterne vist pâ Fig. 1 og 2 besidder to source-elek-troder 22 og 23, som er adskilte ved hjælp af en metallise-ret gate-elektrode 24, som er befæstiget til, men anbragt i afstand fra halvlederkomponentens overflade ved hjælp af et silicrumdioxidlag 25. Den slangeformede vejstrækning 10 fulgt af gate-oxiden 24 har en længde pâ 50 centimeter og har 667 bolgeformer, selvom den er vist mere simpelt pâ Fig.
1. Der kan anvendes andre kanalbredder. Source-elektroderne 22 og 23 kan være udstrakt i sideværts retning som vist med henblik pâ at tjene som feltplader hjælpende til spredning 15 af depletion-omrâdet frembragt under spærrespændingstil-stande. Hver af source-elektroderne 22 og 23 leverer strom til en fælles drain-elektrode 26, som er fastgjort til skivens bund. Komponentens relative dimensioner, navn-lig i henseende til tyklcelse, er vidt overdrevne pâ Fig. 2 20 af overskuelighedsârsager. Siliciumskiven 20 er udfor-met pâ et substrat af type n(+), hvilket kan hâve en tyk-lcelse pâ omlcring 0,35 mm. Et epitaxialt lag af type n(-) er udfældet pâ substratet 20 og vil hâve en tyklcelse og en specifik modstand, som vil afhænge af den onskede spærre-25 spænding. Aile samforbindelser er tilvejebragt i dette épitaxiale lag, som kan besidde en relativ h0j specifik modstand. I den viste udforelsesform besidder det épitaxiale lag en tyklcelse pâ omkring 35 [im samt en specifik modstand pâ omkring 20 ohm-centimeter. Ved en komponent for 90 volt 30 ville det épitaxiale lag være omkring 10 pm tykt og ville hâve en specifik modstand pâ omkring 2,5 ohm-centimeter. En lcanalbredde pâ 50 centimeter er ogsâ anvendt til tilvejebringelse af komponentens onlcsede strombæringsevne.
Ved en foretruklcet udferelsesform if0lge den foreliggende 35 opfindelse foreligger der et i længden udstrakt slangefor-met omrâde med ledningsevne af type p(+) under neden hver
DK 157272 B
7 af source-elelctroderne 22 og 23, hvillcet sâledes strækker sig rundt om den slangeformede vejstrækning vist pâ Fig. 1.
Disse omrâder a£ type p(+) er vist pâ Fig. 2 som respektive omrâder 30 og 31 af type p(+) og er 'lignende som dem ifolge 5 den kendte teknik, bortset fra at den maximale oirr'âdedybde af type p(+) er stærlct overdrevet af hensyn til udformning af en stor krumningsradius. Dette muliggor, at komponenten lcan modstâ hoje spærrespændinger. Eksempelvist er dybden af omrâderne 30 og 31 fortrinsvis omkring 4 pm ved dimension 10 X pâ Fig. 2 og omkring 3 μτη ved dimension Y pâ Fig. 2.
Ved anvendelse af D-MOS-fabrikationsteknik er der udformet to omrâder 32 og 33 af type n(+) respelctivt un der neden source-elelctroderne 22 og 23 respelctivt afgrænsende med omrâder 30 og 31 af type p(+) lcanalomrâder 34 og 35 af type 15 n. Kanalomrâderne 34 og 35 er anordnede under neden gate-oxid 25 og lcan underkastes inversion ved hjælp af passen-de tilforsel af et forspændingstilvejebringende signal til gaten 24 med henblik pâ at tillade ledning fra source 22 og source 23 gennem inversionslagene ind i det centrale om-20 râde anordnet under neden gaten 24 og derefter til drain-elelctroden 26. Kanalerne 34 og 35 kan hver besidde en læng-de pâ omkring 1 pm.
Det er tidligere blevet tænlct nodvendigt, at det centrale omrâde af type n(-) mellem kanalerne 34 og 35 (og mellem 2 5 omrâderne 30 og 31 af type p(+)) slculle besidde en hoj spe- cifilc modstand med henblik pâ at tillade, at komponenten er i stand til at modstâ hoje spærrespændinger. Imidlertid er materialet af type n(-) besiddende relativ hoj specifik modstand ogsâ en betydelig medvirkende faktor for komponen-30 tens hoje modstand i ledende tilstand.
I overensstemmelse med det betydende karaktertræk ifolge den foreliggende opfindelse er en betydende del af dette centrale ledende omrâde gjort relativt stærlct ledende og 35 bestâr af et omrâde 40 af type n(+) anordnet umiddelbart neden under gate-oxiden 25. Omrâdet 40 af type n(+) besid-der en dybde pâ omkring 4 pm og kunne ligge i omrâdet fra 8
DK 15 7 2 7 2 B
omkring 3 μπι til omkring 6 μηι. Eftersom dettes eksakte ledningsevne iklce er kendt og varierer med dybden, er led-ningsevnen hoj i forhold til omrâdet af type n(-) neden un-der dette omràde. Navnlig besidder omrâdet 40 en hoj led- 5 ningsevne, som ville være bestemt ved hjælp af en total . 12 ionimplanteringsdosis strækkende sig fra omkring 1 x 10 til 1 x ÎO1^ fosforatomer/cm2 ved 50 kV efterfulgt af en aktivering af diffusionens fremdrift ved hjælp af ophedning liggende mellem 1150 °C og 1250 °C i et tidsrum varende fra 10 30 til 240 minutter. Det er lconstateret, at ved fremstil- ling af dette omrâde 40 af relativt kraftigt ledende mate-riale af type n(+) ved hjælp af en diffusion eller anden arbejdsoperation, bliver komponentens karakteristika bety-deligt forbedret, og komponentens modstand i ledende til-15 stand er reduceret med en faktor, der er storre end to.
Endvidere er det blevet konstateret, at anordningen af omrâdet 40 med kraftig ledningsevne ikke interfererer med komponentens spærrespændingskaralcteristika. I overensstem-melse hermed, ved at fremstille omrâdet under neden gate-20 oxiden 25 og mellem Icanalerne 34 og 35 mere kraftigt ledende, er den som slutprodukt foreliggende komponents modstand i ledende tilstand ved anvendelse ved hojeffekts ud- og indkobling betydeligt reduceret, og MOSFET komponenten er blevet langt mere konkurrencedygtig i forhold til en kompo-25 nent af junction-typen, idet der fortsat er bevaret elle fordelene ved arbejdsoperation som MOSFET-majoritetsbærer.
Ved beskrivelsen ovenfor under henvisning t'il Fig. 1 og 2 er det antaget, at de ledende kanaler 34 og 35 er af mate-riale af type p(+) og i overensstemmelse hermed er inverte-30 ret til ledningsevne af type n til tilvejebringelse af en ledende kanal med majoritetsbærere forende fra sourcerne 22 og 23 til det centrale omrâde 40 ved tilforsel af en pas-sende gate-spænding. Det er imidlertid klart, at aile disse ledningsevnetyper lcunne omvendes, sâledes at komponenten 35 lcunne arbejde som en komponent med kanal af type p snarere end som den âbenbarede komponent med kanal af type n.
En process, ved hjælp af hvillcen komponenten vist pâ Fig. 1
DK 157272 B
9 og 2 lcunne være lconstrueret, er vist pâ Fig. 3-6. Idet der refereres til Fig. 3 er den til grund liggende skive 20 vist bestâende af et materiale af type n(+) med et pâ skivens top epitaxialt udfældet omràde af type n(-). Et 5 tykt oxid-lag 50 er udformet pâ skiven 20, og der er deri ved fremstillingen âbnet vinduer 51 og 52. De âbne vinduer 51 og 52 er udsat for en strâle af bor-atomer i et ion-implanteringsapparatur til udformning af omrâder af type p(+). Herefter er de implanterede bor-atomer bragt til 10 diffusion dybere ind i skiven til udformningaf datrundede p(+)-koncentrationsomrâde vist pâ Fig. 3, og hvor dette om-râde le an besidde en dybde pâ omkring 4 μτη. Under denne dif-fusionsoperation tilvejebringes udbredelse af flade oxid-lag 53 og 54 over vinduerne 51 og 52.
15
Som det herefter er vist pâ Fig. 4, er der udskâret vinduer 61 og 62 i oxid-laget 50, og der finder en implantering af type n(+) sted med henblik pâ implantering af omrâder 63 og 64 af type n(+) i det épitaxiale lag af type n(-). Denne implantering af type n(+) kan udfores med en fosforstrâle.
20
Herefter er de implanterede omrader underkastet et diffu-sionsoperationtrin til tilvejebringelse af udvidelse af om-râderne 63 og 64 samt uddybning af dem til en dybde pâ omkring 3^ pm med en koncentration, som er bestemt ved hjælp af en implanteringsdosis omfattende 1 x 10 til 1 x 10 -- fosforatomer/cm2 efterfulgt af en drivoperation af 30 mi-nutters til 4 timers varighed ved en temperatur liggende mellem 1150 °C og 1250 °C. Som det vil fremgâ af det efter-folgende, frembringer omrâder 63 og 64 det ny omrâde af type n(+), hvilket væsentligt reducerer komponentens modstand 30 i ledende tilstand.
Det bemærkes, at omrâderne 63 og 64 af type n(+), sâfremt det 0nslces, lcunne være epitaxialt udfældede og ikke behover at være tilvejebragte ved diffusion, Pâ lignende mâde kunne 3^ komponenten, som er beskrevet ved hjælp af den foreliggende beskrivelse, være blevet fremstillet ved hjælp af en hvil-lcen som helst onsket process, som det vil være évident for en fagmand.
DK 157272 B
10
Det næste fremgangsmâdetrin ved processen er vist pâ Fig. 5 og bestâr i kanalimplanteringstrin samt diffusionstrin, ved hjælp af hvilke omrâder 71 og 72 af type p(+) er udformet gennem de samme vinduer 61 og 62, som blev anvendt til im-5 plantering af type n(+) for omrâderne 63 og 64. Oïïirâderne 71 og 72 af type p(+) er udformet ved implantering med en bor-strâle med en dosis pâ omkring 5 x 10^ til 5 x 10^ atomer/cm efterfulgt af en diffusionsdrivoperation af 30 til 120 minutters varighed ved en temperatur mellem 1150 °C 10 og 1250 °C.
Herefter er der soin vist pâ Fig. 6 udfort arbejdsoperatioœ- trin med henblilc pâ for-udfældning samt diffusion af source- omrâderne 32 og 33. Dette er tilvejebragt ved hjælp af et sædvanligt kendt og ikke kritisk fosfor-diffusions-opera-15 tionstrin, hvor diffusionen finder sted via vmduerne 61 og 62, sâledes at source-omrâderne 32 og 33 automatisk er ret-tet ind i forhold til de andre forud udformede omrâder.
Blanlcetten er sâledes anbragt i en ovn og udsat for POCl^ opblandet i en bære-gas i en tidsperiode stræklcende sig fra 20 10 minutter til 50 minutter ved en temperatur liggende mellem 850 °C og 1000 °C.
Nâr dette operationstrin er fuldfort, er den til grund liggende forbindelseslconfiguration krævet ifolge Fig. 2 ud- ........ - 25—formel med korte omrâder af type p(+) placeret under neden oxiden 50 med henblik pâ at tjene som ledende kanal for den som slutprodukt konstruerede komponent og med et omrâde af type n(+) udfyldende omrâdet mellem kanalerne 34 og 35 samt mellem omrâderne af type p(+) 30 og 31. Fremstillingspro-3Q cessen fortsætter herefter fra arbejdsoperationstrinnet vist pâ Fig. 6 til lcomponenten, der er vist pâ Fig. 2, og hvori oxidoverfladerne pâ blankettens top er passende af-slcrællede, og hvor metalliseringsmonstrene for kontakterne 22, 23 og 24 er udformet til tilvejebringelse af elektri-35 ske lcontaktforbindelser til lcomponenten. Drain-kontakten 26 er tilfojet til komponenten ved en pâfolgende metallise-ringsarbejdsoperation. Herefter kan den samlede komponent blive passende belagt med en egnet passiveringsbelægning,
DK 157272 B
11 og ledningstrâde er forbundet til source-elektroderne 22 og 23 samt til gaten 24. Komponenten er herpâ monteret i et egnet beslcyttelseshus med drain-elektroden befæstiget til huset eller til andet ledende bæreorgan, der tjener som en 5 drain-tilslutningsforbindelse.
Ved komponenten vist pâ Fig. 1 og 2 er der anvendt en slan- geformet vejstrælcning for hvert af source-omrâderne samt gate-omrâder og for en drain pâ blanlcettens overflade mod- sat source-elektroderne. Der kan være anvendt andre konfi-10 - gurationer. Pâ Fig. 7 og 8 er der vist en planar-konfigura-tion, som udgor en simpel relctangulær anordning, som besid-der en ringformet gâte 80, som er anordnet mellem en forste source-elelctrode 81 med ringform og en central source 82. Komponenten vist pâ Fig. 8 er indeholdt i en grundblanket 15 af monokrystallinsk silicium af typep(-) 83, som kan besid-de et neddyklcet omrâde af type n(+) 84 til reduktion af modstanden i sideværts retning af komponentens forskellige stromveje forende til den sideværts forskudt placerede drain-elelctrode 85, der omgiver sourcen 81.
20
Et ringformet omrâde af type n(+) 86 er udformet i komponenten, sâledes som det er vist pâ Fig. 8, og ifolge den foreliggende opfindelse besidder det ringformede omrâde 86 meget hojere ledningsevne end det epitaxialt udfældede omrâde 25 af type n(-) 87, hvilket indeholder aile komponentens for-bindelser. Det ringformede omrâde 86 strækker sig fra omrâ-det under neden gate-oxiden 88 og forener sig med enderne af de to ledende lcanaler udformet mellem det ringformede omrâde af type p(+) 89 og det centrale omrâde af type p(+) 91 placeret under neden den ringformede source 81 og re-spektivt den centrale source 82.
Det bemærkes ogsâ, at pâ Fig. 8 besidder ringen af type p(+) 89 's ydre periferi en stor radius til at assistere komponenten til at modstâ hoje spærrespændinger.
O C
^ Et omrâde af type n( + ) er vist pâ Fig. 8 og er anordnet med henblilc pâ at tilsikre god kontakt til drain-elelctrode 85. Drain-elektroden 85 er i sideværts retning anbragt i vid
DK 157272B
12 afstand fra sourcen 81 (afstand storre end omkring 90 μιη). Drain-kontalcten 85 er omgivet af en diffusionsisolation af type p(+) 96 til isolering af komponenten fra andre kompo-nenter pâ den samme blanket.
I anordningen vist pâ Fig. 8, ligesom str0mningen af elek-trisk strom fra sourcerne 81 og 82 passerer igennem det épitaxiale omrâde 87 's bredde, igennem omràdet 86. Strom-men flyder derpâ sideværts udad og derpâ opad til drain-
Icontakt 85. Lige som ved udforelsesformen ifolge Fig. 2 er 10 .
komponentens modstand stærlct reduceret ved hjælp af det re- lativt stærkt ledende omrâde 86.
Ved udovelse af den foreliggende opfindelse skal det bemær-kes, at en hvilken som helst type af kontaktmateriale kan finde anvendelse til fremstilling af source- og gate-kon-talcter. Eksempelvist kunne der anvendes aluminium til source elelctroderne, medens et polysilicium-materiale kunne væ-re anvendt til den ledende gâte 80 vist pâ Fig. 8 eller til den ledende gâte 24 vist pâ Fig. 2.
20 Talrige andre geometriske konfigurationer kan anvendes til fremstilling af komponenten ifolge den foreliggende opfindelse indbefattende et flertal af par af lige, parallelle source-elementer med respektive ind imellem anordnede gates og lignende.
25
Source-elektroderne 22 og 23 er blevet vist som separate elelctroder, som kan være tilsluttet til separate lednings-tilslutninger. Det er lclart, at sourcerne 22 og 23 kunne være direkte forbundet, sâledes som det er vist pâ Fig. 8a, hvor Icomponenter, som er lignende som de pâ Fig. 2 viste, 30 ....
er blevet forsynet med lignende identificerende henvis« ningsbetegnelser. Pâ Fig. 8a er imidlertid gate-elektroden et polysiliciumlag 101 (i stedet for aluminium) udfældet pâ toppen af gate-oxiden 25. Gaten 25 er herefter dækket med oxidlag 102, samt et ledende lag 103 forbinder de to 35 sourcer 22 og 23 sammen til udformning af en enkelt source-tilledning, som er isoleret fra gaten 101. Tilslutningsfor-bindelsen til gaten er tilvejebragt pâ en egnet kantdel af
DK 157272B
13 blanketten.
Pâ Fig. 9 og 10 er der vist formen af mâlte kurver, som de-monstrerer redulctionen i modstand i ledende tilstand, nâr omrâdet 40 er gjort stærkt ledende af type n(+). I forbin-5 delse med det pâ Fig.9viste besad den testede komponent et omrâde 40, som havde modstand af art n(-) i det épitaxiale omrâde. Sâledes er modstanden i ledende tilstand karakteri-stisk hoj ved forskellige gate-forspændinger, sâledes som det er vist pâ Fig. 9.
10
Ved en komponent ifolge den foreliggende opfmdelse, hvor omrâdet 40 besidder ledningsevne af type n(+), foreligger der, sâledes som det er vist pâ Fig. 10, en dramatisk for-mindskelse af modstanden i ledende tilstand for aile gate-spændinger forud for hastighedsmætning af elektronerne ind-^ træder.
20 25 30 35

Claims (5)

1. MOSFET-komponent, især effekt-MOSFET-komponent med en skive af halvledermateriale med to parallelle overflader, 5 hvilken skive pâ dens f0rste overflade har i det mindste to source-elektroder anbragt med indbyrdes afstand og et mellem disse anbragt gate-isolationslag og en pâ dette isolations-lag placeret gate-elektrode, samt med to umiddelbart under gate-isolationslaget med afstand fra hinanden placerede ka-10 nalomrâder af en forste type af ledningsevne, hvilke kanal-omrâder ved deres bort fra hinanden vendende ender grænser op til sourceomrâder af en anden type ledningsevne og ved deres mod hinanden vendende ender grænser op til et centrait under isolationslaget placeret omrâde af den anden type led-15 ningsevne, idet der under de to kanalomrâder og det fælles omrâde nærmest er et med dette omrâde kontinuerligt sammen-hængende omrâde med en forholdsmæssigt hoj specifik modstand af en anden type ledningsevne og i tilslutning hertil et stærkt doteret omrâde af en anden type ledningsevne, hvilket 20 omrâde bevirker en stromledning til en drain-elektrode, kendetegnet ved, at det fælles omrâde (40, fig. 1-6, 8a; 86, fig. 8) i en dybde pâ mere end 1 my har en væ-sentlig hojere ledningsevne n(+) end det under de to kanalomrâder (34, 35) og det fælles omrâde (40, 86) liggende om-25 rade.
2. MOSFET-komponent ifdlge krav 1, kendetegnet ved, at gate-isolationslaget (25) bestâr af siliciumoxyd.
3. MOSFET-komponent ifolge krav 1 eller 2, 30 kendetegnet ved, at de to kanaler (34, 35) er overfladedelene i tilsvarende, relativt dybe omrâder (30, 31. af den forste type ledningsevne (p(+)), og at hvert af disse relativt dybe omrâder (30, 31) har en afrundet profil, der strækker sig under og i sideretningen forskudt i forhold 35 til yderkanten af den med det pâgældende omrâde (30 resp. 31. pâ Unie beliggende source-zone (32 resp. 33).
4. MOSFET-komponent if0lge krav 1, 2 eller 3, kendetegnet ved, at de to source-elektroder (22, DK 157272 B 23. og gate-elektroden (24) er udformet med en langstrakt form langs en bane (21) pâ den f0rste overflade af halvle-derskiven.
5. MOSFET-komponent if0lge krav 1, 2, 3 eller 4, 5 kendetegnet ved, at de to kanalomrâder er de pâgældende sider af generelt firkantede kanaler. 10
DK350679A 1978-10-13 1979-08-22 Mosfet med hoej effekt DK157272C (da)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US95131078A 1978-10-13 1978-10-13
US95131078 1978-10-13
US3866279A 1979-05-14 1979-05-14
US3866279 1979-05-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DK350679A DK350679A (da) 1980-04-14
DK157272B true DK157272B (da) 1989-11-27
DK157272C DK157272C (da) 1990-04-30

Family

ID=26715426

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK350679A DK157272C (da) 1978-10-13 1979-08-22 Mosfet med hoej effekt
DK512488A DK512488A (da) 1978-10-13 1988-09-15 Mosfet med hoej effekt
DK512388A DK512388A (da) 1978-10-13 1988-09-15 Mosfet med hoej effekt

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK512488A DK512488A (da) 1978-10-13 1988-09-15 Mosfet med hoej effekt
DK512388A DK512388A (da) 1978-10-13 1988-09-15 Mosfet med hoej effekt

Country Status (19)

Country Link
JP (2) JP2622378B2 (da)
AR (1) AR219006A1 (da)
BR (1) BR7906338A (da)
CA (2) CA1123119A (da)
CH (2) CH660649A5 (da)
CS (1) CS222676B2 (da)
DE (2) DE2940699C2 (da)
DK (3) DK157272C (da)
ES (1) ES484652A1 (da)
FR (1) FR2438917A1 (da)
GB (1) GB2033658B (da)
HU (1) HU182506B (da)
IL (1) IL58128A (da)
IT (1) IT1193238B (da)
MX (1) MX147137A (da)
NL (1) NL175358C (da)
PL (1) PL123961B1 (da)
SE (2) SE443682B (da)
SU (1) SU1621817A3 (da)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4593302B1 (en) * 1980-08-18 1998-02-03 Int Rectifier Corp Process for manufacture of high power mosfet laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide
DE3040775A1 (de) * 1980-10-29 1982-05-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mis-gesteuertes halbleiterbauelement
US4412242A (en) 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
GB2111745B (en) * 1981-12-07 1985-06-19 Philips Electronic Associated Insulated-gate field-effect transistors
CA1188821A (en) * 1982-09-03 1985-06-11 Patrick W. Clarke Power mosfet integrated circuit
US4532534A (en) * 1982-09-07 1985-07-30 Rca Corporation MOSFET with perimeter channel
DE3346286A1 (de) * 1982-12-21 1984-06-28 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Hochleistungs-metalloxid-feldeffekttransistor- halbleiterbauteil
JPS59167066A (ja) * 1983-03-14 1984-09-20 Nissan Motor Co Ltd 縦形ｍｏｓｆｅｔ
JPS6010677A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Nissan Motor Co Ltd 縦型ｍｏｓトランジスタ
JPH0247874A (ja) * 1988-08-10 1990-02-16 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法
IT1247293B (it) * 1990-05-09 1994-12-12 Int Rectifier Corp Dispositivo transistore di potenza presentante una regione ultra-profonda, a maggior concentrazione
US5766966A (en) * 1996-02-09 1998-06-16 International Rectifier Corporation Power transistor device having ultra deep increased concentration region
US5304831A (en) * 1990-12-21 1994-04-19 Siliconix Incorporated Low on-resistance power MOS technology
US5404040A (en) * 1990-12-21 1995-04-04 Siliconix Incorporated Structure and fabrication of power MOSFETs, including termination structures
IT1250233B (it) * 1991-11-29 1995-04-03 St Microelectronics Srl Procedimento per la fabbricazione di circuiti integrati in tecnologia mos.
DE59208987D1 (de) * 1992-08-10 1997-11-27 Siemens Ag Leistungs-MOSFET mit verbesserter Avalanche-Festigkeit
JPH06268227A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Ltd 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
EP0660396B1 (en) * 1993-12-24 1998-11-04 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno Power MOS device chip and package assembly
US5798287A (en) * 1993-12-24 1998-08-25 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Method for forming a power MOS device chip
EP0660402B1 (en) * 1993-12-24 1998-11-04 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno Power semiconductor device
EP0665597A1 (en) * 1994-01-27 1995-08-02 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe IGBT and manufacturing process therefore
US5817546A (en) * 1994-06-23 1998-10-06 Stmicroelectronics S.R.L. Process of making a MOS-technology power device
EP0689238B1 (en) * 1994-06-23 2002-02-20 STMicroelectronics S.r.l. MOS-technology power device manufacturing process
EP0697728B1 (en) * 1994-08-02 1999-04-21 STMicroelectronics S.r.l. MOS-technology power device chip and package assembly
US5798554A (en) * 1995-02-24 1998-08-25 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno MOS-technology power device integrated structure and manufacturing process thereof
DE69534919T2 (de) * 1995-10-30 2007-01-25 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leistungsvorrichtung in MOS-Technologie mit einer einzigen kritischen Größe
DE69533134T2 (de) * 1995-10-30 2005-07-07 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leistungsbauteil hoher Dichte in MOS-Technologie
US6228719B1 (en) 1995-11-06 2001-05-08 Stmicroelectronics S.R.L. MOS technology power device with low output resistance and low capacitance, and related manufacturing process
EP0782201B1 (en) * 1995-12-28 2000-08-30 STMicroelectronics S.r.l. MOS-technology power device integrated structure
DE69839439D1 (de) 1998-05-26 2008-06-19 St Microelectronics Srl MOS-Technologie-Leistungsanordnung mit hoher Integrationsdichte
WO2000062345A1 (fr) 1999-04-09 2000-10-19 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteur haute tension
JP4122113B2 (ja) * 1999-06-24 2008-07-23 新電元工業株式会社 高破壊耐量電界効果型トランジスタ
US6344379B1 (en) 1999-10-22 2002-02-05 Semiconductor Components Industries Llc Semiconductor device with an undulating base region and method therefor
JP4845293B2 (ja) * 2000-08-30 2011-12-28 新電元工業株式会社 電界効果トランジスタ
JP2006295134A (ja) 2005-03-17 2006-10-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US9484451B2 (en) 2007-10-05 2016-11-01 Vishay-Siliconix MOSFET active area and edge termination area charge balance
US9431249B2 (en) 2011-12-01 2016-08-30 Vishay-Siliconix Edge termination for super junction MOSFET devices
US9614043B2 (en) 2012-02-09 2017-04-04 Vishay-Siliconix MOSFET termination trench
US9842911B2 (en) 2012-05-30 2017-12-12 Vishay-Siliconix Adaptive charge balanced edge termination
US9530844B2 (en) 2012-12-28 2016-12-27 Cree, Inc. Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same
US10115815B2 (en) 2012-12-28 2018-10-30 Cree, Inc. Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same
JP5907097B2 (ja) * 2013-03-18 2016-04-20 三菱電機株式会社 半導体装置
US9508596B2 (en) 2014-06-20 2016-11-29 Vishay-Siliconix Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor
US9887259B2 (en) 2014-06-23 2018-02-06 Vishay-Siliconix Modulated super junction power MOSFET devices
KR102098996B1 (ko) 2014-08-19 2020-04-08 비쉐이-실리코닉스 초접합 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터
US10615274B2 (en) 2017-12-21 2020-04-07 Cree, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness
US11489069B2 (en) 2017-12-21 2022-11-01 Wolfspeed, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015278A (en) * 1974-11-26 1977-03-29 Fujitsu Ltd. Field effect semiconductor device
US4055884A (en) * 1976-12-13 1977-11-01 International Business Machines Corporation Fabrication of power field effect transistors and the resulting structures
US4072975A (en) * 1976-04-29 1978-02-07 Sony Corporation Insulated gate field effect transistor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52106688A (en) * 1976-03-05 1977-09-07 Nec Corp Field-effect transistor
JPS5374385A (en) * 1976-12-15 1978-07-01 Hitachi Ltd Manufacture of field effect semiconductor device
US4148047A (en) * 1978-01-16 1979-04-03 Honeywell Inc. Semiconductor apparatus
JPH05185381A (ja) * 1992-01-10 1993-07-27 Yuum Kogyo:Kk 替刃式鋸用ハンドル

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015278A (en) * 1974-11-26 1977-03-29 Fujitsu Ltd. Field effect semiconductor device
US4072975A (en) * 1976-04-29 1978-02-07 Sony Corporation Insulated gate field effect transistor
US4055884A (en) * 1976-12-13 1977-11-01 International Business Machines Corporation Fabrication of power field effect transistors and the resulting structures

Also Published As

Publication number Publication date
AR219006A1 (es) 1980-07-15
CA1123119A (en) 1982-05-04
BR7906338A (pt) 1980-06-24
IT7926435A0 (it) 1979-10-11
NL175358B (nl) 1984-05-16
MX147137A (es) 1982-10-13
JP2622378B2 (ja) 1997-06-18
SE8503615D0 (sv) 1985-07-26
PL123961B1 (en) 1982-12-31
JP2643095B2 (ja) 1997-08-20
FR2438917A1 (fr) 1980-05-09
SE443682B (sv) 1986-03-03
CS222676B2 (en) 1983-07-29
CH660649A5 (de) 1987-05-15
DK512488D0 (da) 1988-09-15
JPS6323365A (ja) 1988-01-30
DE2954481C2 (de) 1990-12-06
DK512388D0 (da) 1988-09-15
CA1136291A (en) 1982-11-23
NL175358C (nl) 1984-10-16
SE7908479L (sv) 1980-04-14
NL7907472A (nl) 1980-04-15
SE8503615L (sv) 1985-07-26
CH642485A5 (de) 1984-04-13
HU182506B (en) 1984-01-30
DK512488A (da) 1988-09-15
IT1193238B (it) 1988-06-15
DK350679A (da) 1980-04-14
SU1621817A3 (ru) 1991-01-15
FR2438917B1 (da) 1984-09-07
JPH07169950A (ja) 1995-07-04
DK157272C (da) 1990-04-30
IL58128A (en) 1981-12-31
GB2033658B (en) 1983-03-02
GB2033658A (en) 1980-05-21
DE2940699A1 (de) 1980-04-24
ES484652A1 (es) 1980-09-01
DE2940699C2 (de) 1986-04-03
PL218878A1 (da) 1980-08-11
SE465444B (sv) 1991-09-09
DK512388A (da) 1988-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK157272B (da) Mosfet med hoej effekt
US4705759A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US5742087A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US4959699A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
KR100199273B1 (ko) 절연 게이트형 반도체 장치 및 그의 제조방법
JP2968222B2 (ja) 半導体装置及びシリコンウエハの調製方法
US7230283B2 (en) Semiconductor device having a metal conductor in ohmic contact with the gate region on the bottom of each groove
DE102013114842B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
CN105977290A (zh) 半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法
KR19980079512A (ko) 에스오아이 소자 및 그 제조 방법
CN101584029B (zh) 半导体装置的制造方法
WO1996007200A1 (en) Process for manufacture of mos gated device with reduced mask count
EP1444729B2 (en) Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor
KR101955055B1 (ko) 전력용 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법
EP1873838A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
US9634129B2 (en) Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods
JPH0332234B2 (da)
CN113474878A (zh) 制造晶体管器件的方法
CN104091764B (zh) Igbt器件制备方法及igbt器件
EP1617476A2 (en) Vertical integration in power integrated circuits
JPH1126780A (ja) ｐｎ接合を含む半導体装置
DE102017111925A1 (de) Kombinierter Gategraben- und Kontaktätzprozess und zugehörige Struktur
EP0255782A2 (en) Insulated gate bipolar-mode field effect transistor
KR830001247B1 (ko) 복수다각형 소스패턴을 가진 mosfet 장치
JPS6232648A (ja) 高密度高電圧ｆｅｔ

Legal Events

Date Code Title Description
PUP Patent expired