DE935383C

DE935383C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

Info

Publication number: DE935383C
Application number: DES19624D
Authority: DE
Inventors: Oetmar Geisler; Erich Dr Phys Kipphan
Original assignee: Standard Elektrizitaetas Gesellschaft AG
Current assignee: Standard Elektrizitaetas Gesellschaft AG
Priority date: 1938-06-07
Filing date: 1938-06-08
Publication date: 1955-11-17

Description

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Es ist bekannt, daß sich bei Selengleichrichtern an der Oberfläche der Selenschicht eine Sperrschicht ausbildet, deren Sperrwiderstand und Spannungsfestigkeit durch einen elektrischen Formierprozeß verbessert werden kann. Das Wesen dieser Sperrschicht konnte noch nicht genau erforscht werden. Es wird angenommen, daß es sich um eine hauchdünne Schicht einer Verbindung des Selens mit der darüberliegenden Spritzmetallschicht oder um eine Schicht amorphen Selens handelt.
Es ist weiter bekanntgeworden, auf die Selenschicht eines Selengleichrichters eine künstliche Sperrschicht, die nicht in genetischer Beziehung zu einer der beiden anliegenden Elektroden steht, z. B. eine dünne Lackschicht, aufzutragen. Es ist auch bekannt, auf die Selenschicht eine weitere sehr dünne Selenschicht aufzudampfen.
Schließlich ist es bekannt, daß sich eine gute Sperrschicht auf der Selenschicht dadurch erzeugen läßt, daß man vor dem Aufspritzen des Deckelektrodenmaterials eine dünne Schicht von Selendioxyd (Se0.) auf die Selenoberfläche aufdampft. Ein derartiger Gleichrichter wird etwa in der folgenden Weise hergestellt: Die durch Wärmebehandlungen in den graukristallinen Zustand überführte Selenschicht, die in bekannter Weise auf eine vernickelte Eisengrundplatte aufgeschmolzen, ist, wird in einer bestimmten Entfernung von Hand oder vermittels einer Vorrichtung in Selendioxyddämpfe gehalten. Das Selendioxyd schlägt sich auf der Selenoberfläche nieder und bildet dort eine dünne Schicht. Auf diese dünne Selendioxydschicht wird dann in bekannter Weise die metallene Gegenelektrode aufgespritzt. Die so fertiggestellte Gleichrichterzelle wird nun einer elektrischen Formierung unterworfen, während der die angelegte Formierspannung allmählich bis auf etwa zo Volt gesteigert wird, und zwar in dem Maße, in dem der Rückstrom infolge Verbesserung der Sperrschicht im-Verlaufe der Formierung zurückgeht.
Vermutlich handelt es sich bei dem elektrischen Formierprozeß um eine Elektrolyse, durch die eine Selenverbindung oder eine amorphe Selenschicht gebildet wird, die die Eigenschaften einer Sperrschicht hat.
Es hat sich nun gezeigt, daß diese Sperrschicht noch besser gebildet wird, wenn gemäß der Erfindung mit Selendioxyd Wasserdampf auf die Selenschicht aufgebracht wird. Das Selendioxyd bildet dann mit dem Wasserdampf selenige Säure, die sich unter dem Einfluß des elektrischen Formierstromes leicht aufspaltet.
Der Wasserdampf kann in verschiedener Weise auf die Selenscheibe gebracht werden. Die einfachste Methode, die oft genügt, ist es, wenn man das Selendioxyd über einer viel Wasserdampf in ihrenVerbrennungsproduktenenthaltenden.Flamme erhitzt und durch eine geeignete Führung der Verbrennungsgase dafür sorgt, daß sich der Wasserdampf zugleich mit den Selendioxyddämpfen auf der Selenschicht niederschlägt. Es kann aber auch um das Gefäß mit Selendioxyd herum oder in dessen Mitte ein zweites Gefäß mit Wasser ange-.ordnet sein, das gleichzeitig mit dem Selendioxyd zum Verdampfen gebracht wird. Es ist auch mög" dich, den erforderlichen Wasserdampf dadurch auf die Zelle zu bringen, daß man letztere bestimmte Zeit in einem feuchten Ra-um lagert, Da das Selendioxyd hygroskopisch ist, wird auch auf diese Weise eine, genügende Menge Wasserdampf aufgenommen.
Die Dosierung von Selendioxyd und Wasserdampf auf der Zellenoberfläche erfolgt durch die Festlegung der Aufdampfzeit bei einer bestimmten Entfernung der Selenzellen von dem Gefäß, das die zu verdampfenden Substanzen enthält, und einer bestimmten Verdarnpfungsstärke. Wird -die Verdampfungsmenge durch Erhöhung der Wärmezufuhr gesteigert, so wird auch mehr Wasserdampf erzeugt, so daß auch in einem solchen Fall eine genügende MengeWasserdampf zur Verfügung steht.
Bei der Aufnahme des Wasserdampfes durch das hygroskopische Selendioxyd in einem feuchten Raum aus der Luft erfolgt die Dosierung der Wassermenge durch dieFestlegung der Zeit, welche die Scheiben in einem Raum bestimmter Luftfeuchtigkeit zu verbleiben haben.
Die Aufdampfzeit des Selendioxyds allein oder mit Wasserdampf beträgt einige Sekunden.
Es ist zweckmäßig, die Spritzmetallschicht unmittelbar nach dem Aufbringen des Se02 und des Wasserdampfes auf die Zellenoberfläche aufzuspritzen, damit der Feuchtigkeitsgehalt des Se02 erhalten bleibt.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei denen auf die Selenschicht eine Selendioxydschicht aufgebracht, insbesondere aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Schicht während oder nach der Aufbringung Wasserdampf zugeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der in den Verbrennungsprodukten der zur Erhitzung des Selendioxyds dienenden Flamme enthaltende Wasserdampf verwendet wird. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die mit einer Selendiuxydschicht versehene Selenplatte in einem feuchten Raum gelagert wird. 4. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar nach Aufbringung der Selendioxydschicht und- der Zuführung des Wasserdampfes eine Gegenelektrode hergestellt, insbesondere aufgespritzt wird. Angezogene Druckschriften: Britische Patentschrift Nr. 476,846; österreichische Patentschrift Nr. 153 134.