DE875968C - Elektrisch unsymmetrisch leitendes System - Google Patents
Elektrisch unsymmetrisch leitendes SystemInfo
- Publication number
- DE875968C DE875968C DEL9982A DEL0009982A DE875968C DE 875968 C DE875968 C DE 875968C DE L9982 A DEL9982 A DE L9982A DE L0009982 A DEL0009982 A DE L0009982A DE 875968 C DE875968 C DE 875968C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carbon
- semiconductor
- layer
- systems
- electrically
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Bei .der .Herstellung von Flächengleichrichtern, insbesondere mit Germanium oder ähnlichen Halbleitern, welche imstande sind, große Stromdichten zu transportieren, besteht die grundsätzliche Schwierigkeit, Elektroden anzubringen, welche unter dem Einfluß der sie durchfließenden hohen Ströme und der dabei unter Umständen auftreffenden hohen Temperatur nicht in chemische Wechselwirkung mit dem Halbleitermaterial treten. Eines der wenigen Materialien, mit dem sich dieses Ziel erreichen läßt, ist der Kohlenstoff. Leider lag dieser bisher in technisch brauchbarer Form nur als Graphit vor, welches stets eine poröse Struktur und geringe Dichte aufweist. Infolgedessen war es bisher nicht möglich, elektrisch und thermisch hoch beanspruchbare Schichten, welche sich gegenüber der Diffusion von Metallionen als undurchlässig erwiesen, aus derartigen Köhlenstoffmodifikationen für die fraglichen Halbleitersysteme zu verwenden. Dieses wird erst möglich, wenn man durch Verdampfen im Lichtbogen bei vermindertem Druck bzw. im Vakuum Kohlenstoffschichten erzeugt.
- Die Erfindung bezieht sich auf ein .elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Sperrschichtgleichrichter oder gesteuerte Halbleitersysteme mit einem Halbleiter aus einem Element der 4. Gruppe des Periodischen Systems, vorzugsweise Germanium oder Silicium, oder einer Verbindung dieser Elemente, das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß es eine oder mehrere sperrschichtfreie Elektroden enthält, die mindestens zum Teil aus einer durch Verdampfen bei vermindertem Druck aufgebrachten Kohlenstoffschicht bestehen. Selbstverständlich kann diese Kohlenstoffschicht ihrerseits mit Materialienbedeckt werden, die auf den eigentlichen Vorgang der Unsymmetrie der elektrischen Leitung ohne Einfluß sind, aber die technologische Verwendung solcher Systeme erleichtern, indem sie z. B. das Anlöten oder Anschrauben von Kontakten und Zuleitungen ermöglichen. Somit ist also unter Elektrode in diesem Fall lediglich der Kohlenstoff zu verstehen.
- Die Dicke der Kohlenstoffschicht wird so gewählt, daß sie mindestens io-5 cm beträgt.
- Bewährt hat sich ein Verfahren zum Herstellen solcher elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme, bei dem die Kohlenstöffschicht auf den Halbleiter durch Verdampfen im Vakuum aufgebracht wird. Dies erfolgt vorteilhaft dadurch, daß man den Kohlenstoff mittels Lichtbogen zwischen Kohlenstoffelektroden im Vakuum verdampft und die zu bedampfenden Halbleiter zweckmäßig vor den Fußpunkten des Bogens anordnet. Dabei bildet sich eine Graphitschicht, die ein metalldichtes Gefüge besitzt. Es ist vorteilhaft, die Halbleiterschicht vor dem Aufbringen des Kohlenstoffes aufzuraühen.
- Außerdem hat es sich als günstig herausgestellt, vor dem Aufbringen des Kohlenstoffes den Halbleiter mit einer metallischen Schicht, beispielsweise aus Molybdän, zu versehen, das gegenüber dem Kohlenstoff chemische Bindungskräfte besitzt. Diese Schicht soll eine Stärke von weniger als io-4 cm, vorzugsweise io-5 cm, aufweisen.
- Die Figuren zeigen schematisch die Schichtenfolge für zwei Beispiele gemäß der Lehre der Erfindung. In Fig. i ist i eine gesandete Germaniumschicht, auf die eine Kohlenstoffschicht 2 von mindestens io-4 cm Stärke aufgedampft wird. In Fig. 2 ist das gesandete Silicium 3 mit einer Molybdänschicht 4 von io-5 cm Stärke bedampft, auf die die Kohlenstoffschicht 6 von 1o-4 cm aufgedampft ist.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Sperrschichtgleichrichter oder gesteuertes Halbleitersystem, mit einem Halbleiter aus einem Element der 4.. Gruppe des Periodischen Systems, vorzugsweise Germanium oder Silicium, oder einer Verbindung der Elemente, dadurch gekennzeichnet, daß es eine oder mehrere sperrschichtfreie Elektroden enthält, die mindestens zum Teil aus einer durch Verdampfen bei vermindertem Druck aufgebrachten Kohlenstoffschicht bestehen.
- 2. System nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Kohlenstoffschicht mindestens io 5 cm beträgt.
- 3. Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere Sperrschichtgleichrichtern oder gesteuerten Halbleitersystemen nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Halbleiter die Kohlenstoffschicht durch Verdampfen im Vakuum aufgebracht wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdampfung des Kohlenstoffes mittels Lichtbogen zwischen den Köhlenstoffelektroden im Vakuum erfolgt, zweckmäßig derart, daß der zu bedampfende Halbleiter vor den Fußpunkten des Bogens angeordnet wird.
- 5. Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere Sperrschichtgleichr;ichtern oder: gesteuerten Halbleitersystemen nach Anspruch i oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, däß die Halbleiterschicht vor Aufbringung des Kohlenstoffes: aufgerauht wird.
- 6. Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere Sperrschichtgleichrichtern oder gesteuertenHalbleitersystemen nach Anspruch i öder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen des Kohlenstoffes der Halbleiter mit einer metallischen Schicht aus einem Material versehen wird, das gegenüber dem Kohlenstoff chemische Bindungskräfte besitzt.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Schicht i0-4 cm oder weniger, vorzugsweise io-5 cm, beträgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL9982A DE875968C (de) | 1951-09-04 | 1951-09-04 | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL9982A DE875968C (de) | 1951-09-04 | 1951-09-04 | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE875968C true DE875968C (de) | 1953-05-07 |
Family
ID=7258237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL9982A Expired DE875968C (de) | 1951-09-04 | 1951-09-04 | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE875968C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1068394B (de) * | 1959-11-05 | |||
EP0072938A2 (de) * | 1981-08-20 | 1983-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Chipträger |
-
1951
- 1951-09-04 DE DEL9982A patent/DE875968C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1068394B (de) * | 1959-11-05 | |||
EP0072938A2 (de) * | 1981-08-20 | 1983-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Chipträger |
EP0072938A3 (en) * | 1981-08-20 | 1985-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of connecting a semiconductor chip to a chip carrier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2824564C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden | |
DE1056746B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE1444496A1 (de) | Epitaxialer Wachstumsprozess | |
DE1464363B1 (de) | Unipolartransistor | |
DE1952626B2 (de) | Verfahren zur herstellung von isolationsschichten auf halbleitersubstraten durch hochfrequenz-kathodenzerstaeubung | |
DE3029171A1 (de) | Verfahren zur herstellung von poroesen metallfilmen | |
DE2628366B2 (de) | Verfahren zur herstellung duenner einkristallschichten | |
DE2644208C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage | |
DE1200403B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch isolierenden Schicht zwischen zwei duennen, elektrisch leitenden Schichten | |
DE875968C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System | |
DE1614233B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE1187286B (de) | Verfahren zur Herstellung einer isolierenden Schicht durch Aufdampfen | |
DE2039734A1 (de) | Verbessertes Metall-Isolator-Halbleiter-Bauelement | |
DE1256995B (de) | Verfahren zur Erzeugung supraleitender Schichten fuer Lochspeicherelemente durch Vakuumaufdampfen | |
DE1275221B (de) | Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes | |
DE881973C (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen | |
DE1105068B (de) | Verfahren zur Herstellung von Vielfachdioden | |
DE2217775A1 (de) | Verfahren zur Herstellung stabiler Tantal-Aluminium-Dünnschichten | |
DE2534414A1 (de) | Magneto-widerstand und verfahren zu dessen herstellung | |
DE887542C (de) | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit | |
DE736758C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters vom Selentyp mit Traegerelektrode aus Leichtmetall | |
DE1278194B (de) | Verfahren zum Vakuumaufdampfen von stabilen duennen Siliciummonoxyd-Schichten | |
DE891300C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System | |
DE2247579B2 (de) | Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben für Solarzellen | |
DE1764756A1 (de) | Duennschicht-Feldeffekt-Halbleiterbauelement |