DE763889T1 - Akustisches oberflächenwellenfilter - Google Patents
Akustisches oberflächenwellenfilterInfo
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- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical group [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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-
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Claims (7)
1. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter mit:
einem piezoelektrischen Substrat;
einem piezoelektrischen Substrat;
einer ersten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT (Interdigitalwandler), zwei Empfangs-IDTs,
die außerhalb der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren, die außerhalb der zwei
Empfangs-IDTs ausgebildet sind;
einer zweiten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren,
die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet sind, und die mit der ersten strukturierten Elektrodenanordnung
verknüpft ist,
wobei das akustische Oberflächenwellenfilter durch einen
symmetrischen gitterartigen Schaltkreis dargestellt wird, der durch eine Reihenzweig-Impedanz und eine Parallelzweig-Impedanz
dargestellt wird und zu selbigen elektrisch gleichwertig ist,
wobei mindestens zwei Resonanzen der Reihenzweig-Impedanz und mindestens drei Resonanzen der Parallelzweig-Impedanz
dazu benutzt werden, um einen Durchlaßbereich zu bilden.
2. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter mit:
einem piezoelektrischen Substrat;
einem piezoelektrischen Substrat;
einer ersten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-AAusgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb
der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren,
die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet sind;
einer zweiten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb
der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren, die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet
sind, und die mit der ersten strukturierten Elektrodenanordnung verknüpft ist,
wobei das akustische Oberflächenwellenfilter durch einen symmetrischen gitterartigen Schaltkreis dargestellt wird,
der durch eine Reihenzweig-Impedanz und eine Parallelzweig-Impedanz dargestellt wird und zu selbigen elektrisch
gleichwertig ist,
wobei mindestens drei Resonanzen der Reihenzweig-Impedanz
und mindestens zwei Resonanzen der Parallelzweig-Impedanz dazu benutzt werden, um einen Durchlaßbereich zu bilden.
3. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter mit: einem piezoelektrischen Substrat;
einer ersten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb
der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren,
die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet sind;
einer zweiten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb
der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren,
die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet sind, und die mit der ersten strukturierten Elektrodenanordnung
verknüpft ist,
wobei das akustische Oberflächenwellenfilter durch einen
symmetrischen gitterartigen Schaltkreis dargestellt wird, der durch eine Reihenzweig-Impedanz und eine Parallelzweig-Impedanz
dargestellt wird und zu selbigen elektrisch gleichwertig ist,
wobei mindestens drei Resonanzen der Reihenzweig-Impedanz
und mindestens drei Resonanzen der Parallelzweig-Impedanz
dazu benutzt werden, um einen Durchlaßbereich zu bilden.
4. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter mit:
einem piezoelektrischen Substrat;
einem piezoelektrischen Substrat;
einer ersten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb
der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren,
die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet sind;
einer zweiten strukturierten Elektrodenanordnung, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet ist, mit einem
Eingangs-/Ausgangs-IDT, zwei Empfangs-IDTs, die außerhalb
der Eingangs-/Ausgangs-IDT ausgebildet sind und zwei Reflektoren, die außerhalb der zwei Empfangs-IDTs ausgebildet
sind, und die mit der ersten strukturierten Elektrodenanordnung verknüpft ist,
wobei ein Spalt L zwischen dem Eingangs-/Aus gangs-IDT und
den Empfangs-IDTs, die sich jeweils in der ersten strukturierten Elektrodenanordnung befinden, und die zweite struk-
4
turierte Elektrodenanordnung der Formel
turierte Elektrodenanordnung der Formel
{n/2 - 0.10) &lgr; <; L <; (n/2 - 0.025) &lgr;
genügen, worin &lgr; eine Wellenlänge der akustischen Oberflächenwellen
und &eegr; eine natürliche Zahl darstellt.
5. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine natürliche &eegr; zur Festlegung
des genannten Spalts L kleiner oder gleich 5 ist.
6. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das piezoelektrische
Substrat Lithiumtetraborat ist.
7. Ein akustisches Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das piezoelektrische Substrat ein über 40° und unter 45° gedrehtes X-Schnitt- und Z-Ausbreitungs-Lithiumtetraborat
ist.
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