DE759357C

DE759357C - Verfahren zur Herstellung einer sekundaeremittierenden Elektrode grosser Oberflaeche

Info

Publication number: DE759357C
Application number: DEL98005D
Authority: DE
Inventors: Gerhard Dr-Ing Gille
Original assignee: AEG AG
Current assignee: AEG AG
Priority date: 1939-05-16
Filing date: 1939-05-17
Publication date: 1955-01-13

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine sekundärelektronenemittierende Schicht sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben. Solche Schichten können in Verstärkerröhren mit Sekundäremission, insbesondere auch in Vervielfachern Verwendung finden. Die Sekundäremission solcher Schichten soll ihrem Zweck entsprechend möglichst hoch sein, wozu erforderlich ist, daß nicht nur der Stoff, aus dem die Schicht besteht, an sich bereits einen genügend hohen Sekundäremissionskoeffizienten hat, sondern auch, daß er einmal den einfallenden Primärelektronen eine große

Oberfläche bietet und dann, daß diese Oberfläche so ausgebildet ist, daß möglichst viele Primärelektronen streifend einfallen, weil dann die Sekundärelektronenbeute am größten ist. Die Erfindung· betrifft nun verschiedene Verfahren zur Herstellung sekundäremittierender Elektroden großer Oberfläche, bei denen auch diese letztgenannte Bedingung erfüllt ist.

Nach der Erfindung wird zunächst ein Block aus zwei durch geeignete Behandlung in verschiedenem Maße abtragbaren Stoffen hergestellt, indem äußerst dünne planparallele

Schichten etwa gleicher Dicke dieser Stoffe abwechselnd in erforderlicher Anzahl aufeinandergelegt werden. Alsdann wird dieser Block senkrecht zu den Schichten durchschnitten und schließlich an dieser als sekundäremittierende Oberfläche bestimmten Schnittfläche eine die beiden Stoffe verschieden abtragende Behandlung vorgenommen, durch die die Oberfläche, in Richtung der ίο Schichten gesehen, eine Zackenstruktur enthält; darauf kann gegebenenfalls die Oberfläche noch aktiviert werden.

Unter Abtragbarkeit ist allgemein eine Empfindlichkeit des Aufbaues gegenüber iS störenden Kräften gedacht, also z. B. eine Löslichkeit gegenüber chemischen Mitteln, z. B. Säuren, aber auch eine Angreifbarkeit gegenüber Erwärmung, mit anderen Worten eine Verdampfbarkeit.

Insbesondere können die beiden aufeinanderliegenden Schichten wechselweise aus einem gut sekundäremittierenden Stoff, z. B. Beryllium, Berylliumlegierung, und einem Stoff höherer Verdampfbarkeit, z. B. Zink oder Kupfer, bestehen, wenn dann die Auflösung der Oberfläche durch Erhitzen erfolgt. Offensichtlich verdampft der Stoff höheren Dampfdruckes schneller als der andere sekundäremittierende Stoff, so daß ein etwa einem optischen Gitter entsprechender Zackenwall von sekundäremittierenden Stoffen übrigbleibt. Zweckmäßig wird auch die Gitterkonstante dieses Gitters von der Größenordnung der optischen Gitter oder noch kleiner gemacht, so daß die Zacken schmal werden und daher auch die tiefer ausgelösten Sekundärelektronen die Möglichkeit haben, seitlich aus diesen Zacken austreten zu können. In ähnlicher Weise kann eine Herstellung der Schicht erfolgen, wenn man zu dem Stoff hoher Sekundäremission einen anderen Stoff hinzufügt und alsdann ein chemisches Mittel anwendet, welches diesen zweiten Stoff stärker angreift als den sekundäremittierenden Stoff, so daß auch in diesem Fall die gleiche Wirkung erzielt wird, wie bei dem zuvor beschriebenen Verdampfungsverfahren.

Es kann zweckmäßig sein, die Elektrode nicht aus zwei Metallen, sondern aus einem (vorzugsweise gut sekundäremittierenden) Metall und aus einem Isolator oder Halbleiter herzustellen. In diesem Fall kann durch eine zur sekundäremittierenden Oberfläche parallele Hilfselektrode das gewünschte Potential an die einzelnen metallischen Lamellen gelegt werden, wobei die Potentialteilung auch an den Isolatoren immer noch hinreichend sein kann, um auch hier eine Sekundäremission zu ermöglichen.

Gegebenenfalls muß, falls die verwendeten Stoffe keine oder eine ungenügende Leitfähigkeit aufweisen, eine nachträgliche Aktivierung der Oberfläche vorgenommen werden, wobei natürlich die verwendeten Hochemissionsschichten so dünn sein müssen, daß sie die vorher erzielte Gitter- oder Zackenstruktur nicht zerstören.

Die erforderliche, einerseits gleichmäßige, andererseits geringere Dicke der abwechselnden Schichten wird zweckmäßig durch Herstellen dieser Schichten nach dem Aufdampfverfahren erreicht.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

I. Verfahren zur Herstellung einer sekundäremittierenden Elektrode großer Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst ein Block aus zwei durch geeignete Behandlung in verschiedenem Maße, z. B. durch einen chemischen Angriff oder durch Erwärmung, abtragbaren Stoffen hergestellt wird, indem äußerst dünne planparallele Schichten etwa gleicher Dicke dieser Stoffe abwechselnd in erforderlicher Anzahl aufeinandergelegt werden, von denen mindestens der in geringerem Maße abtragbare Stoff sekundäremissionsfähig ist, daß alsdann dieser Block senkrecht zu den Schichten durchschnitten und schließlich an dieser als sekundäremittierende Oberfläche bestimmten Schnittfläche eine die beiden Stoffe verschieden abtragende Behandlung vorgenommen wird, durch die die Oberfläche, in Richtung der Schichten gesehen, eine Zackenstruktur erhält, worauf gegebenenfalls diese Oberfläche aktiviert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Schichten des einen Werkstoffes ein gut sekundäremittierender Stoff, etwa Beryllium oder eine Berylliumlegierung, für die Schichten des anderen Werkstoffes ein Stoff höherer Verdampfbarkeit, etwa Zink oder Kupfer, verwendet wird und daß die Abtragung durch Erhitzung erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Schichten des einen Werkstoffes ein gut sekundäremittierender Stoff, etwa Beryllium oder eine Berylliumlegierung, verwendet wird und daß die Abtragung durch einen chemischen Angriff mit einem Mittel erfolgt, welches den anderen Stoff stärker angreift als den sekundäremittierenden Stoff.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder den folgenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß für die Schichten des einen Werkstoffes ein vorzugsweise gut sekundäremittierendes Metall, etwa Beryllium

oder eine Berylliumlegierung, für die Schichten des anderen Werkstoffes ein Isolator oder Halbleiter verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder den folgenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die abwechselnden Schichten durch Aufdampfen hergestellt werden. Zur Abgrenzung des Erfindungsgegenstands vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden:

Österreichische Patentschrift Nr. 135959;

schweizerische Patentschriften Nr. 199029, 202 649.

© 95S5 1.55