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Hintergrund der Erfindung
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft ein Halbleiteremissionselement, das eine Mehrzahl
von emittierenden Abschnitten auf dem gleichen Substrat umfasst,
und ein Herstellungsverfahren.
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2. Beschreibung des Stands
der Technik
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Bisher
sind verschiedene Arten von Vorrichtungen wie etwa eine optische
Platteneinrichtung, ein Laserstrahldrucker, ein Kopierer usw. unter
Verwendung einer Laserdiode (LD), die ein Halbleiteremissionselement
ist, entwickelt worden. In jüngerer
Zeit ist ein Hochgeschwindigkeitsbetrieb und ein überlegenes
Betriebsverhalten in jeder dieser Vorrichtungen untersucht worden,
und die Verwendung einer Mehrzahl von Laserstrahlen wird als ein
Verfahren angesehen, dies zu erreichen. Beispielsweise kann die Lesegeschwindigkeit
bei einer optischen Platte auf einfache Weise schneller ausgelegt
werden, indem gleichzeitig eine Mehrzahl von Spuren unter Verwendung
einer Mehrzahl von Laserstrahlen gelesen werden. Dementsprechend
ist die Entwicklung eines Halbleiterlasers (d.h. eines Mehrfachstrahllasers), der
in der Lage ist, gleichzeitig eine Mehrzahl von Laserstrahlen zu
emittieren, erforderlich geworden.
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1 zeigt
eine auseinandergenommene Konfiguration eines Mehrfachstrahllasers
des Stands der Technik. Der Mehrfachstrahllaser umfasst vier Laseroszillatoren 120,
die auf dem gleichen Substrat 111 gebildet sind, und jeweils
eine Kontaktelektrode 181, die jeweils auf einer Basis 180 gebildet ist,
ist elektrisch über
jeweils einer Leitung 182 mit jeder Elektrode 115 verbunden.
Obwohl in der Figur nicht gezeigt, ist jeder Leitungsverbindungsabschnitt
zum Verbinden einer Elektrode über
jeweils eine Leitung jeweils in jeder der Leitungen 182 bereitgestellt.
Jeder der Laseroszillatoren 20 ist jeweils mit einer Energiequelle
(in der Figur nicht gezeigt) über
jede Leitung verbunden, die jeweils mit jedem der Leitungsverbindungsabschnitte
verbunden ist.
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Wenn
ein derartiger Mehrfachstrahllaser hergestellt wird, wird zunächst jeder
der Laseroszillatoren 120 jeweils auf dem Substrat 111 gebildet.
Als Nächstes
wird entfernt davon jede der Kontaktelektroden 181 jeweils
in der Basis 180 gebildet, bevor sie jeweils mit jedem
der Laseroszillatoren 120, die auf dem Substrat 111 gebildet
sind, und jeder Kontaktelektroden 181, die in der Basis 180 gebildet
sind, miteinander verbunden werden. Dementsprechend tritt ein Problem
bei diesem Mehrfachstrahllaser dahingehend auf, dass eine Massenproduktion
schwierig ist, da eine Ausrichtung der Position jeder der Laseroszillatoren 120 und
jeder der Kontaktelektroden 181 schwierig wird, wenn die
Abstände
zwischen jedem der Laseroszillatoren 120 äußerst eng
werden. In jüngerer
Zeit ist eine Idee eines Platzierens des Substrats 111 auf
der Basis 180, wobei die Seite des Substrats 111 mit
dem Laseroszillator zu der gegenüberliegenden
Seite der Basis 180 platziert ist, in Erwägung gezogen
worden. Ein Mehrfachstrahllaser kann auf einfache Weise hergestellt
werden, ohne dass ein Problem hinsichtlich der Ausrichtung der Position
auftritt, wenn das Substrat 111 so ausgeführt ist,
dass es durch die Basis 180 gehalten wird, wie beschrieben.
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Jedoch
wird andererseits in einem Fall, bei dem die Seite des Substrats 111 mit
dem Laseroszillator 120 zu der gegenüberliegenden Seite der Basis 180 hin
platziert ist, eine Wärmestrahlung,
die in jedem der Laseroszillatoren 120 erzeugt wird, ein
Problem verglichen mit einem Fall des Stands der Technik. Beispielsweise
kann in einem Fall, bei dem die Seite des Substrats 111 mit
dem Laseroszillator 120 zu der Seite der Basis 180 hin
platziert ist, wie in dem Stand der Technik, die Basis 180 ausgeführt werden, eine
Abstrahlfunktion aufzuweisen, indem sie aus einem Material mit einer
hohen thermischen Leitfähigkeit
wie etwa Aluminiumnitrid (AlN) gebildet wird, so dass die Wärme, die
jedem der Laseroszillatoren 120 erzeugt wird, aktiv über die
Basis 180 abgestrahlt werden kann. Im Gegensatz dazu wird
in einem Fall, bei dem die Seite des Substrats 111 mit
dem Laseroszillator 120 zu der gegenüberliegenden Seite der Basis 180 hin
platziert wird, der Abstand zwischen dem Laseroszillator 120 und
der Basis 180 größer, so dass
die Abstrahlfunktion der Basis 180 nicht erwartet werden
kann. Dementsprechend besteht in einem Fall, bei dem die Seite des
Substrats 111 mit dem Laseroszillator 120 zu der
gegenüberliegenden
Seite der Basis 180 hin platziert ist, ein Problem dahingehend,
dass ein Schwellenstrom jedes der Laseroszillatoren 120 erhöht ist und
dass die Emissionsleistung verringert ist, außer, wenn die Abstrahlung der
Wärme auf
andere Art gefördert
wird.
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Die
Erfindung ist ausgelegt, die voranstehenden Probleme zu lösen. Die
der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, ein Halbleiteremissionselement,
das auf einfache Weise hergestellt werden kann, wobei die Abstrahlung
gefördert
wird, und ein Herstellungsverfahren bereitzustellen.
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Die
US 5,307,360 offenbart eine
Zeile von Halbleiterlasern. Um die Wärme, die während des Betriebs erzeugt,
abzuleiten, ist diese Zeile von Lasern durch ein dickes Metallband
verdrahtet, das an die Mesas gelötet
ist, die die Laserkavitäten
umgeben. Die andere elektrische Polarität wird durch die Halteplatte über das
Substrat angelegt.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Ein
Halbleiteremissionselement der Erfindung umfasst: eine Basis; ein
Substrat, das von der Basis gehalten wird; eine Mehrzahl von emittierenden
Abschnitten, die jeweils aus einer Mehrzahl von Halbleiterschichten
bestehen, die gebildet sind, indem sie auf die Seite des Substrats
gegenüberliegend
der Basis laminiert sind; eine Mehrzahl von ohmschen Elektroden, die
jeweils auf der Seite der Mehrzahl emittierender Abschnitte gegenüberliegend dem
Substrat bereitgestellt sind, die jedem der emittierenden Abschnitte
entsprechen, während
sie elektrisch mit jedem der emittierenden Abschnitte verbunden
sind; und zumindest eine zum Abstrahlen von Wärme geeignete Schicht, die
auf den ohmschen Elektroden gebildet ist, wie auch eine Mehrzahl
von Energiequellen-Verbindungsabschnitten,
die jeweils mit dem gleichen Material wie jede der ohmschen Elektroden
auf der Seite der Mehrzahl der emittierenden Abschnitte gegenüberliegend
der Seite des Substrats gebildet sind, während sie elektrisch mit jeder der
ohmschen Elektroden entsprechend verbunden sind.
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Ein
Herstellungsverfahren für
ein Halbleiteremissionselement der Erfindung weist die Schritte auf:
jeweiliges Bilden einer Mehrzahl von Emissionsabschnitten, die jeweils
aus einer Mehrzahl von Halbleiterschichten ausgeführt werden,
die gebildet werden, indem sie auf ein Substrat laminiert werden;
jeweiliges Bilden einer Mehrzahl von ohmschen Elektroden auf jedem
der emittierenden Abschnitte, die elektrisch entsprechend verbunden
werden; Bilden von zumindest einer Abstrahlschicht auf den ohmschen
Elektroden; und Halten des Substrats durch eine Basis, indem die
Basis der Seite des Substrats gegenüberliegend den emittierenden
Abschnitten gegenübergestellt
wird; wie auch ein Bilden einer Mehrzahl von Energiequellen-Verbindungsabschnitten
mit dem gleichen Material wie jede der ohmschen Elektroden, die
elektrisch mit jeder der ohmschen Elektroden entsprechend verbunden
werden.
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In
dem Halbleiteremissionselement der Erfindung fließt ein elektrischer
Strom in jedem der Emissionsabschnitte über jeweils die ohmschen Elektroden
und eine Emission tritt in dem Emissionsabschnitt auf. Zu dieser
Zeit tritt eine Erzeugung von Wärme
in dem Emissionsabschnitt auf, die erzeugte Wärme wird jedoch aktiv durch
die Abstrahlschicht abgestrahlt. Folglich wird der Einfluss durch
die Erzeugung von Wärme
eliminiert und eine Verschlechterung des Betriebsverhaltens des
Emissionsabschnitts wird unterdrückt.
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Bei
einem Herstellungsverfahren für
ein Halbleiteremissionselement der Erfindung werden eine Mehrzahl
von Emissionsabschnitten, die jeweils aus einer Mehrzahl von Halbleiterschichten
ausgeführt
sind, die gebildet sind, indem sie auf ein Substrat laminiert sind,
jeweils gebildet. Ferner werden eine Mehrzahl von ohmschen Elektroden
jeweils auf dem Substrat jedes Emissionsabschnitts gebildet, während zumindest
eine Abstrahlschicht auf dem Emissionsabschnitt gebildet wird. Ferner
wird das Substrat durch eine Basis gehalten, indem die Basis ausgeführt wird,
der gegenüberliegenden
Seite der Emissionsabschnitte des Substrats gegenüberzustehen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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In
den Zeichnungen zeigen:
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1 einen
Querschnitt, der eine Konfiguration eines Mehrfachstrahllasers des
Stands der Technik zeigt;
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2 einen
Querschnitt, der eine Konfiguration des Halbleiterlasers gemäß der ersten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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3 eine
zerlegte perspektivische Ansicht, die einen Teil des Halbleiterlasers
zeigt, der in 2 gezeigt ist;
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4 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur des in 2 gezeigten
Halbleiterlasers zeigt;
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5 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 4 folgt;
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6 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 5 folgt;
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7 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 6 folgt;
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8 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 7 folgt;
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9 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 8 folgt;
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10 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 9 folgt;
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11 eine
perspektivische Ansicht, die ein Konfiguration des Halbleiterlasers
gemäß der zweiten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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12 eine
perspektivische Ansicht, die eine Prozedur zum Herstellen des Halbleiterlasers zeigt,
der in 11 gezeigt ist;
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13 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 12 folgt;
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14 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 13 folgt;
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15 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 14 folgt;
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16 eine
perspektivische Ansicht, die eine Konfiguration des Halbleiterlasers
gemäß der dritten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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17 eine
perspektivische Ansicht, die eine Prozedur zum Herstellen des Halbleiterlasers zeigt,
der in 16 gezeigt ist;
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18 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 17 folgt;
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19 eine
perspektivische Ansicht, die eine Herstellungsprozedur zeigt, die 18 folgt;
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20 eine
perspektivische Ansicht, die eine Konfiguration des Halbleiterlasers
gemäß der vierten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt; und
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21 eine
perspektivische Ansicht, die eine Konfiguration des Halbleiterlasers
gemäß der fünften Ausführungsform
zeigt.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsformen
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Bevorzugte
Ausführungsformen
der Erfindung werden im Detail unter Bezugnahme auf die Figuren
im Folgenden beschrieben werden.
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[Erste Ausführungsform]
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2 zeigt
eine teilweise Querschnittskonfiguration eines Halbleiterabschnitts,
der ein Halbleiteremissionselement ist, gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung. 3 zeigt einen Teil des Halbleiterlasers,
der in 2 gezeigt ist, indem er auseinandergenommen ist. 2 ist
eine Querschnittskonfiguration, genommen entlang einer I-I-Linie,
die in 3 gezeigt ist.
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Der
Halbleiterlaser, wie er in 2 gezeigt ist,
umfasst Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d als
eine Mehrzahl (in diesem Fall vier) von lichtemittierenden Abschnitten,
die jeweils auf einer Flächen-(110-Ebenen-)
Seite des gleichen Substrats 11 mit einer Trennungsnut 12 dazwischen
platziert sind. Hier sind der Laseroszillator 20a und der
Laseroszillator 20d jeweils auf der äußeren Seite der Platzierungsrichtung
B platziert, und der Laseroszillator 20b ist auf der inneren
Seite der Platzierungsrichtung B platziert, indem er angrenzend
an den Laseroszillator 20a ist, während der Laseroszillator 20c auf
der inneren Seite der Platzierungsrichtung B platziert ist, indem
er angrenzend an den Laseroszillator 20d ist. Ferner ist
die Platzierungsrichtung B eine Richtung vertikal zu der Resonatorrichtung
A, wie in 3 gezeigt.
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Die
Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d nehmen
jeweils die Form eines Quaders an, der gebildet ist, indem die Seitenflächen der
beiden Paare in der Kante in der Richtung parallel zu einer Fläche des
Substrats 11 sind. Die Seitenflächen eines der Paare sind jeweils
in der Kante der Resonatorrichtung A platziert, während die
Flächenseiten
des anderen Paars jeweils in der Kante in einer Richtung vertikal
zu der Resonatorrichtung A platziert sind. Die Größe jedes
der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d ist
beispielsweise 500 μm
in einer Länge
der Resonatorrichtung A und 13 μm
in der Breite in einer Richtung vertikal zu der Resonatorrichtung
A. Die Abstände
(d.h. eine Breite jeder Trennungsnut 12) zwischen den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d betragen
beispielsweise jeweils 2 μm.
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Die
Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d weisen
wechselseitig identische Konfigurationen auf. Jede n-Typ-Ummantelungsschicht 21,
jede aktive Schicht 22, jede p-Typ-Ummantelungsschicht 23 und jede
Abdeckschicht 24 sind jeweils in dieser Reihenfolge von
der Seite des Substrats 11 zu einer Richtung vertikal zu
einer Fläche
des Substrats 11 laminiert. D.h., dass die Seitenflächen der
beiden Paare jedes der Oszillatoren jeweils in der Kante einer Richtung
vertikal zu der Laminierungsrichtung jeder Halbleiterschicht platziert
sind.
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Jede
der n-Typ-Ummantelungsschichten 21 ist beispielsweise 2 μm in einer
Dicke in einer Richtung vertikal (einfach bezeichnet im Folgenden
als eine Dicke) zu einer Fläche
des Substrats 11 und jeweils aus einem n-Typ-AlGaAs-Mischkristall
gebildet, in welches Silizium (Si) oder Selen (Se) als n-Typ-Verunreinigungen
hinzugefügt
sind. Das Mischungsverhältnis
des n-Typ-AlGaAs-Mischkristalls in einem Klasse-III-chemischen Element
ist beispielsweise Aluminium (Al), das 45 % beträgt (Mol %: im Folgenden gleich)
und Gallium (Ga), das 55 % beträgt.
Jede der aktiven Schichten 22 ist beispielsweise 80 nm
in der Dicke und jeweils mit einem i-AlGaAs-Mischkristall (i zeigt, dass keine Verunreinigungen
hinzugefügt
sind), in welchem keine Verunreinigungen beigefügt sind. Das Mischungsverhältnis des AlGaAs-Mischkristalls
in einem Klasse-III-chemischen Element ist beispielsweise Aluminium,
das 14 beträgt
und Gallium, das 86 beträgt.
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Jede
der n-Typ-Ummantelungsschichten 23 ist beispielsweise 2,5 μm in der
Dicke und jeweils mit einem p-Typ-AlGaAs-Mischkristall gebildet, in welches Zink
(Zn) als p-Typ-Verunreinigungen
hinzugefügt
sind. Das Mischungsverhältnis
des n-Typ-AlGaAs-Mischkristalls ist beispielsweise Aluminium, das 45
beträgt,
und Gallium, das 55 beträgt.
Jede der Abdeckschichtungen 24 ist beispielsweise 0,5 μm in der Dicke
und mit einem p-Typ-GaAs-Mischkristall gebildet, in welches Zink
als p-Typ-Verunreinigungen hinzugefügt ist.
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Eine
Stromblockierungsschicht 25 ist an beiden Seiten entlang
des Resonators A in einem Abschnitt jeder p-Typ-Ummantelungsschicht 23 in einer Laminierungsrichtung
eingeführt.
D.h., dass ein Abschnitt in einer Laminierungsrichtung jeder Breite
jeder p-Typ-Ummantelungsschicht 23,
die vertikal zu dem Resonator A ist, enger wird, wobei ein Stromverengungsabschnitt 23a gebildet
wird. Die Breite des Stromverengungsabschnitts 23a beträgt beispielsweise
4 μm. Jede
der Stromblockierungsschichten 25 ist beispielsweise 1 μm in der
Dicke und ist jeweils mit n-Typ-GaAs gebildet, in welches Silizium
oder Selen als n-Typ-Verunreinigungen
hinzugefügt
sind.
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Ferner
ist das Substrat 11 beispielsweise 100 μm in der Dicke und mit n-Typ-GaAs
gebildet, in welches Silizium oder Selen als n-Typ-Verunreinigungen
hinzugefügt
sind.
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Die
Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d umfassen
auch, wie in 3 gezeigt, ein Paar von durchgehenden
Randflächenfilmen 26 und 27 in
einem Paar der Seitenflächen,
die in der Kante der Resonator-A-Richtung angeordnet sind. Der Randflächenfilm 26 ist
mit Aluminiumoxid (Al2O3)
gebildet, das eine niedrige Reflexionsrate aufweist, während der
Randflächenfilm 27 durch
ein alternierendes Laminieren einer Aluminiumoxidschicht und einer
amorphen Siliziumschicht gebildet ist, das eine hohe Reflexionsrate
aufweist. D.h., dass das Licht, das in der aktiven Schicht 22 erzeugt
wird, verstärkt
wird, indem es zwischen einem Paar von Randflächenfilmen 26 und 27 hin
und her geht und als der Laserstrahl jeweils emittiert wird.
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Eine
Einbettungsschicht 12a, die beispielsweise aus einem Isolator
wie etwa Polyimid ausgebildet ist, ist in jeder Trennungsnut 12 zwischen
den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d gebildet.
Jede der Einbettungsschichten 12a ist jeweils von der Fläche des
Substrats 11 zu der Position gebildet, die den p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d entspricht,
die später
zu beschreiben sind. D.h., dass die Fläche auf der Seite der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c, 20d in
der Position abgeflacht ist, die den p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c, 15d entspricht,
die später
zu beschreiben sind.
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Ein
Extraktionsabschnitt 13a, der gegenüberliegend dem Substrat 11 gebildet
ist, ist auf der äußeren Seite
des Laseroszillators 20a in einer Platzierungsrichtung
B verlängert
von dem Laseroszillator 20a bereitgestellt. Ferner ist,
wie bei dem Laseroszillator 20a, ein Extraktionsabschnitt 13b,
der auf dem Substrat 11 gebildet ist, auf der äußeren Seite des
Laseroszillators 20d in einer Platzierungsrichtung B verlängert von
dem Laseroszillator 20d gebildet. Die Extraktionsabschnitte 13a und 13b weisen die
gleichen Konfigurationen wie jene der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d auf,
außer
dass sie den Stromverengungsabschnitt 23a nicht umfassen.
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Die
Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a und 14b zum
elektrischen Verbinden einer Energiequelle (in der Figur nicht gezeigt)
mit den Laseroszillatoren 20a und 20b entsprechend
näher an
dem Extraktionsabschnitt 13a sind jeweils auf der gegenüberliegenden
Seite des Substrats 11 des Extraktionsabschnitts 13a gebildet.
Hier entspricht der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14a dem
Laseroszillator 20a und der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b dem
Laseroszillator 20b. Ferner sind, wie bei dem Extraktionsabschnitt 13a,
die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14c und 14d zum
elektrischen Verbinden der Energiequelle (in der Figur nicht gezeigt)
mit den Laseroszillatoren 20c und 20d entsprechend
näher an
dem Extraktionsabschnitt 13b jeweils auf der gegenüberliegenden
Seite des Substrats 11 der Extraktionsschicht 13b gebildet.
Hier entspricht der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14c dem
Laseroszillator 20c und der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14d dem
Laseroszillator 20d.
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Wie
beschrieben, sind die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a, 14b, 14c und 14d jeweils
in einem Umfangsbereich des Laseroszillators gebildet, so dass die
Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d durch
einen Druck nicht beeinflusst werden, wenn jeweilige Drähte verbunden
werden (in der Figur nicht gezeigt).
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Die
p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d als
ohmsche Elektroden, die elektrisch mit den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d entsprechend
verbunden sind, sind jeweils auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats 11 der
Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d bereitgestellt.
Hier entspricht die p-Seiten-Elektrode 15a dem Laseroszillator 20a,
die p-Seiten-Elektrode 15b dem Laseroszillator 20b,
die p-Seiten-Elektrode 15c dem
Laseroszillator 20c und die p-Seiten-Elektrode 15d dem Laseroszillator 20d.
Die p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d weisen
jeweils eine Konfiguration auf, bei welcher beispielsweise eine
Titan(Ti)-Schicht von 50 nm in der Dicke, eine Platin(Pt)-Schicht
von 100 nm in der Dicke und eine Gold(Au)-Schicht von 300 nm in
der Dicke von der Seite der Abdeckschicht 24 her in der
Reihenfolge laminiert sind, bevor sie durch Wärmebehandlung legiert werden.
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Ferner
ist die p-Seiten-Elektrode 15a ausgedehnt, um den Extraktionsabschnitt 13a abzudecken, der
angrenzend an den entsprechenden Laseroszillator 20a bereitgestellt
ist, während
sie aus dem gleichen Material wie der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14a gebildet
ist, der in dem Extraktionsabschnitt 13a bereitgestellt
ist. Die p-Seiten-Elektrode 15d ist,
wie die p-Seiten-Elektrode 15a, ausgedehnt, den Extraktionsabschnitt 13b abzudecken,
der angrenzend an den entsprechenden Laseroszillator 20d ist,
wobei sie aus dem gleichen Material wie der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14d gebildet ist,
der in dem Extraktionsabschnitt 13b bereitgestellt ist,
d.h., dass die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a und 14d wie
die p-Seiten-Elektroden 15a und 15d eine Konfiguration
aufweisen, bei der beispielsweise eine Titanschicht, eine Platinschicht und
eine Goldschicht von der Seite der Extraktionsabschnitte 13a und 13d in
einer Reihenfolge her laminiert sind, bevor sie durch eine Wärmebehandlung legiert
werden.
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Eine
Isolationsschicht 16a von beispielsweise 150 nm in der
Dicke, die aus Isolationsmaterialen wie etwa Siliziumnitrid (Si3N4) ausgeführt ist,
ist auf der p-Seiten-Elektrode 15a gebildet. Eine Isolationsschicht 16b,
die die gleiche Konfiguration wie die Isolationsschicht 16a aufweist,
ist auf der p-Seiten-Elektrode 15d ebenso gebildet. Öffnungen 16c zum
Freilegen der Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a und 14d sind
jeweils in den Isolationsschichten 16a und 16b gebildet.
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Eine
Extraktionselektrode 17a, die elektrisch mit der p-Seiten-Elektrode 15b entsprechend
verbunden ist, ist auf der p-Seiten-Elektrode 15b gebildet.
Die Extraktionselektrode 17a ist zu dem näheren Extraktionsabschnitt 13a hin
ausgestreckt, während sie
aus dem gleichen Material wie der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b gebildet
ist, der in dem Extraktionsabschnitt 13a bereitgestellt
ist. Der Abschnitt der Extraktionselektrode 17a, der zu
dem Extraktionsabschnitt 13a hin erstreckt ist, ist jeweils
mit der p-Seiten-Elektrode 15a und der Isolationsschicht 16a dazwischen
gebildet.
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Eine
Extraktionselektrode 17b, die elektrisch mit der p-Seiten-Elektrode 15c verbunden
ist, ist entsprechend, wie die p-Seiten-Elektrode 15b,
auf der p-Seiten-Elektrode 15c gebildet. Die Extraktionselektrode 17b ist
zu dem Extraktionsabschnitt 13b hin erstreckt, während sie
aus dem gleichen Material wie der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14c gebildet
ist. Der Abschnitt der Extraktionselektrode 17b, der zu
dem Extraktionsabschnitt 13b hin erstreckt ist, ist jeweils
mit der p-Seiten-Elektrode 15d und der Isolationsschicht 16b dazwischen
gebildet.
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Die
Extraktionselektroden 17a und 17b sind jeweils
mit Metall mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit wie etwa Gold gebildet
und sind so dick gebildet, dass Wärme aktiv abgestrahlt werden
kann. D.h., dass die Extraktionselektroden 17a und 17b eine
Funktion als die Abstrahlschichten aufweisen, die die Wärme, die
in jedem der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d erzeugt
wird, abzustrahlen. Die Dicke der Extraktionselektrode 17a und 17b ist vorzugsweise
so dick, um eine hohe Abstrahlwirkung zu erhalten. Spezifisch ist
eine Dicke von 0,5 μm
vorzuziehen, und noch mehr eine Dicke von 1 μm vorzuziehen.
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Ferner
ist die Extraktionselektrode 17a ausgeführt, die gesamte Fläche des
Laseroszillators 20b mit der p-Seiten-Elektrode 15b dazwischen abzudecken,
während
der andere Abschnitt ausgeführt
ist, die gesamte Fläche
des Laseroszillators 20a mit der Isolationsschicht 16a und
der p-Seiten-Elektrode 15a dazwischen
abzudecken, um die Abstrahlwirkung zu verbessern. Wie die Extraktionselektrode 17a ist
die Extraktionselektrode 17b ausgeführt, die gesamte Fläche des
Laseroszillators 20c mit der p-Seiten-Elektrode 15c dazwischen
abzudecken, während der
andere Abschnitt ausgeführt
ist, die gesamte Fläche
des Laseroszillators 20d mit der Isolationsschicht 16b und
der p-Seiten-Elektrode 15d dazwischen abzudecken.
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Ferner
ist der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b mit dem
gleichen Material gebildet wie die Extraktionselektrode 17a,
so dass sie mit einem Metall wie etwa das Gold wie die Extraktionselektrode 17a gebildet
ist. Ferner ist der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14c mit
dem gleichen Material wie die Extraktionselektrode 17b gebildet,
so dass sie mit einem Metall wie etwa Gold wie die Extraktionselektrode 17b gebildet
ist.
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Der
Halbleiterlaser umfasst ferner n-Seiten-Elektroden 18,
die elektrisch mit jedem der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d auf
einer Flächenseite
verbunden sind, die der anderen Flächenseite des Substrats 11 gegenübersteht.
Die n-Seiten-Elektrode 18 weist
eine Konfiguration auf, bei der beispielsweise eine Legierungsschicht
aus Gold und Germanium (Ge) von 150 nm in der Dicke, eine Nickel(Ni)-Schicht
von 50 nm in der Dicke und eine Goldschicht von 500 nm in der Dicke
von der Seite des Substrats 11 in der Reihenfolge laminiert
sind, bevor sie durch eine Wärmebehandlung
legiert werden.
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Die
n-Seiten-Elektrode 18 ist, wie in 2 gezeigt,
elektrisch mit einer Kontaktelektrode 81, die in der Basis 80 gebildet
ist, mit einer Adhäsionsschicht 82 dazwischen
verbunden. D.h., dass der Halbleiterlaser eine Konfiguration aufweist,
bei welcher das Substrat 11 durch die Basis 80 gehalten wird,
und bei welcher jeder der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d jeweils
auf der gegenüberliegenden
Seite der Basis 80 des Substrats 11 gebildet ist. Die
Basis 80 dient zum Halten des Substrats 11 und ist
beispielsweise mit Aluminiumnitrid von 150 μm in der Dicke gebildet. Die
Kontaktelektrode 81 ist mit Gold usw. gebildet, und die
Adhäsionsschicht 82 ist mit
einem Lötmittel
(einer Legierung aus Blei und Zinn) gebildet.
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Der
Halbleiterlaser, der eine derartige Konfiguration aufweist, kann
wie folgt hergestellt werden.
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4 bis 10 zeigen
jeweils die Herstellungsprozeduren. Zunächst wird, wie in 4 gezeigt,
das Substrat 11, das mit n-Typ-GaAs von 350 μm in der
Dicke gebildet ist, bereitgestellt. Ferner werden eine n-Typ-Ummantelungsschicht
21, die mit einem n-Typ-AlGaAs-Mischkristall gebildet ist, eine aktive
Schicht 22, die mit einem i-AlGaAs-Mischkristall gebildet
ist, und eine p-Typ-Ummantelungsschicht 23, die mit einem
p-Typ-AlGaAs-Mischkristall gebildet ist, auf einer Flächen-(100-Ebenen)-Seite des
Substrats 11 in der Reihenfolge durch ein MOCVD (metallorganisches
chemisches Gasphasenabscheide-)-Verfahren abgeschieden.
-
Als
Nächstes
wird das n-Typ-GaAs af der p-Typ-Ummantelungsschicht 23 durch
beispielsweise das MOVCD-Verfahren
abgeschieden, bevor eine Stromblockierungsschicht 25 durch
ein selektives Entfernen der n-Typ-GaAs-Schicht gemäß Laseroszillator-Bildungsbereichen 31a, 31b, 31c und 31d durch
beispielsweise ein reaktives Ionenätz-(RIE, Reactive Ion Etching)-Verfahren
entfernt wird.
-
Ferner
sind Bildungsbereiche einer Mehrzahl von Halbleiterlasern auf einer
Flächenseite
des Substrats 11 vorhanden, jedoch ist ein Bereich, der
einem Halbleiterlaser entspricht, dargestellt, in der Figur jeder
Prozedur gezeigt zu sein (gleich in anderen Ausführungsformen). Im Übrigen schließt ein Bildungsbereich
eines Halbleiterlasers die Laseroszillator-Bildungsbereiche 31a, 31b, 31c und 31d,
drei Trennungsbereiche 32, die zwischen jedem der Laseroszillator-Bildungsbereiche 31a, 31b, 31c und 31d platziert
sind, einen Extraktionsabschnitt-Bildungsbereich 33a, der
angrenzend an die gegenüberliegende
Seite des Trennungsbereichs 32 des Laseroszillator-Bildungsbereichs 31a platziert
ist, und einen Extraktionsabschnitt-Bildungsbereich 33b ein, der
angrenzend an die gegenüberliegende
Seite des Trennungsbereichs 32 des Laseroszillator-Bildungsbereichs 31d platziert
ist.
-
Ferner
werden, wie in 5 gezeigt, ein Teil der p-Typ-Ummantelungsschicht 23,
die mit einem p-Typ-AlGaAs-Mischkristall
gebildet ist, und eine Abdeckschicht 24, die mit einem
p-Typ-GaAs-Mischkristall gebildet ist, auf der Stromblockierungsschicht 25 und
der p-Typ-Ummantelungsschicht 23 in der Reihenfolge durch
beispielsweise ein MOCVD-Verfahren abgeschieden. Danach wird Zink
in die Abdeckschicht 24 diffundiert, dass die Abdeckschicht 24 und die
p-Seiten- Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d,
die auf dieser gebildet sind, in einem Zustand eines ohmschen Kontakts
sind.
-
Nach
einem Diffundieren von Zink, wie in 6 gezeigt,
wird ein Fotoresistfilm (in der Figur nicht gezeigt) selektiv entsprechend
jedem der Trennungsbereiche 32 auf der Abdeckschicht 24 gebildet. Ferner
wird der Fotoresistfilm (in der Figur nicht gezeigt) durch Verdampfen
beispielsweise einer Titanschicht, einer Platinschicht und einer
Goldschicht auf dem Fotoresistfilm (nicht gezeigt) in der Reihenfolge entfernt
(Abhebeprozess). Dementsprechend wird die p-Seiten-Elektrode 15a entsprechend
dem Extraktionsabschnitt-Bildungsbereich 33a und dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31a gebildet,
die p-Seiten-Elektroden 15b und 15c werden
entsprechend der Laseroszillator-Bildungsbereiche 31b und 33c gebildet,
und die p-Seiten-Elektrode 15d wird entsprechend dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31d und
dem Extraktionsabschnitt-Bildungsbereich 33b gebildet.
Ferner wird zu dieser Zeit der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14a mit
dem gleichen Material wie die p-Seiten-Elektrode 15a in
einem Teil des Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33a gebildet, während der
Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14d mit dem gleichen
Material wie die p-Seiten-Elektrode 15d in einem Teil des
Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33b gebildet wird.
-
Danach
werden, wie in 6 gezeigt, jeweils die Trennungsnuten 12,
die den Trennungsbereichen 32 entsprechen, durch selektives
Entfernen von jeweils der Abdeckschicht 24, der p-Typ-Ummantelungsschicht 23,
der Stromblockierungsschicht 25, der aktiven Schicht 22 und
der n-Typ-Ummantelungsschicht 21 durch beispielsweise ein RIE-Verfahren
unter Verwendung der p-Typ-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d als
eine Maske entfernt. Im Ergebnis sind die n-Typ-Ummantelungsschicht 21,
die aktive Schicht 22, die p-Typ-Ummantelungsschicht 23 und
die Abdeckschicht 24 jeweils gemäß der Laseroszillatorabschnitt-Bildungsbereiche 31a, 31b, 31c und 31d getrennt.
Hier wird die Trennung derselben unter Verwendung der p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d direkt
als eine Maske durchgeführt,
so dass keine Lithografie erforderlich ist und eine Trennung mit
einer hohen Präzision
bei geringerem Aufwand durchgeführt
werden kann. Ferner können
sie natürlich
durch ein selektives Bilden eines Fotorestistfilms auf jeder der
p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d über Lithografie
getrennt werden, ohne die p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d als eine
Maske zu verwenden und unter Verwendung des Fotoresistfilms als
eine Maske durch das RIE-Verfahren zu ätzen.
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Nach
einem Bilden jeder der Trennungsnuten 12, wie in 7 gezeigt,
werden die Einbettungsschichten 12a, die beispielsweise
mit Polyimid gebildet sind, jeweils in jede der Trennungsnuten 12 eingebettet.
Im Ergebnis wird die Oberfläche
abgeflacht. Dann wird, wie in 8 gezeigt,
eine Siliziumnitridschicht über
der gesamten Fläche
der p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d gebildet,
und die Siliziumnitridschicht wird selektiv durch beispielsweise das
RIE-Verfahren entfernt. Im Ergebnis ist die Isolationsschicht 16a auf
der Fläche
der p-Seiten-Elektrode 15a gebildet, während die Isolationsschicht 16b auf
der Fläche
der p-Seiten-Elektrode 15d gebildet ist.
Ferner werden zu der Zeit eines Ätzens Öffnungen 16c jeweils
in einem Teil der Extraktionsabschnitt-Bildungsbereiche 33a und 33b gebildet,
und die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a und 14d werden
jeweils freigelegt.
-
Nach
einem Bilden jeder der Isolationsschichten 16a und 16b,
wie in 9 gezeigt, wird ein Fotoresistfilm (in der Figur
nicht gezeigt) selektiv entsprechend dem Trennungsbereich 32 zwischen
den Laseroszillator-Bildungsbereichen 31b und 31c und den
Energiequellen-Verbindungsabschnitten 14a und 14d gebildet.
Ferner wird der Fotoresistfilm (in der Figur nicht gezeigt) durch
ein Verdampfen einer Metallschicht, die beispielsweise aus Gold
ausgeführt
ist, darauf entfernt (Abhebeprozess). Im Ergebnis ist eine Extraktionsschicht 17a von
dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31b zu dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31a und
einem Teil des Extraktionsabschnitt-Bildbereichs 33a gebildet,
während eine
Extraktionsschicht 17b von dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31c zu
dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31d und einem Teil
des Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33b gebildet
ist. Ferner wird zu dieser Zeit der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b mit
dem gleichen Material wie die Extraktionselektrode 17a in
einem Teil des Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33a gebildet,
während
der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14c mit dem gleichen
Material wie die Extraktionselektrode 17b in einem Teil
des Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33bn gebildet
wird.
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Nach
einem jeweiligen Bilden der Extraktionselektroden 17a und 17b,
wie in 10 gezeigt ist, wird eine Flächenseite
des Substrats 11 geläppt,
um so ihre Dicke von beispielsweise 100 μm aufzureißen, um die Zerteilung des
Substrats in der Prozedur, die später auf einfachere Weise zu
beschreiben ist, zu ermöglichen.
Ferner wird die n-Seiten-Elektrode 18 auf der anderen Flächenseite
durch ein Verdampfen von beispielsweise einer Legierungsschicht
aus Gold und Germanium, einer Nickelschicht und einer Goldschicht
in der Reihenfolge gebildet. Dann werden die p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d und
die n-Seiten-Elektrode 18 jeweils durch ein Anwenden einer
Wärmebehandlung
legiert.
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Nach
dem Anwenden der Wärmebehandlung
wird, obwohl dies in der Figur nicht gezeigt ist, das Substrat 11 entsprechend
der Bildungsbereiche jedes Halbleiterlasers ausgeführt, die
jeweils in der Resonatorrichtung A und in einer Richtung vertikal
zu derselben geteilt werden. Dann werden Randflächenfilme 26 und 27 gegen
ein Paar der Seitenflächen,
die an einer Kante der Resonatorrichtung A angeordnet sind, durch
beispielsweise ein CVD-Verfahren gebildet. Nach einem jeweiligen
Bilden der Randflächenfilme 26 und 27 wird
das Substrat 11 auf der Basis 80 durch ein Verbinden
der Kontaktelektrode 81, die in der Basis 80 gebildet
ist, und der n-Seiten-Elektrode 18 durch die Adhäsionsschicht 82 bereitgestellt.
Im Ergebnis kann der Halbleiterlaser, der in 2 gezeigt
ist, gebildet werden.
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Der
Halbleiterlaser, der wie beschrieben hergestellt ist, arbeitet wie
folgt.
-
In
dem Halbleiterlaser wird, wenn die Energie der Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a, 14b, 14c, 14d und
die Kontaktelektrode 81 eingeschaltet sind, eine vorbestimmte
Spannung zwischen den p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c, 15d und
den n-Seiten-Elektrode 18 angelegt. Als Folge fließt ein Strom
in die aktive Schicht 22 der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d,
so dass eine Lichtemission durch eine Elektron-Loch-Kombination jeweils auftritt. Das
Licht, das in den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d erzeugt
wird, wird durch ein Hin- und Herlaufen zwischen einem Paar der
Randflächenfilme 26 und 27 verstärkt und
wird jeweils nach außen von
dem Randflächenfilm 26 emittiert.
-
Ferner
tritt zu dieser Zeit eine Erzeugung von Wärme jeweils in den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d auf.
Jedoch wird hier die erzeugte Wärme
aktiv über
die Extraktionselektroden 17a und 17b abgestrahlt,
da die Extraktionselektrode 17a, die eine Funktion als
eine Abstrahlschicht aufweist, entsprechend der Laseroszillatoren 20a und 20b bereitgestellt
ist, und die Extraktionselektrode 17b, die eine Funktion
als eine Abstrahlschicht aufweist, entsprechen der Laseroszillatoren 20c und 20d bereitgestellt ist.
Im Ergebnis werden eine Erhöhung
des Schwellenstroms und eine Verschlechterung des Beleuchtungswirkungsgrads
unterdrückt.
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Gemäß der Ausführungsform,
wie sie beschrieben ist, kann Wärme,
die in den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d erzeugt
wird, aktiv über die
Extraktionselektroden 17a und 17b abgestrahlt werden,
da die Extraktionselektroden 17a und 17b, die
eine Funktion als eine Abstrahlschicht aufweisen, bereitgestellt
sind. Dementsprechend kann eine thermische Störung eliminiert werden und
eine Erhöhung des
Schwellenstroms und eine Verschlechterung des Beleuchtungswirkungsgrads
kann auch in einem Fall unterdrückt
werden, wo das Substrat 11 platziert ist, wobei die gegenüberliegende
Seite der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d der
Basis 80 gegenüberstehen.
Als Folge wird eine Herstellung des Halbleiterlasers einfach und
eine Massenproduktion wird möglich,
während
eine hohe Qualität
für eine
lange Zeitperiode aufrecht erhalten wird.
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Ferner
kann gemäß der Ausführungsform jede
der Trennungsnuten 12 präzise mit weniger Aufwand getrennt
werden, da das Ätzen
unter Verwendung von jeweils der p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d als
eine Maske durchgeführt
wird, wenn jeweils jede der Trennungsnuten 12 durch ein
selektives Entfernen der n-Typ-Ummantelungsschicht 21, der
aktiven Schicht 22, der p-Typ-Ummantelungsschicht 23 und
der Abdeckschicht 24 gebildet wird, die auf das Substrat 11 laminiert
sind. Dementsprechend kann eine Herstellungsprozedur vereinfacht werden
und die Herstellungskosten können
abgesenkt werden.
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[Zweite Ausführungsform]
-
11 zeigt
eine auseinandergenommene Konfiguration des Halbleiterlasers gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung. Der Halbleiterlaser weist die gleiche Konfiguration,
den gleichen Betrieb und die gleichen Wirkungen wie jene der ersten Ausführungsform
auf, außer
dass er jeweils die Abstrahlschichten 49a, 49b, 49c und 49d neben
den Extraktionselektroden 47a und 47b aufweist,
die eine Funktion als eine Abstrahlschicht nicht aufweisen. Dementsprechend
sind identischen Strukturelementen gleiche Bezugszeichen gegeben,
und die detaillierte Beschreibung ist weggelassen. Ferner wird,
wie in der ersten Ausführungsform,
das Substrat 11 durch die Basis 80 gehalten, und
die Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d sind
jeweils auf der gegenüberliegenden
Seite (d.h. einer Fläche)
der Basis 80 des Substrats 11 in dem Halbleiterlaser
gebildet, jedoch ist die Basis 80 in 11 weggelassen.
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Die
Abstrahlschichten 49a, 49b, 49c und 49d sind
jeweils gebildet, um jeden der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d auf
den p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d entsprechend abzudecken. Hier
entspricht die Abstrahlschicht 49a jeweils der p-Seiten-Elektrode 15a und
dem Laseroszillator 20a, die Abstrahlschicht 49b jeweils
der p-Seiten-Elektrode 15b und dem Laseroszillator 20b,
die Abstrahlschicht 49c jeweils der p-Seiten-Elektrode 15c und dem
Laseroszillator 20c, und die Abstrahlschicht 49d jeweils
der p-Seiten-Elektrode 15d und dem Laseroszillator 20d.
-
Die
Abstrahlschichten 49a, 49b, 49c und 49d sind
jeweils mit Metall wie etwa Gold gebildet, das eine hohe thermische
Leitfähigkeit
aufweist, und sind elektrisch mit jeder der entsprechenden p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d verbunden. Ferner
ist die Dicke der Abstrahlschichten 49a, 49b, 49c und 49d dick
ausgeführt,
um Wärme
aktiv abzustrahlen. Die Dicke ist vorzugsweise dicker, so dass eine
hohe Abstrahlwirkung erhalten werden kann. Spezifisch ist eine Dicke
von 0,5 μm
oder mehr vorzuziehen, und weiter noch ist 1,0 μm oder mehr vorzuziehen.
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Ferner
ist die Abstrahlschicht 49a ausgedehnt, den Extraktionsabschnitt 13a wie
die p-Seiten-Elektrode 15a abzudecken und ist wechselseitig mit
dem gleichen Material wie der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14a gebildet.
Die Abstrahlschicht 49d ist ausgedehnt, den Extraktionsabschnitt 13b wie
die p-Seiten-Elektrode 15d abzudecken und ist wechselseitig
mit dem gleichen Material wie der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14d gebildet. D.h.,
dass hier die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a und 14d die
gleiche Konfiguration wie die p-Seiten-Elektroden 15a, 15d und
die Abstrahlschichten 49a, 49d aufweisen, die
laminiert sind.
-
Die
Extraktionselektrode 47a ist elektrisch mit der p-Seiten-Elektrode 15b über die
Abstrahlschicht 49b verbunden, während ein Teil davon, der zu
dem Extraktionsabschnitt 13a erstreckt ist, mit der p-Seiten-Elektrode 15a,
der Abstrahlschicht 49a und der Isolationsschicht 16a dazwischen
jeweils gebildet ist. Die Extraktionselektrode 47b ist,
wie die Extraktionsschicht 47a elektrisch mit der p-Seiten-Elektrode 15c über die
Abstrahlschicht 49c verbunden, während ein Teil davon, der zu dem
Extraktionsabschnitt 13b erstreckt ist, mit der p-Seiten-Elektrode 15d,
der Abstrahlschicht 49d und der Isolationsschicht 16b dazwischen
jeweils gebildet ist.
-
Dementsprechend
ist hier der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b auf
dem Extraktionsabschnitt 13a mit der p-Seiten-Elektrode 15a,
der Abstrahlschicht 49a und der Isolationsschicht 16a dazwischen
jeweils gebildet. Der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14c ist
auf dem Extraktionsabschnitt 13b mit der p-Seiten-Elektrode 15d,
der Abstrahlschicht 49d und der Isolationsschicht 16b dazwischen
jeweils gebildet.
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Ferner
weisen die Extraktionselektroden 47a und 47b nicht
die Funktion als eine Abstrahlschicht auf, und deren Dicke beträgt beispielsweise
100 nm, was ausreichend ist, um ihre Leitfähigkeit aufrecht zu erhalten.
Dementsprechend sind die Extraktionselektroden 47a und 47b ausgeführt, nur
einen Teil der Abstrahlschichten 49a und 49d in
einem Bereich, der den Laseroszillatoren 20a und 20d entspricht,
mit den Isolationsschichten 16a und 16b dazwischen
jeweils abzudecken, um nicht die Abstrahlwirkung der Abstrahlschichten 49a und 49d zu
behindern. Die Fläche,
die die Abstrahlschichten 49a und 49d in einem
Bereich abdeckt, der den Laseroszillatoren 20a und 20d entspricht,
ist vorzugsweise so klein wie möglich,
so dass eine höhere
Abstrahlwirkung erhalten werden kann.
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Der
Halbleiterlaser, der eine derartige Konfiguration aufweist, kann
wie folgt hergestellt werden.
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13 bis 15 zeigen
jeweils die Herstellungsprozeduren. Zunächst werden, wie in der ersten Ausführungsform,
die n-Typ-Ummantelungsschicht 21,
die aktive Schicht 22, die p-Typ-Ummantelungsschicht 23, die
Stromblockierungsschicht 25 und die Abdeckschicht 24 auf
einer Flächen-(100-Ebenen)-Seite
des Substrats 11 in der Reihenfolge gebildet, und Zink
wird in die Abdeckschicht 24 diffundiert (siehe 4 und 5).
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Als
Nächstes
wird ein Fotoresistfilm (in der Figur nicht gezeigt) selektiv auf
der Abdeckschicht 24 entsprechend jedem der Trennungsbereiche 32 gebildet,
und es werden beispielsweise eine Titanschicht, eine Platinschicht
und eine Goldschicht, die jeweils die p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d bilden,
in der Reihenfolge darauf aufgedampft. Ferner wird eine Goldschicht,
die jeweils die Abstrahlschichten 49a, 49b, 49c und 49d bildet,
darauf aufgedampft, um so den Fotoresistfilm (in der Figur nicht
gezeigt) zu entfernen (Abhebeprozess).
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Im
Ergebnis sind, wie in 13 gezeigt, die p-Seiten-Elektrode 15a und
die Abstrahlschicht 49a gebildet, indem sie entsprechend
dem Extraktionsabschnitt-Bildungsbereich 33a und dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31a gebildet
sind, die p-Seiten-Elektrode 15b und
die Abstrahlschicht 49b sind gebildet, indem sie entsprechend
dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31b laminiert
sind, die p-Seiten-Elektrode 15c und die Abstrahlschicht 49c sind gebildet,
indem sie entsprechend dem Laseroszillator-Bildungsbereich 33c laminiert
sind, und die p-Seiten-Elektrode 15d und die Abstrahlschicht 49d sind gebildet,
indem sie entsprechend dem Laseroszillator-Bildungsbereich 31d und dem
Extraktionsabschnitt-Bildungsbereich 33b laminiert
sind. Ferner wird zu dieser Zeit der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14a,
der aus dem gleichen Material wie die p-Seiten-Elektrode 15a und
die Abstrahlschicht 49a ausgeführt ist, in einem Teil des
Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33a gebildet, während der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b,
der aus dem gleichen Material wie die p-Seiten-Elektrode 15d und
die Abstrahlschicht 49d ausgeführt ist, in einem Teil des
Extraktionsabschnitt-Bildungsbereichs 33b gebildet wird.
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Ferner
werden, wie in 13 gezeigt, wie in der ersten
Ausführungsform
jeweils die Trennungsnuten 12 durch ein selektives Entfernen
von jeweils der Abdeckschicht 24, der p-Typ-Ummantelungsschicht 23,
der Stromblockierungsschicht 25, der aktiven Schicht 22 und
der n-Typ-Ummantelungsschicht 21 gebildet.
-
Nach
einem jeweiligen Bilden von jeweils den Trennungsnuten 12,
wie in 14 gezeigt ist, werden, wie
in der ersten Ausführungsform,
die Einbettungsschichten 12a jeweils in jede der Trennungsnuten 12 eingebettet.
Dann wird, wie in 15 gezeigt, wie in der ersten
Ausführungsform
die Isolationsschicht 16a selektiv auf der Fläche der
Abstrahlschicht 49a gebildet, während die Isolationsschicht 16b auf
der anderen Fläche
der Abstrahlschicht 49d gebildet wird.
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Nach
einem jeweiligen Bilden der Isolationsschichten 16a und 16b,
wie in 12 gezeigt, werden die Extraktionsabschnitte 47a und 47b selektiv wie
in der ersten Ausführungsform
gebildet. Zu dieser Zeit wird der Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14b, der
aus dem gleichen Material wie die Extraktionselektrode 47a ausgeführt ist,
in einem Teil des Extraktionsabschnitts 13a gebildet, während der
Energiequellen-Verbindungsabschnitt 14c, der aus dem gleichen
Material wie die Extraktionselektrode 47b ausgeführt ist,
in einem Teil des Extraktionsabschnitts 13b gebildet wird.
-
Nach
einem jeweiligen Bilden der Extraktionselektroden 47a und 47b wird
die andere Oberflächenseite
des Substrats 11 geläppt,
und die n-Seiten-Elektrode 18 wird auf der Flächenseite
vor einem Anwenden der Wärmebehandlung
gebildet. Dann werden die Randflächenfilme 26 und 27 jeweils
durch ein Zerteilen des Substrats 11 entsprechend dem Bildungsbereich
jedes der Halbleiterlaser gebildet. Nach einem jeweiligen Bilden
der Randflächenfilme 26 und 27 wird
das Substrat 11 auf der Basis 80 durch ein Verbinden
der Kontaktelektrode 81 und der n-Seiten-Elektrode 18 mit dem
Adhäsionsfilm 82 dazwischen
bereitgestellt. Durch diese Prozedur ist der in 11 gezeigte
Halbleiterlaser implementiert.
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Wie
beschrieben können
gemäß der Ausführungsform
die Abstrahlschichten 49a, 49b, 49c und 49d kontinuierlich
mit den p-Seiten-Elektrode 15a, 15b, 15c und 15d gebildet
werden, da sie ausgeführt sind,
angrenzend an jede der p-Seiten- Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d bereitgestellt
zu sein, um einander wechselseitig zu entsprechen. Im Ergebnis kann
der Halbleiterlaser auf einfache Weise ohne zusätzliche Herstellungsprozedur
zum Bilden einer Abstrahlschicht gebildet werden.
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[Dritte Ausführungsform]
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16 zeigt
eine auseinandergenommene Konfiguration des Halbleiterlasers gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung. Der Halbleiterlaser weist die gleiche Konfiguration,
den gleichen Betrieb und die gleichen Wirkungen wie jene der ersten Ausführungsform
auf, außer
dass er eine Abstrahlschicht 59 neben den Extraktionselektroden 57a und 57b umfasst,
die eine Funktion als eine Abstrahlschicht nicht aufweisen. Dementsprechend
sind hier identischen Strukturelementen gleiche Bezugszeichen vorgegeben,
und die detaillierte Beschreibung ist weggelassen. Ferner wird,
wie in der ersten Ausführungsform,
das Substrat 11 durch die Basis 80 gehalten, und
die Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d sind
jeweils auf der gegenüberliegenden
Seite (d.h. einer Fläche)
der Basis 80 des Substrats 11 in dem Halbleiterlaser
gebildet, jedoch ist die Basis 80 in 16 weggelassen.
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Die
Extraktionselektroden 57a und 57b weisen eine
Funktion als eine Abstrahlschicht nicht auf, und deren Dicke beträgt beispielsweise
100 nm, was ausreichend ist, um ihre Leitfähigkeit aufrecht zu erhalten.
Ferner ist es erforderlich, dass sich die Extraktionselektroden 57a und 57b zu
den Energiequellen-Verbindungsabschnitten 14b und 14c mit
einer Breite erstrecken, die ausreichend ist, um eine elektrische
Verbindung mit den Energiequellen-Verbindungsabschnitten 14b und 14c aufrecht
zu erhalten, aber es ist nicht erforderlich, die gesamte Fläche der Laseroszillatoren 20a und 20d jeweils
abzudecken.
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Die
Abstrahlschicht 59 ist aus den Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d gebildet,
um jeden von ihnen mit den p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c, 15d und
den Extraktionselektroden 57a, 57b jeweils dazwischen
abzudecken. Die Abstrahlschicht 59 ist mit Metall wie etwa
Gold oder einem Material mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit
wie etwa Aluminiumnitrid gebildet. Ferner ist sie gebildet, eine
Dicke von 0,5 μm
oder mehr, vorzugsweise 1 μm
oder mehr aufzuweisen, um in der Lage zu sein, aktiv Wärme abzustrahlen.
-
Ferner
wird in einem Fall, bei dem die Abstrahlschicht 59 mit
einem dielektrischen Material wie etwa Metall gebildet ist, ein
Isolationsfilm 56, der aus einem Isolationsmaterial wie
etwa Siliziumnitrid ausgeführt
ist, zwischen den Extraktionselektroden 57a, 57b und
der Abstrahlschicht 59 gebildet, um so eine Isolationseigenschaft
der Extraktionselektroden 57a und 57b aufrecht
zu erhalten.
-
Der
Halbleiterlaser, der eine derartige Konfiguration aufweist, kann
wie folgt hergestellt werden.
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17 bis 19 zeigen
jeweils die Herstellungsprozeduren. Zunächst werden, wie in der ersten Ausführungsform,
die n-Typ-Ummantelungsschicht 21,
die aktive Schicht 21, die aktive Schicht 22,
die p-Typ-Ummantelungsschicht 23, die Stromblockierungsschicht 25 und
die Abdeckschicht 24 auf einer Flächen-(100-Ebenen)-Seite des
Substrats in der Reihenfolge gebildet, und Zink wird in die Abdeckschicht 24 diffundiert
(siehe 4 und 5). Als Nächstes werden wie in der ersten
Ausführungsform jeweils
die Trennungsnuten 12 durch ein selektives Bilden der p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c, 15d und
der Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a, 14d auf
der Abdeckschicht 24 gebildet (6). Ferner
werden, wie in er ersten Ausführungsform,
die Einbettungsschichten 12a jeweils in jede der Trennungsnuten 12 eingebettet
(siehe 7), und die Isolationsschicht 16a wird
selektiv auf der Fläche
der p-Seiten-Elektrode 15a gebildet,
während
die Isolationsschicht 16b selektiv auf der Fläche der
p-Seiten-Elektrode 15d gebildet wird (siehe 8).
-
Nach
einem jeweiligen Bilden der Isolationsschichten 16a und 16b,
wie in 17 gezeigt, werden die Extraktionselektroden 57a, 57b und
die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14b, 14c jeweils wie
in der ersten Ausführungsform
gebildet. Dann wird, wie in 18 gezeigt,
die Isolationsschicht 56, die aus Siliziumnitrid ausgeführt ist,
beispielsweise durch ein CVD-Verfahren
jeweils entsprechend dem Laseroszillator 20a, 20b, 20c und 20d gebildet.
-
Nach
einem Bilden der Isolationsschicht 56 wird ein Fotoresistfilm
(in der Figur nicht gezeigt) entsprechend dem Bereich gebildet,
der nicht durch die Isolationsschicht 56 abgedeckt ist,
und der Fotoresistfilm (in der Figur nicht gezeigt) wird durch ein
Aufdampfen einer Metallschicht, die beispielsweise aus Gold ausgeführt ist,
entfernt (Abhebeprozess). Im Ergebnis ist, wie in 19 gezeigt,
eine Abstrahlschicht 59 gebildet, um jeden der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d abzudecken.
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Nach
einem Bilden der Abstrahlschicht 59 wird wie in der ersten
Ausführungsform
die andere Flächenseite
des Substrats 11 geläppt,
und dann wird die n-Seiten-Elektrode 18 auf der Flächenseite vor
einem Anwenden der Wärmebehandlung
gebildet. Dann werden die Randflächenfilme 26 und 27 jeweils
durch ein Zerschneiden des Substrats 11 entsprechend dem
Bildungsbereich jedes der Halbleiterlaser gebildet. Nach einem jeweiligen
Bilden der Randflächenfilme 26 und 27 wird
das Substrat 11 auf der Basis 80 durch ein Verbinden
der Kontaktelektrode 81 und der n-Seiten-Elektrode 18 mit
der Adhäsionsschicht 82 dazwischen
bereitgestellt. Durch diese Prozedur ist der in 16 gezeigte
Halbleiterlaser implementiert.
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Wie
beschrieben kann gemäß der Ausführungsform
die Abstrahlwirkung auf einfache Weise und sicher erhalten werden,
da die Abstrahlschicht 59 gebildet ist, jedem der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d zu
entsprechen.
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[Vierte Ausführungsform]
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20 zeigt
eine auseinandergenommene Konfiguration des Halbleiterlasers gemäß einer
vierten Ausführungsform
der Erfindung. Der Halbleiterlaser weist die gleiche Konfiguration,
den gleichen Betrieb und die gleichen Wirkungen wie jene der ersten Ausführungsform
auf, außer
dass der Bereich der Laseroszillatoren 20b und 20c,
die durch die Extraktionselektroden 67a und 67b abgedeckt
sind, unterschiedlich ist. Ferner kann der Halbleiterlaser wie in der
ersten Ausführungsform
gebildet werden. Dementsprechend sind den identischen Strukturelementen
gleiche Bezugszeichen vorgegeben, und die detaillierte Beschreibung
ist weggelassen. Ferner wird wie in der ersten Ausführungsform
das Substrat 11 durch die Basis 80 gehalten, und
die Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d werden
jeweils auf der gegenüberliegenden
Seite (d.h. einer Fläche)
der Basis 80 des Substrats 11 in dem Halbleiterlaser
gebildet, jedoch ist die Basis 80 in der 20 weggelassen.
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Die
Extraktionselektroden 67a und 67b sind nicht gebildet,
um den gesamten Teil der Laseroszillatoren 20a und 20d abzudecken,
sondern nur einen Teil davon, anders als in der ersten Ausführungsform. Im
Ergebnis kann in der Ausführungsform
die Abstrahlwirkung gemäß dem Anteil
eines Abdeckens des Laseroszillators 20a und 20d erhalten
werden.
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[Fünfte
Ausführungsform]
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21 zeigt
eine auseinandergenommene Konfiguration des Halbleiterlasers gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der Erfindung. Der Halbleiterlaser weist die gleiche Konfiguration,
den gleichen Betrieb und die gleichen Wirkungen wie jene der ersten Ausführungsform
auf, außer
dass konkav-konvexe flächen 77c jeweils
auf der Oberfläche
der Extraktionselektrode 77a und 77b gebildet
sind. Ferner kann der Halbleiterlaser wie in der ersten Ausführungsform gebildet
werden. Dementsprechend sind den identischen Strukturelementen gleiche
Bezugszeichen vorgegeben, und die detaillierte Beschreibung ist weggelassen.
Ferner wird, wie in der ersten Ausführungsform, das Substrat 11 durch
die Basis 80 gehalten, und die Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d werden
jeweils auf der gegenüberliegenden
Seite (d.h. einer Fläche)
der Basis 80 des Substrats 11 in dem Halbleiterlaser
gebildet, jedoch ist die Basis in 21 weggelassen.
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Die
Extraktionselektroden 77a und 77b weisen eine
größere Fläche auf,
indem sie die konkav-konvexen Flächen 77c auf
der Oberfläche
gebildet aufweisen, so dass sie in der Lage sind, Wärme wirksamer
abzustrahlen. Die konkav-konvexen Flächen 77c weisen eine
Konfiguration auf, bei welcher eine Mehrzahl von konvexen Flächen 77d,
die beispielsweise eine Breite von 2 μm verlaufend in der Resonatorrichtung
A und eine Höhe
von 2 μm
aufweisen, in einer Richtung vertikal zu der Resonatorrichtung A
in einem Intervall von 2 μm
platziert sind. Ferner können
die konkav-konvexen Flächen 77c nicht in
der Reihenfolge platziert sein und können unregelmäßig gebildet
sein. Ferner ist es zweckmäßig, die konkav-konvexen
Flächen
nicht auf der Oberfläche der
Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14b und 14c zu
bilden, die aus dem gleichen Material wie die Extraktionselektroden 77a und 77b gebildet
sind, um eine Verbindung mit der Energiequelle einfacher zu machen.
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Ferner
können
die konkav-konvexen Flächen 77c wie
folgt gebildet werden. Beispielsweise wird ein Teil der Extraktionselektroden 77a und 77b durch
ein Aufdampfen gebildet, und der Fotoresistfilm (in der Figur nicht
gezeigt) wird darauf entsprechend dem Bereich zwischen jedem der
konvexen Flächen 77d gebildet.
Ferner wird jede der konvexen Flächen 77d durch
ein Aufdampfen gebildet, und der Fotoresistfilm (in der Figur nicht
gezeigt) wird entfernt (Abhebeprozess). Im Ergebnis sind die konkav-konvexen
Flächen 77c jeweils
auf der Fläche
der Extraktionselektroden 77a und 77b gebildet.
Ferner kann der konkav-konvexe Zustand der Fläche durch Inneninjektion, Sputtern
oder Ätzen
nach einem Bilden der Extraktionselektroden 77a und 77b durch
Aufdampfen erhalten werden.
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Wie
beschrieben, kann gemäß der Ausführungsform
eine höhere
Abstrahlwirkung erhalten werden, während eine Erhöhung in
dem Schwellenstrom und eine Verschlechterung des Beleuchtungswirkungsgrads
wirksamer unterdrückt
werden können, da
die konkav-konvexen Flächen 77c jeweils
ausgeführt
sind, in den Extraktionselektroden 77a und 77b bereitgestellt
zu sein.
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Ferner
kann, obwohl hier im Detail nicht beschrieben, die Ausführungsform
ebenso auf die zweiten bis vierten Ausführungsformen angewandt werden.
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Die
Erfindung ist unter Bezugnahme auf jede der Ausführungsformen insoweit beschrieben
worden, sie ist jedoch nicht auf die Ausführungsformen beschränkt, sondern
kann mit verschiedenen Modifikationen implementiert werden. Beispielsweise
ist ein Halbleiterlaser, der vier Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d auf
dem gleichen Substrat 11 aufweist, spezifisch in den ersten
bis fünften
Ausführungsformen
beschrieben, jedoch kann die Erfindung breit auf ein Halbleiteremissionselement
angewandt werden, das eine Mehrzahl von Emissionsabschnitten auf
dem gleichen Substrat aufweist. Beispielsweise können, wenn mehr als vier Emissionsabschnitte bereitgestellt
werden, die Extraktionselektroden wiederholt mit der Isolationsschicht
dazwischen gemäß der Anzahl
der Emissionsabschnitte gebildet werden. Ferner ist das Halbleiteremissionselement
gemäß der ersten
Ausführungsform
insbesondere wirksam für
den Halbleiterlaser, der drei oder mehr Laseroszillatoren auf dem
gleichen Substrat umfasst.
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Ferner
ist in den oben beschriebenen Ausführungsformen das Substrat 11 an
der Basis 80 durch ein Verbinden der n-Seiten-Elektrode 18 und der
Kontaktelektrode 81 bereitgestellt. Jedoch kann in der
Erfindung das Substrat an der Basis 80 mit der gegenüberliegenden
Seite des Emissionsabschnitts, der der Basis 80 gegenübersteht,
bereitgestellt werden, aber es ist nicht erforderlich, dass er durch
die Elektroden verbunden wird. Beispielsweise kann die Erfindung
auf einen Fall angewandt werden, wo die n-Seiten-Elektrode und die
p-Seiten-Elektrode
beide auf der gegenüberliegenden
Seite der Basis 80 des Substrats gebildet sind.
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Ferner
sind in den oben beschriebenen Ausführungsformen die Energiequellen-Verbindungsabschnitte 14a, 14b, 14c und 14d ausgeführt, jeweils
in einem Umfangsbereich des Emissionsabschnitts gebildet zu sein,
jedoch können
sie in einem Bereich gebildet werden, der dem Emissionsabschnitt
entspricht.
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Zusätzlich sind
in den oben beschriebenen Ausführungsformen
die Einbettungsschichten 12a jeweils mit Isolationsmaterialien
gebildet, jedoch können
sie beispielsweise mit einem Halbleiter oder einem Metall mit der
Isolationsschicht dazwischen gebildet werden.
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Außerdem sind
in den oben beschriebenen Ausführungsformen
die Einbettungsschichten 12a jeweils an dem Ort gebildet,
der den p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d entspricht,
jedoch können sie
zumindest in einem Teil jeder Trennungsnut 12 gebildet
werden.
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Zusätzlich sind
in den oben beschriebenen Ausführungsformen
Bildungsmaterialien jeder der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d jeweils
unter Bezugnahme auf ein spezifisches Beispiel beschrieben, jedoch
kann die Erfindung auf einen Fall angewandt werden, bei dem sie
ebenso mit anderen Materialien gebildet werden. Beispielsweise kann
sie auf einen Fall angewandt werden, wo das Substrat und die Ummantelungsschicht
jeweils durch InP gebildet sind, während die aktive Schicht mit
InGaAsP gebildet ist, oder einen Fall, bei dem das Substrat mit GaAs
gebildet ist und die Ummantelungsschicht jeweils mit AlGaInP gebildet
ist, während
die aktive Schicht ebenso mit GaInP gebildet ist.
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Ferner
sind die Konfigurationen jedes der Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d jeweils
unter Bezugnahme auf ein Beispiel beschrieben, jedoch kann die Erfindung
auf dasjenige angewandt werden, das ebenso andere Konfigurationen
aufweist. Beispielsweise kann sie auf diejenigen angewandt werden,
die eine Führungsschicht
aufweisen, oder diejenigen, bei welchen die p-Typ-Ummantelungsschicht, die
aktive Schicht und die n- Typ-Ummantelungsschicht
ebenso auf das Substrat in der Reihenfolge laminiert sind.
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Zusätzlich ist
in den oben beschriebenen Ausführungsformen
der Halbleiterlaser, der die Laseroszillatoren 20a, 20b, 20c und 20d als
den Emissionsabschnitt umfasst, spezifisch beschrieben, jedoch kann
die vorliegende Erfindung breit auf ein Halbleiteremissionselement
angewandt werden, das einen anderen Emissionsabschnitt umfasst.
Beispielsweise kann sie auf eine lichtemittierende Diode (LED) angewandt
werden.
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Ferner
ist in den oben beschriebenen Ausführungsformen ein Fall eines
Verwendens von MOCVD, wenn jede der Halbleiterschichten auf das Substrat 11 laminiert
wird, spezifisch beschrieben, jedoch können andere Verfahren wie etwa
ein Molekularstrahlepitaxie(-MBE)-Verfahren ebenso verwendet werden.
Ferner ist ein Fall eines Verwendens des RIE-Verfahrens, wenn jede
der Halbleiterschichten unter Verwendung der p-Seiten-Elektroden 15a, 15b, 15c und 15d als
eine Maske selektiv entfernt wird, spezifisch beschrieben, jedoch
können
andere Verfahren wie etwa Trockenätzen oder Nassätzen ebenso
verwendet werden.
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Wie
beschrieben, kann gemäß dem Halbleiteremissionselement,
das in einem der Ansprüche
1 bis 11 beansprucht ist, Wärme,
die in dem Emissionsabschnitt erzeugt wird, aktiv durch die Abstrahlschicht
abgestrahlt werden. Im Ergebnis kann eine thermische Störung beendet
werden, während
eine Verschlechterung des Betriebsverhaltens des Emissionsabschnitts,
die durch eine Erzeugung von Wärme
beeinflusst wird, auch dann unterdrückt werden kann, wenn das Substrat
auf der Basis bereitgestellt ist, wobei die gegenüberliegende
Seite des Emissionsabschnitts des Substrats der Basis gegenübersteht.
Dementsprechend wird eine Herstellung einfach, so dass eine Massenproduktion
möglich
wird, während
eine hohe Qualität
für eine
lange Zeitperiode aufrecht erhalten wird.
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Insbesondere
ist gemäß dem Halbleiteremissionselement,
das in Anspruch 2 beansprucht wird, die Abstrahlschicht ausgeführt, mit
Metall gebildet zu sein, so dass eine hohe Abstrahlwirkung erhalten werden
kann.
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Ferner
kann gemäß dem Halbleiteremissionselement,
das in Anspruch 3 beansprucht ist, die Oberflächen-Fläche der Abstrahlschicht groß ausgeführt werden,
so dass eine hohe Abstrahlwirkung erhalten werden kann, da die Abstrahlschicht
ausgeführt
ist, konkav-konvexe Flächen
aufzuweisen.
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Ferner
beeinträchtigt
gemäß dem Halbleiteremissionselement,
das in Anspruch 5 beansprucht ist, ein negativer Einfluss den Emissionsabschnitt nicht,
auch wenn Druck angelegt wird, wenn der Energiequellen-Verbindungsabschnitt
mit der Energiequelle verbunden wird, da der Energiequellen-Verbindungsabschnitt
ausgeführt
ist, in einem Umfangsbereich der Emissionsabschnitte gebildet zu
sein.
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Zusätzlich kann
gemäß dem Halbleiteremissionselement,
das in Anspruch 7 beansprucht ist, die Abstrahlschicht auf einfache
Weise ohne ein Zufügen der
Herstellungsprozedur zum Bilden der Abstrahlschicht gebildet werden,
da die Abstrahlschicht ausgeführt
ist, eine Funktion als eine Extraktionselektrode aufzuweisen.
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Ferner
kann gemäß dem Halbleiteremissionselement,
das in Anspruch 8 beansprucht ist, die Abstrahlschicht kontinuierlich
mit einem Bilden jeder der ohmschen Elektroden gebildet werden,
so dass die Abstrahlschicht auf einfache Weise ohne ein Hinzufügen der
Herstellungsprozedur zum Bilden der Abstrahlschicht gebildet werden
kann, da eine Mehrzahl der Abstrahlschichten ausgeführt ist,
angrenzend an jede der ohmschen Elektroden entsprechend bereitgestellt
zu sein.
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Ferner
kann gemäß dem Herstellungsverfahren
für das
Halbleiteremissionselement, das in einem der Ansprüche 12 bis
20 beansprucht ist, das Halbleiteremissionselement der Erfindung
auf einfache Weise hergestellt werden, so dass eine Wirkung eines
einfachen Implementierens des Halbleiteremissionselements erhalten
werden kann, da es ausgelegt ist, die Prozedur zum Bilden der Abstrahlschicht zu
dem Substrat mit jeweils dem Emissionsabschnitt dazwischen einzuschließen.
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Insbesondere
können
gemäß dem Herstellungsverfahren
für das
Halbleiteremissionselement, das in Anspruch 20 beansprucht ist,
die Trennungsnuten präzise
mit weniger Aufwand gebildet werden, da sie ausgelegt sind, durch
ein selektives Ätzen
jeweils der Halbleiterschicht unter Verwendung der ohmschen Elektrode
als eine Maske gebildet zu werden. Im Ergebnis kann die Herstellungsprozedur
vereinfacht werden und die Herstellungskosten können verringert werden.