DE69936089T2 - Anisotropisch leitfähiger Kleber und Klebefilm - Google Patents

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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff für das elektrische Verbinden und mechanische Verbinden von elektrischen Leitungen oder Schaltkreisen, die sich gegenüberstehen, und einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm aus diesem Klebstoff. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff, der vorteilhafterweise insbesondere für sogenanntes "Flip-Chip-Bonding" für das direkte Verbinden eines IC-Chips mit einem Schaltkreis zu verwenden ist, und auch einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm, der aus einem solchen Klebstoff gemacht ist.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Unter den letzten Trends in der Technik zur Herstellung von elektronischen Elementen und Teilen in einer dünnen Geometrie und mit leichtem Gewicht haben das sog. "Bear-Chip-Mounting" und das "Flip-Chip-Bonding" für die direkte Montage von IC-Chips auf elektronischen Elementen und Teilen Anwendungen bei der Montage solcher elektronischer Elemente und Teile gefunden.
  • Für die direkte Montage von IC-Chips auf dem Substrat von Schaltkreismustern wurden bislang z.B. durchgeführt 1) die "Wire-Bonding"-Technik, bei der Anschlusselektroden des IC-Chips unter Verwendung von Goldmikrodrähten mit entsprechenden Anschlüssen mit dem auf dem Substrat gebildeten Schaltkreismuster verbunden werden, 2) die "Face-Down"-Technik, bei der die Anschlusselektroden des IC-Chips und die entsprechenden Anschlüsse im auf dem Substrat gebildeten Schaltkreismuster durch "Fließen" ("reflowing") von Lötmetall verbunden werden, und 3) die anisotrope Verbindungstechnik, bei der die Anschlusselektroden in Form von Mikrobumps auf den IC-Chip und die entsprechenden Anschlüsse im auf dem Substrat gebildeten Schaltkreismuster durch Pressfixierung des IC-Chips und des das Schaltkreismuster tragenden Substrats miteinander unter Zwischenschaltung einer Schicht von einem anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff dazwischen verbunden werden. Von diesen hat die anisotrope Verbindungstechnik unter Verwendung eines elektrisch leitenden Klebstoffs (einschließlich eines anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms, der durch Bilden einer Schicht von einem anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff auf einer abziehbaren Folie, d.h. einer Folie, die davon leicht abgezogen werden kann, unter anschließender Erwärmung und Trocknung der Schicht hergestellt wird) in jüngerer Zeit weite Verbreitung gefunden, da diese viele Vorteile bietet, wie Bequemlichkeit der praktischen Durchführung, hohe Zuverlässigkeit der Bereitstellung der elektrischen Verbindung und keine Notwendigkeit zur Abdichtung des Zusammenbaus und gleichzeitig mit der Möglichkeit eines Zusammenbaus hoher Dichte bei minimalen Kosten.
  • Als Begleiterscheinung der Abnahme der Größe der IC-Bumps (vorstehenden Anschlusselektroden) und mit dem Trend zur Gestaltung des Schaltkreismusters mit feinerem Abstand ist es jedoch notwendig geworden, elektrisch leitende Teilchen mit kleinerer Teilchengröße in dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff zu verwenden, und außerdem gibt es einen allgemeinen Trend, einen höheren Gehalt an elektrisch leitenden Teilchen in dem Klebstoff zu verwenden, um die Zuverlässigkeit der Bereitstellung einer sicheren elektrischen Verbindung zu erhöhen.
  • Unter diesen Umständen traten Probleme auf, weil Fluktuationen in den Bedingungen zum Aufbau der elektrischen Verbindung durch den Klebstoff durch die sekundäre Agglomeration der Leiterteilchen und Kurzschlüsse zwischen den elektrischen Leitungen in dem Schaltkreismuster auf dem Substrat auftreten können, wenn elektrisch leitende Teilchen von kleinerer Teilchengröße eingesetzt werden und weil Kurzschlüsse zwischen den elektrischen Leitungen im Schaltkreismuster auf dem Substrat auch auftreten können, wenn der Gehalt an elektrisch leitenden Teilchen erhöht wird.
  • Als Gegenmaßnahme dafür sind Versuche vorgeschlagen worden, wie jene, bei denen mit Isolator beschichtete Leiterteilchen, die jeweils Teilchen aufweisen, die mit einer Schicht von einem Isolator beschichtet sind, verwendet werden, und worin eine Mehrzahl von anisotrop elektrisch leitenden Filmen unter Laminierung verwendet werden, um zu verhindern, dass die Leitungsteilchen im Verlauf des Aufbaus der elektrischen Verbindung durch Pressfixierung von dem Bereich der Anschlusselektrode entfernt werden oder abblättern.
  • Der Einsatz solcher mit Isolator beschichteten Leiterteilchen kann die Besorgnis erwecken, dass aufgrund der Härte und Elastizität davon die Langzeitzuverlässigkeit für die sichere elektrische Verbindung verringert wird. Wenn der Mischanteil der mit Isolator beschichteten Leiterteilchen, die im allgemeinen hauptsächlich aus teilchenförmigem Produkt mit einer mittleren Teilchengröße von etwa 5 μm gebildet sind, auf einen Wert von z.B. 40.000 Teilchen/mm2 Film erhöht wird, kann es schwierig sein, für die Bindung eines IC-Chips von einem Bump-Abstand von 10 μm oder weniger eine zuverlässige Isolierung oder den Ausschluss von Kurzschlüssen aufrechtzuerhalten.
  • Obwohl andererseits der Einsatz eines mehrschichtigen anisotrop elektrisch leitenden Films die Erhöhung des Mischanteils der Leiterteilchen bis zu z.B. etwa 80.000 Teilchen/mm2 Film für kleinere Leiterteilchen mit einer mittleren Teilchengröße von etwa 3 μm ermöglichen kann, ist es in diesem Fall notwendig, Bumps mit höherer Genauigkeit bei gleichzeitig erforderlicher rigoroser Handhabung der Genauigkeit der Pressbedingung bei Bereitstellung der elektrischen Verbindung zu bilden, was zu hohen Produktionskosten führt.
  • In der JP-Patentanmeldung Kokai Hei 4-174980 A wird eine elektrisch verbindende Zusammensetzung für die Verbindung von Leitungen eines elektrischen Schaltkreises offenbart, die einerseits ein mit Isolator beschichtetes teilchenförmiges Produkt, bei dem jedes Teilchen eines elektrischen Leiters, der beim Erwärmen verformbar ist, mit einer Schicht von einem thermoplastischen Isolator beschichtet ist, und andererseits ein teilchenförmiges, die Dicke regulierendes Produkt mit einer höheren Härte als der des mit Isolator beschichteten teilchenförmigen Produkts umfasst, wobei beide teilchenförmigen Produkte in einer Matrix von einem Klebstoffmaterial mit Isolierverhalten dispergiert sind, das beim Erwärmen einen plastischen Fluss zeigen kann.
  • Bei dieser elektrisch verbindenen Zusammensetzung ist es aber schwierig, eine hohe Zuverlässigkeit für die Bereitstellung einer elektrischen Verbindung zu erzielen, wenn das die Dicke regulierende Produkt aus einem elektrischen Isolator erstellt ist, da dieses Produkt nicht an der Bereitstellung einer elektrischen Verbindung teilnimmt. Wenn das die Dicke regulierende Produkt aus einem elektrischen Leiter ist, kann ein höherer Mischanteil davon das Auftreten von Kurzschlüssen ermöglichen, wodurch die Zuverlässigkeit der Isolierung oder der Ausschluss von Kurzschlüssen behindert wird. Wenn das die Dicke regulierende Produkt außerdem aus Teilchen mit ungleichmäßigen Teilchengrößen besteht, wird die Dicke des sich ergebenden Zusammenbaus durch die größten Teilchen in diesem Produkt bestimmt, da die die Dicke regulierenden Teilchen eine hohe Härte aufweisen, so dass Teilchen mit kleineren Größen als die größten nicht an der Bereitstellung einer elektrischen Verbindung teilnehmen können, wodurch sich auch eine fehlerhafte Zuverlässigkeit bei der Bereitstellung der elektrischen Verbindung ergibt.
  • In der JP-Patentanmeldung Kokai Hei 9-102661 A wird ein Verfahren zur Bereitstellung einer elektrischen Verbindung zwischen Anschlusselektroden unter Verwendung von einem elektrisch leitenden mikroteilchenförmigen Produkt mit einer bestimmten Druckhärte (K-Wert) und einer spezifischen Wiederherstellbarkeit bei Verformung beschrieben.
  • Der Einsatz eines solchen elektrisch leitenden mikroteilchenförmigen Produkts wie vorstehend kann aber schwerlich die Erzielung einer hohen Zuverlässigkeit sowohl in der Bereitstellung der elektrischen Verbindung als auch in der Isolierung bei Verbindung auf einem IC-Chip von einem Schaltkreismuster mit feinem Abstand ergeben.
  • US-A-5120665 betrifft eine Zusammensetzung, umfassend (A) einen Epoxyharz-Klebstoff, (B) Teilchen, die durch Beschichten eines Kerns von einem Härtungsmittel mit einem Film erhalten werden, (C) druckverformbare elektrisch leitende Teilchen mit einer mittleren Teilchengröße, die größer ist als die der Teilchen (B), und, falls notwendig, (D) starre Teilchen mit einer mittleren Teilchengröße, die kleiner ist als die der Teilchen (B). Es gibt auch ein Verfahren zur Verwendung der Zusammensetzung zur elektrischen Verbindung von Schaltkreisen oder zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einem Leitungsdraht.
  • US-A-5180888 betrifft ein leitendes Bindemittel und ein Verfahren zu seiner Verwendung für Verbindungszwecke. Das leitende Bindemittel wird durch Mischen einer Mehrzahl von feinen leitenden Teilchen in einem isolierenden Klebstoff hergestellt. Jedes feine verbindende Teilchen ist so gestaltet, dass ein feines leitendes Teilchen oder ein feines isolierendes Teilchen mit einer Plattierschicht, die auf der Oberfläche gebildet ist, mit einer Isolierschicht aus einem Material bedeckt ist, das bei der Thermokompressionsbindung bricht. Wenn das leitende Bindemittel einer Thermokompressionsbindung zwischen den verbindenden Anschlüssen eines ersten und eines zweiten elektronischen Teils unterworfen wird, zerbrechen Teile der feinen verbindenden Teilchen, die durch die betreffenden feinen verbindenden Anschlüsse gepresst werden. Die Isolierschichten der feinen verbindenden Teilchen in planarer Richtung werden aber nicht zerbrochen und bleiben wie sie sind. Die Leitung wird nur in Richtung der Dicke erhalten.
  • JP-A-08311420 betrifft einen anisotropen leitenden Film, der aus einem Harz, einem Lösungsmittel und leitenden Teilchen, die in einer Mikrokapsel umhüllt sind, die aus einem isolierenden Harz ist und gegebenenfalls unter Druck brechen kann, gebildet ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs, der zur Bereitstellung der elektrischen Verbindung zwischen Anschlüssen von z.B. einem IC-Chip und einem Schaltkreismuster zu verwenden ist, bei niedrigen Kosten mit hoher Zuverlässigkeit sowohl in der Bereitstellung der elektrischen Verbindung als auch in der Isolierung bei der Verbindung ohne Kurzschlüsse zwischen den Schaltkreisleitungen im Schaltkreis und ohne Verursachung von Beschädigung am Schaltkreis, selbst wenn die Anschlüsse oder die Schaltkreisleitungen mit kleinen Abständen angeordnet sind.
  • Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms, der aus diesem Klebstoff hergestellt ist, der zur Bereitstellung der elektrischen Verbindung zwischen Anschlüssen von z.B. einem IC-Chip und einem Schaltkreismuster zu verwenden ist, bei niedrigen Kosten mit hoher Zuverlässigkeit sowohl in der Bereitstellung der elektrischen Verbindung als auch in der Isolierung bei der Verbindung ohne Kurzschlüsse zwischen den Schaltkreisleitungen in dem Schaltkreis und ohne Verursachung einer Behinderung am Schaltkreis, selbst wenn die Anschlüsse oder die Schaltkreisleitungen in kurzen Abständen angeordnet sind.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung ist wie in Anspruch 1 definiert.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung ist wie in Anspruch 7 definiert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt die Beziehung zwischen der Verschiebung durch Pressen und der Presskraft auf den Leiterteilchen in einer graphischen Darstellung.
  • 2 zeigt die Beziehung zwischen der Verformung durch Pressen und dem K-Wert für die Leiterteilchen in einer graphischen Darstellung.
  • 3 zeigt die Beziehung zwischen der Verschiebung durch Pressen und der Presskraft auf den Leiterteilchen während der Belastung bzw. während der Entlastung in einer graphischen Darstellung.
  • Die 4(a), 4(b), 4(c) und 4(d) erläutern jeweils den Modifikationszustand eines Kernteilchens aus einem Polymermaterial durch Beschichtung mit verschiedenen Materialien in einer schematischen Querschnittsansicht.
  • 5 erläutert den Zustand der Bereitstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Mikrobumps auf einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen auf dem Schaltkreismuster auf einem Substrat unter Verwendung des anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs gemäß der vorliegendem Erfindung in einer schematischen vertikalen Querschnittsansicht.
  • 6 zeigt die berechnete Wahrscheinlichkeit der Zahl der Leiterteilchen, die auf der Fläche des Mikrobumps in Relation zum Gehalt an Leiterteilchen im anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm vorhanden sind.
  • 7 zeigt die berechnete Wahrscheinlichkeit der Zahl der Leiterteilchen, die auf der Fläche eines Mikrobumps in Relation zur Oberfläche des Mikrobumps und zum Gehalt der Leiterteilchen im anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm vorhanden sind.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Für die elektrisch leitende Klebstoffmatrix gemäß der vorliegende Erfindung können verschiedene wärmehärtbare und thermoplastische Harze und Kautschuke eingesetzt werden. Wärmehärtbare Harze sind im Hinblick auf die Zuverlässigkeit der sich ergebenden elektrischen Verbindung bevorzugt. Als wärmehärtbare Harze können z.B. synthetische Harze, wie Epoxyharze, Melaminharze, Phenolharze, Diallylphthalatharz, Bismaleimidotriazinharz, Polyester, Polyurethane, Phenoxyharze, Polyamide und Polyimide; und Kautschuke und Elastomere enthaltend eine oder mehrere funktionelle Gruppen, wie Hydroxy, Carboxyl, Vinyl, Amino oder Epoxy, aufgezählt werden. Von diesen sind Epoxyharze aufgrund ihrer charakteristischen Merkmale besonders bevorzugt.
  • Als Epoxyharz können z.B. eines vom Bisphenoltyp, Epoxynovolak-Harze und solche aus Epoxyverbindungen mit zwei oder mehr Oxirangruppen im Molekül verwendet werden.
  • Diese Epoxyharze, die gemäß der vorliegenden Erfindung zu verwenden sind, können bevorzugt von einem hochwertigen Produkt mit einem Gehalt an verunreinigenden Ionen, vor allem Chloridionen, in einer Menge von nicht mehr als 50 ppm sein.
  • Der teilchenförmige Leiter, der in den anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung einzubauen ist, kann bevorzugt elektrisch leitende Teilchen umfassen, die jeweils mit einer Schicht von einem elektrisch isolierenden Material beschichtet sind, das in der vorstehend genannten elektrisch isolierenden Klebstoffmaterix unlöslich ist, wobei jedes Kernteilchen aus einem Metall oder aus einem Polymaterial mit einer elektrisch leitenden Oberflächenschicht aus einem Metall ist.
  • Als Metallteilchen können Teilchen aus Nickel oder einer Lötlegierung beispielhaft genannt werden.
  • Als Polymermaterial für das Kernteilchen können beispielhaft genannt werden synthetische Harze, wie Epoxyharze, Styrolharze, Siliconharze, Acrylharze, Acryl/Styrol-Harze (Copolymere von Acrylat mit Styrol), Polyolefine, Melaminharz und Benzoguanaminharz; synthetische Kautschuke, wie vernetztes Divinylbenzolpolymer und NBR und SBR; und Mischungen davon. Von diesen sind Styrolharze, Acrylharze, Acryl/Styrol-Harze, Benzoguanaminharz und das vernetzte Divinylbenzolpolymer bevorzugt. Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Materialeigenschaften, wie Härte und Elastizität, für dieses Polymermaterial und man kann daher jedes Material auswählen, das die gewollten gewünschten Eigenschaften zeigt.
  • Für das elektrisch leitende Material für die elektrisch leitende Oberflächenschicht auf dem Kernteilchen kann mindestens ein Metall, wie Nickel, Gold und Kupfer, eingesetzt werden. Das elektrisch leitende Material kann bevorzugt als Beschichtung vorhanden sein, die über der ganzen Oberfläche des Kernteilchens eines Polymermaterials durch galvanisches oder stromloses Plattieren gebildet ist. Die Dicke der elektrisch leitenden Oberflächenschicht kann vorteilhafterweise im Bereich von 5 bis 300 nm, bevorzugt im Bereich von 10 bis 200 nm, liegen. Besonders bevorzugt ist ein teilchenförmiges elektrisch leitendes Material aus Teilchen, die jeweils ein Kernteilchen aus einem Polymermaterial und darauf beschichtet eine Doppelbeschichtung umfassen, die zuerst durch Plattieren auf dem Kernteilchen-Polymermaterial mit Nickel als Grundschicht und dann mit Gold darauf gebildet ist, wobei die Dicke der Grundschicht aus Nickel vorteilhafterweise im Bereich von 10 bis 300 nm, bevorzugt 30 bis 200 nm, liegt und die Dicke der Goldschicht vorteilhafterweise im Bereich von 5 bis 100 nm, bevorzugt 10 bis 30 nm, liegt.
  • Als elektrisch isolierendes Harz für die Beschichtung der elektrisch leitenden Teilchen, d.h. der Metallteilchen oder der mit Metall beschichteten Polymerteilchen, zur Bildung der elektrisch leitenden Teilchen gemäß der vorliegenden Erfindung kann jedes Harz ohne Beschränkung verwendet werden, sofern es in der elektrisch isolierenden Klebstoffmatrix unlöslich ist und nicht die Entwicklung der elektrischen Leitfähigkeit beeinträchtigt, die entwickelt wird, wenn der anisotrop elektrisch leitende Klebstoff enthaltend die so beschichteten Leiterteilchen in der Wärme gepresst wird und die darin enthaltenen Teilchen zerkleinert werden oder zerfallen, wodurch ein elektrisch leitender Pfad durch die Masse des Klebstoffs durch die zerdrückten Teilchen aufgebaut wird, die untereinander in Metallkontakt gehalten werden. Bevorzugt kann ein Acrylharz, ein Styrolharz, oder ein Acryl/Styrol-Harz für ein solches Beschichtungsharz verwendet werden.
  • Es ist vorteilhaft, dass das isolierende Beschichtungsharz in Form einer Schicht vorhanden ist, welche die ganze Oberfläche des elektrisch leitenden Teilchens bedeckt, und die Beschichtung kann vorteilhafterweise insbesondere aus einer vernetzten Schicht von Acrylharz, einem Styrolharz oder einem Acryl/Styrol-Harz zusammengesetzt sein.
  • Die Dicke der vernetzten isolierenden Harzschicht kann vorteilhafterweise im Bereich von 0,05 bis 2 μm, bevorzugt von 0,1 bis 0,5 μm, liegen.
  • Die mindestens zwei elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkte mit unterschiedlicher Teilchengröße, die in den anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung aufzunehmen sind, sollten vorzugsweise keine thermische Verformung bei der Temperatur des Zusammenstellens unter Verwendung des anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs oder des anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms gemäß der vorliegenden Erfindung, wie z.B. bei 200°C, verursachen, aber eine Verformung, insbesondere eine elastische Verformung, unter dem Druck bei der Pressfixierung, wie z.B. 400 kp/cm2 Bump, verursachen. Konkret können die elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkte vorzugsweise Teilchen umfassen, deren Kernteilchen aus elastischen Harzen ist, z.B. Styrolharzen, Acrylharzen, Acryl/Styrol-Copolymerharzen und Benzoguanaminharz.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden zwei oder mehr elektrisch leitende teilchenförmige Produkte mit unterschiedlichen mittleren Teilchengrößen für die elektrisch leitenden Teilchen verwendet. Die mittlere Teilchengröße der elektrisch leitenden Teilchen insgesamt kann vorteilhafterweise im Bereich von 1 bis 10 μm, bevorzugt 2 bis 7 μm, liegen. Wenn sie zur Bindung eines Mikrobumps verwendet werden, der eine Bump-Oberfläche von 4.000 μm2 oder weniger aufweist oder einen Bumpabstand von 10 μm oder weniger aufweist, der auf einem IC-Chip mit entsprechendem Anschluss in einem Schaltkreismuster gebildet ist, das auf einem Substrat gebildet ist, kann die mittlere Teilchengröße insgesamt in vorteilhafter Weise im Bereich von 2 bis 7 μm, bevorzugt 3 bis 6 μm, liegen. Wenn die mittlere Teilchengröße insgesamt kleiner als 1 μm ist, können die Teilchen nicht nur in der Regel das Auftreten von sekundärer Agglomeration verursachen, sondern es ergeben sich auch Schwierigkeiten bei der Handhabung bei ihrer Herstellung. Wenn andererseits die mittlere Teilchengröße insgesamt 10 μm überschreitet, verringert sich der Ausschluss des Auftretens an Kurzschlüssen zwischen den Schaltkreisleitungen für das Schaltkreismuster mit engen Leitungsabständen.
  • BESTE ART ZUR DURCHFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Nachstehend wird die vorliegende Erfindung ausführlicher durch eine Ausführungsform beschrieben, bei der zwei elektrisch leitende teilchenförmige Produkte für die Leiterteilchen eingesetzt werden. Der Unterschied in der mittleren Teilchengröße zwischen den beiden teilchenförmigen Leiterprodukten sollte vorteilhafterweise 0,5 bis 5 μm, bevorzugt 1 bis 3 μm, sein. Wenn der anisotrop elektrisch leitende Klebstoff zur Bindung von Mikrobumps verwendet wird, die eine Oberfläche von nicht mehr als 4.000 μm2 aufweisen oder Zwischenbump-Abstände von nicht mehr als 10 μm aufweisen, die als Anschlusselektroden zu verwenden sind, die auf einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen von einem Mikroschaltkreis angeordnet sind, die als Schaltkreismuster gebildet sind, das in engen Leitungsabständen auf einem Substrat angeordnet ist, können die darin verwendeten Leiterteilchen vorteilhafterweise eine Kombination von einem teilchenförmigen Leiterprodukt mit einer mittleren Teilchengröße im Bereich von 3 ± 0,5 μm und einem teilchenförmigen Leiterprodukt mit einer mittleren Teilchengröße im Bereich von 5 ± 0,5 μm sein.
  • Das teilchenförmige Leiterprodukt mit einer kleineren mittleren Teilchengröße weist eine Härte auf, die gleich ist oder größer ist als die des Produkts der größeren mittleren Teilchengröße. Konkret ist es bevorzugt, dass der K-Wert des teilchenförmigen Leiterprodukts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße höher ist als die des Produkts mit größerer mittlerer Teilchengröße, und das teilchenförmige Leiterprodukt mit kleinerer mittlerer Teilchengröße kann z.B. einen K-Wert von mindestens 350 kp/mm2, bevorzugt mindestens 500 kp/mm2, aufweisen und das teilchenförmige Leiterprodukt mit größerer mittlerer Teilchengröße kann einen K-Wert von nicht mehr als 450 kp/mm2 und bevorzugt im Bereich von 100 bis 450 kp/mm2 aufweisen. Es ist besonders vorteilhaft, dass der K-Wert des teilchenförmigen Leiterprodukts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße um mindestens 50 kp/mm2, bevorzugt mindestens 100 kp/m2, höher ist als der des Produkts mit größerer mittlerer Teilchengröße. Wenn zwei teilchenförmige Leiterprodukte verwendet werden, die jeweilse eine mittlere Teilchengröße von 3 ± 0,5 μm bzw. eine mittlere Teilchengröße von 5 ± 0,5 μm aufweisen, sollte das teilchenförmige Leiterprodukt mit einer mittleren Teilchengröße von 3 ± 0,5 μm einen K-Wert von mindestens 450 kp/mm2, bevorzugt mindestens 600 kp/mm2, aufweisen und das teilchenförmige Leiterprodukt mit einer mittleren Teilchengröße von 5 ± 0,5 μm sollte einen K-Wert von höchstens 450 kp/mm2 und bevorzugt im Bereich von 100 bis 450 kp/mm2 aufweisen, wobei der Unterschied zwischen den K-Werten für diese Leiterprodukte mindestens 50 kp/mm2, bevorzugt mindestens 100 kp/mm2, sein sollte.
  • Nachstehend wird die Definition des K-Werts erläutert:
    Nach der "Theory of Elasticity" in Landau-Riffschitz Theoretical Physics Curriculum, herausgegeben von Tokyo Tosho 1972, auf Seite 42, werden Kontaktprobleme zwischen zwei elastischen kugelförmigen Körpern mit jeweils einem Radius von R und R' durch die folgenden Gleichungen behandelt: H = F2/3[D2{(1/R) + (1/R')}]½ (1) D = (3/4)[{(1 – σ2)/E} + {(1 – σ'2)/E'}] (2)
  • In den obigen Gleichungen bezeichnet h den Unterschied zwischen dem Abstand (R + R') und dem Abstand zwischen den Zentren der beiden Kugeln, stellt F die Druckkraft dar, stellen E und E' jeweils die Elastizität von jedem der elastischen Kugeln dar und stellen σ und σ' jeweils das Poisson-Verhältnis von jeder der elastischen Kugeln dar.
  • Ein Ansatz für den Fall des Kontakts zwischen einem kugelförmigen Körper und einer Platte unter Pressen der Kugel auf die Plattenoberfläche kann durch Anwenden der obigen theoretischen Behandlung unter der Annahme, dass R' → ∞ und E >> E' ist, möglich sein, wodurch die folgende Näherungsgleichung erhalten wird: F = (2½/3)(S3/2)(ER½)(1 – σ2) (3)in der S den Betrag der Verformung durch Pressen darstellt.
  • Der K-Wert ist definiert durch die Gleichung K = E/(1 – σ2) (4)
  • Aus den Gleichungen (3) und (4) folgt K = (3/√2)·F·S–3/2R–½ (5)
  • Somit stellt der K-Wert die Härte eines kugelförmigen Körpers in einem universellen und quantitativen Ausdruck dar. Damit kann die Härte eines Mikroteilchens definitiv und quantitativ unter Verwendung des K-Werts repräsentiert werden.
  • Der K-Wert eines elastischen kugelförmigen Körpers kann auf folgende Weise bestimmt werden:
    Eine zu untersuchende teilchenförmige Substanz, die als kugelförmige Teilchen vorliegt, wird über eine Stahlplatte gestreut und ein Teilchen wird unter den so auf der Oberfläche der Stahlplatte ausgestreuten als Probenobjekt ausgewählt. Das Probenteilchen wird auf die Oberfläche der Stahlplatte durch eine flache Stirnfläche eines dünnen Diamantstabs mit einem Durchmesser von 50 μm auf einem Pulverkompressions-Prüfgerät (z.B. Modell PCT-200 von Shiadzu Corporation) gepresst. Die Presskraft wird nachgewiesen, indem sie in ein elektromagnetisches Signal umgewandelt wird und die Verschiebung aufgrund des Pressens durch dessen Umwandlung in ein elektrisches Signal unter Verwendung eines Differentialtransformators nachgewiesen. Auf diese Weise wird eine Beziehung zwischen der Presskraft und der Verschiebung durch Pressen erhalten, wie anschaulich in 1 gezeigt. Aus dieser wie in 1 gezeigten Kurve können die Last bei 10% Pressverformung und die Pressverschiebung für das Probenteilchen bestimmt werden.
  • Aus diesen ermittelten Werten in Kombination mit Gleichung (5) kann die Beziehung zwischen dem K-Wert und der Druckverformung abgeleitet werden, was anschaulich in 2 gezeigt ist. Hier ist der Wert für die Verformung durch Pressen ein Quotient der Pressverschiebung durch den Durchmesser des Probenteilchens ausgedrückt in Prozent. Die Bedingungen für diese Bestimmung sind:
    Pressgeschwindigkeit: Die Last wird bei einem Pressen mit konstanter Belastungsgeschwindigkeit mit einer Geschwindigkeit von 0,27 Pond (p) pro s erhöht.
    Testlast: maximal 10 p
    Testtemperatur: 20°C.
  • Es ist vorteilhaft, gemäß der Erfindung einen teilchenförmigen Leiter mit einer Lastpress-Wiederherstellbarkeit (Res) von 5 bis 80%, bevorzugt 30 bis 80%, bestimmt durch das nachstehend angegebene Verfahren, zu verwenden: Eine zu untersuchende teilchenförmige Substanz, die als kugelförmige Teilchen vorliegt, wird über eine Stahlplatte gestreut und ein Teilchen wird unter den auf der Oberfläche des Stahlplatte gestreuten als Probenobjekt ausgewählt. Das Probenteilchen wird auf der Oberfläche der Stahlplatte durch eine flache Stirnfläche eines dünnen Diamantstabs mit einem Durchmesser von 50 μm auf einem Pulverkompressions-Prüfgerät (z.B. Modell PCT-200 von Shimadzu Corporation) gepresst. Die Presskraft wird durch dessen Umwandlung in ein elektromagnetisches Signal nachgewiesen und die Verschiebung aufgrund des Pressens wird durch dessen Umwandlung in ein elektrisches Signal unter Verwendung eines Differentialtransformators nachgewiesen. Nachdem das Teilchen bis zu einer Umkehrlast gepresst wird, wie anschaulich in 3 gezeigt (entlang der Kurve a in 3), wird die Presskraft sukzessive abgebaut (entlang der Kurve b in 3), um die Beziehung zwischen der Kraft und der Pressverschiebung zu ermitteln. Hier ist die Entlastung nicht im Ursprung bei einer Kraft von 0 beendet, sondern bei 0,1 p, das als Last im Ursprung bezeichnet wird. Die Lastpress-Wiederherstellbarkeit Res ist definiert durch den prozentualen Wert des Verhältnisses der Verschiebung L1 ausgehend von der Last im Ursprung bis zum Umkehrpunkt relativ zur Verschiebung L2 ausgehend von der Last im Ursprung bis zum Umkehrpunkt. Res(%) = (L2/L1) × 100 (6)
  • Die Bedingungen für die Bestimmung sind:
    Last am Umkehrpunkt: 1,0 p
    Last am Ursprung: 0,1 p
    Belastungs- oder Entlastungsgeschwindigkeit: 0,27 p/s
    Testtemperatur: 20°C
  • Der Gehalt der Leiterteilchen im anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung ist größer für das teilchenförmige Leiterprodukt mit kleinerer mittlerer Teilchengröße als für das teilchenförmige Leiterprodukt mit größerer mittlerer Teilchengröße. In einer konkreten Ausführungsform wie in Anspruch 7 definiert ist die Oberflächendichte des teilchenförmigen Leiterprodukts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße in einem anisotrop elektrisch leitenden Film gemäß der vorliegenden Erfindung im Bereich von 30.000 bis 50.000 Teilchen/mm2 und die des teilchenförmigen Leiterprodukts mit größerer mittlerer Teilchengröße ist im Bereich von 15.000 bis 30.000 Teilchen/mm2 des Oberflächenbereichs der Klebstoffschicht. Der Anteil des teilchenförmigen Leiterprodukts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße relativ zu der mit größerer mittlerer Teilchengröße ausgedrückt als Zahlenverhältnis der Teilchen liegt im Bereich von 1,1 bis 8, bevorzugt 1,3 bis 4. Wenn die teilchenförmigen Leiterprodukte jeweils eine mittlere Teilchengröße von 3 ± 0,5 μm bzw. 5 ± 0,5 μm aufweisen, können sie vorzugsweise im Klebstofffilm in einer Konzentration im vorstehend genannten Bereich enthalten sein.
  • Die Oberflächendichte des teilchenförmigen Leiterprodukts ist definiert durch die Zahl der Teilchen, die in dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm (bevor der auf die Bindungsseite aufgetragen wird), der von dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet wird, innerhalb eines rechteckigen Parallelepipedons enthalten ist, der durch eine Grundseite von einer Oberflächeneinheit, nämlich 1 mm2, des Klebstofffilms und einer Höhe, die der Filmdicke entspricht, definiert ist. Hier sollte jedes Teilchen, das auf den Seitenoberflächen des rechteckigen Parallelepipedons vorhanden ist und durchgeschnitten ist, als 1/2 von einem Teilchen gezählt werden. Es wird angenommen, dass die oben angegebene Filmdicke identisch ist mit der Dicke des auf die zu bindende Seite aufgebrachten Films. Daher kann ein höherer Gehalt der Leiterteilchen im Klebstofffilm eine dünnere Filmdicke ermöglichen, während ein geringer Gehalt der Leiterteilchen eine dickere Filmdicke erfordert.
  • Wenn der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm teilchenförmige Leiterprodukte jeweils mit einer kleineren mittleren Teilchengröße bzw. einer größeren mittleren Teilchengröße in einem Gehalt innerhalb des vorstehend genannten Bereichs enthält, sind die teilchenförmigen Leiterprodukte auf einem Mikrobump des IC-Chips, nachdem sie darauf aufgetragen wurden, wie durch die Zahl der Teilchen im Hinblick auf die "mittlere Anzahl von Teilchen minus 3 σ" (σ bezeichnet die mittlere Abweichung) von vorteilhafterweise mindestens einem Teilchen pro 1 Mikrobump für das teilchenförmige Leiterprodukt mit größerer mittlerer Teilchengröße und 5 Teilchen pro 1 Mikrobump für das teilchenförmige Leiterprodukt mit kleinerer mittlerer Teilchengröße vorhanden. Hier kann die Anzahl von Teilchen des teilchenförmigen Leiters in dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm auf einer Mikroskopfotografie bestimmt werden, die mit einem Vergrößerungsfaktor von 500 unter Verwendung eines Lichtmikroskops aufgenommen wurde, indem die Zahl der Teilchen gezählt wird, die in einer quadratischen Fläche von 200 μm in der Fotografie gefunden werden und die gefundene Zahl in die umgewandelt wird, die in einer Fläche von 1 mm2 zu finden ist.
  • Der mit Isolator beschichtete teilchenförmige Leiter, der gemäß der vorliegenden Erfindung zu verwenden ist, kann z.B. durch das nachstehend angegebene Verfahren hergestellt werden:
    Zunächst wird die Oberfläche des Kernteilchens aus einem Polymermaterial einer Oberflächenmodifizierung in einem bekannten Hybridisierungssystem unterworfen (hier im folgenden als Hybridisierungsbehandlung bezeichnet). Die Hybridisierungsbehandlung ergibt eine Konjugation eines Mikroteilchens mit einem anderen Mikroteilchen {siehe z.B. das Magazin "Funtai to Kogyo" (Powdery Products and Industry), Bd. 27, Nr. 8, 35-42 (1995)}, bei der ein Elternteilchenmaterial und ein Kindteilchenmaterial einer dynamischen Hochgeschwindigkeitsbewegung in Suspension in einer Gasphase, um den Teilchen durch kinetisches Anstoßen der Teilchen thermische Energie zu verleihen, unterworfen, um die Kindteilchen auf einem Elternteilchen zu fixieren, um eine Beschichtung darauf aufzubauen.
  • 4 zeigt eine solche Hybridisierungbehandlung der Kernteilchen mit den Beschichtungsteilchen in einer erläuternden schematischen Veranschaulichung. Hier veranschaulicht 4(a) ein Beispiel der Hybridisierungsbehandlung von einem Siliconkautschuk-Kernteilchen 1a mit Nickelteilchen 2. 4(b) veranschaulicht ein anderes Beispiel einer Hybridisierungsbehandlung von einem Benzoguanaminharz-Kernteilchen 1b mit Acryl/Styrol-Copolymerteilchen 3.
  • Wenn ein Siliconkautschuk-Kernteilchen 1a einer Hybridisierungsbehandlung mit Nickel-Kindteilchen 2 unterworfen wird, wird die Oberfläche des Elternteilchens, d.h. das Silicon-Kernteilchen 1b durch das Nickel-Kindteilchen modifiziert, indem es mit den Kindteilchen 2, das in dem Kernteilchen 1a eingebettet sind, beschichtet wird, um ein modifiziertes Kernteilchen 5 von einem Polymermaterial zu ergeben, wie in 4(a) gezeigt.
  • Wenn ein Benzoguanaminharz-Kernteilchen 1b einer Hybridisierungsbehandlung mit Acryl/Styrol-Copolymer-Kindteilchen 3 unterworfen wird, wird die Oberfläche des Benzoguanaminharz-Elternteilchens mit den Acryl/Styrol-Copolymer-Kindteilchen 3 modifiziert, indem es mit einem Film der Kindteilchen 3 beschichtet wird, um ein modifiziertes Kernteilchen 5 aus einem Polymermaterial zu ergeben, wie in 4(b) gezeigt.
  • Das sich ergebende durch Hybridisierung behandelte modifizierte Kernteilchen 5 wird anschließend durch eine Metallplattierung verarbeitet, wodurch ein teilchenförmiger elektrischer Leiter erhalten wird, bei dem jedes Teilchen 7 mit einer Metallschicht 6 beschichtet ist, wie in 4(c) gezeigt. Die Metallplattierung auf den Kernteilchen kann durch jede bekannte Praxis realisiert werden, bei der es nun möglich ist, ohne weiteres mit Hilfe einer üblichen Praxis die Metallplattierung sogar von einem teilchenförmigen Siliconkautschuk-Produkt zu bewirken, wobei es früher schwierig war, Metall durch eine übliche Technik zu plattieren, da die Oberfläche des Kernteilchens 5 gemäß der vorliegenden Erfindung modifiziert wird, um die Metallplattierung zu erleichtern.
  • Anschließend wird eine Oberflächenbeschichtung auf dem sich ergebenden teilchenförmigen Leiter 7 mit einem elektrisch isolierenden Harz durchgeführt, um jedes Teilchen 7 mit einer isolierenden Harzschicht 8 zu versehen, um einen teilchenförmigen elektrischen Leiter zu erhalten, wobei jedes Teilchen 9 mit einem isolierenden Harz beschichtet ist.
  • Zur Beschichtung des teilchenförmigen Leiters 7 mit einer elektrisch isolierenden Harzschicht 8 können bekannte Techniken eingesetzt werden, z.B. die vorstehend beschriebene Hybridisierungsbehandlung, eine elektrostatische Beschichtung, eine Sprühbeschichtung, eine Lösungsbeschichtung, eine Wärmeschmelzbeschichtung und eine Hochgeschwindigkeitsrührbeschichtung. Auch zur Bereitstellung des teilchenförmigen Kernmaterials mit einer vernetzten isolierenden Harzschicht 9, wie einer vernetzten Acrylharzschicht oder einer vernetzten Styrolharzschicht, können die vorstehend genannten Techniken einschließlich der Hybridiserungsbehandlung eingesetzt werden.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung kann, falls notwendig, andere Bestandteile als den teilchenförmigen Leiter enthalten, wie ein Vernetzungsmittel und einen Haftvermittler auf Basis von Silan zur thermoreaktiven Beschichtung des Polymers, andere filmbildende Harze usw.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung kann durch Compoundieren eines elektrisch isolierenden Polymermaterials, der teilchenförmigen Leiterprodukte und nach Bedarf von anderen Bestandteilen in einem geeigneten Mischer hergestellt werden, um eine gleichmäßige Dispersion zu erhalten.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung wird zur elektrischen Verbindung von gegenüberstehenden Anschlüssen oder Drähten zwischen elektrischen Schaltkreisen verwendet, wobei er sie gleichzeitig mechanisch bindet. Er wird z.B. zum Verbinden von Anschlusselektroden von einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen eines Mikroschaltkreises, der als Schaltkreismuster auf einem Substrat gebildet ist, zum Verbinden der Anschlusselektroden von einer Flüssigkristalltafel mit entsprechenden Anschlüssen von einem Schaltkreis, der auf einem Substrat gebildet ist, und für andere Anwendungen verwendet. Darunter ist die Anwendung für die Verbindung von einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen im Mikroschaltkreis nutzbringend, wobei die Anwendung für die direkte Bindung von einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen des Mikroschaltkreises auf einem Substrat, insbesondere die Anwendung für die sog. Flip-Chip-Bindung von Mikrobumps (herausragenden Anschlusselektroden) von einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen des Mikroschaltkreises auf dem Substrat besonders bevorzugt sind. Obwohl es keine besondere Beschränkung bezüglich der Größe des Mikrobumps gibt, ist eine Größe von nicht mehr als 4.000 μm2 bevorzugt. Für die Bindung eines solchen kleinen Mikrobumps gibt es keine Anforderung an die Gestaltung des Mikrobumps mit hoher Genauigkeit.
  • Für die Bereitstellung der elektrischen Verbindung von Mikrobumps auf dem IC-Chip und entsprechender Anschlüsse auf dem Substrat unter Verwendung des anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Mikrobumps und die Anschlüsse bei Zwischenlagerung einer Schicht des anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs dazwischen vorteilhafterweise bei einer Temperatur im Bereich von 150 bis 250°C, bevorzugt 180 bis 220°C, bei einem Druck im Bereich von 50 bis 3.000 kp/cm2 Bump, bevorzugt 100 bis 1.500 kp/cm2 Bump, für eine Pressdauer im Bereich von 2 bis 30 s, bevorzugt 3 bis 20 s, zusammengepresst.
  • Nach dem Pressvorgang unter den vorstehend genannten Bedingungen kann eine sichere elektrische Verbindung zwischen den Mikrobumps und den entsprechenden Anschlüssen und eine hochzuverlässige elektrische Isolierung zwischen benachbarten Schaltkreisleitungen und zwischen benachbarten Mikrobumps beibehalten werden, so dass sie als solche fixiert werden können, indem die isolierende Harzmatrix gehärtet wird.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm nach der vorliegenden Erfindung wird mit dem obigen anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff gebildet. Für den anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung gibt es keine spezielle Beschränkung bezüglich der Filmdicke, wobei sie im allgemeinenen vorteilhafterweise im Bereich von 5 bis 200 μm, bevorzugt 10 bis 100 μm, liegt. Für die Anwendung für die Bindung von Mikrobumps auf einem oder mehreren IC-Chips mit entsprechenden Anschlüssen von einem oder mehreren Mikroschaltkreisen, die auf einem Substrat gebildet sind, ist es vorteilhaft, einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm mit einer Filmdicke zu verwenden, die das 1- bis 3-fache, bevorzugt das 1- bis 2-fache der Summe der Höhe des Mikrobumps auf dem IC-Chip plus der Höhe des Anschlusses auf dem Substrat beträgt.
  • Wenn die Dicke des anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms größer ist als der vorstehende Bereich, verringert sich die Anzahl an Leiterteilchen in dem Film, die zwischen dem Mikrobump und dem Anschluss in der Fläche gehalten wird, die zur Bereitstellung der elektrischen Verbindung dazwischen beitragen können, da eine große Menge des Klebstoffs beim Zusammenpressen des Mikrobumps und des Terminals vertrieben oder herausgedrückt wird. Obwohl es möglich sein kann, den Gehalt der Leiterteilchen in dem Klebstoffilm zu erhöhen, um die Anzahl der Leiterteilchen, die in diesem Bereich gehalten wird, zu erhöhen, sollte mit einem Anstieg der Produktionskosten gerechnet werden. Außerdem verringern sich die Gebrauchseigenschaften, z.B. aufgrund der Verschmutzung des Presskopfs durch die herausgedrückte Masse des Klebstoffs. Wenn andererseits die Filmdicke kleiner ist als der obige Bereich, ergibt sich keine ausreichende Verteilung der elektrisch isolierenden Klebstoffmatrix über der oben genannten Fläche während des Pressvorgangs, was eine mögliche Verringerung der Bindungsfestigkeit zwischen den Mikrobumps und den entsprechenden Anschlüssen bewirkt.
  • Es ist bevorzugt, dass der Gehalt der Leiterteilchen bezogen auf die Zahl in dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung gleich ist wie in dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung kann als Einschichtfilm oder als Mehrschichtfilm verwendet werden, wobei es zulässig ist, dass eine oder mehrere andere Schichten als die Klebstoffschicht gemäß der vorliegenden Erfindung auf einer Seite oder auf beiden Seiten eines Klebstofffilms gemäß der vorliegenden Erfindung laminiert werden können. Durch Laminieren von einer oder mehreren anderen Schichten mit dem Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein Verbannen der Leiterteilchen aus der Bindungsfläche verhindert werden. Es ist auch möglich, den anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm auf seiner oder seinen Außenflächen mit einer Abdeckung oder einer oder mehreren Schutzfilmen zur einfacheren Handhabung und Instandhaltung zu versehen.
  • Der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung kann auch für die gleichen Anwendungen wie der vorstehend beschriebene anisotrop elektrisch leitende Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. So kann er zur Bindung von Anschlusselektroden auf einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen von einem auf einem Substrat gebildeten Mikroschaltkreis verwendet werden.
  • Bei dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff und bei dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Gehalt der Leiterteilchen erhöht werden, ohne dass sich Probleme mit der Aggregation der Leiterteilchen ergeben, da zwei oder mehr teilchenförmige Leiterprodukte mit unterschiedlichen mittleren Teilchengrößen aufgenommen werden. Somit kann ohne weiteres eine hohe Zuverlässigkeit für die sichere Bereitstellung der elektrischen Verbindung von Mikrobumps auf einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen auf einem Substrat bei niedrigen Kosten erreicht werden, ohne Kurzschlüsse zwischen Schaltkreisleitungen zu verursachen und ohne Beschädigung an dem Schaltkreismuster, selbst wenn sie in engen Abständen angeordnet sind, bei gleichzeitiger Erzielung einer hohen Zuverlässigkeit für die sichere elektrische Isolierung zwischen den Leiterteilchen, die in der isolierenden Harzmatrix dispergiert sind.
  • Wenn die Leiterteilchen beim Pressen verformt werden und wenn die Härte des teilchenförmigen Leiterprodukts mit größerer mittlerer Teilchengröße die gleiche ist oder kleiner ist als die des Produkts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße, werden die Leiterteilchen mit größerer mittlerer Teilchengröße zuerst einer Verformung innerhalb der Masse des anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs beim Pressfixieren des Klebstoffs oder des Klebstofffilms unterworfen, was schließlich zu einer Bereitstellung der elektrischen Verbindung zwischen den Anschlusselektroden und den entsprechenden Anschlüssen, die zu binden sind, führt, gefolgt von einer zusätzlichen Verformung der Leiterteilchen mit kleinerer Teilchengröße, was vorteilhaft zu einer sichereren elektrischen Verbindung dazwischen beiträgt. Selbst in einem solchen Fall kann eine hochzuverlässige elektrische Isolierung zwischen benachbarten Schaltkreisleitungen und zwischen benachbarten Mikrobumps durch die elektrisch isolierende Harzmatrix aufrechterhalten werden. Somit ist die Dicke der Schicht des anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffs gemäß der vorliegenden Erfindung beim Pressfixieren nicht durch die Teilchengröße des teilchenförmigen Leiterprodukts mit größerer mittlerer Teilchengröße beschränkt.
  • Wie vorstehend beschrieben ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, eine hoch zuverlässige Bereitstellung der elektrischen Verbindung zwischen gegenüberstehenden Anschlüssen und eine hoch zuverlässige elektrische Isolierung ohne weiteres bei niedrigen Kosten, selbst für einen IC-Chip oder ein Schaltkreismuster, die in engen Abständen der Mikrobumps oder der Schaltkreisleitungen gestaltet sind, zu erreichen, ohne dass sich Probleme mit Kurzschlüssen und Schäden auf dem Schaltkreismuster ergeben, da zwei teilchenförmige Leiterprodukte mit unterschiedlichen mittleren Teilchengrößen eingebaut werden.
  • Da der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm gemäß der vorliegenden Erfindung den vorstehend beschriebenen Klebstoff umfasst, können eine hohe Zuverlässigkeit für eine sichere Bereitstellung der elektrischen Verbindung und eine hohe Zuverlässigkeit für eine sichere elektrische Isolierung ohne weiteres bei niedrigen Kosten erzielt werden, selbst bei seiner Verwendung zum Verbinden eines IC-Chips mit einer Anordnung in engen Abständen, ohne Kurzschlüsse zwischen Schaltkreisleitungen zu bewirken und das Schaltkreismuster zu beschädigen, bei gleichzeitiger Erzielung von überlegenen Eigenschaften in der Handhabung und der Arbeit damit, da er als Film vorliegt.
  • Nachstehend wird eine konkrete Art zur Durchführung des anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms gemäß der vorliegenden Erfindung zur direkten Montage auf einem IC-Chip auf einem Substrat mit einem Schaltkreismuster unter Bezugnahme auf die entsprechende beigefügte Zeichnung beschrieben.
  • 5 erläutert eine konkrete Art der direkten Montage eines IC-Chips auf einem Substrat mit einem Schaltkreismuster durch Flip-Chip-Bindung in einer schematischen vertikalen Schnittansicht. In dem anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm 10 sind Leiterteilchen 11 mit kleinerer mittlerer Teilchengröße und Leiterteilchen 12 mit größerer mittlerer Teilchengröße in der elektrisch isolierenden Klebstoff-Polymermatrix 13 dispergiert. Auf dem IC-Chip 14 sind Mikrobumps 15 gebildet. Das Substrat 16 trägt ein Schaltkreismuster 17, das darauf gebildet ist. Die Leiterteilchen 11 und 12 sind jeweils aus einem Kernteilchen aus einem Polymermatrial, das mit einer Metallschicht beschichtet ist, das weiter mit einer elektrisch isolierenden Harzschicht beschichtet ist, gebildet, obwohl dies nicht gezeigt ist.
  • Wie in 5 gezeigt, wird eine elektrische Verbindung zwischen den Mikrobumps 15, die auf dem IC-Chip 14 gebildet sind, und der Schaltkreisleitung 17, die auf dem Substrat 16 gebildet ist, durch die Metallbeschichtung (nicht gezeigt) auf den Leiterteilchen 11 und 12 gebildet, wobei der IC-Chip 14 und das Substrat mit dem Schaltkreismuster 16 mit der elektrisch isolierenden Klebstoff-Polymermatrix 13 gebunden und fixiert werden.
  • Zur Bereitstellung einer elektrischen Verbindung zwischen dem IC-Chip 14 und den Anschlüssen (17) auf dem Substrat 16 wird der anisotrop elektrisch leitende Klebstofffilm 10 auf dem Substrat 16 angeordnet und darauf wird der IC-Chip 14 in einer solchen Weise angeordnet, dass die Mikrobumps 15 und die entsprechenden Anschlüsse 17, die auf dem Substrat 16 elektrisch miteinander zu verbinden sind, einander gegenüberstehen, woraufhin der IC-Chip und das Substrat unter Erwärmen gegeneinander gepresst werden, um eine Wärmepressfixierung zu bewirken. Während dieser Prozedur wird die elektrisch isolierende Beschichtung auf dem Leiterteilchen 12 mit größerer mittlerer Teilchengröße zuerst erweicht oder geschmolzen oder sogar zerstört bei gleichzeitiger Verformung des Teilchens 12, wodurch die isolierende Beschichtung aus dem Bereich zwischen dem Mikrobump 15 und dem Anschluss 17, die sich gegenüberstehen, vertrieben wird und so eine elektrische Verbindung dazwischen über die Metallbeschichtung auf dem Leiterteilchen geliefert wird. Danach wird das Leiterteilchen 11 mit kleinerer mittlerer Teilchengröße zwischen den gegenüberstehenden Seiten des Mikrobumps 15 und des Anschlusses 17 gepresst, wodurch ebenfalls eine elektrische Verbindung dazwischen auf die gleiche Weise wie bei dem Leiterteilchen 12 mit größerer mittlerer Teilchengröße geliefert wird. Auf diese Weise kann eine hohe Zuverlässigkeit für die Bereitstellung der elektrischen Verbindung zwischen den Mikrobumps 15 und den entsprechenden Anschlüssen 17 mit Hilfe des anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms 10 erzielt werden, da nicht nur die Leiterteilchen 12 mit größerer mittlerer Teilchengröße, sondern auch die Teilchen 11 mit kleinerer mittlerer Teilchengröße an der Bereitstellung der elektrischen Verbindung dazwischen teilnehmen. Hier wird auch eine elektrische Isolierung zwischen den Leiterteilchen 11, 12, durch die elektrisch isolierende Beschichtung auf den Teilchen und der elektrisch isolierenden Klebstoffschicht-Polymermatrix 13 sichergestellt.
  • Auf diese Weise können mit Hilfe des anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms 10 die Pressfixierung des IC-Chips 14 und des Substrats mit Schaltkreismuster 16 die Bereitstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Mikrobumps 15 und den entsprechenden Anschlüssen 17 auf dem Schaltkreismuster und die sichere Isolierung zwischen benachbarten Schaltkreisleitungen 17 gleichzeitig und leicht bei niedrigen Kosten erzielt werden. Außerdem kann eine hohe Zuverlässigkeit nicht nur für die Bereitstellung der elektrischen Verbindung, sondern auch für die sichere Isolierung erreicht werden, ohne dass Kurzschlüsse und Schäden auf dem Schaltkreismuster zu erleiden sind, selbst wenn die Mikrobumps 15 eine kleine Oberfläche aufweisen oder in engen Abständen angeordnet sind.
  • BEISPIELE
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Hilfe von Beispielen beschrieben.
  • BEISPIEL 1
  • Ein anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wurde durch Dispergieren von zwei teilchenförmigen Leiterprodukten jeweils mit einer mittleren Teilchengröße von 3 μm bzw. 5 μm in einer elektrisch isolierenden Klebstoff-Polymermaterial-Matrix aus einer Epoxyharzzusammensetzung (einer Zusammensetzung aus 33,3 Gew.-% eines hochmolekularen Epoxyharzes auf Basis von Bisphenol A, 33,3 Gew.-% eines Epoxyharzes auf Basis von Naphthalin und 33,3 Gew.-% eines latenten Härtungsmittels von einem dispergierten Epoxytyp auf Basis von Eisphenol F) hergestellt.
  • Das obige teilchenförmige Leiterprodukt mit einer mittleren Teilchengröße von 3 μm (hier im folgenden als B-Teilchen bezeichnet) wurde durch Metallplattierung eines Kernteilchens von einem Benzoguanaminharz mit Au/Ni und Beschichten mit einem elektrisch isolierenden Film aus einem vernetzten Acryl/Styrol-Copolymerharz in einer Dicke von 0,3 μm erhalten. Hier wurde die Isolierungsbeschichtung mit dem vernetzten Acryl/Styrol-Copolymerharzfilm durch Behandlung in einem Hybridisierungssystem bewirkt. Der Gehalt an B-Teilchen wurde auf 30.000 Teilchen pro mm2 eingestellt.
  • Das teilchenförmige Leiterprodukt mit einer mittleren Teilchengröße von 5 μm (hier im folgenden als LL-Teilchen bezeichnet) wurde durch Metallplattieren eines Kernteilchens von einem Acryl/Styrol-Copolymerharz mit Au/Ni und Beschichten mit einem elektrisch isolierenden Film aus einem vernetzten Acryl/Styrol-Copolymerharz mit einer Dicke von 0,3 μm erhalten.
  • Der obige anisotrop elektrisch leitende Klebstoff wurde zu einem Einschichtfilm mit einer Dicke von 75 μm verarbeitet. Es wurde ermittelt, dass der Gehalt der LL-Teilchen in diesem Film 20.000 Teilchen pro mm2 des Films war.
  • Unter Verwendung dieses anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilms wurde ein Test zur direkten Montage eines IC-Chips auf einem Substrat mit Schaltkreismuster durchgeführt, um auf folgende Weise die Leistungsfähigkeit zur Bereitstellung einer elektrischen Verbindung dazwischen zu bewerten und die Leistungsfähigkeit der elektrischen Isolierung abzuschätzen:
  • <Bewertung der Bereitstellung einer elektrischen Verbindung>
  • Es wurde jeweils ein IC-Chip zur Bewertung hergestellt durch Bildung von Stiftbumps (stud bumps) auf einer rechteckigen Auflage von einer Größe von 100 μm × 100 μm und Verarbeitung dieser Bumps durch Abflachen, um eine Bump-Seitenfläche von 1.000, 2.000, 3.000, 4.000 oder 5.000 μm2 zu erhalten. Bei jedem Test-IC-Chip betrug die Bump-Höhe etwa 40 μm und die Chipgröße 6 mm × 6 mm.
  • Es wurde jeweils ein ein Schaltkreismuster tragendes Testsubstrat gebildet, indem ein Schaltkreismuster auf einem Substrat von einem BT-Harz mit einer Dicke von 0,7 mm durch Plattieren mit Cu und dann mit Au in Form des Schaltkreismusters jeweils in einer Dicke von 18 μm hergestellt wurde. Der Abstand zwischen den Anschlüssen in dem Schaltkreismuster betrug 150 μm.
  • Der wie vorstehend hergestellte anisotrop elektrisch leitende Klebstoff wurde zwischen dem Test-IC-Chip und dem das Schaltkreismuster tragenden Testsubstrat, das wie vorstehend hergestellt wurde, angeordnet (die Summe der Höhe des Bumps und der des Anschlusses betrug etwa 58 μm) und das sich ergebende Laminat wurde bei 200°C bei einem Druck von 400 kp/cm2 Bump für 20 s in der Wärme verpresst, um eine elektrische Verbindung dazwischen zu ergeben. Alle sich ergebenden elektrisch verbundenen Proben wurden auf ihre Zuverlässigkeit zur Bereitstellung der elektrischen Verbindung (Zuverlässigkeit der Leitfähigkeit) bewertet durch das Inkrement im elektrischen Widerstand nach einem 100 Stunden-Saturation-Pressure-Cooker-Test (PCT) bei 121°C bei 2,1 atm, der durchgeführt wurde, nachdem die Probe durch zwei Aufschmelzungen bei 240°C behandelt worden war. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
  • <Bewertung des Isolierverhaltens>
  • Die Bewertung erfolgte unter Verwendung eines IC-Chips mit einer Chipgröße von 6 mm × 6 mm und einer Bumpgröße von 70 μm × 100 μm mit einem Bumpabstand von 10 μm und einer Bumphöhe von 20 μm und einem ein Schaltkreismuster tragenden Substrat auf einer transparenten Glasplatte, auf der ein Schaltkreismuster mit ITO (Indium-Zinn-Oxid) mit einem Schaltkreisleitungsabstand von 80 μm, einer Linienbreite von 70 μm und einem Raum zwischen den Leitungen von 10 μm gebildet war. Das Auftreten von Kurzschlüssen wurde mit einem Mikroskop durch Untersuchung durch das transparente Substrat nachgewiesen.
  • Der Test-IC-Chip und das das Schaltkreismuster tragende Testsubstrat wurden der Bereitstellung einer elektrischen Verbindung dazwischen auf die gleiche Weise wie im elektrischen Verbindungstest unterworfen. Die sich ergebende elektrisch verbundene Probe wurde auf ihren elektrischen Widerstand zur Isolierung durch Anlegen einer elektrischen Spannung von 25 Volt zwischen zwei benachbarten Anschlusselektroden für 1 min bewertet, nachdem sie 1.000 h bei einer relativen Feuchtigkeit von 85% bei 85°C stehen gelassen worden war. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
  • BEISPIELE 2 bis 5 und VERGLEICHSBEISPIELE 1 bis 8
  • Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass die in den Tabellen 1 und 2 angegebenen teilchenförmigen Leiterprodukte verwendet wurden und der Gehalt wie in den Tabellen 1 und 2 angegeben geändert wurde. Die Testergebnisse sind in den Tabellen 1 und 2 zusammengefasst.
  • Die in der Reihe für "Zuverlässigkeit in der Leitfähigkeit" angegebenen Symbole in den Tabellen 1 und 2 entsprechen den Zuständen:
    • O
    Inkrement im Widerstand ist 0,1 Ω oder weniger.
    Δ
    Inkrement im Widerstand ist größer als 0,1 Ω, aber nicht höher als 0,3 Ω.
    X
    Inkrement im Widerstand überschreitet 0,3 Ω.
  • Die in der Reihe für "Zuverlässigkeit in der Isolierung" angegebenen Symbole in den Tabellen 1 und 2 entsprechen den Zuständen:
    • O
    Der Widerstand ist 108 Ω oder größer.
    X
    Der Widerstand ist weniger als 108 Ω.
    TABELLE 1
    Beispiel
    1 2 3 4 5
    teilchenförmiges Leiterprodukt 3 μm 5 μm B LL B LL B B LL LL B LL
    Gehalt Leiterteilchen (Teilchen/mm2) 3 μm 5 μm 30.000 20.000 30.000 30.000 30.000 20.000 30.000 20.000 30.000 20.000
    K-Wert der Leiterteilchen (kp/mm2) 3 μm 5 μm 1.081 397 1.081 397 1.081 1.081 397 397 1.081 397
    Wiederherstellbarkeit nach Komprimierung (%) 3 μm 5 μm 41 48 41 48 41 38 51 48 41 48
    Anwesenheit von Isolierschicht 3 μm 5 μm vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden vorhanden
    Klebstofffilm Dicke (μm) Schicht 75 eine 75 eine 75 eine 75 eine 75 zwei1)
    Bump-Oberfläche (μm2) 3.000 3.000 3.000 3.000 3.000
    Zuverlässigkeit in Leitfähigkeit Isolierung O O O O O O O O O O
    Betriebsverhalten besser besser besser besser besser
  • Figure 00270001
  • TESTBEISPIEL 1
  • Ein anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wurde durch Dispergieren einer vorbestimmten Menge von B-Teilchen in dem in Beispiel 1 verwendeten Epoxyharz hergestellt, wobei die B-Teilchen durch Plattieren von Kernteilchen aus Benzoguanaminharz mit einer mittleren Teilchengröße von 5 μm mit Au/Ni, woraufhin die sich ergebenden mit Metall beschichteten Teilchen einer Isolierbeschichtung mit einem elektrisch isolierenden Harz aus einem Acryl/Styrol-Copolymerharz mit einer Beschichtungsdicke von 0,3 μm unterworfen wurden, hergestellt.
  • Der obige Klebstoff wurde in einen Film überführt, wodurch ein Klebstoff-Einschichtfilm mit einer Filmdicke von 75 μm erhalten wurde. Unter Verwendung dieses Klebstofffilms wurde ein IC-Chip mit Mikrobumps mit einer Bumpoberfläche von 1.000 bis 5.000 μm2 direkt mit einem ein Schaltkreismuster tragenden Substrat auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 zusammengebaut.
  • Nach der Zusammenstellung wurde der IC-Chip durch Erwärmen bei 200°C auseinandergenommen, woraufhin die Zahl der Leiterteilchen, die auf den Bumps vorhanden waren und die auf dem Substrat vorhanden waren, gezählt. Es wurde angenommen, dass die Gesamtsumme der Anzahl der Teilchen die Anzahl der Teilchen ist, die auf den Bumps vorhanden ist, und sie wurde gezählt, um die mittlere Zahl an Leiterteilchen zu bestimmen, und der Unterschied zwischen der mittleren Zahl und dem 3 σ-Wert (σ ist die Standardabweichung) wurde bestimmt. Die Beziehung zwischen diesem Unterschied und der Zahl an Leiterteilchen ist in 6 als graphische Darstellung angegeben. Auch die Beziehung zwischen der Bump-Oberfläche und der Anzahl an Leiterteilchen auf einem Bump für die Klebstofffilme mit einer Oberflächendichte der Leiterteilchen von 20.000 Teilchen/mm2 bzw. 30.000 Teilchen/mm2 ist in
  • 7 als graphische Darstellung angegeben.
  • Aus 6 ist ersichtlich, dass mindestens 30.000 Teilchen pro mm2 für eine zuverlässige Anwesenheit von 5 Teilchen auf einem Bump zur Zusammenstellung eines IC-Chips mit einer Bumpoberfläche von 3.000 μm2 oder weniger erforderlich sind und dass mindestens 40.000 Teilchen pro mm2 für 10.000 μm2 erforderlich sind.
  • Aus 7 ist ersichtlich, dass eine Bumpoberfläche von 5.000 μm2 oder mehr für eine zuverlässige Anwesenheit von 5 Teilchen auf einem Bump für einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm von 20.000 Teilchen/mm2 erforderlich ist und eine Bumpoberfläche von 3.000 μm2 oder mehr für einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstofffilm von 30.000 Teilchen/mm2 erforderlich ist.

Claims (10)

  1. Anisotrop elektrisch leitender Klebstoff für das elektrisch leitende Verbinden von Elektroden und Schaltanschlüssen von elektrischen Vorrichtungen, umfassend eine elektisch isolierende Klebstoffmatrix und in der Matrix dispergierte elektrisch leitende Teilchen, wobei die elektrisch leitenden Teilchen mindestens zwei elektrisch leitende teilchenförmige Produkte von unterschiedlichen mittleren Größen umfassen, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Teilchen beider teilchenförmiger Produkte mit einem elektrisch isolierenden Harz beschichtet ist, das in der isolierenden Klebstoffmatrix unlöslich ist, der Anteil des kleineren elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts relativ zum größeren elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkt hinsichtlich der Anzahl der Teilchen im Bereich von 1,1 bis 8 liegt, wobei die Härte der Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße mindestens gleich wie die der Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit größerer mittlerer Teilchengröße ist.
  2. Anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wie in Anspruch 1 beansprucht, bei dem die Teilchen der mindestens zwei elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkte von unterschiedlichen mittleren Teilchengrößen bei Anwendung von Druck deformierbar sind.
  3. Anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wie in Anspruch 1 beansprucht, bei dem der K-Wert, der durch die Gleichung (5) definiert ist K = (3/√2)·F·S–3/2R–½ (5)wobei F die Druckkraft ist, S die Größe der Deformation ist und R der Teilchenradius ist, für die Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße 350 kp/mm2 oder mehr und der für die Teilchen mit größerer mittlerer Teilchengröße 450 kp/mm2 oder weniger ist und worin der K-Wert für die Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße relativ zu der für die Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit größerer mittlerer Teilchengröße größer ist.
  4. Anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wie in Anspruch 1 oder Anspruch 3 beansprucht, bei dem die darin dispergierten elektrisch leitenden Teilchen aus zwei elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkten von mittleren Teilchengrößen von 3 ± 0,5 μm bzw. 5 ± 0,5 μm zusammengesetzt sind.
  5. Anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wie in irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4 beansprucht, der zur Verbindung von Anschlusselektroden von einem IC-Chip mit entsprechenden Anschlüssen eines elektrischen Schaltkreises auf einem Substrat zu verwenden ist.
  6. Anisotrop elektrisch leitender Klebstoff wie in irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5 beansprucht, der zum Verbinden von Mikrobumps mit einer Größe von 4.000 μm2 oder kleiner, die auf einem IC-Chip gebildet sind, mit entsprechenden Anschlüssen eines elektrischen Schaltkreises auf einem Substrat zu verwenden ist.
  7. Anisotrop elektrisch leitender Klebstofffilm für das elektrisch leitende Verbinden von Elektroden und Schaltanschlüssen von elektronischen Vorrichtungen, umfassend einen anisotrop elektrisch leitenden Klebstoff, wobei der Klebstoff eine elektrisch isolierende Klebstoffmatrix und in der Matrix dispergierte elektrisch leitende Teilchen umfasst, wobei die elektrisch leitenden Teilchen mindestens zwei elektrisch leitende teilchenförmige Produkte von unterschiedlichen mittleren Teilchengrößen umfassen, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Teilchen beider teilchenförmiger Produkte mit einem elektrisch isolierenden Harz, das in der isolierenden Klebstoffmatrix unlöslich ist, beschichtet ist, der Anteil des kleineren elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts relativ zum größeren elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkt bezüglich der Anzahl der Teilchen im Bereich von 1,1 bis 8 liegt, wobei die Härte der Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße mindestens gleich ist wie die der Teilchen des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit größerer mittlerer Teilchengröße und die Oberflächendichte des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit kleinerer mittlerer Teilchengröße im Bereich von 30.000 bis 50.000 Teilchen pro mm2 liegt und die Oberflächendichte des elektrisch leitenden teilchenförmigen Produkts mit größerer mittlerer Teilchengröße im Bereich von 15.000 bis 30.000 Teilchen pro mm2 liegt.
  8. Anisotrop elektrisch leitender Klebstofffilm wie in Anspruch 7 beansprucht, der zur Verbindung von Anschlusselektroden eines IC-Chips mit entsprechenden Anschlüssen eines elektrischen Schaltkreises auf einem Substrat zu verwenden ist.
  9. Anisotrop elektrisch leitender Klebstofffilm wie in Anspruch 7 beansprucht, der zum Verbinden von Mikrobumps von einer Größe von 4.000 μm2 oder kleiner, die auf einem IC-Chip gebildet sind, mit entsprechenden Anschlüssen eines elektrischen Schaltkreises auf einem Substrat zu verwenden ist.
  10. Anisotrop elektrisch leitender Klebstofffilm wie in irgendeinem der Ansprüche 7 bis 9 beansprucht, bei dem die Dicke des Films das 1- bis 3-fache der Summe der Höhe des auf dem IC-Chip gebildeten Mikrobumps, der zu verbinden ist, plus der Höhe des auf dem Substrat gebildeten Schaltkreismusters ist.
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