DE69505737T2 - Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Bornitrid und danach hergestellte Schichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Bornitrid und danach hergestellte SchichtenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 42
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 24
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical compound B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 16
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 16
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 78
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 25
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 9
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- -1 boron halides Chemical class 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910015241 B3N3H6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/342—Boron nitride
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
- Diese Erfindung richtet sich auf ein Verfahren, um auf einem Substrat einen Film bereitzustellen, der hydriertes Bornitrid (a-BN : H) umfaßt, und auf den so bereitgestellten Film. Insbesondere umfaßt das Verfahren die Abscheidung des a- BN : H-Films durch dessen Kondensierung aus einem Ionenfluß, der ausgehend von Borazin (B&sub3;N&sub3;H&sub6;) enthaltenden, gasförmigen Vorläufern erzeugt wird, durch plasmagestütztes chemisches Aufdampfen unter milden Bedingungen, die eine niedrige Energiedichte einschließen.
- In der Automobilindustrie gab es einen Trend zur Fertigung von immer zahlreicheren Fahrzeugteilen aus Kunststoff. Kunststoffe sind gegen Korrosion beständig und ihr Gewicht ist niedriger als das der metallenen Bestandteile, die sie ersetzen, wodurch sie zu einer Verbesserung im Kraftstoffverbrauch beitragen. Glasbestandteile wie Seiten- und Heckscheiben könnten eventuell durch leichteren, den Schall absorbierenden Kunststoff für verringerte Kosten, herabgesetzten Kraftstoffverbrauch und weniger Lärm in der Fahrgastzelle ersetzt werden. Obwohl zahlreiche Kunststoffe zur Fertigung solcher Bestandteile zur Verfügung stehen, sind einige für eine solche Verwendung nicht geeignet, weil ihnen die für solche Bestandteile gewünschte Beständigkeit gegen den Verschleiß fehlt. Es wäre von Vorteil, wenn die Auswahl der Kunststoffe erweitert werden könnte.
- Eine mögliche Lösung bedingt die Bereitstellung eines Schutzfilms auf derartigen Bestandteilen, der sie gegenüber Verschleiß einschließlich Abnutzung und ebenso gegen Angriffe chemischer Natur widerstandsfähiger macht. Um für den Handel geeignet zu sein, sollten die Filme auf dem Substrat mit hoher Geschwindigkeit abgeschieden werden können, bei den niedrigen Temperaturen, die bei der Verarbeitung dieser Rohstoffe erforderlich sind, ausgehend von handelsüblichen Chemikalien und durch die Verwendung herkömmlicher Fertigungsanlagen.
- Eines der primären Ziele der auf Diamant und andere entsprechende verschleißfeste Dünnfilmbeschichtungen gerichteten Forschung ist die Entwicklung vollständig transparenter Beschichtungen, die bei niedrigen Temperaturen abgeschieden werden können. Obwohl dünne polykristalline Filme transparent sind und einen endgültigen Schutz vor Verschleiß und Korrosion bereitstellen sollten, können sie nur bei Temperaturen aufgetragen werden, die für die meisten in Frage kommenden Substrate zu hoch sind, und sie erfordern allgemein einen sorgfältig ausgeführten Poliervorgang nach der Abscheidung, um gute optische Eigenschaften bereitzustellen. Durch einen Ionenstrahl oder ein Plasma abgeschiedener amorpher hydrierter Kohlenstoff (auch als a-C: H oder Diamantkohlenstoff bekannt) ist genügend verschleißfest und kann bei niedriger Temperatur aufgetragen werden, jedoch absorbiert er optisch zu stark (er ist tief braunrot), wenn er mit einer brauchbaren Dicke aufgetragen wird, also mit mehr als etwa 0.2 um. Diese Färbung rührt vom Einschluß des als Graphit gebundenen Kohlenstoffs in dem ansonsten transparenten Netzwerk aus amorphem Kohlenstoff und Wasserstoff her.
- Kubisch gepacktes Bornitrid (c-BN) ist sichtlich transparent und beinahe so hart wie Diamant. Jedoch wurden bis heute noch nicht dünne polykristalline Filme aus c-BN bei niedrigen Temperaturen synthetisiert, was mit den meisten beabsichtigten Substraten verträglich ist. Reinke et al. beschreiben in "A Sputter Model for Ion Induced Cubic Boron Nitride Growth", "Diamond Materials", S. 283-289, Hrsg. J. P. Dismukes und K. V. Ravi (The Electrochemical Society, Pennington NJ, 1993), daß Verfahren zur Synthese von c-BN allgemein gekennzeichnet sind durch (1) eine hohe Substrattemperatur (> 200ºC, allgemein über 400ºC), (2) starke Aktivierung des Vorläuferdampfes (durch einen heißen Draht, Hochfrequenz oder Mikrowellen) und (3) die Verwendung getrennter borhaltiger und stickstoffhaltiger Vorläufer (jeweils Borhalogenide und Ammoniak). Obwohl die Existenz einer reinen, makrokristallinen Phase aus c-BN noch nicht zuverlässig nachgewiesen wurde, bedingen die erfolgreicheren Verfahren die Elektronenstrahlverdampfung von metallischem Bor oder die Laserabtragung von h-BN in ein dichtes Stickstoffplasma. Derartige Verfahren sind für die Abscheidung auf großen Flächen und bei niedrigen Temperaturen ungeeignet.
- S. Shanfield und R. Wolfson (J. Vac. Sci. Technol., A(2), April-Juni 1983, 323-325) haben von der Ionenstrahlsynthese von kubisch gepacktem Bornitrid unter Verwendung eines Ionenstrahls berichtet, der bei Raumtemperatur aus einem Borazinplasma (B&sub3;N&sub3;H&sub6;) erzeugt wird.
- Filme aus amorphem Bornitrid (a-BN) wurden auch durch Techniken des Sputterns synthetisiert. Solche zuvor hergestellten Filme sind transparent oder lichtdurchlässig, aber nicht sonderlich hart oder verschleißfest, und einige werden sogar von der Luftfeuchtigkeit angegriffen. Das Sputtern ist eine Form der physikalischen Abscheidung in der Gasphase, worin Atome durch den Aufprall eines Edelgasions aus einem Targetmaterial gerissen und direkt auf die zu beschichtende Oberfläche übertragen werden, ohne dazwischen eine Wechselwirkung mit dem Dampf einzugehen. Man nimmt an, daß diese früheren Filme aus a-BN diese unerwünschte Eigenschaft der geringen Verschleißfestigkeit besitzen, weil die Verfahren zu deren Bildung im Film einen hohen Grad an sp²-Bindung wie im hexagonal gepackten Bornitrid fördern (h-BN ist ähnlich wie Graphit ziemlich weich). Solche Filme aus a-BN sind schätzungsweise zu mindestens 90% hexagonal.
- Zahlreiche Forscher haben versucht, härtere Beschichtungen aus a-BN oder a-BN : H mittels chemischen Aufdampfens zu bilden. Wir sind der Meinung, daß diese Versuche zu keinem Erfolg geführt haben, weil sie nicht die Bedingungen des Abscheidungsverfahrens umfassen, die zur Abscheidung der Filme notwendig sind, wie im vorliegenden Verfahren beschrieben ist, wo der entstehende Film im wesentlichen stöchiometrisches oder beinahe stöchiometrisches Bornitrid enthält. Die Filme aus unserer Erfindung umfassen, so glauben wir, einen ausreichenden sp³ Anteil, der auf mindestens 20% geschätzt wird, vorzugsweise auf mindestens 30% und am besten auf mindestens 40%, um nützliche Eigenschaften hinsichtlich der Verschleißfestigkeit zu verleihen. Eine stöchiometrische oder beinahe stöchiometrische (leichter Borüberschuß) Zusammensetzung der Bornitridfilme ist für die Transparenz der Filme und die sp³-Bindung für die Härte erforderlich. Beispielsweise haben Kouvetakis und Mitarbeiter [J. Kouvetakis, V. V. Patel, C. W. Miller und D. B. Breach, J. Vac. Sci. Technol. A, Bd. 8, S. 3929 (1990)] verschiedene Schemata zur Abscheidung von a-BN aus Borazin (B&sub3;N&sub3;H&sub6;) ausgewertet. Bei 550ºC abgeschiedene Filme wurden als sehr weit entfernt von der Stöchiometrie angesehen, d. h. sie waren stark borhaltig, und ganz mit sp²-Bindungen dotiert. Filme, die mit einem Verfahren mit abgetrenntem Plasma beschichtet wurden (worin der zu beschichtende Gegenstand nicht in das Plasma eingeführt wird), haben sich als stöchiometrisch in bezug auf B und N erwiesen, bestanden jedoch aus polykristallinem h-BN. Auf der Kathode eines Plasmareaktors mit parallelen Platten bei 300ºC abgeschiedene Filme haben sich ebenso als stöchiometrisch aber auch vorwiegend als h-BN herausgestellt, also mit sp²-Bindungen. Die Mängel der Filme mit diesen Zusammensetzungen wurden oben erörtert. Solche bei niedrigeren Temperaturen abgeschiedene Filme hafteten nicht und waren gegenüber dem Angriff der Luftfeuchtigkeit Unbeständig.
- Die vorliegende Erfindung überwindet die Nachteile der Verfahren aus dem Stand der Technik und stellt einen harten, transparenten Film, der a-BN : H enthält, auf unterschiedlichen Substraten einschließlich Kunststoffen bereit. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wünschenswert handelsübliche Materialien und herkömmliche Fertigungsausrüstung, um den Film abzuscheiden.
- Die Erfindung stellt ein Verfahren zur Bereitstellung eines harten, transparenten, amorphes hydriertes Bornitrid umfassenden Film auf einem Substrat bereit.
- Im Einklang mit der Erfindung wird in einem Verfahren zur Herstellung eines Filmes, der amorphes hydriertes Bornitrid (a-BN : H) umfaßt, auf einem Substrat durch plasmagestütztes chemisches Aufdampfen ausgehend von borazinhaltigen gasförmigen Vorläuferstoffen dieses a-BN : H als harter, transparenter Film auf diesem Substrat bei einer Temperatur von weniger als etwa 200ºC aus einem Ionenfluß abgeschieden, der durch plasmagestütztes chemisches Aufdampfen aus gasförmigen Vorläuferstoffen, die Ammoniak und Borazin in einem Molverhältnis zwischen etwa 1 : 1 und 5 : 1 umfassen, in einem HF-Plasmasystem erzeugt wird, das bei einem Druck von weniger als 133 Pa (1 Torr) gehalten wird, wobei dieses Substrat bei einem Potential zwischen -150 und -900 V bezüglich des vom System erzeugten Plasmas gehalten wird und die kinetische Energie dieser Ionen zwischen 50 und 300 Elektronvolt (eV) pro Ion liegt.
- Das Verfahren kann auch bei niedrigen Temperaturen unter 100ºC durchgeführt werden, was für viele Kunststoffsubstrate wünschenswert ist.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfaßt diese den nach dem oben offenbarten Verfahren hergestellten Film aus amorphem hydriertem Bornitrid.
- Die Erfindung wird nun weiter auf dem Wege eines Beispiels unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben werden, in denen:
- Abb. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführung eines RF/HF- Plasmaabscheidungssystems ist, das für das erfinderische Verfahren nützlich ist; und die Abb. 2(a), 2(b) und 2(c) die EDS-Spektren verschiedener Bornitridfilme zeigen, wobei der Film aus Abb. 2(b) eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
- Das Verfahren dieser Erfindung beinhaltet die Bereitstellung eines amorphen Films, der hydriertes Bornitrid (a-BN : H) umfaßt, auf einem Substrat. Der Film enthält einen leichten Überschuß oder im wesentlichen die stöchiometrische Menge an Bor in bezug auf das Atomverhältnis B : N, wobei der am meisten bevorzugte Wert bei etwa 1 : 1 liegt. Obwohl das nach dem Verfahren dieser Erfindung hergestellte a-BN : H ein Atomverhältnis N : B von mindestens etwa 0.7 : 1 besitzen kann, beträgt dieses Verhältnis vorzugsweise mindestens etwa 0.8 : 1 und am besten mindestens etwa 0.9 : 1. Allgemein enthalten diese Filme zirka 35 Atomprozent H. Eine exaktere, wenngleich sehr viel unpraktischere Bezeichnung könnte a-(BN)(1-x)Hx sein, worin x vorzugsweise etwa 0.1 bis 0.4 beträgt. Solche Filme sind hart, transparent und wasserabweisend. Sie können dazu verwendet werden, Substrate einschließlich Kunststoffe wie Polykarbonate scheuerfester und chemisch beständiger zu machen, wobei sich diese Beständigkeit überraschend als gleichwertig oder höher als die von Glas herausgestellt hat. Diese Erfindung beschränkt sich jedoch nicht auf das Auftragen des Films dieser Erfindung auf Kunststoffe. Auch andere Substratmaterialien könnten von einem nach dieser Erfindung hergestellten haftenden Film aus a-BN : H profitieren. Beispielhaft für solche Substrate sind Glas, Beschichtungen auf Glas, die durch einen Überzug des a-BN : H der vorliegenden Erfindung gut geschützt werden können, sowie jedes Metall wie Stahl, Aluminium, Messing und Kupfer sein, um nur einige zu nennen. Transparente Schutzfilme aus a- BN : H, die nach der vorliegenden Erfindung hergestellt werden, wurden auf Substraten einschließlich Glas und Kunststoffen aufgetragen und haben sich als widerstandsfähig gegen absichtliche Abnutzung durch Stahlwolle oder Schmirgelpapier (Siliziumkarbidkorn) erwiesen. Die Filme nach der vorliegenden Erfindung sind auch stark wasserabweisend, so daß Wassertropfen unter Hinterlassung einer trockenen Oberfläche heruntergleiten.
- Gemäß dem erfinderischen Verfahren wird die Abscheidung des Films durch Kondensierung aus einem Ionenfluß durchgeführt, der aus Borazin und Ammoniak umfassenden gasförmigen Vorläufern erzeugt wird, wobei sich die kinetische Energie der Ionen zwischen 50 und 300 Elektronvolt (eV) pro Ion bewegt. Nützliche Plasmaionenquellen sind RF/HF-Induktionsplasmen mit Strahlenlenkgittern zur Ionenbeschleunigung oder ohne Gitter und mit einem HF-Potential bezüglich des Substrats, um die Beschleunigung zu liefern. Diese letzte Ausführung verwendet im wesentlichen eine sekundäre Ionenquelle, um den Ionenfluß in der ursprünglichen, einfachen HF-Ausführung mit parallelen Platten zu verstärken. Vorzugsweise wird die Abscheidung unter Verwendung von plasmagestütztem chemischem Aufdampfen durchgeführt, wie in den folgenden Abschnitten beschrieben ist.
- In der bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird die Abscheidung in einem HF-Plasmaabscheidungssystem durchgeführt. Plasmagestütztes chemisches Aufdampfen ist ein dem Fachmann gut bekanntes Verfahren. Eine repräsentative Beschreibung dieser Technik, wie sie im Einklang mit der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann, ist erörtert in "Films Deposition by Plasma Techniques" von M. Konuma (Springer-Verlag, Berlin, 1993). Wie der Fachmann erkennen wird, ist das Substrat, auf dem der Film in dieser bevorzugten Ausführung abgeschieden wird, die HF-gesteuerte Kathode des Reaktors des Plasmaabscheidungssystems. Diese Abscheidung wird in einem Hochfrequenz-(HF)-Plasmasystem durchgeführt, das bei der Abscheidung bei einem Druck von weniger als 133 Pa (1 Torr), vorzugsweise weniger als etwa 13.3 Pa (0.1 Torr) und am besten zwischen etwa 1.3 Pa (10 mTorr) und 7.8 Pa (60 mTorr) gehalten wird. Bei zunehmendem Gasgesamtdruck erhöht sich die Wachstumsgeschwindigkeit des Films.
- Beispielhaft für ein HF-Plasmaabscheidungssystem, das im Verfahren dieser Erfindung verwendet werden kann, ist das in Abb. 1 schematisch wiedergegebene. Der darin ausgeführte Reaktor wird als HF-gesteuerter, kapazitiv gekoppelter Reaktor mit parallelen Platten beschrieben. Die mit der HF-Energie versorgte Elektrode entwickelt bezüglich des Plasmas ein negatives Potential und wird zur Kathode. Der hier beschriebene bevorzugte Prozeß wird durchgeführt, indem die HF-Energie nur der Elektrode, an der das Substrat angeschlossen ist, zugeführt wird. Demzufolge ist die andere Elektrode, die Anode, am Nullpotential angeschlossen. Ebenso kann die Metallkammer als geerdete Anode verwendet werden. Bei leitenden Substraten kann sogar die Kathodenplatte weggelassen werden und die HF-Energie unmittelbar auf das Substrat geleitet werden, was dieses zur Kathode macht. Während des Abscheidungsverfahrens besitzt das Substrat eine durch die Hochfrequenz induzierte Vorspannung zwischen etwa -150 und -900 Volt und besser zwischen etwa -200 und -600 Volt. Dieses oder andere im Einklang mit der Erfindung verwendete HF-Systeme werden während der Filmauftragung bei einer Leistungsdichte (Aufprallenergie der Ionen auf das Substrat) zwischen etwa 0.5 W/cm² und 3 W/cm² gehalten. Die Leistungsdichte auf dem Substrat während der Filmauftragung im Einklang mit der vorliegenden Erfindung beträgt im Optimalfall allgemein weniger als etwa 2 W/cm². Allgemein wird im Verfahren der bevorzugten Ausführungsform die HF-Energie verändert, um Vorspannungen auf dem Substrat zu induzieren (bezüglich des Plasmas, wodurch die Aufprallenergie der Ionen bestimmt wird). Die Aufprallenergie der Ionen beträgt generell grob ein Drittel der HF- Vorspannung. Die tatsächliche mittlere Aufprallenergie der Ionen auf dem wachsenden Film hängt sowohl von der Vorspannung als auch vom Druck und der Zusammensetzung des Speisungsgases ab. Bei typischen Wachstumsbedingungen unterhalb von Druckwerten von etwa 6.5 Pa (50 mTorr) erfahren die Ionen wenige Kollisionen bei der Durchquerung des Potentialgefälles zwischen dem Plasma und dem Substrat, und die mittlere Energie beträgt typisch die Hälfte bis zu einem Drittel der Vorspannung. Somit liegt der Optimalwert der Aufprallenergie der Ionen (kinetische Energie der Ionen) im Bereich von 50 bis 300 eV pro Ion. Bei höheren Druckwerten werden die Kollisionen häufiger und die Aufprallenergie verringert sich etwas. Da die Vorspannung mit dem Ioniserungsanteil des Plasmas zusammenhängt, korreliert eine zunehmende Vorspannung mit zunehmender Ionendichte, verstärktem Ionenfluß und demnach erhöhter Abscheidungsrate. Das Verstärken der Vorspannung auf dem Substrat während der Abscheidung ließ die Wachstumsgeschwindigkeit des Films größer werden. Im Verfahren dieser bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird das Potential, wie oben erörtert, durch eine HF-induzierte Eigenpolarisation der Kathode, an der das Substrat angeschlossen ist, induziert. Wenn andernfalls das mit dem Film zu versehende Substrat selbst ein elektrischer Leiter ist, kann es durch das direkte Anwenden der HF-Energie darauf als Kathode verwendet werden.
- Vor der Bereitstellung eines Filmes aus a-BN : H auf dem Substrat nach dem erfinderischen Verfahren werden die Oberflächen des Substrates oft durch irgendein Verfahren wie Schleifen, Polieren, chemisches Ätzen und Ultraschallentfettung vorbereitet. Wenn dieses getan wird, diktiert das Material des Substrates das Verfahren oder die Kombination der verwendeten Verfahren. Nach der Vorbereitung der Oberflächen kann das Substrat in eine Reaktionskammer des Systems gebracht werden, die dann auf einen Druck beispielsweise von etwa 6.5 · 10&supmin;&sup4; Pa (5 · 10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert wird. Dieser anfängliche Evakuationsdruck ist nicht kritisch, weil die Filme über einen weiten Bereich anfänglicher Druckwerte abgeschieden werden können.
- Gemäß einem fakultativen nächsten Schritt werden adsorbierte Verunreinigungen vorzugsweise durch Ionenbombardement, etwa mit Argonionen, von der Substratoberfläche entfernt. Diese können durch die Einführung von Argongas in eine Reaktionskammer und durch die Einleitung einer Plasmaentladung gebildet werden. Für diesen Reinigungsprozeß wird das Substrat allgemein mit einer Vorspannung von etwa -100 bis -500 Volt versehen. Dieser optionale Schritt kann allgemein über einen Zeitraum von wenigen Minuten bis hin zu etwa 20-30 Minuten je nach dem angenommenen Grad der Oberflächenverschmutzung durchgeführt werden.
- Um das erfinderische Verfahren durchzuführen, werden zur Erzeugung des Films einer oder mehrere gasförmige Vorläufer verwendet. Die Vorläufer bestehen im wesentlichen aus Borazin und Ammoniak, wobei das Molverhältnis zwischen Ammoniak und Borazin mindestens 1 : 1 beträgt, jedoch 5 : 1 nicht übersteigt. Es können auch Kohlenwasserstoffe wie Methan, Diethylsilan oder Mischungen davon im vorliegenden Verfahren zu Borazin und Ammoniak hinzugefügt werden. Der Zusatz kohlenstoffhaltiger Spezies wie Methan ermöglicht die Bildung von Filmen beliebiger Zusammensetzung zwischen a-BN : H und a-C : H. Der unvermeidbare Einschluß von Kohlenstoff mit sp²-Bindung ergibt jedoch eine Herabsetzung der Transparenz, und daher wird die Verwendung solch kohlenstoffhaltiger Spezies vorzugsweise auf kleine Mengen beschränkt oder überhaupt vermieden.
- Die Strömungsgeschwindigkeiten der gasförmigen Vorläufer, die in der vorstehend beschriebenen, bevorzugten Ausführungsform des HF-Systems verwendbar sind, können bei der Verwirklichung der vorliegenden Erfindung über einen weiten Bereich variieren. Typische Strömungsgeschwindigkeiten liegen im Bereich von 1 bis 30 standard cm³/min oder darüber. Die gewählte Strömungsgeschwindigkeit wird von der Oberfläche des zu beschichtenden Gegenstandes und von der Abscheidungsrate bestimmt, die durch die ausgewählten Bedingungen zur Erzeugung des Ionenflusses (Plasma) erzeugt wird. Größere Reaktoren und höhere Abscheidungsraten erfordern größere Strömungsgeschwindigkeiten.
- Bei den im Verfahren dieser Erfindung verwendeten milden Abscheidungsbedingungen nimmt man an, daß die Konfiguration der chemischen Bindungen in den Vorläufergasen tendenziell in den daraus gebildeten Filmen erhalten bleibt. Also erzeugen die niedrigen Drücke und Leistungsdichten unseres Verfahrens mit dem HF-Plasmasystem derartig milde Bedingungen, daß nur sehr wenige chemische Reaktionen der Vorläufer im Dampf stattfinden, und das Plasma dient im bevorzugten HF-Verfahren im wesentlichen als Ionenquelle. Da das Bor und der Stickstoff in der richtigen Stöchiometrie "vorgebunden" sind, bewahren die milden Bedingungen des erfinderischen Verfahrens diese Stöchiometrie im abgeschiedenen Film. Es hat sich herausgestellt, daß die nach der Erfindung erzeugten Filme einen genügend hohen Anteil an (vierfacher) sp³-Atomkoordinierung zusammen mit einem genügend niedrigen Wasserstoffgehalt aufweisen, so daß sie sehr hart und verschleißfest sind, im Unterschied zu den meisten amorphen BN-Filmen, die weitgehend (dreifach) sp²-koordiniert und wesentlich weicher sind, so etwa hexagonales Bornitrid (h-BN). Die höchste Härte scheint mit einer Maximierung nicht hydrierter sp³-Bindungen einherzugehen. Die Filme dieser Erfindung besitzen oft Härten von mindestens 8 GPa, vorzugsweise zwischen etwa 9 und 30 GPa.
- Die Bestimmung der - Bindungsart wurde durch Röntgen- Photoelektronenspektroskopie (XPS) durchgeführt. Die XPS bestätigte, daß (1) sowohl das Bor als auch der Stickstoff weitestgehend sp³-koordiniert sind und (2) das Bor hauptsächlich mit dem Stickstoff verbunden ist und umgekehrt. Die Konfiguration (d. h. die Identität der einem bestimmten Atom benachbarten Atome) ähneln jener des kubischen Bornitrids (sp³-gebundenes Boratom, umgeben von sp³-hybridisertem Stickstoff und umgekehrt). Dies sollte nicht mit der Kristallordnung verwechselt werden, wo sowohl die Identität als auch die Stellung benachbarter Atome bis zu einer beachtlichen Entfernung wiederkehrend und vorhersehbar sind. Letzteres ist definitionsgemäß in einem amorphen Material unmöglich. Die Banden bei der XPS sind im Vergleich zu den von kristallinen Vergleichsmaterialien breit, was auf eine amorphe Struktur hindeutet, und innerhalb der Genauigkeit der XPS, grob 10%, sind diese Filme stöchiometrisch oder beinahe stöchiometrisch (leichter Überschuß an Bor).
- Man fand, daß zur Unterdrückung des thermischen Ausglühens, das zur Bildung unerwünschter h-BN-Konfigurationen der Atome führt, die Temperatur des Substrates während der Abscheidung nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung niedriger als etwa 200ºC gehalten werden muß. Die Möglichkeit, Filme bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen des Substrats (unterhalb 200ºC) abzuscheiden, wie in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ausgeführt, verträgt sich auf günstige Weise mit der Anforderung, daß Kunststoffe nicht über zirka 100ºC erhitzt werden dürfen. Wenn die thermische Leitfähigkeit des Substrats niedrig ist oder eine aktive Kühlung durch ein inneres Strömen von Wasser oder Gas unmöglich ist, dann muß zur Vermeidung von Überhitzung der vom Plasma gelieferte Energiefluß begrenzt werden. Dies kann erfordern, daß die Wachstumsgeschwindigkeit verringert wird. So kann sich ergeben, daß Metalle mit einer höheren Geschwindigkeit beschichtet werden können als Kunststoffe. Die jeweilige Temperatur des Systems während des Beschichtungsverfahrens ist unkritisch, solange sie unter etwa 200ºC gehalten wird. Für die Abscheidung auf den meisten herkömmlichen Kunststoffen wird sie allgemein geringer als 100ºC sein. Ein Vorteil des Verfahrens der Erfindung besteht darin, daß es bei niedrigen Temperaturen durchgeführt werden kann, was bei einem Substrat aus Kunststoff notwendig ist. Wie dem Fachmann angesichts der vorliegenden Offenbarung augenscheinlich werden wird, werden das Substrat und andere Überlegungen, einschließlich des verwendeten Systems, zulässige und optimale Betriebstemperaturen nahelegen. Die physikalischen Eigenschaften, beispielsweise die Härte, der in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung hergestellten Filme aus a-BN : H können wie gewünscht verändert werden, indem die Zusammensetzung und/oder die Verhältnisse der Vorläufergase variiert werden, und beispielsweise durch die Veränderung der Vorspannung des Substrates in der HF-Verfahrensausführung. Beispielsweise bewirkt die Zugabe von Ammoniak zu Borazin im Molverhältnis von 1 : 1 die Zunahme des optischen Spaltes (Eg) von 2.5 auf 3.5 eV, wie es in der nachfolgenden Tabelle von Filmen, die nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellt wurden, gezeigt ist. Die Filme aus der Tabelle wurden durch das bevorzugte HF-plasmagestützte chemische Aufdampfen erzeugt. Eine Kombination aus Borazin und Methan als Vorläufer erzeugt Filme mit einem Eg von 1.4 eV. Der optische Spalt hängt mit der Transparenz des Films zusammen. Die Transparenz der Filme kann über einen weiten Bereich verändert werden, ohne die Härte des resultierenden Filmes zu beeinträchtigen, wie es von Messungen von Nanoeindruckstellen bestätigt wurde und in der Tabelle gezeigt ist. Tabelle
- Im zweiten Beispiel der obigen Tabelle, das ein Molverhältnis von Borazin/Ammoniak von 1 : 1 verwendet, betrug die Strömungsgeschwindigkeit sämtlicher Gase 10 sccm und der Gesamtsystemdruck 6.5 Pa (50 mTorr). Wie aus der Tabelle ersichtlich ist, ergab dies einen klaren, transparenten Film mit einer Härte von 10.8 Gpa (10.8 · 10&sup9; Pascal). Dies ist im Vergleich zu Beschichtungen aus hydriertem Kohlenstoff (11.8 GPa) günstig. In diesem Falle betrug mit einer Vorspannung des Substrats von -900 Volt die Abscheidungsrate allgemein etwa 4 um/h (Mikrometer/Stunde). Die erzeugten Filme aus der Tabelle erwiesen sich als im wesentlichen stöchiometrisches BN, was durch XPS (Röntgen-Photoelektronenspektroskopie) bestimmt wurde. Obwohl sie aufgrund von Matrixeffekten (Schwankungen der Intensität der Fluoreszenz eines bestimmten Atoms je nach seiner Umgebung) nicht wirklich quantitativ ist, kann energiestreuende Röntgenanalyse (EDS) zur Veranschaulichung des Effekts der Ammoniakzugabe verwendet werden. Abb. 2a zeigt die EDS-Spektren eines aus reinem Borazin abgeschiedenen Filmes, wohingegen in Abb. 2b die Abscheidung aus einer 1 : 1-molaren Mischung Borazin/Ammoniak nach der vorliegenden Erfindung verdeutlicht ist. Als Vergleich ist Abb. 2c ein EDS- Spektrum einer h-BN Probe aus dem Handel. Das B : N-Verhältnis der a-BN : H-Filme kann durch den Vergleich der Verhältnisse der Oberflächen der jeweiligen Röntgenfluoreszenzpeaks von Bor (B) und Stickstoff (N) mit dem des h-BN- Vergleichsstandards erhalten werden. Ohne den Einschluß von Ammoniak mit Borazin als Vorläufer bei der Bildung des Films wird der erzeugte Film aus a-BN : H leicht stickstoffarm und ergibt ein geschätztes N : B-Atomverhältnis von 0.72. Jedoch erhöht die Verwendung von Ammoniak zusätzlich zum Borazin als Vorläufer (Molverhältnis 1 : 1) das N : B-Verhältnis des Dampfes leicht von 1 : 1 auf 1.33 : 1, das geschätzte N : B-Verhältnis des Filmes auf 0.88, was ihn optimalerweise sehr viel härter und transparenter macht (wie in der Tabelle gezeigt ist). Eine weitere Anhebung des Molverhältnisses des Ammoniak-Borazin-Vorläufers auf jeweils 2 : 1 und 3 : 1 ergibt eine weitere Zunahme der Transparenz. Diese Zunahme ist nur in dicken Filmen bemerkbar und dann nur durch den direkten Vergleich mit einem unbeschichteten Substrat. Eine Anhebung des Molverhältnisses des Ammoniak- Borazin-Vorläufers auf 3 : 1 erhöht die Härte nur leicht. Jedoch bewirkt eine weitere Zunahme dieses Verhältnisses zwischen den Vorläufern auf 5 : 1 die Bildung eines sehr viel weicheren Filmes, was darauf hinweist, daß das optimalste Molverhältnis des Ammoniak-Borazin-Vorläufers zwischen 1 : 1 und grob 4 : 1 liegt. Man nimmt an, daß die Verwendung eines exzessiven Molverhältnisses des Ammoniak-Borazin-Vorläufers, d. h. beträchtlich höher als 5 : 1, eine unerwünschte Eingliederung freier NH&sub2;-Gruppen im erzeugten Film bewirkt. Obzwar die Eingliederung dieser freien Gruppen den relativen Stickstoffanteil erhöht und den Anschein einer verbesserten Stöchiometrie liefert, können diese keinen Beitrag zur Festigkeit des amorphen Netzwerks liefern, aus dem der Film gebildet ist, und verringern so dessen Härte. Diese Ergebnisse beweisen deutlich, daß die Verwendung zusätzlichen Stickstoffvorläufers in der Form von Ammoniak den Stickstoffgehalt des Films erhöht und dazu dient, die B : N- Stöchiometrie näher an der wesentlichen Stöchiometrie zu halten, was für optimale optische Eigenschaften wie Endhärte und Transparenz höchst wünschenswert ist. Der Brechungsindex von a-BN : H, das nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, ist geeignet, störende Reflexionen zu vermeiden, wenn der Film auf Substrate aus Glas und Kunststoff aufgebracht wird.
Claims (11)
1. Ein Verfahren, um einen Film, der amorphes hydriertes Bornitrid (a-BN : H) umfaßt,
auf einem Substrat durch plasmagestütztes chemisches Aufdampfen ausgehend von
borazinhaltigen gasförmigen Vorläuferstoffen herzustellen, worin das a-BN : H als
harter, transparenter Film auf diesem Substrat bei einer Temperatur von weniger als
etwa 200ºC aus einem Ionenfluß abgeschieden wird, der durch plasmagestütztes
chemisches Aufdampfen aus gasförmigen Vorläuferstoffen, die Ammoniak und
Borazin in einem Molverhältnis zwischen etwa 1 : 1 und 5 : 1 umfassen, in einem
RF/HF- Plasmasystem erzeugt wird, das bei einem Druck von weniger als 133
Pa (1 Torr) gehalten wird, wobei dieses Substrat bei einem Potential zwischen -150
und -900 V bezüglich des vom System erzeugten Plasmas gehalten wird und die
kinetische Energie dieser Ionen zwischen 50 und 300 Elektronvolt (eV) pro Ion liegt.
2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, worin das Verfahren bei einer Temperatur von
weniger als etwa 100ºC durchgeführt wird.
3. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das Molverhältnis zwischen
Ammoniak und Borazin zwischen 1 : 1 und 4 : 1 liegt.
4. Ein Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin das
Atomverhältnis N : B in diesem a-BN : H mindestens etwa 0.7 : 1 beträgt.
5. Ein Verfahren nach Anspruch 4, worin das Atomverhältnis N : B in diesem a-BN : H
etwa 1 : 1 beträgt.
6. Ein Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin dieses
Substrat Materialien umfaßt, die aus der Reihe ausgewählt werden, die aus Glas,
Kunststoffen und Metall besteht.
7. Ein Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin dieser Film
einen optischen Spalt von mindestens etwa 2.5 eV aufweist.
8. Ein Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin die
erzeugten Ionen beim Aufprall auf dieses Substrat Energien von weniger als etwa 3
Watt/cm² besitzen.
9. Ein Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin die
Leistungsdichte des Systems während der Abscheidung zwischen 0.5 Watt/cm² und
3 Watt/cm² gehalten wird.
10. Ein Film aus hartem, transparentem, amorphem hydriertem Bornitrid (a-BN : H),
der N : B in einem Verhältnis von mindestens etwa 0.7 : 1 und mindestens etwa 20%
sp³-Bindung zwischen dem Bor und dem Stickstoff im Film umfaßt.
11. Ein Film nach Anspruch 10, worin das Verhältnis B : N im wesentlichen ein
stöchiometrisches ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/261,278 US5518780A (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Method of making hard, transparent amorphous hydrogenated boron nitride films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69505737D1 DE69505737D1 (de) | 1998-12-10 |
DE69505737T2 true DE69505737T2 (de) | 1999-03-25 |
Family
ID=22992615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69505737T Expired - Fee Related DE69505737T2 (de) | 1994-06-16 | 1995-06-06 | Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Bornitrid und danach hergestellte Schichten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5518780A (de) |
EP (1) | EP0687748B1 (de) |
JP (1) | JPH0841633A (de) |
CA (1) | CA2151650A1 (de) |
DE (1) | DE69505737T2 (de) |
Families Citing this family (205)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5885666A (en) * | 1997-05-06 | 1999-03-23 | General Motors Corporation | Conversion of hexagonal-like BN to cubic-like BN by ion implantation |
US5968444A (en) * | 1997-05-16 | 1999-10-19 | Green Tokai Co., Ltd | Method for pre-shaping of plastic films used in co-molding processes and improved paint film covered parts made thereby |
US6572933B1 (en) * | 1997-09-24 | 2003-06-03 | The Regents Of The University Of California | Forming adherent coatings using plasma processing |
US6475573B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-11-05 | Guardian Industries Corp. | Method of depositing DLC inclusive coating on substrate |
US6447891B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-09-10 | Guardian Industries Corp. | Low-E coating system including protective DLC |
US6280834B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-08-28 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC and/or FAS on substrate |
US6335086B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-01-01 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
US6261693B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-07-17 | Guardian Industries Corporation | Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass |
US6368664B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-04-09 | Guardian Industries Corp. | Method of ion beam milling substrate prior to depositing diamond like carbon layer thereon |
US6312808B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-11-06 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating with DLC & FAS on substrate |
US6461731B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-10-08 | Guardian Industries Corp. | Solar management coating system including protective DLC |
US6338901B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-01-15 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
US6277480B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-08-21 | Guardian Industries Corporation | Coated article including a DLC inclusive layer(s) and a layer(s) deposited using siloxane gas, and corresponding method |
JP3508629B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2004-03-22 | 三菱電機株式会社 | 耐熱低誘電率薄膜の形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置 |
US6641767B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-11-04 | 3M Innovative Properties Company | Methods for replication, replicated articles, and replication tools |
US9255329B2 (en) * | 2000-12-06 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
JP4946049B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2012-06-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | アモルファス窒化硼素薄膜の製造方法 |
CN100464395C (zh) * | 2004-10-19 | 2009-02-25 | 三菱电机株式会社 | 膜的制造方法与使用该方法制造的膜的半导体装置 |
JP4497323B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | プラズマcvd装置 |
US8337950B2 (en) * | 2007-06-19 | 2012-12-25 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing boron-rich films for lithographic mask applications |
US8968827B2 (en) * | 2008-04-01 | 2015-03-03 | U.S. Department Of Energy | Methods of forming boron nitride |
US9469790B2 (en) | 2009-09-29 | 2016-10-18 | The Boeing Company | Adhesive compositions comprising electrically insulating-coated carbon-based particles and methods for their use and preparation |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
KR20170038499A (ko) | 2015-09-30 | 2017-04-07 | 한국과학기술연구원 | 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용하여 저온에서 성장된 고품질 육방 질화 붕소막과 그 제조방법 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
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TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
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CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR102353964B1 (ko) * | 2020-05-11 | 2022-01-24 | 울산과학기술원 | 대면적 비정질 질화붕소막의 제조방법 및 대면적 비정질 질화 붕소막 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
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TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
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USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
TW202321508A (zh) * | 2021-10-19 | 2023-06-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積氮化硼膜之循環沉積方法以及包含氮化硼膜的結構 |
KR20230152454A (ko) * | 2022-04-27 | 2023-11-03 | 삼성전자주식회사 | 나노결정질 질화붕소막, 이를 포함하는 이미지 센서 및 전계 효과 트랜지스터, 및 나노결정질 질화붕소막의 제조 방법 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3677799A (en) * | 1970-11-10 | 1972-07-18 | Celanese Corp | Vapor phase boron deposition by pulse discharge |
US4297387A (en) * | 1980-06-04 | 1981-10-27 | Battelle Development Corporation | Cubic boron nitride preparation |
US4526673A (en) * | 1982-09-24 | 1985-07-02 | Spire Corporation | Coating method |
US4440108A (en) * | 1982-09-24 | 1984-04-03 | Spire Corporation | Ion beam coating apparatus |
US4415420A (en) * | 1983-02-07 | 1983-11-15 | Applied Coatings International, Inc. | Cubic boron nitride preparation |
US4412899A (en) * | 1983-02-07 | 1983-11-01 | Applied Coatings International, Inc. | Cubic boron nitride preparation utilizing nitrogen gas |
JPH06105779B2 (ja) * | 1983-02-28 | 1994-12-21 | 双葉電子工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US4540596A (en) * | 1983-05-06 | 1985-09-10 | Smith International, Inc. | Method of producing thin, hard coating |
US4656052A (en) * | 1984-02-13 | 1987-04-07 | Kyocera Corporation | Process for production of high-hardness boron nitride film |
JPS60221566A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成装置 |
JPS61149477A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Furukawa Mining Co Ltd | 窒化ホウ素膜の形成方法 |
CH664163A5 (de) * | 1985-03-01 | 1988-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum reaktiven aufdampfen von schichten aus oxiden, nitriden, oxynitriden und karbiden. |
JPS61205383A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Toshiba Corp | コンプレツサ |
JPS6221778A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-30 | 東芝タンガロイ株式会社 | 立方晶窒化ホウ素被覆体及びその製造方法 |
DD243514B1 (de) * | 1985-12-17 | 1989-04-26 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Hartstoffschichten fuer mechanisch und korrosiv beanspruchte teile |
US4842710A (en) * | 1987-03-23 | 1989-06-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of making mixed nitride films with at least two metals |
US4944961A (en) * | 1988-08-05 | 1990-07-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Deposition of metals on stepped surfaces |
FR2639363B1 (fr) * | 1988-11-23 | 1991-02-22 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de traitement de surface par plasma, pour un substrat porte par une electrode |
DE59007568D1 (de) * | 1990-04-06 | 1994-12-01 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von mikrokristallin kubischen Bornitridschichten. |
JPH04228572A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化ホウ素合成法 |
US5135808A (en) * | 1990-09-27 | 1992-08-04 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
US5079038A (en) * | 1990-10-05 | 1992-01-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Hot filament CVD of boron nitride films |
DE4113791A1 (de) * | 1991-04-26 | 1992-10-29 | Solvay Deutschland | Verfahren zur abscheidung einer bor und stickstoff enthaltenden schicht |
US5350605A (en) * | 1991-06-12 | 1994-09-27 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for the preparation of an optical structure and optical structure obtained thereby |
-
1994
- 1994-06-16 US US08/261,278 patent/US5518780A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-06 DE DE69505737T patent/DE69505737T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-06 EP EP95303881A patent/EP0687748B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-13 CA CA002151650A patent/CA2151650A1/en not_active Abandoned
- 1995-06-15 JP JP7149231A patent/JPH0841633A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0687748B1 (de) | 1998-11-04 |
JPH0841633A (ja) | 1996-02-13 |
CA2151650A1 (en) | 1995-12-17 |
EP0687748A1 (de) | 1995-12-20 |
US5518780A (en) | 1996-05-21 |
DE69505737D1 (de) | 1998-12-10 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |