DE69310736T2 - Metallionenreduzierung in antireflexdeckschichten für photoresists - Google Patents
Metallionenreduzierung in antireflexdeckschichten für photoresistsInfo
- Publication number
- DE69310736T2 DE69310736T2 DE69310736T DE69310736T DE69310736T2 DE 69310736 T2 DE69310736 T2 DE 69310736T2 DE 69310736 T DE69310736 T DE 69310736T DE 69310736 T DE69310736 T DE 69310736T DE 69310736 T2 DE69310736 T2 DE 69310736T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ppb
- content
- sodium
- exchange resin
- ion exchange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 38
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 79
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims description 43
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims description 43
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 40
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 40
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 32
- -1 iron ions Chemical class 0.000 claims description 28
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 14
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 18
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 8
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N perfluorooctanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- MBIQENSCDNJOIY-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)(O)C(O)=O MBIQENSCDNJOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- SIWVGXQOXWGJCI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;2-ethenylbenzenesulfonic acid Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C.OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1C=C SIWVGXQOXWGJCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHRJZRDFSQHIFI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1C=C CHRJZRDFSQHIFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZUPZGFPHUVJKC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-methoxyethane Chemical compound COCCBr YZUPZGFPHUVJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000006462 rearrangement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Antireflexdeckschicht-Zusammensetzungen für Photoresists, die einen sehr niedrigen Gehalt an Metallionen, insbesondere an Natrium und Eisen, aufweisen, und die Verwendung derartiger Antireflexdeckschicht- Zusammensetzungen in Verbindung mit lichtempfindlichen Photoresistzusammensetzungen zur Herstellung von Halbleiterelementen. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Beschichtung von bereits mit einer Photoresistzusammensetzung überzogenen Substraten mit diesen Antireflexdeckschicht-Zusammensetzungen sowie das Verfahren der Beschichtung, Bebilderung und Entwicklung von mit derartigen Antifrelexschichten überzogenen lichtempfindlichen Photoresistzusammensetzungen auf derartigen Substraten.
- Bei der Verfahrenssteuerung der optischen Mikrolithographie spielt die Dünnschichtinterferenz eine zentrale Rolle. Geringe Variationen der Dicke des Resists oder darunterliegender dünner Schichten verursachen große Belichtungsvariationen, die wiederum zu zwei Klassen unerwünschter Linienbreitenvariationen führen.
- 1. Da die Dünnschichtdicke von Lauf zu Lauf, Wafer zu Wafer oder über einen Wafer variieren kann, variieren die Linienbreiten genauso von Lauf zu Lauf, Wafer zu Wafer oder über einen Wafer.
- 2. Da die Strukturierung über die Wafer-Topographie erfolgt, verändert sich die Resistdicke unweigerlich an der Topographie-Kante, was zu einer Variation der Linienbreite im Kantenbereich führt.
- Die Vermeidung derartiger Dünnschichtinterferenzeffekte ist einer der Schlüsselvorteile von hochentwickelten Verfahren, wie z.B. der Röntgenlithographie, oder mehrschichtigen Resistsystemen. Bei der Halbleiterfertigung dominieren jedoch Einschichtresist-Verfahren (Single Layer Resist, SLR), da sie einfach und wirtschaftlich sind und Naßentwicklungsverfahren darüber hinaus gegenüber Trockenverfahren relativ sauber sind.
- Die Dünnschichtinterferenz führt in einer Auftragung der zur Abtragung von Positivphotoresist erforderlichen Belichtungsdosis, die auch als Abtragungsdosis bezeichnet wird, gegen die Photoresistdicke zu periodischen Schwankungen. Aus dem Blickwinkel der Optik betrachet, interferiert auf einem mit Resist beschichteten Substrat vom unteren Spiegel (aufgrund des Effekts des Substrats und dünner Schichten) reflektiertes Licht mit der Reflexion des oberen Spiegels (der Grenzfläche Resist/Luft).
- Da man bei der optischen Lithographie kürzere Wellenlängen anstrebt, gewinnen die Dünnschichtinterferenzeffekte immer mehr an Bedeutung. Mit abnehmender Wellenlänge beobachtet man stärkere Intensitätsschwünge.
- Eine Strategie zur Verringerung der Dünnschichtinterferenz beruht darauf, daß man das Reflexionsvermögen des Substrats durch den Einsatz von absorptiven Antireflexschichten verringert. Hierzu kann man z.B. vor der Belichtung auf den Photoresist eine Antireflexdeckschicht aufbringen.
- Photoresistzusammensetzungen finden bei mikrolithographischen Verfahren zur Herstellung von miniaturisierten elektronischen Bauteilen Verwendung, z.B. bei der Fertigung von Computerchips und integrierten Schaltungen. Dabei bringt man im allgemeinen auf ein Substratmaterial, wie z.B. Siliciumwafer für die Herstellung von integrierten Schaltungen, zuerst eine dünne Schicht aus einer Photoresistzusammensetzung auf. Das beschichtete Substrat wird dann zum Abdampfen von jeglichem in der Photoresist- Zusammensetzung enthaltenen Lösemittel und zur Fixierung der Beschichtung auf dem Substrat gebrannt. Anschließend wird die gebrannte, beschichtete Oberfläche des Substrats bildmäßig belichtet.
- Die Belichtung bewirkt eine chemische Umwandlung der belichteten Bereiche der beschichteten Oberfläche. Bei mikrolithographischen Verfahren sind als Strahlungstypen sichtbares Licht, ultraviolettes Licht (UV-Licht), Elektronenstrahlen und Röntgenstrahlen weit verbreitet. Nach dieser bildmäßigen Belichtung behandelt man das beschichtete Substrat mit einer Entwicklerlösung, um entweder die belichteten oder die unbelichteten Bereiche des Photoresists und die gesamte Antireflexschicht von der Oberfläche des Substrats aufzulösen und abzutragen.
- Bei der Herstellung von hochdichten integrierten Schaltungen und Computerchips steht man seit langem vor dem Problem der Verunreinigung durch Metalle, die häufig zu vermehrten Defekten, Ausbeute- und Qualistätsverlusten und schlechteren Gebrauchseigenschaften führt. Bei Plasmaverfahren können Metalle wie Natrium und Eisen bei Vorliegen im Photoresist oder in einem Überzug auf dem Photoresist insbesondere beim Plasmastrippen zu Verunreinigungen führen. Diese Probleme konnten jedoch beim Fertigungsverfahren in erheblichem Ausmaß beseitigt werden, beispielsweise durch Aufsammeln der Verunreinigungen mit HCl im Lauf eines Heißtemperzyklus.
- Infolge der Weiterentwicklung von Halbleiterelementen wurde die Bewältigung dieser Probleme immer schwieriger. Beim Beschichten von Siliciumwafern mit einem flüssigen Positivphotoresist und nachfolgendem Abstrippen, wie z.B. mit Sauerstoff-Mikrowellen-Plasma, ist oft eine Verschlechterung der Gebrauchseigenschaften und der Stabilität des Halbleiterelements festzustellen. Mit Wiederholung des Plasmastrippverfahrens tritt häufig ein weiterer Qualitätsverlust des Elements auf. Eine Hauptursache für derartige Probleme liegt wohl in der Verunreinigung der Antireflexschicht auf dem Photoresist durch Metalle, inbesondere Natrium- und Eisenionen. Die Eigenschaften derartiger Halbleiterelemente können bereits durch Metallgehalte von nur 1,0 ppm oder weniger nachteilig beeinflußt werden.
- Es gibt zwei Arten von Photoresistzusammensetzungen, nämlich negativ arbeitende und positiv arbeitende. Bei bildmäßiger Belichtung von positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzungen nimmt die Löslichkeit der belichteten Bereiche der Photoresistzusammensetzung in der Entwicklerlösung zu (z.B. tritt eine Umlagerungsreaktion auf), wohingegen die unbelichteten Bereiche in der Entwicklerlösung relativ unlöslich bleiben. Die Behandlung eines belichteten, positiv arbeitenden Photoresists mit dem Entwickler führt also zur Abtragung der belichteten Bereiche der Beschichtung und zur Erzeugung eines positiven Bilds in der Photoresistschicht. Hierbei wird wiederum der gewünschte Teil der darunterliegenden Substratoberfläche freigelegt.
- Nach der Entwicklung kann man das nunmehr teilweise ungeschützte Substrat mit einer Substratätzlösung, Plasmagasen oder dergleichen behandeln. Die Ätzlösung oder die Plasmagase ätzt bzw. ätzen den Teil des Substrats, von dem die Photoresistschicht bei der Entwicklung abgetragen wurde. Die noch mit Photoresistschicht überzogenen Bereiche des Substrats sind dagegen geschützt, so daß im Substratmaterial ein Ätzmuster erzeugt wird, das der für die bildmäßige Belichtung verwendeten Photomaske entspricht. Im Anschluß daran kann man die verbleibenden Bereiche der Photoresistschicht im Zuge eines Stripparbeitsgangs abtragen, wobei eine saubere, geätzte Substratoberfläche zurückbleibt. In einigen Fällen ist nach der Entwicklung und vor dem Ätzen eine Wärmebehandlung der verbleibenden Photoresistschicht wünschenswert, um deren Haftung am darunterliegenden Substrat und deren Beständigkeit gegen Ätzlösungen zu erhöhen.
- Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzungen werden gegenwärtig gegenüber negativ arbeitenden Resists bevorzugt, da sie im allgemeinen besseres Auflösungsvermögen und bessere Strukturübertragungseigenschaften aufweisen. Die Auflösung eines Photoresists ist definiert als das kleinste Strukturmerkmal, das die Resistzusammensetzung noch mit einem hohen Maß an Flankensteilheit nach Belichtung und Entwicklung von der Photomaske auf das Substrat übertragen kann. Bei vielen aktuellen fertigungstechnischen Anwendungen muß ein Resist eine Auflösung in der Größenordnung von weniger als einem Mikrometer aufweisen. Ferner ist es fast immer wünschenswert, daß die Wandprofile des entwickelten Photoresists in Bezug auf das Substrat nahezu vertikal sind. Derartige Abgrenzungen zwischen entwickelten und nicht entwickelten Bereichen des Resistüberzugs ergeben eine genaue Übertragung der Struktur des Maskenbilds auf das Substrat.
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Antireflexdeckschicht-Zusammensetzungen, die einen sehr niedrigen Gehalt an Metallionen, insbesondere an Natrium und Eisen, aufweisen. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen unter Verwendung derartiger Antireflexdeckschichten für Photoresists.
- Das erfindungsgemäße Verfahren liefert eine Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung mit einem sehr niedrigen Metallionengehalt. Die Antireflexschicht wird auf einen Photoresist aufgebracht.
- Die erhaltenen Antireflexdeckschicht-Zusammensetzungen weisen sehr niedrige Gehalte an Metallionen, wie z.B. Eisen, Natrium, Kalium, Calcium, Magnesium, Kupfer und Zink, auf. Der Gesamtmetallionengehalt beträgt bevorzugt weniger als 1 ppm, besonders bevorzugt weniger als 500 ppb. Natrium und Eisen sind die üblichsten Metallionen-Verunreinigungen und gehören zu den am einfachsten nachzuweisenden. Der Gehalt an diesen Metallionen dient als Indikator für den Gehalt an anderen Metallionen. Der Natrium- und Eisenionengehalt beträgt jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Antireflexdeckschicht- Zusammensetzung, die einen sehr niedrigen Gehalt an Metallionen, insbesondere an Natrium und Eisen, aufweist. Bei der bevorzugten Ausführungsform verwendet man dabei zur Reinigung der Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung ein saures Ionenaustauscherharz. Das in Rede stehende Verfahren umfaßt:
- a) Behandeln eines sauren Ionenaustauscherharzes mit Wasser, bevorzugt mit deionisiertem Wasser, und anschließend mit einer Mineralsäurelösung (z.B. einer 5-98%igen Schwefelsäure-, Salpetersäure- oder Salzsäurelösung) zur Verminderung des Gehalts an Natrium- und Eisenionen in dem Ionenaustauscherharz auf jeweils weniger als 200 ppb, bevorzugt weniger als 100 ppb und ganz besonders bevorzugt nicht mehr als 40 ppb;
- b) Bereitstellen einer Lösung aus 5 bis 40 Gew.-% eines wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymers mit einem Molekulargewicht von etwa 500 bis etwa 100.000, bevorzugt von etwa 1.000 bis etwa 10.000, in einem geeigneten Lösemittel;
- c) Waschen des sauren Ionenaustauscherharzes mit einem Lösemittel, das mit dem für das organische Carbonsäure-Polymer verwendeten Lösemittel identisch oder zumindest verträglich ist, wodurch andere Lösemittel entfernt werden;
- d) Hindurchleiten der Lösung des wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymers durch das Ionenaustauscherharz, wodurch der Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb vermindert wird;
- e) Formulieren einer Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung durch Bereitstellen einer Mischung aus:
- (1) dem behandelten wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymer,
- (2) einer fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen (0,1 - 10 Gew.-% in Wasser, bevorzugt 0,5 - 5 Gew.- %), organischen aliphatischen (C&sub3;-C&sub1;&sub3;-) Carbonsäure,
- (3) einem Ammoniumhydroxid und
- (4) einem geeigneten Lösemittel.
- Vor der Formulierung der Antireflexdeckschicht- Zusammensetzung leitet man bevorzugt eine Lösung der fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen, organischen aliphatischen Carbonsäure in einem geeigneten Lösemittel durch das Ionenaustauscherharz hindurch und vermindert den Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb.
- Die Lösemittel für das wasserlösliche organische Carbonsäurepolymer, die wenig wasserlösliche, fluorhaltige, organische aliphatische Carbonsäure und die Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung sind bevorzugt deionisiert, z.B. deionisiertes Wasser oder deionisiertes Diglyme oder ein Gemisch aus deionisiertem Wasser und deionisiertem Diglyme.
- Vor der Formulierung der endgültigen Antireflexdeckschicht stellt man bevorzugt eine Mischung aus:
- (1) dem behandelten, wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymer,
- (2) der behandelten, fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen, organischen, aliphatischen Carbonsäure und
- (3) einem geeigneten Lösemittel
- bereit.
- Diese Mischung leitet man dann durch das Ionenaustauscherharz hindurch und vermindert den Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb. Anschließend setzt man der Mischung das Ammoniumhydroxid zu, womit eine Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung mit sehr niedrigem Metallionengehalt bereitgestellt wird.
- Vor der Ionenaustauscherharz-Behandlung des wasserlöslichen organischen Carbonsäure-Polymers, der wenig wasserlöslichen, fluorhaltigen, organischen aliphatischen Carbonsäure oder der Mischung aus diesen beiden Komponenten behandelt man das Ionenaustauscherharz bevorzugt mit einem Lösemittel, das mit dem für die mit dem Ionenaustauscherharz zu behandelnde Komponente oder Komponentenmischung verwendeten Lösemittel identisch oder zumindest verträglich ist. Ganz besonders bevorzugt behandelt man das Ionenaustauscherharz mit einer Menge an neuem Lösemittel, die zur weitgehenden Entfernung anderer Lösemittel und zur Sättigung des Ionenaustauscherharzes mit dem neuen Lösemittel ausreicht.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet man ein saures Ionenaustauscherharz, wie z.B. ein Styrol- Divinylbenzol-Kationenaustauscherharz. Derartige Ionenaustauscherharze sind von der Fa. Rohm and Haas erhältlich, z.B. AMBERLYST 15. Diese Harze enthalten in der Regel jeweils bis zu 80.000 bis 200.000 ppb Natrium und Eisen. Vor dem Einsatz beim erfindungsgemäßen Verfahren muß man das Ionenaustauscherharz zur Verminderung des Metallionengehalts mit Wasser und anschließend mit einer Mineralsäurelösung behandeln. Bevorzugt wäscht man das Ionenaustauscherharz zunächst mit deionisiertem Wasser und danach mit einer Mineralsäurelösung, wie z.B. einer 10%igen Schwefelsäurelösung, wäscht wiederum mit deionisiertem Wasser, behandelt erneut mit Mineralsäurelösung und wäscht nochmals mit deionisiertem Wasser. Vor der Reinigung der Lösung der Antireflexschicht- Zusammensetzung ist es von kritischer Bedeutung, das Ionenaustauscherharz zunächst mit einem Lösemittel, das mit dem für die Antireflexschicht-Zusammensetzung verwendeten Lösemittel identisch oder zumindest verträglich ist, zu waschen.
- Enthält die Antireflexschicht-Zusammensetzung oder eine ihrer Komponenten einen oder mehrere Bestandteile, die mit dem sauren Ionenaustauscherharz eine chemische Reaktion eingehen, so formuliert man die Antireflexschicht-Zusammensetzung oder -Komponente vorzugsweise zunächst ohne derartige Bestandteile, z.B. das Ammoniumhydroxid. So erhält man eine Antireflexschicht oder -Komponente, die weitgehend frei ist von jeglichen Bestandteilen, die mit dem sauren Ionenaustauscherharz eine chemische Reaktion eingehen. Derartige Bestandteile setzt man der Antireflexdeckschicht erst nach der Reinigung zu.
- Man leitet die Lösung der Antireflexschicht- Zusammensetzung oder -Komponente durch eine das Ionenaustauscherharz enthaltende Säule, z.B. eine etwa 1 bis 40 gew.-%ige Losung in einem geeigneten Lösemittel Derartige Lösungen können in der Regel jeweils 500 bis 2.000 ppb Natrium- und Eisenionen enthalten. Im Zuge des erfindungsgemäßen Verfahrens werden diese Gehalte auf jeweils 10 ppm oder weniger verringert.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Antireflexdeckschicht- Zusammensetzung, die einen sehr niedrigen Metallionengehalt aufweist, und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen unter Verwendung derartiger Antireflexschicht-Zusammensetzungen. Man stellt die Antireflexschicht-Zusammensetzung her, indem man eine Mischung aus einem wasserlöslichen organischen Carbonsäure-Polymer, einer wenig wasserlöslichen, fluorhaltigen, organischen aliphatischen Carbonsäure, einem Ammoniumhydroxid und einem geeigneten Lösemittel bereitstellt.
- Als wasserlösliche organische Carbonsäure- Polymere eignen sich u.a. Acryl- und Methacrylsäurepolymere, wie z.B. Polyacrylsäure- Polymethacrylsäure. Als wenig wasserlösliche, fluorhaltige, organische aliphatische Carbonsäuren eignen sich u.a. fluorierte aliphatische C&sub3;-C&sub1;&sub8;-Carbonsäuren, wie z.B. Pentadecafluoroctansäure.
- Als Lösemittel, die bevorzugt deionisiert sind, eignen sich u.a. Wasser, Diglyme, Propylenglykolmonoethyletheracetat (PGMEA), Milchsäureethylester, 3- Ethoxypropionsäureethylester, Gemische aus Milchsäureethylester und 3-Ethoxypropionsäureethylester, Xylol, Essigsäurebutylester, Cyclopentanon, Cyclohexanon und Ethylenglykolmonoethyletheracetat.
- Die Lösemittel können in der Gesamtzusammensetzung in einer Menge von etwa 75 Gew.-% bis etwa 98 Gew.-%, bezogen auf den Feststoffgehalt der Zusammensetzung, vorliegen. Lösemittel werden natürlich nach dem Beschichten eines Substrats mit der Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung und Trocknen weitgehend vertrieben.
- Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen unter Verwendung derartiger Antireflexdeckschichten mit sehr niedrigem Gehalt an Metallionen, insbesondere Natrium und Eisen. Bei der bevorzugten Ausführungsform verwendet man dabei zur Reinigung der Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung ein saures Ionenaustauscherharz. Das in Rede stehende Verfahren umfaßt:
- a) Behandeln eines sauren Ionenaustauscherharzes mit Wasser, bevorzugt mit deionisiertem Wasser, und anschließend mit einer Mineralsäurelösung (z.B. einer 5-98%igen Schwefelsäure-, Salpetersäure- oder Salzsäurelösung) zur Verminderung des Gehalts an Natrium- und Eisenionen in dem Ionenaustauscherharz auf jeweils weniger als 200 ppb, bevorzugt weniger als 100 ppb und ganz besonders bevorzugt nicht mehr als 40 ppb;
- b) Bereitstellen einer Lösung aus 5 bis 40 Gew.-% eines wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymers mit einem Molekulargewicht von etwa 500 bis etwa 100.000, bevorzugt von etwa 1.000 bis etwa 10.000, in einem geeigneten Lösemittel;
- c) Waschen des sauren Ionenaustauscherharzes mit einem Lösemittel, das mit dem für das organische Säure- Polymer verwendeten Lösemittel identisch oder zumindest verträglich ist, wodurch andere Lösemittel entfernt werden;
- d) Hindurchleiten der Lösung des wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymers durch das Ionenaustauscherharz, wodurch der Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb vermindert wird;
- e) Formulieren einer Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung durch Bereitstellen einer Mischung aus:
- (1) dem behandelten wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymer,
- (2) einer fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen (0,1 - 10 Gew.-% in Wasser, bevorzugt 0,5 - 5 Gew.- %), organischen aliphatischen (C&sub3;-C&sub1;&sub3;-)Carbonsäure,
- (3) einem Ammoniumhydroxid und
- (4) einem geeigneten Lösemittel.
- Vor der Formulierung der Antireflexdeckschicht Zusammensetzung leitet man bevorzugt eine Lösung der fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen, organischen aliphatischen Carbonsäure in einem geeigneten Lösemittel durch das Ionenaustauscherharz hindurch und vermindert den Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb.
- Carbonsäurepolymer, die wenig wasserlösliche, halogenhaltige, organische aliphatische Carbonsäure und die Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung sind bevorzugt deionisiert, z.B. deionisiertes Wasser oder deionisiertes Diglyme oder ein Gemisch aus deionisiertem Wasser und deionisiertem Diglyme.
- Vor der Formulierung der endgültigen Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung stellt man bevorzugt eine Mischung aus:
- (1) dem behandelten, wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymer,
- (2) der behandelten, fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen, organischen, aliphatischen Carbonsäure und
- (3) einem geeigneten Lösemittel
- bereit.
- Diese Mischung leitet man dann durch das Ionenaustauscherharz hindurch und vermindert den Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb, bevorzugt weniger als 50 ppb, besonders bevorzugt weniger als 20 ppb und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 ppb. Anschließend setzt man der Mischung das Ammoniumhydroxid zu, womit eine Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung mit sehr niedrigem Metallionengehalt bereitgestellt wird.
- Dann bringt man die hergestellte Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung nach einem in der Photoresisttechnik üblichen Verfahren auf ein geeignetes Substrat auf, z.B. durch Tauchbeschichten, Sprühen, Verwirbeln oder Aufschleudern. Beim Aufschleudern kann z.B. der Feststoffgehalt der Resistlösung auf einen bestimmten Gehalt so eingestellt werden, daß sich in Abhängigkeit von der im Einzelfall verwendeten Aufschleudervorrichtung und der für den Aufschleudervorgang angesetzten Zeitspanne eine Beschichtung der gewünschten Dicke ergibt. Beispiele für geeignete Substrate sind Silicium, Aluminium, polymere Harze, Siliciumdioxid, dotiertes Siliciumdioxid, Siliciumnitrid, Tantal, Kupfer, Polysilicium, Keramik, Aluminium-Kupfer-Legierungen, Galliumarsenid und andere derartige Verbindungen der Gruppen III und V.
- Die nach dem beschriebenen Verfahren hergestellten Antireflexdeckschicht-Zusammensetzungen eignen sich insbesondere zum Auftragen auf Siliciumwafer, die mit thermisch gezüchtetem Siliciumdioxid beschichtet sind, wie sie bei der Herstellung von Mikroprozessoren und anderen miniaturisierten Bauelementen für integrierte Schaltungen verwendet werden. Ebenso kann auch ein Wafer aus Aluminium/Aluminiumoxid eingesetzt werden. Das Substrat kann auch aus verschiedenen polymeren Harzen, insbesondere transparenten Polymeren, wie z.B. Polyestern, bestehen. Das Substrat kann eine haftvermittelnde Schicht aus einer geeigneten Zusammensetzung besitzen, die z.B. Hexaalkyldisilazan enthält.
- Man bringt die Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung über der Photoresistzusammensetzung auf das Substrat auf und behandelt das Substrat bei einer Temperatur von etwa 70ºC bis etwa 110ºC während etwa 30 bis etwa 180 Sekunden auf einer Heizplatte oder während etwa bis etwa 90 Minuten in einem Konvektionsofen. Diese Temperaturbehandlung ist so gewählt, daß die Restlösemittelkonzentration im Photoresist und in der Antireflexschicht verringert wird, ohne wesentlichen thermischen Abbau des Photosensibilisators zu verursachen. Da die Lösemittelkonzentration im allgemeinen minimiert werden soll, führt man diese erste Temperaturbehandlung so lange durch, bis die Lösemittel im wesentlichen vollständig verdampft sind und eine dünne Schicht aus Photoresistzusammensetzung mit einer Dicke in der Größenordnung von einem Mikrometer auf dem Substrat verbleibt. Nach einer bevorzugten Ausführungsform beträgt die Temperatur etwa 85ºC bis etwa 95ºC. Man behandelt so lange, bis die Geschwindigkeit der Lösemittelentfernung verhältnismäßig unbedeutend wird. Die Wahl der Temperatur und des Zeitraums hängt von den vom Benutzer gewünschten Photoresisteigenschaften sowie den verwendeten Einrichtungen und technisch wünschenswerten Beschichtungszeiträumen ab. Danach kann das beschichtete Substrat mit aktinischer Strahlung, z.B. ultravioletter Strahlung, bei einer Wellenlänge von etwa 300 nm bis etwa 450 nm, Röntgenstrahlung, Elektronenstrahlung, Ionenstrahlung oder Laserstrahlung, in jedem gewünschten Muster, das mit geeigneten Masken, Negativen, Schablonen usw. erzeugt wird, belichtet werden.
- Dann wird das Substrat gegebenenfalls entweder vor oder nach der Entwicklung einer zweiten, nach der Belichtung erfolgenden Einbrenn- oder Wärmebehandlung unterzogen. Dabei erhitzt man auf eine Temperatur im Bereich von etwa 90ºC bis etwa 120ºC, bevorzugt von etwa 100ºC bis etwa 110ºC. Die Heizdauer beträgt etwa 30 Sekunden bis etwa 2 Minuten, bevorzugt etwa 60 Sekunden bis etwa 90 Sekunden, auf einer Heizplatte oder etwa 30 bis etwa 45 Minuten in einem Konvektionsofen.
- Die belichteten, mit Photoresist beschichteten Substrate werden dann zur Abtragung der bildmäßig belichteten Bereiche entwickelt, wie z.B. durch Eintauchen in eine alkalische Entwicklungslösung oder nach dem Sprühentwicklungsverfahren. Dabei wird die Lösung bevorzugt bewegt, beispielsweise durch Durchblasen von Stickstoff. Man beläßt die Substrate so lange im Entwickler, bis die Photoresistschicht vollständig oder im wesentlichen vollständig von den belichteten Bereichen abgelöst worden ist. Bei dem Entwickler kann es sich um wäßrige Lösungen von Ammoniumhydroxiden handeln. Bei einem bevorzugten Hydroxid handelt es sich um Tetramethylaxnmoniumhydroxid. Nach dem Herausnehmen der beschichteten Wafer aus der Entwicklungslösung kann man gegebenenfalls zur Verbesserung der Haftung und der chemischen Beständigkeit der Schicht gegen Ätzlösungen und andere Substanzen noch eine Wärme- oder Einbrennbehandlung durchführen. Dabei kann man die Schicht und das Substrat unterhalb des Erweichungspunkts der Schicht in einem Ofen einbrennen. Bei technischen Anwendungen, insbesondere bei der Herstellung von Mikroschaltungselementen auf Substraten vom Silicium/Siliciumdioxid-Typ, kann man die entwickelten Substrate mit einer gepufferten Ätzlösung auf Basis von Fluorwasserstoffsäure behandeln.
- In den folgenden Beispielen werden die Verfahren zur Herstellung und Anwendung von erfindungsgemäßen Zusammensetzungen näher erläutert. Diese Beispiele sollen jedoch den Schutzbereich der Erfindung in keiner Weise einschränken. Die Ausführung der vorliegenden Erfindung soll nicht ausschließlich auf die angegebenen Bedingungen, Parameter oder Werte beschränkt sein.
- 1000 Gramm einer 7 gew.-%igen Lösung von Polyacrylsäure in deionisiertem Wasser wurden durch eine Säule mit Ionenaustauscherharz Amberlyst 15, das mit deionisiertem Wasser, 10%iger Schwefelsäure und anschließend mit einer zur Entfernung der Schwefelsäure ausreichenden Menge an deionisiertem Wasser vorbehandelt worden war, geleitet. Die unbehandelte Polyacrylsäurelösung besaß den folgenden Metallionengehalt: 6800 ppb Natrium, 1200 ppb Kalium, 400 ppb Calcium, < 10 ppb Eisen und < 10 ppb Aluminium. Nach Durchgang von 179 Gramm, 330 Gramm bzw. 525 Gramm der Polyacrylsäurelösung durch den Behälter mit AMBERLYST-Harz wurden Proben der gemäß Beispiel 2 behandelten Lösung entnommen. Die behandelten Proben besaßen einen sehr niedrigen Metallionengehalt, nämlich:
- 17 Pfund mit deionisiertem Wasser gewaschene Ionenaustauscherharz-Perlen wurden in einen 0,45 Kubikfuß fassenden Behälter eingebracht. Der Behälter war mit einem Rohr aus rostfreiem Stahl über eine Pumpe an eine Tonne angeschlossen. Mit einer Pumpe wurden mit einer Geschwindigkeit von 0,35 Gallonen pro Minute 25 Gallonen 10%ige Schwefelsäure durch den Behälter geleitet. Dann wurden zur Entfernung der Schwefelsäure mit der gleichen Geschwindigkeit 200 Gallonen deionisiertes Wasser durch den Behälter geleitet, bis der pH-Wert des Austrags dem pH-Wert des deionisierten Wassers entspricht. 200 Gallonen einer 10 gew.-%igen Polyacrylsäurelösung in deionisiertem Wasser, die 360 ppb Natriumionen, 190 ppb Eisenionen, 600 ppb Kaliumionen, 20 ppb Chromionen und 2600 ppb Calciumionen enthielt, wurden mit der gleichen Geschwindigkeit durch den Harzbehälter geleitet und in einer sauberen Tonne aufgefangen. Die erhaltene Polyacrylsäurelösung besaß einen sehr niedrigen Metallionengehalt, nämlich: 93 ppb Natrium, 20 ppb Eisen, 13 ppb Kalium, 74 ppb Calcium und 9 ppb Chrom.
- Die behandelte Polyacrylsäurelösung gemäß Beispiel 2 wurde nochmals analog Beispiel 2 durch den Harzbehälter gemäß Beispiel 2 geleitet. Die erhaltene Polyacrylsäurelösung besaß einen noch niedrigeren Metallionengehalt, nämlich: 11 ppb Natrium, 5 ppb Eisen, 5 ppb Kalium, 34 ppb Calcium und 5 ppb Chrom.
- Eine 4 gew.-%ige Lösung von Pentadecafluoroctansäure in deionisiertem Wasser wurde analog Beispiel 2 durch den Harzbehälter gemäß Beispiel 2 geleitet. Die erhaltene Pentadecafluoroctansäurelösung besaß einen niedriger Metallionengehalt, nämlich unter 10 ppb Natrium und unter 10 ppb Eisen.
- Aus 3,35 Gewichtsprozent behandelter Pentadecafluoroctansäure gemäß Beispiel 4, 1,65 Gewichtsprozent der behandelten Polyacrylsäure gemäß Beispiel 2, 1,0 Gewichtsprozent Tetramethylammoniumhydroxid und 94,0 Gewichtsprozent deionisiertem Wasser wurde eine Lösung hergestellt. Die erhaltene Antireflexbeschichtung besaß einen niedrigen Metallionengehalt, nämlich < 10 ppb Natrium und < 20 ppb Eisen.
- Die Beschichtung ergab bei 4000 U/Min. einen 717 Å dicken Film mit einem Brechungsindex von 1,41 für den aufgebrachten Film.
Claims (13)
1. Verfahren zur Herstellung einer Antireflexdeckschicht-
Zusammensetzung, die einen sehr niedrigen Metallionen
gehalt aufweist, umfassend
a) Behandeln eines sauren Ionenaustauscherharzes mit
Wasser, Waschen des Ionenaustauscherharzes mit einer
Mineralsäurelösung, Waschen des Ionenaustauscherharzes
mit deionisiertem Wasser, wodurch der Gehalt an
Natrium- und Eisenionen in dem Ionenaustauscherharz
auf jeweils weniger als 200 ppb vermindert wird;
b) Bereitstellen einer Lösung aus 5 bis 40 Gew.-% eines
wasserlöslichen, organischen Carbonsäure-Polymers mit
einem Molekulargewicht von etwa 500 bis etwa 100.000
in einem geeigneten Lösemittel;
c) Waschen des sauren Ionenaustauscherharzes mit einem
Lösemittel, das mit dem für das organische
Carbonsäure-Polymer verwendeten Lösemittel identisch oder
zumindest verträglich ist, wodurch andere Lösemittel
entfernt werden;
d) Hindurchleiten der Lösung des wasserlöslichen,
organischen Carbonsäure-Polymers durch das
Ionenaustauscherharz, wodurch der Gehalt an Natrium- und Eisenionen in
der Lösung auf jeweils weniger als 100 ppb vermindert
wird;
e) Formulieren einer
Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung durch Bereitstellen einer Mischung aus:
(1) dem behandelten wasserlöslichen, organischen
Carbonsäure-Polymer,
(2) einer fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen,
organischen aliphatischen C&sub3;-C&sub1;&sub3; Carbonsäure,
(3) einem Ammoniumhydroxid und
(4) einem geeigneten Lösemittel.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin - vor dem Formulieren
der Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung - eine
Lösung der fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen,
organischen aliphatischen Carbonsäure in einem geeigneten
Lösemittel bereitgestellt wird; das saure
Ionenaustauscherharz mit einem Lösemittel gewaschen wird, das
mit dem Lösemittel für die fluorhaltige, organische
aliphatische Carbonsäure identisch oder wenigstens
verträglich ist, wodurch andere Lösemittel entfernt
werden; anschließend die Säurelösung durch ein saures
Ionenaustauscherharz hindurchgeleitet und so der
Gehalt an Natrium- und Eisenionen in der Lösung auf
jeweils weniger als 100 ppb vermindert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 umfassend: Bereitstellen
- vor dem Formulieren der endgültigen
Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung - einer Lösung aus:
(1) dem behandelten, wasserlöslichen, organischen
Carbonsäure-Polymer,
(2) der behandelten, fluorhaltigen, wenig wasserlöslichen,
organischen, aliphatischen Carbonsäure, und
(3) einem geeigneten Lösemittel;
anschließendes Hindurchleiten des Gemisches durch das saure
Ionenaustauscherharz, wodurch der Gehalt an Natrium- und
Eisenionen in der Lösung auf jeweils weniger als 50 ppb
vermindert wird; und danach Zugabe von Ammoniumhydroxid zu
dem Gemisch, um eine Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung
mit einem sehr niedrigen Gehalt an Metallionen zu erhalten.
4. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Gehalt an
Natrium- und Eisenionen in dem Ionenaustauscherharz
auf jeweils weniger als 100 ppb vermindert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Gehalt an
Natrium- und Eisenionen in der Antireflexdeckschicht-
Zusammensetzung auf jeweils weniger als 50 ppb
vermindert wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, worin das
Ionenaustauscherharz einen Gehalt an Natrium- und Eisenionen von
jeweils weniger als 100 ppb hat und die resultierende
Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung einen Gehalt an
Natrium- und Eisenionen von jeweils weniger als 50 ppb
aufweist.
7. Verfahren nach Anspruch 1, worin das
Ionenaustauscherharz einen Gehalt an Natrium- und Eisenionen von
jeweils weniger als 40 ppb hat und die resultierende
Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung einen Gehalt an
Natrium- und Eisenionen von jeweils weniger als 20 ppb
aufweist.
8. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen
unter Verwendung einer
Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung mit einem sehr niedrigen Metallionengehalt,
die gemäß dem Verfahren nach Anspruch 2 hergestellt
wurde, umfassend:
a) Beschichten eines geeigneten Substrats, das mit einer
Photoresistzusammensetzung beschichtet wurde, mit der
vorbehandelten Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung;
b) Erhitzen des Substrats bei einer Temperatur von etwa
70ºC bis etwa 110ºC während etwa 30 bis etwa 180
Sekunden auf einer Heizplatte oder während etwa 15 bis
etwa 90 Minuten in einem Konvektionsofen;
c) Belichten des beschichteten Substrats mit aktinischer
Strahlung in dem gewünschten Muster;
d) Entwickeln des belichteten, beschichteten Substrats
und dadurch Entfernen der bildmäßig belichteten
Bereiche.
9. Verfahren nach Anspruch 8, worin die
Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung nach dem Verfahren gemäß
Anspruch 3 hergestellt ist.
10. Verfahren nach Anspruch 8, worin der Gehalt an
Natrium- und Eisenionen in dem Ionenaustauscherharz
auf jeweils weniger als 100 ppb vermindert ist.
11. Verfahren nach Anspruch 8, worin der Gehalt an
Natrium- und Eisenionen in der Antireflexdeckschicht-
Zusammensetzung auf jeweils weniger als 50 ppb
reduziert ist.
12. Verfahren nach Anspruch 8, worin das
Ionenaustauscherharz einen Gehalt an Natrium- und Eisenionen von
jeweils weniger als 100 ppb hat und die resultierende
Lösung der Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung einen
Gehalt an Natrium- und Eisenionen von jeweils weniger
als 50 ppb aufweist.
13. Verfahren nach Anspruch 8, worin das
Ionenaustauscherharz einen Gehalt an Natrium- und Eisenionen von
jeweils weniger als 40 ppb aufweist und die
resultierende Antireflexdeckschicht-Zusammensetzung einen
Gehalt an Natrium- und Eisenionen von jeweils weniger
als 20 ppb aufweist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US91160492A | 1992-07-10 | 1992-07-10 | |
US98465592A | 1992-12-02 | 1992-12-02 | |
PCT/US1993/006139 WO1994001807A1 (en) | 1992-07-10 | 1993-06-24 | Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69310736D1 DE69310736D1 (de) | 1997-06-19 |
DE69310736T2 true DE69310736T2 (de) | 1997-10-30 |
Family
ID=27129575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69310736T Expired - Lifetime DE69310736T2 (de) | 1992-07-10 | 1993-06-24 | Metallionenreduzierung in antireflexdeckschichten für photoresists |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5516886A (de) |
EP (1) | EP0648350B1 (de) |
JP (1) | JP3287569B2 (de) |
DE (1) | DE69310736T2 (de) |
HK (1) | HK117497A (de) |
SG (1) | SG52770A1 (de) |
WO (1) | WO1994001807A1 (de) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993012152A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins |
US5580949A (en) * | 1991-12-18 | 1996-12-03 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins and photoresists |
KR100242920B1 (ko) * | 1992-03-06 | 2000-03-02 | 잰대머 | 저수준의 금속이온을 갖는 포토레지스트(rhotoresists having a low level of metal ions) |
SG52770A1 (en) * | 1992-07-10 | 1998-09-28 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists |
US5830990A (en) * | 1992-07-10 | 1998-11-03 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Low metals perfluorooctanoic acid and top anti-reflective coatings for photoresists |
SG49596A1 (en) * | 1992-11-25 | 1998-06-15 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in bottom anti-reflective coatings for photoresists |
US5614349A (en) * | 1992-12-29 | 1997-03-25 | Hoechst Celanese Corporation | Using a Lewis base to control molecular weight of novolak resins |
US5476750A (en) * | 1992-12-29 | 1995-12-19 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in the raw materials and using a Lewis base to control molecular weight of novolak resin to be used in positive photoresists |
US5731385A (en) * | 1993-12-16 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
US5614352A (en) * | 1994-12-30 | 1997-03-25 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins solution in PGMEA by chelating ion exchange resin |
US5521052A (en) * | 1994-12-30 | 1996-05-28 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange catalyst in a polar solvent and photoresists compositions therefrom |
US5837417A (en) * | 1994-12-30 | 1998-11-17 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Quinone diazide compositions containing low metals p-cresol oligomers and process of producing the composition |
US5750031A (en) * | 1995-09-26 | 1998-05-12 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Process for producing surfactant having a low metal ion level and developer produced therefrom |
US5656413A (en) * | 1995-09-28 | 1997-08-12 | Hoechst Celanese Corporation | Low metal ion containing 4,4'-[1-[4-[1-(4-Hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphe nol and photoresist compositions therefrom |
US5962183A (en) * | 1995-11-27 | 1999-10-05 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Metal ion reduction in photoresist compositions by chelating ion exchange resin |
US5665517A (en) * | 1996-01-11 | 1997-09-09 | Hoechst Celanese Corporation | Acidic ion exchange resin as a catalyst to synthesize a novolak resin and photoresist composition therefrom |
US6190839B1 (en) | 1998-01-15 | 2001-02-20 | Shipley Company, L.L.C. | High conformality antireflective coating compositions |
US5936071A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Process for making a photoactive compound and photoresist therefrom |
US6228279B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials |
US6316165B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
US6984482B2 (en) | 1999-06-03 | 2006-01-10 | Hynix Semiconductor Inc. | Top-coating composition for photoresist and process for forming fine pattern using the same |
KR100401116B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2003-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 아민오염방지 물질 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
US6106995A (en) * | 1999-08-12 | 2000-08-22 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating material for photoresists |
US7030469B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-04-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a semiconductor package and structure thereof |
US7473512B2 (en) * | 2004-03-09 | 2009-01-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
US7384878B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for applying a layer to a hydrophobic surface |
JP4551706B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US20060199111A1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices using a photo acid generator |
US20070172965A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Kangguo Cheng | Non-destructive trench volume determination and trench capacitance projection |
JP2010039148A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 液浸上層膜形成用組成物の製造方法 |
JP5541766B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-07-09 | 株式会社ダイセル | フォトレジスト用高分子化合物の製造方法 |
US10347486B1 (en) | 2017-12-19 | 2019-07-09 | International Business Machines Corporation | Patterning material film stack with metal-containing top coat for enhanced sensitivity in extreme ultraviolet (EUV) lithography |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2929808A (en) * | 1956-04-04 | 1960-03-22 | Exxon Research Engineering Co | Removal of metal contaminants in polymerization processes |
US4033909A (en) * | 1974-08-13 | 1977-07-05 | Union Carbide Corporation | Stable phenolic resoles |
US4033910A (en) * | 1975-09-26 | 1977-07-05 | Union Carbide Corporation | Methyl formate as an adjuvant in phenolic foam formation |
GB1509354A (en) * | 1976-04-24 | 1978-05-04 | Maruzen Oil Co Ltd | Process for purifying halogenated alkenyl-phenol polymers |
US4250031A (en) * | 1977-03-01 | 1981-02-10 | Unitika Ltd. | Phenolic chelate resin and method of adsorption treatment |
US4195138A (en) * | 1978-06-26 | 1980-03-25 | The Dow Chemical Company | Chelate resins prepared from the cured reaction product of a polyalkylenepolyamine and epoxide |
JPS5624042A (en) * | 1979-08-03 | 1981-03-07 | Japan Organo Co Ltd | Preparation of drying agent by utilizing used cation exchange resin |
US4452883A (en) * | 1983-05-17 | 1984-06-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Barrier resin for photothermographic color separation |
US4567130A (en) * | 1984-07-27 | 1986-01-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for etching single photopolymer layer utilizing chemically soluble pigments |
US4584261A (en) * | 1984-07-27 | 1986-04-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for etching nonphotosensitive layer under washoff photopolymer layer |
JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
US4636540A (en) * | 1985-07-08 | 1987-01-13 | Atlantic Richfield Company | Purification of polymer solutions |
US4784937A (en) * | 1985-08-06 | 1988-11-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant |
JPS6232453A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
US4747954A (en) * | 1985-09-16 | 1988-05-31 | The Dow Chemical Company | Removal of metals from solutions |
JPH0737486B2 (ja) * | 1986-11-18 | 1995-04-26 | 日本ゼオン株式会社 | 半導体基板塗布材料用ポリマ−の精製方法 |
US4721665A (en) * | 1986-09-29 | 1988-01-26 | Polychrome Corporation | Method for neutralizing acidic novolak resin in a lithographic coating composition |
JPS6472155A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | Developing solution for positive type photoresist |
GB8729510D0 (en) * | 1987-12-18 | 1988-02-03 | Ucb Sa | Photosensitive compositions containing phenolic resins & diazoquinone compounds |
JPH01228560A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 不純金属成分の低減された溶液の製造法 |
EP0403580B1 (de) * | 1988-08-10 | 1997-01-08 | Hoechst Celanese Corporation | Lichtempfindliche novolak-harze |
US5212044A (en) * | 1988-09-08 | 1993-05-18 | The Mead Corporation | Photoresist composition including polyphenol and sensitizer |
US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
JPH03128903A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-05-31 | Fine Kurei:Kk | 合成樹脂の改質方法および改質合成樹脂 |
DE3923426A1 (de) * | 1989-07-15 | 1991-01-17 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von novolak-harzen mit geringem metallionengehalt |
JPH0465415A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 不純金属成分の低減されたノボラツク樹脂の製造法 |
US5446125A (en) * | 1991-04-01 | 1995-08-29 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Method for removing metal impurities from resist components |
US5378802A (en) * | 1991-09-03 | 1995-01-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Method for removing impurities from resist components and novolak resins |
JPH0768296B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1995-07-26 | 丸善石油化学株式会社 | ビニルフェノール系重合体の金属除去方法 |
JPH0768297B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1995-07-26 | 丸善石油化学株式会社 | フォトレジスト用ビニルフェノール系重合体の精製方法 |
WO1993012152A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins |
KR100242920B1 (ko) * | 1992-03-06 | 2000-03-02 | 잰대머 | 저수준의 금속이온을 갖는 포토레지스트(rhotoresists having a low level of metal ions) |
US5300628A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected chelate resins and their use to remove multivalent metal impurities from resist components |
SG52770A1 (en) * | 1992-07-10 | 1998-09-28 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists |
CA2097791A1 (en) * | 1992-08-28 | 1994-03-01 | Sunit S. Dixit | High aspect ratio, flexible thick film positive photoresist |
SG49596A1 (en) * | 1992-11-25 | 1998-06-15 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in bottom anti-reflective coatings for photoresists |
US5286606A (en) * | 1992-12-29 | 1994-02-15 | Hoechst Celanese Corporation | Process for producing a developer having a low metal ion level |
WO1994014858A1 (en) * | 1992-12-29 | 1994-07-07 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in polyhydroxystyrene and photoresists |
US5476750A (en) * | 1992-12-29 | 1995-12-19 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in the raw materials and using a Lewis base to control molecular weight of novolak resin to be used in positive photoresists |
US5472616A (en) * | 1993-10-27 | 1995-12-05 | Shipley Company, Inc. | Modified anion exchange process |
US5350714A (en) * | 1993-11-08 | 1994-09-27 | Shipley Company Inc. | Point-of-use purification |
US5500127A (en) * | 1994-03-14 | 1996-03-19 | Rohm And Haas Company | Purification process |
WO1996012214A1 (en) * | 1994-10-12 | 1996-04-25 | Hoechst Celanese Corporation | Low metal ion photoactive compounds and photoresists compositions produced therefrom |
US5837417A (en) * | 1994-12-30 | 1998-11-17 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Quinone diazide compositions containing low metals p-cresol oligomers and process of producing the composition |
US5614352A (en) * | 1994-12-30 | 1997-03-25 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resins solution in PGMEA by chelating ion exchange resin |
US5521052A (en) * | 1994-12-30 | 1996-05-28 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange catalyst in a polar solvent and photoresists compositions therefrom |
-
1992
- 1992-07-10 SG SG1996009254A patent/SG52770A1/en unknown
-
1993
- 1993-06-24 WO PCT/US1993/006139 patent/WO1994001807A1/en active IP Right Grant
- 1993-06-24 DE DE69310736T patent/DE69310736T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-24 EP EP93916811A patent/EP0648350B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-24 JP JP50337394A patent/JP3287569B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-10 US US08/258,898 patent/US5516886A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-02 US US08/460,392 patent/US5624789A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-26 HK HK117497A patent/HK117497A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5516886A (en) | 1996-05-14 |
DE69310736D1 (de) | 1997-06-19 |
SG52770A1 (en) | 1998-09-28 |
JP3287569B2 (ja) | 2002-06-04 |
EP0648350B1 (de) | 1997-05-14 |
HK117497A (en) | 1997-09-05 |
EP0648350A1 (de) | 1995-04-19 |
JPH08504279A (ja) | 1996-05-07 |
US5624789A (en) | 1997-04-29 |
WO1994001807A1 (en) | 1994-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69310736T2 (de) | Metallionenreduzierung in antireflexdeckschichten für photoresists | |
DE69313132T2 (de) | Metallionenreduzierung in antireflexunterschichten für photoresist | |
DE69308326T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines entwicklers mit niedrigem metallionengehalt | |
DE69320468T2 (de) | Photoresists mit einem niedrigem grad metallionen | |
DE69215383T2 (de) | Reduktion des metallionengehaltes in novolakharzen | |
DE69521147T2 (de) | Reduktion des metallionensgehaltes in novolakharzen mit einem ionenaustauschharz in einem polaren lösungsmittel, und photoresistzusammensetzungen mit diesen novolaken | |
EP0164620B1 (de) | Positiv-arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung | |
DE69611837T2 (de) | Reduktion des metallionengehaltes in fotoresist-formulierungen, mit chelataustauscherharzen | |
DE69518442T2 (de) | Verfahren zur herstellung von positiv arbeitenden photoresistzusammensetzungen, die p-kresololigomere mit niedrigen metallionengehalten enthalten | |
DE69607637T2 (de) | 4,4'-(1-(4-(1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl)phenyl)ethylidene)bisphenol mit niediegem gehalt an metallionen und damit hergestellten photoresistszusammensetzungen | |
DE69507343T2 (de) | Reduzierung des gehaltes an metall-ionen einer lösung in pgmea von novolak-harzen mit einem chelatbildenden ionenaustausch-harz | |
DE69605207T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines tensid mit niederingen metallionengehalt und daraus hergestellte entwicklern | |
DE69505265T2 (de) | Metallionengehalt reduzierung von novolakharzlösungen mit einem anionenaustauscherharz | |
DE69711433T2 (de) | Verfahren zur verringerung metallionen-verunreinigungen in ein polares lösunsmittel enthaltenden photoresistzusammensetzungen durch ionenaustausch | |
DE69603373T2 (de) | Fraktionierung von phenol-formaldehyd-kondensaten und die hergestellte fotoresistzusammensetzungen | |
DE69609074T2 (de) | Fraktionierung von phenol-formaldehyd-kondensaten und die hergestellte fotoresistzusammensetzungen | |
DE69905014T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoresistzusammenstellung mit verringerter neigung zur bildung von teilchen | |
DE69713777T2 (de) | Positiv arbeitende, 2,3-dinitro-1-naphthol ehthaltende photoresistzusammensetzung | |
DE69228358T2 (de) | Schnelle, positiv arbeitende Resists mit Diazochinonen | |
DE69904223T2 (de) | Wasserlösliche positiv arbeitende photoresistzusammensetzung | |
EP0226741B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists | |
DE69506001T2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche zusammensetzung | |
DE69715020T2 (de) | Einen arylhydrazofarbstoff enthaltende lichtempfindliche zusammensetzung | |
EP0508268B1 (de) | Naphthochinondiazid-sulfonsäure-Mischester enthaltendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
DE69902633T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoaktiven verbindung und diese verbindung enthaltender photoresist |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: CLARIANT FINANCE (BVI) LTD., ROAD TOWN, TORTOLA, V |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SPOTT WEINMILLER & PARTNER, 80336 MUENCHEN |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. (N.D.GES.D. STAA |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: PATENTANWAELTE ISENBRUCK BOESL HOERSCHLER WICHMANN HU |