DE69209016T2 - Gegenstand der einen DFB-Halbleiterlaser enthält - Google Patents
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Haibleiterlaser mit einer "Gitterstruktur". Laser dieser Art werden hier gemeinsam als Laser mit verteilter Rückkopplung (DFB-Laser) bezeichnet.
- Es ist bekannt, daß Halbleiter-DFB-Laser viele vorteilhafte Eigenschaften (Z.B. eine äußerst schmalbandige Emission) aufweisen, die sie u.a. für die optische Kommunikationstechnik als geeignet erscheinen lassen. Bei der Herstellung dieser Laser gibt es jedoch gegenwärtig im großen und ganzen zwei technologische Hauptprobleme. Eines dieser Probleme besteht in der reproduzierbaren Steuerung des optischen Rückkopplungskoeffizienten κ. Das andere Problem besteht in der Diskriminierung einer bestimmten oszillationswellenlänge aus den zwei möglichen Oszillationen an den Bandkanten des Bragg'schen Reflexionsbandes.
- Es ist bekannt, daß das erste Problem einen sehr deutlichen Einfluß auf die Lasereigenschaften, wie z.B. auf die spektrale Linienbreite, die harmonische Verzerrung oder den oberwellengehalt und das Intensitätsrausclien, besitzt und somit sehr stark die bei der Hersteliunq erreichbare Ausbeute beeinflußt. Wenn man das zweite Problem nicht im Griff hat, kann es zu einer beträchtlichen Verringerung des Anteils von Bauelementen mit einer bestimmten Wellenlänge führen und damit ebenfalls die Ausbeute bei der Herstellung beeinflussen.
- Ein bekannter Ansatz zur Lösung des Entartungsproblems der oszillationswellenlänge in brechungsindexgekoppelten DFB- Lasern besteht in der Verwendung von antireflektiertend oder reflexmindernd/hochreflektierend (AR/HR-) beschichteten Facetten. Aufgrund der Phasenunbestimmtheit an den Facetten können jedoch ebenfalls Ausbeuteprobleme auftreten. Ein anderer Lösungsansatz besteht in dem Einbau einer λ/4- oder einer durch einen Gitterabstand modulierte Phasenverschiebung (λ/4 or corrugation pitch modulated phase shift). Bei perfekten AR-Beschichtungen können prinzipiell DFB-Laser mit hohen Ausbeuten hergestellt werden. Die Ausbeute verschlechtert sich jedoch bei den (typischerweise auftretenden) Reflexionen von ein paar Prozent rapide. Bei diesen Lasern wird zudem infolge einer Emission durch die rückwärtige Facette nahezu die Hälfte der Leistung vergeudet. Sie können zudem ein starkes räumliches Lochbrennen (high spatial hole burning) aufweisen, das typischerweise zu einer optischen Nichtlinearität in den Lichtstromkurven, einer größeren spektralen Linienbreite und einer weniger flachen Frequenzmodulationsantwort (frequency modulation response) führt.
- Ein alternativer Lösungsansatz für das Problem der wellenlängenentartung besteht in der Einführung einer Verstärkungskopplung (siehe H. Kogelnik et al., Journal of Applied Physics, Band 43, Seite 2327 (1972)). Die Theorie sagt voraus, daß ein rein verstärkungsgekoppelter Laser genau bei der Bragg-Wellenlänge für AR-beschichtete Facetten eine Lasermode aufweisen sollte (50 daß das Entartungsproblem gelöst wird), und daß selbst eine im geringem Umfange vorhandene Verstärkungskopplung sowohl für AR-beschichtete als auch für nicht AR-beschichtete Laser vorteilhaft sein kann. Die Gültigkeit des auf einer Verstärkungskopplung beruhenden Lösungsansatzes wurde kürzlich bei GaAs/AlGaAs-DFB-Laser demonstriert (siehe Y. Luo et al., Applied Physics Letters, Band 56(17), Seite 1620 (1990); Y. Luo et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, Band 27(6), Seite 1724 (1991)). Diese Dokumente offenbaren einen DFB-Laser, der eine aktive Schicht mit sich periodisch verändernder Dicke umfaßt. Dies wird dadurch erreicht, daß in die Oberfläche eines geeigneten Mehrschicht- Halbleiterkörpers ein herkömmliches Gitter mit der Periode A geätzt wird, auf dem man eine Pufferschicht so aufwachsen läßt, daß die freiliegende Oberfläche der Pufferschicht gewellt oder geriefelt ist (mit der Periode Λ). Auf dieser freiliegenden gewellten oder geriefelten Oberfläche der Pufferschicht läßt man nun eine aktive Schicht so aufwachsen, daß die Oberfläche der aktiven Schicht flach ausgebildet ist. Es ist klar, daß es sich hierbei um eine kompliziertes Verfahren handelt, das sich nicht einfach in ein Herstellungsverfahren integrieren läßt (siehe auch T. Inoue et al., IEEE Transactions Photonics Technology Letters, Band 3(11), Seite 958 (1991), der ebenfalls einen verstärkungsgekoppelten DFB-Laser mit einer gewellten oder geriefelten aktiven Schicht offenbart) . Die Patent Abstracts of Japan, Band 14, Nr. 82 (E-889), 15. Februar 1990 (JP-A-1 293 688), offenbaren einen auf GaAs-basierenden DFB-Laser mit einer mehrschichtigen Gitterzone, wobei einige der Schichten zur Bildung des Gitters in Segmente unterteilt sind, während die übrigen Schichten nicht in Segmente unterteilt sind. Die JP-A-62 065 490 offenbart einen anderen Halbleiterlaser mit einer mehrschichtigen Gitterstruktur.
- Einen anderen Lösungsansatz offenbaren B. Borchert et al in IEEE Transactions Photonics Technolgy Letters, Band 3(11), Seite 955 (1991) und Y. Nakano et al in Applied Physics Letters, Band 55(16), Seite 1606 (1989). Beide Dokumente offenbaren verstärkungsgekoppelte DFB-Laser mit einer periodischen Dämpfungsstruktur, die zü der aktiven Zone des Lasers beabstandet angeordnet ist.
- Obgleich es mittlerweile bekannte Verfahren gibt, durch die zumindest eines der obengenannten beiden Probleme gelöst wird, sind diese Verfahren typischerweise kompliziert und/oder nicht richtig effektiv. Die verstärkungsgekoppelten DFB-Laser in den beiden zuletzt zitierten Dokumenten umfassen beispielsweise relativ komplexe Strukturen, durch die lediglich das Entartungsproblem der Moden gelöst wird, die jedoch nicht das Problem einer Steuerung der Kopplungskonstante lösen.
- Angesichts der großen Bedeutung einer höheren Ausbeute bei der Herstellung akzeptabler DFB-Laser wäre es sehr wünschenswert, eine einfache Gestaltung eines Lasers verfügbar zu haben, durch die die obengenannten zwei Probleme zuverlassig gelöst werden. Die vorliegende Anmeldung offenbart solch eine Gestaltung.
- Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung der relevanten Aspekte einer erfindungsgemäßen beispielhaften Ausführungsform
- Die Fig. 2 bis 4 zeigen für einen beispielhaften erfindungsgemäßen Laser die Ausgangsleistung als Funktion des Ansteuerungsstromes, die Ausgangsintensität als Funktion der wellenlänge und das Nebenmoden-Unterdrückungsverhältnis als Funktion des Ansteuerungsstroms.
- Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der Erfindung.
- Als "Quantenmulde" wird hier eine dünne Halbleiterzone der Dicke t mit einer ersten Zusammensetzung bezeichnet, die sandwichartig zwischen Halbleitermaterial einer zweiten zusammensetzung angeordnet ist, wobei die Zusammensetzungen so gewählt werden, daß die relevante Bandlückenenergie Eg1 der ersten zusammensetzung kleiner ist als die Bandlückenenergie Eg2 der zweiten Zusammensetzung, und wobei t zudem so gewählt wird, daß bei den freien Ladungsträger in der Quantenmulde Quanteneffekte auftreten, d.h. daß beispielsweise das zu der Quantenmulde gehörende tiefste gebundene Energieniveau nicht mit der relevanten Bandkante des Quantenmuldenmaterials zusammenfällt. t ist typischerweise kleiner als etwa 30 nm.
- Die vorliegende Erfindung ist in den Ansprüchen dargelegt. Im weiteren Sinne besteht die Erfindung aus einem Gegenstand (z.B. einem Sender oder Empfänger für Lichtleitfaseranwendungen oder einem Lichtleitfaserkommunikationssystem mit solch einem Sender oder Empfänger), der einen neuen Halbleiter-DFB-Laser mit Eigenschaften umfaßt, die u.a. zu einer wesentlich größeren Ausbeute bei der Laserherstellung führen.
- Der erfindungsgemäße DFB-Laser umfaßt insbesondere einen Halbleiterkörper, der auf einem Halbleitersubstrat mehrere epitaktische Halbleiterschichten umfaßt. Der Halbleiterkörper umfaßt eine sich periodisch verändernde erste Zone (die "Gitterzone") mit einer Periode Λ (in Längsrichtung des Lasers) und eine zweite Zone (die "aktive" Zone), die so ausgelegt ist, daß durch eine Rekombination von Elektronen und Löchern und eine optische Wechselwirkung mit dem Gitter eine elektromagnetische Strahlung mit eitier vorbestimmten Wellenlänge X erzeugt wird. Die aktive Zone ist beabstandet zu der Gitterzone angeordnet. Der Laser umfaßt zudem eine Kontakteinrichtung, die es ermöglicht, daß durch den Halbleiterkörper ein elektrischer Strom fliegen kann.
- Es ist wesentlich, daß der Gitterbereich eines erfindungsgemäßen Lasers eine oder mehrere sich in Längsrichtung verändernde (z.B. strukturierte) dünne Halbleiterschichten mit einer ersten Halbleiterzusammensetzung umfaßt, wobei eine Schicht mit der ersten Zusammensetzung sandwichartig zwischen Haibleitermaterial einer zweiten Zusammensetzung angeordnet ist. Die Schichten mit der ersten Zusammensetzung werden hier als "Quantenmulden", "Quantenwells" oder "QWs" bezeichnet, obwohl es bei einer praktischen Realisierung der Erfindung nicht erforderlich ist, daß die Schichtdicke so gewählt wird, daß die Schichten mit der ersten Zusammensetzung die oben beschriebenen Eigenschaften einer Quantenmulde aufweisen.
- Die Quantenmulden in dem Gitterbereich sind jeweils in separate Segmente unterteilt, von denen jedes in Längsrichtung kleiner ist als "Λ". Der Abstand zwischen der aktiven Zone und der Gitterzone ist so gewählt, daß hei einem normalen Laserbetrieb eine Strahlung mit der Wellenlänge λ mit dem Gitter wechselwirken kann.
- Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung die wesentlichen Aspekte eines beispielhaften erfindungsgemäßen Lasers. Auf einem Substrat 11 (z.B. n&spplus; - InP) sind QWs 121 und 122 (z.B. n - InyGa1-yAs, das für alle Werte von y einheitlich als InGaAs bezeichnet wird) angeordnet, zwischen denen sich eine Sperrschicht 131 (Z.B. n - InP) befindet. Die Quantenmuldenstruktur ist vorzugsweise so gestaltet, daß die oberste Schicht 132 eine Sperrschichtzusammensetzung aufweist, die so gewählt ist, daß sie im wesentlichen der Zusammensetzung des unmittelbar benachbarten Substratmaterials entspricht (mit Ausnahme von möglichen Unterschieden im Dotierungsgrad; für die vorliegende Diskussion wird eine fakultative Pufferschicht oder Pufferschichten als Teil des Substrates behandelt)
- Die Oberfläche der beschriebenen Mehrschichtstruktiir ist durch bekannte Verfahren strukturiert, so daß ein Bragg- Gitter der Periode A gebildet wird, wobei sich das Gitter vorteilhafterweise bis unter die unterste Quantenmuldenschicht erstreckt. Es sei bemerkt, daß die so gebildete gewellte Oberfläche 14 bei bevorzugten Ausführungsformen hauptsächlich aus einem Material einer Zusammensetzung besteht (beispielsweise InP), und daß lediglich ein geringer Anteil eines Materials mit einer anderen Zusammensetzung (beispielsweise InGaAs) freiliegt. Wie bei Fachleuten auf diesem Gebiet erkannt wird, ermöglicht die relative Homogenität der Oberfläche das Aufwachsen von qualitativ hochwertigem epitaktischem Material mit der gleichen Zusammensetzung.
- Auf der Oberfläche 14 ist eine Abstands- oder Zwischenschicht 15 (z.B. n - InP) aufgewachsen, die vorzugsweise die gesamte Oberfläche 14 bedeckt. Auf der Abstandsschicht ist eine Wellenleiterschicht (z.B. InGaAsP) angeordnet, auf die die aktive Zone folgt, die mehrere Quatitenmulden 17 (z.B. InxGa1-xAs, wobei x nicht notwendigerweise von y verschieden ist) umfaßt, zwischen denen Sperrschichten 18 (z.B. InGaAsP) ; angeordnet sind. Hierauffolgt die Wellenleiterschicht 19 (z.B. InGaAsP), eine Umhüllungsschicht 20 (z.B. p - InP) und eine Abdeckschicht 21 (z.B. p+InGaAsP). Die herkömmlichen Kontakte sind nicht dargestellt.
- Es sei bemerkt, daß erfindungsgemäße Laser mit Ausnahme der neuen Gitterstruktur, die eine Quantenmulde (oder Quantenmulden) umfaßt, herkömmlich gestaltet sein können. Es ist daher klar, daß die vorliegende Erfindung auf nahezu alle Arten von Halbleiter-DFB-Lasern anwendbar ist, und nicht auf die Verwendung bei Mehrfachquantenmulden-DFB- Lasern beschränkt ist. Wie Fachleute erkennen werden, kann die Erfindung bei DFB-Lasern eingesetzt werden, bei denen sich das Gitter, wie in Fig. 1 dargestellt ist, "unterhalb" der aktiven Zone befindet. Die Erfindung kann jedoch auch in Lasern eingesetzt werden, in denen sich das Gitter "oberhalb" der aktiven Zone befindet und in den sogenannten "Lasern mit integriertem Stufengitter" (Distributed Bragg Reflector (DBR) Laser) , bei denen die Gitterstruktur durch einen optischen Wellenleiter seitlich mit der aktivett Zone verbunden ist. Die Gitter-QWs können teilweise so zueinander beabstandet sein, daß sie gekoppelt sind, d.h., daß ein "Übergitter" gebildet wird. Es wird hier nicht zwischen gekoppelten und nichtgekoppelten Mehrfachquantenmuldenstrukturen unterschieden, sondern sie werden einheitlich als Quantenmuldenstrukturen bezeichnet.
- Der Einsatz der neuen Gitterstruktur in DFB-Lasern bietet viele Vorteile. Da die Quantenmulden dünn sind und vorzugsweise sowohl zwischen ihnen als auch als Abdeckung ein Material verwendet ist, das nahezu die gleiche Zusammensetzung wie die Abstandsschicht und das unmittelbar benachbarte Substratmaterial aufweist, erfolgt das Aufwachsen der Abstandsschicht auf der Gitteroberfläche im wesentlichen homoepitaxial. Das epitaxiale Aufwachsen auf dem Gitter wird hierdurch typischerweise zu einer trivialen Angelegenheit und garantiert praktisch, daß keine Defekte auftreten. Die Kopplungskonstante κ kann zudem typischerweise durch geeignete Wahl der Anzahl, der Zusammensetzung und/oder der Dicke der Quantenmulden auf herkömmliche Art und Weise gesteuert werden. Die Tiefe des Gitters kann typischerweise durch Veränderung der Zusammensetzung und/oder der Dicke der Quantenmulden und/oder der Zusammensetzung und/oder der Dicke der Barriereschicht maßgeschneidert werden. Es werden daher erfindungsgemäße Ausführungsformen vorgeschlagen, bei denen die Gitter-QWs nicht alle die gleiche Dicke oder Zusammensetzung aufweisen und/oder bei denen die Barriere- oder Sperrschichten des Gitters nicht alle die gleiche Dicke oder Zusammensetzung aufweisen.
- Es ist bekannt, daß der Wert κ x L (mit der Resonatorlänge L) für eine optimale Leistung eines Lasers im Bereich zwischen 1 und 2 liegen sollte. Es ist daher in vielen Fällen erwünscht, daß κ recht klein ist, was sich mit nur einer oder mit einigen wenigen Gitter-QWs erreichen läßt. Dies ermöglicht es umgekehrt wiederum, daß man Gitter verwendet, bei denen alle QWs durchgeätzt sind, so wie dies im wesentlichen in Fig. 1 dargestellt ist. Bei diesen (bevorzugten) Lasern spielt die tatsächliche Tiefe des Gitters im Gegensatz zu herkömmlichen DFB-Lasern keine wichtige Rolle bei der Beeinflussung von κ. Es ist daher typischerweise relativ einfach, bei bevorzugten erfindungsgemäßen Lasern κ zu steuern.
- Andere vorteilhafte Eigenschaften erfindungsgemäßer Laser ergeben sich aus den folgenden Ausführungen. Aufgrund der wohlbekannten Quanteneffekte in QWs können die Gitter-QWs so gestaltet werden, daß die Absorptionskante der Gitter-QWs oberhalb der Laserwellenlänge liegt, selbst wenn in der aktiven Schicht des Lasers und in den Gitter-QWs die gleiche Materialzusammensetzung verwendet wird, so daß sich die Herstellung vereinfacht. Es sei bemerkt, daß es sich bei dem entstehenden DFB-Laser um einen brechungsindexgekoppelten Laser handelt. Es sei ausdrücklich betont, daß die vorliegende Erfindung sowohl bei brechungsindexgekoppelten Lasern als auch bei verstärkungs (dämpfungs-) gekoppelten Lasern verwendbar ist. Sie kann zudem bei Lasern verwendbar, die eine Kombination dieser beiden Kopplungsmechanismen aufweisen.
- Wenn man ein verstärkungs (dämpfungs-) gekoppeltes Gitter haben möchte, kann die Dicke und/oder die Zusammensetzung der Gitter-QWs so gewählt werden, daß die Absorptioriskante der Quantenmulden unterhalb der Laserwellenlänge liegt. Wenn man die Gitter-QWs sehr dünn ausbildet, dominiert die Verstärkungskopplung über die Brechungsindexkopplung. Falls gewünscht, können die Gitter-QWs eine Zusammensetzung aufweisen, bei der die Bandlücke der Halbleitermasse schmaler ist als die des Materials der relevanten aktiven Zone. Die Zusammensetzung der Gitter-QWs kann so gewählt werden, daß die QWs entweder bei Zug oder bei Druck unter Spannung gesetzt werden oder sich verformen. Fachleute auf diesem Gebiet werden erkennen, daß die Verwendung beanspruchter oder verformter (strained) QWs dazu genutzt werden kann, um die jeweiligen Kopplungskoeffizienten der TE und TM Moden eines erfindungsgemäßen DFB-Lasers zu modifizieren, so daß der Gestalter eines Bauteils eitten zusätzlichen Freiheitsgrad besitzt.
- Die obige Diskussion zeigt, daß die Verwendung von in der Gitterzone u.a. das reproduzierbare Nachwachsen des Gitters und die Steuerung des Kopplungskoeffizienten stark erleichtert. Sie ermöglicht zudem ein sehr bequemes und effektives Verfahren zur Schaffung verstärkungsgekoppelter DFB-Laser und damit auch zur Beseitigung der wellenlängenentartung
- Ein Laser der in Fig. 1 dargestellten Art wird wie folgt hergestellt. Man läßt unter Verwendung eines herkömmlichen CBE-Verfahrens (chemical beam epitaxy) bei 545ºC zwei 4 nm dicke n-In0.62Ga0.38As-Schichten, die jeweils durch 9,3 nm dicke n-InP-Schichten getrennt und von diesen bedeckt sind, auf einem herkömmlichen n&spplus; InP-Substrat mit (100) Orientierung und 5 cm Durchmesser aufwachsen. Durch herkömmliche Holographieverfahren und durch Naßätzen wird ein Gitter erster Ordnung (Λ = 240 nm) hergestellt. Die Tiefe des Gitters beträgt etwa 48 mm. Nach einer Reinigung üblicher Art wird der Wafer wieder in das CBE-System eingeführt und unter einem P-Überdruck aus vorgecracktem PH&sub3; auf etwa 545ºC erhitzt. Unter diesen Bedingungen tritt keine beobachtbare Gittererosion auf. Nun läßt man eine 65 nm dicke n-InP- Abstandsschicht (gemessen von der Oberseite des Gitters) aufwachsen, auf die man eine übliche verspannte (6-QW Schichtstruktur mit einer separaten Confinement- Heterostruktur (standard strained-layer-6-QW separate confinement heterostrukture (SCH)). Die quaternären (Q1.25) Wellenleiterschichten sind 52,2 nm dick, während die In0.6Ga0.4&sub4;As-Qws und die Q1.25-Barriere- oder Sperrschichten 5 nm bzw. 18,6 nm dick sind. Die Wafer werden nun auf herkömmliche Art und Weise zu Lasern mit vergrabener Heterostruktur weiter verarbeitet, wozu auch ein metallorganisches Gasphasenepitaxie-Nachwachsen (MO-VPE regrowth) von mit Eisen dotiertem InP bei 630ºC gehört. Als Quellen für die p bzw. die n Dotierung wird Diethylzink und Tetraethylzinn verwendet.
- Fig. 2 zeigt eine beispielhafte Kurve für die Laserausgangsleistung als Funktion des Ansteuerungstroms.
- Fig. 3 zeigt das Laserspektrum des gleichen Lasers. Fig. 4 zeigt das Nebenmoden-Unterdrückungsverhältnis (side-modesuppression-ratio = SMSR) als Funktion des Ansteuerungsstroms. Die dargestellten Daten beziehen sich auf einen 2-QW-Gitterlaser mit einer Resonatorlänge von 0,5 mm, mit einer (5%-igen) AR-Beschichtung auf beiden Facetten; der im wesentlichen auf die oben beschriebene Art und Weise hergestellt wurde. Die AR-Beschichtung ist fakultativ und selbst erfindungsgemäße Laser mit geteiltem Resonanzraum (as-cleaved lasers) zeigen eine hohe SMSR.
- Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels Auf der gewellten Oberfläche 14 ist eine Umhüllungsschicht 41 (z.B. n-InP), eine aktive Schicht 42 (z.B. InGaAsP), eine Umhüllungsschicht 43 (z.B. p-InP) und eine Deckschicht 21 (z.B. p&spplus;-InGaAs) aufgewachsen.
Claims (3)
1. Gegenstand mit einem DFB-Laser, der einen
Halbleiterkörper mit einer Vielzahl von epitaxialen
Halbleiterschichten an seinem Halbleitersubstrat (11)
umfaßt, mit:
a) einem sich periodisch ändernden
Halbleitergitterbereich, wobei dem Gitterbereich eine
Periode A zugeordnet ist, und
b) einem aktiven Haibleiterbereich zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung der Wellenlänge λ durch
Elektronen-Loch-Rekombination in diesem, wobei der
aktive Bereich von dem Gitterbereich beabstandet ist,
und
c) wobei der Laser ferner eine Kontakteinrichtung
umfaßt, die das Fließen eines elektrischen Stroms
durch den Halbleiterkörper unterstützt, wobei dem
Laser eine Längsrichtung zugeordnet ist, bei welchem
d) der Gitterbereich eine Vielzahl von
Halbleiterquantenmuldenschichten (121, 122) mit einer
ersten Zusammensetzung umfaßt, wobei eine gegebene
Quantenmuldenschicht mit der ersten Zusammensetzung
sandwichartige zwischen Halbleitermaterial einer
zweiten Zusammensetzung (11, 131) angeordnet ist und
sich in der Längsrichtung mit der Periode A ändert
und die obere Schicht (132) des Gitterbereichs
Material der zweiten Zusammensetzung ist,
e) der Gitterbereich so strukturiert ist, daß alle
Muldenschichten mit der ersten Zusammensetzung (121,
122) im Gitterbereich in Abschnitte mit kleineren
Längen als die Periode A in Längsrichtung geteilt
sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
f) der Gitterbereich direkt oder mittels einer oder
mehrerer Pufferschichten an dem Substrat angeordnet
ist, wobei die Pufferschicht oder das Substrat dem
aus Halbleitermaterial der zweiten Zusammensetzung
hergestellten Gitterbereich unmittelbar benachbart
ist, und
g) eine Halbleiterschicht (15) mit der zweiten
Zusammensetzung an dem strukturierten Gitterbereich
angeordnet ist.
2. Gegenstand nach Anspruch 1, bei welchem die erste und
die zweite Zusammensetzung jeweils InGaAs und InP sind.
3. Gegenstand nach Anspruch 2, bei welchem eine
Quantenmuldenschicht mit der gegebenen ersten
Zusammensetzung eine Dicke von weniger als 30 nm hat.
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