DE69126755T2

DE69126755T2 - Verfahren zum züchten eines halbleiterkristalls

Info

Publication number: DE69126755T2
Application number: DE69126755T
Authority: DE
Inventors: Akito Kuramata
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-03-14
Filing date: 1991-03-14
Publication date: 1997-11-20
Anticipated expiration: 2011-03-15
Also published as: WO1991014280A1; EP0477374B1; JPH03263819A; EP0477374A4; DE69126755D1; EP0477374A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Prozeß für das Wachsen eines Haibleiterkristalis, und im besonderen auf einen Prozeß für das Wachsen eines Mischkristalls durch MOVPE (metallorganische Dampfphasenepitaxie).

HINTERGRUNDTECHNIK

AsH&sub3;, PH&sub3; und Trimethylantimon (TMSb) sind bislang als Quelle von Elementen der Gruppe V bei der MOVPE genutzt worden. Zum Beispiel wächst In0,77Ga0,23As0,51P0,49 unter den folgenden Bedingungen.
Flußrate:
Trimethylindium (TMI) 0,400 cm³/min
Triethylgalhum (TEG 0,110 cm³/min
Arsin (AsH&sub3;) 1,98 cm³/min
Phosphin (PH&sub3;) 98,0 cm³/min
Wasserstoff (H&sub2;) 640 cm³/min
Druck: 0,1 atm
Substrattemperatur 600 ºC
Bei der MOCVD ist, da die Zersetzung der Quellen von Elementen der Gruppe III stabil ist, die Verteilung der Zusammensetzung der Elemente der Gruppe III in dem gewachsenen Kristall längs des Gasflusses klein, das heißt, die Zusammensetzung ist homogen. Andererseits tritt bei den Quellen der Elemente der Gruppe V, da die Quellengase in der Zersetzungsrate untereinander sehr verschieden sind, eine große Verteilung der Zusammensetzung der Elemente der Gruppe V längs des Gasflusses von dem stromaufwärtigen Abschnitt hin zu dem stromabwärtigen Abschnitt des Substrats auf. Zum Beispiel tritt beim Wachsen des oben beschriebenen In0,77Ga0,23As0,51P0,49, dessen Zusammensetzung eine Fotolumineszenz-(PL)-Wellenlänge von 1,2 Mm hat, solch eine große Verteilung der Zusammensetzung (Ungleichmäßigkeit) auf, daß die PL-Wellenlänge auf einer Distanz von 25 mm von den stromaufwärtigen zu stromabwärtigen Abschnitten längs des Gasflusses um etwa 20 nm schwankt.
Diese Erscheinung wird bei dem InGaAsP-Kristall, der als Material für einen langwelligen Laser verwendet wird, von einem praktischen Gesichtspunkt aus zu einem großen Problem. Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum weiteren Homogenisieren der Zusammensetzungsverteilung der Elemente der Gruppe V vorzusehen.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNG

Um das oben beschriebene Ziel zu erreichen, sieht die vorliegende Erfindung einen Prozeß für das Wachsen eines Halbleiterkristalls vor, der das Wachsen eines Gruppenverbindungshalbleiters der Gruppen III und V, der As und P enthält, durch metallorganische Dampfphasenepitaxie umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß H&sub2;AsCnH2n+1 (wobei n 1 oder 2 ist) als As-Quelle und H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als P-Quelle verwendet wird. Ferner ist ein Prozeß für das Wachsen eines Halbleiterkristalls vorgesehen, dadurch gekennzeichnet, daß die metallorganische Dampfphasenepitaxie in einer Vakuumatmosphäre unter Verwendung von Arsin (AsH&sub3;) als As-Quelle und von H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als P-Quelle erfolgt. Bevorzugte Ausführungsformen gemäß den Prozessen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 5 und 7 bis 10 offenbart. Da H&sub2;AsCnH2n+1 (wobei n 1 oder 2 ist) und AsH&sub3; eine Zersetzungsrate aufweisen, die dicht bei der von H&sub2;PC&sub4;H&sub9; liegt, tritt keine große Verteilung der Zusammensetzung zwischen As und P längs des Gasflusses auf. Die planare Gleichförmigkeit ist besonders beim Wachsen in einer Vakuumatmosphäre gemäß der vorliegenden Erfindung sehr hoch. Ferner ist H&sub2;PC&sub4;H&sub9; in der Handhabung sicherer als die herkömmliche P-Quelle PH&sub3;. Bezüglich des Verbindungshalbleiters, der bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, gibt es keine besondere Beschränkung bei anderen Elementen und der Zusammensetzung, solange As und P als Element der Gruppe V enthalten sind. Der Verbindungshalbleiter, der bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist für das Wachsen von InGaAsP auf einem InP- Substrat oder einem GaAs-Substrat, besonders auf einem InP- Substrat, effektiv. Denn InxGa1-xAs1-yPy, wobei y = (-0,22 + 0,4x)/(0,2 - 0,02x) ist, das eine Gitterkonstante hat, die zu einem InP-Substrat paßt, wird besonders als Material für einen Laser mit langem Wellenlängenband verwendet, und gemäß der vorliegenden Erfindung kann solch ein Mischkristall in einer homogenen Zusammensetzungsverteilung wachsen. Die Ebene (100) und die Ebene (111) werden bei dem InP-Substrat bzw. GaAs-Substrat bevorzugt verwendet.
Bezüglich des Quellengases der Elemente der Gruppe III gibt es keine besondere Beschränkung, und das herkömmliche Quellengas kann verwendet werden. Zum Beispiel werden Trimethylindium und Triethylindium als In-Quelle verwendet, und Triethylgalhum, Trimethylgalhum, etc., werden als Ga- Quelle verwendet.
Die Flußraten der Quellengase schwanken in Abhängigkeit von der Art des Gases, der Wachstumstemperatur, etc. Im allgemeinen ist jedoch zum Beispiel, wenn P und As in einem P/As-Verhältnis (Molverhältnis) wachsen, das Flußratenverhältnis des As-Quellengases (H2AsCnH2n+1 oder AsH&sub3;) zu dem P- Quellengas (H&sub2;PC&sub4;H&sub9;) log (P/As)c = 0,6564 log (P/As)r - 0,7631, wobei (P/As)c das PIAS-Verhältnis des Kristalls und (P/As)r das P/As-Verhältnis der Quelle ist, und das Flußratenverhältnis des Quellengases der Gruppe III zu dem Quellengas der Gruppe V ist zum Beispiel im Fall von In und Ga log (In/Ga)c = 0,9107 log (In/Ga)r + 0,0261, wobei (In/Ga)c das In/Ga-Verhältnis des Kristalls und (In/Ga)r das In/Ga-Verhältnis der Quelle ist.
Wasserstoff, Stickstoff, Hehum und andere Gase werden im allgemeinen als Trägergas verwendet. Wenn die Menge an Trägergas übermäßig klein ist, ist es schwierig, einen homogenen Fluß des Quellengases zu erreichen. Wenn andererseits die Menge an Trägergas übermäßig groß ist, wird das Substrat gekühlt, so daß die Zersetzungsrate des Quellengases gemindert wird. Aus diesem Grund beträgt die Gesamtflußrate des Trägergases und des Quellengases vorzugsweise 1 bis 10 Liter/min, und besser etwa 6 Liter/min.
Bezüglich der Wachstumstemperatur gibt es keine besondere Beschränkung, solange H2AsCnH2n+1, wobei n 1 oder 2 ist, und H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als Quellengas verwendet werden. Jedoch liegt die Wachstumstemperatur im allgemeinen bei 500 bis 650 ºC, und vorzugsweise bei 570 bis 620 ºC.
Der Druck kann atmosphärischer Druck oder reduzierter Druck sein. Wenn AsH&sub3; und H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als As-Quelle bzw. P-Quelle verwendet werden, erfolgt das Wachsen jedoch bei reduziertem Druck, besonders bei einem reduzierten Druck von etwa 100 kPa (0,1 atm).
Vom Gesichtspunkt des Homogenisierens der Filmdicke und der Zusammensetzungsverteilung ist es vorzuziehen, das Substrat während des Wachsens zu rotieren. Die Filmdicke und die Zusammensetzungsverteilung können weiter homogenisiert werden, indem eher eine Vielzahl von öffnungen als eine einzelne Öffnung zum Zuführen eines Gases zu dem Substrat vorgesehen wird, welche öffnungen längs eines Durchmessers des Substrats angeordnet sind.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Zusammensetzung der Gruppe V des Mischkristallhalbleiters, der As und P enthält, innerhalb der Ebene des Substrats homogenisiert werden, wodurch außerordentlich zu einer Verbesserung der Ausbeute der Halbleitervorrichtung beigetragen wird.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist ein Graph, der die Verteilung der PL-Wellenlänge von InGaAsP zeigt, das durch MOVED gewachsen ist;
Fig. 2 ist ein schematisches Diagramm einer Vorrichtung für das Wachsen eines Kristalls durch MOVED;
Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm, das die Einleitung eines Quellengases auf ein Substrat innerhalb einer Vorrichtung für das Wachsen eines Kristalls durch MOVED zeigt;
Fig. 4 bis 6 sind Graphen, die die PL-Wellenlängenverteilung von InGaAsP, das durch MOVED gewachsen ist, in den Ausführungsformen zeigt, die später beschrieben werden; und
Fig. 7 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleiterlasers.

BESTER MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG

Wie oben beschrieben, wird in der vorliegenden Erfindung eine Kombination von Quellen, die Zersetzungsraten haben, die dicht beieinander liegen, als Mittel zum Lösen der Probleme des Standes der Technik verwendet.
Die Zusammensetzungsverteilung (Ungleichmäßigkeit) in der Richtung des Flusses von InGaAsP erreicht nahe einer Position, wo die As-Zusammensetzung der P-Zusammensetzung im wesentlichen gleich wird, ein Maximum. Bei InGaAsP, das in der Gitterkonstante zu InP paßt, entspricht ein Kristall, der eine PL-Wellenlänge von etwa 1,2 µm hat, solch einer Zusammensetzung. Das Wachsen von InGaAsP, das eine PL-Wellenlänge von etwa 1,2 Mm hat und in der Gitterkonstante zu InP paßt, erfolgt durch eine Kombination dreier Quellen, und die Verteilung der Zusammensetzung der Gruppe V spiegelt sich wider in der PL-Wellenlängenverteilung.
Bei dem ersten Experiment wurden drei Kombinationsarten verwendet, d. h., AsH&sub3; + PH&sub3;, AsH&sub3; + tBPH&sub2; und tBAsH&sub2; + tBPH&sub2;. Als Resultat ist herausgefunden worden, daß die Differenz der PL-Wellenlänge zwischen dem stromaufwärtigen Abschnitt und dem stromabwärtigen Abschnitt mit der Differenz der Zersetzungsraten der Quellen übereinstimmt. Die folgende Tabelle zeigt die Zersetzungsraten von PH&sub3;, AsH&sub3;, tBPH&sub2; und tBasH&sub2; hinsichtlich der Temperatur, bei der eine Zersetzung von 50 % in einem gegebenen Zeitraum erfolgt, den die Quelle benötigt, um die Heizzone zu passieren.
Die Resultate sind in Fig. 1 gezeigt. Die Abszisse stellt die Distanz von der Mitte des Wafers dar, und die Ordinate stellt die PL-Wellenlänge dar. Zahlen in der Zeichnung verkörpern den Veränderungsgrad der PL-Wellenlänge von der Mitte des Wafer hin zu dessen Peripherie. Die PL-Wellenlänge wurde längs eines Durchmessers des Substrats durch Bestrahlung des Substrats mit einem Laserstrahl, der einen Strahldurchmesser von 200 µm hatte, in gestreuter Punktform gemessen.
Bei der Kombination von AsH&sub3; + PH&sub3;, bei der die Zersetzungsratendifferenz groß ist (240 ºC), hat der Veränderungsgrad der PL-Wellenlänge eine Größe von -17 nm, während bei den verbleibenden zwei Kombinationen, d. h., AsH&sub3; + tBPH&sub2; und tBAsH&sub2; + tBPH&sub2;, bei denen die Zersetzungsratendifferenz klein ist (-100 ºC bzw. +100 ºC), die PL-Wellenlängendifferenzen nur -7 nm bzw. +6 nm betragen.
Die PL-Wellenlängendifferenz ist vom Gesichtspunkt der Qualität (der Ausbeute) des Halbleiterkristalls, bei der die Konstruktionsgenauigkeit des Halbleiterlasers berücksichtigt wird, vorzugsweise so klein wie möglich. Bei den oben beschriebenen AsH&sub3; + PH&sub3; und tBAsH&sub2; + tBPH&sub2;, bei denen (Zersetzungsrate der As-Quelle) > (Zersetzungsrate der P- Quelle) ist, nimmt die P-Zusammensetzung von der Mitte hin zu der Peripherie zu, so daß sich die PL-Wellenlänge auf die Seite der kurzen Wellenlänge verschiebt, während bei der Kombination von AsH&sub3; + tBPH&sub2;, bei der (Zersetzungsrate der As-Quelle) < (Zersetzungsquelle der P-Quelle) ist, die entgegengesetzte Erscheinung beobachtet wird. Dies läßt darauf schließen, daß die planare Verteilung der PL-Wellenlänge weiter verbessert werden kann, wenn tBPH&sub2; als P-Quelle verwendet wird und eine Quelle, die eine Zersetzungsrate zwischen AsH&sub3; und tBAsH&sub2; hat, als As-Quelle verwendet wird. Bei der As-Quelle, die dargestellt wird durch H2AsCnH2n+1, ist die Zersetzungsrate um so höher, je größer der n-Wert ist. AsH&sub3; und tBAsH&sub2; entsprechen den Fällen, wo n = 0 bzw. n = 4 ist. Deshalb ist die Quelle, die einen n-Wert von 1 oder 2 hat, für den oben beschriebenen Zweck geeignet. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Kombination von AsH&sub3; oder H2AsCnH2n+1, bei der n = 1 oder 2 ist, mit tBPH&sub2; verwendet. Die Kombination von AsH&sub3; mit tBPH&sub2; wird bevorzugt, weil sie sich in der Behandelbarkeit des Gases besonders auszeichnet.
Wenn das Wachsen unter atmosphärischem Druck mit der Kombination von AsH&sub3; und tBPH&sub2; als Quellengase erfolgt, reagiert jedoch die In-Quelle mit der Quelle der Elemente der Gruppe V in einer Dampfphase, um ein Polymer zu bilden, so daß kein gutes epitaxiales Wachsen von InGaAsP erreicht werden kann. Ferner hat der atmosphärische Druck Nachteile, weil es schwierig ist, den Fluß des Gases zu steuern, die praktische Anwendbarkeit schlecht ist und die Filmdicke ungleichmäßig ist. Im Gegensatz dazu können, wenn die Kombination von AsH&sub3; mit tBPH&sub2; unter reduziertem Druck verwendet wird, die oben beschriebenen Nachteile selbst bei InGaAsP eliminiert werden, so daß es möglich wird, das epitaxiale Wachsen mit einer herabgedrückten Zusammensetzungsverteilung durchzuführen.
Das Wachsen eines In0,77Ga0,23As0,51P0,49-Kristalls, der eine PL-Wellenlänge von 1,2 µm hat, unter Verwendung einer Kombination von EtAsH&sub2; (Ethylarsin), das H2AsCnH2n+1 entspricht, wobei n = 2 ist, mit tBPH&sub2; wird nun eingehender beschrieben.
Eine Vorrichtung für das Wachsen eines Kristalls ist in Fig. 2 gezeigt. Ein Quellengas fließt auf ein Substrat 11 innerhalb einer Reaktionsröhre 10 durch eine Gaseinführungsöffnung 13, die in dem oberen Teil der Reaktionsröhre vorgesehen ist. Die Flußraten individueller Quellengase und eines Trägergases aus Behältern 14 bis 18 sind reguliert, und sie werden miteinander vermischt und der Reaktionsröhre 10 zugeführt. Fig. 3 zeigt das Einleiten eines Gases auf ein Substrat 11, das auf einem Heizer 26 innerhalb der Reaktionsröhre 10 angeordnet ist. Eine Vielzahl von Gaseinführungsöffnungen 20 bis 23 sind in einer Reihe in der Richtung des Durchmessers des Substrats 11 angeordnet. Das Quellengas wird nach dem Vermischen durch einen Durchflußmesser 24 und ein Nadelventil 25 geleitet, um die Flußrate zu steuern, und dann zu individuellen Gaseinführungsöffnungen 20 bis 23 geführt. Das Substrat 11 kann rotiert werden.
Trimethylindium (TMI) und Triethylgallium (TEG) wurden als In-Quelle bzw. Ga-Quelle verwendet. Ein InP(100)-Substrat wurde als Substrat verwendet, und das Substrat wurde während des Anstiegs der Temperatur geschützt, indem man tBPH&sub2; mit einer Flußrate von 50 cm³/min fließen ließ. Wasserstoff wurde als Trägergas verwendet, und die Flußrate wurde so gesteuert, daß die Gesamtmenge 6,5 Liter/min betrug. Der Wachstumsdruck, die Wachstumstemperatur und die Rotationsgeschwindigkeit des Substrats betrugen 0,1 atm, 600 ºC bzw. 60 U/min. Die Nettoflußraten der Quellen waren wie folgt.
TMI 0,3877 cm³/min
TEG 0,1127 cm³/min
EtAsH&sub2; 1,980 cm³/min
tBPH&sub2; 38,021 cm³/min
Unter diesen Bedingungen betrug die Wachstumsrate 3 µm/h.
Die PL-Wellenlängendifferenz (Distanz: 25 mm) des In0,77Ga0,23As0,51P0,49 (PL-Wellenlänge: 1,2 µm), das auf dem InP-Substrat gewachsen ist, war wie in Fig. 4 gezeigt und betrug -3 nm.
Die Verwendung von AsH&sub3; als As-Quelle wird nun beschrieben. Auch in diesem Fall wuchs ein In0,77Ga0,23As0,51P0,49-Kristall mit einer PL-Wellenlänge von 1,2 µm, der in der Gitterkonstante zu dem InP-Substrat paßt.
Trimethylindium (TMI) und Triethylgallium (TEG) wurden als In- bzw. Ga-Quellen verwendet. Ein InP(100)-Substrat wurde als Substrat verwendet, und das Substrat wurde während des Anstiegs der Temperatur geschützt, indem man PH&sub3; (20 %) mit einer Flußrate von 50 cm³/min fließen ließ. Wasserstoff wurde als Träger verwendet, und die Flußrate wurde so eingestellt, daß die Gesamtmenge 6,5 Liter/min betrug. Der Wachstumsdruck, die Wachstumstemperatur und die Rotationsgeschwindigkeit des Substrats betrugen 0,1 atm, 600 ºC bzw. 60 U/min. Die Nettoflußraten der Quellen waren wie folgt.
TMI 0,3877 cm³/min
TEG 0,1127 cm³/min
AsH&sub3; 1,980 cm³/min
tBPH&sub2; 38,021 cm³/min
Unter diesen Bedingungen betrug die Wachstumsrate 3 µm/h.
In dieser Ausführungsform betrug die Differenz der PL-Wellenlänge zwischen dem stromaufwärtigen Abschnitt und dem stromabwärtigen Abschnitt 6 nm, wie in Fig. 5 gezeigt.
Dann wurde ein Experiment unter Verwendung einer Kombination von AsH&sub3; mit tBPH&sub2; als Quellengas unter derselben Bedingung wie der oben beschriebenen ausgeführt, außer daß das Wachsen bei gestoppter Rotation des Substrats erfolgte. Die Resultate sind in Fig. 6 gezeigt. Ferner wurde zum Vergleich ein Experiment unter Verwendung einer Kombination von AsH&sub3; mit PH&sub3; bei gestoppter Rotation des Substrats ausgeführt. Die Resultate dieses Experimentes sind auch in Fig. 6 gezeigt. Die PL-Wellenlängendifferenz betrug 8 nm bei der Kombination von AsH&sub3; mit tBPH&sub2;, während die PL-Wellenlängendifferenz bei der Kombination von AsH&sub3; mit PH&sub3; 66 nm betrug. Wie in Fig. 1 gezeigt, ist bei der Kombination von AsH&sub3; mit PH&sub3;, da die PL-Wellenlängendifferenz 17 nm beträgt, wenn das Substrat rotiert wird, der Effekt zum Homogenisieren der Zusammensetzung, der sich aus der Rotation des Substrats ergibt, groß. Andererseits beträgt bei der Kombination von AsH&sub3; mit tBPH&sub2;, wie in Fig. 5 gezeigt, die PL- Wellenlängendifferenz nur 6 nm, auch wenn das Substrat rotiert wird. Mit anderen Worten, da der Effekt zum Homogenisieren der Zusammensetzung durch die Selektion des Quellengases der vorliegenden Erfindung eigen ist, zeigt dies, daß die Rotation des Substrats nicht zu einer weiteren Verbesserung des Effektes zum Homogenisieren der Zusammensetzung beiträgt.
Eine Ausführungsform der Herstellung eines Halbleiterlasers (FBH-DFB-Laser) unter Verwendung von InGaAsP, das auf dem InP-Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung gewachsen ist, wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschrieben. In Fig. 7 bezeichnet Bezugszahl 30 ein n-InP-Substrat, Bezugszahl 31 eine p-InP-Schicht, Bezugszahl 32 eine n-InP- Schicht, Bezugszahl 33 eine p-InP-Schicht, Bezugszahl 34 eine Welle (Riffelung), Bezugszahl 35 eine n-GaInAsP- Schicht, Bezugszahl 36 eine GaInAsP-Schicht, Bezugszahl 37 eine p-GaInAsP-Schicht, Bezugszahl 38 eine SiO&sub2;-Schicht, Bezugszahl 39 eine Al&sub2;O&sub3;-Beschichtung und bezeichnen die Bezugszahlen 40 und 41 jeweils eine Elektrode. Solch ein Laser wurde unter Verwendung eines InP-Wafers hergestellt. Als Resultat kann ein Laser mit sehr hoher Qualität erhalten werden, der den vorbestimmten charakteristischen Anforderungen entspricht, das heißt, der Effekt der vorliegenden Erfindung wurde bestätigt.

Claims

1. Prozeß für das Wachsen eines Kristalls eines Verbindungshalbleiters, der As und P enthält, mit den Schritten:

Anordnen eines Substrats innerhalb einer Wachstumskammer; und

Zuführen eines Quellengases, das H2AsCnH2n+1 (wobei n 1 oder 2 ist) als As-Quelle, H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als P-Quelle und eine Quelle von Elementen der Gruppe III enthält, und Erhitzen des Substrats, um einen III-V-Verbindungshalbleiter, der As und P enthält, auf dem Substrat durch Dampfphasenepitaxie wachsen zu lassen.

2. Prozeß nach Anspruch 1, bei dem das Substrat wenigstens ein Glied ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus InP und GaAs.

3. Prozeß nach Anspruch 1, bei dem der Verbindungshalbleiter InGaAsP ist.

4. Prozeß nach Anspruch 3, bei dem das Quellengasgemisch H2AsCnH2n+1 (wobei n 1 oder 2 ist) als As-Quelle, H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als P-Quelle, wenigstens ein Glied, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Trimethylindium und Triethylindium, als In-Quelle, und wenigstens ein Glied, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Triethylgallium und Trimethylgalhum, als Ga-Quelle umfaßt.

5. Prozeß nach Anspruch 1, bei dem die Substrattemperatur 500 bis 650 ºC beträgt.

6. Prozeß für das Wachsen eines Kristalls eines Verbindungshalbleiters, der As und P enthält, mit den Schritten:

Anordnen eines Substrats innerhalb einer Wachstumskammer; und

Zuführen eines Quellengasgemisches, das AsH&sub3; als As-Quelle, H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als P-Quelle und eine Quelle von Elementen der Gruppe III enthält, und Erhitzen des Substrats unter reduziertem Druck, um einen III-V-Verbindungshalbleiter, der As und P enthält, auf dem Substrat durch Dampfphasenepitaxie wachsen zu lassen.

7. Prozeß nach Anspruch 6, bei dem das Substrat wenigstens ein Glied ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus InP und GaAs.

8. Prozeß nach Anspruch 6, bei dem der Verbindungs halbleiter InGaAsP ist.

9. Prozeß nach Anspruch 8, bei dem das Quellengasgemisch AsH&sub3; als As-Quelle, H&sub2;PC&sub4;H&sub9; als P-Quelle, wenigstens ein Glied, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Trimethylindium und Triethylindium, als In-Quelle, und wenigstens ein Glied, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Triethylgalhum und Trimethylgalhum, als Ga- Quelle umfaßt.

10. Prozeß nach Anspruch 6, bei dem die Substrattemperatur 500 bis 650 ºC beträgt.