DE69115584T2 - Selektiver betrieb einer zwischenzeilig übertragenden ccd-bildsensorvorrichtung in verschachtelten und nichtverschachtelten moden - Google Patents

Selektiver betrieb einer zwischenzeilig übertragenden ccd-bildsensorvorrichtung in verschachtelten und nichtverschachtelten moden

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Description

  • Die Erfindung behandelt Bildabtasteinrichtungen und insbesondere einen Bildsensor mit Zwischenzeilenübertragung, der im Auslesemodus mit oder ohne Zwischenzeilenübertragung betrieben werden kann.
  • Bei Bildverarbeitungseinrichtungen mit Zwischenzeilenübertragung wird eine fotografisch erzeugte Ladung in einem Zeitraum auf einem Pixel oder einem Fotorezeptorelement, wie beispielsweise einem pn-Übergang (Fotodiode), oder auch unter dem Gate eines Fotokondensators gesammelt und anschließend in ein CCD- Register übertragen, wo sie von einer Ausgabeschaltung detektiert wird. Bei einer Flächenanordnung dieser Pixel ist es erforderlich, die gesammelte Fotoladung zunächst in ein vertikales Schieberegister und dann in ein horizontales Schieberegister zu übertragen, so daß sie schließlich einen ladungsempfindlichen Detektor oder Verstärker erreicht. Einrichtungen mit Zwischenzeilenübertragung nach dem bisherigen Stand der Technik waren weitgehend so angeordnet, daß in einer Betriebsart mit sogenanntem Zeilensprung ausgelesen wurde. In einer typischen Einrichtung nach dem Stand der Technik entsprechend der schematischen Darstellung in Fig. 1 und 2 werden Reihen von Fotorezeptoren wechselweise nacheinander ausgelesen, wobei ungerade numerierte Reihen einem ersten sogenannten Feld zugeordnet sind und Reihen mit gerader Numerierung einem zweiten Feld zugeordnet werden. Fig. 2 ist eine schematische vertikale Schnittdarstellung entlang der Linie A-A aus Fig. 1. In Fig. 1 und 2 wird ein gegebenes Pixelfeld der Reihen 1, 3, 5 usw. adressiert, indem eine Spannung an die Elektroden 20 und 30 angelegt wird, die beide mit der gleichen vertikalen Taktleitung φ&sub1; verbunden sind. Beim Anlegen dieser Spannung wird die Fotoladung entsprechend der schematischen Darstellung durch die horizontalen Pfeile in Fig. 1 zum vergrabenen Kanal 40 des vertikalen Schieberegisters übertragen (siehe Fig. 2). Dieses vertikale Schieberegister ist zusammengesetzt aus dem vergrabenen Kanal 40, den Elektroden 20 und 30, die mit der vertikalen Taktleitung φ&sub1; verbunden sind, und den Elektroden 50 und 60, die mit der vertikalen Taktleitung φ&sub2; verbunden sind. Diese Elektroden sind durch eine Isolierschicht 80 vom Substrat-Halbleiter 70 getrennt. Die Bereiche 65 unter den Elektroden 30 und sind lonenimplantiert, um eine Energiepotentialdifferenz zwischen den Bereichen 25 und 26, die durch die Spannungen an der Taktleitung φ&sub1; gesteuert wird, bereitzustellen, sowie auch zwischen den Bereichen 55 und 56, wobei die Differenz durch die Spannungen an der Taktleitung φ&sub2; gesteuert wird. Zum Auslesen von beispielsweise ungerade numerierten Pixelreihen wird die Leitung φ&sub1; so getaktet, daß die Übertragung der Fotoladung von den Fotodioden zum Bereich des vergrabenen Kanals unter der Elektrode 20 erfolgt. Dieser Übertragungsimpuls für ungerade Felder ist in Fig. 3a wiedergegeben. Die Fotoladung wird anschließend über die vertikalen und horizontalen CCD-Schieberegister zu einem Ladungsdetektionsverstärker übertragen. Daran anschließend werden Stellen an gerade numerierten Reihen als zweites Feld in ähnlicher Weise ausgelesen, indem ein Übertragungsimpuls für gerade Felder angelegt wird, der in Fig. 3a schematisch dargestellt ist, so daß die Fotoladung von den Pixelreihen mit gerader Numerierung zum Bereich des vergrabenen Kanals unter den Elektroden 50 übertragen wird. Durch daran anschließendes Takten wird die Fotoladung über die vertikalen und horizontalen Schieberegister zum Ausgangsverstärker übertragen. Die vertikalen Taktspannungen für diese Betriebsart mit Zeilensprung sind schematisch in Fig. 3a dargestellt. Bei einer derartigen Architektur einer Einrichtung nach dem bisherigen Stand der Technik ist es allerdings nicht möglich, alle Pixelreihen nacheinander auszulesen, d.h. in einer Betriebsart, die als ohne Zeilensprung bezeichnet werden könnte, da für jede Pixelreihe nur eine Hälfte einer vertikalen Schieberegisterzelle zur Verfügung steht. Um ein Auslesen ohne Zeilensprung zu erzielen, ist für jede Reihe aus Fotodioden eine vollständige vertikale CCD-Schieberegisterzelle erforderlich, da die Fotoladung sämtlicher Pixel gleichzeitig in das vertikale Schieberegister übertragen und während der Übertragung zum Ausgangsverstärker in separaten Ladungspaketen gehalten werden muß. Um nach dem bisherigen Stand der Technik eine derartige Auslesefolge ohne Zeilensprung bereitzustellen, müßte zu jedem Pixel mindestens vier separate CCD-Elektroden vorliegen, falls ein ähnlicher Herstellungsprozeß verwendet und die gleiche Anzahl von Taktspannungen beibehalten werden soll. Falls alternativ dazu sich auf drei Ebenen überlappende Elektroden mit Dreiphasen-Taktsequenz verwendet werden, wie es bei Tsaur et al. in IEEE Electron Device Letters, /MDUL/10/MDNM/, 361-363, 1989, beschrieben ist, kann ein Auslesen ohne Zeilenübertragung erreicht werden; doch geht dies zu Lasten einer zusätzlichen Komplexität von Prozeß und System, und es muß verfügbare lichtempfindliche Fläche geopfert werden, ohne aber mit der gleichen Einrichtung wahlfrei auch ein Auslesen mit Zeilenübertragung erzielen zu können.
  • In US-A-4,330,796 beschreiben Anognostopoulos et al. einen CCD-Bildsensor mit Zwischenzeilenübertragung ohne Zeilensprung, bei dem drei Elektroden pro Pixel und eine "Mäanderkanal"-CCD-Einrichtung verwendet werden, die einen großen Teil der gesamten Pixelfläche belegt. Wie bei Losee et al. in US-A-4,613,402 beschrieben wird, liegen aber, falls die Sperrschichtimplantate in der Mäanderkanal-CCD-Einrichtung nicht exakt ausgerichtet sind, in der CCD-Einrichtung parasitäre Potentialschächte oder Sperrschichten vor, die dazu führen, daß die Übertragung nicht effektiv und mit schwacher Leistungscharakteristik erfolgt. Weiter ermöglicht die Einrichtung von Anognostopoulos et al. keine Auswahl von Auslesevorgängen entweder mit oder ohne Zeilensprung.
  • US-A-4,805,026 beschreibt ein Verfahren zur Steuerung eines CCD-Bildflächensensors, der selektiv in einem Auslesemodus entweder mit oder ohne Zeilensprung betrieben werden kann. Gemäß der im erwähnten Dokument beschriebenen Einrichtung wird eine erste Frequenz für den Modus mit Zeilensprung verwendet, und eine zweite Frequenz wird für den Modus ohne Zeilensprung verwendet.
  • Die Erfindung hat entsprechend der in den Ansprüchen 1 und 2 formulierten Beschreibung das Ziel, einen Bildsensor mit vereinfachtem Pixeldesign bereitzustellen, der sowohl im Modus mit Zeilensprung als auch im Modus ohne Zeilensprung betrieben werden kann.
  • Die Erfindung verwendet ein Zweiphasen-CCD-Schieberegister, das für jede Taktphase lediglich eine Elektrode benutzt, sowie eine Elektrode der ersten Ebene und eine Elektrode der zweiten Ebene, so daß eine vereinfachte Ausleseeinrichtung ohne Zeilensprung verwirklicht wird mit einem entsprechend verbesserten Verhältnis zwischen lichtempfindlicher Fläche und gesamter Pixelfläche. Die Architektur erfordert somit nur, daß zwei Elektroden einer gegebenen Pixelreihe zugeordnet werden, wobei diese beiden Elektroden für jede Reihe aus Bildstellen eine vollständige CCD-Stufe umfassen. Paarweise angeordnete Elektroden der einen Ebene oder aus beiden Ebenen werden abwechselnd mit separaten Taktspannungen verbunden, um dadurch die wahlfreie Auswahl des Auslesemodus entweder mit oder ohne Zeilensprung zu ermöglichen. Die Selbstausrichtung der Übertragungssperrschicht-Implantate gewährleistet eine ausgezeichnete Übertragungsleistung des CCD-Schieberegisters.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • Es zeigen
  • Fig. 1 eine schematische Draufsicht eines Teilabschnitts einer typischen Bildverarbeitungseinrichtung mit Auslesemodus mit Zeilensprung nach dem bisherigen Stand der Technik;
  • Fig. 2 einen bruchstückhaften, teilweise schematischen vertikalen Querschnitt durch eine Halbleitereinrichtung entlang der in Fig. 1 wiedergegebenen Linie A-A, mit der Darstellung einer Konstruktion nach dem Stand der Technik;
  • Fig. 3a ein schematisches Taktablaufdiagramm für den Betrieb einer Einrichtung nach dem Stand der Technik mit feldweisem Zeilensprung;
  • Fig. 3b bis Fig. 3c schematische Zeitablaufdiagramme für den Betrieb der erfindungsgemäßen Einrichtung im Modus mit Zeilensprung sowie ohne Zeilensprung;
  • Fig. 4 eine schematische Draufsicht einer Ausführungsform eines Teilabschnitts der Erfindung;
  • Fig. 5 einen bruchstückhaften, teilweise schematischen Querschnitt entlang der in Fig. 4 wiedergegebenen Linie B-B;
  • Fig. 6 eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; und
  • Fig. 7 ein schematisches Taktablaufdiagramm, um den Betrieb der in Fig. 6 dargestellten Einrichtung in einem Auslesemodus mit Zeilensprung zu ermöglichen.
  • Fig. 4 ist eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Teilabschnitts einer Einrichtung zur Zwischenzeilenübertragung in einer Ausführungsform der Erfindung. Pixelreihen oder Fotorezeptorelemente, wie die als 1, 2, 3 und 4 gekennzeichneten Elemente, wechseln sich ab mit vertikalen Schieberegisterspalten 11, 21, 31 usw. Obwohl dies nicht dargestellt ist, ist selbstverständlich eine Übertragungsanordnung bereitgestellt, die die Übertragung der fotografisch erzeugten Ladung von den Pixeln zu den dazugehörigen vertikalen Schieberegisterelementen ermöglicht. Diese Ladungsübertragung ist durch die in Fig. 4 wiedergegebenen horizontalen Pfeile schematisch dargestellt. Das vertikale Schieberegister ist ein Zweiphasen-CCD-Schieberegister, das aus zwei sich überlappenden Leiterschichten zusammengesetzt ist, die typischerweise aus dotiertem Polysilizium bestehen. Die Zweiphasen- Abschnitte des Schieberegisters sind in Fig. 4 durch die schraffierten Flächen mit nach links unten bzw. nach rechts unten geneigten Linien angegeben. In Fig. 4 ist eine Taktspannungs-Steuereinheit dargestellt, die die vertikalen Schieberegisterelektroden mit den entsprechenden Spannungen beaufschlagt. Derartige Strukturen zur Erzeugung von Taktsignalen sind Fachleuten bereits bekannt. Man vergleiche diesbezüglich beispielsweise das allgemein am 6. Juni 1989 erteilte Patent US-A-4,922,137 auf den Namen von Small et al. Entsprechend der Darstellung in Fig. 4 verlaufen die Verbindungen der Taktspannungsleitung φ1a zu den Elek troden der ersten Ebene, die den Fotorezeptoren an ungerade numerierten Reihen wie beispielsweise 1 und 3 zugeordnet sind; die Verbindungen der Taktspannungsleitung φ1b zu den Elektroden der ersten Ebene, die den Fotorezeptoren an gerade numerierten Reihen wie beispielsweise 2 und 4 zugeordnet sind; sowie die Verbindungen der Taktspannungsleitung φ&sub2; zu den Elektroden der zweiten Ebene. Die vertikalen Schieberegister sind detaillierter dargestellt in Fig. 5, in der ein schematischer vertikaler Schnitt entlang der in Fig. 4 dargestellten Linie B-B wiedergegeben ist.
  • In Fig. 5 ist ein p-leitendes Halbleitersubstrat 100 mit einem n-leitenden vergrabenen Kanalbereich 120 vorhanden. Auf dem Substrat ist ein Isolieroxid 130 aufgewachsen, und Polysiliziumelektroden 140 der ersten Ebene sind bereitgestellt. Dotierte Bereiche 150 werden im Substrat über Mittel erzeugt, wie sie beispielsweise beschrieben sind durch Losee et al. in US-A-4,613,402, wobei die dotierten Bereiche unter Elektroden positioniert sind und genau bezüglich der Kanten der Polysiliziumelektroden 140 der ersten Ebene ausgerichtet sind. Zusätzliche dotierte Bereiche 160 sind neben den Elektroden 140 vorhanden, und Polysiliziumelektroden 170 der zweiten Ebene sind ausgebildet. Die Elektroden 170 sind mit einer Taktspannungsleitung φ&sub2; verbunden, und die Elektroden des Polysiliziums der ersten Ebene sind wechselweise mit den Leitungen φ1a bzw. φ1b verbunden. Die Dotierung in den Bereichen 150 und 160 ist so, daß im vergrabenen Kanal unterhalb jeder Elektrode eine Potentialstufe ausgebildet ist und somit die Ladungsübertragung erleichtert wird.
  • Die Taktspannungen für den Betrieb der Einrichtung im Modus ohne Zeilensprung sind in Fig. 3b wiedergegeben.
  • In Fig. 3b sowie in der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform ist dargestellt, daß die Taktspannungen, mit denen die Leitung φ1a beaufschlagt wird, gleich den Taktspannungen sind, mit denen die Leitung φ1b beaufschlagt wird. Am Anfang eines Blocks wird ein schematisch in Fig. 3b dargestellter Übertragungsimpuls wie angegeben angelegt, und zu diesem Zeitpunkt wird die Fotoladung von allen Fotorezeptorstellen in entsprechende Positionen in den vertikalen Schieberegisterkanälen übertragen. Anschließend werden die Ladungen durch Zweiphasentakte jeweils zeilenweise auf bereits bekannte Weise in ein horizontales Schieberegister übertragen.
  • Bei der Einrichtung wird der Auslesebetrieb mit Zeilensprung durch Taktspannungen entsprechend der Angabe in Fig. 3c bereitgestellt, wobei die Fotoladung aus ungerade numerierten Fotorezeptorreihen mit dem für die Leitung φ1a angegebenen Übertragungsimpuls des ungeraden Feldes übertragen und ausgelesen wird. Anschließend wird die Fotoladung aus gerade numerierten Reihen mit einem ähnlichen Impuls des geraden Feldes, mit dem die Leitung φ1b beaufschlagt wird, übertragen und ausgelesen. Man beachte, daß die vertikalen Taktimpulse im Vergleich zum Modus ohne Zeilensprung mit doppelter Geschwindigkeit erfolgen müssen, falls der vollständige Block mit Bildinformationen im gleichen Zeitraum ausgelesen werden soll. Dies liegt daran, daß im Modus mit Zeilensprung jede Reihe über zwei vollständige CCD- Stufen übertragen werden muß, um die nächste ungerade (bzw. gerade) numerierte Reihe in das horizontale CCD- Element zu bewegen.
  • Eine zweite Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 6 schematisch dargestellt. Eine Taktspannungs-Steuereinheit zum Anlegen der jeweiligen Taktspannungen ist ebenfalls in Fig. 6 wiedergegeben. Bei der Anordnung dieser Ausführungsform werden Reihen, die jeweils Elektroden der ersten und der zweiten Ebene enthalten, wechselweise mit separaten Taktspannungen verbunden. Um die Einrichtung im Modus ohne Zeilensprung zu betreiben, werden Elektroden, die aus der ersten Polysiliziumebene gebildet sind, über die Leitungen φ&sub1; bzw. φ&sub3; mit einer Taktspannung einer ersten Phase verbunden, und Elektroden, die aus der zweiten Polysiliziumebene gebildet sind, werden über die Leitungen φ&sub2; bzw. φ&sub4; mit dem Takt einer zweiten Phase verbunden.. Die Taktsteuerung erfolgt entsprechend der schematischen Darstellung in Fig. 3b, die bereits für die weiter oben wiedergegebene erste Ausführungsform beschrieben wurde. Beim Betrieb mit Zeilensprung kann die Taktsteuerung ähnlich der in Fig. 7 schematisch dargestellten Weise verwendet werden. Durch einen an die Taktleitung φ&sub1; angelegten Übertragungsimpuls des ungeraden Feldes wird Ladung von den ungerade numerierten Reihen aus Fotorezeptoren übertragen. Anschließend wird durch die an den Leitungen φ&sub1;, φ&sub2;, φ&sub3; und φ&sub4; anstehenden Taktspannungen mit Impulsen, die so eingerichtet sind, daß pro Taktzyklus die Ladungsübertragung durch zwei nebeneinanderliegende Pixel erfolgt, die Fotoladung zum Auslesen zu den horizontalen Schieberegistern übertragen. Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, daß die vertikale Taktfrequenz beim Betrieb sowohl mit Zeilensprung als auch ohne Zeilensprung gleich bleibt.
  • Selbstverständlich kann jede der Leiterelektroden 140 und 170 (oder auch beide Elektroden) aus zusammengesetzten Polysiliziumschichten bestehen, die mit einem Metallsilicid aus der aus WSIx, MoSix, TaSix, TiSix, W, Mo oder Ta bestehenden Gruppe bedeckt sind.
  • Es ist ersichtlich, daß, obwohl die Beschreibung und die Darstellungen zur Erfindung für eine n-Kanal-Einrichtung wiedergegeben wurden, die Erfindung gleichermaßen bei p-Kanal-Einrichtungen anwendbar ist, wobei die entsprechenden Änderungen der Dotierungstypen Fachleuten auf diesem Gebiet bereits bekannt sind.
  • Standardsysteme zum Abtasten und zur Anzeige von Videobildern arbeiten mit einem Format mit einem sogenannten Zeilensprung für das Auslesen und die Wiedergabe von Bildinformationen. Bei dieser Auslesesequenz mit Zeilensprung werden erste und zweite getrennte Reihen aus Bildelementen oder Pixeln, die ein Feld bereitstellen, jeweils reihenweise ausgelesen. Anschließend wird ein zweites Feld ausgelesen, das aus den verbleibenden ersten und zweiten Pixelreihen besteht. Diese Auslesesequenz wird anschließend mit einer Frequenz von typischerweise 25 bis 30 Vorgängen pro Sekunde wiederholt. CCD-Bildsensoren mit ladungsgekoppelten Elementen sind zunehmend die bevorzugte Einrichtung für die Bildabtastung bei Videosystemen. Die Pixelarchitektur von CCD-Sensoren bei diesen Anwendungen ist häufig durch eine Zwischenzeilenübertragung gekennzeichnet. Bei elektronischen Fotografieanwendungen können allerdings CCD-Bildsensoren mit Zwischenzeilenübertragung, aber mit Auslesesequenz ohne Zeilensprung erforderlich sein. Derartige Einrichtungen lesen alle Pixelreihen nacheinander und nicht in Form sich abwechselnder Reihen aus.
  • Gemäß der Erfindung wird eine CCD-Bildverarbeitungseinrichtung mit Zwischenzeilenübertragung ohne Zeilensprung und mit vereinfachter Struktur beschrieben, so daß die Herstellbarkeit verbessert ist. Die Taktsteuerung und die Elektrodenverkabelung sind so ausgeführt, daß die Einrichtung in Betriebsarten sowohl mit Zeilensprung als auch ohne Zeilensprung betrieben werden kann. Die Einrichtung verwendet ionenimplantierte Sperrschichten oder Speicherbereiche, die entsprechend der Beschreibung durch Losee et al. in US- A-4,613,402 selbstausrichtend sein können, so daß eine Einrichtung mit der Mindestanzahl von zwei Polysiliziumelektroden, die jedem der Pixel zugeordnet sind, erstellt wird. Durch die strukturellen Vereinfachungen wird die lichtempfindliche Fläche maximiert, so daß die fotografische Leistungscharakteristik verbessert wird; und die Wahlmöglichkeit zwischen den Auslesemodi mit Zeilensprung und ohne Zeilensprung ergibt eine erweiterte Flexibilität des Systems sowohl bei Videoanwendungen als auch bei elektronischen fotografischen Stehbildanwendungen.

Claims (5)

1. CCD-Flächenbildsensor mit Zwischenzeilenübertragung, der Taktleitungen (φ1a, φ1b, φ&sub2;) eine Vielzahl vertikaler CCD-Schieberegister (11, 21, 31) und in Spalten und Zeilen getrennt angeordnete Pixel aufweist, dadurch gekennzeichnet. daß jedes der ladungsgekoppelten Bauelemente (CCD) folgende Komponenten umfaßt: eine Reihe sich überlappender Elektroden (140, 170), wobei benachbarte Elektrodenpaare einem einzigen Pixel einer Zeile entsprechen und eine vollständige Stufe eines CCD-Schieberegisters (11, 21, 31) bilden und wobei jede Elektrode eines Elektrodenpaares aus einer einzigen Leiterebene gebildet ist, erste und zweite getrennte, mit jeder zweiten Elektrode einer Leiterebene verbundene Taktleitungen (φ1a - φ1b), und eine dritte, mit allen Elektroden der anderen Leiterebene verbundene Taktleitung (φ&sub2;), wobei unter einer Kante jeder Elektrode ein ionenimplantierter Sperrschicht- oder Speicherbereich gebildet ist, und Steuermittel zum wahlweisen Anlegen von Spannung an die ersten, zweiten und dritten Taktleitungen, damit der Sensor entweder im Auslesemodus mit oder ohne Zeilensprung arbeitet.
2. CCD-Flächenbildsensor mit Taktleitungen (φ&sub1; - φ&sub4;), einer Vielzahl vertikaler CCD-Schieberegister (11, 21, 31) und in Spalten und Zeilen getrennt angeordneten Pixeln, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der ladungsgekoppelten Bauelemente (CCD) folgende Komponenten umfaßt: eine Reihe sich überlappender Elektroden (140, 170), wobei benachbarte Elektrodenpaare einem einzigen Pixel einer Zeile entsprechen und eine vollständige Stufe eines CCD- Schieberegisters (11, 21, 31) bilden und wobei jede Elektrode eines Elektrodenpaares aus einer einzigen Leiterebene gebildet ist, vier getrennte Taktleitungen (φ&sub1; - φ&sub4;), wobei jede zweite Zeile der in der ersten Ebene befindlichen Leiter mit der ersten bzw. zweiten Taktleitung (φ&sub1; - φ&sub2;) und jede zweite Zeile der in der zweiten Ebene befindlichen Elektroden mit der dritten bzw. vierten Taktleitung (φ&sub3; - φ&sub4;) verbunden sind, und wobei unter einer Kante jeder Elektrode ein ionenimplantierter Sperrschicht- oder Speicherbereich gebildet ist, und Steuermittel zum wahlweisen Anlegen von Spannung an die ersten, zweiten, dritten und vierten Taktleitungen, damit der Sensor entweder mit oder ohne Zeilensprung arbeitet, wobei von jedem Pixel Ladung in einen Bereich unter seiner entsprechenden Elektrode übertragen wird.
3. CCD-Flächenbildsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (140, 170) aus dotiertem Polysilizium bestehen.
4. CCD-Flächenbildsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder beide Elektroden (140, 170) aus zusammengesetzten Schichten von Polysilizium und einem oder mehreren aus der Gruppe WSIX, MOSIX, TaSix, TiSix, W, Mo oder Ta bestehenden Materialien gebildet sind.
5. CCD-Flächenbildsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich an der Stelle jedes Pixels eine Fotodiode befindet.
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