DE68920932T2 - Verfahren zum Herstellen von Kontakten aus flache Übergänge enthaltenden integrierten Schaltungen. - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Kontakten aus flache Übergänge enthaltenden integrierten Schaltungen.Info
- Publication number
- DE68920932T2 DE68920932T2 DE68920932T DE68920932T DE68920932T2 DE 68920932 T2 DE68920932 T2 DE 68920932T2 DE 68920932 T DE68920932 T DE 68920932T DE 68920932 T DE68920932 T DE 68920932T DE 68920932 T2 DE68920932 T2 DE 68920932T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- integrated circuits
- circuits containing
- containing flat
- making contacts
- flat transitions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22691788A | 1988-08-01 | 1988-08-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68920932D1 DE68920932D1 (de) | 1995-03-16 |
DE68920932T2 true DE68920932T2 (de) | 1995-06-01 |
Family
ID=22850977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68920932T Expired - Lifetime DE68920932T2 (de) | 1988-08-01 | 1989-07-27 | Verfahren zum Herstellen von Kontakten aus flache Übergänge enthaltenden integrierten Schaltungen. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0357221B1 (de) |
JP (2) | JP3311343B2 (de) |
KR (1) | KR930002451B1 (de) |
CA (1) | CA1314631C (de) |
DE (1) | DE68920932T2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0478233B1 (de) * | 1990-09-27 | 1996-01-03 | AT&T Corp. | Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen |
JP3469420B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2003-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Cvd成膜方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3777538D1 (de) * | 1986-11-10 | 1992-04-23 | American Telephone & Telegraph | Wolfram metallisierung. |
US4924295A (en) * | 1986-11-28 | 1990-05-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated semi-conductor circuit comprising at least two metallization levels composed of aluminum or aluminum compounds and a method for the manufacture of same |
US4749597A (en) * | 1987-10-19 | 1988-06-07 | Spectrum Cvd, Inc. | Process for CVD of tungsten |
-
1989
- 1989-05-24 CA CA000600521A patent/CA1314631C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-27 DE DE68920932T patent/DE68920932T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-27 EP EP89307632A patent/EP0357221B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-28 KR KR1019890010699A patent/KR930002451B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-07-31 JP JP19703389A patent/JP3311343B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-30 JP JP11184638A patent/JP2000031090A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0357221B1 (de) | 1995-02-01 |
JPH0279426A (ja) | 1990-03-20 |
EP0357221A1 (de) | 1990-03-07 |
DE68920932D1 (de) | 1995-03-16 |
JP3311343B2 (ja) | 2002-08-05 |
KR900003996A (ko) | 1990-03-27 |
KR930002451B1 (ko) | 1993-03-30 |
CA1314631C (en) | 1993-03-16 |
JP2000031090A (ja) | 2000-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3582556D1 (de) | Verfahren zum herstellen von kontakten fuer integrierte schaltungen. | |
DE3576900D1 (de) | Verfahren zum herstellen von gedruckten schaltungen. | |
DE3850624T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkontakten. | |
DE3888937T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen mit FET. | |
DE3581937D1 (de) | Verfahren zur herstellung von modulen, aufgestapelte integrierte schaltungen enthalten. | |
DE69030843T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren für integrierte Schaltungen | |
DE69125233D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen | |
DE3853456D1 (de) | Harzzusammensetzung für gedruckte Schaltungen. | |
DE3685124D1 (de) | Integriertes halbleiterschaltungsbauelement und verfahren zu seiner herstellung. | |
DE69005691D1 (de) | Behandlung von Kupferfolie für gedruckte Schaltungen. | |
DE3869492D1 (de) | Elektronische mikroschaltungskarte und verfahren zum herstellen derselben. | |
DE3485112D1 (de) | Verfahren zur bildung logischer schaltungen. | |
DE69009259D1 (de) | Verfahren zum Zusammensetzen von Halbleiteranordnungen. | |
DE3786785T2 (de) | Verfahren zur herstellung von mos-bauelementen für integrierte schaltungen. | |
DE3483455D1 (de) | Verfahren zur selbstheilung von hochintegrierten schaltungen und selbstheilende hochintegrierte schaltung. | |
DE3769484D1 (de) | Verfahren zur herstellung von gedruckten leiterplatten. | |
DE3878090T2 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitenden schaltungen. | |
DE68914572D1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen. | |
DE69220559D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontakten in Löchern in integrierten Schaltungen | |
DE3764358D1 (de) | Verfahren zum chemischen gemeinsamen zerteilen von halbleiterbauelementen und nach diesem verfahren getrennte bauelemente. | |
DE3887211D1 (de) | Verfahren und Schaltungsanordnung zum Vermindern von Störungen. | |
DE3888511D1 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kontakten in integrierten Schaltungen. | |
DE68920932T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Kontakten aus flache Übergänge enthaltenden integrierten Schaltungen. | |
DE68922409T2 (de) | Verfahren zur gasartigen reinigung von halbleiterbauelementen. | |
DE3854710D1 (de) | Verfahren zum Herstellen von monolithischen Halbleiterschaltungen. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |