DE68914948T2 - Spannungsreferenzkreis mit linearisiertem Temperaturverhalten. - Google Patents
Spannungsreferenzkreis mit linearisiertem Temperaturverhalten.Info
- Publication number
- DE68914948T2 DE68914948T2 DE68914948T DE68914948T DE68914948T2 DE 68914948 T2 DE68914948 T2 DE 68914948T2 DE 68914948 T DE68914948 T DE 68914948T DE 68914948 T DE68914948 T DE 68914948T DE 68914948 T2 DE68914948 T2 DE 68914948T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- emitter
- resistance element
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Spannungsreferenzkreis mit linearisiertem Temperaturverhalten.
- Es ist bekannt, daß die Spannungsreferenz ein wesentlicher Block integrierter Schaltungen ist. Dieser Block kann Konfigurationen enthalten, die Zenerdioden oder eine sogenannte Bandabstand-Struktur verwenden; eine solche typische Konfiguration ist in Fig. 1 gezeigt. Diese dargestellte Struktur wird allgemein bevorzugt bei Konfigurationen, die Zenerdioden verwenden, da sie einige Vorteile haben, darunter der geringe Wert ihrer Ausgangsspannung, typisch 1,2 Volt, welcher es gestattet, ihre Verträglichkeit mit Spannungsquellen zu erweitern, und eine gute thermische Stabilität.
- Bezugnehmend auf die Darstellung in Fig. 1, insbesondere auf die Transitoren Q&sub1; und Q&sub2;, zeigen einfache Berechnungen, daß
- in welcher
- wobei A das Verhältnis zwischen den Emitterflächen von Q&sub1; und Q&sub2; ist;
- IS ist der inverse Sättigungsstrom, VT = KT/q e η ist ein Korrektur- Parameter, welcher auf die eingesetzte Technologie bezogen und unabhängig von der Temperatur ist.
- Durch Ableitung nach der Temperatur wird das folgende erhalten:
- Durch Analysieren dieser letzten Gleichung ergibt sich, daß ·δΔVBE/δT konstant und positiv ist und daß diese einfache Funktion ein linear ansteigendes Verhalten zeigt, während ·δVBE/δT nicht konstant und negativ ist und deshalb die Spannung VBE(T) ein nichtlineares, abfallendes Verhalten zeigt. Diese Situation wird ausgedrückt in den Fig. 2a und 2b, welche entsprechend die Ableitung des Spannungsabfalls an R&sub2; (direkt proportional zu der Ableitung von ΔVBE, bezogen auf die Temperatur) und die auf die Temperatur bezogene Ableitung des Basis-Emitter-Spannungsabfalls darstellen.
- In einem signifikanten Temperaturbereich (typisch für Anwendungen im Bereich von Motorfahrzeugen) zwischen -40ºC und 150ºC sind drei verschiedene Situationen möglich, nämlich:
- - wenn δVBE/δT > δαVBE/δT als Absolutwert in dem gesamten Bereich angenommen wird, wird die Spannung VREF(T) stets ein abfallendes Verhalten zeigen;
- - wenn statt dessen δVBE/δT < d Verfahren DaVBE/dT ist (stets in Absolutwerten in dem gesamten Bereich), wird VREF(T) stets ansteigendes Verhalten zeigen;
- - wenn, stets innerhalb des ursprünglich angenommenen Bereiches, die zweite der zwei beschriebenen Bedingungen anfänglich zutrifft und die erste nachfolgend zutrifft, wird die Ableitung der Spannung VREF(T), bezogen auf die Temperatur, anfangs positiv und nachfolgend negativ (siehe Fig. 2c) und die Ausgangsfunktion wird einen parabolischen Verlauf aufweisen.
- Verallgemeinernd kann gesagt werden, daß die Spannung VREF ein parabolisches Verhalten zeigt, bei welchem sich die Position des Maximalwertes innerhalb oder außerhalb des betrachteten Temperaturbereiches befinden kann. Mit einer gleichen Spannung VBE wird die Position dieses Punktes mit der Spannung VREF verbunden, die bei einer gegebenen Referenztemperatur (gewöhnlich wird die Umgebungstemperatur herangezogen) erhalten wird. Dieser Referenz-Spannungswert bestimmt daher den Wert des Widerstandes R&sub2;.
- Diese Schlußfolgerungen sind in den Fig. 2a, 2b, 2c und 3 illustriert, in welchen drei unterschiedliche Werte des Widerstandes R&sub2; angenommen wurden und daher drei unterschiedliche Kennlinien erhalten wurden. Insbesondere beziehen sich die Kurven 1, 2 und 3 auf absteigende Werte des Widerstandes R&sub2;, welche eine Verschiebung des Nulldurchganges der Kurve δVREF/δT nach sich ziehen, das bedeutet eine Veränderung des Wendepunktes der Ursprungsfunktion, welche daher eines der drei in Fig. 3 gezeigten Verhalten aufweist. Dieses Verhalten ist in jedem Fall eher theoretisch, da es bestimmt ist durch die Lösung einer mathematischen Gleichung; in der Praxis jedoch machen die unvermeidbaren Prozeßstreuungen solch ein Verhalten unerreichbar.
- In dieser Situation entsteht das Problem der Begrenzung der Veränderung der Referenzspannung als Funktion der Temperatur durch Vorsehen von Mitteln zum linearisieren des Verhaltens der Spannung.
- Aus der US-A-4,249,122 ist eine Vorrichtung bekannt, wie im Oberbegriff des Anspruches 1 definiert.
- Außerdem ist aus der GB-A-2,040,087 eine Vorrichtung mit zwei Transistoren bekannt, die mit unterschiedlichen Stromdichten arbeiten, um einen Strom mit einem positiven Temperaturkoeffizienten zu erreichen, welcher durch einen Widerstand fließt, der in Serie mit dem Transistor liegt, der die Spannung mit dem negativen Temperaturkoeffizienten erzeugt. Weitere Temperaturkompensation ist vorgesehen durch Hinzufügen eines zusätzlichen Widerstandes mit einem positiven Temperaturkoeffizienten.
- Eine besondere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, mit minimalem Schaltungsaufwand die Stabilität der Referenzspannung zu verbessern und die Temperaturabhängigkeit zu verringern.
- Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein einfaches Kompensationssystem anzugeben, welches leicht in den Spannungsreferenzkreis integriert werden kann und zuverlässig arbeitet.
- Die oben genannten Aufgaben und andere, welche nachstehend erkennbar werden, werden verwirklicht durch einen Spannungsreferenzkreis mit linearisiertem Temperaturverhalten, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert.
- Die Charakteristika und Vorteile der Erfindung werden erkennbar aus der Beschreibung einer bevorzugten, aber nicht ausschließlichen Ausführungsform, die in den beigefügten Zeichnungen im Sinne eines nicht einschränkenden Beispiels lediglich illustriert wird. Es zeigen:
- Fig. 1 ein vereinfachtes Schaltbild einer bekannten Spannungsreferenz in Bandabstand-Konfiguration;
- Fig. 2a, 2b, 2c und 3 mögliche Darstellungen von Spannungen des Schaltkreises aus Fig. 1 und Ableitungen davon;
- Fig. 4 ein vereinfachtes Schaltbild der Struktur aus Fig. 1, erfindungsgemäß modifiziert;
- Fig. 5 ein vereinfachtes Schaltbild einer anderen Konfiguration einer bekannten Spannungsreferenz; und
- Fig. 6 eine erfindungsgemäße Modifikation des Bildes aus Fig. 5.
- Die Fig. 1 bis 3 werden nachstehend nicht beschrieben; es wird hinsichtlich dieser Figuren Bezug genommen auf den einführenden Abschnitt des vorliegenden Patentes (für die Darstellung in Fig. 1 siehe auch A. Paul BROKAW, "Single terminal three IC reference", I.E.E.E. Journal of Solid State Circuits, Vol. SC9, Nr. 6, Dezember 1974, Seiten 389-393).
- Es wird vielmehr Bezug genommen auf Fig. 4, welche einen Spannungsreferenzkreis in Bandabstands-Konfiguration gemäß der Erfindung darstellt. Ein solcher Schaltkreis entspricht im wesentlichen demjenigen aus Fig. 1, ausgenommen die Tatsache, daß der Widerstand R&sub2; ersetzt wurde durch drei Widerstände R2a, R2b und R2c, die zueinander in Serie angeordnet und mit dem Emitter von Q&sub2; und einem Anschluß von R&sub1; auf einer Seite und mit Masse auf der anderen verbunden sind. Die Schaltung beinhaltet weiterhin einen NPN-Transistor QR, welcher mit seiner Basis an dem gemeinsamen Punkt zwischen R2a und R2b angeschlossen ist, dessen Kollektor mit der Quellenspannung Vcc verbunden ist, und dessen Emitter über einen Widerstand RR mit dem gemeinsamen Punkt zwischen R2b und R2c verbunden ist.
- Wenn der Widerstand RR vorübergehend ignoriert wird, sind der Kollektorstrom IC und der Basis-Emitter-Spannungsabfall VBE des Transistors QR
- woraus
- Dieser Strom weist eine parabolische Temperaturabhängigkeit auf, welche ausschließlich von dem Strom IC herrührt, dessen Wert sich annähernd alle 10ºC verdoppelt. Durch Einprägen dieses Stromes in den Widerstand R2cc wird ein zusätzlicher Ausdruck für die Spannung VREF erhalten, der imstande ist, das natürliche Verhalten zu kompensieren.
- Durch Verwenden dieses Stromes ist es daher möglich, die Veränderung der Referenzspannung VREF von einer gegebenen Temperatur an zu kompensieren. Ausgehend von dem Vorstehenden steigt die Spannung über den Widerständen R&sub2; und dabei insbesondere über R2b, welche proportional zu ΔVBE ist, tatsächlich mit der Temperatur, während die Spannung am Basis-Emitter-Übergang von QR mit der Temperatur abnimmt. Bei einer vorgegebenen Temperatur ist daher VR2b = VBE, das bedeutet, der Transistor QR ist eingeschaltet.
- Entsprechend dem dargestellten Diagramm neigt der Transistor QR dazu, zunehmend zu leiten, wenn die Temperatur steigt. Daher wurde der Widerstand RR eingesetzt, um das Schalten des Transistors feinstufiger zu machen.
- Da die Wirkung des Transistors QR auf hohe Temperaturen begrenzt ist, ist die Kompensation, beginnend von einem Referenzspannungsverhalten, das seinen maximalen Wert bei niedrigen Temperaturen hat, optimiert, d. h. bei der Bedingung, die durch die Kurve 3 in Fig. 3 gezeigt ist, die, wie erwähnt, durch geeignetes Festlegen des Wertes von R2b erhalten werden kann.
- Das gleiche erfinderische Konzept kann angewendet werden auf eine Referenzspannung, angeordnet nach Widlars Theorie, von der Fig. 5 eine typische nichtlinearisierte Struktur zeigt.
- Für diese bekannte Konfiguration ist die Ausgangsspannung VREF gegeben durch den Basis-Emitter-Abfall am Transistor Q&sub5; plus dem Abfall an R&sub4; und damit:
- Die oben dargelegten Betrachtungen sind auch für diesen Schaltkreis gültig und allgemein wird die Ausgangsreferenzspannung einen parabolischen Verlauf haben, welcher bei hohen Temperaturen durch Verwenden des in Fig. 6 gezeigten Diagrammes kompensiert werden kann.
- Wie aus der Figur erkennbar ist, wurde ähnlich wie in der in Fig. 4 illustrierten Lösung der Widerstand R&sub4; geteilt in zwei Widerstände R4a und R4b und der PNP-Transistor Q'R wurde eingefügt; der Kollektor des Transistors ist mit Masse verbunden, seine Basis ist verbunden mit dem gemeinsamen Punkt zwischen R4a und R4b und sein Emitter ist verbunden mit dem Widerstand R'R, dessen äußerer Anschluß an dem oberen Teil der Schaltung, welche schematisch durch die Stromquelle I dargestellt ist, angeschlossen ist.
- Die Temperaturkompensation der Schaltung in Fig. 6 wirkt ähnlich der in Fig. 4 gezeigten; insbesondere ist R4a das Äquivalent von R2b und stellt das temperaturabhängige Schalten des Wiederherstellungs- oder Kompensations-Transistors Q'R ein; R4b ist das Äquivalent des Widerstandes R2c und legt daher die Wiederherstellungs-Spannung fest (da er den Basisstrom des Transistors Q'R nach dessen Einschalten erhält) und R'R bewirkt die feine Abstufung der Wirkungsweise des Wiederherstellungs-Transistors.
- Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, verwirklicht die Erfindung die vorgegebenen Aufgaben. Insbesondere durch die Wirkung des Einfügens der Kompensations-Transistoren in bekannte Schaltungen wird eine Stromquelle eingesetzt, welche einen Wiederherstellungs-Strom einprägt, beginnend bei einer Spannung, welche durch geeignete Dimensionierung der Schaltung festgelegt werden kann. Dieser Strom, eingeprägt in R2c oder R4b, gestattet eine Kompensation oder mindestens Reduzierung der negativen Steigung der Referenzspannung, wenn die Temperatur steigt.
- Die illustrierte Lösung ist weiterhin außerordentlich einfach, da sie aus dem Einfügen eines Transistors und mehrerer Widerstände ohne weitere Modifikation der bekannten Schaltung besteht, einen reduzierten Aufwand nach sich zieht und leicht integrierbar ist.
Claims (6)
1. Bandabstands-Konstantspannungsreferenzkreis mit 1 linearisiertem
Temperaturverhalten, mit
einem Ausgangstransistor (Q&sub2;, Q&sub5;) mit einem Basis-Emitter-Übergang mit
einem Spannungsabfall (VBE), welcher als Funktion der Temperatur in
einer nichtlinearen Weise veränderbar ist,
Widerstandsmitteln (R2a, R2c; R4a, R4b), die in Serie mit dem Übergang
verbunden sind,
einen anderen Transistor enthaltende Kompensationsmittel (Q&sub1;; Q&sub3;, Q&sub4;)
zum Kompensieren des Spannungsabfalls, wobei der Übergang und die
Widerstandsmittel zwischen einer Referenzpotentialleitung und einem
Ausgangsanschluß eingefügt sind, und mit
veränderbaren Stromquellen-Mitteln, die einen Kompensationsstrom (IC)
erzeugen, und die einen Kompensationstransistor (QR, Q'R) beinhalten,
der einen Kompensationsstrom erzeugt, welcher als Funktion der
Temperatur veränderlich ist, um einen Spannungsabfall zu erzeugen, mit
einem Verhalten, welches im wesentlichen entgegengesetzt ist zu dem
nicht linearen Verhalten des Spannungsabfalles am Übergang in
mindestens einem Betriebsbereich des Kreises und somit weiterhin den
Übergangs-Spannungsabfall in mindestens einem Arbeitsbereich kompensiert,
dadurch gekennzeichnet, daß das Stromquellenmittel die
Widerstandsmittel (R2a; R2c; R4a, R4b) ohne das Zwischenfügen eines Transistors direkt
mit dem Kompensationsstrom (IC) speist, um so den Spannungsabfall in
den Widerstandsmitteln zu erzeugen.
2. Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sie Schaltungsmittel (R2b, RR; R4a, R'R) zum
Schalten des Kompensationstransistors bei einer gegebenen
Betriebstemperatur beinhaltet.
3. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß sie einen ersten und einen zweiten
Transistor (Q&sub1;, Q&sub2;) beinhaltet, deren Kollektoranschlüsse mit einer
entsprechenden Stromquelle verbunden sind, deren Basisanschlüsse miteinander
verbunden sind und deren Emitteranschlüsse über ein erstes
Widerstandselement (R&sub1;) miteinander verbunden sind, die Emitteranschlüsse
des ersten und zweiten Transistors mit den Widerstandsmitteln (R2a-R2c)
verbunden sind, die Widerstandsmittel mindestens ein zweites und ein
drittes Widerstandselement (R2b, R2c) umfassen, die mit einem ersten
ihrer Anschlüsse miteinander in Serie geschaltet sind, der andere
Anschluß des zweiten Widerstandselementes (R2b) mit den
Emitteranschlüssen des ersten und des zweiten Transistors (Q&sub1;, Q&sub2;) verbunden ist und
der andere Anschluß des dritten Widerstandselementes (R2c) mit einer
Masseleitung verbunden ist, und daß das zweite Widerstandselement (R2b)
zusätzlich parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des
Kompensationstransistors (QR) geschaltet ist und das Schalten aufgrund dessen
Temperatur festlegt.
4. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch ein in Serie mit dem Emitter des
Kompensationstransistors (QR) verbundenes viertes Widerstandselement (RR).
5. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, als Widlar-Typ,
dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Transistor (Q&sub5;) beinhaltet,
angeschlossen zwischen dem Ausgangsanschluß und der
Bezugspotentialleitung mit seinen eigenen Kollektor- und Emitter-Anschlüssen, an einem
Anschluß der Widerstandsmittel (R4a, R4b) mit seinem eigenen
Basisanschluß, die Widerstandsmittel mit ihrem anderen Anschluß an dem
Ausgangsanschluß angeschlossen sind, daß die Widerstandsmittel ein erstes
und ein zweites Widerstandselement (R4a, R4b) beinhalten, die mit einem
ihrer Anschlüsse miteinander verbunden sind, der andere Anschluß des
ersten Widerstandselementes (R4b) mit dem Basisanschluß des Transistors
(Q&sub5;) verbunden ist, der andere Anschluß des zweiten
Widerstandselementes (R4a)
mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, und daß das zweite
Widerstandselement (R4a) parallel geschaltet ist zu dem Basis-Emitter-
Übergang des Kompensationstransistors (Q'R) und das Schalten abhängig
von dessen Temperatur bewirkt.
6. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch ein drittes Widerstandselement (R'R), in Serie
verbunden mit dem Emitteranschluß des Kompensationstransistors (Q'R).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT8822710A IT1227488B (it) | 1988-11-23 | 1988-11-23 | Circuito di riferimento di tensione ad andamento in temperatura linearizzato. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68914948D1 DE68914948D1 (de) | 1994-06-01 |
DE68914948T2 true DE68914948T2 (de) | 1995-03-02 |
Family
ID=11199518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68914948T Expired - Fee Related DE68914948T2 (de) | 1988-11-23 | 1989-11-14 | Spannungsreferenzkreis mit linearisiertem Temperaturverhalten. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5001414A (de) |
EP (1) | EP0370364B1 (de) |
JP (1) | JPH02201512A (de) |
DE (1) | DE68914948T2 (de) |
IT (1) | IT1227488B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR920010633A (ko) * | 1990-11-30 | 1992-06-26 | 김광호 | 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로 |
IT1244341B (it) * | 1990-12-21 | 1994-07-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Generatore di tensione di riferimento con deriva termica programmabile |
FR2672705B1 (fr) * | 1991-02-07 | 1993-06-04 | Valeo Equip Electr Moteur | Circuit generateur d'une tension de reference variable en fonction de la temperature, notamment pour regulateur de la tension de charge d'une batterie par un alternateur. |
IT1245237B (it) * | 1991-03-18 | 1994-09-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Generatore di tensione di riferimento variabile con la temperatura con deriva termica prestabilita e funzione lineare della tensione di alimentazione |
DE19817791A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Siemens Ag | Referenzspannungsschaltung |
FR2809834B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2002-08-23 | St Microelectronics Sa | Source de courant a faible tension d'alimentation et a faible sensibilite en tension |
JP4212036B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 定電圧発生器 |
EP1501001A1 (de) * | 2003-07-22 | 2005-01-26 | STMicroelectronics Limited | Vorspannungsschaltung |
TWI457743B (zh) * | 2012-09-20 | 2014-10-21 | Novatek Microelectronics Corp | 能帶隙參考電路及其雙輸出自我參考穩壓器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4249122A (en) * | 1978-07-27 | 1981-02-03 | National Semiconductor Corporation | Temperature compensated bandgap IC voltage references |
US4250445A (en) * | 1979-01-17 | 1981-02-10 | Analog Devices, Incorporated | Band-gap voltage reference with curvature correction |
US4325017A (en) * | 1980-08-14 | 1982-04-13 | Rca Corporation | Temperature-correction network for extrapolated band-gap voltage reference circuit |
US4362984A (en) * | 1981-03-16 | 1982-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Circuit to correct non-linear terms in bandgap voltage references |
US4490670A (en) * | 1982-10-25 | 1984-12-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Voltage generator |
US4603291A (en) * | 1984-06-26 | 1986-07-29 | Linear Technology Corporation | Nonlinearity correction circuit for bandgap reference |
US4714872A (en) * | 1986-07-10 | 1987-12-22 | Tektronix, Inc. | Voltage reference for transistor constant-current source |
GB8630980D0 (en) * | 1986-12-29 | 1987-02-04 | Motorola Inc | Bandgap reference circuit |
US4808908A (en) * | 1988-02-16 | 1989-02-28 | Analog Devices, Inc. | Curvature correction of bipolar bandgap references |
US4843302A (en) * | 1988-05-02 | 1989-06-27 | Linear Technology | Non-linear temperature generator circuit |
US4939442A (en) * | 1989-03-30 | 1990-07-03 | Texas Instruments Incorporated | Bandgap voltage reference and method with further temperature correction |
-
1988
- 1988-11-23 IT IT8822710A patent/IT1227488B/it active
-
1989
- 1989-11-14 EP EP89121049A patent/EP0370364B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-14 DE DE68914948T patent/DE68914948T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-21 US US07/440,034 patent/US5001414A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-22 JP JP1304519A patent/JPH02201512A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5001414A (en) | 1991-03-19 |
EP0370364B1 (de) | 1994-04-27 |
IT8822710A0 (it) | 1988-11-23 |
IT1227488B (it) | 1991-04-12 |
EP0370364A1 (de) | 1990-05-30 |
DE68914948D1 (de) | 1994-06-01 |
JPH02201512A (ja) | 1990-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69516767T2 (de) | Referenzschaltung mit kontrollierter temperaturabhängigkeit | |
DE3001552C2 (de) | ||
DE60214452T2 (de) | Stromreferenzschaltung | |
DE2736915C2 (de) | Bezugsspannungsgenerator | |
DE69411516T2 (de) | Bandgap Referenzstromquelle mit Spreizkompensierung des Sättigungstromes von einem Bipolartransistor | |
DE69116641T2 (de) | Bandabstand- Bezugsschaltung | |
DE69423121T2 (de) | Temperaturkompensierter Spannungsregler | |
DE69000803T2 (de) | Stromquelle mit niedrigem temperaturkoeffizient. | |
DE3050217T1 (de) | Bandgap voltage reference employing sub-surface current using a standard cmos process | |
DE2749855A1 (de) | Spannungsregler | |
DE69700031T2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Referenzstrom in einer integrierten Schaltung | |
DE68914948T2 (de) | Spannungsreferenzkreis mit linearisiertem Temperaturverhalten. | |
DE69214010T2 (de) | Ansteuerschaltung für einen Leistungstransistor mit dem Basisstrom als gegebene Funktion des Kollektorstromes | |
DE69600348T2 (de) | Spannungs- und/oder Stromreferenzgenerator in integriertem Schaltkreis | |
DE102017125831A1 (de) | Temperaturkompensierte Referenzspannungsschaltung | |
DE2337138A1 (de) | Verstaerkerschaltung | |
DE69406199T2 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von langen stabilisierten Pulsen | |
DE68909966T2 (de) | Stabilisierte Strom- und Spannungsquellen. | |
DE3439114A1 (de) | Bandabstands-spannungsbezugsschaltung | |
DE2617737C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Temperatur-Kompensation eines Kristalloszillators | |
DE69511043T2 (de) | Referenzspannungsquelle zur polarisierung von mehreren stromquelletransistoren mit temperaturkompensierter stromversorgung | |
DE3006598C2 (de) | Spannungsquelle | |
EP0238903B1 (de) | Referenzstromquelle | |
DE69222721T2 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE2250625A1 (de) | Stromregler |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |